CN112553592B - 一种利用ald工艺对静电吸盘进行处理的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，包含：步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，通入第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至静电吸盘表面；步骤2，采用氮气流吹扫；步骤3，通入第二反应气体，进行第二化学吸附；步骤4，采用氮气流吹扫；步骤5，重复步骤1‑4，直到所述静电吸盘符合要求。本发明利用ALD工艺增强原E‑chuck的孔附近的耐击穿性能，对其进行有效的绝缘防护，达到稳定运行和延长使用寿命、降低成本的作用。该方法不仅有效解决电弧放电问题；且工艺过程不引入颗粒与金属污染；尤其适用于高功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。

Description

一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法
技术领域
本发明涉及半导体刻蚀技术中用到的等离子设备的抗腐蚀技术，具体涉及一种利用ALD（原子层沉积，Atomic layer deposition）技术改进静电吸盘耐击穿性能的方法。
背景技术
半导体刻蚀技术是利用等离子体或等离子体与腐蚀性气体共同实现选择性腐蚀的半导体生产工艺技术。
静电吸盘(electrostatic chuck，简称E-chuck 或ESC)是等离子体处理装置(如，等离子体刻蚀装置)的一个关键组件。由于常作为下电极与基片承载器而工作，静电吸盘应具备一些基本的材质性能与功能，比如，足够的硬度以应付基片在垂直方向上的吸附和解吸附移动过程中产生的摩擦磨损，高电阻率以保持电绝缘性能，材料结构稳定性以及对等离子体刻蚀的高抵抗力，良好的热传导性以维持基片温度的均匀性，等等。另外，静电吸盘应具有优良的电学及物理性能以提供以下工艺功能，比如，吸附/解吸附(chuck/de-chuck)，低泄漏电流(low leakage current)，以及高绝缘强度(dielectric strength)或者说高击穿电压(breakdown voltage，Vbd)。
但是，现有的静电吸盘通常通过将陶瓷圆盘 (ceramic puck)粘接至铝基座或阳极氧化铝基座而制成。陶瓷圆盘通常由氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)制成，以实现可控的静电吸盘功能，比如，吸附/解吸附，射频匹配(RF coupling)等。当静电吸盘工作在卤族元素(比如，F、Cl)等离子体环境时，不管是陶瓷基(比如，Al2O3或AlN)还是整个组件都将遭受等离子体攻击，整个组件被等离子体腐蚀。等离子体腐蚀会改变陶瓷圆盘的表面形态、化学组分与材料性质(比如，表面粗糙度、电阻等)，进而严重影响静电吸盘的使用功能，比如，漏电流(leaking current)、基片背面氦气泄露速率(He leakage rate)、解吸附时间(de-chucktime)等等。在某些情景，比如，当薄陶瓷圆盘(通常厚度仅有1或2毫米)是通过粘接固定于基座时，它们之间的粘接剂极容易被等离子体腐蚀掉，引起等离子体电弧(plasma arcing)或颗粒污染，导致等离子体工艺恶化以及静电吸盘使用寿命受损。
