JP5794148B2 - エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5794148B2
JP5794148B2 JP2011547653A JP2011547653A JP5794148B2 JP 5794148 B2 JP5794148 B2 JP 5794148B2 JP 2011547653 A JP2011547653 A JP 2011547653A JP 2011547653 A JP2011547653 A JP 2011547653A JP 5794148 B2 JP5794148 B2 JP 5794148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
semiconductor device
layer
acid
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011547653A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2011078335A1 (ja
Inventor
彰良 細見
彰良 細見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP2011547653A priority Critical patent/JP5794148B2/ja
Publication of JPWO2011078335A1 publication Critical patent/JPWO2011078335A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5794148B2 publication Critical patent/JP5794148B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0231—Manufacturing methods of the redistribution layers
    • H01L2224/02311—Additive methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0346—Plating
    • H01L2224/03462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/036—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/0361—Physical or chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/039—Methods of manufacturing bonding areas involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/0391—Forming a passivation layer after forming the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/039—Methods of manufacturing bonding areas involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/03912—Methods of manufacturing bonding areas involving a specific sequence of method steps the bump being used as a mask for patterning the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05541—Structure
    • H01L2224/05548—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1146—Plating
    • H01L2224/11462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/11848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H01L2224/11849—Reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/119—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/1191—Forming a passivation layer after forming the bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075—Plural core members
    • H01L2224/1308—Plural core members being stacked
    • H01L2224/13082—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13155—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13164—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

本発明は、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられ、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングできるエッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化の要請に伴い、当該機器に用いられる半導体装置の小型化や、高集積化及び多機能化が進んでおり、半導体装置と電子機器とを接続する電極が増加する傾向にある。ここで用いられる半導体装置としては、アルミニウムなどにより形成された半導体パッドの上に再配線し、バンプ電極を設けたものが多用されている。上記したような半導体装置の小型化、及び電極数の増加に同時に対応するため、様々なバンプ電極の形成方法が提案されている（例えば、特許文献１及び２）。
これらのバンプ電極の形成方法においては、半導体パッド（以下、単に電極ともいう。）の上に設ける配線のエッチング工程が存在し、配線に用いられるニッケルをエッチングしないで、銅をエッチングしなければならない場合がある。
