KR100419071B1 - 구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 - Google Patents

Abstract

무기염 산화제, 무기산 또는 그 염, 플루오린-소스, 및 탈이온수를 포함하는 구리-티타늄 막의 식각용액을 제공한다. 더 구체적으로는, 조성물 총중량에 대하여 0.1 내지 5 중량% 의 무기염 산화제, 0.5 내지 10 중량% 의 무기산 또는 그 염, 0.05 내지 0.5 중량% 의 플루오린-소스, 및 탈이온수, 그리고 필요에 따라서, 0.005 중량% 이상의 첨가제를 더 포함하는 구리-티타늄 막의 식각 용액 및 그 식각 방법을 제공한다.

이와 같은 식각용액 및 식각방법을 통하여, 저저항 금속배선을 구현함과 더불어, 테이프 프로파일이 양호하고, 유리 기판 및 하부의 반도체층에 대한 어택을 최소화하는 식각공정을 수행할 수 있으며, 환경친화적인 반도체 장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Description

구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 {ETCHING SOLUTION FOR COPPER TITANIUM LAYER AND ETCHING METHOD THEREOF}

본 발명은 반도체 장치에서 금속막의 습식 식각에 사용되는 식각 용액 및 그 식각방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치에서 구리-티타늄 금속막을 식각하는 식각용액 및 그 식각방법에 관한 것이다.

반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정, 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각 용액을 이용하는 습식식각이 사용된다.

이러한 반도체 장치에서, 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 저항은 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT LCD(thin film transistor liquid crystal display)의 경우 패널크기 증가와 고해상도 실현에 관건이 되고 있기 때문이다.

따라서, TFT LCD 의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저저항의 물질개발이 필수적이며 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr 비저항:12.7 ×10^-8Ωm), 몰리브덴(Mo 비저항:5×10^-8Ωm), 알루미늄(Al 비저항:2.65 ×10^-8Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD 에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다.

이와 같은 배경하에서, 새로운 저저항 금속막 중 하나인 구리막에 대한 관심이 높다. 구리막은 알루미늄막 이나 크롬막 보다 저항이 현저하게 낮고 환경적으로도 큰 문제가 없는 장점이 있는 것으로 알려지고 있기 때문이다. 그러나, 구리막은 포토레지스트를 도포하고 패터닝하는 공정에서 어려운 점들이 많이 발견되었고, 실리콘 절연막과의 접착력이 나빠지는 문제점이 발견되었다.

한편, 저저항 구리 단일막의 단점을 보완하는 다중 금속막에 대한 연구가 진행되고 있으며, 그 중에서 특히 각광받는 물질이 구리-티타늄 막이다. 이 구리-티타늄 막에 대해서는 종래에 알려진 식각용액이 있다.

공개특허공보 제 2001-11390 호에 따르면, 기판상에 구리막과 티타늄막을 차례로 증착하는 단계와 소정의 패턴에 따라 제 1 게이트금속인 구리막과 제 2 게이트금속인 티타늄막을 동시에 식각하여 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 게이트전극 형성방법을 개시하고, 이러한 식각공정에 사용되는 식각액은 HF 와 HNO₃+CH₃COOH 의 혼합된 물질인 것을 개시하고 있다.

하지만, 이와 같이 알려진 구리막에 대한 식각용액과 티타늄막의 식각용액을 혼합한 식각용액의 경우는 테이프 프로파일(taper profile)이 불량하고, 후속공정에도 어려움이 많으며, 특히 티타늄 막의 식각에 쓰이는 플루오린 (F) 이온이 유리기판과 실리콘층에 어택을 발생하므로 실제로 공정에 사용하기에 적합하지 않다.

따라서, 본 말명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 구리와 티타늄막을 동시에 식각하면서 구리막에 대한 테이프 프로파일이 양호하며 유리 기판 및 하부의 실리콘층에 대한 어택을 최소화함으로써, LCD 제조 공정 등에 적용 상 어려움이 없는 식각용액과 그 식각방법을 제공한다.

또한, 크롬 등의 경우처럼 환경유해 물질로 규정된 물질을 구리로 대체하여 사용함으로써, 저저항 금속배선을 구현함과 더불어 환경친화적인 반도체 장치를 제작할 수 있는 식각 용액과 그 식각 방법을 제공한다.

