TW584887B - Active matrix type display panel - Google Patents

Active matrix type display panel Download PDF

Info

Publication number
TW584887B
TW584887B TW090100052A TW90100052A TW584887B TW 584887 B TW584887 B TW 584887B TW 090100052 A TW090100052 A TW 090100052A TW 90100052 A TW90100052 A TW 90100052A TW 584887 B TW584887 B TW 584887B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display panel
patent application
isolator
layer
thin film
Prior art date
Application number
TW090100052A
Other languages
English (en)
Inventor
Hongyong Zhang
Satoshi Teramoto
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TW584887B publication Critical patent/TW584887B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1334Constructional arrangements; Manufacturing methods based on polymer dispersed liquid crystals, e.g. microencapsulated liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13392Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454Drivers integrated on the active matrix substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

584887 A7 一 B7 五、發明說明(i ) 1 .發明領域 本發明關於一個與周邊驅動電路整合的主動矩陣液晶 顯示板,及使用此顯示板的各種裝置。 2 .相關技術的說明 已知之主動矩陣液晶顯示板中一主動矩陣電路與其周 邊驅動電路整合於一玻璃基質或石英基質上。在此主動矩 陣液晶顯示板上,可採用許多的方法來減小顯示所不需要 用到的部份的面積。也就是,由周邊驅動電路所佔用的區 域。 另一方面,在液晶顯示板中的周圍部份有一密封構件 ,以保持,也就是將液晶限制於一對基質中。關於一個用 來減小顯示所不需要用到的部份的面積的方法,即是需要 減少由密封構件所佔用的面積。 與周邊驅動電路整合的主動矩陣液晶顯示板具有一個 問題爲在周邊驅動電路中易於發生失敗。更值得注意的是 密封構件的一部份位於周邊驅動電路上時,此問題更爲顯 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此問題發生的情況如下。密封構件包含一種隔離器稱 爲填裝物以保持介於基板間的間隙。一般而言,周邊電路 間具有高度的整合。在此情況下,壓力由填裝物作用在薄 膜電晶體和位於裝填物正下方之周邊驅動電路之撓線上( 此壓力局部的非常大),因此很可能發生線不連接、接觸 失效、甚至半導體層不連接等問題。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱1 一 4 - 严y 8 8 84 A7 _· _B7____ 五、發明說明(2 ) 雖然稱爲隔離器之球面基質間隙保持機構也用於主動 矩陣區域,但在主動矩陣區中,因爲主動矩陣區域的整合 度很低因隔離器之存在而發生在主動矩陣區域中失效的情 況不若在周邊驅動電路中所發生的嚴重。 發明概述: 本發明的一個目的是爲了在一個與周邊驅動電路整合 的主動矩陣液晶顯示板上減少非圖素矩陣電路部份的面積 〇 本發明的另一個目的是爲了避免由密封構件所施加的 壓力導致周邊驅動電路的毀壞,即使它是已達成上述之目 的主動矩陣液晶顯示電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明的第一個觀點,如顯示於圖1 A至1 D及 圖2中之特殊製造過程,它提供一種液晶顯示板,包含主 動矩陣電路(圖素電路);周邊驅動電路,主動矩陣電路 及周邊驅動電路整合於相同的基質101上;一密封構件 (圖2中數字206所指示),密封構件的一部份位於周 邊驅動電路之上;薄膜電晶體形成於周邊驅動電路中;和 一突起(疊層隔離器)形成於周邊驅動電路中,此突起爲 構成薄膜電晶體之疊層材料,4突起由(見圖1 D)薄膜 電晶體所在的部份突出。 根據本發明的第二個觀點,如顯示於圖1 A至1 D及 圖2中爲特殊製造過程,它提供一種液晶顯示板,包含有 主動矩陣電路(圖素電路);一個周邊驅動電路,主動矩 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5 - 584887 A7 --------- 五、發明說明(3 ) 陣電路及周邊驅動電路整合於相同的基質101;—密封 構件(圖2中數字2 0 6所指示),密封構件的一部份位 於周邊驅動電路之上;薄膜電晶體形成於周邊驅動電路中 ;和一突起(疊層隔離器)形成在除薄膜電晶體外之周邊 驅動電路中,此突起由構成薄膜電晶體之疊層材料形成, 且此突起高於(見圖1 D)薄膜電晶體所在的部份。 根據本發明的第三個觀點,如顯示於圖1 A至1 D及 圖2中爲特殊製造過程,它提供一種液晶顯示板,包含有 主動矩陣電路(圖素電路);一個周邊驅動電路,主動矩 陣電路及周邊驅動電路整合於相同的基質101;一密封 構件(圖2中數字2 0 6所指示),密封構件的一部份位 於周邊驅動電路之上;薄膜電晶體形成於周邊驅動電路中 ;和一突起(疊層隔離器)形成在除薄膜電晶體外之周邊 驅動電路中,此突起由構成薄膜電晶體之疊層材料形成且 ,此突起具有隔離的功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明的第四個觀點,如顯示於圖1 A至1 D及 圖2中爲特殊製造過程,它提供一種液晶顯示板’包含有 主動矩陣電路(圖素電路);一個周邊驅動電路’主動矩 陣電路及周邊驅動電路整合於相同的基質1〇1;一密封 構件(圖2中數字2 0 6所指示),密封構件的一部份位 於周邊驅動電路之上;薄膜電晶體形成於周邊驅》+ :和^突起(疊層隔離器)形成在除薄膜電晶體外之周^ 驅動電路中,此疊層部份具有較在周邊驅動電路中之薄膜 電晶體所在的部份更多的疊層(見圖1D) ° 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - 584887 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 1、發明說明(4) 如顯示於圖1 A至1 D及2中,此突起(疊層隔離器 )乃藉由疊層構成圖素電路及周邊驅動電路的薄膜所形成 ’後者的電路具有高度的整合性。