TWI272274B - High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition - Google Patents

High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition Download PDF

Info

Publication number
TWI272274B
TWI272274B TW092108956A TW92108956A TWI272274B TW I272274 B TWI272274 B TW I272274B TW 092108956 A TW092108956 A TW 092108956A TW 92108956 A TW92108956 A TW 92108956A TW I272274 B TWI272274 B TW I272274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
compound
composition
ruthenium
decane
ruthenium film
Prior art date
Application number
TW092108956A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200305575A (en
Inventor
Takashi Aoki
Masahiro Furusawa
Yasuo Matsuki
Haruo Iwasawa
Yasumasa Takeuchi
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Jsr Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Jsr Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of TW200305575A publication Critical patent/TW200305575A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI272274B publication Critical patent/TWI272274B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions

Description

1272274 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明特別是有關應用在積體電路，薄膜電晶體，光 電變換裝置，以及感光體等用途之高級 （higher order) 矽烷組成物及矽膜之形成方法。詳言之，特別是有關能容 易地形成良質的矽膜之高級矽烷組成物及使用該組成物以 形成優異的矽膜之方法。 [先前技術】 應用爲積體電路或薄膜電晶體等之矽薄膜（非晶形矽 膜或多矽膜等）之圖型形成，一般係依藉由CVD (Chemical Vapor Deposition,化學蒸汽沈積）法等之真空 處理以全面形成砂膜後，藉由光刻 （photolithography) 等以去除不需要部份的過程所進行者。然而，如採用此方 法’則有需要大規模的裝置、原料之使用效率差，因原料 係氣體而操作困難，將產生大量廢棄物等問題。 在曰本專利特開平r 2966 1號公報中揭示有將氣體狀 之原料在經冷卻之基板上液體化並使其吸附而與化學活性 的原子狀之氫反應以形成矽系之薄膜之方法，惟具有如下 的問題。亦即，不僅需要使原料之氫化矽連續進行氣化及 冷卻之用的複雜的裝置，且膜厚之控制較有困難。 又’在日本專利特開平5 - 1 4 4 7U號公報及特開平7-26 7 62 1號公報中揭示有將液體狀之氫化矽塗佈在基板上， (2) (2)1272274 藉由加熱或UV (紫外線）照射以製作矽膜的方法。然而， 由於在此等中使用低分子量之材料之故，全系不安定而操 作上有困難。又’由於在此等方法中所使用的溶液對基板 之可濕性不佳之故，對基板之塗佈本來就有困難，並且因 低分子之故其沸點較低，因而加熱時尙未形成矽膜之前溶 液早就蒸發掉’以致甚難於製得作爲目的之膜。亦即，如 何使用分子量較大的（可濕性佳，沸點高，安全的）高級 砂院作爲材料使用，將成爲成膜上重要的要訣。 作爲其解決法，在日本專利特開平1 〇 - 3 2 1 5 3 6號公報 中曾嘗試作爲塗佈前之處理而將高級矽烷之溶液與觸媒之 混合物進行熱分解或光分解以改善溶液之可濕性的方法， 惟由於此方法係需要將鎳等之觸媒混合於溶液中者之故， 而有使矽膜之性質顯著惡化的缺點。 直接合成分子量大的矽烷化合物之方法，一般在合成 步驟及精製法上非常困難，故雖然如日本專利特開平n _ 260729號公報記載有藉由熱聚合以直接合成高級矽烷的方 法’惟僅爲能製得低收率之s i 9 Η 2 〇的程度，而在此程度之 分子而言，尙難於顯現可濕性等之上述性能者。 在此，一般，包括正型，對型之摻質 （dopant)的矽 膜之形成方法而言，係在製作矽膜後，依離子植入法導入 摻質的方法。相對於此，日本專利特開平2 0 0 0 - 3 1 0 6 6號 中記載有在上述的由高級矽院溶液而成的矽膜之形成製程 之過程中，藉由摻質源在材料液體內之混合以形成經摻雜 之矽膜的方法。然而，在此方法中，由於亦有在加熱過程 -8- (3) (3)1272274 中高級矽烷溶液蒸發而減少，因而摻質源亦一起蒸發之在 使用低分子系之材料時之根本上的問題之故，難於有效添 加摻質。 於是，本發明即從在基板上塗佈時之可濕性，沸點及 安全性之觀點，以提供一種含有分子量更大的高級矽烷化 合物，特別是能容易地形成良質的矽膜之高級矽烷組成物 ，以及使用該組成物以形成優異的矽膜之方法作爲課題者 【發明內容】 本發明人等，經專心硏究結果，獲得含有作爲矽烷化 合物而使用環五矽烷（ShH!。）所代表之具有環狀矽鏈的矽 烷化合物之溶液並依特定之聚合過程所形成之高級矽烷的組 成物能解決前述課題之見解。 本發明’係根據前述見解所開發者，係以提供一種高 級矽烷組成物，其特徵爲：含有藉由對具有光聚合性的矽 烷化合物之溶液照射紫外線以進行光聚合而成的高級矽烷化 合物，藉以解決前述課題者。 又，本發明，係以提供一種高級矽烷組成物，其特徵 爲：含有藉由對具有光聚合性的液體狀之矽烷化合物照射 紫外線以進行光聚合而成的高級矽烷化合物。 又，本發明，最佳提供一種前述紫外線之照射時間爲 0.1秒至120分鐘之前述高級組成物。 又’本發明，最佳提供一種作爲前述高級砍院化合物 -9- (4) (4)1272274 而含有其在常壓下之沸點係較其分解溫度爲高者之前述高 級矽烷組成物。 又，本發明，最佳提供一種前述高級砂院組成物含有 溶媒，而該溶媒之沸點係較前述高級砂院化合物之分解溫 度爲低的前述高級矽烷組成物。 又，本發明，最佳提供一種前述紫外線具有不會分解 前述矽烷化合物之溶液所用的溶媒的波長之前述高級矽烷 組成物。 ® 又，本發明，最佳提供一種前述紫外線之波長爲 2 5 Onm以上之前述高級矽烷組’成物。 又，本發明，最佳提供一種作爲前述矽烷化合物而使 用在其分子內具有至少1個環狀構造者之前述高級矽烷組成 . 物。 