도 1a 내지 도 1f 는 본 발명의 일실시예에 따른 식각공정을 나타낸 도면.

도 2 는 본 발명에 따른 일실시예인 구리-티타늄 이중막의 식각 프로파일의 일예를 도시한 도면.

도 3 은 종래 기술에 의한 구리막의 식각 프로파일의 일예를 도시한 도면.

도 4 는 본 발명에 따른 일실시예인 구리-티타늄 이중막의 식각에서 각 조성물의 중량% 에 대한 식각속도를 도시한 도면.

※ 도면의 주요부분에 대한 설명

10 : 유리 기판 12 : 티타늄막

14 : 구리막 16 : 포토레지스트

본 발명의 목적을 실현하기 위한 수단으로서, 무기염 산화제, 무기산 또는 그 염, 플루오린-소스, 및 탈이온수를 포함하는 구리-티타늄 막의 식각용액을 제공한다. 더욱 구체적으로는, 0.1 내지 5 중량% 의 무기염 산화제, 0.5 내지 10 중량% 의 무기산 또는 그 염, 0.05 내지 0.5 중량% 의 플루오린-소스, 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 구리-티타늄 막의 식각 용액을 제공한다. 또한, 필요에 따라서는, 상술한 식각용액에 0.005 중량% 이상의 첨가제를 더 포함하는 구리-티타늄 막의 식각 용액을 제공한다.

이러한 조성비의 한정에 대해서는 후술할 실시예를 통해서 더욱 잘 이해되며, 예를 들어, 상술한 식각 용액은 0.5 중량% 의 무기염 산화제, 1 중량% 의 무기산 또는 그 염, 0.2 중량% 의 플루오린-소스, 및 0.02 중량% 의 첨가제를 포함하고, 잔여량은 탈이온수로 희석된다.

구리-티타늄 막 이라함은 구리막을 하부막으로 하고 티타늄막을 상부막으로 하는 "티타늄/구리막", 티타늄막을 하부막으로 하고 구리막을 상부막으로 하는 "구리/티타늄막" 의 이중막을 포함하며, 또한, 예들 들어 티타늄막, 구리막, 티타늄막을 교대로 적층하는 3 중 금속막 이상의 다중 금속막의 경우도 포함한다. 따라서, 구리-티타늄막은 구리막과 티타늄막을 교대로 배치한 복수개 이상의 다중막을 의미한다. 이러한 구리-티타늄 막은 구리-티타늄 막의 하부에 배치되는 막이나 상부에 배치되는 막의 물질 또는 접합성(adhesion) 등을 복합적으로 고려하여 다중막의 구조를 결정할 수 있다. 또한, 구리막과 티타늄막은 각각 서로의 두께가 한정되지 않고, 다양한 조합이 가능하다. 예를 들어, 구리막의 두께가 티타늄막의 두께보다 커게 형성될 수도 있고, 작게 형성될 수도 있으며, 더욱 특별하게는 구리막으로만 형성된 경우도 포함할 수 있다.

무기염 산화제, 무기산 또는 그 염, 플루오린 소스 및 첨가제는 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하며, 탈이온수는 반도체 공정용을 사용하고 바람직하게는 18 MΩ/cm 이상의 물을 사용한다. 또한, 식각용액에는 통상적으로 들어가는 다른 첨가제를 사용할 수 있다.

무기염 산화제, 및 무기산 또는 그 염은 구리막을 식각하는 주성분이 되는 성분으로서, 무기염 산화제는 무기염을 포함하는 산화제를 일컫는 말로 특별히 한정되지 않고 다양한 종류가 가능하며, 바람직하게는 CuCl₂, Cu(NO₃)₂, CuSO₄, Al(NO₃)₃, Al₂(SO₄)₃, FeCl₃, Fe₂(SO₄)₃, Fe(Cl₄)₃등이 있으며, 무기산 또는 그 염은 특별히 한정되지 않고 다양한 종류가 가능하며, 바람직하게는 AcOH, H₂SO₄, HNO₃, H₃PO₄, HClO₄등 또는 각 산들에서 유도되는 염들이 포함된다.