より具体的には、特許文献１で開示されるバンプ電極の形成方法は、導電性材料で構成される電極が設けられた基板上に、該電極部分を開口させたカバー膜を設け、さらに銅などをスパッタして形成した下地導電膜、該電極から対応するバンプ電極を形成する箇所まで延在する開口部を有するフォトレジスト膜、及び該開口部に電解めっきにより銅配線ならびにニッケル配線を順次設けた後、フォトレジスト膜を除去し、当該下地導電膜のうち配線で覆われていない部分をエッチングするという、エッチングの工程を有する。当該エッチングの工程で下地導電膜を形成する銅をエッチングする際、より高い性能を確保するためには、電解めっきにより形成したニッケル配線をエッチングしないことが望ましい。
また、特許文献２で開示されるバンプ電極の形成方法は、アルミ電極が設けられた半導体基板上に、チタンや銅によりシード層をスパッタで形成し、バンプ電極を形成する部分を開口したレジストを形成し、該開口した箇所にチタン、銅、ニッケルなどの複数の金属を積層してなるバリアメタル層を電解めっきなどにより形成し、さらにその上にバンプ電極となるはんだを電解めっきで形成した後、該レジストを除去してから、該シード層をエッチングするエッチング工程を有する。当該エッチングの工程でシード層を形成するチタンや銅をエッチングする際、より高い性能を確保するためには、バリアメタル層を形成するニッケルなどの金属をエッチングしないことと同時に、はんだからなるバンプ電極のエッチング液による酸化を防ぐことで、該電極の性能の低減を抑制することが望ましい。
しかし、特許文献１や特許文献２のエッチング工程では、該工程で用いられるエッチング液についての検討が十分に行われておらず、銅からなる配線などの部材をエッチングする際に、ニッケルからなる部材までもエッチングしてしまい、またバンプ電極は酸化されて、その性能が低減することが十分に予想される。上記したように、半導体装置の小型化や、高集積化及び多機能化が進むにつれて、半導体装置を使用する顧客の要求性能が厳しくなってくると、これまでの半導体装置の製造方法で製造された半導体装置では、当該要求性能に十分に満足することができない場合が生じる傾向が顕著となっていた。
特開平１１−１９５６６５号公報 特開２００５−１７５１２８号公報
本発明のバンプ電極を有する半導体装置の製造方法Ａを説明するための、該半導体装置の工程毎の断面模式図（図Ａ（ａ）〜（ｇ））である。 本発明のバンプ電極を有する半導体装置の製造方法Ａを説明するための、該半導体装置の工程毎の断面模式図（図Ａ（ｈ）〜（ｌ））である。 本発明のバンプ電極を有する半導体装置の製造方法Ｂを説明するための、該半導体装置の工程毎の断面模式図（図Ｂ（ａ）〜（ｈ））である。 本発明のバンプ電極を有する半導体装置の製造方法Ｂを説明するための、該半導体装置の工程毎の断面模式図（図Ｂ（ｉ）〜（ｐ））である。
１０１，２０１．シリコン基板
１０２，２０２．電極
１０３，２０３．絶縁膜
１０４，２０４．開口部
１０５，２０５．チタン層
１０６，２０６．銅層
１０７．フォトレジスト
１０８，２０８．開口部
１０９．ニッケル層
１１０，２１３．はんだ層
１１１．バンプ電極
１１２．凹み部
１１４，２１４．絶縁膜
１１６．銅層の残渣
２０７．フォトレジスト（Ｉ）
２０９．ニッケル層
２１０．フォトレジスト（ＩＩ）
２１１．開口部
２１２．ニッケル層
２１５．凸面状はんだ層
２１６．凹み部
本発明は、このような状況下になされたもので、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられ、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングでき、かつバンプ電極の性能低下を防止しうるエッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、過酸化水素と有機酸と有機ホスホン酸とを特定の組成で含有し、該有機酸を特定のヒドロキシ酸であるクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種とするエッチング液を用いることにより、当該課題を解決できることを見出した。すなわち本発明は、以下の電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられ、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングでき、かつバンプ電極の性能低下を防止しうるエッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供するものである。
［１］過酸化水素と有機酸と有機ホスホン酸とを含み、有機酸がクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種であり、過酸化水素の含有量が０．７５〜１２質量％であり、有機酸の含有量が０．７５〜２５質量％であり、かつ有機ホスホン酸の含有量が０．０００５〜１質量％である、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられるエッチング液。
［２］過酸化水素の含有量が１．５〜１２質量％であり、有機酸の含有量が１．５〜２０質量％であり、有機ホスホン酸の含有量が０．００１〜０．２５質量％である、上記１に記載のエッチング液。
［３］過酸化水素の含有量が１．５〜５質量％であり、有機酸の含有量が１．５〜１０質量％であり、有機ホスホン酸の含有量が０．０１〜０．１５質量％である、上記１に記載のエッチング液。
［４］有機ホスホン酸が、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸から選ばれる少なくとも一種である上記１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
［５］半導体装置がはんだにより形成されたバンプ電極を有する上記１〜４のいずれかに記載のエッチング液。
［６］半導体装置が銅を用いて形成される配線を有する上記１〜５のいずれかに記載のエッチング液。
［７］上記１〜６のいずれかに記載のエッチング液を用いるエッチング工程を有する半導体装置の製造方法。
［８］半導体装置がはんだにより形成されたバンプ電極を有するものである上記７に記載の半導体装置の製造方法。
［９］電極を有する半導体基板の該電極上に配線を形成する再配線形成工程を有する上記７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
［１０］半導体装置が銅を用いて形成される配線を有する請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