又，本發明，最佳提供一種作爲前述矽烷化合物而使 用可以一般式SinXu (式中，X表示氫原子及/或鹵原子，η表 示3以上之整數。）所表示者之前述高級矽烷組成物。 φ 又，本發明，最佳提供一種照射前述紫外線後，再添 加含有元素週期性質表之ΙΙΙΒ族元素的物質或元素週期性 、 質表之VB族元素的物質而成之前述高級矽烷組成物。 、 又，本發明，最佳提供一種在照射前述紫外線之前， 對前述矽烷化合物之溶液添加含有元素週期性質表之ΙΙΙΒ 族元素的物質或含有元素週期性質表之VB族元素的物質 而成之前述高級矽烷組成物。 又，本發明，最佳提供一種爲形成矽膜之用之前述高 -10- (5) (5)1272274 級矽烷組成物。 再者，本發明提供一種矽膜之形成方法，其特徵爲： 將前述高級矽烷組成物塗佈在基板上。 又，本發明，最佳提供一種在基板上塗佈前述高級矽 烷組成物後，實施熱處理及/或光處理之前述矽膜之形成方 法。 又，本發明，最佳提供一種作爲前述高級矽烷組成物 而使用含有溶媒之組成物，將該組成物.塗佈在基板上之後， 並僅將該溶媒按選擇性去除後，實施熱處理及/或光處理之 前述矽膜之形成方法。 ·· [發明之實施形態] (高級矽烷組成物） 以下，依據其較佳的實施形態，就本發明之高級矽烷 組成物加以詳細說明。 本發明之高級矽烷組成物，係含有藉由對具有光聚合 性之矽烷化合物之溶液照射紫外線（以下，簡稱「U V」。） 而進行光聚合而成之作爲光聚合物之高級矽烷化合物者。有 關本發明之高級矽烷化合物’係對如此方式具有光聚合性之 .特定之矽烷化合物之溶液照射u V，以進行該矽烷化合物之 光聚合而所形成者，而其分子量係大到較在來之矽膜製作方 法中所用的高級矽烷化合物（例如，如係Si0H!4則分子量爲 18 2)不成比例之大者。本發明之高級矽烷化合物所含之高 級矽烷化合物中已經確認者爲分子量1 800程度止者（參照第 11 (6) (6)1272274 1 圖 MALDI- TOFMS)。 在此，本發明之高級矽烷組成物，可爲含有不用具有 前述之光聚合性的矽烷化合物之溶液而使用光聚合性的液體 狀之矽烷化合物，對此照射紫外線以進行光聚合而成的高級 矽烷化合物者。 由於本發明之高級矽烷組成物，係由如此般的大分子 量之高級矽烷化合物之溶液而成者之故，特別是當形成矽膜 時，對基板顯現非常優異的可濕性，結果，比起在來之方法 能非常良好實施對基板上之塗佈。又，本發明之高級矽烷化 合物所含有之高級矽烷化合物之分子量非常大。由於高級矽 烷化合物，如分子量愈大，則其反應性會愈降低之故，可較 在來者能安全使用。 又’本發明之高級矽烷組成物所含有之高級矽烷化合 物’由於因其巨大分子量而常壓下之沸點較分解溫度較高之 故’即使在形成砂膜時之加熱燒成時，仍不會有尙未形成石夕 膜前高級矽烷化合物即行蒸發的情況。 在此’由於實際上當加熱如此的高級矽烷化合物時， 因尙未達沸點前即行分解之故，不能依實驗來決定較分解溫 度爲高的沸點。故，在此所指之沸點係指由蒸氣壓之溫度依 賴性或靠理論計算所求得之作爲理論値之常壓下之沸點之意 〇 又’如使用本發明之高級矽烷化合物時，由於因此種 高級矽烷化合物之沸點較分解溫度爲高的性質，不需要如在 來之作法般，尙未蒸發前即緊急以高溫加熱之作法。換言之 -12- (7) (7)1272274 ’在本發明即能採用使升溫速度緩慢，或在減壓之下在較低 溫下加熱的方式。此乃表示，不僅能控制形成矽膜時之矽互 相之間的結合速度，由於採用維持雖然未達能形成矽膜程度 之局溫惟較溶媒之沸點爲高的溫度之方法，較在來方法能有 效從矽膜中減少成爲矽之特性劣化之原因的溶媒的作法之意 〇 本發明之高級矽烷化合物所含有之高級矽烷化合物， 因如上理由，較佳爲其沸點較其分解溫度爲高者。此種沸點 較分解溫度爲局的局級砂院化合物，可依：作爲原料之石夕 烷化合物而選定後述之較佳矽烷化合物，或作爲將照射之 UV而選定後述之較佳波長之uv，及照射時間，照射方法， 照射能量以及所用之溶媒和u V照射後之精製方法等方法可 容易製得。 如使用本發明之高級矽烷組成物，則因上述之效果.， 而可形成較在來之方法爲能容易地形成良質的矽膜。當然， 如此方式所形成之非晶形矽膜，可依進一步的熱處理或愛克 斯瑪雷射退火 （excimei. laser annealing)等方法使其結晶化 以求更進一步的性能改善。 本發明中，高級矽烷化合物之分子量分佈，可藉由UV 之照射時間或照射量，照射方法而控制。又，高級矽烷化合 物，係在對矽烷化合物之UV照射後，使用一般性的聚合物 之精製法之GPC (凝膠滲透色譜法）等實施分離精製，即可 取出任意之分子量之高級矽烷化合物。又，亦可利用分子量 相異的高級矽烷化合物之間的溶解度之差以實施精製。又， -13- (8) (8)1272274 亦可利用分子量相異的高級矽烷化合物之間的常壓或減壓下 的沸點之差以實施藉由分餾的精製。如此方式，實施高級矽 烷組成物內之高級矽烷化合物之分子量之控制，即可製得經 更加抑制特性偏差的良質之矽膜。 如高級矽烷化合物之分子量愈大，則其沸點將愈高， 且對溶媒之溶解度亦隨而減退。因此，視UV之照射條件， 有時光聚合後之高級矽烷化合物未能完全溶解在溶媒中而析 出之故，此時可採用使用微濾器等加以過濾等方法以去除不 溶成份，藉以精製高級矽烷組成物。 照射至矽烷化合物之溶液的紫外線 （UV)，較佳爲不 會分解該溶液所用之溶媒的波長者，具體而言，較佳爲其波 長在2 5 0 n m以上，特別是3 0 0 n m以上者。本發明中，「不會 分解溶媒的波長」係指不會因紫外線之照射而溶媒分子中之 化學鍵被切斷的程度之波長之意。使用上述之波長域之U.V ，則可防止溶媒所起因之碳原子等之不純物原子混入經熱及 /或光處理後之矽膜之情況，而可得特性更佳的矽膜。 UV之照射時間，爲能製得所需分子量分佈之高級矽烷 化合物起見，較佳爲 0.1秒至120分鐘，特佳爲1至30分鐘 。又，UV之照射而言，爲能製得所需分子量分佈之高級矽 烷化合物起見，較佳爲使用溶媒稀釋矽烷化合物後再行照射 ，或在攪拌矽烷化合物之溶液下，對溶液整體均勻照射UV 〇 又，本發明之高級矽烷組成物，如進行有關高級矽烷 化合物之分子量分佈的上述調整方法之同時進行溶媒之調 -14- 1272274 Ο) 整’則可容易控制其粘度及表面張力。此乃在使用液體以 形成矽膜時之最大好處之採用液滴排出 （liquid drop discharging)的圖型構成 （patterning) ·的過程中，係一 件甚有利的地方。 爲調製本發明之高級矽烷組成物之用的矽烷化合物而 言’祗要是具有能藉由U V之照射而聚合之光聚合性者則 並不特別限定，可例舉：一般式SinXm (在此，n爲3以上 ’而m爲4以上之分別獨立的整數，X表示氫基及/或鹵原 子等之取代基。）所表示之矽烷化合物等。 如此的矽烷化合物而言，可舉：除以一般式SinX2n ( 式中，η爲3以上之整數，X表示氫原子及/或鹵原子。）所 表示的環狀之矽烷化合物，或具有以一般式SinX2„. 2 (式 中，η爲4以上之整數，X表示氫原子及/或鹵原子。）所表 示的環狀構造2個以上之矽烷化合物之外，分子內具有至 少一個以上之環狀構造的氫化矽以及其鹵取代物等，能採 用有關本發明之紫外線照射所引起的光聚合製程之具有光 聚合性的矽烷化合物之全部。 