为克服上述缺陷，耐腐蚀陶瓷材料(plasma resistant ceramics)会以等离子体喷涂(plasma spray or PS)涂层，被应用于静电吸盘的制作。直接在基座上涂覆等离子体喷涂层(PS coatings)来形成静电吸盘，一个明显的优点是：可避免陶瓷圆盘与基座之间的粘接剂的使用，防止电弧诱发损伤。然而，利用等离子体喷涂形成的耐等离子体腐蚀涂层，比如，氧化钇 (Y2O3)或氟化钇(YF3)等，也存在一些材质的缺陷，比如，这些等离子体喷涂层具有多孔和裂缝的结构，硬度低于硅晶圆(Si wafer)，容易引起颗粒和金属污染，导致刻蚀工艺发生偏移现象。为提高硬度，可利用等离子体喷涂氧化铝(简称PS氧化铝，或PS Al2O3)制作陶瓷圆盘。事实上，PS氧化铝静电吸盘在等离子体反应腔(plasma chamber)中的应用已有相当长的时间，但仍存在一些质量缺陷。首先，氧化铝易受包含卤族元素(F、Cl等)的等离子体腐蚀，在气孔附近引起等离子体电弧，并在等离子体刻蚀工艺中引入颗粒与金属污染(比如，Al或AlF3)。另外，如果增加PS氧化铝沉积在铝基座上厚度，涂层形成后易于开裂或者在等离子体刻蚀工艺中产生裂隙，从而限制PS氧化铝静电吸盘拥有稳定的高击穿电压，导致其不能被应用于高功率等离子体刻蚀工艺。
根据最新的先进涂层技术的发展与应用，利用诸如等离子体增强物理气相沉积(plasma enhanced physical vapour deposition，PEPVD)工艺沉积致密高硬度陶瓷涂层(dense and hard ceramic coatings)是解决上述颗粒和金属污染的有效途径。
但是，沉积PEPVD涂层来制作静电吸盘也有它自身的技术局限性。这是因为，PEPVD涂层是在等离子体与载能离子交互作用下形成，所制备的涂层致密但存在结构应力(structural stress)。该应力随涂层生长而增加，会减弱界面结合强度(interfacialstrength)，引起涂层裂缝或分层(coating crack or delamination)。
目前，针对静电吸盘的耐腐蚀性改善，主要集中在陶瓷圆盘或基座上，集中在对静电吸盘的耐等离子体腐蚀改善上，如静电吸盘E-chuck表面通过喷涂或涂覆设置耐腐蚀的Al2O3陶瓷层。对于静电吸盘的顶针孔（pin hole）和氦气孔（Helium hole）的耐腐蚀性研究较少，尤其是耐腐蚀性工艺气体的腐蚀性。其中顶针孔是垂直穿过静电吸盘的孔，用于使顶针（lift pin）穿过静电吸盘上下移动，以举升或者放下基片。氦气孔是设置于静电吸盘中的细孔，用于冷却基片的氦气通过该氦气孔流到静电吸盘上表面，使得基片背面的热量通过氦气传递到静电吸盘和下方的基座上被导走。
众所周知，在工作状态下，施加高压的射频偏压时，在静电吸盘上易产生电弧。现有的静电吸盘虽然考虑了表面设置对于等离子体的耐腐蚀的涂层，如，Al2O3陶瓷层，但在高RF功率、高密度等离子体反应器中使用时，在顶针孔（pin hole）和氦气孔（Helium hole）处，Al2O3陶瓷层容易被击穿发生电弧（arcing），发生冷却气体的不希望的电弧和辉光放电故障，导致大大减少了静电吸盘（E-chuck）的使役寿命。
发明内容
本发明的目的改进静电吸盘，提高其耐击穿性能。
为了达到上述目的，本发明提供了一种利用ALD技术改进静电吸盘耐击穿性能的方法，该方法包含：
步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，向原子层沉积反应器中通入含铝第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至所述静电吸盘表面；
步骤2，采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第一反应气体和/或第一化学吸附产生的副产物；
步骤3，向原子层沉积反应器中通入第二反应气体，进行第二化学吸附；
步骤4，采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第二反应气体和/或第二化学吸附产生的副产物；