本発明によれば、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造工程で用いられ、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングでき、かつバンプ電極の性能低下を防止しうるエッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
［エッチング液］
本発明のエッチング液は、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造工程における、エッチング工程で用いられ、過酸化水素と有機酸と有機ホスホン酸とを特定の含有量で含み、該有機酸を特定のヒドロキシ酸であるクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種とする液である。
有機ホスホン酸としては、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、３，３´−ジアミノジプロピルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、トリ（２−アミノエチル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、トリ（３−アミノプロピル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）、ペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンテトラミンオクタ（メチレンホスホン酸）、アミノメチルホスホン酸、及びヒドロキシエチリデンジホスホン酸などが好ましく挙げられる。これらの化合物の有するホスホノメチル基の一部分が水素原子やメチル基などの他の基に置換されたものであってもよい。また、これらのホスホン酸系化合物のホスホン酸基は、遊離の酸でなく、例えばアンモニウム塩のような塩であっても同様に用いることができる。
これらのうち、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸がより好ましく、これらから選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
本発明のエッチング液において、過酸化水素の含有量は、０．７５〜１２質量％であることを要する。過酸化水素の含有量が０．７５質量％未満であると、適度なエッチング速度を得ることができず、１２質量％よりも多いと過酸化水素の管理が困難となり、過酸化水素の濃度が安定しない。また、過酸化水素の管理が容易で、過酸化水素の濃度が安定し、また適度なエッチング速度と良好なエッチング性能を得る観点から、過酸化水素の含有量は、１．５〜１２質量％が好ましく、１．５〜５質量％がより好ましい。
特定のヒドロキシ酸であるクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種である有機酸の含有量は、０．７５〜２５質量％であることを要する。有機酸の含有量が０．７５質量％未満あるいは２５質量％よりも多いと、適度なエッチング速度とエッチング性能が得られない。また、適度なエッチング速度とエッチング性能を得る観点からは、有機酸の含有量は１．５〜２０質量％が好ましく、１．５〜１０質量％がより好ましい。有機酸の含有量が上記範囲内であれば、適度なエッチング速度と良好なエッチング性能が得られる。ここで、有機酸がクエン酸とリンゴ酸とを併用したものである場合、クエン酸とリンゴ酸との含有量の総量が有機酸の含有量である。
また、有機ホスホン酸の含有量は、０．０００５〜１質量％であることを要する。有機ホスホン酸の含有量が０．０００５質量％未満であると、バンプ電極のエッチング液による酸化を防ぐことができず、該電極の性能の低減を抑制することができず、１質量％よりも多いとＮｉがエッチングされてしまう。また、バンプ電極の酸化を抑制し、電極性能の低減を抑制する観点から、有機ホスホン酸の含有量は、０．００１〜０．２５質量％が好ましく、０．０１〜０．１５質量％がより好ましい。有機ホスホン酸の含有量が上記範囲内であれば、この抑制効果は、特にバンプ電極がはんだから形成される場合に顕著である。
本発明のエッチング液は、過酸化水素、有機酸、及び有機ホスホン酸以外の成分として、好ましくは水を含む。水としては、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーティクル粒子などが除去されたものが好ましく、特に純水、超純水が好ましい。
本発明のエッチング液は、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングするという特徴を有する。よって、本発明のエッチング液は、半導体装置のなかでも特にニッケルと銅が用いられ、ニッケルをエッチングせずに選択的に銅をエッチングする必要がある半導体装置の製造工程におけるエッチング工程に好適に用いられる。
また、本発明のエッチング液は、バンプ電極の酸化を防ぐことで、該電極の性能の低減を抑制し、この効果は該電極がはんだから形成される場合に顕著であるという特徴をも有する。よって、本発明のエッチング液は、バンプ電極を有する半導体装置の製造工程におけるエッチング工程に好ましく用いられ、特に該バンプ電極がはんだにより形成される半導体の製造工程におけるエッチング工程に好ましく用いられる。
［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のエッチング液を用いるエッチング工程を有し、該半導体装置がバンプ電極を有していることが好ましい。また、当該エッチング工程は、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングしうる本発明のエッチング液の特徴を有効に活用する観点から、ニッケルからなる部材と銅からなる部材とが同時にエッチング液に触れうる状態であり、該銅からなる部材をエッチングすることを特徴とするものであることが好ましい。以下に、本発明の製造方法をより具体的に説明する。
《半導体装置の製造方法Ａ》
本発明の半導体装置の製造方法の第一の態様（以下、製造方法Ａという。）は、シード層形成工程Ａ１、フォトレジスト形成工程Ａ２、バリアメタル形成工程Ａ３、はんだ層形成工程Ａ４、本発明のエッチング液を用いるエッチング工程Ａ５、及びバンプ電極形成工程Ａ６を順に有するものである。本発明の製造方法Ａを、図Ａ（ａ）〜（ｌ）を用いて、詳細に説明する。
（工程Ａ１）
工程Ａ１は、電極が設けられた半導体基板上に、該電極が露出する開口部を有する絶縁膜を設け、さらに該開口部及び該絶縁膜上にシード層を形成する、シード層形成工程である。ここで、電極が設けられた半導体基板とは、図Ａ（ａ）に示されるように、例えばシリコン基板１０１の表面に、周知の製造方法により製造された半導体素子を含む電子回路が形成され、該電子回路が形成された面に、パッドと呼ばれる、例えばアルミニウムなどの導電性材料からなる電極１０２が形成されたものである。導電性材料としては、アルミニウムのほか、チタンや銅を添加したアルミニウム合金や、銅又は銅合金、金なども好ましく挙げることができる。
