JP2010217245A - 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 - Google Patents
電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010217245A JP2010217245A JP2009060734A JP2009060734A JP2010217245A JP 2010217245 A JP2010217245 A JP 2010217245A JP 2009060734 A JP2009060734 A JP 2009060734A JP 2009060734 A JP2009060734 A JP 2009060734A JP 2010217245 A JP2010217245 A JP 2010217245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- pad
- insulating film
- contact hole
- wirings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】電気的な接続部分の信頼性を低下させることなく、狭い領域内に多数のパッドを設けることのできる電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第1基板10の実装領域10eを構成するにあたって、互いに並列する複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)を構成する。各パッド列の第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153は各々、絶縁膜(第1絶縁膜131、第2絶縁膜132、第3絶縁膜133)によって絶縁分離された層間に形成された第1配線121、第2配線122および第3配線123にコンタクトホール(第1コンタクトホール141、第2コンタクトホール142、第3コンタクトホール143)を介して直接、接続されている。
【選択図】図3
【解決手段】第1基板10の実装領域10eを構成するにあたって、互いに並列する複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)を構成する。各パッド列の第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153は各々、絶縁膜(第1絶縁膜131、第2絶縁膜132、第3絶縁膜133)によって絶縁分離された層間に形成された第1配線121、第2配線122および第3配線123にコンタクトホール(第1コンタクトホール141、第2コンタクトホール142、第3コンタクトホール143)を介して直接、接続されている。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板上に配線やパッドが形成された電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として備えた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法に関するものである。
アクティブマトリクス型液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイなどの電気光学装置では、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。このため、電気光学装置に用いられる素子基板は、複数の配線やパッドが形成された電気的固体装置として構成される。
かかる素子基板の1辺には多数のパッドが1列に配列されており、かかるパッドを利用してフレキシブル配線基板の電気的な接続が行なわれる(例えば、特許文献1参照)。
電気光学装置においては、表示性能の向上を目的に、パッドの数が増加する傾向にあるが、その場合でも、素子基板の1辺の長さを長くすることはできない。また、素子基板では、画像表示領域の周りに存在する額縁領域が狭くなる傾向にあり、それに伴って、素子基板の1辺の長さが短くなってもパッドの数を減らすことはできない。このため、パッドについては、パッドの小型化や狭ピッチ化が図られているが、従来構造のままで、パッドの小型化や狭ピッチ化を行なうと、電気的な接続部分の信頼性が低下するという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気的な接続部分の信頼性を低下させることなく、狭い領域内に多数のパッドを設けることのできる電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として備えた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気的固体装置では、複数の第1配線、第1絶縁膜、複数の第2配線、第2絶縁膜、複数の第3配線および第3絶縁膜がこの順に積層された基板を有し、前記第3絶縁膜上には、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールを介して前記複数の第1配線のうち一の第1配線に接続する第1パッドと、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールを介して前記複数の第2配線のうち一の第2配線に接続する第2パッドと、前記第3絶縁膜を貫通する第3コンタクトホールを介して前記複数の第3配線のうち一の第3配線に接続する第3パッドと、を備え、複数の前記第1パッドは第1のパッド列を構成し、複数の前記第2パッドは第2のパッド列を構成し、複数の前記第3パッドは第3のパッド列を構成し、前記第1乃至第3のパッド列は互いに並列していることを特徴とする。
また、本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、基板上に複数の第1配線を形成する第1配線形成工程と、当該第1配線の上層に第1絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、当該第1絶縁膜の上層に複数の第2配線を形成する第2配線形成工程と、当該第2配線の上層に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、エッチング法を用いて、前記複数の第1配線のうち一の第1配線の一部と重なる領域に第1凹部を形成し、前記複数の第2配線のうち一の第2配線の一部と重なる領域に第2凹部を形成する凹部形成工程と、前記第2絶縁膜の上層に複数の第3配線を形成する第3配線形成工程と、当該第3配線の上層に第3絶縁膜を形成する第3絶縁膜形成工程と、エッチング法を用いて、前記第1凹部の底部で前記一の第1配線を露出させるとともに、前記複数の第3配線のうち一の第3配線の一部と重なる領域で前記一の第3配線を露出させることによって、底部で前記一の第1配線が露出する第1コンタクトホール、底部で前記一の第2配線が露出する第2コンタクトホール、および底部で前記一の第3配線が露出する第3コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記第3絶縁膜上に、前記第1コンタクトホールを介して前記一の第1配線に接続する第1パッド、前記第2コンタクトホールを介して前記一の第2配線に接続する第2パッド、および前記第3コンタクトホールを介して前記一の第3配線に接続する第3パッドを形成するパッド形成工程と、を有し、複数の前記第1パッドが第1パッド列を構成し、複数の前記第2パッドが第2パッド列を構成し、複数の前記第3パッドが第3パッド列を構成し、該第1乃至第3パッド列は互いに並列していることを特徴とする。