以這種結構,自密封構 件2 0 6的隔離器2 0 4所施加的壓力將集中於突起物上 。結果,薄膜電晶體及周邊驅動電路的接線可免於受到破 害。 較佳實施例詳述: 〔實施例1〕 本實施例是關於一與周邊驅動電路整合的主動矩陣液 晶顯示板。圖1 A至1 D及2顯示它的製造過程。 本實施例是關於製造由圖素電路(主動矩陣電路)和 驅動它的周邊電路所構成的液晶顯示板。例如,周邊驅動 電路是由移位暫存器、緩衝電路及取樣電路構成。 首先,一個基膜(未顯示)形成於一玻璃基質1 0 1 上。此外,亦可使用石英基質。在此實施例中,以電漿 CVD形成一 3 Ο Ο 0A厚的氧化矽薄膜當成基膜。然後 以低壓熱CVD法形成5 Ο 0A厚的非晶矽膜(未顯示) 〇 結晶的矽膜可以以雷射光束照射非晶矽膜使之結晶而 得到。亦可用其它方法得到結晶矽膜。 此方法所得之結晶矽膜可製成圖樣1 0 2、由數字 1 0 3至1 0 5所指之圖樣、及由數字1 0 6至1 0 8所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -J · ;線. 584887 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 指之圖樣。圖樣10 2將成爲半 器1000。由數字103至1 周邊電路1 00 1中的薄膜電晶 1 0 6至1 0 8所指之圖樣將成 電路)1 002中的薄膜電晶體 此疊層隔離器爲特意在T F 件上之疊層突起。若疊層隔離器 住基質間隙的由隔離器而來的壓 。結果是,施加於薄膜電晶體上 線上的壓力可以減少^ 在此實施例中,假定所描述 形式。一般而言,周邊驅動電路 薄膜電晶體所構成的。另一方面 晶體亦可使用於圖素電路中。 在定圖樣半導體層後,形成 閘絕緣膜1 0 9上形成鋁膜(未 那裡擴展的閘極線)。在此實施 0. 18wt%的钪以濺鍍的方 膜。 以此形成的銘膜製成鋁圖樣 1 1 0爲一個鋁圖樣以構成疊層 周邊驅動電路中的薄膜電晶體的 圖素電路中的薄膜電晶體的閘電 接著,藉由陽極化形成1 0 導體圖樣以構成疊層隔離 0 5所指之圖樣將成爲在 體的主動層圖樣。由數字 爲在圖素電路(主動矩陣 的主動層圖樣。 T基質中形成的之所有元 位於周邊驅動電路中,握 力將集中於此薄隔離器上 及構成周邊驅動電路的接 的薄膜電晶體爲N—通道 是由N-通道及P—通道 ’ P—通道或N -通道電 閘絕緣膜109,然後在 顯示)以當成閘電極(從 例中,使用的鋁含有 式形成4000A厚的鋁 110至112。圖樣 隔離器。圖樣1 1 1爲在 閘電極。圖樣112爲在 極。 0 0A厚的陽極氧化膜 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再
頁 訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 8 584887 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6 ) 113至115,其中的鋁圖樣11 。因此,得到圖1的狀態。 氮化矽膜可用來取代陽極氧化膜 膜(電漿氧化膜)可藉由在氧化氣體 在圖1 A的狀況中,以電漿CV 3 0 〇 0A厚的氮化矽膜作爲第一中 見圖1 B )。 在接觸孔形成後’以濺鍍方式形 鋁膜置於鈦膜之間。 此三層金屬膜定圖樣圖樣117 汲極電極1 1 9、源極電極1 20及 樣117將成爲疊層隔離器的一部份 狀況。 之後,以旋轉被覆方式形成一 1 層1 1 2,特別是聚醯亞胺層,作爲 使用樹脂層1 1 2的好處爲它的表面 接著,以濺鍍方式形成3000 成圖樣124及125。圖樣124 疊層隔離器的一部份。圖樣1 2 5爲 它遮蔽在圖素電路中的薄膜電晶體免 然後,以旋轉被覆方式形成一 3 126,特別是聚醯亞胺層,做爲第 在接觸孔形成後,以濺鍍方式形 I TO膜於整個表面。I TO膜定圖 0至112作爲陽極 。更進一步的,氧化 中電漿處理而形成。 D的方式形成 間層絕緣膜1 1 6 ( 成多層金屬膜,其中 、源極電極1 1 8、 汲極電極121。圖 。因此得到圖1 B的 5000A厚的樹脂 第二中間層絕緣層。 可做得很平坦。 A厚的鈦膜並定圖樣 爲一鈦膜圖樣以成爲 一黑矩陣(B Μ ), 於受到光線照射。 0 0 0Α厚的樹脂層 三中間層絕緣層。 成1000Α厚的 樣成圖樣1 2 7及 請 先 閱 讀 背 Sr 之 注 意 事 項 再
頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 9 584887 A7 B7 五、發明說明(7 ) I TO圖素電極1 2 8。圖素電極1 2 8與汲極電極 1 2 1接觸。在圖素電極1 2 8與黑矩陣1 2 5共同擴展 的區域形成輔助電容。因此,得到圖1 D的情況。 在疊層隔離器部份中,I TO圖樣1 2 7留下當成虛 擬圖樣。這使得在整個基質結構中,疊層隔離器部份爲最 厚的。也就是說,疊層隔離器部份提供一突起,它比其它 在此區域的其它疊層元件來得寬。 接著,準備一相對的玻璃基質2 0 1 (或石英基質) 如圖2形成。一相對電極2 0 2及一方向膜2 0 3形成於 相對玻璃基質201上。 參考數字206,代表著密封構件,數字204及 2 0 5代表著在密封構件2 0 6中的隔離器。液晶2 0 7 被密封構件2 0 6密封於液晶單元中。 在圖2所示之結構中,由隔離器2 0 4及2 0 5所施 加的壓力集中於疊層隔離器上。這是由於在此特定區域中 疊層隔離器爲最高之突起。 在圖素電路中,由黑矩陣1 2 5與圖素電極1 2 8所 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 共同擴展的部份在高度上(厚度)等於疊層隔離器。然而 ,由於此共同擴展的區域只佔小區域且在圖素電路中的整 合度很低,由隔離器2 0 8所施加的壓力所導致的接線不 連接及T F T失效之可能性可忽略。 圖2的結構特別適用於避免在高度整和的周邊驅動電 路區域的線不連接及T F T s的運作失效。 如上所述,藉由提供在整合於周邊驅動電路的主動矩 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — -10 一 584887 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(8 ) 陣液晶顯示板中的疊層隔離器,此周邊驅動電路可免於由 密封構件中的隔離器所施加的壓力所造成的毀壞。 〔實施例2〕 此實施例是關 之外也可應用於整 電路。 稱爲$板上系 動電路整合的主動 中,多種的處理電 動電路整合於同一 的玻璃基質 在此結 )外的部份 件與多種的 及記憶電路 爲了達 器可提供給 電路及記憶 施加的壓力 上的方 構中也 所佔的 整合電 〇 到這種 此整合 電路的 所造成 於本發明除了可應用在周邊驅動電路上 合於同一基質上多樣的處理電路及記億 統'之構造,以於進步版本的與周邊驅 矩陣液晶顯示中板提出。在此新的結構 路、記憶電路及主動矩陣電路和周邊驅 基質上。此結構以整合多種功能於單一 法減小資訊處理單元所佔的面積。 需要減小除了圖素電路(主動矩陣電路 面積。這需要一種結構,它能將密封構 路重疊,此整合電路構成多種處理電路 要求,在實施例1中所描述的疊層隔離 電路,因此具高度整合構成多種的處理 整合電路可避免由密封構件的隔離器所 的毀損。 〔實施例3〕 根據本發明,與周邊驅動電路整合的主動矩陣液晶顯 示板可並用於多種裝置中。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再