この電極１０２が設けられた半導体基板１０１上（該電極が形成された面）に、酸化ケイ素などからなる絶縁膜１０３が形成され、該絶縁膜１０３には、電極１０２に対応する開口部１０４が、電極１０２を露出するように形成する。
次いで、図Ａ（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、開口部１０４及び絶縁膜１０３上に、通常スパッタによりシード層を形成する。シード層を形成する金属としては、チタン、銅などが好ましく挙げられ、図Ａ（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、これらの金属による層、チタン層１０５や銅層１０６といった層を複数設けることができる。また、基板の上にはチタン層１０５を設けることが、電極１０２との密着性や半導体装置の作製管理の観点から好ましい。
（工程Ａ２）
工程Ａ２は、前記シード層の電極上に設けた箇所及びバンプ電極を形成する箇所を含む領域を開口し、該シード層を露出する開口部１０８を有するフォトレジスト１０７を形成する、フォトレジスト形成工程である。まず、図Ａ（ｄ）に示されるように、銅層１０６上にフォトレジスト１０７を形成する。次いで、該フォトレジストを露光、現像することにより、図Ａ（ｅ）に示されるように、後述するバンプ電極を形成するための開口部１０８を有するフォトレジスト１０７を形成する。
（工程Ａ３）
工程Ａ３は、前記開口部１０８内にバリアメタル層を設けるバリアメタル形成工程である。通常、工程Ａ３においては、図Ａ（ｆ）に示されるように、電解めっき処理などの方法によりニッケル層１０９が設けられ、該ニッケル層１０９、工程Ａ１で設けられたチタン層１０５及び銅層１０６をあわせて、バリアメタル層という。該バリアメタル層は、電極１０２と後述するバンプ電極１１１との間における拡散などの防止のために設けられる層であり、該バンプ電極１１１と接する面には、ニッケルあるいはニッケル合金により形成されるニッケル層１０９を設けることが好ましい。
（工程Ａ４）
工程Ａ４は、図Ａ（ｆ）に示されるように、ニッケル層１０９の上に、はんだ層１１０を設ける工程である。はんだ層１１０は、通常チタン層１０５及び銅層１０６をシード層とした電解めっき処理により形成され、この段階では通常開口部１０８からフォトレジスト１０７の表面にはみだし、きのこ型の形状を有している。該はんだ層１１０を形成する材質としては、錫、鉛やこれらの合金（錫−鉛合金）のほか、錫−銀系合金、錫−銀−銅系合金、錫−銅系合金、錫−亜鉛系合金、錫−ビスマス系合金、錫−亜鉛−ビスマス系合金などのはんだ材料が好ましく挙げられる。
（工程Ａ５）
工程Ａ５は、図Ａ（ｈ）に示されるように、フォトレジストを除去してから、さらに図Ａ（ｉ）及び（ｊ）のように、本発明のエッチング液を用いて、チタン層１０５及び銅層１０６などのシード層のうち、ニッケル層１０９あるいははんだ層１１０で覆われていない露出部分をエッチングする、エッチング工程である。本発明のエッチング液を用いることで、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングすることが可能となる。また、本製造方法のように、バンプ電極をはんだで形成し、特にはんだが錫を含む場合、本発明のエッチング液を用いることで、該電極が酸化することなく、性能が低減することがないという効果も得られる。
エッチング対象物にエッチング液を接触させる方法には特に制限はなく、例えばエッチング液を滴下やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法や、対象物をエッチング液に浸漬させる方法などを採用することができる。本発明においては、エッチング液を対象物にスプレーして接触させる方法が好ましく採用される。
エッチング液の使用温度としては、５０℃以下の温度が好ましく、より好ましくは２０〜５０℃、さらに好ましくは２０〜４０℃、特に好ましくは２５〜３５℃である。エッチング液の温度が５０℃以上になれば、エッチング速度は上昇するが、液の安定性が悪くなり、エッチング条件を一定に保つのが困難になる。エッチング液の温度を５０℃以下にすることで、エッチング液の組成変化を小さく抑え、安定性したエッチング速度を得ることができる。また、２０℃以上であれば、エッチング速度が遅くなりすぎず、生産効率が著しく低下することがない。
図Ａ（ｉ）で示されるように、本エッチング工程で銅層１０６をエッチングする際、ニッケル層１１２の側面がエッチング液に晒されることになる。このような場合に、本発明のエッチング液を用いると、図Ａ（ｌ）に示されるようなニッケル層１０９がエッチングされて凹み部１１２が形成するということがなく、銅層１０６だけを選択的にエッチングすることが可能となる。
（工程Ａ６）
工程Ａ６は、はんだ層１１０を溶融させることにより、バンプ電極１１１を得るバンプ電極形成工程である。はんだ層１１０の溶融は、基板を加熱してリフロー処理により行えばよく、該リフロー処理によりきのこ型のはんだ層１１１は、図Ａ（ｋ）に示されるように、球状を呈したバンプ電極１１１となる。
このようにして、電極を有する半導体基板から、バンプ電極を有する半導体装置を製造することができる。
《半導体装置の製造方法Ｂ》
本発明の半導体装置の製造方法の第二の態様（以下、製造方法Ｂという。）は、シード層形成工程Ｂ１、フォトレジスト（Ｉ）形成工程Ｂ２、再配線形成工程Ｂ３、フォトレジスト（ＩＩ）形成工程Ｂ４、バンプ電極形成工程Ｂ５、本発明のエッチング液を用いるエッチング工程Ｂ６を順に有するものである。本発明の製造方法Ｂを、図Ｂ（ａ）〜（ｐ）を用いて、詳細に説明する。
（工程Ｂ１）
工程Ｂ１は、電極が設けられた半導体基板上に、該電極が露出する開口部を有する絶縁膜を設け、さらに該開口部及び該絶縁膜上にシード層を形成する、シード層形成工程であり、上記工程Ａ１と同じである。
本工程により、図Ｂ（ａ）〜（ｃ）に示されるように、電極２０２が設けられた半導体基板２０１上（該電極が形成された面）に、電極２０２に対応する開口部２０４を有する絶縁膜２０３が電極２０２を露出するように形成され、該開口部２０４及び絶縁膜２０３上に、シード層としてチタン層２０５及び銅層２０６が形成される。
（工程Ｂ２）
工程Ｂ２は、前記シード層の電極上に設けた箇所及びバンプ電極を形成する箇所を含む領域を開口し、該シード層を露出する開口部２０８を有するフォトレジスト（Ｉ）２０７を形成する、フォトレジスト（Ｉ）形成工程である。まず、図Ａ（ｄ）に示されるように、銅層２０６上にフォトレジスト（Ｉ）２０７を形成する。次いで、該フォトレジストを露光、現像することにより、図Ａ（ｅ）に示されるように、シード層の電極２０２上に設けた箇所と後述するバンプ電極を形成する箇所を含む領域までをつなぐ再配線を形成するための開口部２０８を有するフォトレジスト（Ｉ）２０７を形成する。