本発明では、パッド群では、互いに並列する複数列のパッド列が構成されているため、パッド同士の間隔を狭めなくても、あるいはパッドを小型化しなくても、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。それ故、電気的な接続部分の信頼性を低下させることなく、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。また、第1パッド、第2パッドおよび第3パッドは各々、絶縁膜によって絶縁分離された層間に形成された第1配線、第2配線および第3配線にコンタクトホールを介して直接、接続されている。このため、多層配線構造を採用するにあたって、下層側の第1配線と第1パッドとを電気的に接続する場合でも、第1絶縁膜上に中継電極を設ける必要がないので、第1絶縁膜上の第2配線については配線間に十分な間隔を確保することができる。また、中間の第2配線と第2パッドとを電気的に接続する場合でも、第2絶縁膜上に中継電極を設ける必要がないので、第2絶縁膜上の第3配線については配線間に十分な間隔を確保することができる。それ故、配線間の短絡が発生しないなど、電気的な信頼性を向上させることができる。
本発明において、前記第1乃至第3のパッド列において、互いに隣り合う2つのパッド列では、一方のパッド列に属する複数のパッドが、他方のパッド列に属する複数のパッドに対して該一方のパッド列の延在方向にずれるように設けられていることが好ましい。このように構成した場合、パッド間に十分な間隔を確保しながら、パッドを最密に配置することができる。
本発明において、前記第1パッド列、前記第2パッド列、および前記第3パッド列がこの順に並んでいることが好ましい。かかる構成を採用すれば、第2配線や第3配線を引き回す領域に第1コンタクトホールを設ける必要がなく、第3配線を引き回す領域に第2コンタクトホールを設ける必要がない。それ故、パッド近傍では、第1配線、第2配線および第3配線を略直線的に引き回せばよいなど、配線のレイアウトを簡素化することができる。
本発明では、前記一の第3配線と前記第3絶縁膜との間には、前記第3コンタクトホールを形成する際のエッチングに対する耐性が前記第3絶縁膜よりも高い保護層が形成されていることが好ましい。すなわち、本発明に係る電気的固体装置の製造方法において、前記第3配線形成工程の後、前記第3絶縁膜形成工程を行なう前に、前記コンタクトホール形成工程で行なうエッチングに対する耐性が前記第3絶縁膜よりも高い保護層を前記第3配線の上層に形成する保護層形成工程を行なうことが好ましい。かかる構成によれば、第1コンタクトホールをエッチングにより貫通させる間に、第1配線が腐食するのを保護層で防止することができる。
本発明においては、前記第1パッド、前記第2パッドおよび前記第3パッドには、例えば配線基板が接続される。
本発明に係る電気的固体装置の製造方法において、前記凹部形成工程では、前記第1凹部の底部で前記一の第1配線が露出する前にエッチングを停止することが好ましい。このように構成すると、第3配線をパターニングする際のエッチングで、第1配線が腐食することを防止することができる。
本発明を適用した電気的固体装置は、例えば、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置などといった電気光学装置の素子基板として構成される。この場合、前記電気的固体装置(素子基板)には、前記基板上に画素電極および画素トランジスターなどが形成される。
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピューターなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した液晶装置(電気光学装置)は、投射型表示装置のライトバルブとして用いることもできる。
以下、本発明の実施の形態として、本発明に係る電気的固体装置として、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置に用いる素子基板を例に説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスターでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
[実施の形態1]
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置(液晶装置)に用いた第1基板(素子基板/電気的固体装置)の電気的な構成を示す等価回路図である。図2(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置(液晶装置)に用いた第1基板(素子基板/電気的固体装置)の電気的な構成を示す等価回路図である。図2(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図1に示すように、本形態の電気光学装置100は液晶装置であり、後述する第1基板10(素子基板/電気的固体装置)において、画素領域10bには複数の画素100aがマトリクス状に形成されている。複数の画素100aの各々には、画素電極9a、および画素電極9aを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスター30a(画素トランジスター)が形成されている。また、第1基板10には、画素領域10bの外側にデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されている。データ線駆動回路101から延びたデータ線6aは、薄膜トランジスター30aのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路101は、データ線6aに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路104から延びた走査線3aは、薄膜トランジスター30aのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路104は、走査線3aに走査信号を線順次で供給する。画素電極9aは、薄膜トランジスター30aのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置100では、薄膜トランジスター30aを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画像信号を各画素100aの液晶容量50aに所定のタイミングで書き込む。
液晶容量50aに書き込まれた所定レベルの画像信号は、第1基板10に形成された画素電極9aと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極9aと共通電極との間には保持容量60が形成されており、画素電極9aの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置100が実現される。本形態では、保持容量60を構成するにあたって、走査線3aと並行するように容量線3bが形成されているが、前段の走査線3aとの間に保持容量60が形成される場合もある。