I I 訂 -11- 584887 A7 B7 五、發明說明(9 ) 將本發明使用於與 顯示板中具極大的好處 電路皆具有高度的整合 圖3A顯示一數位 一種可處理動態畫面的 此裝置具有將C C )取得之訊號以電子的 合併於攝像部份2 0 0 2 0 0 1中之液晶顯示 此裝置利用操作鍵2 0 應用本發明至此裝 區可被縮小,這使得此 電路整合的主動矩陣液晶 這種顯示板中,周邊驅動 機,一種電子攝影機或是 稱爲a視訊電影"。 (或其它適合的影像工具 的功能,該CCD攝像機 置亦具有顯示由併在主體 3所採取之影像的功能。 〇 顯示板2 0 0 3的非顯示 小型化。 腦(資訊處理裝置)。在 104,該蓋2021連 關閉此裝置允許使用者藉 同計算的動作。 汽車駕駛系統(資訊處理 系統包含天線部份 2 3 0 1中併入一液晶顯 周邊驅動 ,因爲在 性。 靜態攝影 影像裝置 D攝像器 型態儲存 2。此裝 板2 0 0 0 4操作 置,液晶 裝置可被 式個人電 顯示板2 可打開及 或執行不 板使用於 汽車駕駛 1 ,主體 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再
重麵 頁 I 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3 蓋2 0 2 接到主體 由鍵盤輸 圖3 裝置)的 2 3 0 4 示板2 3 以操 制器(未 圖3 ,光線由 B顯示一可攜 1上有一液晶 2 1 0 1,以 入不同的資料 C顯平面顯示 一*個例子。此 及主體2 3 0 0 2。 作鍵2 3 0 3切換駕駛所需的不同資訊。遠端控 顯示)通常用來做不同的操作。 D顯示一影像投影顯示裝置的例子。如圖3 D中 排列於主體2 4 0 1中的光源2 4 0 2射出,經 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - 584887 A7 ----- B7 五、發明說明(10) 液晶顯示板2 4 0 3調節成一影像光。此影像經鏡面 2404及2405後反射投影在螢幕2406上。 圖3 E顯示視訊攝影機(影像裝置)的主體2 5 ◦ 1 提供一稱爲取景器之顯示裝置之例。 此取景器一般而言是由液晶顯示板2 5 0 2及顯示影 像的接目鏡單元2 5 0 3組成。 圖3 E的視訊攝影機以操作鍵2 5 0 4操作,影像記 錄在磁帶上,磁帶容納在磁帶保持器2 5 0 5中。由攝影 機所拍攝之圖像顯示在液晶顯示板2 5 0 2上。記錄在磁 帶上的影像顯示於顯示板2 5 0 2上。 圖3 E的視訊攝影機中,需要縮小的是除顯示區域( 圖素區域)外之液晶顯示板2 5 0 2部份的面積。因此利 用在實施例1中所敘述的架構具有極大的優點。 如上所述,可縮減的是除顯示區域(圖素區域)外在 與周邊驅動電路整合的主動矩陣液晶顯示電路板的面積。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即使在主動矩陣液晶顯示板中的非顯示區域的面積縮 小後’仍可以避免由密封構件所施加壓力所造成周邊驅動 電路的毀損。 附圖簡述: 圖1A至1D爲根據本發明的實施例1的主動矩陣 液晶顯示板的製造程序的截面圖。 圖2爲根據本發明的實施例1的主動矩陣液晶顯示板 的截面圖,和 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --- -13 - 584887 A7 _B7_ 五、發明說明(11) 圖3 A至3 E爲應用根據本發明的實施例3的主動矩 陣液晶顯示板的裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 14 -

Claims (1)

  1. 584887
    A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 附件1 第9 0 1 0 G 0 5 2號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年7月 修正 1. 一種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之第一區域上,該電路包含 至少一薄膜電晶體,一中間層絕緣膜包含一樹脂膜形成在 該薄膜電晶體上,和一圖素電極形成在該中間層絕緣膜上 一疊層隔離器形成在該基底之第二區域上; 一密封構件在該疊層隔離器上;和 至少一間隔在該疊層隔離器上且包括在該密封構件中 其中該疊層隔離器包含第一層,該第一層包含一閘電 極相同之材料。 2. 如申請專利範圍第1項之顯示板,其中該薄膜電晶 體爲頂閘型。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3. 如申請專利範圍第1項之顯示板,其中該顯示板安 裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提個 人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相機 所組成之群之一。 4. 一種主動矩陣型顯示板,包含: 路包含 形成在 緣膜上 一主動矩陣電路在一基底之第一區域上,該電 至少一薄膜電晶體,一中間層絕緣膜包含一樹脂膜 該薄膜電晶體上,.和一圖素電極形成在該中間層絕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 1 一 584887 A8 B8 C8 D8 ____ 六、申請專利範圍 一疊層隔離器形成在該基底之第二區域上; ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一密封構件在該疊層隔離器上;和 至少一間隔在該疊層隔離器上且包括在該密封構件中 其中該疊層隔離器包含第一層,該第一層包含和該樹 脂膜相同之材料。 5. 如申請專利範圍第4項之顯示板,其中該薄膜電晶 體爲頂閘型。 6. 如申請專利範圍第4項之顯示板,其中該顯示板安 裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提個 人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相機 所組成之群之一。 