（工程Ｂ３）
工程Ｂ３は、前記開口部２０８に配線を設けて再配線する、再配線形成工程である。この再配線形成工程により、電極２０２を有する半導体基板２０１の該電極２０２上に配線を形成する再配線の形成がなされる。配線は、銅やニッケルなどの材料が使用され、図Ｂ（ｆ）に示されるように、少なくとも銅により形成される銅層２０９を有することが好ましい。また、配線は通常銅やニッケルを電解めっき処理することにより設けられる。
（工程Ｂ４）
工程Ｂ４は、図Ｂ（ｇ）及び（ｈ）で示されるように、シード層及び配線を被覆するようにフォトレジスト（ＩＩ）２１０を形成し、さらに露光、現像することによりフォトレジスト（ＩＩ）２１０にバンプ電極を形成するための開口部２１１を形成する、フォトレジスト（ＩＩ）形成工程である。このフォトレジスト（ＩＩ）２１０は、常法により設ければよい。なお、予めフォトレジスト（Ｉ）を除去してから、フォトレジスト（ＩＩ）２１0を形成することもできる。
（工程Ｂ５）
工程Ｂ５は、図Ｂ（ｉ）及び（ｊ）に示されるように、前記フォトレジスト（ＩＩ）２１０のバンプ電極を形成する箇所に、再配線の銅層２０９が露出するように開口部２１１を設け、該開口部２１１にニッケルからなるニッケル層２１２を少なくとも一層有するバンプ電極を形成する、バンプ電極形成工程である。
バンプ電極は、上記はんだ層１１０を形成するはんだ材料のほか、金、パラジウム、ニッケル、銅などを用いて、電解めっきにより形成することができ、一層または複数層により形成することができる。例えば、図Ａ（ｊ）のように、ニッケル層２１２を設けた後に、はんだ材料からなるはんだ層２１３を設けてバンプ電極を形成することができる。本発明の製造方法においては、バンプ電極を形成する層がニッケル層２１２及びはんだ層２１３の組み合わせであると、本発明のエッチング液が有するニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングできるという性能、及び該電極を酸化することなく、性能が低減することがないという性能を有効に活用することができる。
（工程Ｂ６）
工程Ｂ６は、図Ｂ（ｋ）のようにフォトレジスト（Ｉ）２０７及びフォトレジスト（ＩＩ）２１０をレジスト剥離液を用いて除去してから、さらに図Ｂ（ｌ）及び（ｍ）に示されるように、チタン層２０５や銅層２０６などのシード層のうち、銅層２０９のような配線で覆われていない露出部分をエッチングする、エッチング工程である。該エッチング工程においては、本発明のエッチング液が用いられることを要する。本発明のエッチング液を用いることで、ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングすることが可能となる。また、本製造方法のように、バンプ電極をはんだで形成し、特にはんだが錫を含む場合、本発明のエッチング液を用いることで、該電極が酸化することなく、性能が低減することがないという効果も得られる。工程Ｂ６におけるエッチングの諸条件は、工程Ａ５と同じである。
図Ｂ（ｌ）で示されるように、工程Ｂ６のエッチング工程で銅層２０６をエッチングする際、ニッケル層２１２がエッチング液に晒されることになる。このような場合に、本発明のエッチング液を用いると、図Ｂ（ｐ）に示されるようなニッケル層２１２が
エッチングされて凹み部２１６が形成するということがなく、銅層２０６だけを選択的にエッチングすることが可能となる。
本発明の製造方法Ｂにおいて、図Ｂ（ｎ）に示されるように、さらにバンプ電極が形成された領域以外の部分に絶縁膜２１４を形成することができる。該絶縁膜２１４の形成は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性有機材料などが好ましく用いられる。
さらに、図Ｂ（ｏ）に示されるように、前記工程Ｂ５で形成したはんだ層２１３を溶融させることにより、凸面状はんだ層２１５を形成することもできる。はんだ層２１３の溶融は、基板を加熱してリフロー処理により行えばよい。
本発明の製造方法のうち、製造方法Ｂにより、電極を有する半導体基板の該電極上に配線を形成する再配線がなされた、バンプ電極を有する半導体装置が得られる。これらの製造方法によれば、電極がピッチ１５０μｍ以下、１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下という狭いピッチの半導体基板を用いることが可能である。また、バンプ電極のピッチが５００μｍ以下、２５０μｍ以下、さらには２００μｍ以下という狭いピッチの半導体装置を得ることができる。よって、本発明の製造方法により得られた半導体装置は、近年の小型化や、高集積化及び多機能化にも十分対応しうるものである。
次に、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
《処理液の調製》
表１に示される配合組成（質量％）に従い、各実施例及び比較例で用いるエッチング液を調整した。
《評価方法》
評価項目．めっきの外観（変色）の評価
実施例１〜３８及び比較例１〜２０について、エッチング液による処理前後の錫−鉛はんだめっき及び錫めっきの外観（変色）の状態を目視により、以下の基準で評価した。
○ ：変色は全く確認されなかった
△ ：変色は若干あるものの、実用上問題ない
× ：変色が著しく、使用できない
実施例１〜３８及び比較例１〜２０
スパッタ銅（銅膜の厚さ：５０００Å）、錫−鉛はんだめっき（その含有比は錫：鉛＝６：４）、錫めっきを成膜した基板を、表１に示される各実施例及び比較例のエッチング液に３０℃で２分間浸漬した。
浸漬後の基板において、スパッタ銅については、浸漬前後の膜厚変化を蛍光Ｘ線分析装置（「ＳＥＡ２１１０Ｌ）」，エスエスアイナノテクノロジー社製）を用いて測定し、銅のエッチングレート（μｍ／分）を算出した。錫−鉛はんだ、及び錫めっきについては、浸漬前後の外観、特に変色状況を目視にて観察し、上記の評価基準に基づき評価した。
また、鋼材に電解めっきによりニッケルを成膜（ニッケル膜の厚さ：５μｍ）した基板を、各実施例及び比較例のエッチング液に、３０℃で１時間浸漬し、浸漬前後の重量を測定し、エッチングレート（Å／分）を算出した。これらの算出値及び評価の結果を表１に示す。
《評価方法》
評価項目．半導体基板を用いたエッチングの評価
実施例３９〜４４及び比較例２１〜２７のエッチング液を用い、Ａの手順で半導体装置を製造した。得られた半導体装置について、電解めっきにより設けたニッケル層の凹み部、シード層として設けた銅層のエッチング後の残存状態、及びバンプ電極の変色の状態を、各々下記の基準で評価した。
