TWI294549B - - Google Patents

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TWI294549B
TWI294549B TW093127195A TW93127195A TWI294549B TW I294549 B TWI294549 B TW I294549B TW 093127195 A TW093127195 A TW 093127195A TW 93127195 A TW93127195 A TW 93127195A TW I294549 B TWI294549 B TW I294549B
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Takao Abe
Naoyuki Tanaka
Kohichi Sawada
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Sharp Kk
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Description

1294549 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電極配線基板及顯示裝置。至於電極 配線基板可列舉出例如TFT(薄膜電晶體)基板,至於顯示裝 置可列舉出例如液晶顯示裝置。 【先前技術】 近年來,作為人機介面之顯示裝置自先前所使用之陰極 射線官(CRT)顯示器,急速推進置換為具有薄型、省空間、 重量輕、低消耗電力等優點之平板顯示器。特別是,即使 認為數位照相機、行動電話、PDA(Personal Digital Assistance,個人數位助理)等移動用途之監視器全部為平 板顯示器,亦並非言過其實。 β至於使用於上述用途之平板,主要有以下三種:刚(電 %毛射型顯不裔)、LCD(液晶顯示器)以及叫電致發光顯示 器卜三種顯示器分別係像素單位中具有驅動用τρτ之主動 式,以及未具有驅動用元件之被動式,但由於主動式晝質 優良,故而國内主動式成為主流。 上述移動用途之平板顯示器之普及性較為㈣ 近之市場需求,存有向而把查&# _ ,惠却 有白面板旦面顯示之大型化並且面板周 邊邛之狹框緣化推進之傾向。 奎 J待面板外形尺寸與 旦面有效尺寸無限接近。 待形成多數條電極配線。 同精細化之需求,期 進而,作為最近對於平板顯示器、特 器之市場需求,期待將顧一圭品 丁動電話,員不 ^待將㈤晝面配置於外形巾央。但是, 95952.doc 1294549 通常顯示晝面之周邊四邊中,將閘電極端子與源電極端子 分別設置於一邊周緣,從而將合計_邊周緣設為端子區 域。因此,將上述兩邊周緣設為端子區域之情形時,因顯 不畫面中央偏向於左右之任一邊,故而無需佔有左右周緣 區域,而是僅於上下任一邊周緣中並置有閘電極端子與源 電極端子,藉此實現畫面中央配置。 對應於此種情形,為製造一種顯示裝置,其將多數條形 成之電極配線引導至配置於顯示畫面之一邊周緣之輸入信 唬端子且製造良率較高,由於必需固定尺寸之周邊區域, 因此縮小該周邊區域之尺寸成為重要課題。但是,若縮小 夕數條電極配線之區域,則由於配線間之間距變窄,因此 存有良率降低之問題。特別是,於C〇G(Chip〇nGlass,玻 璃覆晶封裝)機種中,由於用以降低成本之晶片小型化而必 須進一步狹小化安裝部之配線間距,因此良率會進一步惡 化。再者,周邊區域中存有用以製作驅動器之驅動器單一 集成電路之情形時,因無需將端子集中於顯示畫面之一邊 周緣’故而不會產生如此問題。 一種用以解決該問題點之液晶顯示裝置,其揭示於例如 曰本專利第3276557號公報中。日本專利第3276557號公報 所揭示之液晶顯示裝置係兩層以上之多層配線,其以導電 圖案之一部分經由接觸孔變換為不同層之導電圖案,且經 由層間絕緣膜與其他導電圖案重疊之方式而配置。具體的 是’作為連接閘電極配線與閘電極端子之導電圖案,不僅 將包含閘極材料之通常的第一導電圖案,而且經由層間絕 95952.doc 1294549 緣層將包含源極材料之第二導電圖案形成於第一導電圖案 上’從而將導電圖案設為二層構造。進而經由接觸孔,將 閘電極配線及閘電極端子與第二導電圖案相互導通,從而 相互變換第一及第二導電圖案。 參照圖7、圖8以及圖9,更具體地說明日本專利第3276557 號公報之液晶顯示裝置。圖7係表示揭示於日本專利第 3276557號公報中之導電圖案的部分平面圖,圖8係圖7之 A-B線剖面圖’圖9係導電圖案變換部之剖面圖。 圖7中,201係圖像顯示部,2〇2係閘極(掃描電極)側端子, 203係源極(信號電極)側端子,2〇4係導電圖案變換部, 係閘電極配線,206係源電極配線。圖8中,2〇7係玻璃基板, 208係閘極金屬導電圖案,2〇9係層間絕緣層,2ι〇係源極金 屬導電圖案,又閘極金屬導電圖案2〇8與源極金屬導電圖案 210係經由層間絕緣層2〇9配置為二層構造。閘極金屬導電 圖案2〇8係於TFT(Thin Film Transistor,薄膜電晶體)陣列基 板之閘極配線形成製程時,與閘電極配線2〇5同時進行圖案 化,源極金屬導電圖案210係於TFT陣列基板之源極配線形 成製程時,與源電極配線2〇6同時進行圖案化。 圖9中,211係表示接觸孔(導電圖案變換部2〇4)。由於藉 由設置接觸孔21i而可重疊配置閘極金屬導電圖案2〇8心 極金屬導電圖案21〇,因此可將兩個導電圖案配置於一個導 電圖案所用之空間中。該情形時,自閘電極配線引導至閉 極側端子之引導配線部中,由於源極金屬導電圖案21〇經由 層間絕緣層209疊層於閘極金屬導電圖案2〇8上,因此若與 95952.doc 1294549 圖案之情形相比較,則可將引導 小至約1/2。即,可大幅度縮小周 通常僅配置閘極金屬導電 配線部(周邊區域該部)縮 邊區域該部之尺寸。 、另方面,作為最近之上述移動用途之監視器,反射型 液晶顯示|置或可以反射模式與透過模式兩者顯示之兩用 型液晶顯示裝置已經成為主流。特料,可以反射模式與 透過模式兩者顯示之兩用型液晶顯示裝置兼具兩種特性, 其於周圍光線明亮之環境下可藉由反射模式提高顯示識別 以及於周圍光線黑暗之環境下可藉由透過模式提高顯示識 別從而不_周圍光線如何明亮,亦可鮮明地顯示圖像, 故而成為市場上最有需求的顯示裝置之一。至於上述兩用 型液晶顯示裝置,可列舉出例如揭示於曰本專利第3377447 唬a報中之液晶顯示面板。該液晶顯示面板之像素電極係 於相同像素區域内具有相互電性連接之光透過效率較高之 第一導電層(透明導電膜)與光反射效率較高之第二導電層 (反射導電膜),又第一導電層與第二導電層係經由例如包含 有機樹脂之絕緣層,相互設置於不同層中。 曰本專利第3276557號公報之液晶顯示裝置之構造為,引 導配線部於閘極金屬導電圖案208之直接上方經由層間絕 緣層209疊層有源極金屬導電圖案21〇,故而產生以下三個 製造良率上之問題。第一,考慮到由於兩個導電圖案2〇8、 210爽持有層間絕緣層2〇9,因此產生與由兩個導電圖案 208、210所夾持之層間絕緣層2〇9電容(以下亦可稱為相互 電容)相關之問題,從而對顯示質量造成壞影響。例如,受 95952.doc 1294549 到層間絕緣層209電容之影響,故而造成信號延遲從而顯示 質量成為不良。又,由於阻抗增加,因此移動用途中認為 至關重要的消耗電力將會惡化。 第二,存有可能產生靜電破壞層間絕緣層209之不良。產 生靜電破壞不良之配線會產生圖像顯示部之閘電極線不良 從而良率降低。 第三,閘極金屬導電圖案208/層間絕緣層209/源極金屬導 電圖案210疊層部,與夾持於相互鄰接之疊層部間之層間絕 緣層209a的階差會變大。