7. —種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之第一區域上,該電路包含 至少一薄膜電晶體,一中間層絕緣膜包含一樹脂膜形成在 該薄膜電晶體上,和一黑矩陣形成在該中間層絕緣膜上; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一疊層隔離器形成在該基底之第二區域上; 一密封構件在該疊層隔離器上;和 至少一間隔在該疊層隔離器上且包括在該密封構件中 , 其中該疊層隔離器包含第一層,該第一層包含和該黑 矩陣相同之材料。 _8 .如申請專利範圍第7項之顯示板,其中該黑矩陣包 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 584887 ABCD 六、申請專利範圍 含鈦。 9. 如申請專利範圍第7項之顯示板,其中該薄膜電晶 體爲頂閘型。 10. 如申請專利範圍第7項之顯示板,其中該顯示板 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 機所組成之群之一。 11. 一種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之第一區域上,該電路包含 至少一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一閘電極,一半導 體層,和一閘絕緣膜安插於其間, 一源極或汲極電極連接至該半導體層; 一疊層隔離器形成在該基底之第二區域上;和 一密封構件在該疊層隔離器上, 其中該疊層隔離器包含第一層,該第一層包含和該閘 電極相同的材料。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之顯示板,其中至少一間 隔包含在該密封構件中。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之顯示板,其中該閘電極 形成在該半導體層上。 14.如申請專利範圍第11項之顯示板,其中該源極電 極或汲極電極包含鈦和鋁之疊層構造。 1 5 .如申請.專利範圍第1 1項之顯示板,其中該顯示板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 一 3 一 ---------IA_^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l·訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---k 584887 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 機所組成之群之一。 16. —種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之第一區域上,該電路包含 至少一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一閘電極,一半導 體層,和一閘絕緣膜安插於其間, 一源極或汲極電極連接至該半導體層; 一疊層隔離器形成在該基底之第二區域上;和 一密封構件在該疊層隔離器上, 其中該疊層隔離器包含第一層,該第一層包含和該源 極或汲極電極相同之材料。 17. 如申請專利範圍第16項之顯示板,其中至少一間 隔包含在該密封構件中。 18. 如申請專利範圍第16項之顯示板,其中該閘電極 形成在該半導體層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19. 如申請專利範圍第16項之顯示板,其中該源極電 極或汲極電極包含鈦和鋁之疊層構造。 2 0 .如申請專利範圍第1 6項之顯示板,其中該顯示板 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 機所組成之群之一。 2 1.如申請專利範圍第11項之顯示板,其中該半導體 層包含結晶.砍。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公羡1 — -4 - 584887 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 22·如申請專利範圍第16項之顯示板,其中該半導體 層包含結晶矽。 ---------%1- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23· —種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之一區域上,該電路包含至 少一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一閘電極,一半導體 層’和一閘絕緣膜安插在其間; 一源極或汲極電連接至該半導體層; 一疊層隔離器器形成在該基底之第二區域上;和一密 封構件在該疊層隔離器器上, 其中該疊層隔離器器包含第一層,該第一層包含和該 閘電極相同的材料,和第二層,該第二層包含和該半導體 層相同的材料。 24·如申請專利範圍第23項之顯示板,其中至少一間 隔器包括在該密封構件中。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之顯示板,其中該閘電極 形成在該半導體層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 6.如申請專利範圍第23項之顯示板,其中該半導體 層包含結晶矽。 2 7·如申請專利範圍第23項之顯示板,其中該源極或 汲極電極包含鈦和鋁之疊層構造。 28.如申請專利範圍第23項之顯示板,其中該顯示板 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 __機所組成之群之.一。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -5 - 584887 A8 B8 C8 _____D8___ 六、申請專利範圍 29. —種主動矩陣型顯示板,包含: 一主動矩陣電路在一基底之一區域上,該電路包含至 少一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一閘電極,一半導體 層,和一閘絕緣膜安插在其間; 一源極或汲極電連接至該半導體層; 一疊層隔離器器形成在該基底之第二區域上;和 一密封構件在該疊層隔離器器上, 其中該疊層隔離器器包含第一層,該第一層包含和該 閘電極相同的材料,第二層,該第二層包含和該半導體層 相同的材料,和第三層,該第三層包含和該閘極絕緣膜相 同的材料。 30·如申請專利範圍第29項之顯示板,其中至少一間 隔器包括在該密封構件中。 3 1.如申請專利範圍第2 9項之顯示板,其中該閘電極 形成在該半導體層上。 3 2 ·如申請專利範圍第2 9項之顯示板,其中該半導體 層包含結晶砂。 33. 如申請專利範圍第29項之顯τκ板,其中該源極或 汲極電極包含鈦和鋁之疊層構造。 34. 