步骤5，重复步骤1-4，直到所述静电吸盘符合要求。
可选地，所述的静电吸盘具有若干顶针孔和氦气孔。
可选地，所述的静电吸盘表面覆盖有Al2O3陶瓷层。
可选地，所述的第一反应气体为Al(CH3)3，所述的第二反应气体为H2O。其反应原理为：第一化学吸附时，Al(CH3)3的Al与阳极氧化铝合金涂层上的-OH的O结合，脱除的CH3与羟基脱除的H结合形成CH4，反应完成时，所有阳极氧化铝合金涂层上的-OH的O均结合有Al基；第二化学吸附时，H2O中的O基与Al基结合，即以-OH取代Al基上结合的-CH3，并分别脱除-H和-CH3，二者可形成CH4，反应完成时，Al基上结合的所有的-CH3均被-OH取代。反应式如下：
Figure SMS_1
。
本发明还提供了一种利用上述的ALD工艺处理后的静电吸盘，该静电吸盘包括第一介电层、第二介电层和设置在所述第一、第二介电层之间的电极层；所述第一介电层上表面用于支撑待处理晶圆；所述静电吸盘中设置有穿过所述第一、第二介电层的顶针孔和氦气孔，所述顶针孔、氦气孔和/或第一介电层上表面粗糙度小于0.35μm。
可选地，所述的静电吸盘第一介电层上表面、所述的顶针孔和氦气孔的内壁均设有Al2O3陶瓷层。
可选地，所述的Al2O3陶瓷层上通过ALD工艺沉积有镀膜层。
可选地，所述的镀膜层的厚度为10nm-2μm。
可选地，所述的顶针孔和氦气孔顶部呈圆弧过渡面。
可选地，所述的镀膜层为原子沉积的Al2O3层和/或AlN层。
本发明还提供了一种等离子处理装置运行方法，该等离子处理装置包含离子反应腔，该离子反应腔上部设有喷淋头、上电极组件，下部设有金属基座、下电极组件；其中，该方法包括：等离子刻蚀步骤和上述的静电吸盘的ALD处理步骤；
其中，所述的等离子刻蚀步骤包含：
S1，将所述的静电吸盘安装至金属基座上，待刻蚀晶圆设置于所述静电吸盘上；
S2，通过离子反应腔内的喷淋头引入工艺气体；
S3，向上电极组件与下电极组件之间施加第一RF（射频，Radio Frequency）功率，以在离子反应腔内产生等离子气体；
S4，向金属基座施加第二RF功率，控制积累在晶圆表面负电子的量，该负电子积累产生自偏压，以便使等离子体的正离子由于自偏压而以较高动量向下入射到待刻蚀晶圆上表面，对待刻蚀晶圆进行处理。
可选地，第二RF功率大于3000W。
本发明通过采用ALD工艺，增强原E-chuck的孔（如顶针孔、氦气孔）附近的耐击穿性能，对其进行有效的绝缘防护，达到稳定运行和延长使用寿命、降低成本的作用。
本发明的有益效果：(1)有效解决电弧放电问题 (arcing issues)；(2) 在等离子体工艺中维持稳定正常的静电吸盘功能而不引入颗粒与金属污染；以及(3)改进的静电吸盘可应用于高功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。
附图说明
图1是一种静电吸盘典型的下电极组件的示意性剖视图。
图2为现有技术的另一种静电吸盘的示意性剖视图。
图3a为现有的静电吸盘电流异常波形图，其中横坐标表示时间，纵坐标表示电流。
图3b为现有的静电吸盘电流正常波形图，其中横坐标表示时间，纵坐标表示电流。
图4为本发明的一种利用ALD技术改进静电吸盘耐击穿性能的方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示，为一种静电吸盘典型的下电极组件，包括金属基座10，其连接到射频电源，金属基座10上方设有静电吸盘，静电吸盘内包括内电极25，内电极25上下均被介电层20覆盖。晶圆30被加载在位于内电极25上方的介电层20上。将处理舱（如等离子处理腔）的上电极50接地。在将晶圆30加载到介电层20上并将工艺气体（如，具有腐蚀性的反应气体）注入到处理舱中后，通过施加到所述上电极50与下电极组件之间的第一RF射频功率，从而，在处理舱内产生等离子体40，该等离子体40起连接处理舱侧壁和晶圆30的导体的作用。