日本專利第3377447號公報之液晶 顯示面板具有之絕緣層係於塗敷有機樹脂後,為將膜厚分 佈均勻化,從而於自旋式塗敷機上進行旋轉而形成。但是, 將引導配線部之階差設為起點,會產生樹脂膜成不均一放 射狀的不良。由於引導配線部之階差變大,故而造成該不 良產生率提高,結果造成製造良率降低。 【發明内容】 本毛明之目的之一在於··於顯示裝置中實現晝面中央配 置以及縮小周邊區域尺寸,並且謀求提高製造良率。 由於本發明之電極配線基板並非經由層間絕緣層2〇9於 1極孟屬導電圖案2G8之直接上方疊層有源極金屬導電圖 Γ道 10 ’而是從平面角度來看,閑極金屬導電圖案與源極金 燮。2圖案又替配置’因此可消除兩個導電圖案之相互影 二:二與曰本專利第3276557號公報相同,可實現晝面 中央配置與縮小周邊區 高製造"。 ❹輯本發明,可提 95952.doc 1294549 本發明之電極配線基板,其包含有形成於絕緣性基板上 之複數條閘電極配線’分別與上述複數條閘電極配線交叉 之複數條源電極配線’將上述複數條閘電極配線與上述複 數條源電極配線進行電性絕緣之絕緣層,設置於上述複數 條閘電極配線以及上述複數條源電極配線之各交叉點附近 之複數個開關元件,具有分別連接於上述複數個開關元件 之複數個像素電極的圖像顯示部·,設置於上述圖像顯示部 之^邊且用以分別輸入信號至上述複數條閘電極配線之複 數個閘電極端子,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以、分 別輸入信號至上述複數條源電極配線之複數個源電極端 子,及置於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條閘電極 配線分別引導至上述複數個閘電極端子之複數條閘極引導 配線,以及設置於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條 源電極配線分別引導至上述複數個源電極端子之複數條源 極引導配線;上述複數條閘極引導配線及/或上述複數條源 極引導配線包含由上述閘電極配線之閘極材料所形成之第 引導配線,以及藉由上述絕緣層與上述第一引導配線電 性絕緣且由上述源電極配線之源極材料所形成之第二引導 配線,從平面角度來看,上述第一引導配線以及上述第二 引導配線並非相互重疊而是交替配置;上述絕緣層至少具 有如下一組連接孔··用以電性連接上述第一引導配線或上 述第二引導配線與上述閘電極配線或上述源電極配線的第 一連接孔,以及用以電性連接上述第一引導配線或上述第 二引導配線與上述閘電極端子或上述源電極端子的第二連 95952.doc 1294549 接孔。 本發明之電極配線基板不僅包含於半導體層(活性層)下 配置有閘電極之下閘極型(相反交錯型)TFT陣列基板,而且 包含於半導體層(活性層)上配置有閘電極之上閘極型(交錯 型)TFT陣列基板。又,採用上述交替配線之圖案不僅對於 閘極引導配線係有效的,對於源極引導配線亦為有效。因 此,本發明之電極配線基板包含下述(1)-(4)四個態樣。再 者,(1)以及(2)係下閘極型TFT陣列基板之態樣,(3)以及(4) 係上閘極型TFT陣列基板之態樣。 (1)一種電極配線基板,其包含形成於絕緣性基板上之複 數條閘電極配線,覆蓋上述複數條閘電極配線之絕緣層, 形成於上述絕緣層上且分別與上述複數條閘電極配線交叉 之複數條源電極配線,設置於上述複數條閘電極配線以及 上述複數條源電極配線之各交叉點附近之複數個開關元 件’具有分別連接於上述複數個開關元件之複數個像素電 極之圖像顯示部,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以分 別輸入信號至上述複數條閘電極配線之複數個閘電極端 子’設置於上述圖像顯示部之周邊且用以分別輸入信號至 上述複數條源電極配線之複數個源電極端子,設置於上述 圖像顯不部之周邊且將上述複數條閘電極配線分別引導至 上述複數個閘電極端子之複數條閘極引導配線,以及設置 於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條源電極配線分別 引導至上述複數個源電極端子之複數條源極引導配線;上 述複數條閘極引導配線包含由上述閘電極配線之閘極材料 95952.doc -12- 1294549 所形成之第一引導配線,以及由上述源電極配線之源極材 料形成於覆蓋上述第一引導配線之上述絕緣層上的第二引 導配線,從平面角度來看,上述第一引導配線以及上述第 二引導配線並非相互重疊(並非疊層)而是交替配置。上述閘 電極‘子由上述閘極材料所形成之情形時,上述絕緣層至 少具有如下一組連接孔:用以電性連接上述第二引導配線 與上述閘電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接上述 第二引導配線與上述閘電極端子之第二連接孔。對此,上 述閘電極端子由上述源極材料所形成之情形時,上述絕緣 層至少具有如下一組連接孔:用以電性連接上述第二引導 配線與上述閘電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接 上述第一引導配線與上述閘電極端子之第二連接孔。 (2)—種電極配線基板,其包含有形成於絕緣性基板上之 複數條閘電極配線,覆蓋上述複數條閘電極配線之絕緣 層,形成於上述絕緣層上且分別與上述複數條閘電極配線 父又之複數條源電極配線,設置於上述複數條閘電極配線 以及上述複數條源電極配線之各交叉點附近之複數個開關 元件,具有分別連接於上述複數個開關元件之複數個像素 電極之圖像顯示部,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以 分別輸入信號至上述複數條閘電極配線之複數個閘電極端 子,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以分別輸入信號至 上述複數條源電極配線之複數個源電極端子,設置於上述 圖像顯示部之周邊且將上述複數條閘電極配線分別引導至 上述複數個閘電極端子之複數條閘極引導配線,以及設置 95952.doc -13 - 1294549 於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條源電極配線分別 引導至上述複數個源電極端子之複數條源極引導配線;上 述複數條源極引導線包含由上述閘電極配線之閘極材料 所$成之第―彡丨導配線,以及由上述源電極配線之源極材 料形成於覆蓋上述第一引導配線之上述絕緣層上的第二引 導配線,從平面角度來看,上述第-引導配線以及上述第 二引導配線並非相互重疊(並非疊層)而是交替配置。上述源 電極端子由上述源極材料所形成之情形時,上述絕緣層至 乂具有如下一組連接孔··用以電性連接上述第一引導配線 與上述源電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接上述 第一引導配線與上述源電極端子之第二連接孔。對此,上 述源電極端子由上述閘極材料所形成之情形時,上述絕緣 層至少具有如下一組連接孔:用以電性連接上述第一引導 配線與上述源電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接 上述第二引導配線與上述源電極端子之第二連接孔。 (3)—種電極配線基板,其包含有形成於絕緣性基板上之 複數條源電極配線,覆蓋上述複數條源電極配線之絕緣 層,形成於上述絕緣層上且分別與上述複數條源電極配線 交又之複數條閘電極配線,設置於上述複數條源電極配線 以及上述複數條閘電極配線之各交又點附近之複數個開關 元件,具有分別連接於上述複數個開關元件之複數個像素 電極之圖像顯示部,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以 分別輸入信號至上述複數條源電極配線之複數個源電極端 子,5又置於上述圖像顯示部之周邊且用以分別輸入信號至 95952.doc -14- 1294549 上述複數條閘電極配線之複數個閘電極端子,設置於上述 圖像顯示部之周邊且將上述複數條源電極配線分別引導至 上述複數個源電極端子之複數條源極引導配線,以及設置 於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條閘電極配線分別 引導至上述複數個閘電極端子之複數條閘極引導配線;上 述複數條源極引導配線包含由上述源電極配線之源極材料 所形成之第一引導配線,以及由上述閘電極配線之閘極材 料形成於覆蓋上述第一引導配線之上述絕緣層上的第二引 導配線,從平面角度來看,上述第一引導配線以及上述第 二引導配線並非相互重疊(並非疊層)而是交替配置。上述閘 電極端子由上述閘極材料所形成之情形時,上述絕緣層至 少具有如下一組連接孔:用以電性連接上述第一引導配線 與上述閘電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接上述 第一引導配線與上述閘電極端子之第二連接孔。對此,上 述閘電極端子由上述源極材料所形成之情形時,上述絕緣 層至少具有如下一組連接孔:用以電性連接上述第一引導 配線與上述閘電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接 上述第二引導配線與上述閘電極端子之第二連接孔。 (4)一種電極配線基板,其包含有形成於絕緣性基板上之 複數條源電極配線,覆蓋上述複數條源電極配線之絕緣 層’形成於上述絕緣層上且分別與上述複數條源電極配線 交叉之複數條閘電極配線,設置於上述複數條源電極配線 以及上述複數條閘電極配線之各交叉點附近之複數個開關 元件’具有分別連接於上述複數個開關元件之複數個像素 95952.doc 15 1294549 電極之圖像顯示部,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以 分別輸入信號至上述複數條源電極配線之複數個源電極端 子,設置於上述圖像顯示部之周邊且用以分別輸入信號至 上述複數條閘電極配線之複數個閘電極端子,設置於上述 圖像顯示部之周邊且將上述複數條源電極配線分別引導至 上述複數個源電極端子之複數條源極引導配線,以及設置 於上述圖像顯示部之周邊且將上述複數條閘電極配線分別 引導至上述複數個閘電極端子之複數條閘極引導配線;上 述複數條源極引導配線包含由上述源電極配線之源極材料 所形成之第一引導配線,以及由上述閘電極配線之閘極材 料形成於覆蓋上述第一引導配線之上述絕緣層上的第二引 導配線,從平面角度來看,上述第一引導配線以及上述第 二引導配線並非相互重疊(並非疊層)而是交替配置。上述源 電極鳊子由上述源極材料所形成之情形時,上述絕緣層至 少具有如下一組連接孔··用以電性連接上述第二引導配線 與上述源電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接上述 第二引導配線與上述源電極端子之第二連接孔。對此,上 述源電極鳊子由上述閘極材料所形成之情形時,上述絕緣 曰至 >、具有如下一組連接孔··用以電性連接上述第二引導 _線/、上述源電極配線之第一連接孔,以及用以電性連接 上述第一引導配線與上述源電極端子之第二連接孔。 將閘極材料與源極材料交替配線之導電圖案係經由形成 於上述絕緣層之連接孔(接觸孔),藉由導通閘極材料與源極 材料,可作為問極引導配線及/或源極引導配線而加以利 95952.doc 16 1294549 、 進而,將閘極材料與源極材料交替配線之導電圖案可 ';TFT陣列基板之閘電極配線形成製程或源電極配線 形成製程中形成。 t =圖像顧示部係矩形狀,上述閘電極端子以及上述源 電極端子亦可排列於上述圖像顯示部之任一邊附近。於圖 像顯示部之任一邊附近並置有閘電極端子以及源電極端 子,使信號輸入集中於圖像顯示部周邊一邊之畫面中央配 置且期待縮小周邊區域尺寸之設計中,較好的是採用上述 交替配線。 根據本發明’於集中信號輸入至圖像顯示部之一邊的面 板晝面中央配置設計中,由於可縮小圖像顯示部周邊之配 $區域/此可實現面板尺寸縮小,並且提高製造良率。 具體的是’於具有複數條形成於圖像顯示部之閘極配線以 及與θ閘極配線相互交叉之複數條源極配線的電極配線基 板中,為縮小周邊部之間極端子引導配線區域,藉由將閑 極材料與源極材料交替配線之處理可實現空間縮小化。 又,由於可充分確保閘極金屬間空間與源極金屬間空間, 因此可防止良率降低。進而,上述閘極材料與源極材料係 經由形成於絕緣層之接觸孔相互連接,從而可將閘極材料 與源極材料作為閘極端子引導配線而使用。 於上述(1)或(4)中,上述複數條閘極引導配線包含上述第 -引導配線與上述第二引導配線,上述第一引導配線經由 上述絕緣層,進而包含由上述閘極材料所形成之配線,上 述複數條閘電極配線亦可經由形成於上述絕緣層之相相同 95952.doc 17 1294549 數量量連接孔,分別與上述閘電極端子相互連接。又,上 述複數條閘極引導配線包含上述第一引導配線與上述第二 引導配線,上述第二引導配線經由上述絕緣層,進而包含 由上述閘極材料所形成之配線,上述複數條閘電極配線亦 可經由形成於上述絕緣層之相同數量的連接孔,分別與上 述閘電極端子相互連接。藉此,於閘電極配線與閘電極端 子間’分別產生於複數條閘極引導配線之接觸電阻大致相 同。因此’由於可齊聚各閘極引導配線之接觸電阻,故而 可抑制產生顯示不均一,從而顯示質量成為良好。 於上述(2)或(3)中,上述複數條源極引導配線包含上述第 一引導配線與上述第二引導配線,上述第一引導配線經由 上述絕緣層’進而包含由上述源極材料所形成之配線,上 述複數條源電極配線亦可經由形成於上述絕緣層之相同數 里的連接孔’分別與上述源電極端子相互連接。又,上述 複數條源極引導配線包含上述第一引導配線與上述第二引 導配線,上述弟一引導配線經由上述絕緣層,進而包含由 上述閘極材料所形成之配線,上述複數條源電極配線亦可 經由形成於上述絕緣層之相同數量的連接孔,分別與上述 源電極端子相互連接。藉此,於源電極配線與源電極端子 間’分別產生於複數條源極引導配線之接觸電阻大致相 同。因此,由於可齊聚各源極引導配線之接觸電阻,故而 可抑制產生顯示不均一,從而顯示質量成為良好。 本發明之顯示裝置包含具有採用上述交替配線之圖案之 電極配線基板,以及對向於上述電極配線基板之電極。於 95952.doc -18- 1294549 電極配線基板與對向電極間介在有顯示媒體層。所謂「顯 示媒體層」係藉由相互對向之電極間之電位差而光透過率 考于以调變之層,或藉由流過相互對向之電極間之電流而進 行自發光之層。顯示媒體層係例如液晶層、無機或有機el 層、發光氣體層、電泳層以及電致變色層等。至於包含電 極配線基板以及與其對向配置之對向基板(或對向電極)的 顯示裝置,具有挾持於兩基板間之液晶層的液晶顯示裝置 成為主流。但是’本發明之顯示裝置並非限定於液晶顯示 裝置’亦可適用於FED(Field Emission Display,場發射顯 示器)、PDP(Plasma Display Panel,電漿顯示器面板)、有 機 EL(organic light emitting diode,有機發光二極體)、無機 EL(inorganic electro luminescence,無機電場發光)以及電 致變色顯示裝置。 