如申請專利範圍第29項之顯示板,其中該顯示板 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 機所組成之群之一。 35,一種主.動矩陣型顯示板,包含: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' 一 6 一 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 584887 A8 B8 C8 ___ D8 _ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一主動矩陣電路在一基底之一區域上,該電路包含至 少一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一閘電極,一半導體 層’和一閘絕緣膜安插在其間; 一源極或汲極電連接至該半導體層; 一疊層隔離器器形成在該基底之第二區域上;和 一密封構件在該疊層隔離器器上, 其中該疊層隔離器器包含第一層,該第一層包含和該 閘電極相同的材料,第二層,該第二層包含和該半導體層 相同的材料,和第三層,該第三層包含和該源極或汲極電 極相同的材料。 36.如申請專利範圍第35項之顯示板,其中至少一間 隔器包括在該密封構件中。 3 7.如申請專利範圍第35項之顯示板,其中該閘電極 形成在該半導體層上。 38. 如申請專利範圍第35項之顯示板,其中該半導體 層包含結晶砂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 39. 如申請專利範圍第35項之顯示板,其中該源極或 汲極電極包含鈦和鋁之疊層構造。 40. 如申請專利範圍第35項之顯示板,其中該顯示板 安裝在選自由數位靜止相機,電子相機,視頻電影,手提 個人電腦,車輛導航系統,投影影像顯示裝置,和視頻相 機所組成之群之一。. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -7 一
TW090100052A 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel TW584887B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18563696A JP3640224B2 (ja) 1996-06-25 1996-06-25 液晶表示パネル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW584887B true TW584887B (en) 2004-04-21

Family

ID=16174246

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090100052A TW584887B (en) 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel
TW091117003A TWI250551B (en) 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel
TW093114147A TWI246675B (en) 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel
TW090224752U TW493798U (en) 1996-06-25 1997-06-17 Electronic device having liquid crystal panel

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091117003A TWI250551B (en) 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel
TW093114147A TWI246675B (en) 1996-06-25 1997-06-17 Active matrix type display panel
TW090224752U TW493798U (en) 1996-06-25 1997-06-17 Electronic device having liquid crystal panel

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6055034A (zh)
JP (1) JP3640224B2 (zh)
KR (2) KR100484609B1 (zh)
TW (4) TW584887B (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6011607A (en) * 1995-02-15 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Active matrix display with sealing material
JPH09171192A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方 法
JP3737176B2 (ja) * 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP4179483B2 (ja) * 1996-02-13 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US7298447B1 (en) * 1996-06-25 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
JP3640224B2 (ja) 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JPH10268360A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6927826B2 (en) * 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
EP0940797B1 (en) * 1997-08-21 2005-03-23 Seiko Epson Corporation Active matrix display
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH1197705A (ja) * 1997-09-23 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路
JP3907804B2 (ja) * 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TW556013B (en) 1998-01-30 2003-10-01 Seiko Epson Corp Electro-optical apparatus, method of producing the same and electronic apparatus