如此的矽烷化合物而言，具體上，作爲有1個環狀構 造者可舉：環三矽烷，環四矽烷，環五矽烷，環六矽烷， 環七矽烷等，而作爲具有2個環狀構造者可舉：1，1’-雙 環丁矽烷，1，1·-雙環戊矽烷，1 ’丨、雙環己矽烷，1， 1 雙環庚矽烷，1，r-環丁基甲矽烷基環戊矽烷，1， Γ-環丁基甲矽烷基環己矽烷，1，Γ-環丁基甲矽烷基環 庚矽烷，1，1 \環戊基甲矽烷基環己矽烷，1 ’ 1 ^環戊 -15- (10) (10)1272274 基甲矽烷基環庚矽烷’ i，r -環己基甲矽烷基環庚矽烷 ，螺[2，2]戊矽烷，螺[3，3]庚矽烷，螺[4，4]壬矽院， 螺[4，5 ]癸砂院’螺[4 ’ 6 ]十一院基砂院，螺[5，5 ] _|-- 院基砂院，螺[5’ 6]十一院基砂院，螺[6，6]十三院基石夕 烷等’此外尙可舉：將此等骨架之氫原子部份性被S iH3基 或鹵原子所取代之矽烷化合物。亦可將上述者混合2種以 上使用。 在此等中’由於在分子內之至少一處有環狀構造之矽 烷化合物對光線的反應性極度地高，而可高效率進行光聚 合之故，較佳爲將此作爲原料使用。其中，環四矽烷，環 五砂院，環六砂院，環七砂院等以S i n X 2 „(式中，^爲3以 上之整數，X表示氫原子及/或氟原子，氯原子，溴原子， 碘原子，等鹵原子。）所表示之矽烷化合物，除上述理由 之外，尙因合成，精製容易之故，特佳。 另外’矽烷化合物而言’較佳爲具有前述之環狀構造 的矽烷化合物，惟祗要是不妨礙有關本發明之使用紫外線 的光聚合製程之範圍內，需要時，亦可倂用正戊矽烷，正 己矽烷，正庚矽烷等之矽烷化合物，或被硼原子及/或磷 原子等所改性之改性矽烷化合物等。 又，爲形成矽烷化合物之溶液之用的溶媒而言，祗要 是能溶解矽烷化合物而不會與該化合物反應者則並不特別 限定，惟通常使用室溫下之蒸氣壓在0.001至200mmHg者 。如蒸氣壓較2〇OmmHg爲高時，由於藉由塗層（mating )時以形成塗脸時丨谷媒先行黑發以致難於形成良好的塗膜 -16- (11) (11)1272274 。另一方面，如蒸氣壓較O.OOlrnmHg爲低時，同樣藉由塗 層以形成塗膜時乾燥變爲緩慢以致溶媒容易殘留在矽化合 物之塗層膜中而即使後過程之熱及/或光處理後仍難製得 良質之矽膜。 又，作爲上述溶媒，較佳爲使用其常壓下之沸點在室 溫以上而較高級矽烷化合物之分解溫度之2 5 0 t至30(TC爲 低者。由於使用較高級矽烷化合物之分解溫度爲低的溶媒 ，即可在塗佈後不致於分解高級矽烷化合物而依加熱僅將 溶媒選擇性去除之故，可防止矽膜內殘留溶媒以製得良質 之膜。 矽烷化合物之溶液所使用之溶媒之具體例而言，可舉 ：除正己烷，正庚烷，正辛烷，正癸烷，二環戊烷，苯， 甲苯，二甲苯，茌，茚，四氫萘，十氫萘，三十碳烷等之 烴系溶媒之外，二丙醚，乙二醇二甲醚，乙二醇二乙醚， 乙二醇甲乙醚，二乙二醇二甲醚，二乙二醇二乙醚，二乙 二醇甲乙醚，四氫呋喃，四氫哌喃，1，2·二甲氧乙烷， 雙 （2-甲氧乙基）醚，對哼烷等之醚系溶媒，再者，碳酸 丙烯酯，V- 丁內酯，N-甲基-2-吡咯烷酮，二甲基甲醯 胺，乙腈，二甲亞砸等之極性溶媒。此中，從矽烷化合物之 溶解性及該溶液之安定性來看，較佳爲烴系溶媒，醚系溶媒 ，更佳者爲可舉烴系溶媒。此等溶媒可以單獨或2種以上之 化合物使用。 又，照射前述紫外線之前，前述矽烷化合物之溶液中 可添加含有元素週期性質表IIIB族元素的物質，或含有元素 -17- (12) (12)1272274 週期性質表之VB族元素的物質（摻質源）。在形成矽膜時 ，在前述矽烷化合物之溶液中混入如此的摻質源後照射ϋ v 的製程，係習用之方法所沒有的新穎的製程。如採用如此的 製程，則可藉由UV之照射而以分子階層引發摻質與高級矽 烷化合物間之結合，並將其溶液塗佈在基板，熱處理及/或 光處理後即可形成爲經摻雜爲性能良好的正型，對型之矽膜 。當然，經過如此的製程之經摻雜矽膜，可藉由加熱等之 步驟，可望達成進一步的性能改善。特別是，將從含有此 物質之矽烷化合物之溶液所形成的高級矽烷組成物塗佈在基 板後，可藉由後述之熱處理及/或光處理而使如此的物質（ 摻質）活性化。 又，所添加之摻質源之濃度係按照最後所需要的矽膜 中之摻質濃度決定即可，亦可照射U V後以溶劑稀釋以調節 濃度，或與未添加摻質源即照射UV之高級矽烷組成物混合 0 此種含有元素週期性質表IIIΒ族元素及含有元素週期性 質表VB族元素之物質（摻質），係含有磷，硼，砷等之元 素的物質，具體而言，可例示如日本專利特開2000- 3 1066號 公報中所舉之物質。 藉由對前述矽院化合物之溶液照射u V以進行光聚合後 ’所形成之局級砍院組成物中之高級砂院化合物之濃度，從 形成砂膜時能防止當塗佈在基板上時之高級砂院化合物之不 均勻的析出並能均勻的塗佈膜來看，較佳爲1至80重量％程 度’而可按照所需要之矽膜厚而適當加以調節。 -18 - (13) (13)1272274 本發明之高級矽烷組成物，係由與高級矽烷化合物一 起含有溶媒之溶液而成者，再視需要，可添加其他添加物。 本發明之高級矽烷組成物中，可作爲摻質源而再添加 含有元素週期性質表之ΙΠΒ族元素的物質或含有元素週期表 之VB族元素的物質。由於適當選定如此的物質並添加，即 可形成經導入摻質之所需要之正型，對型之矽膜。在使用經 添加如此的物質之高級矽烷組成物以形成矽膜之製程中，由 於高級矽烷化合物之沸點較高之故難於蒸發，其結果亦能抑 制摻質源之蒸發，結果可較習用之方法者爲高效率之方式將 摻質導入膜中。另外，如前述，如在照射UV前在前述矽烷 化合物之溶液中添加此種物質以形成高級矽烷化合物時，在 此階段（即UV照射後）則不需要再添加。此種含有元素週 期性質表之III B族元素之物質及含有元素週期性質表之VB族 元素之物質而言，使用作爲在前述之UV照射前添加在前述 矽烷化合物中之此等物質所例示者同樣物質。又，將此種高 級矽烷組成物塗佈在基板後，藉由後述之熱處理及/或光處 理即可使此種物質（摻質）活性化。 又，本發明之高級矽烷組成物中，在不影響其目的之 功能之範圍內，需要時，可微量添加氟系，矽酮系，非離子 系等之表面張力調節材料。此等表面張力調節材料，係在能 改善溶液在塗佈對象物上之可濕性，改良經塗佈之膜之調平 (leveling)性，防止塗膜之小粒狀物之發生，橘子皮之發生 等方面有助益者。 本發明之高級矽烷組成物之粘度，通常係在1至 -19- (14) 1272274 1 〇 OmPa · s之範圍者，而可按照塗佈裝置或所需塗佈膜厚適 宜選擇。如超過lOOmPa · s時，則難於製得均勻的塗佈膜。 本發明之高級矽烷化合物，特別是應用在積體電路， 薄膜電晶體，光電變換裝置以及感光體等之用途上的矽膜 之形成方面有用。 (矽膜之形成方面） 其次，就本發明之矽膜之形成方法加以詳述。 ® 本發明之矽膜之形成方法之特徵爲：將前述的高級矽 烷組成物塗佈在基板上者，除此以外之方面，則可採用與 使用通常之溶液之形成矽膜的方法同樣之步驟。本發明之 砂膜之形成方法中，較佳包括在基板上塗佈前述高級矽烷 - 組成物之後，進行熱處理及/或光處理的過程。又，在作 _ 爲前述高級矽烷組成物而使用含有溶媒的組成物以塗佈在 基板上後，在未進行前述熱處理及/或光處理的過程之前 ’可包括僅將該溶媒選擇性去除的過程。 · 本發明之矽膜之形成方法，並不如一般所實施之CVD 法般供給氣體，而是在基板上塗佈前述之高級矽烷組成物後 ’使溶媒乾燥以形成高級矽烷化合物，將此膜經過熱分解及 /或光分解以變換爲矽膜，或經過熱分解及/或光分解後，再 藉由雷射處理而變換爲多結晶矽膜者。再者，將被硼原子或 磷原子所改性的矽膜，不需要在真空系中實施離子植入下即 可形成對型或正型之矽膜者。 