図2(a)、(b)において、本形態の電気光学装置100において、素子基板としての第1基板10の上には、シール部90が矩形枠状に設けられており、シール部90によって、対向基板としての第2基板20と、第1基板10とが貼り合わされている。第2基板20とシール部90とは略同一の輪郭を備えており、シール部90で囲まれた領域内に液晶層50が保持されている。液晶層50は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、シール部90の角部分には第1基板10と第2基板20との間で電気的な接続を行なうための基板間導通部109が配置されている。また、シール部90は一部が途切れており、かかる途切れ部分を利用して、シール部90で囲まれた領域内に液晶が充填された後、途切れ部分は封止材107で塞がれる。また、第1基板10において、シール部90の外側領域には、データ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されており、かかる駆動回路は、半導体プロセスを利用して画素スイッチング用の薄膜トランジスター30aと同時形成されてなる。
ここで、第1基板10は、第2基板20より大きく、第2基板20の基板縁から張り出す張り出し領域11を備えている。かかる張り出し領域11には、データ線駆動回路101が形成されているとともに、第1基板10と外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板150を実装する実装領域10eが基板縁10aに沿って形成されており、データ線駆動回路101および走査線駆動回路104から実装領域10eに向けては多数の配線12が形成されている。かかる実装領域10e等の詳細な構成は後述する。
第1基板10には、画素電極9aがマトリクス状に形成されている。これに対して、第2基板20には、シール部90の内側領域に遮光性材料からなる額縁23bが形成され、その内側が画像表示領域10aとされている。第2基板20には共通電極21などが形成されている。なお、フリンジフィールドスイッチング(FFS(Fringe Field Switching))モードの液晶装置の場合、共通電極は、画素電極9aと同様、第1基板10上に形成される。
このように構成した電気光学装置100において、画像表示領域10aは、図1を参照して説明した画素領域10bと重なる領域であるが、画素領域10bの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域10bのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域10aが構成される。
(実装領域10eの構成)
図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10の実装領域10eの説明図であり、図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)は各々、実装領域10eに形成したパッドの平面図、A−A′断面を模式的に示す説明図、第1配線の平面図、第2配線の平面図、第3配線の平面図である。なお、以下の説明では、第1基板10の基板面上で交差する2方向をX方向およびY方向とし、第1基板10の基板縁10aに沿う方向をX方向として説明する。なお、図3(a)、(c)、(d)、(e)において、第1パッドには○内に数字「1」を付し、第2パッドには○内に数字「2」を付し、第3パッドには○内に数字「3」を付してある。
図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10の実装領域10eの説明図であり、図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)は各々、実装領域10eに形成したパッドの平面図、A−A′断面を模式的に示す説明図、第1配線の平面図、第2配線の平面図、第3配線の平面図である。なお、以下の説明では、第1基板10の基板面上で交差する2方向をX方向およびY方向とし、第1基板10の基板縁10aに沿う方向をX方向として説明する。なお、図3(a)、(c)、(d)、(e)において、第1パッドには○内に数字「1」を付し、第2パッドには○内に数字「2」を付し、第3パッドには○内に数字「3」を付してある。
図1および図2に示すように、本形態の電気光学装置100において、データ線駆動回路101および走査線駆動回路104から画像信号および走査信号を出力するには、第1基板10の実装領域10eにフレキシブル配線基板150を実装し、フレキシブル配線基板150を介して外部からデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104に信号や定電位を供給する必要がある。
そこで、本形態では、図3に示すように、第1基板10の実装領域10eでは、複数のパッドによって、基板縁10aに沿って延在する3列の第1パッド列161、第2パッド列162および第3パッド列163を構成し、これらの各列に複数の第1パッド151、複数の第2パッド152、複数の第3パッド153を等ピッチで配置してある。
ここで、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153はいずれも、円形の平面形状を備えており、かつ、そのサイズは等しい。
また、図3(a)に示したように、複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)において、Y方向で互いに隣り合う2つのパッド列では、一のパッド列に属する複数のパッドが他方のパッド列に属する複数のパッドに対してパッド列の延在方向(X方向)にずれている。より具体的には、基板縁10aに最も近接する第1パッド列161と、第2パッド列162との間では、第1パッド151の位置と第2パッド152の位置が、Y方向に見た時、第1パッド151同士の中心間距離の半分だけX方向に互いにずれている。また、第2パッド列162と、基板縁10aから最も離れた第3パッド列163との間では、第2パッド152の位置と第3パッド153の位置が第1パッド151同士の中心間距離の半分だけずれている。
また、第1パッド151同士の中心間距離、第2パッド152同士の中心間距離、第3パッド153同士の中心間距離、第1パッド151と第2パッド152の中心間距離、および第2パッド152と第3パッド153の中心間距離は同一である。このため、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153は最密に配置されている。
かかる構成を実現するにあたって、第1基板10は、基板本体10dの一方の面に、第1配線121、第1絶縁膜131、第2配線122、第2絶縁膜132、第3配線123および第3絶縁膜133が順に積層された構造としてある。ここで、第1配線121、第1絶縁膜131、第2配線122、第2絶縁膜132、第3配線123および第3絶縁膜133は、第1基板10上において画素領域10bに薄膜トランジスター30aや配線などを構成するための層と同時形成された層である。
また、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153はいずれも、第3絶縁膜133上に形成されている。本形態において、第1パッド151は、第1絶縁膜131、第2絶縁膜132および第3絶縁膜133を貫通する第1コンタクトホール141を介して最下層の第1配線121の端部付近に接続している。第2パッド152は、第2絶縁膜132および第3絶縁膜133を貫通する第2コンタクトホール142を介して中間層の第2配線122の端部付近に接続している。第3パッド153は、第3絶縁膜133を貫通する第3コンタクトホール143を介して最上層の第3配線123の端部付近に接続している。
ここで、第1配線121、第2配線122、および第3配線123はいずれも、基板縁10aから離れた領域から実装領域10eに向けて延在しており、実装領域10eおよびその周辺では互いに平行に延在している。また、第1配線121と第3配線123は平面視で重なる位置で延在し、それらの間と平面視で重なる位置で第2配線122が延在している。また、基板縁10aに近接する位置から離れる位置に向かって、第1パッド列161、第2パッド列162および第3パッド列163の順に配置されている。このため、第3配線123の延在領域には、第3配線123より深くまで形成された第1コンタクトホール141および第2コンタクトホール142が存在しないため、第3配線123を直線的に延在させることができる。また、第2配線122の延在領域には、第2配線122より深くまで形成された第1コンタクトホール141が存在しないため、第2配線122を直線的に延在させることができる。