JPH11307782A (ja) 1998-04-24 1999-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2000105391A (ja) * 1998-07-30 2000-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置、及び、これを用いた受像装置と情報処理装置
US6372558B1 (en) * 1998-08-18 2002-04-16 Sony Corporation Electrooptic device, driving substrate for electrooptic device, and method of manufacturing the device and substrate
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW518650B (en) 1999-04-15 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and electronic equipment
JP4666723B2 (ja) * 1999-07-06 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7633471B2 (en) * 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP5183838B2 (ja) * 2000-05-12 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6476415B1 (en) * 2000-07-20 2002-11-05 Three-Five Systems, Inc. Wafer scale processing
US6582980B2 (en) 2001-01-30 2003-06-24 Eastman Kodak Company System for integrating digital control with common substrate display devices
SG102681A1 (en) * 2001-02-19 2004-03-26 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4634673B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-16 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3669351B2 (ja) * 2001-10-04 2005-07-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100473588B1 (ko) * 2001-12-28 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판
GB0205479D0 (en) * 2002-03-08 2002-04-24 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix display devices
JP4464078B2 (ja) 2003-06-20 2010-05-19 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
KR101034181B1 (ko) * 2003-08-21 2011-05-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100987721B1 (ko) * 2003-11-19 2010-10-13 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20060086176A (ko) * 2005-01-26 2006-07-31 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치및 그 제조 방법
KR101146533B1 (ko) * 2005-07-08 2012-05-25 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시패널
US7898632B2 (en) 2005-12-28 2011-03-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
TWI345652B (en) * 2006-12-01 2011-07-21 Chimei Innolux Corp Liquid crystal panel and method of manufacturing the same
KR101350709B1 (ko) * 2007-02-20 2014-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시기판의 제조 방법
US8619225B2 (en) * 2007-03-28 2013-12-31 Japan Display West Inc. Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
JP5305190B2 (ja) * 2007-06-21 2013-10-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9176353B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7738050B2 (en) * 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
TWI521292B (zh) * 2007-07-20 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP4623068B2 (ja) * 2007-09-12 2011-02-02 ソニー株式会社 表示パネル、表示パネルモジュール及び電子機器
JP2009075394A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びこれを備えた電子機器
JP5104156B2 (ja) * 2007-09-21 2012-12-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びこれを備えた電子機器