플루오린-소스는 티타늄을 식각하는 주성분으로서 플루오린 이온을 포함하는 모든 화합물을 의미하는 것으로, 특별히 한정되지 않고 다양한 종류가 가능하며,바람직하게는 HF, KF, NaF, H₂SiF₆, NH₄FㆍHF 또는 이들의 2 개 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.

바람직하게는, 필요에 따라서 상술한 조성물에 첨가제를 추가할 수 있다. 이러한 첨가제는 식각의 여부를 결정하는 성분은 아니지만, 구리막의 테이프 프로파일을 양호하게 하고 유리기판 또는 반도체층에 대한 어택을 줄여주기 위한 기능을 한다. 경우에 따라서, 이러한 첨가제가 투입되지 않으면, 패턴의 시디로스가 1 ㎛ 이상되거나, 실리콘층을 식각할 수 있으며, 테이프 프로파일도 불량해지고, 테이프각이 60 도 이상되는 현상이 발생할 수 있으며, 이러한 현상은 후속공정에서 심각한 문제점을 발생할 수 있다. 첨가제는 특별히 한정되지 않고 다양한 종류가 가능하며, 바람직하게는 피롤리딘 (Pyrrolidine), 피롤린 (Pyrroline), 피롤 (Pyrrole), 인돌 (Indole), 피라졸 (Pyrazole), 이미다졸 (Imidazole), 피리미딘 (Pyrimidine), 퓨린 (Purine), 피리딘 (Pyridine) 등과 이들의 유도체를 사용할 수 있다.

본 발명의 목적을 실현하기 위한 또다른 수단은 기판 상에 구리-티타늄 막을 증착하는 제 1 단계, 구리-티타늄 막 상에 선택적으로 포토레지스트를 남기는 제 2 단계, 및 상술한 조성범위의 식각용액을 사용하여 구리-티타늄 막을 식각하는 제 3 단계를 포함하는 구리-티타늄막의 식각방법을 제공한다.

바람직하게는, 기판과 구리막 사이, 또는 기판과 티타늄막 사이에 반도체 구조물이 형성된다. 이와 같은 반도체 구조물은 LCD, PDP 등의 표시장치용 반도체구조물을 포함하는 것으로 화학기상증착 등의 방법에 의한 유전막, 스퍼터링등의 방법에 의한 도전성물질, 비정질 또는 다결정등의 실리콘막 등의 반도체막 등에서 하나 이상의 막을 포함하여 포토공정, 식각공정등으로 제조한 구조물을 의미한다.

바람직하게는, 상술한 구리-티타늄막은 TFT-LCD 의 데이터라인을 구성하는 소오스/드레인 배선을 형성할 수 있다. TFT-LCD 의 소오스/드레인 배선은 특히 그 저항이 문제되는 배선이므로 구리-티타늄 막을 사용하고 본 발명에 따른 식각용액으로 용이하게 식각하여 TFT LCD의 대형화를 가능하게 할 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인하여 한정되는 식으로 해석되어 져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되어 지는 것이다. 따라서, 도면에서의 막두께 등은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되어진 것이다. 또한 어떤 막이 다른 막 또는 기판 "상" 에 있다고 기재된 경우, 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 기판상에 직접 접촉하여 존재 할 수 있고, 또는 그 사이에 제 3 막이 게재 될 수도 있다.

(실시예 1)

도 1a 내지 도 1f 를 참조하여, 본 발명에 따른 식각 공정의 일실시예를 설명한다. 상술한 기판 (10) 은 유리 기판 상에 통상 당업자에게 알려진 화학기상증착에 의해 티타늄막 (12) 및 구리막 (14) 을 연속 증착하며, 두께는 티타늄막 (14) 이 대략 200 Å, 구리막이 대략 1500 Å 로 이루어진다(도 1a). 유리 기판 (10) 과 티타늄막 (12) 사이에는 표시장치용 구조물(미도시) 이 부가될 수 있다. 표시장치용 구조물은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 각종 산화막 또는 비정질 실리콘, 폴리실리콘 등의 반도체막 또는 도핑된 비정질 도핑된 폴리실리콘, 각종 금속막 등의 도전층에 패턴을 형성하여 상술한 층들이 1 개 이상 중첩적으로 형성된 구조를 의미하는 것이다. 또한, 기판 (10) 상, 구리막상, 티타늄막상 등에는 당업자에게 알려진 바와 같은 통상적인 세정공정을 수행한다.