(第1基板10の製造方法)
図4を参照して、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の製造工程のうち、実装領域10eを形成する工程を説明する。図4は、本発明の実施の形態1に係る第1基板10の製造方法を示す工程断面図である。
図4を参照して、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の製造工程のうち、実装領域10eを形成する工程を説明する。図4は、本発明の実施の形態1に係る第1基板10の製造方法を示す工程断面図である。
本形態の第1基板10を製造するには、まず、図4(a)に示す第1配線形成工程では、第1基板10の基板本体10dの一方の面に直接、あるいは基板本体10dに形成した下地絶縁膜(図示せず)の表面に、スパッタ法やCVD法などにより、金属膜、金属シリサイド膜、ドープトシリコン膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、第1配線121を形成する。
次に、図4(b)に示す第1絶縁膜形成工程では、CVD法などにより、第1配線121の上層側にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる第1絶縁膜131を形成する。
次に、図4(c)に示す第2配線形成工程では、第1絶縁膜131の上層に、スパッタ法やCVD法などにより、金属膜、金属シリサイド膜、ドープトシリコン膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、第2配線122を形成する。
次に、図4(d)に示す第2絶縁膜形成工程では、CVD法などにより、第2配線122の上層側にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる第2絶縁膜132を形成する。
次に、図4(e)に示す凹部形成工程では、レジストマスク191を形成した状態でエッチングを行い、第2絶縁膜132において第1配線121の一部と重なる領域には第1凹部146を形成し、第2配線122の一部と重なる領域には第2凹部147を形成する。その際、第2凹部147の底部では第2配線122の表面を露出させるが、第1凹部146の底部で第1配線121の表面が露出する前にエッチングを停止する。また、第2凹部147の底部で第2配線122の表面が露出する前にエッチングを停止させてもよく、この場合も、第1凹部146の底部で第1配線121の表面が露出する前にエッチングを停止することになる。
次に、図4(f)に示す第3配線形成工程では、第2絶縁膜132の上層に、スパッタ法やCVD法などにより、金属膜、金属シリサイド膜、ドープトシリコン膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、第3配線123を形成する。
次に、図4(g)に示す第3絶縁膜形成工程では、CVD法などにより、第3配線123の上層側にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる第3絶縁膜133を形成する。
次に、図4(h)に示すコンタクトホール形成工程では、レジストマスク192を形成して、第3絶縁膜133の表面から、第3配線123の一部と重なる領域と第1凹部146と重なる領域と第2凹部147と重なる領域とをエッチングする。その結果、底部で第1配線121が露出する第1コンタクトホール141、底部で第2配線122が露出する第2コンタクトホール142、および底部で第3配線123が露出する第3コンタクトホール143が形成される。
次に、パッド形成工程では、スパッタ法やCVD法などにより、第3絶縁膜133の上層にITO膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、図3(b)に示すように、第1パッド151、第2パッド152、および第3パッド153を形成する。
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の第1基板10(素子基板)では、実装領域10eに、互いに並列する複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)が構成されているため、パッド同士の間隔を狭めなくても、あるいは、パッドを小型化しなくても、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。それ故、電気的な接続部分の信頼性を低下させることなく、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。
以上説明したように、本形態の第1基板10(素子基板)では、実装領域10eに、互いに並列する複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)が構成されているため、パッド同士の間隔を狭めなくても、あるいは、パッドを小型化しなくても、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。それ故、電気的な接続部分の信頼性を低下させることなく、狭い領域内に多数のパッドを設けることができる。
また、パッド群を構成する第1パッド151、第2パッド152、および第3パッド153は各々、絶縁膜(第1絶縁膜131、第2絶縁膜132)によって絶縁分離された層間に形成された第1配線121、第2配線122および第3配線123にコンタクトホール(第1コンタクトホール141、第2コンタクトホール142、第3コンタクトホール143)を介して直接、接続されている。このため、多層配線構造を採用するにあたって、下層側の第1配線121と第1パッド151とを電気的に接続する場合でも、第1絶縁膜131上に中継電極を設ける必要がないので、第1絶縁膜131上の第2配線122については配線間に十分な間隔を確保することができる。また、中間の第2配線122と第2パッド152とを電気的に接続する場合でも、第2絶縁膜132上に中継電極を設ける必要がないので、第2絶縁膜132上の第3配線123については配線間に十分な間隔を確保することができる。それ故、配線間の短絡が発生しないなど、電気的な信頼性を向上させることができる。
また、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153はいずれも、同一サイズの円形形状を備え、かつ、複数列のパッド列(第1パッド列161、第2パッド列162、第3パッド列163)において、Y方向で互いに隣り合う2つのパッド列では、一のパッド列に属する複数のパッドが他方のパッド列に属する複数のパッドに対してパッド列の延在方向(X方向)に半ピッチだけずれている。従って、第1パッド151同士の中心間距離、第2パッド152同士の中心間距離、第3パッド153同士の中心間距離、第1パッド151と第2パッド152の中心間距離、および第2パッド152と第3パッド153の中心間距離を同一とすることができる。このため、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153を最密に配置することができる。