（ニッケル層の凹み部の状態について）
○ ：ニッケル層の凹み部は全く確認されなかった
△ ：ニッケル層の凹み部は若干あるものの、実用上問題ない
× ：ニッケル層の凹み部が著しく、使用できない
（銅層の残存状態）
○ ：エッチング後、銅層の残存は全く確認されなかった
△ ：エッチング後、銅層の残存がわずかに確認されたが、実用上問題ない
× ：エッチング後、銅層の残存が著しく、使用できない
（バンプ電極の変色の状態について）
○ ：変色は全く確認されなかった
△ ：変色は若干あるものの、実用上問題ない
× ：変色が著しく、使用できない
実施例３９〜４４及び比較例２１〜２７（製造方法Ａによる半導体装置の製造）
製造方法Ａ（図Ａ（ａ）〜（ｋ））の手順に従い、電極及びバンプ電極を有する半導体装置を作製した。ここで、はんだ層１１０の形成には錫−鉛はんだ（含有比は錫：鉛＝６：４）を用い、図Ａ（ｉ）〜（ｊ）に示されるエッチング工程において、表２に示される各実施例及び比較例のエッチング液を用いて、銅層１０６及びチタン層１０５のエッチングを順に行った。このとき、エッチング温度は３０℃であり、エッチング時間は表２に示される時間とした。
各実施例及び比較例で得られた半導体装置について、上記評価基準に従って評価した結果を表２に示す。
実施例４５及び比較例２８
実施例３９及び比較例２１において、はんだ層１１０を錫−鉛はんだ（含有比は錫：鉛＝６：４）のかわりに錫−銀はんだ（銀の含有量：３質量％）を用いた以外は、実施例３９及び比較例２１と同様にして、各々実施例４５及び比較例２８の半導体装置を作製した。
各実施例及び比較例で得られた半導体装置について、上記評価項目に従い評価した結果を表２に示す。
実施例４６〜５１及び比較例２９〜３５（製造方法Ｂによる半導体装置の製造）
製造方法Ｂ（図Ｂ（ａ）〜（ｋ））の手順に従い、電極及びバンプ電極を有する半導体装置を作製した。ここで、はんだ層１１０の形成には錫−鉛はんだ（含有比は錫：鉛＝６：４）を用い、図Ｂ（ｌ）〜（ｍ）に示されるエッチング工程において、表３に示される各実施例及び比較例のエッチング液を用いて、銅層２０６及びチタン層２０５のエッチングを順に行った。このとき、エッチング温度は３０℃であり、エッチング時間は表３に示される時間とした。
各実施例及び比較例で得られた半導体装置について、上記評価基準に従って評価した結果を表３に示す。
実施例５２及び比較例３６
実施例４６及び比較例２９において、はんだ層２１０を錫−鉛はんだ（含有比は錫：鉛＝６：４）のかわりに錫−銀はんだ（銀の含有量：３質量％）を用いた以外は、実施例４６及び比較例３６と同様にして、各々実施例５２及び比較例３６の半導体装置を作製した。
各実施例及び比較例で得られた半導体装置について、上記評価項目に従い評価した結果を表３に示す。
実施例１〜３８の結果より、本発明のエッチング液は、スパッタ銅に対して０．１μｍ／分以上という高いエッチング速度を有するにもかかわらず、電解ニッケルめっきに対しては５０Å／分未満という低いエッチング速度に抑えられていることが確認された。また、錫−鉛はんだめっき、及び錫めっきについては、有機ホスホン酸の含有量が０．０１質量％未満と少ない場合に若干の変色が認められたものの、実用上問題となることはなく、またその他の実施例において、変色は全く認められなかった。
一方、過酸化水素の含有量が０．５質量％と少ない比較例２及び５、クエン酸の含有量が０．５質量％と少ない比較例３、リンゴ酸の含有量が０．５質量％と少ない比較例６では、スパッタ銅のエッチング速度は０．１μｍ／分未満と低いものだった。また、クエン酸やリンゴ酸のかわりに、他の有機酸を含む比較例９、１１及び１８でも、スパッタ銅のエッチング速度は０．１μｍ／分未満と低いものだった。
有機ホスホン酸を含まない比較例１及び４では、錫−鉛はんだめっき、及び錫めっきのいずれにも変色が認められた。また、有機ホスホン酸を０．０５質量％含有するエッチング液であっても、有機酸としてクエン酸、リンゴ酸を含まない比較例７〜１０及び１２では、錫−鉛はんだめっき、あるいは錫めっきに変色が認められた。
過酸化水素を５質量％含み、有機酸としてクエン酸及びリンゴ酸を含まない比較例８、１３及び１７では、電解ニッケルめっきのエッチング速度は１５００Å／分以上となり、銅の選択的なエッチングはできなかった。
過酸化水素を５質量％含み、有機酸として酒石酸、グルタル酸、イタコン酸を含む各々比較例１５、１９、２０では、実施例１〜３８と同等のエッチング性能が得られた。しかし、これらの比較例で使用したエッチング液を用いて半導体装置を作製した各々比較例２５〜２７では、エッチング後の銅層の残存が著しく、半導体装置の作製には使用できないことが確認された。
本発明のエッチング液は、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造工程で用いられるものである。該半導体装置の製造工程に含まれるエッチング工程において、銅からなる層をエッチングする際にニッケルからなる層がエッチング液に晒される場合、該ニッケルからなる層をエッチングしたくないときに、本発明のエッチング液は特に有効である。

Claims (9)

  1. ニッケルをエッチングせずに銅を選択的にエッチングできるエッチング液であって、過酸化水素と有機酸と有機ホスホン酸からなり、有機酸がクエン酸及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも一種であり、過酸化水素の含有量が０．７５〜１２質量％であり、有機酸の含有量が０．７５〜２５質量％であり、かつ有機ホスホン酸の含有量が０．０００５〜１質量％である、電極を有する半導体基板を用いた半導体装置の製造に用いられるエッチング液。
  2. 過酸化水素の含有量が１．５〜１２質量％であり、有機酸の含有量が１．５〜２０質量％であり、有機ホスホン酸の含有量が０．００１〜０．２５質量％である、請求項１に記載のエッチング液。
  3. 過酸化水素の含有量が１．５〜５質量％であり、有機酸の含有量が１．５〜１０質量％であり、有機ホスホン酸の含有量が０．０１〜０．１５質量％である、請求項１に記載のエッチング液。
  4. 有機ホスホン酸が、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸から選ばれる少なくとも一種である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
  5. 半導体装置がはんだにより形成されたバンプ電極を有する請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング液。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液を用いるエッチング工程を有する半導体装置の製造方法。