本發明之電極配線基板之開關元件較好的是薄膜電晶體 (TFT),但並非限定於此,亦可為MIM(Metai Insulat〇r Metal ’雙端子二極體)等之雙端子元件。又,上述交替配線 亦可適用於電極配線基板中,該電極配線基板係使用於未 具有開關元件之被動型顯示裝置中。 上述像素電極較好的是包含透過型透明導電膜、反射型 反射導電膜,或包含可以透過模式與反射模式兩者進行顯 示之兩用型透明導電膜與反射導電膜。 【實施方式】 以下,一面參照圖式一面說明本發明之實施形態。以下 實施形態中,以下閘極型TFT陣列基板為例作為電極配線基 95952.doc -19- 1294549 板,就於閘極引導配線採用交替配線之情形加以說明,但 本發明並非限定於以下實施形態。 (實施形態1) 圖1係模式顯示實施形態1之TFT基板的部分平面圖,圖2 係圖1中之A-B線剖面圖。本實施形態之TFT基板包含有形 成於透明絕緣性基板1 〇7上之複數條閘電極配線丨〇5,覆蓋 複數條閘電極配線105之絕緣層1〇9,形成於絕緣層1〇9上且 分別與複數條閘電極配線105交叉之複數條源電極配線 106 ’設置於複數條閘電極配線1〇5以及複數條源電極配線 106之各父叉點附近之複數個TFT(i圖示),包含連接於複
T 數個TFT之各個之複數個像素電極1〇1之圖像顯示部100,設 ' 、 置於圖像顯示部100之周邊(圖1中係圖像顯示部100之下方) 且用以分別輸入信號至複數條閘電極配線105之複數個閘 電極端子102,設置於圖像顯示部1〇〇之周邊且用以分別輸 入信號至複數條源電極配線106之複數個源電極端子 1〇3(圖1中係圖像顯示部1〇〇之下方),設置於圖像顯示部1〇〇 之周邊(圖1中係圖像顯示部100之左側以及下.方)且將複數 條閘電極配線105分別引導至複數個閘電極端子1〇2之複數 條閘極引導配線1 〇v8、11 0,以及設置於圖像顯示部1 〇〇之周 邊(圖1中係圖像顯示部100之下方)且將複數條源電極、己線 1〇6分別引導至複數個源電極端子103之複數條源極引導配 線 112。 包含複數個像素電極101之圖像顯示部100係矩形狀,閘 電極端子102以及源電極端子103係排列於圖像顯示部100 95952.doc -20 - 1294549 之任一邊(本實施形態中係下方邊)附近。如此,藉由於圖像 顯示部1 00之任一邊附近排列有兩個端子丨〇2、1 03,圖像顯 示部100之左右周緣區域未被兩個端子102、、103佔有,可防 止顯示晝面中央偏向左右任一側之情形。即,可實現畫面 中央配置。 複數條閘極引導配線108、110包含由閘電極配線1〇5之閘 極材料所形成之第一引導配線108,以及由源電極配線ι〇6 之源極材料形成於覆蓋第一引導配線1〇8之絕緣層1〇9上之 第二引導配線110。又,如圖2所示,從平面角度來看,第 一引導配線1 0 8以及第二引導配線11 〇並非相互重疊而是交 替配置。形成於絕緣層109上之第二引導配線11〇經由形成 於絕緣層109之第一以及第二接觸孔m、113,分別與閘電 極配線1 〇5以及閘電極端子102導通。圖3係模式顯示第一接 觸孔111附近之剖面圖。如圖3所示,由於閘電極配線i 〇5係 經由第一接觸孔1U而變換為不同層之導電圖案u〇,因此 以下亦可將接觸孔111、113稱為導電圖案變換部。 其次,參照圖4以及圖5說明本實施形態之TFT基板之製造 步驟。圖4A、圖4B以及圖4C係模式化表示圖}中之A_B線之 製造步驟的剖面圖,圖5A、圖5B以及圖5C係模式化表示圖 1中之導電圖案變換部111之製造步驟的剖面圖。 首先,於透明玻璃基板107上使用濺鍍裝置,形成鈕膜(τ&) 作為閘極材料。經由光微影步驟以及蝕刻步驟,形成作為 閘極圖案之閘電極端子102、閘電極配線1〇5以及閘電極圖 案(第一引導配線)108(參照圖4A以及圖5A)。再者,若間極 95952.doc -21 - 1294549 材料係可獲得所期望之匯流線電阻,且與下述作為透明電 極之銦錫氧化物(Indium Tin Oxide ; ITO,氧化銦錫)之接觸 電阻之歐姆特性良好的材料即可。例如,可列舉Ta、A1、 Cr、Ti或该專之氮化物積層膜等。又,並非限定於單金屬 層’亦可使用包含合金層或複數個金屬層之積層膜。 將成為絕緣層109之氮化石夕膜(SiNx)、成為半導體層之 a-Si層以及n+層進行成膜。其後,經由半導體層之光微影 步驟以及蝕刻步驟,形成成為TFT電晶體之核心部的島狀圖 案。將圖像顯示部1〇〇以外區域中之半導體層全部進行蝕 刻。其後,經由光微影步驟以及餘刻步驟,於絕緣層!上 形成第一以及第二接觸孔m、113(參照圖5B)。 使用濺鍍裝置,以成為源極冗餘構造之方式,將銦錫氧 化物(Indium Tin 0xide ; IT〇)進行成膜後,再成膜鈕膜 (Ta)。其後,經由源極Ta之光微影步驟以及蝕刻步驟,進而 經由ITO之光微影步驟以及蝕刻步驟,從而形成作為源極圖 案之源電極柒子! 〇3、源電極配線刚以及源電極圖案(第二 引導配線)110(參照圖4C以及圖5C)。又,形成源電極、沒 ,極圖案以及透明像素電極1()1。再者,若源極材料係可獲 侍所期望之匯流線電阻之材料即可。例如可列舉Ta、A卜 _或°亥等之氮化物積層膜等。又,並非限定於源極/ITO 冗餘構造,亦可為源極單層。 ^钱劑或源極金屬圖案作為遮罩,使用乾式餘刻 衣置’從而形忐园你 、 成圖像顯示部1 〇 〇之島狀圖案之源極·汲極分 雕。進而,形忠位祕 ’、遵用絕緣膜圖案(未圖示),從而完成本 95952.doc -22- 1294549 實施形態之TFT基板。 再者,以高開口率作為目標,形成保護用絕緣膜圖案後, 形成有機樹脂膜圖案,亦可於該有機樹脂膜上形成上層像 素電極圖案,該上層像素電極圖案係將像素電極-像素電極 之間隔狹小化至界限為止。又,TFT之製造方法亦並非限定 於上述方法,亦可使用其他方法,例如非晶矽TFT之製造方 法或多晶矽TFT之製造方法等。 如此,閘電極圖案(第一引導配線)108係於透明玻璃基板 107上,與閘電極端子1〇2以及閘電極配線1〇5同時形成圖 案。絕緣層109係以覆蓋閘電極圖案ι〇8之方式形成,且於 導電圖案變換部中形成第一接觸孔丨丨1。源電極圖案丨丨〇(第 二引導配線)係形成於絕緣層1〇9上,且與源電極端子1〇3以 及源電極配線106同時形成圖案。此時,如圖5C所示,源電 極圖案110經由第一接觸孔lu與閘電極配線1〇5相互導 通。再者,雖然未有圖示,但源電極圖案11〇亦經由第二接 觸孔113與閘電極端子1〇2相互導通。 如圖4C所示,作為連接閘電極配線1〇5與閘電極端子1〇2 之閘極引導配線,從平面角度來看,並非將閘電極圖案1〇8 。藉此,可縮小圖