また、第1パッド列161には第1パッド151のみが配列し、第2パッド列162には第2パッド152のみが配列し、第3パッド列163には第3パッド153のみが配列している。しかも、基板縁10aに近接する位置から離れる位置に向かって、第1パッド列161、第2パッド列162および第3パッド列163の順に配置されている。このため、第3配線123の延在領域には、第3配線123より深くまで形成された第1コンタクトホール141および第2コンタクトホール142が存在せず、第2配線122の延在領域には、第2配線122より深くまで形成された第1コンタクトホール141が存在しない。このため、第2配線122および第3配線123を直線的に延在させることができるなど、配線のレイアウトの自由が高い。
さらに、図4(e)に示す凹部形成工程では、第1凹部146の底部で第1配線121が露出する前にエッチングを停止させている。このため、第3配線123をパターニングする際のエッチングで、第1配線121が腐食することを防止することができる。かかる観点からすれば、図4(e)に示す凹部形成工程では、第2凹部147の底部で第2配線122が露出する前にエッチングを停止させることが好ましい。かかる構成によれば、第3配線123をパターニングする際のエッチングで、第2配線122が腐食することも防止することができる。
[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の実装領域10eの説明図である。
図5は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の実装領域10eの説明図である。
図4(h)を参照して説明したコンタクトホール形成工程では、第3コンタクトホール143の底部で第3配線123が露出した時点で、第1配線121はまだ厚い絶縁膜で覆われている。このため、第1コンタクトホール141の底部が第1配線121の表面に到達するまでの間に第3配線123が腐食してしまうおそれがある。そこで、本形態では、図5を参照して以下に説明するように、第3配線123を形成した後、第3絶縁膜133を形成する前に、コンタクトホール形成工程で行なうエッチングに対する耐性が第3絶縁膜133よりも高い保護層160を形成する。
本形態では、図5(a)に示すように、実施の形態1と同様な工程により、第1配線121、第1絶縁膜131、第2配線122、第2絶縁膜132を形成した後、図5(b)に示す凹部形成工程においては、レジストマスク191を形成して、第2絶縁膜132において第1配線121の一部と重なる領域には第1凹部146を形成し、第2配線122の一部と重なる領域には第2凹部147を形成する。
次に、図5(c)に示す第3配線形成工程では、第2絶縁膜132の上層に、スパッタ法やCVD法などにより、金属膜、金属シリサイド膜、ドープトシリコン膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、第3配線123を形成する。
次に、保護膜形成工程において、第3配線123の上に保護層160を形成する。具体的には、保護層160を全面に形成した後、エッチングを行い、第3配線123の上層のみに保護層160を残す。かかる保護層160としては、コンタクトホール形成工程で行なうエッチングに対する耐性が第3絶縁膜133よりも高ければよい。例えば、第3絶縁膜133がシリコン酸化膜であれば、保護層160としてシリコン窒化膜を形成してもよい。なお、保護層160としては絶縁膜に限らず、導電膜を用いてもよい。
次に、図5(d)に示す第3絶縁膜形成工程では、CVD法などにより、第3配線123の上層側にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる第3絶縁膜133を形成する。
次に、図5(e)に示すコンタクトホール形成工程では、レジストマスク192を形成して、第3絶縁膜133の表面から、第3配線123の一部と重なる領域と第1凹部146と重なる領域と第2凹部147と重なる領域とをエッチングする。その結果、底部で第1配線121が露出する第1コンタクトホール141、底部で第2配線122が露出する第2コンタクトホール142、および底部で第3配線123が露出する第3コンタクトホール143が形成される。かかるコンタクトホール形成工程では、第1コンタクトホール141が第1配線121の表面に到達するまでの間に第3配線123が腐食してしまうおそれがあるが、かかる腐食を保護層160で防止することができる。なお、保護層160として絶縁層を形成した場合、コンタクトホール形成工程だけでは、第3コンタクトホール143の底部から保護層160を除去できないときは、別途、保護層160を除去するためのエッチング工程を行なってもよい。
次に、図5(f)に示すパッド形成工程では、スパッタ法やCVD法などにより、第3絶縁膜133の上層にITO膜などの導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電膜を所定形状にエッチングし、第1パッド151、第2パッド152、および第3パッド153を形成する。
かかる方法で製造した第1基板10(素子基板)では、第3配線123の表面において第3コンタクトホール143の底部に隣接する領域には保護層160が残ることになる。なお、第1コンタクトホール141が第1配線121の表面に到達するまでの間には、第3配線123と同様、第2配線122も腐食するおそれがある。かかる腐食を防止するには、第3配線123と同様、第2配線122を形成した後、第2絶縁膜132を形成する前に、第2配線122の上層に保護層を形成すればよい。
[実施の形態3]
図6は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の実装領域10eを実施の形態1、2と比較して示す説明図であり、図6(a)、(b)は、本発明の実施の形態1、2に係る構成の説明図、および実施の形態3に係る構成の説明図である。
図6は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100に用いた第1基板10の実装領域10eを実施の形態1、2と比較して示す説明図であり、図6(a)、(b)は、本発明の実施の形態1、2に係る構成の説明図、および実施の形態3に係る構成の説明図である。
上記実施の形態1、2では、図6(a)に示すように、同一サイズの円形形状を有する第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153を採用した。また、上記実施の形態1では、第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153は、複数列のパッド列において、Y方向で互いに隣り合う2つのパッド列では、パッド列の延在方向(X方向)に互いに半ピッチだけずれている構成を採用した。
但し、本発明では、図6(b)に示すように、同一サイズの正方形形状を有する第1パッド151、第2パッド152および第3パッド153をX方向およびY方向に重なるように配置してもよい。
かかる構成を比較すると、以下に説明するように、図6(a)に示す構成の方がパッドを密に配置できる。まず、図6(a)、(b)に示すように、隣接するパッド間に寸法sの隙間を確保しながら計9個のパッドを配置する場合、図6(a)に示す構成では、実装領域10eのY方向における幅寸法は、下式
(1+√3)w+(√3)s
w;パッドの直径
で与えられる。これに対して、図6(b)に示す構成では、実装領域10eのY方向における幅寸法は、下式
3w+2s
w;パッドの辺の長さ
となる。それ故、図6(a)に示す構成の方がパッドを密に配置できることになる。
(1+√3)w+(√3)s
w;パッドの直径
で与えられる。これに対して、図6(b)に示す構成では、実装領域10eのY方向における幅寸法は、下式
3w+2s
w;パッドの辺の長さ
となる。それ故、図6(a)に示す構成の方がパッドを密に配置できることになる。