  7. 半導体装置がはんだにより形成されたバンプ電極を有するものである請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 電極を有する半導体基板の該電極上に配線を形成する再配線形成工程を有する請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 半導体装置が銅を用いて形成される配線を有する請求項６〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
JP2011547653A 2009-12-25 2010-12-24 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法 Active JP5794148B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011547653A JP5794148B2 (ja) 2009-12-25 2010-12-24 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009296078 2009-12-25
JP2009296078 2009-12-25
PCT/JP2010/073367 WO2011078335A1 (ja) 2009-12-25 2010-12-24 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2011547653A JP5794148B2 (ja) 2009-12-25 2010-12-24 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011078335A1 JPWO2011078335A1 (ja) 2013-05-09
JP5794148B2 true JP5794148B2 (ja) 2015-10-14

Family

ID=44195860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011547653A Active JP5794148B2 (ja) 2009-12-25 2010-12-24 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9177827B2 (ja)
EP (1) EP2518759B1 (ja)
JP (1) JP5794148B2 (ja)
CN (1) CN102696097B (ja)
TW (1) TWI530589B (ja)
WO (1) WO2011078335A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8853701B2 (en) * 2010-04-28 2014-10-07 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display device, and production method for semiconductor device and display device
JP6101421B2 (ja) * 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
JP5658582B2 (ja) * 2011-01-31 2015-01-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5933950B2 (ja) * 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
US9012263B1 (en) * 2013-10-31 2015-04-21 Freescale Semiconductor, Inc. Method for treating a bond pad of a package substrate
US10026564B2 (en) * 2014-09-15 2018-07-17 Nantong Memtech Technology Co., Ltd. Precious metal switch contact component and its preparation method
JP6531612B2 (ja) * 2014-11-27 2019-06-19 三菱瓦斯化学株式会社 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法
JP6657770B2 (ja) * 2014-11-27 2020-03-04 三菱瓦斯化学株式会社 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法
CN105483813A (zh) * 2015-11-30 2016-04-13 惠州市博美化工制品有限公司 一种铜基剥离剂及其使用方法
JP6713809B2 (ja) * 2016-03-31 2020-06-24 株式会社荏原製作所 基板の製造方法及び基板
WO2017188108A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 三洋化成工業株式会社 エッチング液及び電子基板の製造方法
JP6285983B2 (ja) * 2016-05-06 2018-02-28 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
JP6941296B2 (ja) * 2017-09-20 2021-09-29 大日本印刷株式会社 リードフレームおよび半導体装置
CN111902569B (zh) * 2018-03-26 2022-03-29 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻液
JP7357243B2 (ja) * 2019-04-18 2023-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置、半導体装置の実装構造、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE9604413D0 (sv) 1996-11-29 1996-11-29 Eka Chemicals Ab Chemical composition
JP3654485B2 (ja) 1997-12-26 2005-06-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003328159A (ja) * 2002-05-02 2003-11-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 表面処理剤