JP5409024B2 (ja) * 2008-02-15 2014-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI372282B (en) * 2008-08-25 2012-09-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
TWI485687B (zh) 2009-01-16 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置及其電子裝置
KR101628200B1 (ko) 2009-11-19 2016-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP5533121B2 (ja) * 2010-03-25 2014-06-25 カシオ計算機株式会社 トランジスタ装置及びこれを備える電子機器、並びにトランジスタ装置の製造方法
JP5489844B2 (ja) * 2010-04-27 2014-05-14 富士フイルム株式会社 電子装置
KR101300034B1 (ko) * 2010-10-18 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 이를 이용한 액정표시장치
JP5840873B2 (ja) 2011-06-14 2016-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ マザー基板
JP5998809B2 (ja) * 2012-09-28 2016-09-28 株式会社Jvcケンウッド 表示素子、及びその製造方法
KR102490881B1 (ko) * 2014-12-26 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170035368A (ko) * 2015-09-22 2017-03-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102607376B1 (ko) * 2018-07-03 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5885478A (ja) 1981-11-16 1983-05-21 ソニー株式会社 液晶表示装置
JPS60200228A (ja) 1984-03-24 1985-10-09 Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd 液晶表示装置用スペ−サ−
JP2678594B2 (ja) 1986-03-06 1997-11-17 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2502529B2 (ja) 1986-07-18 1996-05-29 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
JPS6418127A (en) 1987-07-13 1989-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd Production of cell for liquid crystal display element
JP2816982B2 (ja) 1989-03-16 1998-10-27 松下電子工業株式会社 液晶表示装置
EP0400953A3 (en) * 1989-05-31 1992-01-08 Seiko Epson Corporation Input device
JPH0324634A (ja) 1989-06-21 1991-02-01 Mitsubishi Electric Corp 二重系システム装置
US5148301A (en) * 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
JPH05127181A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子
JP2650543B2 (ja) * 1991-11-25 1997-09-03 カシオ計算機株式会社 マトリクス回路駆動装置
JPH05203966A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Seiko Instr Inc カラー液晶電気光学装置
JPH05243579A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Canon Inc 半導体装置
JP3386192B2 (ja) * 1992-07-10 2003-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
EP0603420B1 (en) 1992-07-15 2001-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display
JPH06138488A (ja) * 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
US5403762A (en) * 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
JP3175362B2 (ja) * 1992-12-17 2001-06-11 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH06186588A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPH06186580A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
US5537234A (en) * 1993-01-19 1996-07-16 Hughes Aircraft Company Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display
JPH06258661A (ja) * 1993-03-02 1994-09-16 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JP3413230B2 (ja) 1993-03-02 2003-06-03 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH06308505A (ja) * 1993-04-23 1994-11-04 Seiko Instr Inc 液晶電気光学装置
JPH06308510A (ja) 1993-04-27 1994-11-04 Sharp Corp 液晶表示パネル
JPH07335904A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜半導体集積回路