在此，如果向内电极25施加负电压，就会产生使晶圆30与介电层20彼此吸引的夹紧力。于是，将晶圆30夹持到介电层20上。从第一RF功率（60Mhz）的同一电源或从另外电源向金属基座10施加第二RF功率（2Mhz），控制积累在晶圆表面负电子的量，这些积累的负电子产生很高的负偏压，以便使等离子体的正离子由于自偏压而以较高动量向下入射到晶圆30上表面。此外，将晶圆30夹持到介电层20上的夹紧力由于自偏压而增大。
在等离子体刻蚀过程中，因为晶圆30由于离子碰撞而受热，因此设置了 穿过金属基座10和介电层20的冷却气体注入孔15（即氦气孔，Helium hole），用以对晶圆30进行冷却。通常，通过注入孔15供应氦气(He)，该气体通过介电层20上形成的沟槽散布到介电层20的整个上表面上。由于晶圆30是被静电力吸附到介电层20上的，而且静电吸盘上表面的外周缘设置有一圈高出内侧氦气流通区域的密封环，密封环与晶圆背面互相紧密贴附，因此，供应的冷却气体不会漏出介电层20上的密封环。此外，还设置了穿过金属基座10和介电层20的顶针孔17（即针孔，pin hole），可通过顶针19在顶针孔17内的上下移动促进晶圆30从静电吸盘上分离（dechucking）与位置抬升。
在传统静电吸盘中，当向金属基座10施加高功率的第二RF功率时，比如2Mhz或者400Khz的第二RF功率的数值大于3000W时会在晶圆30的表面积累产生几千伏的电压，从高电压的晶圆表面到金属基座10之间大部分区域被具有良好绝缘性的静电吸盘材料覆盖，但是在顶针孔和氦气孔处由于没有绝缘材料覆盖，而且填充有氦气，而且这些气孔的直径很小只有1mm左右，所以在如此高压和如此近的距离小下很容易会引起放电，击穿顶针孔和氦气孔顶部的气体。一旦产生放电会击穿或者破坏静电吸盘的结构导致其绝缘功能变差或者整体报废。如图所示顶针孔17的一端“A”和注入孔15的一端“B”处产生电弧。特别是，因为顶针孔17的直径比注入孔15的大，因此对顶针孔17来说更容易产生电弧。即使在晶圆30已被卡到介电层20上时，通过注入孔15供应的诸如He气的冷却气体也会流到顶针孔17，从而在顶针孔17的末端产生电弧。如果处于顶针孔17末端附近的诸如He气的冷却气体由于晶圆30的温度局部升高而受热，晶圆30和静电吸盘就会因顶针孔17处产生的等离子体放电而受损。
现有的静电吸盘为了克服耐腐蚀及易产生电弧问题，通常考虑设置耐等离子体腐蚀涂层。如CN1291472C公开了一种抗电弧方法，即在顶针孔17和冷却气体的注入孔15的内表面上设置了第一和第二保护绝缘体18和16，从而能够避免顶针孔17和在注入孔15的内部产生电弧。可通过涂覆过程或通过插入绝缘管来设置第一和第二保护绝缘体18和16。当金属基座10由铝(Al)制成时，第一和第二保护绝缘体18和16可通过阳极化过程形成。利用诸如氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)的具有高介电常数的陶瓷作为第一和第二保护绝缘体18和16，由于能够极大地减小RF功率产生的电场，因此就能有效地避免电弧的产生。更佳地，该专利指出可设置绝缘体70围绕着金属基座10。且考虑到如果在金属基座10与绝缘体70之间存在微小间隙，就会在金属基座10与绝缘体70之间产生电压差，从而导致产生微小等离子体电弧。为了避免产生该微小的等离子体电弧，优选在金属基座10与绝缘体70之间形成第三保护绝缘体22。第三保护绝缘体22可通过喷涂法涂覆到金属基座10的外表面上。
但在高RF功率、高密度等离子体反应器中，当电场强度达到一定值后，还是可能发生在晶圆和顶针之间（即顶针孔）的气体引发击穿效应，如图3a所示，在区域E中静电吸盘电流曲线出现正弦波变化(静电吸盘电流正常波形如图3b所示)，电极间的贯穿性放电会使该区域易形成电弧效应，影响该区域内芯片的电性能，造成良率损失。
