KR940010240A - 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 메모리 소자의 전하 저장 전극용 도전체에 적용할 수 있는 도전층 제조 방법에 관한 것으로, 특히 도전층 표면을 울퉁불퉁하게 형성하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법에 관한 것으로, 절연층(1) 상부에 도전층(2), 식각장벽층(3)을 차례로 증착한 후에 이원계 A-B합금(4a)(예를들어 Al-Si합금)을 증착하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 상기 이원계A-B(4a)을 소정의 온도에서 열처리하여 용해도 이상의 B물질(4c)이 식각 장벽 층(3) 상부에 침착되어 A물질(4b)을 식각하여 B물질(4c)만 식각장벽층(3) 상부에 남기고 상기 B물질(4c)을 마스크로 하여 노출된 부분의 식각장벽층(3)을 식각하여 부분 부분 남아 있는 식각장벽층(3′)을 형성하여 도전층(2)의 부분 부분이 노출되도록 하는 제3단계, 상기 제3단계 후에 부분 부분 남아 있는 상기 식각장벽층(3′)을 마스크로 하여 노출된 도전층(2)을 일정두께 식각하여 상기 도전층(2)의 표면은 울퉁불퉁하게 형성하는 제4단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전층 제조 공정도,
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전층 제조공정도.
Claims (9)
- 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법에 있어서, 절연층(1) 상부에 도전층(2), 식각장벽층(3)을 차례로 증착한 후에 이원계 A-B합금(4a)(예를들어 Al-Si합금)을 증착하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 상기 이원계A-B(4a)을 소정의 온도에서 열처리하여 용해도 이상의 B물질(4c)이 식각 장벽층(3) 상부에 침착되어 A물질(4b)을 식각하여 B물질(4c)만 식각장벽층(3) 상부에 남기고 상기 B물질(4c)을 마스크로 하여 노출된 부분의 식각장벽층(3)을 식각하여 부분 부분 남아 있는 식각장벽층(3′)을 형성하여 도전층(2)의 부분 부분이 노출되도록 하는 제3단계, 상기 제3단계 후에 부분 부분 남아 있는 상기 식각장벽층(3′)을 마스크로 하여 노출된 도전층(2)을 일정두께 식각하여 상기 도전층(2)의 표면을 울퉁불퉁하게 형성하는 제4단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 이원계 A-B합금(4a)의 A물질에 대해 B물질의 함량은 용해도 이상이 되는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이원계 A-B합금(4a)의 A물질은 알루미늄이고 B물질은 Si인 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2단계 열처리 과정은 이원계 A-B합금(4a)을 증착하는 동안에 기판의 온도를 올리는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 A물질(4b)의 식각율이 B물질(4c)의 식각을 보다 큰 식각물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 A물질(4b) B물질(4c)이 각각 Al, Si인 경우 H3PO4(인산) 또는 Cl기를 이용하여 Al만을 식각하는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4단계의 노출된 도전층(2)을 완전히 식각한 후에 제2도전층(5)을 증착하는 제5단계를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 열처리 공정은 이원계 A-B합금(4a)이 Al-Si합금의 경우 100 내지 550℃ 온도에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 표면적이 극대화된 도전층 제조방법.
- 제3항에 있어서, 알루미늄의 함량에 대하여 실리콘은 1 내지 30%정도의 함량을 첨가하는 것을 특징으로하는 표면적이 극대화된 도전층 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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