KR100505328B1 (ko) 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
JP4129218B2 (ja) * 2003-09-30 2008-08-06 メルテックス株式会社 ウエハ上の銅エッチング液
JP2005175128A (ja) 2003-12-10 2005-06-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR101199533B1 (ko) 2005-06-22 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
DE102005038414A1 (de) * 2005-08-12 2007-02-15 Basf Aktiengesellschaft Stabilisierte Ätzlösungen zum Ätzen von Cu- und Cu/Ni-Schicht
US7976723B2 (en) * 2007-05-17 2011-07-12 International Business Machines Corporation Method for kinetically controlled etching of copper
WO2009071351A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Basf Se A method for chemically-mechanically polishing patterned surfaces composed of metallic and nonmetallic patterned regions
CN101903988B (zh) * 2007-12-21 2013-07-31 和光纯药工业株式会社 蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液

Also Published As

Publication number Publication date
CN102696097A (zh) 2012-09-26
US9177827B2 (en) 2015-11-03
JPWO2011078335A1 (ja) 2013-05-09
TWI530589B (zh) 2016-04-21
EP2518759A1 (en) 2012-10-31
CN102696097B (zh) 2015-08-05
US20120270396A1 (en) 2012-10-25
TW201132804A (en) 2011-10-01
EP2518759A4 (en) 2014-11-05
EP2518759B1 (en) 2017-06-21
WO2011078335A1 (ja) 2011-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5794148B2 (ja) エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP5794147B2 (ja) エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US8497200B2 (en) Method to form solder alloy deposits on substrates
US6750133B2 (en) Selective ball-limiting metallurgy etching processes for fabrication of electroplated tin bumps
TWI429790B (zh) 製造電子零件之方法
JP4484271B2 (ja) 電子部品の製造方法
US20050194564A1 (en) Titanium stripping solution
US11121101B2 (en) Flip chip packaging rework
JP6155571B2 (ja) 端子構造、並びにこれを備える半導体素子及びモジュール基板
JP2019202341A (ja) ハンダボール、ハンダ継手および接合方法
KR101270837B1 (ko) 텅스텐 또는 티타늄-텅스텐 합금 식각용액
KR102258660B1 (ko) 구리를 함유하는 금속의 식각에 사용되는 액체 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2002203868A (ja) 電極の形成方法
TW201203407A (en) Method for manufacturing cof substrate
KR20060107349A (ko) 구리 배선 또는 범프가 형성된 기판의 제조 방법
JP6702108B2 (ja) 端子構造、半導体装置、電子装置及び端子の形成方法
US20230238251A1 (en) Etching liquid for titanium and/or titanium alloy, method for etching titanium and/or titanium alloy with use of said etching liquid, and method for producing substrate with use of said etching liquid
WO2019208461A1 (ja) 銅箔用エッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法ならびに電解銅層用エッチング液およびそれを用いた銅ピラーの製造方法
TWI400356B (zh) 突起電極之形成方法及置換鍍金液
CN1630038A (zh) 蚀刻液及应用该蚀刻液选择性去除阻障层的导电凸块制造方法
JP3980473B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2010150609A (ja) エッチング液及びエッチング方法
KR20230014625A (ko) 티타늄계 금속막용 식각액 조성물
JP3335883B2 (ja) バンプ電極の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150714

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150727

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5794148

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151