TWI231275B - Etching solution for multiple layer of copper and molybdenum and etching method using the same - Google Patents

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TWI231275B
TWI231275B TW092135026A TW92135026A TWI231275B TW I231275 B TWI231275 B TW I231275B TW 092135026 A TW092135026 A TW 092135026A TW 92135026 A TW92135026 A TW 92135026A TW I231275 B TWI231275 B TW I231275B
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Description

1231275 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域 本發明係關於一種用於金屬層的蝕刻溶液，以及更明 確的說’係關於一種用於銅—鉬層的蝕刻溶液以及使用此 溶液的餘刻方法。 【先前技術】
一般來說’要在一半導體裝置的基板上形成一金屬線 需要好幾個步驟，例如用濺鍍（sputtering )方式在一基 板上形成一金屬層，藉著塗佈（coating)、曝光、與顯 ，在此金屬層上形成一光阻圖案，然後蝕刻此金屬層，在 這些步驟之前後或兩者之一，還需要一清洗的步驟。在該 #刻步驟中，該光阻圖案係作為一蝕刻遮罩，以將圖案形 成在該金屬層上。一使用電漿的乾式蝕刻（dry etching)或使用一蝕刻溶液的溼式蝕刻（wet etching) 方法可用於該ϋ刻步驟。
近來，一金屬層的電阻已成半導體裝置的一個議題。 一金屬層的電阻是半導體裝置RC (電阻一電容）訊號延 遲成份的一重要因素。同樣地，要提高薄膜電晶體液晶顯 不裝置（TFT — LCD)的面板尺寸與解析度，也需 考慮金屬層的電阻。要製作一大尺寸薄膜電晶體液晶顯示 裝置’該RC訊號延遲需要降低，而一具有低電阻率 (resistivity)的材料需要被開發出來。一般來說，
1231275 五、發明說明（2) 絡（Cr )(電阻率約為12·7 χ 10-8 Qm)、鉬（m〇) x uJ且η率約為5 X ΩΐΠ )、鋁（A1 )(電阻率約為2· 65 液曰龜m i、或是這幾者的合金，都已經用於薄膜電晶體 欣日日顯不裝置的金屬層。然而，這些金屬由於他們的高阻 值丄並不適用於大尺寸薄膜電晶體液晶顯示裝置的閘=線 與資料線。因此，有建議採用銅（Cu)作為一金屬線的材 料。銅（Cu )有比鋁（A1 )和鉻（Cr )更低的阻值，還有 其他％保上的優點。然而，銅對曝光顯影程序，包括光阻 塗佈與形成圖案等步驟，有不利之處。再者，銅對一 石夕的絕緣層有不佳的黏著性。 為克服一銅（Cu)單層的這些缺點，有建議採用一含 銅（Cu )的多層架構。例如，一銅（Cu )與鈦（丁丨）的多 層已被評估過作為一大尺寸薄膜電晶體液晶顯示裝置的一 金屬線。一用於銅（Cu)與鈦（Ti )的多層的蝕刻溶液已 經存在，而也有建議採用其他一些蝕刻溶液。然而，此用 於銅（Cu )與鈦（Ti )的多層的蝕刻溶液，因為鈦（η ) 化學特性而含有氟離+，薄膜電晶體液晶顯示裝置裡 ^矽的各層（例如，一玻璃基板、一含矽的活性層、一含 氮化矽（SiNx)或氧化矽（Si〇2)的絕緣層）都會被蝕 刻。這種，含石夕層的不必要的餘刻，讓薄膜電晶體液晶顯 示裝置的製造過程變得複雜。 因此，有建議採用一銅（Cu)與_ Uc〇的多層。此 銅（Cu )與自（Mo )的多層，藉著控制其_厚度的比例， 可以具有和銅（Cu)與鈦⑴）的多層相同或更好的特
1HIIHH 第13頁 1231275 五、發明說明（3) 陵°再者’因為氟離子對於餘刻銅（Cu)與鉬（M〇)的多 層沒有一直接的影響，一少量的氟離子可以加入一銅 (Cu )與銦（Mo )多層的钱刻溶液，而不會餘刻一含矽 層0 一含有磷酸、硝酸、與乙酸，用於含銅（Cu)多層的 餘刻溶液’已揭示於韓國公開專利號碼]^1 999-〇〇 1 7836, 而一含有氣化鐵（III)六元氫化物（irori chloride (III) hexa-hydride)與氫氟酸（hydrofl uor i c ac l d ) ’用於含銅（Cu )多層的蝕刻溶液，則是揭示於韓 國公開專利5虎碼KP2000-0032999。然而，當這些餘刻溶 液用於一銅（Cu )與鉬（Mo )多層的蝕刻時會有幾個缺 點。第一，蝕刻的速度過快，以致於該蝕刻步驟難以被控 制到具有足夠的製程範圍（process margin)。第二，# 刻後的多層的橫截面外形，其斜角（taper angle)會等 於或大於90° ，在一後續程序中，裝置的缺陷可能會發 生。第三，钱刻後的多層不夠筆直。第四，如果使用的是 含有氯化鐵（III)六元氫化物（iron chloride (III) hexa-hydride)與氫氟酸（hydrofluoric acid)的蝕刻 溶液，就如銅（Cu )與鈦（T i )的多層的蝕刻溶液一樣， 一含石夕層也會被不必要的姓刻。 第1 A圖係一掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM)的透視影像，其係顯示，用一含有鱗 酸、硝酸、與乙酸的蝕刻溶液，所蝕刻形成的一銅（Cu ) 與翻（Mo)的圖案’而第1 B圖則係另一掃描電子顯微鏡