[他の実施の形態]
上記実施の形態では、電気光学装置100として液晶装置を例示したが、有機EL装置に用いる素子基板の実装領域に対して本発明を適用してもよい。また、本発明は、電気光学装置の素子基板に限らず、基板上にパッドを備えた電気的固体装置全般に適用することができる。
上記実施の形態では、電気光学装置100として液晶装置を例示したが、有機EL装置に用いる素子基板の実装領域に対して本発明を適用してもよい。また、本発明は、電気光学装置の素子基板に限らず、基板上にパッドを備えた電気的固体装置全般に適用することができる。
[電子機器への搭載例]
次に、図7を参照して、上述した電気光学装置100を搭載した電子機器について説明する。図7は、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
次に、図7を参照して、上述した電気光学装置100を搭載した電子機器について説明する。図7は、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
図7(a)に、電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター2000は、表示ユニットとしての電気光学装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図7(b)に、電気光学装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置100に表示される画面がスクロールされる。図7(c)に、電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置100に表示される。なお、電気光学装置100が適用される電子機器としては、図7(a)〜(c)に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置100が適用可能である。
次に、図7(d)を参照して、本発明に係る電気光学装置100(液晶装置)をプロジェクター(投射型表示装置)の液晶ライトバルブに採用した例について図面を参照して説明する。図7(d)は、プロジェクターの概略構成図である。プロジェクター1110は、観察者側に設けられたスクリーン1111に光を照射し、このスクリーン1111で反射した光を観察する、いわゆる投影型のプロジェクターである。そして、プロジェクター1110は、光源1112と、ダイクロイックミラー1113、1114と、液晶ライトバルブ1115〜1117(電気光学装置100)と、投射光学系1118と、クロスダイクロイックプリズム1119と、リレー系1120とを備えている。
光源1112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー1113は、光源1112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー1114は、ダイクロイックミラー1113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー1113、1114は、光源1112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー1113と光源1112との間には、インテグレーター1121及び偏光変換素子1122が光源1112から順に配置されている。インテグレーター1121は、光源1112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子1122は、光源1112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
液晶ライトバルブ1115は、ダイクロイックミラー1113を透過して反射ミラー1123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置(電気光学装置)である。液晶ライトバルブ1115は、λ/2位相差板1115a、第1偏光板1115b、液晶パネル1115c及び第2偏光板1115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ1115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー1113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板1115aは、液晶ライトバルブ1115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板1115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル1115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板1115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ1115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム1119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板1115a及び第1偏光板1115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板1115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板1115a及び第1偏光板1115bが発熱によって歪むのを回避することができる。
液晶ライトバルブ1116は、ダイクロイックミラー1113で反射した後にダイクロイックミラー1114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ1116は、液晶ライトバルブ1115と同様に、第1偏光板1116b、液晶パネル1116c及び第2偏光板1116dを備えている。液晶ライトバルブ1116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー1113、1114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板1116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル1116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。そして、第2偏光板1116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ1116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム1119に向けて射出する構成となっている。
液晶ライトバルブ1117は、ダイクロイックミラー1113で反射し、ダイクロイックミラー1114を透過した後でリレー系1120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ1117は、液晶ライトバルブ1115、1116と同様に、λ/2位相差板1117a、第1偏光板1117b、液晶パネル1117c及び第2偏光板1117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ1117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー1113で反射してダイクロイックミラー1114を透過した後にリレー系1120の後述する2つの反射ミラー1125a、1125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板1117aは、液晶ライトバルブ1117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板1117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル1117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板1117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ1117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム1119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板1117a及び第1偏光板1117bは、ガラス板1117eに接した状態で配置されている。
リレー系1120は、リレーレンズ1124a、1124bと反射ミラー1125a、1125bとを備えている。リレーレンズ1124a、1124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ1124aは、ダイクロイックミラー1114と反射ミラー1125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ1124bは、反射ミラー1125a、1125bの間に配置されている。反射ミラー1125aは、ダイクロイックミラー1114を透過してリレーレンズ1124aから出射した青色光をリレーレンズ1124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー1125bは、リレーレンズ1124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ1117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム1119は、2つのダイクロイック膜1119a、1119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜1119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜1119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム1119は、液晶ライトバルブ1115〜1117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系1118に向けて射出するように構成されている。
なお、液晶ライトバルブ1115、1117からクロスダイクロイックプリズム1119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ1116からクロスダイクロイックプリズム1119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム1119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム1119において各液晶ライトバルブ1115〜1117から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜1119a、1119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜1119a、1119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜1119a、1119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系1118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム1119で合成された光をスクリーン1111に投射するように構成されている。
10・・第1基板(素子基板/電気的固体装置)、10e・・実装領域、150・・フレキシブル配線基板(実装部品)、20・・第2基板、100・・電気光学装置、121・・第1配線、122・・第2配線、123・・第3配線、131・・第1絶縁膜、132・・第2絶縁膜、133・・第3絶縁膜、141・・第1コンタクトホール、142・・第2コンタクトホール、143・・第3コンタクトホール、146・・第1凹部、147・・第2凹部、151・・第1パッド、152・・第2パッド、153・・第3パッド、160・・保護層、161・・第1パッド列、162・・第2パッド列、163・・第3パッド列
Claims (9)
- 複数の第1配線、第1絶縁膜、複数の第2配線、第2絶縁膜、複数の第3配線および第3絶縁膜がこの順に積層された基板を有し、
前記第3絶縁膜上には、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールを介して前記複数の第1配線のうち一の第1配線に接続する第1パッドと、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールを介して前記複数の第2配線のうち一の第2配線に接続する第2パッドと、前記第3絶縁膜を貫通する第3コンタクトホールを介して前記複数の第3配線のうち一の第3配線に接続する第3パッドと、を備え、
複数の前記第1パッドは第1のパッド列を構成し、複数の前記第2パッドは第2のパッド列を構成し、複数の前記第3パッドは第3のパッド列を構成し、
前記第1乃至第3のパッド列は互いに並列していることを特徴とする電気的固体装置。 - 前記第1パッド、前記第2パッドおよび前記第3パッドはいずれも、円形の平面形状を備え、
前記第1乃至第3のパッド列において、互いに隣り合う2つのパッド列では、一方のパッド列に属する複数のパッドが、他方のパッド列に属する複数のパッドに対して該一方のパッド列の延在方向にずれるように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電気的固体装置。 - 前記第1パッド列、前記第2パッド列、および前記第3パッド列がこの順に並んでいることを特徴とする請求項1または2に記載の電気的固体装置。
- 前記一の第3配線と前記第3絶縁膜との間には、前記第3コンタクトホールを形成する際のエッチングに対する耐性が前記第3絶縁膜よりも高い保護層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気的固体装置。
- 前記第1パッド、前記第2パッドおよび前記第3パッドには、配線基板が接続されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気的固体装置。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気的固体装置を備えた電気光学装置であって、
前記電気的固体装置は、前記基板上に画素電極および画素トランジスターを備えた電気光学装置用の素子基板であることを特徴とする電気光学装置。 - 基板上に複数の第1配線を形成する第1配線形成工程と、
当該第1配線の上層に第1絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、
当該第1絶縁膜の上層に複数の第2配線を形成する第2配線形成工程と、
当該第2配線の上層に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、
エッチング法を用いて、前記複数の第1配線のうち一の第1配線の一部と重なる領域に第1凹部を形成し、前記複数の第2配線のうち一の第2配線の一部と重なる領域に第2凹部を形成する凹部形成工程と、