高級矽烷組成物之塗佈方法而言，可採用：旋塗法， -20- (15) (15)1272274 輕塗法，垂簾塗佈法，浸漬塗佈法，噴霧法，液滴排出法等 方法。塗佈一般在室溫以上之溫度下進行。如在室溫以下之 溫度’則可能高級矽烷化合物之溶解性降低而部分會析出。 由於本發明之矽烷化合物，高級矽烷化合物，高級矽烷組成 物將與水，氧氣反應而改性之故，一連串之過程較佳爲不存 在水或氧氣之存在。因而，一連串之過程中之氣氛，較佳爲 在氮氣，氦氣，氬氣等之惰性氣體中進行。又，溶媒或添加 物較佳爲亦使用經去除水或氧氣者。 在此，本發明中之液滴排出法，係將液滴排出於所需 領域中以形成含有被排出物之所需圖型的方法，有時亦稱噴 墨法。但，在此情形，所排出之液滴並非印刷物所用之所謂 油墨，而係含有構成裝置（device)之材料物質的液狀體， 且此種材料物質，係例如含有構成裝置之導電物質或能以絕 緣物質發揮功能的物質者。再者，液滴排出並不限於排出時 噴霧之方式者，亦包含液狀體之1滴1滴會連續之方式排出的 情形。 又，採用旋塗法時之旋轉成形器 （Spinnei·)之旋轉數 ，係視所形成之薄膜厚度，塗佈溶液組成而決定，惟一般在 100至 5000rpm，較佳爲 300至 3000rpm。 本發明之矽膜之形成方法中，在塗佈高級矽烷組成物 後即爲去除溶媒起見，實施加熱處理。加熱溫度係視所使用 之溶媒種類，沸點（蒸氣壓）而異，惟通常在1 〇〇 °C至200 °C。氣氛較佳爲在與上述塗佈過程同樣的氮氣，氦氣，氬氣 等之惰性氣體中進行。此時亦可將系全體加以減壓，而在更 (16) (16)1272274 低溫進行溶媒之法除。由此，可減少因熱之基板的劣化。 又，本發明之矽膜之形成方法，係將經去除溶媒之g 板上之高級矽烷化合物，藉由熱處理及/或光處理而變換爲 矽膜者，而依本發明之形成方法所得之矽膜係非晶形狀或多 結晶狀者，惟在熱處理之情形，一般如到達溫度在約5 5 °C以 下之溫度時可得非晶形狀，如較此以上之溫度時則可得多結 晶狀之矽膜。如欲製得非晶形狀之矽膜時，較佳爲採用3〇〇 °(：至550°(：，更佳爲350°C至500°C。如到達溫度在3CKTC以下 之溫度時，則高級矽烷化合物之熱分解不能充分進行，而可 能難於形成足夠厚度之矽膜。 本發明中，實施熱處理時之氣氛較佳爲經混有氮氣， 氦氣，氬氣等之惰性氣體，或氫氣等之還原性氣體。如欲得 多結晶狀之矽膜時，則可對上述所得之非晶形狀矽膜照射雷 射以變換爲多結晶矽膜。 另一方面，實施光處理所使用之光之光源而言，可舉： 除低壓或高壓之水銀燈，重氫燈或氬氣，氪氣，氙氣等之稀 有氣體之放電光之外，YAG (釔鋁石榴石）雷射，氬雷射， 碳酸氣雷射，XeF (氟化氙），XeCl (氯化氙），XeBr (溴化 氣），KrF (氟化氪），KrCl (氯化氪），ArF (氟化氬）， ArCl·(氯化氬）等之愛克斯瑪雷射等。此等光源一般·採用 10至5 000W (瓦特）之輸出者，惟通常100至1 000\^即足夠 。此等光源之波長祗要是高級矽烷化合物多少能吸收者則 並不特別限定，惟通常在1 7 0 n m至6 0 0 n m。又，從往多結 晶矽膜之變換效率來看，特佳爲使用雷射光。此等光處理 -22- (17) (17)1272274 時之溫度通常在室溫至1 500。(：，而可視所得之矽膜之半導 體特性而適當選擇。 本發明之矽膜之形成方法中所使用之基板並不特別限 定’惟通常可使用通常之石英，硼矽酸玻璃，鈉玻璃之外， 尙可使用ITO (銦錫氧化物）等之透明電極，金，銀，銅， 鎳’駄’鋁，鎢等之金屬基板，再者，在表面具有此等金屬 之玻璃，塑膠基板等。 可由本發明之矽膜之形成方法所得之矽膜，可應用在 積體電路’薄膜電晶體，光電變換裝置以及感光體等之用途 〇 【實施方式】 [實施例] 以下’依下述實施例更詳細說明本發明，惟本發明並 不被此等實施例所限制。 以下之實施例全部係在氧氣濃度Ippm以下之氮氣氣氛 中進行者。 (實施例1至5) 將環己矽烷3g溶解在苯102中以調製溶液。將此溶液置 入20J玻璃燒杯中，攪拌下以20mV/cm2照射波長308nm之 UV5分鐘後，使用〇.5pm之濾器進行過濾，製得高級矽烷組 成物。將此高級矽烷組成物作爲塗佈溶液採用旋塗法以 lOOOrpm塗佈在石英基板上。按表1所示之條件改變條件以實 施塗佈有此高級矽烷組成物之基板之燒成，在石英基板上形 -23- (18) (18)1272274 成褐色非晶形矽膜。表1中並列就所得之非晶形矽膜之ESC A (化學分析用的電子能光譜法）測定之結果（表面組成）及 使用RAMAN (拉曼效應光譜）分光法之測定結果（結晶化 率）。 表1 燒成條件 矽(％) 氧(％) 碳(％) 結晶化率(％) 實施例1 在100°C下30分鐘=> 在35(TC下10分鐘 87 12 0 5 實施例2 在100°C下30分鐘=> 在500°C下10分鐘 98 2 0 20 實施例3 在350°C下10分鐘 83 12 5 4 實施例4 在500°C下10分鐘 93 2 5 15 實施例5 按50°C/分鐘升溫至50CTC 96 2 2 10 在實施例1及實施例2中首先在1 00°C下加熱以去除作爲 溶媒的苯之後，分別在350 °C，5 00 °C實施燒成以使高級矽 烷化合物變化爲非晶形矽膜。由於在3 50 °C下之燒成不足夠 之故燒成後膜之一部份受氧化，惟在5 0 0 °C實施燒成之實 施例2中，則能形成略不含氧化之良質的矽膜。 又，在實施例3及實施例4中，由於未經過如上述之實 施例1及實施例2般的溶媒去除過程之故，作爲溶媒的苯之碳 原子則殘留在矽膜中。 又，在實施例5中，實施從室溫以每秒50°C之速率之升 溫。i 0分鐘到達5 00分鐘時停止加熱以製作矽膜。由於升溫 速度較快速之故溶媒未能完全去除而矽膜中殘留有碳，惟在 -24- (19) (19)1272274 1 0分鐘的短時間即完成溶媒之去除及高級矽烷化合物之燒成 ’而製得含有砂9 6 %之良質的膜。 對實施例2所得之非晶形矽膜，在氬氣中以能源密度 300m〗/cm2照射波長3 08nm之愛克斯瑪雷射。使用RAMAN分 光法之測疋之結果’製得結晶化率9 0 %之多結晶砂膜。 將實施例2中所得之非晶形砂膜，在含有3 %氫氣之氬氣 氣氛中在800°C下實施熱處理10小時，再度實施使用RAMAN 分光法之測定之結果，上述非晶形矽膜經已變換爲結晶化率 95%之多結晶矽膜。 (實施例6至1 1) 將環式戊矽烷5 g溶解在二甲苯2 0 J中以調製溶液。將 此溶液置入5 0 2玻璃燒杯中，攪拌下按表2所示之方式改 變照射條件下照射U V。使用0.5 μ m之濾器進行溶液之過濾 以去除不溶解成份，製得高級矽烷組成物。將此高級矽烷 組成物作爲塗佈溶液採用旋塗法以1 5 00rpm塗佈在無鹼玻 璃基板上。將塗佈有此高級矽烷組成物之基板在減壓爲 5 T 〇 rr (托）下在1 2 0 °C下加熱3 0分鐘以去除作爲溶媒之二 甲苯，接著，在5 00 °C下實施燒成1〇分鐘，在石英基板上形 成褐色非晶形矽膜。 表2中分別表示所用之UV波長，照射時間，照射量，使 用ESCA測定之結果（表面測定），使用橢圓對稱法 (ellipsometry)之膜壓之測定結果。 (20) 1272274 表2 UV照射條件 矽（％) 氧（％) 碳（％) 膜厚（nm) 實施例6 436mn，10分鐘：20nW/cm2 98 2 0 180 實施例7 436nm，20分鐘：20nW/cm2 98 2 0 240 實施例8 254nm，10分鐘：15nW/cm2 98 2 0 260 實施例9 254nm，20分鐘：15nW/cm2 98 2 0 310 實施例10 172nm，10分鐘：10nW/cm2 87 1 12 360 實施例11 172nm，20分鐘：10nW/cm2 84 1 15 540