1231275 五、發明說明（4) (SEM )的透視影像，其係顯示，用一含有氯化鐵（111 ) 六元氫化物（iron chloride (III ) hexa-hydride)與 氫氟酸（hydrofluoric acid)的蝕刻溶液，所蝕刻形成 的一銅（Cu)與鉬（Mo)的圖案。如第1A與1B圖所 示，該銅（Cu )與鉬（Mo )的外形與筆直性都不佳。尤 其，如第1 B圖所示，玻璃基板的頂部表面是粗糙的，因 為餘刻溶液裡的氫氟酸（hydrofluoric acid)會姓刻此 含有矽的玻璃基板。 有建議採用另外一種含有過氧化氫的蝕刻溶液來蝕刻 一銅（Cu )與鉬（Mo )的多層。然而，該餘刻溶液有一對 g 銅（Cu )的第一最佳PH值在大約2到大約4之間，以及一 對鉬（Mo )的第二最佳PH值在大約4到大約7之間。因 此，當蝕刻溶液被控制在對銅（Cu )的該第一最佳PH值 時’鉬（Mo )層會被殘留下來，而當蝕刻溶液被控制在對 錮（Mo )的該第二最佳PH值時，銅（Cu )的蝕刻速度會急 劇的降低。 ~ 第2 A圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的橫截面影 像’其係顯示，用一含有過氧化氫的餘刻溶液，所餘刻形 成的一鋼（Cu )與鉬（Mo )的圖案，而第2 B圖則係另一 掃描電子顯微鏡（SEM )的透視影像，其係顯示，用一含 有有過氧化氫的钱刻溶液，所餘刻形成的一銅（Cu )與錮 (M〇)的圖案，第2 C圖也係一掃描電子顯微鏡（SEM') 的透視影像，其係顯示，用一含有有過氧化氫的蝕刻溶液 #刻後的一基板。如第2A與2B圖所示，該銅（Cu)與
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錮（Mo)的圖案有一相對起 性。然而，如第2 C圖所示 的鉬（Mo )殘留，因為該具 溶液，無法將鉬（Mo )完全 來良好的外形與一良好的筆直 ’該基板上可以觀察到有大量 有適合銅（Cu )的pH值的蝕刻 ϋ刻。 【發明内容】 因此 的多層的 缺點所致 本發 (Mo )的 以及使用 本發 本發 明係針對一種用於一銅（Cu)與鉬（Mo) 大幅排除上述習知技術的限制和 多層時 此蝕刻 明的另 (Mo)的多層的 -介於大約3 0 -絕佳的筆直性 約4之 蝕刻溶液，其可 的一或多項問題 明的一優點，係 幾乎不 約2到大 法。 本發 有低阻值 本發 而且某種 務而得知 溶液的蝕 一優點， 蝕刻溶液 °到大約 、一長壽 間的p Η值 k供一種在姓刻一銅（Cu)與la 會有銦（Mo )殘留的蝕刻溶液， 刻方法。 係提供一種用於一銅（Cu)與鉬 ’其提供一可控制的银刻速度、 6 〇 的斜角（taper ang 1 e )、 命、一適用於銅（Cu)的介於大 ’以及使用此蝕刻溶液的蝕刻方 明的一 與可防 明的額 程度上 。本發 優點，係提供一種蝕刻溶液，其係針對具 止環境污染的銅（Cu )。 ’ 1特色與優點，將於下文的說明中提出， 藉此說明而臻明確，或者可自本發明的實 明的這些和其他優點，將可藉由此書面說 Ϊ231275 ^—------- 五、發明說明（6) 明为甘 &具申請專利範圍加上所附諸圖中所特別指出的结構， 來加以實現及完成。 ▲為達成此等和其他優點，以及依照本發明所具現及廣 人說明的目的，一種用於一銅與鉬的多層的蝕刻溶液包 含：
約 大 到% 5 0 0 約約約 大大大 佔佔佔 量量量 TJBHJ 氯 化 氧 過 的% ο 約約 大大 到到% % 5 2 酸鹽 機酸 有磷 的的 % % 加 再。 •, 量 物重 合總 化的 氟% 的ο % ο IX 1到 1成 完 液 溶 刻 蝕 此 ·· · ο ο ο將 約 約約而 大大大水 佔佔佔子 量量量離 tlntJ in .ffhlf LI、 ηϊΒη τρίτη 二 1 上 物物 加加 添添 1 二 第第 ^0、 、 /DH 氮氣 含含 % % 1 5 5約 約約大 大大到 到到% % % 1 2 2 0 在本發明的另一方面’ 一悝用π —用興錦的爹層的挪 刻方法包含：形成此多層的銅與鉬於一基板上；在此多層 上形成一光阻圖案；然後使用一蝕刻溶液蝕刻此光阻圖 案’此钱刻溶液包含·· « 一重量佔大約5 %到大約3 0 %的過氧化氫； 一重，佔大約〇 · 5 %到大約5 %的有機酸；’ 一重量佔大約〇 · 2 %到大約5 %的磷酸鹽； -大約〇. 2 %到大約5 %的含氮：第一添加物 一重董佔大約〇 . 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物
第17頁 1231275 五、發明說明（7) Τ ί ΐ佔大約0.01 %到大約1.0 %的氟介:、 上去離子水而將此蝕刻溶液完成到i 匕5物；再加 υ ^的總重量。 ，本發明的另一方面，一種用於— 刻的合成物包含： 與鉬的多層的蝕 重量佔大約〇 重量佔大約〇 重量佔大約〇 重量佔大約〇 一重，佔大約5 %到大約3 〇 %的過氡化 一重量佔大約0 · 5 %到大約5 %的有機酸玉；’ 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 0 1%到大約1. 〇%的氟化—合^ 添加物 添加物 2 /6到大約5 %的含氮的第 2 %到大約5 %的含氮的第 晶顯示裝 極電極與 絕緣層； 層上形成 此源極與 料線，此 此閘極線 層的飯刻 在本發明的另一方面，一種製造一田 置的陣列基板的方法包人.乂匕用於-液 一 pm # =扪万忐包含.在一基板上形成一閘 ::線，在此閘極電極與閘極線上形成一第— f巧-絕緣層上形成一半導體層；*此 與汲極電㉟，以及-穿越閘極線的資， 門】：Ϊ t彼此相㊣’此源極電極係連接於此資 US;料線；同界定出一像素區心其中 之一係一銅與钥的多層，此多 係使用H容液來進行，此㈣溶液包含： -重！佔大約5 %到大約3 〇 %的過氧化氫； 第18頁 1231275 、發明說明（8) 一重量佔大約〇 · 5 %到大約5 %的有機酸； 一重量佔大約0 · 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 二重，佔大約〇· 2%到大約5%的含氮的第一添加物； 二重，佔大約〇 · 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物； 一重量佔大約〇 · 〇 1 %到大約1 · 0 %的氟化合物；再加 上去離子水而將此蝕刻溶液完成到1 〇 〇 %的總重量。 