다음, 구리-티타늄 막을 선택적인 부위에 형성하기 위하여, 포토레지스트를 도포하고 (도 1b), 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하며 현상액에 의해 부분적으로 포토레지스트를 제거한다 (도 1c). 이 경우, 포토레지스트는 음극형 또는 양극형 반응물질일 수 있으며, 양극형 포토레지스트의 경우는 노광된 부분이 현상되고, 음극형 포토레지스트는 노광되지 않은 부분이 현상되는 점에서 차이가 있다. 또한, 이와 같은 공정에는 에싱 (ashing), 열처리 등 통상적으로 진행되는 공정도 첨가될 수 있다.

그 후, 무기염 산화제 0.5 중량%, 무기산 1 중량%, 플루오린-소스 0.2 중량%, 첨가제 0.01 중량% 및 탈이온수 98.29 중량% 로 구성되는 식각용액을 이용하여 구리-티타늄 이중막 식각공정을 수행한다. 도 1d 는 먼저 구리막이 식각된 상황을 도시한다. 계속하여, 동일한 식각용액에 의해 티타늄막이 식각된다(도 1e). 도 1e 는 실제의 막 두께등을 과장하여 도시한 도면이다. 이러한 구리-티타늄 이중막의 식각공정은 당업계 주지의 방법에 따라 수행될 수 있으며, 침지, 스프레이 등을 예시 할 수 있고 바람직하게는 침지방식을 이용한다. 식각공정시 식각용액의 온도는 약 30 ℃ 내외이며, 적정온도는 다른 공정조건과 기타요인으로 필요에 따라 변경할 수 있다. 식각시간은 식각온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 50 내지 150 초 정도로 진행한다. 마지막으로, 포토레지스트를 전면에서 제거하여 도 1f 에 도시한 형상이 만들어 진다. 도면 상에서는 이해의 편의를 위해서 소정의 테이프각을 가지는 도면으로 나타내었다.

이러한 공정에 의하여 식각된 구리-티타늄 이중막의 프로파일을 단면 SEM (Hitachi사 제품, 모델명 S-4200)을 사용하여 검사하였다. 측정된 식각 속도는 약 16.4 Å/sec 이며, 도 2 는 상술한 구리-티타늄 이중막의 식각 프로파일을 나타내고 있다. 여기에서는, 구리-티타늄 이중막의 우수한 테이프 프로파일과 식각속도를 나타내 주고 있다.

비교를 위하여, 종래 기술에 의한 구리 단일막의 식각사진을 도 3 에 나타내었다. 구리막으로만 이루어진 비교예의 경우는 실제로 구리-티타늄 이중막 구조로 되어 있는 실시예 1 의 경우와 직접적으로 비교하는 것은 무리가 있으나, 실시예 1 에서는 하부막으로 티타늄 약 200 Å 와 상부막으로 구리막 약 1500 Å 으로 이루어져 있으므로, 간접적인 비교를 행할 수 있다. 도 2 에서 도시하고 있는 바와 같이 상대적으로 얇은 하부막인 티타늄막이 형성된 부위를 제외하고 비교할 때, 실시예 1 의 식각 프로파일이 현저히 우수한 특성을 나타냄을 확인할 수 있다.

한편, 이와 같은 결과로, 상술한 식각용액을 구리 단일막에 적용하는 경우에도 소정의 효과를 거들 수 있음을 알 수 있다.

(실시예 2 내지 13)

실시예 1 에서의 경우와 유사한 방식으로, 식각용액의 조성비 만을 변화시켜 동일한 방법으로 세정 공정을 수행한다. 설명의 간략화를 위해서 상세한 공정진행은 다시 기술하지 않는다. 표 1 은 실시예 2 내지 13 의 조성비와 이에 따른 식각속도를 나타낸다.