從實施例6至實施例1 1之結果，可知因U A之照射能量， 照射時間之不同而膜厚有變化，並可知藉由此等之最適當之 控制即可製得任意厚度之非晶形矽膜之事實。又，可知在實 施例10，實施例1 1中，因波長172nm之UV而作爲溶媒之二甲 苯之甲基被光而發生解離，並被吸收在非晶形矽膜中之事實
(實施例12) 測定按與上述實施例9同樣方法所調製之高級矽烷組成 物之粘度之結果，爲70mPa · s。由於照此情況下難於實施使 用液滴排出法之塗佈之故，將此溶液102使用己烷1002加 以稀釋，並將未能完全溶解之長鏈之高級矽烷化合物使用 0.2μ m之濾器實施過濾以調製新高級矽烷組成物。此溶液之 粘度爲3 mP · s。將此溶液使用液滴排出法全面塗佈在預先 照射254nm，10nW之UV20分鐘而使其親液化之石英基板上， -26- (21) (21)1272274 後段燒成則按與實施例9同樣方式實施，製得厚度1 20nm之 均勻的非晶形矽膜。 (實施例13) 將按與上述實施例9同樣方法所調製之高級矽烷ΐ〇α， 在10 Ton·減壓下加熱爲80°C，並濃縮高級矽烷組成物至5J 爲止。將未能完全溶解之長鏈之高級矽烷化合物使用〇.2μιτι 之濾器實施過濾後，按與實施例9同樣方式實施旋塗法，燒 成之結果，所得之矽膜之膜厚爲500nm。 (實施例14至17) 將螺[4，4 ]壬砂院5 g溶解在環己烷2 0 d中以調製溶液。 將此溶液置入20 J之石英燒杯中，攪拌下照射波長254nm， 20mW/cm2之UV10分鐘。對此溶液中作爲摻質源而分別添加 表3所示的添加物50mg之後，使用〇·5μπι之濾器實施過濾以 去除不溶解成份’製得高級矽烷組成物。將此高級矽烷組成 物作爲塗佈溶液使用旋塗法以1 〇〇〇rpm塗佈在預先依光刻形 成有電極之玻璃基板上。將此塗佈有此高級矽烷組成物之基 板在150°C下加熱30分鐘以去除溶媒之後，在照射波長172nm ，50 mW/cm2之UV下在400°C下實施燒成1〇分鐘，製得經摻 雜矽膜。此等之傳導度測定結果係如表3所示者，未採用真 空製程之下容易地製得經高濃度所摻雜之良質的經摻雜矽膜 -27 - (22) (22)1272274 表3 添加物 傳導度 （S/cm) 實施例1 4 B 5 H9 6,8x 1〇·5 實施例1 5 B1 〇 Η14 3.Οχ ΙΟ'4 實施例1 6 Ρ (黃磷） 8·7χ 1〇·4 實施例1 7 ΡΗ3 4.3χ 10- 3 (實施例1 8至2 1) 將甲矽烷基環己矽烷l〇g溶解在苯302中以調製溶液。 對此溶液中添加表4中所示之添加物各5OOmg並溶解在苯中 。將此混合液置入1 00 玻璃燒杯中，攪拌下照射波長 254nm，20mW/cm2之UV30分鐘以實施矽烷化合物之光聚合之 同時，使添加物與高級矽烷化合物結合。接著，使用〇.5ym 之濾器進行此溶液之過濾以去除不溶解成份，製得含有添加 物之高級矽烷組成物。將此高級矽烷組成物作爲塗佈溶液採 用旋塗法以2000ι·ρπι塗佈在預先形成有電極之烷基基板上。 將塗佈有此高級矽烷組成物之基板在11(TC下加熱2〇分鐘以 去除溶媒之後，在400°C下燒成1〇分鐘，製得經摻雜矽膜。 此等之傳導度測定結果係如表4所示者，未採用真空製程之 下製備經高濃度所摻雜之良質的經摻雜砂膜。 -28- (23) (23)1272274 表4 添加物 傳導度（S/cm) 實施例1 8 BsH9 2.8χ ΙΟ'4 實施例1 9 B1 〇 Η14 7.8x ΙΟ'4 實施例20 Ρ (黃磷） 1.5x ΙΟ·3 實施例2 1 PH3 7 · 2x 10- 3 (實施例22) 對上述實施例2 〇所製作之經摻雜矽膜按能量密度 3 60〇1*1/(：〇12照射波長3〇811111之愛克斯瑪雷射以變換爲多結 晶矽膜。使用RAMAN分光法之測定結果確認經變成1〇〇% 多結晶矽膜，而傳導度已改善爲2.6x l(T2S/cm。 [發明之效果] 如採用本發明之高級矽烷組成物，從塗佈在基板上時 之可濕性，沸點以及安全性之觀點，則可以含有分子量更 大的高級矽烷化合物，特別容易地形成良質的矽膜。又， 如採用本發明之矽膜形成方法，則可製得優異的矽膜。 【圖式簡單說明】 第1圖：藉由對環戊矽烷（S i 5 Η ! 〇)之二甲苯溶液照 射紫外線以進行光聚合而成的高級矽烷化合物之MALDI TOFMS之光譜圖。 -29-

Claims (1)

  1. 日修(果)正本 拾、申請專利範圍 第92 1 08 956號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年5月19日修正 1 · 一種矽膜之形成方法，其特徵包括：將光照射於含 有第1矽化合物之第1液狀原料，形成含有第2矽化合物 之第2液狀原料，該第2矽化合物之分子量大於第1矽化 合物之分子量及使用該第2液狀原料於基板上形成矽膜。 2 ·如申請專利範圍第1項之矽膜之形成方法，其中該 藉由光照射所形成之該第2液狀原料，進一步含有分子量 大於該第2砂化合物的分子量之第3砂化合物，在形成該 矽膜之前，含有由該第2液狀原料中去除第3矽化合物的 步驟。 3 ·如申請專利範圍第2項之矽膜之形成方法，其中該 第3矽化合物係不溶解於該第2液狀原料的成分，該第3 矽化合物係以過濾除去。 4 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之矽膜之形成 方法’其中該第2液狀原料進一步含有包含週期表之IIIB 族元素或週期表之VB族元素的物質。 5.—種半導體裝置之形成方法，其特徵爲包含申請專 利範圍第1〜4項中任一項之矽膜之形成方法。 6 · —種砂組成物，其特徵係具有至少含矽化合物與具 有物質之液狀原料，該矽化合物係藉由光照射所聚合者， 該物質至少含有週期表之IIIB族元素或VB族元素其中之 1272274 7.—種矽組成物，其特徵爲含有第1矽化合物，以光 照射產生聚合之第2矽化合物，及含有含週期表之IIIB 族或VB族其中之一之物質的液狀原料，該第1及第2矽 化合物係至少含有氫原子與鹵原子其中之一，且以一般式 SinX2n表示，η爲3以上之整數。
    8 .如申請專利範圍第7項之矽組成物，其中該第1矽 化合物之低壓下之沸點高於該第1矽化合物之低壓的分解 點。 9 ·如申請專利範圍第7項之矽組成物，其中該第1矽 化合物之常壓下之沸點高於該第1矽化合物之常壓的分解 點。 1 〇 ·如申請專利範圍第7項之矽組成物，其中該液狀 原料含有溶媒，該溶媒之沸點低於該第1矽化合物的分解 議占。
TW092108956A 2002-04-22 2003-04-17 High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition TWI272274B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002119961A JP2003313299A (ja) 2002-04-22 2002-04-22 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200305575A TW200305575A (en) 2003-11-01