理應瞭解的是，前述的一般說明和下文的詳細說明兩 者’係屬範例性和解釋性，以及係意在提供本發一 步解釋。 【實施方式】 ^ 茲將詳細說明本發明的實施例，其範例係例示在所附 諸圖中。所附諸圖中相同或類似附件，儘可能標以類似的 參考就碼。 一銅（Cu)與鉬（Mo)的多層包含一銅（Cu)層在 下、鉬（Mo)層在上的雙層，一鉬（M〇)層在丁、銅 (Cu)層在上的雙層，以及鉬（M〇)層最下、銅（Cu)層 居中、另一錮（Mo)層在上的三層。換言之，此銅（Cu) 與鉬（Mo )的多層包含交替地穿插的複數個銅（Cu )層以 及複數個鉬（Mo)層。此銅（Cu)與鉬（M〇)的多層的架 構，係由用於此多層的一上層或下層，以及層與層間的黏 著的一材料所決定。銅（Cu)層的厚度與鉬（M〇)層的厚
第19頁 1231275 五、發明說明（9) 度可以不受限生 層的厚度為定：t:,:以彼此無關。S此，如果鉬（Mo ) 依據本發明夕：：是-銅（Cu)的單層。 m ·_!的一種用於一銅㈤與鋼（Mo)的多層 的蝕刻溶液，可以勺；：二1、則兴鉬（M〇)的多 含氮的第一六Λ心匕3過乳化氫、一有機酸、磷酸鹽、一 物，這此可〇 #、一含氮的第二添加物、以及氟化合 -半導；I;:傳統方式準備’且要有足夠的純度以用於 此：=ΐΓ製造過程’然後以去離子水作為溶劑。 以加入苴^1有一超過大約18MQ/cm的電阻。此溶液也可 "一般用於一蝕刻溶液的添加物。 、氧化虱與有機酸係鍅刻銅（Cu )與鉬（Mo )的要 t，且要有足夠的純度以用於一半導體裝置的一製造過 程例如，過氧化氫與有機酸的金屬雜質濃度要低於 1 Oppb (part per billion )。各種有機酸都可使用而 沒有一特定限制。例如，乙酸（acetic acid ) 、丁酸 (butanoic acid)、檸檬酸（citric acid)、甲酸 (formic acid)、葡萄糖酸（giuconic acid)、乙醇酸 (glycolic acid)、丙二酸（mai〇nic acid)、草酸 (oxalic acid)、戊酸（pentanoic acid)、與其他可 溶於水的有機酸，都可選用作為該蝕刻溶液裡的一有機 酸。 有機酸的作用是控制該蝕刻溶液的pH值，這樣銅 (Cu )與鉬（Mo )才能都被蝕刻。如果該蝕刻溶液只有過 氧化氫而沒有有機酸，該蝕刻溶液無法蝕刻銅（Cu )。該 含有有機酸的餘刻溶液的pH值’可以在大約0 . 5到大約
第20頁 1231275 、發明說明（10) 4 · 5之間。 ,鱗酸鹽的作用是控制該被蝕刻的多層的一橫截面外 幵y 此外形和該被钱刻的多層的一斜角（taper angle) 疋有關連的。各種磷酸鹽都可使用而沒有一特定限制。例 如’構酸二氫鈉（sodium dihydrogen phosphate)與磷 酸二氫鉀（potassium dihydr〇gen ph〇sphate)，這些將 碟酸的至少一個氫用鹼金屬與鹼土金屬之一取代而得的， 都可選用作為該蝕刻溶液裡的磷酸鹽。磷酸鹽會降低銅 (Cu )與翻（jj〇 )之間的一電氣效應，以避免所謂的底切
現象（undercut phenomenon)。以一la (Mo)層在下、 銅（Cu )層在上的雙層的蝕刻為例，當底切現象發生時， 從橫截面來看，下方的鉬（Mo )層會被該蝕刻溶液蝕刻。 如果該蝕刻溶液沒有包含磷酸鹽，由於下方的鉬（M〇)層 幾乎被蝕刻掉，上方銅（Cu )層可以被掀開。 含氮的第一添加物的作用是控制一銅（Cu)與鉬 (Mo )的多層的蝕刻速度，以降低因圖案的最小線寬損失 (critical dimension loss)，進而改善製〆畢範圍。各 種添加物都可使用而沒有一特定限制。例：iti%胺基四唑
(aminotetrazole)、咪唑（imidazole)、，锋' (indole)、目票呤（Purine)、唾（Pyrazol 心唆 (Pyridine)、嘴淀（Pyrimidine)、比口各 (pyrrole )、洛咬（pyrrolidine ) 、口各 (pyrrol ine )、與其他其他可溶於水的環胺化合物 (cyclic amine compound)，都可選用作為該#刻溶液
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裡的第一添加物。如果該蝕刻溶液未包含此第一添加物， 2刻速度可能無法控制，因而可能無法獲致具有一適當線 寬的圖案。因此，裝置的缺陷與品質降低的可能性增大， 製程的範圍因而縮小。這些都會在量產時造成問題。 雖然含氮的第二添加物未與一橫截面外形或蝕刻速度 直接相關，此第二添加物可以避免過氧化氫在該蝕刻溶液 存放期間可能發生的一自我分解反應，並且可以在該蝕刻 /谷液使用夕-人後仍然保持一不變的餘刻特性。各種添加物 都可使用而沒有一特定限制。一可溶於水、包含氨基群 (amino group)與羰基群（carb〇xyl gr〇up)之一的化 合物，例如，丙胺酸（alanine )、氨基丁酸 (aminobutyric acid)、麵胺酸（glutamic acid)、甘 胺酸（glycine)、亞氨二乙酸（iminodiacetic acid)、三甘胺酸（nitrilotriacetic acid)、肌氨酸 (sarcosine )、以及它們的衍生物，都可選用作為該蝕 刻溶液裡的第二添加物。一般來說，含有過氧化氫的溶液 在存放時，過氧化氫可能會發生自我分解反應。因此，要 長期存放一含有過氧化氫的溶液是有困難的，一盛放該溶 液的容器甚至有爆炸的可能。然而，如果此含氮的第二添 加物有加入該姓刻溶液中，過氧化氫的分解速度會降低到 大約原來速度的十分之一。因此，該含有過氧化氫的钱刻 溶液可以可靠地存放較長的時間。再者，因為銅（Cu ) ^ 子與鉬（Mo)離子會在蝕刻銅（Cu)與鉬（Mo)時經由一 螯合（chelation)反應產生，此第二添加物會抑制此銅