空間(滿足線幅與線間空間的長度)。 與源電極圖案110相互重疊而是交替配線 像顧示部100之周邊區域。又,導 95952.doc -23- 1294549 近年來,行動電話用途之監視器中,期待可實現晝面中 央配置以及周邊區域之尺寸縮小。因此,作為實施例,使 用本實施形態之TFT基板而作成2.2英吋透過型qCIF (Quarter Common Intermediate Format,四分之一通用中間 格式)液晶顯示裝置。液晶顯示裝置亦可依據眾所周知之技 術所作成。例如,於形成於透明絕緣基板之彩色濾光器上 形成透明電極與定向膜,從而作成彩色濾光器基板。同樣 將形成有定向膜之TFT基板與彩色濾光器基板進行貼合 後,進行液晶注入以及密封。貼付偏光板,安裝驅動用ic 以及信號輸入用可撓性纜線。但是,液晶顯示裝置之作成 方法並非限定於此,若使用本實施形態中所作成之TFT基 板,則當然亦可使用例如無需偏光板之模式、無需定向膜 之模式以及無需彩色濾光器等。作成2 2英叶透過型qcif液 晶顯示裝置之情形時,由於配線區域之寬度(其係自圖像顯 不部100至基板端部為止之最短距離,於圖i中係圖像顯示 口P 100左側區域之寬度)為18 mm,因此設計為每一條閘極 引導配線之線&空間係8 μηι之狹小間距間隔。 為實現上述狹小間距間隔設計,以三種圖案即Α僅一般性 閘極材料之配線、B揭示於日本專利第3276557號公報之閘 極/源極—層疊層構造線、c本實施形態之閘極/源極交替 配線,形成閘極引導配線,從而作成液晶面板模組。該等 液晶面板模組之顯示質量結果如表丨所示。 [表1] 評估項目 A ^^— B C j主 /yj >135不^ ------1 閘極/源極疊層配線 閘極/源極交替配線 95952.doc -24- 1294549 顯示質量 —---- 無問題 產生橫紋、條紋狀不 均·一 無問題 消耗電力(僅比率) ^ ^ 靜電破壞不良傘 0^0% 1.4 11.0% 1 Λ Λ〇/ 短路不良產生率 7.0% 0.5% u.u% 0.5% 綜合評估 -—-- 良率惡化(短路) -------- 存有顯示質量不良 消耗電力增大 良率惡化(靜電破壞) 無問題 A圖案(僅閘極材料之配線)中,隨著縮小周邊區域之尺 寸,結果為線&空間縮小至界限以上。藉由將空間極端狹小 化之處理,於閘極金屬_閘極金屬間進行洩漏之短路不良增 大至其他圖案之14倍,從而良率大幅度惡化。 B圖案(揭示於日本專利第3276557號公報之閘極/源極二 層疊層構造配線)中,從平面角度來看,由於閘極/源極相互 重且因此相互電谷之影響會變大。因此,產生信號延遲, /口著圖像顯示部100之閘電極配線105,產生呈現條紋狀之 不均,顯示質量上產生問題。又,隨著電容增大,阻抗 會增加,從而消耗電力增大40%。進而,由於係閘極/源極 之一層疊層構造,因此較多產生靜電破壞絕緣層i 09之不 良。 C圖案(本實施形態之閘極/源極交替配線)中,與上述A之 情形不同,無需縮小空間即可確保足夠間隔。並且,與上 述B之情形不同,由於未疊層為二層,因此不會產生如上述 A或B所出現的問題。又,亦未發現特有的問題,從而可提 供一種透過型液晶顯示裝置,其係可獲得良好的顯示質量 且製造良率較高者。 作為對於閘極引導配線之閘極/源極交替配線之製造方 95952.doc -25- 1294549 面的擔心事項,可列舉閘極與源極之薄膜電阻於生產不均 一性上不同之情形,以及閘極導電圖案108與源極導電圖案 110之加工線幅於生產不均一性上不同之情形。因此,於閘 極/源極交替中配線電阻不同,且隨著閘極配線電阻與源極 配線電阻之電阻差變大,充電率差變大,因此有可能產生 顯示質量不良。又,由於閘極與源極之光對準生產不均一 性,可能閘極導電圖案108與源極導電圖案110形成於相互 重疊(接近)方向,故而與相互電容相關,亦有可能產生顯示 質量不良。 因此,為明確該等擔心事項,於考慮到薄膜電阻與線幅 生產不均一性之條件下,且將閘極導電圖案108與源極導電 圖案110相互接近之條件下,作成液晶面板模組。液晶面板 模組之顯示質量結果係如表2-表4所示。再者,下述閘極-源極間隔從平面角度來看,係閘極導電圖案108與源極導電 圖案110之間隔。 (a)閘極-源極間隔1 μηι [表2] 閘極配線電阻 5ΚΩ 10ΚΩ 15ΚΩ 20ΚΩ 25ΚΩ 30ΚΩ 源極 配線電 阻 5ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 10ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 15ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 20ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 25ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 30ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 (b)閘極-源極間隔Ομηι(消除閘極與源極之間隔的狀態) [表 3] _ 閘極配線電阻 95952.doc -26- 1294549 5ΚΩ 10ΚΩ 15ΚΩ 20ΚΩ 25ΚΩ 30ΚΩ 源極 配線 電阻 5ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 10ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 15ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 20ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 25ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 30ΚΩ 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 無問題 (c)閘極-源極間隔· 1 μπι(閘極與源極重疊1 μιη之狀態) [表4] 閘極配線電阻 5ΚΩ 10ΚΩ 15ΚΩ 20ΚΩ 25ΚΩ 30ΚΩ 產生條紋 產生條紋 產生條紋 產生條紋 5ΚΩ 無問題 無問題 狀 狀 狀 狀 不均一 不均一 不均一 不均一 產生條紋 產生條紋 產生條紋 10ΚΩ 無問題 無問題 無問題 狀 狀 狀 不均一 不均一 不均一 產生條紋 產生條紋 產生條紋 15ΚΩ 狀 無問題 無問題 無問題 狀 狀 源極 不均一 不均一 不均一 配線電阻 產生條紋 產生條紋 產生條紋 20ΚΩ 狀 狀 無問題 無問題 無問題 狀 不均一 不均一 不均一 產生條紋 產生條紋 產生條紋 25ΚΩ 狀 狀 狀 無問題 無問題 無問題 不均一 不均一 不均一 產生條紋 產生條紋 產生條紋 產生條紋 30ΚΩ 狀 狀 狀 狀 無問題 無問題 不均一 不均一 不均一 不均一 如表2以及表3所示,若將閘極-源極間隔確保為Ομηι以 上,則即使產生薄膜電阻以及線幅之生產不均一性,顯示 質量亦無問題。如表2以及表3所示,將閘極以及源極配線 電阻之生產不均一性控制為5 ΚΩ-30 ΚΩ之處理於製造上是 十分可行的。 但是,若閘極·源極重疊1 μιη,則如表4所示,於閘極與 源極配線電阻差較少之條件下,雖然顯示質量上無問題, 但產生配線電阻之生產不均一性,若閘極與源極之配線電 阻差變大,則沿著圖像顯示部100之閘電極配線105產生呈 95952.doc -27- 1294549 現條紋狀之不均一,從而顯示質量中產生問題。因此,若 由於生產不均一性而使閘極_源極稍微重疊,則顯示質量中 產生問題從而惡化良率。 再者,條紋狀不均一係於上述B圖案(揭示於日本專利第 3276557號公報之閘極/源極二層疊層構造配線)中,與沿著 圖像顯示部1〇〇之閘電極配線1G5呈現條紋狀之不均一相同 的現象並且,若閘極-源極於剖面上重疊,則會產生靜電 破壞絕緣層1 〇 9之不良。 因此,即使考慮到生產不均一性,亦必須設為閘極_源極 未重疊之構造。於本實施例之線&空間為8 _的狹小間距 間隔設計中’若採用c圖案(閘極/源極交替配線),則即使考 慮到生產不均-性,設為閘極_源極未重疊 有充分的生產餘量。 具 (實施形態2) 實施形態1中表示透過型液晶顯示裝置。本實施形態中, f近年來作為移動用途之監視器,市場上最有需求之顯示 裝置之-的㈣型液晶顯示裝置,即可以反射模式與透過 板式兩者進行顯示之顯示裝置,加以說明。 兩用型液晶顯示裝置係經由與實施形態1之透過型液晶 顯不裝置大致相同的製造步驟所製造。