TWI272274B true TWI272274B (en) 2007-02-01

Family

ID=28786756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092108956A TWI272274B (en) 2002-04-22 2003-04-17 High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7223802B2 (zh)
EP (1) EP1357154B1 (zh)
JP (1) JP2003313299A (zh)
KR (1) KR100553857B1 (zh)
CN (1) CN100353496C (zh)
TW (1) TWI272274B (zh)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-06 Toyota Motor Corp ゾルゲル法による有機無機複合体の製造方法
JP4258646B2 (ja) * 2003-06-13 2009-04-30 Ｊｓｒ株式会社 シラン重合体およびシリコン膜の形成方法
US7498015B1 (en) 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
US7314513B1 (en) * 2004-09-24 2008-01-01 Kovio, Inc. Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions
US8211396B1 (en) 2004-09-24 2012-07-03 Kovio, Inc. Heterocyclic semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
US7674926B1 (en) 2004-10-01 2010-03-09 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US8519945B2 (en) 2006-01-06 2013-08-27 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US20070205969A1 (en) 2005-02-23 2007-09-06 Pixtronix, Incorporated Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US8159428B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US8482496B2 (en) 2006-01-06 2013-07-09 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
JP4761041B2 (ja) * 2005-02-23 2011-08-31 ソニー株式会社 シリコン膜の形成方法
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7999994B2 (en) 2005-02-23 2011-08-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
JP4345064B2 (ja) 2005-03-25 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子の製造方法、および電子機器
WO2007025059A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Surmodics, Inc. Silane coating compositions, coating systems, and methods
US20070141365A1 (en) * 2005-08-26 2007-06-21 Jelle Bruce M Silane Coating Compositions, Coating Systems, and Methods
EP1943669A4 (en) * 2005-10-05 2012-06-13 Kovio Inc LINEAR AND NETWORKED HIGHLY MOLECULAR POLYSILANES, POLYGERMANES AND COPOLYMERS THEREOF, COMPOSITIONS CONTAINING THEM AND METHOD FOR THE PREPARATION AND USE OF SUCH COMPOUNDS AND COMPOSITIONS
JP2007165524A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置および電子機器
US8526096B2 (en) 2006-02-23 2013-09-03 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
JP2007284639A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Jsr Corp リン原子含有高次シラン化合物の製造法及びそれを用いたリン含有シリコン膜の形成方法
DE102006043929B4 (de) * 2006-09-14 2016-10-06 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen
WO2008045327A2 (en) 2006-10-06 2008-04-17 Kovio, Inc. Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
JP4305513B2 (ja) 2007-01-18 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US8530589B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-10 Kovio, Inc. Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials
KR20160040319A (ko) * 2007-10-01 2016-04-12 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 전기 활성 디바이스 및 그 제조 방법
US8460983B1 (en) 2008-01-21 2013-06-11 Kovio, Inc. Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors
WO2009148878A2 (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Ndsu Research Foundation Method of forming functionalized silanes
US7999355B2 (en) * 2008-07-11 2011-08-16 Air Products And Chemicals, Inc. Aminosilanes for shallow trench isolation films
EP2301991A4 (en) 2008-07-11 2012-06-20 Japan Science & Tech Agency PROCESS FOR PRODUCING POLYSILANE
US8169679B2 (en) 2008-10-27 2012-05-01 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
US9336925B1 (en) * 2008-11-26 2016-05-10 Thin Film Electronics Asa Siloxanes, doped siloxanes, methods for their synthesis, compositions containing the same, and films formed therefrom
JP5604044B2 (ja) 2009-01-09 2014-10-08 独立行政法人科学技術振興機構 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法
CN102388435B (zh) * 2009-04-10 2016-06-01 独立行政法人科学技术振兴机构 图案的形成方法、图案和元件
KR101648867B1 (ko) * 2009-06-02 2016-08-17 삼성전자주식회사 실리콘 용액 프로세스를 이용한 실리콘막 제조 방법
US9256767B2 (en) * 2009-11-11 2016-02-09 Hand Held Products, Inc. Tracking system
DE102009053806A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Siliciumschichten
JP5445795B2 (ja) 2009-12-25 2014-03-19 独立行政法人科学技術振興機構 結晶性コバルトシリサイド膜の形成方法
US8624049B2 (en) * 2010-01-18 2014-01-07 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
JP5697692B2 (ja) 2010-01-28 2015-04-08 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション シクロヘキサシラン化合物を生成する方法
KR20120132680A (ko) 2010-02-02 2012-12-07 픽스트로닉스 인코포레이티드 저온 실 유체 충전된 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2011097258A1 (en) 2010-02-02 2011-08-11 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
DE102010002405A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Oligomerisierung von Hydridosilanen, die mit dem Verfahren herstellbaren Oligomerisate und ihre Verwendung
DE102010025710A1 (de) * 2010-06-30 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Speichermaterial und Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem
DE102010030696A1 (de) * 2010-06-30 2012-01-05 Evonik Degussa Gmbh Modifizierung von Siliciumschichten aus Silan-haltigen Formulierungen
DE102010025948A1 (de) * 2010-07-02 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Polysilane mittlerer Kettenlänge und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010040231A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Evonik Degussa Gmbh p-Dotierte Siliciumschichten
DE102010041842A1 (de) 2010-10-01 2012-04-05 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilanverbindungen
DE102011075232B4 (de) 2011-05-04 2015-02-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Silizium-haltigen Schichten und entsprechend hergestellte Schichten
CN103854987B (zh) * 2012-12-04 2017-08-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 伪栅的形成方法、选择性沉积硅的方法和插塞的形成方法
US9617161B2 (en) * 2012-12-25 2017-04-11 Nippon Shokubai Co., Ltd. Method for producing cyclohexasilane
JP6343145B2 (ja) * 2012-12-25 2018-06-13 株式会社日本触媒 シクロヘキサシランの製造方法
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
JP2016519640A (ja) * 2013-03-15 2016-07-07 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション 液体シランおよびヘテロ原子添加物を処理により形成されるシリコン材料
NL2010713C2 (en) 2013-04-26 2014-10-29 Univ Delft Tech Method of forming silicon on a substrate.