1231275
五、發明說明（12) (Cu)離子與翻（Mo)離子的活性，而這些離子的一進一 步反應就可以被避免。於是，該蝕刻溶液即便在使用多丈 後，仍可以保持一不變的蝕刻特性。尤其，如果有大量銅 (Cu)離子存在於未含有此第二添加物的蝕刻溶液内，這 些銅（Cu )離子會形成一鈍化層，而此鈍化層會被氧化成 黑色。未含有此第二添加物的蝕刻溶液無法良好的蝕刻此 被氧化的銅（Cu)離子純化層。然而’因為此第二添加物 會抑制銅（Cu)離子的活性，所以當該蝕刻溶液加有此第 一添加物’此銅（Cu)離子鈍化層不會形成。 一氟化合物係一依據本發明的蝕刻溶液的一主要要 素。此氟化合物會移除在同時蝕刻銅（Cu)與鉬（M〇)時 產生於該#刻溶液裡的殘留。各種氟化合物都可使用而沒 有一特定限制。一可在一溶液中被分解為氟離子或複合氟 離子（ployatomic fluoric ion)的化合物，例如，氟化 銨（ammonium fiuoride)、氟化鈉（s〇diuin fluoride)、氟化鉀（potassium flu〇ride)、以及它們 的氟化氫（bi fluoride )化合物，像是氟化氫銨 (ammonium bifluoride)、氟化氫鈉（s〇dium bifluoride)、氟化氫鉀（potassium biflu〇ride)，都 可選用作為該钱刻溶液裡的一氟化合物。一般來說，一具 有一第一pH值在大約2到大約4之間的蝕刻溶液，對銅 (Cu )有一絕佳的敍刻特性，而一具有一第二pH值在大約 5到大約7之間的蝕刻溶液，對鉬（M〇 )有一絕佳的蝕刻 特性。為了一起蝕刻銅（Cu )與鉬（M〇 )，一蝕刻溶液可
第23頁 1231275 五、發明說明（13) 以調校到具有第一盥第—、丄 餘刻溶液的PH值是由、；以個，值之-。通常，該 (Cu)層通常要比一鉬 卜層來決定的。由於-銅 大約2到大約4之間的層厚，該蚀刻溶液可以具有 PH值的飯刻溶液，纟=。此具有大約2到大約4之間 緩慢的速度姓刻心的(CU)，而會以-相對 -蝕刻步驟裡的特性，合:、後’鉬（M〇 )由於其自身在 殘留會停留在一玻璃基。2::粒類型的殘留。這些 短路或亮度衰退的原因ί 層上’而會變成一電氣 的鉬（Μ。）殘留。由於此=合物會移除該㈣溶夜裡 含矽層’該蝕刻溶夜可以!\匕：物此玻璃基板或一 此玻璃基板與含石夕♦才广少1的氟化合物，這樣 θ才不會被蝕刻。例如，重量佔大約 f Μ 〇到大約1 · 〇 %的氟化合物，就足夠移除此鉬 Μ，殘留而又可以不餘刻此玻璃基板與含矽層。 稭著使用依據本發明的一蝕刻溶液，一傳導線可由一 與鉬（Μ0)的多層達成。一半導體裝置可以插於 該銅（Cu)與翻（Μο)層以及基板之間。此半導體裝置可 乂、、、1由反覆的曝光顯影（photolithographic)程序與沈 ，程序來製造。以—用於—液晶顯示（LCD)裝置或是 一電漿顯示面板（PDp)的一顯示裝置的半導體裝置為 例 電介質層與一包含無晶矽層或一多晶矽層的半導體 層了以藉著一化學喷霧沈積（chemicai vapor dep〇slti〇n，CVD)設備予以沈積，而一傳導層可以藉著 一賤鍍（sputter )設備予以沈積。藉著使用依據本發明
1231275 五、發明說明（14) 的一姓刻溶液’一銅（Cu )與鉬（Mo )的多層可以形成此 液晶顯示裝置的一閘極線與一包含一薄膜電晶體（T F T )的源極與沒極電極的資料線。因此，此液晶顯示裝置 的R C訊號延遲可以降到最低，而此液晶顯示裝置的尺寸 也可以放大。 A到3 F圖係展示，依據本發明的 第 多層的餘刻過程的橫截面概要圖 如第3Α圖所示，一鉬（Μ〇)層1 2與一銅（Cu)層 1 4係先後形成於一基板1 〇上。此鉬（M〇 )層1 2與此 _ (p、u )層1 4共同組成一銅（cu)與(M〇)的多層 2 Q:,。，'錮？ (^M〇 )層χ 2夏有一厚度在大約5 〇又到大約 2 0 ，此銅（c^t>l 4可有一厚度在大約
^ 5 ^ 2 0 。雖未圖示於第3A X由反覆的一^/顯影（ph〇t〇Hthographic)程序與一 沈積程序形成在此基板丄〇與此鉬（肋）層12之間。此 薄膜電晶體包含一閘極電極、一閘極絕緣層、一活性層、 I姆接觸層、一源極電極、與一汲極電極。一金屬材料 可以用作此閘極電極、源極電極、與汲極電極。一無 料像是氮化石夕（S i N )盘ϋ # f e · η、-r …、 維綾展 二)與乳化石夕(S^ )可以用做此閘極 m、’曰，、、屯…、日日矽或純多晶矽可以用作此活性層。摻有雜 =的無W或摻有雜質多Μ可以用做此歐姆接觸芦= ==在每次曝光顯影（photolithographic)裎 序與沈積程序之前與之後，或兩者之-的時候進行。&
1231275 五、發明說明（15) 如弟3B圖所示一来阳么/ ^ Λ λ , , m 九阻層1 6係形成在該銅（Cu ) 層14上。光阻層型式可以是一 或一負型（negative type) 。 i (PQSltlVe tyPe) 夹盘ίϊ3::所不’將該光阻層16 (見第3BKI)曝 二5付到一光阻圖· 1 6a。雖未圖示於第3 C :料ίίT沈積在該光阻層1 6 (見第3 B圖）上，然 1 ^ 6 (見第3 Β圖）是透過此遮罩加以照射。 T = m，、/^SltlVe tyPe )光阻，該光阻層1 6 (見第 3 B圖）·被暴露的部份會被顯影除去，若是負型 、二negative type )光阻，該光阻層16 (見第3B圖） 才μ路的邛伤會在顯影後被保留。其他步驟像是灰化 (ashin^g )與退火（anneai ing )可以進一步進行。 a如第3D圖所示，該銅（（：11)層14 (見第36圖） 疋用蝕刻/容液蝕刻以形成一銅（Cu )圖案1 4 a。此蝕 刻溶液可以包含重量佔大約1 0 %的過氧化氫，重量佔大 約2%的有機酸，重量佔大約1%的磷酸鹽，重量佔大約 0· 5%的含氮的第一添加物，重量佔大約〇· 5%的含氮 的第二添加物，重量佔大約〇 · 〇 5 %的氟化合物，與重 量佔大約8 5· 9 5%的去離子水。 如第3E圖所示，讀鉬（Mo)層12 (見第3b圖） 接下來用相同的蝕刻溶液蝕刻形成一鉬（M〇 )圖案 12a。該銅（Cu)層14 (見第3B圖）與該鉬（Mo) 層1 2 (見第3 B圖）可用一浸鑛（dipping)方法或一 噴鍍（spray )方法加以蝕刻。一蝕刻溫度可依製程的條