JP3402400B2 (ja) * 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
JPH0876145A (ja) 1994-09-02 1996-03-22 Canon Inc 液晶表示素子
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3086606B2 (ja) * 1994-11-14 2000-09-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
FR2727216B1 (fr) * 1994-11-18 1996-12-20 Asulab Sa Cellule electrique du type comprenant deux lames-supports paralleles, en matiere plastique, ecartees l'une de l'autre, portant des electrodes sur leurs faces
JPH08171086A (ja) * 1994-12-15 1996-07-02 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
US5684555A (en) * 1994-12-19 1997-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display panel
US5745202A (en) 1995-02-17 1998-04-28 Citizen Watch Co., Ltd. LCD having light interceptive members for shielding light from external driving circuits
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
JPH0990397A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
JP3737176B2 (ja) * 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3647542B2 (ja) 1996-02-20 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3640224B2 (ja) 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
TW493798U (en) 2002-07-01
KR100488310B1 (ko) 2005-05-11
KR980003757A (ko) 1998-03-30
TW200419523A (en) 2004-10-01
US6249333B1 (en) 2001-06-19
JPH1010578A (ja) 1998-01-16
TWI246675B (en) 2006-01-01
TWI250551B (en) 2006-03-01
JP3640224B2 (ja) 2005-04-20
US6055034A (en) 2000-04-25
KR100484609B1 (ko) 2005-09-02
US7142273B1 (en) 2006-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW584887B (en) Active matrix type display panel
US7667817B2 (en) Liquid crystal display panel
KR100702342B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TW519767B (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
TW589499B (en) Liquid crystal display device and a manufacturing method of the same
TW538270B (en) Semiconductor device, electro-optical device substrate, liquid crystal device substrate and manufacturing method therefor, liquid crystal device, and projection liquid crystal display device and electronic apparatus using the liquid crystal device
KR100553112B1 (ko) 반사형액정디스플레이패널및이것을이용한장치
US7655560B2 (en) Wiring board, manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100755228B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP2006267795A (ja) 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2000122039A (ja) 液晶表示装置
JP2702294B2 (ja) アクティブマトリクス基板
JP2005285976A (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びにこれを備えた電気光学装置及び電子機器
JP3792685B2 (ja) 液晶表示パネル
CN114464654A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
JP2010217245A (ja) 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法
JP3876583B2 (ja) 表示装置およびそれを用いた電子機器
JP2001183992A (ja) アクティブマトリクス基板とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2003195350A (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2005084508A (ja) 表示装置及び電子機器及び表示装置の製造方法
US20240145490A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP7447724B2 (ja) 電気光学装置、および電子機器
JP2000292805A (ja) 液晶表示装置
JP2005043804A (ja) 表示装置、アクティブマトリクス基板、及び電子機器
JP5380821B2 (ja) 液晶装置及び電子機器