本发明的发明人首次发现，导致上述电弧效应的主要原因是，在腐蚀性工艺气体环境下，E-chuck上的顶针孔、氦气孔内壁的绝缘层逐渐缺损，常规的绝缘层如Al2O3陶瓷容易被击穿发生电弧（arcing）。由于E-chuck上这些小孔（顶针孔、氦气孔）的内径仅有0.5mm~1mm，常规的涂层无法有效地将孔内覆盖。另外上述小孔通常是采用机械加工形成的，通常孔口顶部具有直角的截面，同样地在高压下很容易在孔口顶部发生尖端放电。在机械加工过程中小孔的侧壁上会出现一些损伤，这些损伤出的凹口和/或裂纹都会导致绝缘性能降低，容易在这些区域发生放电。
针对该原因，本发明改进了静电吸盘耐击穿性能，通过ALD技术在静电吸盘的顶针孔、氦气孔内壁镀膜，形成具有较高耐击穿性能的陶瓷涂层。ALD工艺相较于其它镀膜工艺，可以有效的实现对小口径深孔内壁的全覆盖，有效的提高E-chuck的耐击穿性能。
如图4所示，本发明提供的一种利用ALD技术改进静电吸盘耐击穿性能的方法包含：
步骤1（S1），通入第一反应气体，进行第一化学吸附：将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，向原子层沉积反应器中通入含铝第一反应气体（如，Al(CH3)3），进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至所述静电吸盘表面，尤其是顶针孔、氦气孔的内壁；
步骤2（S2），采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第一反应气体和/或第一化学吸附产生的副产物；
步骤3（S3），向原子层沉积反应器中通入第二反应气体（如，H2O），进行第二化学吸附；
步骤4（S4），采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第二反应气体和/或第二化学吸附产生的副产物；
步骤5（S5），重复步骤S1- S4，直到所述静电吸盘，尤其是顶针孔、氦气孔的内壁镀膜（如图2中的16、18处）符合要求。其中镀膜厚度可以选择10nm-2μm，10nm以下厚度太小无法填充修复表面形状，降低表面粗糙度，镀膜厚度太大，达到2μm以上时，镀层会容易发生剥落或开裂也不能实现本发明目的。
通过本发明提供的ALD工艺可以在小孔内壁和静电吸盘介电层20顶部生长一层同材料的绝缘层，可以覆盖上述具有凹坑或裂纹，可以使得小孔侧壁和介电层顶面的粗糙度大幅降低，从处理前的0.4-0.8μm降低到0.25-0.3μm，也就是突出部和凹陷部被一定程度抹平了。更平滑的表面可以减少放电现象的产生。另一方面小孔顶部的区域，介电层顶表面和小孔侧壁之间的小孔上沿，在经过本发明的ALD工艺处理后也出现了圆滑的过渡表面，避免了尖端放电现象产生。通过本发明提供的ALD处理工艺对静电吸盘的处理，可以修正上述顶针孔和氦气孔的表面粗糙度还能修正开口顶部形貌，大幅减小了放电发生的概率。
本发明提供的ALD处理工艺可以是在新制造的静电吸盘上进行，随后将处理后的静电吸盘安装到具有高功率第二RF电源的等离子处理器中，进行等离子处理。也可以在进行长时间（200-1000RF小时）等离子处理后将带有部分损伤的静电吸盘取出，再次进行ALD处理，再次恢复静电吸盘介电材料表面属性，长期避免放电现象产生。
综上所述，本发明利用ALD技术在静电吸盘的顶针孔、氦气孔的内壁镀较高耐击穿性能的陶瓷涂层，包括但不限于Al2O3、AlN等，避免静电吸盘在使用过程中发生电弧效应，延长了静电吸盘的使用寿命，降低了生产成本，尤其适用于高RF功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，其特征在于，该方法包含：