第26頁 1231275 五、發明說明（16) 件來決定。例如，該銅（Cu )層1 4 (見第3 B圖）與該 钥（Mo)層1 2 (見第3B圖）可在一大約30。 c的溫 度下蝕刻。蝕刻的時間是與此蝕刻溫度有關。例如，該銅 (Cu)層14 (見第3B圖）與該鉬（Mo)層12 (見第 3 B圖）可以蝕刻大約3 〇秒到大約1 8 0秒。
如第3F圖所示，在蝕刻該銅（Cu)層1 4 (見第3 B圖）與該鉬（Mo)層12 (見第3B圖）後，剝去該光 阻圖案1 6 a (見第3 C圖）就會得到一（Cu )與鉬 (Mo)的圖案2 〇a。此銅（Cu)與錮（Mo)的圖案2 〇a 可具有一斜角（taper angle)。 使用一依據本發明的蝕刻溶液所蝕刻形成的銅（Cu ) 與錮（Mo )的圖案，可利用一掃描電子顯微鏡（SEM )來 觀察。 第4 A圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的橫截面影 像，其係顯示，用一依據本發明一實施例的蝕刻溶液，所 蝕刻形成的一銅（Cu )與鉬（Mo )的圖案，第4 B圖係一 知描電子顯微鏡（SEM)的透視影像，其係顯示，用一依 據本發明一實施例的蝕刻溶液，所蝕刻形成的一銅（Cu ) 與鉬（Mo )的圖案，而第4 C圖係一掃描電子顯微鏡 (SEM )的透視影像，其係顯示，^依據本發明一實施例 的姓刻溶液蚀刻後的一基板。聋#的蝕刻連产 (Cu)與鉬（Mo)分別是大約與大
如第4 A與4 B圖所示
與鉬（Mo )的圖 1231275 五、發明說明（17) 案有一極佳的外形與筆直性。再者，如第4 C圖所示，該 基板上也沒有觀察到有鉬（Mo )的殘留。 根據本發明具體實施的各種組成比例的钱刻溶液，钱刻 銅（Cu )與鉬（Mo )所得到的蝕刻速度彙整在第1表裡。 表1 \ 組成（重量％) (過氧化氫/有機酸/磷酸鹽/第 一添加物/第二添力D物/氟化合物) 蝕刻速度（A/sec) 銅的單層 銅與鉬β 勺多層 銅 鉬 No. 1 10/2/1/0.5/0.5/0.05 40 〜60 40 〜60 6〜8 No. 2 10/5/1/0.5/0.5/0.1 60-90 60 〜90 5〜8 No. 3 5/0.5/0.2/0.2/0.2/0.01 20 〜40 20 〜40 4〜6 No. 4 10/1/1/0.5/0.2/0.01 40 〜60 40 〜60 6〜8 No. 5 12/2/2/0.5/1/0.1 50 〜80 50 〜80 6〜8 No. 6 12/2/5/1/1/0.1 70-90 70 〜90 6〜8 No. 7 15/2/1/0.5/1/0.1 60 〜90 60 〜90 9〜12 No. 8 15/2/2/5/2/0.1 40 〜60 40 〜60 9〜12 No. 9 15/2/2/1/5/0.1 70-100 70-100 8〜11 No. 10 17/2/1/0.5/1/0.2 60 〜90 60 〜90 8-11 No. 11 17/2/2/0.5/0.5/0.1 60 〜90 60 〜90 9〜11 No. 12 20/2/1/2/1/0.1 90 〜110 90〜110 10 〜12 No. 13 20/5/5/5/5/0.2 80〜120 80〜120 12 〜15 No. 14 25/2/1/0.5/1/0.1 100〜120 100〜120 10 〜12 No. 15 25/1/1/0.5/0.1/0.1 90 〜110 90 〜110 9〜11 No. 16 25/2/2/2/2/0.1 90 〜110 90 〜110 10 〜12 No. 17 25/2/1/0.5/1/0.5 100〜120 100〜120 10 〜12 No. 18 25/2/1/0.5/1/1 1〇〇-m 100-120 11 〜14 No. 19 30/1/0.5/0.5/0.5/0.1 1〇〇邊摩 知0〜120 10 〜12
如第1表所示，蝕刻速度是由過氧化量與含氮 的第一添加物來決定的。因為第1表所示的^^^種組合都可 達到足夠的蝕刻速度，具有這些組合的蝕刻溶液都可以用
第28頁 1231275 五、發明說明（18) 在銅（^ )與鉬（Mo )的多層的蝕刻程序υ 弟1表所示的各種成份的份量。過氢彳μ知/ 心）與翻（Mo)的主要成份。如果c刻銅 間會拉的太長。因此，使用一含有重；理的時 間與一絕佳的外形。 連幻降低的處理時 有機酸係控制一姓刻溶液的H值。 右撬缺八丁 2；丨， 划禾触刻溶液的 有機I佔不到大約0 · 5 %的重量，有機酸的份量太少， 無法控制此蝕刻溶液的pH值，使其保持最佳的PH值從大約 0 · 5到大約4 · 5之間。因此，使用一含有重量佔大約 0 · 5 %到大約5 %的有機酸的餘刻溶液，可以保持一最佳 的pH值從大約〇 · 5到大約4 · 5之間。 鱗酸鹽係降低銅（Cu )與鉬（Mo )間的電氣反應，以 避免一底切（undercut )現象的發生。如果蝕刻溶液的磷 酸鹽佔不到大約〇· 2 %的重量，底切（undercut)就可 能發生。因此，使用一含有重量佔大約〇 · 2 %到大約5 % 的碌酸鹽的蝕刻溶液，可以得到一絕佳的斜角外形 (taper profile) 〇 含氮的第一添加物係控制蝕刻速度與降低最小線寬損 失（CD Loss)。製程範圍是由最小線寬損失（CD Loss) 來決定的，而電氣訊號的傳輸也和最小線寬損失（CD Loss )有關。尤其，如果一薄膜電晶體液晶顯示（T F T —LCD)裝置使用一由銅（Cu)與鉬（Mo)多層製成的