실시예	조성물(중량%)	식각속도(Å/sec)
	무기염 산화제(FeCl3)		무기산 또는그의 염(질산)	플루오린-소오스(NH4F)	첨가제(이미다졸)
2	0.1	0.5	0.05	0.005	9.1
3	0.2	0.5	0.1	0.005	11.2
4	0.5	0.5	0.1	0.005	13.6
5	1	2	0.2	0.02	23.4
6	1	3	0.2	0.05	25.5
7	1	3	0.4	0.01	30.3
8	2	2	0.2	0.1	28.6
9	3	5	0.4	0.01	28.7
10	3	10	0.2	0.1	30.0
11	4	5	0.4	0.2	30.1
12	4	10	0.2	0.2	34.5
13	5	2	0.2	0.5	33.3

표 1 에서 나타낸 바와 같이, 무기염 산화제, 및 무기산 또는 그 염의 양에 따라 식각속도가 결정됨을 알 수 있다. 이와 같은 각 조성물의 중량% 와 식각속도의 상관관계를 도 4 에 나타내었다.

이하, 상술한 실시예 1 내지 13 의 바람직한 조성범위 이외에서 제조된 구리-티타늄 이중막 식각용액의 특성에 대해 설명한다.

첫째로, 무기염 산화제가 5 중량% 이상일 경우에는 씨디로스가 크고 티타늄막과 구리막의 식각속도 차이에 의해 테이프 프로파일이 나빠지며, 무기염 산화제가 0.1 중량% 미만일 경우에는 구리막의 식각시간이 길어지므로 공정상의 이점이 없어지게 되며, 오랜시간 식각하게 되어 유리 기판에 손상을 줄 우려도 상존하게 된다. 따라서, 무기염 산화제의 조성범위는 0.1 내지 5 중량% 가 바람직하다.

둘째로, 무기산 또는 그 염은 무기염 산화제와 더불어 구리막의 식각을 용이하게 해 주는 성분으로서, 10 중량% 이상일 경우에는 구리막의 씨디로스가 크고 테이프 프로파일이 나빠지며, 플루오린-소스와 결합하여 유리 기판의 손상이 매우 심하게 되어 공정상 사용할 수 없게 된다. 또한, 0.5 중량% 미만일 경우에는 구리막의 식각이 거의 되지 않거나, 식각된다고 하더라도 그 식각속도가 현저히 낮아서 공정상 적용할 이점이 없다. 따라서, 무기산 또는 그 염의 조성범위는 0.5 내지 10 중량% 가 바람직하다.

세째로, 플루오린-소스는 티타늄막을 식각하는 주요성분으로 유리 기판에 손상을 줄 수 있는 성분이다. 따라서, 그 양이 많아질 경우 유리 기판에 심각한 손상을 주어 안정된 공정의 구현이 용이하지 않다. 플루오린-소스가 0.5 중량% 이상일 때는 식각후 유리 기판에 물결무늬처럼 식각되는 모습을 나타내고, 플루오린-소스가 0.05 중량% 미만일 경우는 티타늄막의 식각속도가 너무 낮아 공정상 적용할 이점이 없어지는 한편, 식각시간이 길어지므로 유리 기판의 손상을 피할 수 없게 된다. 따라서, 플루오린-소스의 조성범위는 0.05 내지 0.5 중량% 가 바람직하다.

네째로, 필요에 따라서 상술한 식각용액에 투입되는 첨가제는 플루오린-소스에 의한 유리 기판의 손상을 줄여주고, 구리막의 테이프 프로파일을 양호하게 만들어 주는 중요한 성분으로서, 그 양이 많아질수록 효과가 증대될 것을 짐작할 수 있다. 그러나, 첨가제의 함량은 일정한 임계점을 가지고 포화(saturation)되는 것으로 판단되는데 그러한 임계점은 대략 0.5 중량% 로 측정되었다. 한편, 첨가제가 0.005 중량% 미만일 경우에는 유리 기판의 손상을 줄여주고, 테이프 프로파일을 양호하게 하는 역할을 충분히 수행할 수가 없다. 따라서, 필요에 따라서 투여될 수 있는 첨가제의 조성범위는 0.005 중량% 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.005 중량% 이상 0.5 중량% 이다.

본 발명의 또다른 실시예에서는 상술한 실시예 1 내지 13 의 표시장치용 구조물이 TFT LCD 용 게이트 배선, 절연막, 반도체층 등을 포함하는 구조물이고, 구리-티타늄막이 소오스/드레인배선이다.

유리 기판 상에 투명한 절연물질로 이루어진 버퍼층을 형성하거나, 또는 이러한 버퍼층을 형성하지 않고 세정공정을 실시한 후, 게이트 전극 및 배선에 해당하는 제 1 도전층을 형성하고, 그 후, 게이트 절연막, 필요에 따라서는 축적 커패시터를 형성하는 절연막을 형성한다.

이 절연막 상에 활성영역이 되는 비정질 실리콘 (a-Si) 또는 폴리 실리콘 (poly-si) 등의 반도체층을 형성하여 소정영역을 패턴닝하여 트랜지스터 소자의 채널영역을 만든다. 이러한 채널영역을 형성하는 반도체층과 오믹하게 접속되는 소오스/드레인 전극 그리고 데이터 배선을 형성하는 제 2 도전층이 있다. 그리고, 통상적으로 제 2 도전층 상에 절연층을 형성한다.

이와 같은 구조에서, 통상적으로 더욱 저저항이 요구되는 제 2 도전층으로 구리-티타늄 이중막을 이용한다. 그리고, 이러한 구리-티타늄 다중막의 패터닝을 위해 상술한 식각용액 및 그 식각방법이 적용될 수 있다. 그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않고, 상술한 제 1 도전층(게이트배선)에 이용될 수 있음은 자명하다.

또한, 본 실시예에서는 구리-티타늄 이중막에 대해서만 주로 언급하였으나, 구리와 티타늄으로 이루어지는 3 중막 이상의 경우에도 상술한 식각용액으로 식각 공정을 수행할 수 있으며, 구리막 또는 티타늄막은 화학기상증착 등에 의해서 당업계에서 통상적으로 제조가능하다.

또한, 특별하게는 구리-티타늄막 중에서 티타늄막이 없는 구리막의 경우에도 이와 같은 식각용액 및 식각방법에 의해 소정의 효과를 거둘 수 있다.

상기에서 본 발명의 특정한 실시예들이 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.

따라서, 본 발명의 청구범위의 사상이나 범위를 일탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 실시예들과 균등물등이 가능하므로, 이와 같은 것들은 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 식각용액과 그 식각방법을 사용하여 테이프 프로파일이 양호하고, 유리 기판 및 하부의 반도체층에 대한 어택을 최소화하여 후속 공정의 안정화를 기할 수 있는 효과가 있다. 또한, 저항이 낮은 금속배선을 구현함과 더불어 환경친화적인 반도체 장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

1. 0.1 내지 5 중량% 의 무기염 산화제;

   0.5 내지 10 중량% 의 무기산 또는 그 염;

   0.05 내지 0.5 중량% 의 플루오린-소스;

   0.005 내지 0.5 중량%의 피롤리딘, 피롤린, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸, 피리미딘, 퓨린, 피리딘과 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 첨가제 그리고

   전체 식각용액이 100 중량%가 되도록 하는 잔량의 탈이온수를 함유하는 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각용액.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서, 상기 구리-티타늄 막은 티타늄막 상에 구리막을 형성한 이중막인 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각용액.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 구리막의 두께는 상기 티타늄막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각용액.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 무기염 산화제는 CuCl₂, Cu(NO₃)₂, CuSO₄, Al(NO₃)₃, Al₂(SO₄)₃, FeCl₃, Fe₂(SO₄)₃, Fe(Cl₄)₃으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각용액.
7. 화학기상 증착법에 의해 기판에 구리-티타 늄 막을 형성하는 단계;

   형성된 구리-티타늄 막에 포토레지스트를 도포한후 마스크를 사용하여 선택적인 노광을 한후 현상액에 의해 부분적으로 포토레지스트를 남기는 단계; 및

   제 1 항에 따른 식각용액을 사용하여 기판위에 형성된 구리-티타늄 막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 구리-티타늄 막은 티타늄막 상에 구리막을 형성한 이중막인 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각방법.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 구리막의 두께는 상기 티타늄막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각방법.
10. 삭제
11. 삭제
12. 제 7 항에 있어서, 상기 기판은 TFT LCD 용 유리 기판인 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각방법.
13. 제 7 항에 있어서, 상기 구리막은 소오스/드레인 배선인 것을 특징으로 하는 구리-티타늄 막의 식각방법.