步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，所述的静电吸盘具有若干顶针孔和氦气孔，所述的顶针孔和氦气孔的内壁设有Al2O3陶瓷层，向原子层沉积反应器中通入含铝第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至所述静电吸盘的顶针孔和氦气孔表面；
步骤2，采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第一反应气体和/或第一化学吸附产生的副产物；所述的第一反应气体为Al(CH3)3；
步骤3，向原子层沉积反应器中通入第二反应气体，进行第二化学吸附；所述的第二反应气体为H2O；
步骤4，采用氮气流吹扫，以除去所述静电吸盘未吸附的第二反应气体和/或第二化学吸附产生的副产物；
步骤5，重复步骤1-4，在所述顶针孔和氦气孔的内壁的Al2O3陶瓷层表面沉积镀膜层，直到所述静电吸盘符合要求。
2.如权利要求1所述的利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，其特征在于，所述的静电吸盘表面覆盖有Al2O3陶瓷层。
3.一种利用权利要求1或2所述的ALD工艺处理后的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘包括第一介电层、第二介电层和设置在所述第一、第二介电层之间的电极层；所述第一介电层上表面用于支撑待处理晶圆；所述静电吸盘中设置有穿过所述第一、第二介电层的顶针孔和氦气孔，所述顶针孔、氦气孔和/或第一介电层上表面粗糙度小于0.35μm。
4.如权利要求3所述的ALD工艺处理后的静电吸盘，其特征在于，所述的静电吸盘第一介电层上表面设有Al2O3陶瓷层。
5.如权利要求3所述的ALD工艺处理后的静电吸盘，其特征在于，所述的镀膜层的厚度为10nm-2μm。
6.如权利要求3所述的ALD工艺处理后的静电吸盘，其特征在于，所述的顶针孔和氦气孔顶部呈圆弧过渡面。
7.如权利要求3所述的ALD工艺处理后的静电吸盘，其特征在于，所述的镀膜层为原子沉积的Al2O3层。
8.一种等离子处理装置运行方法，该等离子处理装置包含离子反应腔，该离子反应腔上部设有喷淋头、上电极组件，下部设有金属基座、下电极组件；其特征在于，该方法包括：等离子刻蚀步骤和权利要求1或2所述的静电吸盘的ALD处理步骤；
其中，所述的等离子刻蚀步骤包含：
S1，将所述的静电吸盘安装至金属基座上，待刻蚀晶圆设置于所述静电吸盘上；
S2，通过离子反应腔内的喷淋头引入工艺气体；
S3，向上电极组件与下电极组件之间施加第一RF功率，以在离子反应腔内产生等离子气体；
S4，向金属基座施加第二RF功率，控制积累在晶圆表面负电子的量，该负电子积累产生自偏压，以便使等离子体的正离子由于自偏压而以较高动量向下入射到待刻蚀晶圆上表面，对待刻蚀晶圆进行处理。
9.如权利要求8所述的等离子处理装置运行方法，其特征在于，第二RF功率大于3000W。
10.如权利要求8所述的等离子处理装置运行方法，其特征在于，所述的静电吸盘具有若干顶针孔和氦气孔，所述的顶针孔和氦气孔内壁设置有Al2O3陶瓷层。
11.如权利要求10所述的等离子处理装置运行方法，其特征在于，所述的Al2O3陶瓷层上通过ALD工艺沉积有镀膜层。
12.如权利要求11所述的等离子处理装置运行方法，其特征在于，所述的镀膜层的厚度为10nm-2μm。
13.如权利要求12所述的等离子处理装置运行方法，其特征在于，所述的顶针孔和氦气孔顶部呈圆弧过渡面。
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