第29頁 1231275 五、發明說明（19) f導線，要將此裝置製造成—大面板尺寸與高亮度，沒有 ^間延遲與干擾的電氣訊號傳輪*—主要課題。再者，隨 ^最小線寬損失（CD Loss )的升高，在後續程序裡筆直 性降低與退步的機率也會提高。如果—㈣溶液 添 ΤΓί不到Λ10.2%的重量，一圖案的最小線寬損失 (CD Loss)會超過5 %，以致無法獲得一絕佳 Γ = 有重量佔大約〇.2%到大約5%的含氣的 結物的㈣溶液，可以得到—降低的最小線寬損失 (CD Loss)，與一絕佳的斜角外形（taper pr〇fUe)。 含虱的第二添加物係延長一蝕刻溶液的存放時間，並 f-蝕刻溶液使用多次後，仍維持其一不變的蝕刻特性。 二J來說’因為過氧化氫的一自我分解反應，要長期存放 合3有過氧化氫的溶液是有困難的。再者，銅（Cu)離子 二形成一鈍化層。此鈍化層會被氧化成黑色，而一蝕刻溶 法蝕刻此被氧化的銅（Cu)離子鈍化層。此第二添加 ^藉著降低過氧化氮㈣我分解來延長一蚀刻溶液的存 ^時間，並經由螯合（chelati〇n)反應降低銅（Cu)離 _的活性，以避免一鈍化層的形成。如果一蝕刻溶液的第 ^添加物佔不到大約〇. 2%的重量，一鈍化層會在蝕 、、备、彳j如.大約5 〇 〇片基板後形成，以致此餘刻溶液無 〇達到足夠的使用率。因此，使用一含有重量佔大約 • 2 %到大約5 %的第二添加物的蝕刻溶液，可以達到夠 長的存放時間與足夠的使用率。 —氣化合物會移除產生於具有pH值在大約〇 . 5到大
1231275 五、發明說明（20) 約4 · 5間的触刻溶液裡的鉬（M〇 )殘留。此鉬（M〇 )殘 留會造成傳導線的一短路現象與退化，進而降低亮度。如 果一蚀刻溶液的氟化合物佔不到大約〇 · 〇 1 %的重量， 鉬（Mo )殘留會如第2 C圖所示的繼續存在。因此，使用 一含有重里佔大約0· 0 到大約1%的氟化合物的蝕 刻溶液，可以避免鉬（Mo )殘留而又不會損害各含矽層。 第5 A圖係一概要平面圖，其係展示，使用依據本發 明的一實施例的蝕刻溶液，為液晶顯示裝置製造出的一陣 列基板，第5 B圖係一沿著第5 A圖v B — v B線的橫截 面圖。 如第5 A與5 B 極1 1 2係形成於一 緩衝層可以形成在此 而一清洗程序可以在 1 4係形
極絕緣層1 1 1 2 上。 1 2 〇係形成於覆蓋1 1 4 上， 觸層1 2 2 由像是 圖所示， 基板1 0 基板1 0 形成此閘 成於此閘 無晶碎的 此閘極電 摻有雜質 係形成於此活性 一資料線1 3 0 4上，而 成於該歐 線1 1 0 3 2與汲極電極 、絕緣層1 1 1 3 4係形 穿越該閘極 極 與一儲存 一源極電 姆接觸層 以定義出1 3 4係 0上。 0與此 極線1 極線1 半導體 極1 1 的半導 層1 2 電極1 極1 3 12 2 一像素 彼此相 線1 1 0與一閘極電 一由絕緣 閘極線1 1 0之前 1 0與此 材料製成 2的閘極 體材料製 〇上。 3 6係形 2與一沒 上。此資 區域p， 隔。此儲 材料製成合 1 0之間， 進行。一爲 閘極電極 的活性層 絕緣層 成的歐姆去 成於該閘本 極電極 料線1 3 ( 而此源極^ 存電極
1231275 五、發明說明（21) 1 3 6與§亥閘極線1 1 0的一部份重疊以構成一儲存電容 器CST。使用一含有過氧化氫、有機酸、磷酸鹽、一第一 添加物、一第二添加物、一氟化合物、與去離1子水的蝕刻 溶液，此資料線1 3 0、源極電極丄3 2、汲極電極 134、與儲存電極136，可以同時由一銅（Cu)與鉬 (Mo )的多層形成。換言之，此資料線丄3 ◦包含一資料 钥（Mo)層1 3 〇a與-資料銅（Cu)層工3 〇b，此源極 電極1 3 2包含一源極鉬（Mo)層丄3 2a與一源極銅 (Cu)層1 3 2b，此沒極電極1 3 4包含一汲極鉬 (Mo)層1 3 43與-没極銅（Cu)層丄3 4b，而此儲存 電極1 3 6包含-儲存翻（Mg)層i 3 6讀—儲存銅 (Cu )層1 3 6 b。此資料線丄3 〇、源極電極工3 2、 没極電極1 3 4、與儲存電極丄3 6都有—斜角外形 = 與一相當少量的蝕刻後的銦（Mo)殘 留因而改善了一液晶顯示裝置的特性。 料绩1 絕緣材料製成的鈍化層1 3 8，係形成於該資 2 fi〇:源極電極"2、汲極電極"4、與儲存 1 q ? 而一像素電極1 4 〇係形成於此鈍化層 與儲存電極Πί電極14 〇係連接於該汲極電極1 3 4 =5Α與5Β圖所示，在此實施例中，僅有該資料 極1 極電極132、没極電極1 34、與儲存電 可以理魅沾β 一銅（Cu)與鉬（M0)的多層形成。然而’ 解的疋，該閉極線1 1 ϋ與閘極電極1 1 2也可以 第32頁 1231275 五、發明說明（22) 由一銅（Cu)與鉬（Mo)的多層形成。再者，如第5A與 5 B圖所示，在此實施例中，一銅（Cu )與鉬（M〇 )的雙 層是用於該資料線1 3 〇、源極電極1 3 2、汲極電極 1 34、與儲存電極1 36。可以進一步理解的是，也可 以使用一更多層的銅（Cu)與鉬（Mo)的多層。一銅 (Cu )層與一鉬（M〇 )層可以使用一濺鍍設備 (sputter)用一物理喷霧沈積（physical vapor deposition, PVD)方法形成。此外，一依據本發明的一 蝕刻溶液也可用於蝕刻一銅（Cu )單層。 總而言之，一蝕刻溶液與一使用此依據本發明的蝕刻 溶液的方法有下列數個優點。 蝕刻速度可以輕易地控制，具有一大約3 〇。到6 〇 的斜角（taper angle)的一絕佳斜角外形（taper prof ile )，以及傳導線的一絕佳的筆直性，這些優點都 可以達到。此外，此依據本發明的蝕刻溶液，即使已經使 用多次，仍能保持一不變的蝕刻特性像是蝕刻速度等。此 钱刻溶液還可長時間存放，而其餘刻特性不會改變。再 者，由於產生於一具有pH值在大約〇 . 5到大約4 . 5間的 蝕刻溶液裡的鉬（Mo)殘留不會繼續存在，電氣短路與線 瑕疵都可以避免。因此，一液晶顯示裝置的亮度會有所改 善—f而，一具有大尺寸與一高亮度的液晶顯示裝置，可 以藉由使用一依據本發明的蝕刻溶液蝕刻一銅（Cu )與鉬 (Mo )的多層來達成。 ’ 對熟習此技術的人士，很顯然各種修改與變化可以施 1231275 五、發明說明（23) 於基於本發明的有機電致發光裝置與製造方法，而不偏離 本發明的精神或範圍。因此，可以預期的，本發明的修改 與變化若是符合所附申請專利範圍與其等義的界定範圍 内，均為本發明所涵蓋。 %