但是,形成保護用θ Τ膜圖案後’直至完成TFT步驟為止與實施形態1之情形 :同°首先’形成保護賴緣膜㈣後,為於光微影步驟 中將臈厚分佈均约匕,從而使用自旋式塗敷機將有機樹脂 膜塗敷於透明像素電極上,且於成為反射區域之部分中形 95952.doc -28 - 1294549 成平滑的凹凸形狀,於成為透過區域之部分中去除有機樹 脂膜,使透明像素電極露出。 濺鍍裝置中連續成膜鉬(Mo)以及鋁(A1)後,經由光微影 步驟以及蝕刻步驟,從而於凹凸形狀圖案上形成反射電極 圖案。於本實施形態中使用鋁作為反射電極,但並非限定 於此’亦可使用A1糸合金材料或光反射效率較高之導電性 材料。又,成膜於A1底層之Mo係用以防止A1與沒極ITO電 觸的障礙金屬層。若係可防止電觸之導電性材料,則並非 限定於Mo,又若使用於反射電極或透明電極上不會引起電 觸之材料,則亦可僅為反射膜之一層。 以與實施形態1之透過型液晶顯示裝置相同之方式,作成 2.2英吋QCIF(Quarter Common Intermediate Format)兩用型 液晶顯示裝置。與實施形態丨相同,採用每一條閘極引導配 線之線&空間係8 μηι之狹小間距間隔設計。 與實施形態1相同,為實現上述狹小間距間隔設計,以三 種圖案即Α僅一般性閘極材料之配線、Β揭示於日本專利第 32765 5 7唬公報之閘極/源極二層疊層構造配線、c本實施形 態之閘極/源極交替配線,形成閘極引導配線從而作成液晶 面板模組。該等液晶面板模組之顯示質量結果係如表5所 示0 [表5] 評估項目 A B C 一 僅閘極材料 閘極/源極疊層配線 閘極/源極交替配線 顯示質量 無問題 產生橫紋、條紋狀不 均一 無問題 消耗電力(僅比率) 1 r 1.4 1 靜電破壞不良率 0.0% 10.0% 0.0% 95952.doc -29- 1294549 短路不良產生率 放射狀不均一不良率
良率惡化(短路) 存有顯示質量不良 消耗電力增大 良率惡化(靜電破壞) 良率惡化(放射狀不 均一) 無問題 綜合評估 A圖案(僅閘極材料之配線)中與實施形態㈣,由於空 端狹丨#此於閘極金屬·閑極金屬間進行茂漏之短路 不良0大至其他圖案之14倍,從而良率會大幅度惡化。 B圖案(揭示於曰本專利第3276557號公報之閘極/源極二 層疊層構造配線)中從平面角度來看,由於閘極/源極重疊, 因此與實施形態1相同,產生橫紋或條紋狀不均-,消耗電 力增大40%,並且較多產生靜電破壞不良。進而,由於二 層疊層,絕緣層與源極之階差會變大,因此有機樹脂膜較 多產生成為放射狀不均一的不良,進一步惡化良率。 C圖案(本實施形態之閘極/源極交替配線)中與上述a之 情形不同’無需縮小空間即可確保足夠的間隔。並且,與 上述B之情形不同,由於未疊層為二層,因此不會產生如上 述A或B所出現的問題。又,未發現特有的問題,即可提供 一種兩用型液晶顯示裝置,其係可獲得良好的顯示質量, 並且製造良率較高者。 實施形態1以及2中,閘極引導配線108、11〇係閘極/源極 父替配線,但源極引導配線i 12亦可取代閘極引導配線成為 閘極/源極交替配線,或與閘極引導配線一併成為閘極/源極 父替配線。又,像素電極1 〇 1不僅係實施形態丨所示之透過 型或貫施形態2所示之兩用型,亦可係反射型。 95952.doc -30- 1294549 根據本發明之交替配線係考慮到閘極金屬導電圖案與源 極金屬導電圖案交替配線且生產不均一性,於閘極金屬導 電圖案之直接上方經由絕緣層而未疊層有源極金屬導電圖 案。採用根據本發明之交替配線,可實現圖像顯示部周邊 之配線區域之尺寸縮小,並且可獲得如下所述之效果。第 一’未產生相互電容之影響而可獲得良好的顯示質量。又, 於上述實施例之交替配線中,已經確認與疊層配線相比而 可實現降低40%消耗電力之情形。 第一 ’不會產生靜電破壞絕緣層之不良。其結果為,可 實現製造良率之提高。第三,由於閘極金屬導電圖案/絕緣 層/源極金屬導電圖案疊層所造成之階差與疊層配線相 比可大幅度得以改善。其結果為,於反射型機種以及反 射/透過兩用型機種中,未產生以引導配線作為起點之放射 狀不均-之不良,可實現製造良率之提高。第目,若設為 間極/源極交替配線’則可充分確保閘極金屬心間與源極 金屬間空間,因此可大幅度降低短路不良率,可實現製造 進而,並非限定於最近要求有上述實施例所示之書面中 =配置以及周邊區域尺寸縮小的行動電話料,即使對於 /又有要求周邊區域尺寸縮小,換+ « F ^ ^ ϋ之即可確保較寬範圍之 域的先別之移動機器或其他監視器,若採用本發明 =極/源極交㈣線1料降魅 可進一步實現製造良率之提高。 氏千 (實施形態3) 95952.doc -31 - 1294549 圖6係模式化表示實施形態3之TFT基板之部分平面圖。再 者,圖6中,以相同參照符號表示具有與實施形態1之TFT 基板之構成要素實質上相同功能之構成要素,省略其說明。 圖1所不之TFT基板中,由於第二引導配線(源電極圖 案)110係經由第一接觸孔111與閘電極配線105相互導通, 且經由第一接觸孔113與閘電極端子102相互導通,因此於 閘電極配線1 〇5與閘電極端子丨〇2間,兩處導電圖案變換部 111 113中產生接觸電阻。對此,由於第一引導配線(閘電 極圖案)10'8係未與源極金屬相接觸,因此於閘電極配線1〇5 與間電極端子102間未產生接觸電阻。因此,於第一引導配 線108與第二引導配線11〇間產生電阻差,故而可能產生條 紋狀不均一等之顯示質量不良。 本實施形態中,第一引導配線丨〇8係經由絕緣層丨〇9,進 而包含由源極材料所形成之配線12〇。配線12〇形成於覆蓋 第一引導配線108、閘電極配線105以及閘電極端子1〇2的絕 緣層109上,因此經由形成於絕緣層1〇9上之接觸孔i2i、 122,從而與第一引導配線丨〇8以及閘電極配線丨〇5相互導 通。即,於經由閘電極配線105與閘電極端子1〇2之第一引 導配線108之連接中,兩處導電圖案變換部12卜122中產生 接觸電阻。 如此,由於複數條閘電極配線105分別經由形成於絕緣層 109上之相同數篁(兩處)的接觸孔,與閘電極端子連接, 因此可縮小產生於第一引導配線108與第二引導配線ιι〇間 之電阻差。因此’可抑制產生條紋狀不均一等之顯示質量 95952.doc -32- 1294549 不良。 再者,配線120係形成於閘電極配線1〇5側,但亦可形成 於閘電極端子職,】。但是,為防止與所鄰接H導配 線110之短路不良,較好的是確保足夠的線間間距後配置配 線 120 〇 根據本發明,於顯示裝置中可實現畫面中央配置以及周 邊區域之尺寸縮小,並且可實現製造良率之提高。 以上,就本發明之實施形態加以說明,但本發明之技術 性範圍並非限定於上述實施形態中所揭示之範圍内。希望 業者瞭解’上述實施形態僅為例示,亦可為將該等各構成 要素進行各種變更之變更例,又該等變更例亦屬於本發明 之技術性範圍内。 20 03年9月19日申凊之日本專利特願2003-327181之說明 書、圖式以及申請專利範圍中所揭示之内容係藉由參照將 其全部編入本申請案說明書中。 [產業上之可利用性] 本發明之電極配線基板可適用於液晶顯示器、電場發射 型顯不器、有機或無機EL顯示器、電致變色顯示器以及電 漿顯示器等。 【圖式簡單說明】 圖1係模式化表示實施形態1之TFT基板的部分平面圖。 圖2係圖1中之A-B線剖面圖。 圖3係模式化表示第一接觸孔1丨丨附近的剖面圖。 圖4A、圖4B以及圖4C係模式化表示圖i中、之a-B線之製造 95952.doc -33- I294549 步驟的剖面圖 圖5A、圖5B以及圖5C後4岔a 认 ®义係棋式化表示圖1中之導電圖案變 換部ill之製造步驟的剖面圖。 圖6係模式化表示實施形態3之TFT基板的部分平面圖。 圖7係表示揭示於日本專利第3276557號公報之導電圖案 的部分平面圖。 圖8係圖7之A-B線剖面圖。 圖9係揭示於 部的剖面圖。 曰本專利第3276557號公報之導電圖案變換 【主要元件符號說明】 100 圖像顯示部 101 像素電極 102 閘電極端子 103 源電極端子 105 閘電極配線 106 源電極配線 107 玻璃基板 108 第一引導配線(閘極引導配線、閘極金屬導 電圖案) 109 絕緣層 110 第二引導配線(源極引導配線、源極金屬導 電圖案) 111 第一接觸孔 112 源極引導配線 95952.doc -34- 1294549 113 第二接觸孔 120 配線 121 接觸孔 122 接觸孔