前記第2絶縁膜の上層に複数の第3配線を形成する第3配線形成工程と、
当該第3配線の上層に第3絶縁膜を形成する第3絶縁膜形成工程と、
エッチング法を用いて、前記第1凹部の底部で前記一の第1配線を露出させるとともに、前記複数の第3配線のうち一の第3配線の一部と重なる領域で前記一の第3配線を露出させることによって、底部で前記一の第1配線が露出する第1コンタクトホール、底部で前記一の第2配線が露出する第2コンタクトホール、および底部で前記一の第3配線が露出する第3コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記第3絶縁膜上に、前記第1コンタクトホールを介して前記一の第1配線に接続する第1パッド、前記第2コンタクトホールを介して前記一の第2配線に接続する第2パッド、および前記第3コンタクトホールを介して前記一の第3配線に接続する第3パッドを形成するパッド形成工程と、
を有し、
複数の前記第1パッドが第1パッド列を構成し、複数の前記第2パッドが第2パッド列を構成し、複数の前記第3パッドが第3パッド列を構成し、該第1乃至第3パッド列は互いに並列していることを特徴とする電気的固体装置の製造方法。 - 前記凹部形成工程では、前記第1凹部の底部で前記一の第1配線が露出する前にエッチングを停止することを特徴とする請求項7に記載の電気的固体装置の製造方法。
- 前記第3配線形成工程の後、前記第3絶縁膜形成工程を行なう前に、前記コンタクトホール形成工程で行なうエッチングに対する耐性が前記第3絶縁膜よりも高い保護層を前記複数の第3配線の上層に形成する保護層形成工程を行なうことを特徴とする請求項7または8に記載の電気的固体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009060734A JP2010217245A (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009060734A JP2010217245A (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010217245A true JP2010217245A (ja) | 2010-09-30 |
Family
ID=42976216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009060734A Withdrawn JP2010217245A (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010217245A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012203056A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
CN106444199A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
US11930674B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-03-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus |
-
2009
- 2009-03-13 JP JP2009060734A patent/JP2010217245A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012203056A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
CN106444199A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
US11930674B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-03-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5834705B2 (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
JP5125632B2 (ja) | 実装構造体および電気光学装置 | |
JP5786601B2 (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
US11598988B2 (en) | Substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP2013080040A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
US8223093B2 (en) | Electro-optical device, electronic apparatus, and projection display | |
JP2009122410A (ja) | 電気光学装置 | |
JP2013213899A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP6696539B2 (ja) | 電気光学装置、電子機器 | |
JP5948777B2 (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2010217245A (ja) | 電気的固体装置、電気光学装置および電気的固体装置の製造方法 | |
JP6939857B2 (ja) | 電気光学装置、および電子機器 | |
US10656455B2 (en) | Electro-optical device, transmissive liquid crystal display device, and electronic device | |
JP2013073182A (ja) | 光学素子基板の製造方法及び光学素子基板 | |
US10620493B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP2022139567A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP5849605B2 (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2011123151A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP6597712B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP6402999B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
JP7463872B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2019148689A (ja) | 透過型液晶表示装置、透過型液晶表示装置の製造方法および電子機器 | |
JP5569448B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
JP2010204239A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2006171387A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120605 |