第34頁 1231275 圖式簡單說明 此等被納入用以提供本發明的進一步瞭解及被合併而 構成此申請案一部分的附圖，係例示本發明的實施例，以 及連同其說明，係用以解釋本發明的原理。附圖包括： 第1 A圖係一掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM)的透視影像，其係顯示，用一含有磷 酸、硝酸、與乙酸的蝕刻溶液，所蝕刻形成的一銅（Cu ) 與鉬（Mo)的圖案。 第1 B圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的透視影像， 其係顯示，用一含有氯化鐵（ΙΠ )六元氫化物（ir〇n chloride hexa-hydride)與氫氟酸（hydr〇flu〇ric ac i d )的钕刻溶液，所#刻形成的一銅（cu )與鉬（M〇 ) 的圖案。 第2 A圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的橫截面影 像，其係顯示，用一含有過氧化氫的蝕刻溶液，所蝕刻形 成的一銅（Cu)與鉬（Mo)的圖案。 第2 B圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的透視影像， 其係顯示’用一含有有過氧化氫的姓刻溶液，所钱刻形成 的一銅（Cu)與鉬（Mo)的圖案。 第2 C圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的透視影像， 其係顯示’用一含有有過氧化氳的蝕刻溶液蝕刻後的一美 板。 土 第3 A到3 F圖係展示，依據本發明的一實施例，_ 多層的蝕刻過程的橫截面概要圖。 第4 A圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的橫截面影 1231275 圖式簡單說明 像，其係顯 所蝕刻形成 第4 B 其係顯示， 刻形成的一 第4 C 其係顯示， 的一基板。 第5 A 發明的一實 陣列基板。 第5 B圖係一沿著第5 A圖V B — V B線的橫截 不’使用一^佑姑丄 又骒本發明一實施例的蝕刻溶液， 的^、5 *Cu )與鉬（Mo )的圖案。 圖係一知插電子顯微鏡（SEM )的透視影像， 使用一依據本發明一實施例的蝕刻溶液，所蝕 銅（Cu )與鉬（Mo )的圖案。 圖係一掃描電子顯微鏡（SEM )的透視影像， 使用一依據本發明一實施例的蝕刻溶液蝕刻後 圖係一概要平面圖，其係展示，使用一依據本 施例的蝕刻溶液，為一液晶顯示裝置製造出的 面 圖 【元件符號說明】 1 0 基板 12 鉬（Mo )層 1 2a 鉬（Mo )圖案 1 4 銅（Cu )層 1 4a 銅（Cu )圖案 16 光阻層 1 6a 光阻圖案 20 銅（Cu)與鉬（Mo)的多層 2 0a 銅（Cu )與鉬（Mo )的圖案
第36頁 1231275 圖式簡單說明 1 0 0 基板 1 1 0 閘極線 1 1 2 閘極電極 1 1 4 閘極絕緣層 1 2 0 活性層 1 2 2 歐姆接觸層 1 3 0 資料線 1 3 0 a 資料鉬（Mo ) 層 1 3 Ob 資料銅（Cu ) 層 1 3 2 源極電極 1 3 2 a 源極IS ( Μ 〇 ) 層 1 3 2b 源極銅（Cu ) 層 1 3 4 汲極電極 1 3 4 a 汲極錮（ Mo ) 層 1 3 4b 沒極銅（C u ) 層 1 3 6 儲存電極 1 3 6 a 儲存鉑（Mo ) 層 1 3 6b 儲存銅（Cu ) 層 1 3 8 鈍化層 1 4 0 像素電極 c< ST 儲存電容器 P 像素區域
第37頁

Claims (1)

1231275 六、申請專利範圍 一種用於一銅與鉬的多層的蝕刻溶液，包含·· 重量佔大約5 %到大約3 〇 %的過氧化氫； 一重量佔大約Ο 一重量佔大約ο 一重量佔大約0 一重量佔大約0 重量佔大約0 · 5 %到大約5 %的有機酸； 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 2 %到大約5 %的含氮的第一添加物； 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物； 〇 1 %到大約1 · 〇 %的氟化合物；再加 上去離子水而將此蝕刻溶液完成到J 〇 〇 %的總重量。 2 ·如申請專利範圍第1項的蝕刻溶液，其中，該有機酸可 溶於水。 3·如申請專利範圍第2項的蝕刻溶液，其中，該有機酸係 由乙酸（acetic acid )、丁酸（butanoic acid )、擰檬 酸（citric acid)、甲酸（formic acid)、葡萄糠酸 (gluconic acid)、乙醇酸（giyc〇iic acid)、丙二酸 (malonic acid)、草酸（〇xaiic acid)、與戊酸 (pentanoic acid )所組成的一集合中所選出者。 4·如申請專利範圍第1項的蝕刻溶液，其中，該磷酸鹽係 將磷酸的至少一個氫用鹼金屬與鹼土金屬之一取代而得的 一種鹽。 5·如申請專利範圍第4項的蝕刻溶液，其中，該磷酸鹽係 由構酸二氫納（s〇dium dihydrogen phosphate)與磷酸 二氫卸（potassium dihydrogen phosphate)所組成的一 集合中所選出者。 6 ·如申請專利範圍第1項的蝕刻溶液，其中，該第一添加
第38頁 1231275 六、申請專利範圍 物係一可溶於水的環胺化合物（Cy c 1 i c am i ne compound ) 〇 7·如申請專利範圍第6項的蝕刻溶液，其中，該第一添加 物係由胺基四0坐（aminotetrazole) 、u米口坐 (imidazole)、叫。篆（indole)、目票吟（Purine)、唾 (Pyrazole)、咬（Pyridine)、喊唆（Pyrimidine)、 比洛（pyrrole) 、π各唆（pyrrolidine) 、口各 (pyrrol ine )所組成的一集合中所選出者。 8·如申請專利範圍第1項的蝕刻溶液，其中，該第二添加 物係一可溶於水、包含氨基群（amino group)與幾基群 (carboxyl group )之一的化合物 〇 9 ·如申請專利範圍第8項的蝕刻溶液，其中，該第二添加 物係由丙胺酸（alanine)、氨基丁酸（aminobutyric acid)、麩胺酸（glutamic acid)、甘胺酸 (g 1 y c i n e )、亞氨二乙酸（i m i η 〇 d i a c e t i c a c i d )、三 甘胺酸（nitrilotriacetic acid)、肌氨酸 (sarcos ine )、以及它們的衍生物所組成的一集合中所 選出者。 I 0 ·如申請專利範圍第1項的蝕刻溶液，其中，該氟化合 物係一可在此蝕刻溶液中被分解為氟離子與複合氟離子 (ployatomic fluoric ion)之一的化合物。 II ·如申請專利範圍第1 0項的蝕刻溶液，其中，該氟化合 物係由氟化銨（ammonium fluoride)、氟化納（sodium fluoride)、氟化卸（potassium fluoride)、氟化氫銨
第39頁 1231275 六、申請專利範圍 (ammonium bifluoride ) 、IL 化氫鈉(sodium bifluoride)、以及氟化氫卸（potassium bifluoride) 的一集合中所選出者。 1 2 ·如申請專利範圍第1項的儀刻溶液，其中，該多層係 一鉬層在下與一銅層在上的一雙層。 13· —種用於钱刻一銅與翻的多層的方法，包含下列步 形成此銅與錮的多層於一基板上； 在此多層上形成一光阻圖案； 餘刻容液触刻此光阻圖案，此餘刻溶液包含 然後使用 一重量佔大約5 %到大約3 0 %的過氧化氫 一重量佔大約〇 · 5 %到大約5 %的有機酸； 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 2 %到大約5 %的含氮的第一添加物； 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物； 0 1 %到大約1 · 〇 %的氟化合物；再 上去離子水而將此蝕刻溶液完成到i 〇 〇 %的總重量。 14.Λ中請專利範圍第13項的方法，其中，該多層係-麵層在下與一銅層在上的一雙層。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項的方法 要比該下方鉬層為厚。 16·如申請專利範圍第1 3項的方法 用於一液晶顯示裝置的玻璃基板。 1 7·如申請專利範圍第1 3項的方法
一重量佔大約〇 一重量佔大約〇 一重量佔大約0 一重量佔大約0 其中，該上方銅層 其中，該基板係 其中，該多層係月
1231275 六、申請專利範圍 於一液晶顯示裝置的一資料線。 18. —種用於蝕刻一銅與鉬的多層的合成物，包含： 一重量佔大約5 %到大約3 0 %的過氧化氫； 一重量佔大約0 . 5 %到大約5 %的有機酸； 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 2 %到大約5 %的含氮的第一添加物； 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物； 0 1 %到大約1 . 0 %的氟化合物；以及 重量佔大約4 5 %到大約9 3 . 8 9 %的去離子水。 19. 如申請專利範圍第18項的合成物，其中，該有機酸控 制此合成物的一 ρ Η值。 2 0.如申請專利範圍第1 8項的合成物，其中 低銅與鉬之間的一電氣效應。 21.如申請專利範圍第1 8項的合成物，其中 物控制此合成物的一餘刻速度。 2 2.如申請專利範圍第1 8項的合成物，其中 物降低該過氧化致的自我分解反應。 2 3.如申請專利範圍第18項的合成物 物降低銅與鉬離子的活性。 2 4.如申請專利範圍第1 8項的合成物 除鉬的殘留。 2 5. —種製造一用於一液晶顯示裝置的陣列基板的方法， 包含下列步驟： 在一基板上形成一閘極電極與一閘極線； 重量佔大約ο 重量佔大約ο 重量佔大約0 重量佔大約0 該磷酸鹽降 該第一添加 該第二添加 其中，該第 其中，該氟化物移 I»
第41頁 1231275
在此閉極電極與閘極線上形成一第一絕緣層； 在此弟一絕緣層上形成一半導體層，· 在此半導體層上形成源極盥汲炻雷 τ從，、及極電極，以及一穿越 的資料線’此源極與沒極雷搞在处 '、 一 /、双徑冤極係彼此相隔，此源極電極係 連接於此資料線，此閘極線與資料線共同定義出一像素區 域，其中，此閘極線與資料線至少兩者之一係一銅與鉬的 多層’此多層的蝕刻係使用一蝕刻溶液來進行，此蝕刻溶 液包含： 一重量佔大約5 %到大約3 0 %的過氧化氳； 一重量佔大約〇· 5%到大約5%的有機酸； 一重量佔大約〇· 2 %到大約5 %的磷酸鹽； 一重量佔大約〇· 2 %到大約5 %的含氮的第一添加物； 一重量佔大約〇· 2 %到大約5 %的含氮的第二添加物； —重量佔大約〇· 〇 1%到大約1· 〇%的氟化合物；再加 上去離子水而將此蝕刻溶液完成到1 〇 〇 %的總重量。 26·如申請專利範圍第2 5項的方法，其中，該多層係一 麵層在下與一銅層在上的一雙層。 27·如申請專利範圍第26項的方法，其中，該上方銅層要 比該下方鉬層為厚。
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