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Claims (1)

1294549 十、申請專利範圍·· 1. 一種電極配線基板,其包含: 複數條閘電極配線,其形成於絕緣性基板上,·複數條 源電極配線,其分別與上述複數條閘電極配線交又;絶 緣層,其使上述複數條閘電極配線與上述複數條源電極 配線電性絕緣;複數個開關元件,其設置於上述複數條 閘電極配線以及上述複數條源電極配線之各交叉點附 近;圖像顯示部,纟包含連接於上述複數個開關元件之 各個之複數個像素電極;複數個閘電極端子,其設置於 上述圖像顯示部之周邊,用以分別輸入信號至上述複數 條閘電極配線;複數個源電極端子,其設置於上述圖像 顯示部之周邊,用以分別輸人信號至上述複數條源電極 配線;複數條閘極引導配線,其設置於上述圖像顯示部 之周邊,將上述複數條閘電極配線分別引導至上述複數 個閘電極端子;及複數條源極引導配線,其設置於上述 圖像顯不部之周邊,將上述複數條源電極配線分別引導 至上述複數個源電極端子;且 上述複數條閘極引導配線及/或上述複數條源極引導配 線包含由上述閘電極配線之閘極材料所形成之第一引導 配線,以及藉由上述絕緣層與上述第一引導配線電性絕 緣且由上述源電極配線之源極材料所形成之第二引導配 線,從平面角度來看,上述第一引導配線以及上述第二 引導配線並非相互重疊而是交替配置; 上述絕緣層至少具有一組第一連接孔,其用以電性連 95952.doc 1294549 接上述第一引導配線或上述第二引導配線與上述閘電極 配線或上述源電極配線;及第二連接孔,其用以電性連 接上述第一引導配線或上述第二引導配線與上述閘電極 端子或上述源電極端子。 2·如請求項1之電極配線基板,其中上述圖像顯示部係矩形 狀,且上述閘電極端子以及上述源電極端子排列於上述 圖像顯示部之任一邊附近。 3 ·如請求項1之電極配線基板,其中上述開關元件係薄膜電 晶體。 4·如請求項1之電極配線基板,其中上述複數條閘極引導配 線包含上述第一引導配線以及上述第二引導配線,上述 第一引導配線或上述第二引導配線係經由上述絕緣層, 進而包含由上述源極材料所形成之配線或由上述閘極材 料所形成之配線,上述複數條閘電極配線之各個經由形 成於上述絕緣層之相同數量的連接孔,與上述閘電極端 子連接。 5 ·如請求項1之電極配線基板,其中上述複數條源極引導配 線包含上述第一引導配線以及上述第二引導配線,上述 第一引導配線或上述第二引導配線係經由上述絕緣層, 進而包含由上述源極材料所形成之配線或由上述閘極材 料所形成之配線,上述複數條源電極配線之各個經由形 成於上述絕緣層之相同數量的連接孔,與上述源電極端 子連接。 6·如請求項1之電極配線基板,其中上述像素電極包含透過 95952.doc 1294549 型透明導電膜、反射型反射導電膜、或可以透過模式與 反射模式兩方顯示之兩用型透明導電膜與反射導電膜。 7. 一種顯示裝置,其包含請求項1之電極配線基板及對向於 上述電極配線基板之電極。 8. 一種液晶顯示裝置,其包含請求項1之電極配線基板、對 向於上述電極配線基板之對向基板及由上述電極配線基 板與上述對向基板所挾持之液晶層。 95952.doc
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006209089A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
KR101082893B1 (ko) * 2005-08-24 2011-11-11 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치
JP5175433B2 (ja) * 2005-09-22 2013-04-03 京セラ株式会社 画像表示装置
JP4940642B2 (ja) * 2005-12-05 2012-05-30 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置の配線パターン
JP2007219046A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネル
JP2008003118A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
KR101274037B1 (ko) 2006-09-25 2013-06-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101395282B1 (ko) * 2006-12-04 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
KR101249984B1 (ko) * 2007-02-08 2013-04-01 삼성디스플레이 주식회사 팬-아웃부, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그의제조 방법
WO2009139290A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法
KR101248901B1 (ko) * 2008-06-02 2013-04-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4982609B2 (ja) * 2008-07-23 2012-07-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法
JP5084698B2 (ja) * 2008-10-29 2012-11-28 京セラ株式会社 タッチパネルおよびタッチパネル型表示装置
JP5473456B2 (ja) * 2009-07-29 2014-04-16 京セラ株式会社 静電容量方式のタッチパネル、およびこれを備えた表示装置
WO2011013600A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 国立大学法人東北大学 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び表示装置
WO2011061961A1 (ja) 2009-11-18 2011-05-26 シャープ株式会社 配線基板及び表示装置
WO2012157720A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 シャープ株式会社 液晶パネル、液晶表示装置
WO2012157536A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 シャープ株式会社 表示装置
CN103718231B (zh) * 2011-08-09 2018-09-14 夏普株式会社 显示装置
WO2013080520A1 (ja) * 2011-11-30 2013-06-06 シャープ株式会社 表示装置
KR101947163B1 (ko) * 2012-02-10 2019-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2013146216A1 (ja) 2012-03-27 2013-10-03 シャープ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および表示装置
US20150077317A1 (en) * 2012-04-25 2015-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Matrix substrate and display device
KR101903568B1 (ko) 2012-07-19 2018-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2014024783A1 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 シャープ株式会社 表示装置
WO2014112560A1 (ja) * 2013-01-21 2014-07-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、及び表示装置
US9690149B2 (en) * 2013-09-09 2017-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
WO2015092944A1 (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102160088B1 (ko) * 2013-12-30 2020-09-25 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이패널
CN104977740A (zh) * 2015-07-29 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN105118822B (zh) * 2015-08-26 2018-01-23 上海中航光电子有限公司 换线结构
KR102593485B1 (ko) * 2016-12-02 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107390941B (zh) * 2017-08-17 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 触控基板、触控面板、显示基板、显示面板和显示装置
WO2019187156A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
CN108573968B (zh) * 2018-05-10 2020-04-07 北京华大九天软件有限公司 一种基于椭圆轨道的孔内源极栅极交替布线方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05181154A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルと駆動方法
JPH0611721A (ja) 1992-06-26 1994-01-21 Sharp Corp 液晶パネルの実装構造および実装方法
JP3737176B2 (ja) 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3276557B2 (ja) * 1996-05-23 2002-04-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR100243914B1 (ko) * 1997-07-29 2000-02-01 구본준 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법
JP3457511B2 (ja) * 1997-07-30 2003-10-20 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP3377447B2 (ja) 1998-03-05 2003-02-17 シャープ株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
US6295109B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions
JP3186700B2 (ja) * 1998-06-24 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2001053702A (ja) 1999-08-11 2001-02-23 Sony Corp データ伝送方法及びデータ伝送装置
JP2001142093A (ja) * 1999-11-11 2001-05-25 Nec Corp 液晶表示装置用アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR100385082B1 (ko) * 2000-07-27 2003-05-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP2002207221A (ja) 2001-01-11 2002-07-26 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JP4772196B2 (ja) * 2001-03-19 2011-09-14 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置及び画面表示応用装置
KR100391843B1 (ko) * 2001-03-26 2003-07-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 실장 방법 및 그 구조
JP3687581B2 (ja) * 2001-08-31 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル、その製造方法および電子機器
JP3909572B2 (ja) * 2001-09-28 2007-04-25 株式会社日立製作所 表示装置
JP3962800B2 (ja) * 2001-11-29 2007-08-22 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100463602B1 (ko) * 2001-12-29 2004-12-29 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리의 배선
JP4006284B2 (ja) 2002-07-17 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置

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