DE102013010102A1 (de) 2013-06-18 2014-12-18 Evonik Industries Ag Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung
DE102013010101A1 (de) 2013-06-18 2014-12-18 Evonik Industries Ag Formulierungen umfassend Hydridosilane und Hydridosilan-Oligomere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihrer Verwendung
DE102013020518A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Forschungszentrum Jülich GmbH Fachbereich Patente Verfahren und Vorrichtung zur Polymerisation einer Zusammensetzung enthaltend Hydridosilane und anschließenden Verwendung der Polymerisate zur Herstellung von siliziumhaltigen Schichten
JP6652488B2 (ja) * 2014-07-16 2020-02-26 シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ 高分子量ポリシラン及びその製造方法
TWI519668B (zh) 2014-07-17 2016-02-01 國立清華大學 具有結晶矽薄膜之基板及其製備方法
NL2013288B1 (en) 2014-07-31 2016-09-21 Univ Delft Tech Low-temperature formation of silicon and silicon oxide structures.
WO2016068713A1 (en) 2014-10-30 2016-05-06 Technische Universiteit Delft Low-temperature formation of thin-film structures
JP6322131B2 (ja) * 2014-12-24 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜の成膜方法および成膜装置
DE102015225289A1 (de) 2015-12-15 2017-06-22 Evonik Degussa Gmbh Dotierte Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
CN107331609A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 上海新昇半导体科技有限公司 晶圆控片及其制造方法
US10308771B2 (en) 2016-08-31 2019-06-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions and coatings for adjusting friction
JP7077184B2 (ja) * 2018-08-30 2022-05-30 キオクシア株式会社 基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7156620B2 (ja) 2018-10-15 2022-10-19 東京エレクトロン株式会社 微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2077710B (en) * 1980-06-11 1983-10-12 Nat Res Dev Synthesising a polysilane
JPS5727915A (en) 1980-06-11 1982-02-15 Nat Res Dev Synthesis of polysilane
JPS60188429A (ja) 1984-02-10 1985-09-25 ミネソタ　マイニング　アンド　マニユフアクチユアリング　コンパニー ポリヒドリドシランとそのパイロポリマーの製造方法
US4537942A (en) * 1984-02-10 1985-08-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers
JPS6429661U (zh) 1987-08-13 1989-02-22
JPH05144741A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Showa Denko Kk アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPH06191821A (ja) 1992-12-22 1994-07-12 Showa Denko Kk シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
JP3517934B2 (ja) * 1994-03-24 2004-04-12 昭和電工株式会社 シリコン膜の形成方法
JP3408399B2 (ja) 1997-05-23 2003-05-19 シャープ株式会社 シリコン膜の形成方法
JPH11260729A (ja) 1998-01-08 1999-09-24 Showa Denko Kk 高次シランの製造法
JP2000007317A (ja) 1998-06-19 2000-01-11 Sharp Corp シリコン膜の形成方法
JP2000031066A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Sharp Corp シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
KR20010052441A (ko) 1999-03-30 2001-06-25 마쯔모또 에이찌 코팅 조성물
EP1113502B1 (en) * 1999-03-30 2007-09-19 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing thin-film transistor
TW465131B (en) * 1999-03-30 2001-11-21 Seiko Epson Corp Method for forming silicon film
TW447143B (en) * 1999-03-30 2001-07-21 Seiko Epson Corp Method of manufacturing solar cell
JP3424232B2 (ja) 2000-03-13 2003-07-07 ジェイエスアール株式会社 シリコン膜の形成方法
JP4748288B2 (ja) 2000-06-01 2011-08-17 Ｊｓｒ株式会社 スピロ［４．４］ノナシランを含有する組成物
JP4462394B2 (ja) 2000-04-19 2010-05-12 Ｊｓｒ株式会社 シリコン膜のパターン形成方法
US7067069B2 (en) * 2001-08-14 2006-06-27 Jsr Corporation Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method
JP4419357B2 (ja) 2001-10-17 2010-02-24 Ｊｓｒ株式会社 シラン組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JP2003055556A (ja) 2001-08-14 2003-02-26 Jsr Corp シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
JP2003171556A (ja) 2001-12-10 2003-06-20 Jsr Corp シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
JP2003318193A (ja) 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイス、その製造方法及び電子装置
JP2003316279A (ja) 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
JP4042098B2 (ja) 2002-04-22 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP3864413B2 (ja) 2002-04-22 2006-12-27 セイコーエプソン株式会社 トランジスタの製造方法
JP2003318119A (ja) 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp シリコン膜およびその形成方法、ならびに、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、電子機器および機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003313299A (ja) 2003-11-06
TW200305575A (en) 2003-11-01
US7223802B2 (en) 2007-05-29
EP1357154A1 (en) 2003-10-29
US20030229190A1 (en) 2003-12-11
KR20030084650A (ko) 2003-11-01
EP1357154B1 (en) 2012-05-23
KR100553857B1 (ko) 2006-02-24
CN1457085A (zh) 2003-11-19
US20070190265A1 (en) 2007-08-16
CN100353496C (zh) 2007-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI272274B (en) High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition
KR100436319B1 (ko) 실리콘 막의 형성방법
KR101299315B1 (ko) 고차 실란 조성물 및 막이 부착된 기판의 제조 방법
JP3981528B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP5013128B2 (ja) シリコン膜形成のための方法と組成物
US7052980B2 (en) Transistor manufacturing method, electrooptical apparatus and electronic apparatus
EP1092755A1 (en) Coating composition
WO2000059014A1 (en) Method for forming a silicon film and ink composition for ink jet
JP4305513B2 (ja) 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
TWI525213B (zh) 矽層之製法
JP4725146B2 (ja) 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
JP4462394B2 (ja) シリコン膜のパターン形成方法
JP5618599B2 (ja) パターンの形成方法
JP2005235852A (ja) 多層膜の形成方法及びデバイスの製造方法
JP2005219981A (ja) 高次シラン溶液の製造方法、シリコン膜の形成方法、シリコン膜、ｔｆｔ及び電気光学装置
WO2012114624A1 (ja) 量子ドット半導体膜及びその形成方法
JP2005223138A (ja) シリコン膜の成膜方法及び当該シリコン膜の成膜方法を使用するデバイスの製造方法
JP2005251982A (ja) シリコン膜の形成方法、当該シリコン膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法及び当該デバイスの製造方法を使用する電気光学機器の製造方法
JP2009062253A (ja) シリコン膜の形成方法
JP4617795B2 (ja) シリコン膜の形成方法
JP2001055444A (ja) ケイ素ポリマーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees