TW515079B - Semiconductor device and method for fabricating the same - Google Patents

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515079 A7 B7 五、發明説明（ 發明背景 本發明係關於一種包括半導㈣曰 ^ 千¥體日日片封裝於其内之半導體 裝置’及較特別的是關於—種包括以 片於其内之半導體裝置，表牛^體日日 /、Τ千^體晶片係隱埋於一印刷 線路板内，以及製造此一半導體裝置之方法。 近年來，，電子設備，特別是可.攜式電子設備，其已快步 地縮小尺寸1 了跟上此步調，半導體裝置之縮小尺寸亦 在進行中。例如’小尺寸之半導體封裝如晶片尺寸封裝 (CSP)已達商業化’亦已商#化之半導體封裝中之半導體晶 片係彼此上下堆疊’以減小半導體晶片之封裝面積。： 者丄為了取得進-步薄化之電子設備，、前已發展出包括 以南密度封裝半導體晶片於其内之半導體 體晶片係隱埋於一多層式線路板内。 …¥ 一文後，對於一習知實例而言，日本專利特許公開申請案 第4- 373 157號揭露之一半導體裝置及其製造方法將參閱圖 30A至30C以說明之。 圖30A至30C係戴面圖，說明一半導體裝置之習知製造方 法之製程步驟。 - 如圖30A所示，一具有一開孔13a之絕緣板η係結合於一 第一電路板10之頂表面，第一電路板1〇具有製成於其頂、 底表面上之第一及第二配線n、12。一半導體晶片14安裝 於開孔13a内側之第一電路板10之曝露頂表面上，使半導體 晶片14之電路成型表面面向第一電路板1〇之頂表面，亦即 朝下結合。詳細言之，製成於半導體晶片14電路成型表面 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂

M5079 A7 B7 五、發明説明（2 上所提供電極（圖中未示）上之墊塊15係利用導電膏16以結 合於第一配線1丨。一第一樹脂層丨7隨後製成於半導體晶片 14及第一電路板1〇之間。 如圖30B所不，一第二樹脂層18製成於半導體晶片14之側 面及頂表面上，使開孔13a完全填滿。隨後，如圖3〇c所 示 第一電路板2 0結合於絕緣板13及第二樹脂層1 8之頂 表面’第二電路板2〇具有製成於其頂、底表面上之第三及 第四配線21、22。 藉由透過圖30A至30C所示製栓步驟之製造，一半導體裝 置即το成，且半導體晶片14隱埋於由第一電路板1 〇、絕緣 板13、第二電路板2〇、及類似物組成之多層式電路板内。 上述省知半導體裝置具有以下問題，開孔13a需透過構成 多層式電路板之絕緣板13而製成，以安裝半導體晶片於其 内’此即增加製造步驟數且因而增加成本。此外，第一配 線11可月b 5:到絕緣板13結合於第一電路板1 〇期間流出之黏 性材料及類似物之污染，使其難以保持第一配線丨丨與半導 肢·日日片14之連接部清潔而使第一配線1 1與半導體晶片14之 間之電氣性連接確實。另一問題在於分離易發生於具有岗 孔13a之絕緣板π與填入開孔13a之第二樹脂層丨8之間介 面，使其難以取得一良好品質之半導體裝置。 為了減小包括半導體晶片封裝於其内之半導體裝置之厚 度，半導體晶片需呈薄型，一薄型半導體晶片卻比一厚型 半導體晶片更易受到外部損傷及捲曲而失去平坦度。因 此，g 溥型半導體晶片使用於習知半導體裝置時，塾塊 裝 訂

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M5079 A7 ----- —______ B7 五、發明説明（3 ) 之製成與半導體晶片安裝於板内期間會出現困難性。易士 之’為了避免習知半導體裝置内之一半導體晶片受到外: 損傷及捲曲，i文需安裝一厚型半導體晶片，此則增： 習知半導體裝置之多層式電路板之厚度。此外，由於—戶 型半導體晶片係利用樹脂以隱埋入多層式電路板内，因Z 半導體晶片操作所生之熱較不易散逸。 ·、、、 發明概述 一本發明之一目的在提供一種具有高穩定性及高散熱性 潯型半導體裝置，纟中半導體晶片係以高密度封裝，以及 一種易於製造此一半導體裝置之方法。 ^本發明製造一半導體裝置之第一方法包含以下步驟··（ 安裝：半導體晶片於一基板之一第一表面±，基板具有製 成於第-表面上之配線，使半導體晶片之_電路成型表面 面向基板之第一表面，且電路成型表面上提供之一電極係 連接於配線；（2)製成一封合之樹脂層於基板之第一表面 上，以覆蓋半導體晶片；及（3)自一相對立於電路成型表面 之表面開始研磨封合之樹脂層及半導體晶片，以利薄化 導體晶片。 _ :製造-半導體裝置之第一方法所示，一半導體晶片係 先安裝於基板之第一表面上，使半導體晶片之電路成型表 面面向基板之第一表面，及隨後半導體晶片係自其相對立 於電路成型表面之表面開始研磨，以利薄化。據此，其可 在半導體Ba片女裝於基板上期間操作原為厚型之半導體晶 片因此，墊塊在半導體晶片上之製成、半導體晶片在基

4 五、發明説明（ f上之安裝、及類似者皆容易且穩定地執行，同時避免外 =損傷及捲曲發生。再者，由於安裝在基板上之半導體晶 片係利用研磨而薄化，半導體晶-片操作所生之熱較容易散 、此外其易於衣造-種具有高穩定性之 型半導體裝置，其中半導體晶片係以高密度封裝。， 依衣1^半^體裝置之第-方法所示’半導體晶片係研 =同時以-樹脂包覆及封合，此可抑制因研磨而發生於 h體晶片上之外部損傷，且因而可以不降低品質地製造 一半導體裝置。 依製造-半導體裝置之第一方法所示，半導體晶片係安 裝於基板上及隨後覆以樹脂層，此可比一開孔製成通過基 板上之絕緣層且半導體晶片隨著樹脂埋人開孔内之習知技 術更能簡化呈’此亦可避免分離發生於具有開孔之 :與填入開孔之樹脂層之間介面之先前技藝問冑，故可取 得一良好品質之半導體裝置。 在製造-半導體裝置之第一方法中’―由無機材料製成 之填料較佳為混合於封合之樹脂層内。 混合於填料之樹脂層具有一較接近於半導體晶片者之 度，且此可供樹脂層及I導體晶片㈤時及均—地研磨之= 而取得-高品質半導體裝置。再者，填料用於減小樹二 之熱膨脹係數及固化收縮係數，因此減少樹脂層作用於: 導體晶片上之應力’且半導體晶片之捲曲可以二、，此， 製造一高品質半導體裝置。 可 製造一半導體裝置之第一方法進一步包含在步驟（1)及步 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 515079 五、發明説明（ 驟（2)之間製成一樹脂層於基板與半導體晶片間之步驟。 上述方法係在製成封合之樹脂層以覆蓋半導體晶片之步 驟（2)中，防’止一含有氣隙之樹脂層製成於半導體晶片與基 板之間，此可增進半導體裝置之穩定性。 〃 在衣k半導體裝置之第一方法中，步驟（2)較佳為包含 在一較低於大氣壓力之壓力下製成封合之樹脂層之步驟。 上述方法可抑制一氣隙產生於覆蓋半導體晶片之封合之 樹脂層内’及增進半導體裝置之穩定性。 在製造一半導體裝置之第一方法中，步驟（3)較佳為包含 研磨半導體晶片及封合之樹脂層以使其彼此等高之步驟。 上述方法有助於安裝一新的半導體晶片，或在稍後階段 中製成一新的絕緣層或配線層在相對立於 半導體晶片或封合之樹脂層之表面上。 “表面之 +在製造一半導體裝置之第一方法中，步驟（3)較佳為包含 藉由檢測半導體晶片及封合之樹脂層之研磨所生之含有碎 屑之研磨水之電阻變化，以確認半導體晶片之一研磨啟始 位置之步驟。 藉由上述方法，研磨過之半導體晶片之厚度變化可以減 小，因此，一小目標值可設定為研磨過之半導體晶片之厚 度，且研磨過之半導體晶片之厚度可以進一步減小。 在製造一半導體裝置之第一方法中，步驟（3)較佳為包含 藉由檢測作用在研磨半導體晶片及封合之樹脂層之研磨器 上之研磨拉良變化，以確認半導體晶片之一研磨啟始位置 之步驟。 -8 - 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公嫠)------------ 6 五、發明説明（ ,稭由上述方法，研磨過之半導體晶片之厚度變化可以減 ]因此，一小目標值可設定為研磨過之半導體晶片之严 度，且研磨過之半導體晶片之厚度可以進一步減小。 “在製造-半導體裝置之第_方法中’步驟⑺較佳為包 错由以光f照射半導體晶片及封合之樹脂層，及檢測光線 之反射1或吸收量變化，以確認半導體晶片之一 始位置之步驟。 呀磨啟 藉由上述方法，研磨過之半導體晶片之厚度變化可以減 i因此’一小目標值可設定為研磨過之半導體晶片之厚 又且研磨過之半導體晶片之厚度可以進一步減小。 制衣^ +^體裝置之第-方法進-步包含在步驟(3)之後 ‘成-絕緣層於一相對立於半導體晶片電路成型表面 面上之步驟。 上述方法使半導體晶片免於外部損害，且在精後階段中 將半導體晶片絕緣於一配線層而做電氣性保護，配線層可 相對立於電路成型表面而新製成於半導體晶片之表面上， 因此上述方法可以簡化包括_薄型半導體晶片封裝於其内 之半導體裝置之操作。 當一絕緣層製成在-相對立於半導體晶片電路成型表面 時，絕緣層較佳為由一不同於封合之樹脂層之材 藉由使用-不同之材料’絕緣層及樹脂層彼此可呈不同 特徵’例如樹脂流動填注能力、厚度均一性、黏著性、機 械強度、及類似者’此可易於製造—高品質之半導體裝 -9- 本紙張尺歧財國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 515079

置。 當一絕=層製成在-相對立於半導體晶片電路成型表面 之表面上日$，絕緣層較佳為藉由固化添加樹脂之銅箔内之 樹脂而製成。 、藉由使用添加樹脂之銅箱，當配線製成於相對立於電路 成聖表面之半^體晶片表面上時，一欲圖樣化成為配線之 V電膜可與電氣性保護半導體晶片之絕緣層之製成同時製 成，此即簡化製程且供半導體裝置有效率製造。 衣這半^體裝置之第一方法進一步包含在步驟（3)之後 幸父佳為製成一導電層於一相對立於半導體晶片電路成型表 面之表面上之步驟。 藉由上述方法，若一金屬材料或類似物使用做為導電 層，導電層之熱傳導率即可增大，且半導體晶片操作期間 產生之熱可以有效率地散逸。此外，其易於經由導電層以 在半導體晶片處取得基板電位。 衣造一半導體裝置之第一方法進一步包含在步驟（3)之 後，較佳為製成一外部連接端於相對立於電路成型表面之 封合之fef月曰層或半導體晶片之一表面上，或基板之一第三 表面上之步驟。 藉由上述方法，可以電氣性及機械性連接另一電氣組件 於外部連接端，依此，一良好品質、大尺寸、多功能之電 路系統可以有效地取得。 製造一半導體裝置之第一方法進一步包含在步驟（3)之 後，較佳為製成一第一外部連接端於相對立於電路成型表 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

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線 515079 五、發明説明（8 ) 面之封合之樹脂層或半導體晶片之一表面上，及一第二外 部連接端於基板之一第二表面上之步驟，其中當從基板之 第一表面上方之一位置視之時，第一外部連接端及第二外 部連接端係位於相同區域内。 藉由上述方法，可仄電氣性及機械性連接藉由製造一半 導體裝置之第一方法製成之複數半導體裝置上下堆疊，依 此，一良好品質、大尺寸、多功能之電路系統可以有效地 取得。 本發明製造一半導體裝置之第二方法包含以下步驟··（ U 女裝一第一半導體晶片於一基板之一第一表面上，基板具 f製成於第一表面上之第一配線，使第一半導體晶片之一 第一電路成型表面面向基板之第一表面，且第一電路成型 表面上提供之第一電極係連接於第一配線；（2)製成一第 一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以覆蓋第一半導體 晶片；⑺自一相對立於第一電路成型表面之表面開始研磨 第一封合之樹脂層及第一半導體晶片，以利薄化第一半導 體曰曰片，（4)製成第二配線於相對立於第_電路成型表面之 第一封合之樹脂層或第_半導體晶片之_表面上；⑺安裝 I第二半導體晶片於相對立於第一電路成型表面之第一封 ^之樹脂層或第一半導體晶片之表面上，使第二半導體晶 片之-第二電路成型表面面向基板之 電路成型表面上提供之一第-帝朽$ & 汉便弟 ^之第一包極連接於第二配線；（6)製 成：：一：合之樹脂層於相對立於第—電路成型表面之第 树腊層或第一半導體晶片之表面上，以覆蓋第二 本纸張尺度通用中國國家標準(cns)m規格(21〇χ -11 - 515079 A7

半導體晶片；及（7)自一相對立於第二電路成型 開始研磨帛二封合之樹脂層及帛三纟導體晶片 弟一半導體晶片。 表面之表面 ’以利薄化 衣=一半導體裝置之第二方法可以除了製造一半導體裝 置之第、-方法取得之效果外，提供包括積層半導體晶 内之半導體裝置可以薄化而不失效之效果。 一在製造一半導體裝置之第二方法中，第一半導體晶片及 第一半V體晶片較佳為相同之端子數及端子位置。 藉由上述方法，其可減小連接於半導體晶片之配線之長 度且配線圖樣因而得以簡化。 —本發明製造一半導體裝置之第三方法包含以下步驟：（ 女裝一第一半導體晶片於一基板之一第一表面上，基板具 有製成於第一表面上之第一配線及製成於一第二表面上2 第二配線，使第一半導體晶片之一第一電路成型表面面向 基板之第一表面，及使第一電路成型表面上提供之一第一 電極連接於第一配線；（2)製成一第一封合之樹脂層於相對 立於基板之第-表面上，以覆蓋第—半導體晶片；⑺自一 相對立於第一電路成型表面之表面開始研磨第一封合之樹 脂層及第一半導體晶片，以利薄化第一半導體晶片；⑷安 裝一第二+導體晶片於基板之第1表面上，使帛二半導體 晶片之一第二電路成型表面面向基板之第二表面，及使第 一電路成型表面上提供之一第二電極連接於第二配線；（5) 製成一第二封合之樹脂層於基板之第二表面上，以覆蓋第 二半導體晶片；及(6)自-相對立於第二電路成型表面之表 -12-

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以利薄 面開始研磨第二封合之樹脂層及第二半導體晶片 化弟二半導體晶片。 製造-半導體裝置之第三方法可以除了製造—半導體裝 置之第-方法中所取得之效果外，提供包括積層半導體晶 片▲在内之半導體裝置可以薄化而_不失效之效果。此外，覆 盍半導體晶片之樹脂層係、相關於基板而對稱地製成，此可 平衡基板二個表面上之樹脂層之收縮，因而可減 裝置之捲曲量。 在製造一半導體裝置之第二或第 第一表面上方之一位置視之時，第 導體晶片較佳為位於相同區域内。 三方法中，當從基板之 一半導體晶片及第二半

藉由上述方法，其可減小包括半導體晶片封裝於並内之 半導體裝置之平面尺寸，特収，其可取得_半導體 且具有接近於半導體晶片者之平面尺寸及達成—如同⑽一 樣高之封裝密度。 在製造一半導體裝置之第 配線尚未製成於基板之第二表面上之狀態中執行。 藉由上述方法，其可減小基板之第二表面處之不均 度，因為該表面相對立於包括半導體晶片在内之基板之 研磨表面，因此其可均一地研磨欲研磨表面，且抑制半 體晶片内之損害及類似者產生，因而可製造一良好口併 半導體裝置。 胃 裝 訂

線 在製造一半導體裝置之第三方法中，步驟（3)較佳為在一 導電膜製成於基板之第二表面上且尚未圖樣化成為第二配 -13- 五、發明説明（11 線之狀態中執行。 产糟由上述方法’其可減小基板之第二表面處之不均勻 ς磨=為該表面相對立於包括半導體晶片在内之基板之欲 轉曰面，因此其可均—地研磨欲研磨表面，且抑制半導 =:2之損害及類似者產生，因而可製造-良好品質之 裝晉〇 製造一半導體裝置之第三方法進一步包含在步驟（6)之 <，2佳為以一樹脂膜同時覆蓋相對立於第一電路成型表 面之第-半導體晶片之表面，及相對立於第二電路成型表 面之第二半導體晶片之表面。 藉由上述方法，製程可以簡化，及半導體裝置得以有效 率地製造。 一本發明製造一半導體裝置之第四方法包含以下步驟··⑴ 2裝各用於複數區域各者之複數半導體晶片在一基板之一 第表面上，基板具有製成於第一表面上且各用於複數區 或各者之複數配線，使各半導體晶片之電路成型表面面向 基板之第一表面，及使電路成型表面上提供之多數電極分 別連接於複數配線；（2)製成一封合之樹脂層於基板之第一 表面上，以覆蓋複數半導體晶片；（3)自相對立於電路成型 表面之多數表面開始研磨封合之樹脂層及複數半導體晶 片，以利薄化複數半導體晶片；及（4)將包括複數薄化之半 導體晶片在内之基板區隔成複數區域。 製造一半導體裝置之第四方法可以除了製造一半導體裝 置之第一方法中所取得之效果外，提供一具有接近於半導 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明（12 =曰曰片者之平面尺寸之小型半導體裝置可以大量製造之效 6本發明製造一半導體裝置之第五方法包含以下步驟 女裝t用於複數區域各者之複數第一半導體晶片在一基板 第表面上，基板具有製成於第一表面上且各用於複 ♦品或各者之複數第一配線，使各第一半導體晶片之第一 電路f型表面面向基板之第_表自，及使第—電路成型表 面上提供之多數電極分別連接於複數第一 I線；⑺擊成一 第一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以覆蓋複數第一 半導體晶片；（3)自相對立於第一電路成型表面之多數表面 開始研磨第一封合之樹脂層及複數第一半導體晶片，以利 薄化，數第-半導體晶片；（4)製成各用於複數區域各者之 禝數第二配線在相對立於第一電路成型表面之第一封合之 ，脂層之一表面上，或複數第一半導體晶片之表面上；\5) 女裝各用於複數區域各者之複數第二半導體晶片在相對立 於f一電路成型表面之第一封合之樹脂層之表面上，或複 數第一半導體晶片之表面上，使各第二半導體晶片之第二 電路成型表面面向基板之第一表-面，及使第二電路成型表 面上提供之多數第二電極分別連接於複數第二配線；（幻製 成一第二封合之樹脂層在相對立於第一電路成型表面之第 一封合之樹脂層之表面上，或複數第一半導體晶片之表面 上，以覆蓋複數第二半導體晶片；（7)自相對立於第二電路 成型表面之多數表面開始研磨第二封合之樹脂層及複數第 二半導體晶片，以利薄化複數第二半導體晶片；及（將包 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 515079 A7 B7 I、發明説明（13 ) 括複數薄化之第二半導體晶片在内之基板區隔成複數區 域。 製造一半導體裝置之第五方法可以除了製造一半導體裝 置之第二方法中所取得之效果外，提供一具有接近於半導 體晶片者之平面尺寸之小型半導體裝置可以大量製造之效 果。 本發明製造一半導體裝置之第六方法包含以下步驟：（1) 安裝各用於複數區域各者之複數第一半導體晶片在一基板 之一第一表面上，基板具有製成於第一表面上且各用於複 數區域各者之複數第一配線及製成於一第二表面上且各用 於複數區域各者之複數第二配線，使各第一半導體晶片之 第一電路成型表面面向基板之第一表面，及使第一電路成 型表面上提供之多數電極分別連接於複數第一配線；（2)製 成一第一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以覆蓋複數 第一半導體晶片；（3)自相對立於第一電路成型表面之多數 表面開始研磨第一封合之樹脂層及複數第一半導體晶片， 以利薄化複數第一半導體晶片；（4)安裝各用於複數區域各 者之複數第二半導體晶片在基板之第二表面上，使各第二 半¥體晶片之第二電路成型表面面向基板之第二表面，及 使第二電路成型表面上提供之多數第二電極分別連接於複 數第二配線；.（5)製成一第二封合之樹脂層在基板之第二表 面上’以覆蓋複數第二半導體晶片；（6)自相對立於第二電 路成型表面之多數表面開始研磨第二封合之樹脂層及複數 第一半導體晶片，以利薄化複數第二半導體晶片；及（7)將 -16-

:括複數溥化之第二半導體晶片在内之基板區隔成複數區 域0 衣Xe帛導體裝置之第六方法可以除 造 =之第三方法中所取得之效果外，提供—具有接近於/導 :晶片者之平面尺寸之小型半導體裝置可以大量製造之效 果。 明之第一半導體裝置包含：一半導體晶#，係安裝 ::基板之-第一表面± ’基板具有製成於第一表面上之 配’7使半導體晶片之—電路成型表面面向基板之第一表 面，且電路成型表面上提供之一電極係連接於配線；及一 =樹脂層’係製成於基板之第一表面…覆蓋半導 且亦等高於—相對立於電路成型表面之半導體晶 片衣面。 第-半導體裝置係由本發明之第—或第四製造方法製 效果且因此提供大致相同於第—或第四製造方法提供者之 -二對Sr裝置較佳為進一步包含一絕緣層，係製成於 相對立於電路成型表面之半導體晶片表面上。 j述結構使半導體晶片免於外部損帛，且在稍後階段中 將半導體晶片絕緣於—配線層而做電氣性保護，配線層可 ^切電路成型表面而新製成於半導體晶片之表^ , 化包括-薄型半導體晶封裝於“之半導體裝置 第 半導體裝置較佳為進一步包含-導電層，係製成於 -17-

·! 裝 訂 線 五、發明説明（15 立於電路成型表面之半導體晶片表面上。層，導值，f 一金屬材料或類似物使用做為導電 產生之熱可以有效率地散逸：“且Π 片=期間 在半導體晶片處取得基板電位。’、力纹由^電層以成置較佳為進一步包含-外部連接端，係製 之m 、’路成型表面之封合之樹脂層或半導體晶片 < 一表面上，或基板之一第二表承上。 藉由上述結構，可以雷U抖 於外邱、… 乂電"°生及機械性連接另-電氣組件 路丰： ’依此’一良好品質、大尺寸、多功能之電 路系統可以有效地取得。 成：：半導體裝置進-步包含··-第-外部連接端，係 :於1目對立於電路成型表面之封合之樹脂層或半導體晶 :表面上；及-第二外部連接端，係製成於基板之一 :表:上’其中當從基板之第一表面上方之一位置視 内才。第一外部連接端及第二外部連接端係位於相同區 藉由上述結構，τ以電氣性及機械性連接另 :外部連接端，依此，一良好品質、大尺寸、多功能之 路系統可以有效地取得。 本發明之第二半導體裝置包含：―第—半導體日片 安裝於一基板之一第一表面上，基板具有製成於二表 上之第一配線，使第一半導體晶片之一第 . .,.,^ ^ 第一電路成型表面 面向基板之第一表面，且第一電路成型表面上提供之一 製 之 件電 面 第 A7

一電極係連接於第一配線；_ 於基板之第一表面卜 第一封合之樹脂層，係製成 於-相對立於第-電路成型表面t曰片’且亦寺高 第一 f，#刹& 弟一半導體晶片表面.； 弟一配綠，係製成於相對 人之榭月…g X 電路成型表面之第-封 σ之树月曰層或第一半導體晶片之一一 晶片，係安裝於相對立於第^ , 一第一半導體 W . 了立於弟一電路成型表面之第一封人之 樹脂層或第一半導體罗夕主工 σ ^ 片之表面上，使第二半導體晶月之 一第二電路成型表面面向I彳 回门丞板之苐一表面，且第二電路点 里表面上提供之一第二電極係連接於第二配線；及一第二 =合之樹脂層，係製成於相對立於第—電路成型表面之第 一封合之樹脂層或第一半導^曰 體眼片之表面上，以覆蓋第二 曰日片’且亦等高於_相對立於第二電路成型表 第二半導體晶片表面。 第二半導體裝置係由本發明之第二或第五製造方法製 成，且因此提供大致相同於第二或第五製造方法提 效果。 在第二半導體裝置中，第一半導體晶片及第二半導體晶 片較佳為相同之端子數及端子位置。 藉由上述結構，其可減小連接於半導體晶片之配線之長 度’且配線圖樣因而得以簡化。- 本發明之第二半導體裝置包含：一第一半導體晶片，係 安裝於一基板之一第一表面上，基板具有製成於第一表面 上之第一配線及製成於一第二表面上之第二配線，使第一 半導體晶片之一第一電路成型表面面向基板之第一表面， -19-

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:第了成型表面上提供之—第一電極係連接於第一配 —封合之樹脂層，係製成於基板之第一表面上， 以後盍第一半導體晶片，且亦等高於一相 成型表面之第—半導體晶 路 — $日日斤表面，一第一+導體晶片，传 女衣於基板之第二表面上，冑第二半導體晶片之一第二恭 :成3L表面面向基板之第二表面，且第二電路成型表面上 提供之-第二電極係連接於第二配線；及—第二封合 脂層’係製成於基板之第二表面上，卩覆蓋第二半導心 片’且亦等高於一相對立於第二電路成型表面之第 = 體晶片表面。 、苐三半導體裝置係由本發明之第三或第六製造方法製 成，且因此提供大致相同於第三或第六製造方法提供者: 效果。 在第二或第三半導體裝置中，當從基板之第一表面上方 之-位置視之時，帛一半導體晶片及第二半導體晶片係位 於相同區域内。 藉由上述方法，其可減小包括半導體晶片封裝於其内之 半導體裝置之平面尺寸，特別是，其可取得_半導體裝置 且具有接近於半導體晶片者之平面尺寸及達成一如同csp 一 樣高之封裝密度。 圖式簡單說明 圖1係本發明實施例1之一半導體裝置之截面圖。 圖2說明實施例1之半導體裝置與其他電子設備之連接。 圖3係本發明實施例1之半導體裝置之一製造方法流程 -20 -本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 515079

說明實施例1半導體裝置之製造方法 說明貫施例1半導體裝置之製造方法 圖。 圖4A至4(:係截面圖 之製程步驟。 圖5A至5C係截面圖 之後績製程步驟。 圖6A、6B係截面圖，說明實施例1半導體裝置之製造方法 之進一步後續製程步驟。 圖7係截面圖，說明本發明實施例丨半導體裝置之製造 法第一變換型式之製程步驟。 圖8係截面圖，說明實施例丨半導體裝置之製造方法第一 變換型式之一變化製程步驟。 圖9係截面圖，說明本發明實施例丨半導體裝置之製造 法第二變換型式之製程步驟。 圖10係戴面圖，說明實施例丨丰導體裝置之製造方法第一 變換型式之一變化製程步驟。 ~ 圖11A至11 c係截面圖，說明本發明實施例丨半導體穿置之 製造方法第三變換型式之製程步驟。 圖12係本發明實施例2之一半導體裝置之戴面圖。 圖13A至13C係截面圖，說明本發明實施例2半導體裝 製造方法之製程步驟。 之 圖14係本發明實施例3之一半導體裝置之截面圖。 圖1 5係平面圖，說明本發明實施例3半導體裝置之制生 法之製程步驟。 衣4方 圖16係沿圖15之線I-Ι所取之截面圖。 -21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 訂 線 515079 A7

圖17說明實施例3半導體裝置之相互連接。 置之製造方 圖1 8係平面圖’說明本發明實施例3半導體事 法變換型式之製程步驟。 圖19係沿圖18之線II-Π所取之截面圖。 3之半導體 圖20係本發明實施例4之一半導體裝置之截面圖 圖2 1A、2 1B簡示說明一比較性實例（即實施^ 裝置）之配線圖樣。 圖 22A、 圖 23A、 圖 24A、 22B簡示說明比較性實例之其他配線圖樣。 23B簡示說明實施例4之半導體裝置之配線圖樣。 24B簡示說明實施例4之半導體裝置之其他配線圖 樣。 圖25係本發明實施例4之半導體裝置之一製造方法流程 圖0 圖2 6 A至2 6 C係截面圖，說明實施例4半導體誓置之製造方 法之製程步驟。 圖27A至27C係載面圖，說明實施例4半導體裝置之製造方 法之後續製程步驟。 圖28A、28B係截面圖，說明實施例4半導體裝置之製造方 法之後續製程步驟。 圖29A、29B係截面圖，說明實施例4半導體裝置之製造方 法之進一步後續製程步驟。 圖30A至30C係戴面圖，說明一半導體裝置之習知製造方 法之製程步驟。 較佳實施例之說明 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7

515079 五、發明説明（ 實施例1 本發明實施例1之一半導體裝置及其製造方法將參考相關 圖式說明於後。 圖1說明實施例1之半導體裝置之截面結構。 如圖1所示，一第一内部配線1〇1係製成於一核芯基板1〇〇 之頂表面上，在核芯基板100之頂表面上亦安裝一第一半導 版日日片102，使其電路成型表面面向核芯基板1〇〇之頂表 面。細言之，製成於第一半導體晶片1〇2電路成型表面上所 提供電極（圖中未示）上之第一墊塊1〇3係利用導電膏1〇4以 結合於第一内部配線1〇1之第一元件連接突塊1〇u ,亦即第 一半導體晶片102及第一内部配線ι〇1係電氣性相互連接。 一第一樹脂層105製成於第一半導，晶片1〇2及核芯基板ι〇〇 之間，及一第二樹脂層106製成以覆蓋核芯基板1〇〇之頂表 面及第一半導體晶片102之側面，第二樹脂層1〇6之頂表面 係製成等高於第一半導體晶片1〇2之頂表面。一第三樹脂層 107製成以覆蓋第一半導體晶片1〇2之頂表面及第二樹脂層 106之頂表面，一第一外部配線1〇8係製成於第三樹脂層 上。 一第二内部配線ln製成於核芯基板1〇〇之底表面上，在 核芯基板100之底表面上亦安裝一第二半導體晶片112，使 其電路成型表面面向核芯基板100之底表面。細言之，製成 於第二半導體晶片112電路成型表面上所提供電極（圖=未 示）上之第二墊塊113係利用導電膏114以結合於第二内部配 線1 1 1之第二元件連接突塊1 1 1 a ,亦即第二半導體晶片1 1 2

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線 -23- 515079 A7 B7 五、發明説明（21 ) 及第二内部配線1 1 1係電氣性相互連接。一第四樹脂層n 5 製成於第二半導體晶片112及核芯基板1〇〇之間，及一第五 樹脂層116製成以覆蓋核芯基板1〇〇之底表面及第二半導體 晶片112之側面，第五樹脂層116之底表面係製成等高於第 二半導體晶片112之底表面。一第六樹脂層117製成以覆蓋 第一半導體晶片112之底表面及第五樹脂層n6之底表面， 一第二外部配線Π 8係製成於通過包括樹脂層在内之核芯基 板100之傳導孔121上。一互連件122製成於各傳導孔121 内，以電氣性連接於各配線。包括樹脂層與配線在内之核 心基板100之二表面係塗以焊料抗钱劑膜i23 ,但是第一外 部配線108之第一外部連接端108&及第二外部配線118之第 一外部連接端11 8 a除外。 圖2說明圖1所示之本實施例半-導體裝置如何連接於其十 電子組件（包括一半導體封裝）。 如圖2所示，電子組件200、3〇〇係經由焊料124而分別$ 接於本實施例半導體裝置之第一外部連接端1〇8&及第二夕 邛連接端118a，其他導電材料例如一導電性黏膠可用以^ 代焊料124 »電子组件200例如係—電容器、一電阻、或卖 似物。半導體封裝300在其内部包括一半導體晶片例如一 j 導體記憶體’及一微電腦’儘管—四線平坦封裝型五 揭示於圖2中’但是半導體封裝另可為—焊珠栅陣列（bga 型式或一晶片比例封裝（CSP)型式。 本發明實施例1之一半導體裝置製造方法將以圖丨所示 實施例半導體裝置之製造實例’ 1參'考相關圖式說明方 •24-

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線 515079 A7 B7 五、發明説明（22 後。 圖3係實施例1之製造方法流程圖，圖4A至4C、5A至5C、 6A及6B係戴面圖，說明實施例1之製造方法之製程步驟。 首先’請參閱圖4A，在步驟S101中，導電膜（圖中未示） 係利用減法、加法、或類此者予以圖樣化，以製成第一内 部配線101及第二内部配線u丨於核芯基板1 〇〇之頂及底表面 上，在此成型期間，第一元件連接突塊1〇la係製成為部分 之第一内部配線1〇1，及第二元件連接突塊n u製成為部分 之第一内部配線Π1，測試突塊及類似物可與元件連接突塊 一起製成。 請參閱圖4B，在步驟S102中，導電膏104係施加於已事先 製成於第一半導體晶片102電路成型表面上所提供電極（圖 中未不）上之第一墊塊103,第一墊塊1〇3隨後結合於第一元 件連接突塊101a，亦即第一半導體晶片1〇2係安裝於核芯基 板100之頂表面上，使第一半導體晶片1〇2之電路成型表面 面向核芯基板1〇〇之頂表面。 請參閱圖4C，在步驟S103中，一液體樹脂係填注入第一 半導體晶片102與核芯基板1〇〇之間空隙，且隨後固化以製 成第一樹脂層105 (下方樹脂）。 請參閱圖5A，在步驟S104中，一液體樹脂施加以覆蓋於 包括第一半導體晶片102在内之核芯基板100頂表面，且隨 後固化以製成第二樹脂層1 〇6 (側面樹脂）。 請參閱圖5B，在步驟S105中，第二樹脂層1〇6及第一半導 體晶片102係自相對立於第一半導體晶片1〇2電路成型表面 -25-

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線 515079 A7 ______B7____ 五、發明説明（23 ) 之表面處開始研磨，以利薄化第一半導體晶片1〇2，且在研 磨後亦使第一半導體晶片！ 〇2之頂表面等高於第二樹脂層 106之頂表面。 凊參閱圖5C ,在步驟si〇6中，第三樹脂層107 (上方樹脂） 係製成以覆蓋於研磨後之第一半導體晶片1〇2頂表面及第二 樹脂層106頂表面。在步驟81〇7中，一第一外部配線導電膜 1〇8八製成於第三樹脂層1〇7上。

Ik後’请參閱圖6A，執行相似於上述步驟s丨〇2至s丨〇7之 製程步驟，亦即在步驟81〇8中，導電膏114係施加於已事先 製成於第二半導體晶片112電路成型表面上所提供電極（圖 中未不）上之第二墊塊113，第二墊塊113隨後結合於第二元 件連接突塊111a,亦即第二半導體晶片112係安裝於核芯基 板100之底表面上，使第二半導體晶片112之電路成型表面 面向核芯基板100之底表面。在步驟S109中，一液體樹脂係 填/主入第二半導體晶片112與核芯基板1〇〇之間空隙，且隨 後固化以製成第四樹脂層丨15 (下方樹脂）。在步驟s 11 〇中， 一液體樹脂係施加以覆蓋於包括第二半導體晶片1丨2在内之 核芯基板100之底表面，且隨後国化以製成第五樹脂層i Γ6 (側面樹脂）。在步驟Slu中，第五樹脂層116及第二半導體 晶片112係自相對立於第二半導體晶片112電路成型表面之 表面處開始研磨，以利薄化第二半導體晶片112，且在研磨 後亦使第二半導體晶片112之底表面等高於第五樹脂層ιΐ6 之底表面。在步驟S112中，第六樹脂層117 (上方樹脂）係製 成以覆蓋於研磨後之第二半導體晶片112底表面及第五樹脂 -26 -、 本紙張尺度適用中國國家標準(Cns) A4規格(210X297公爱) 515079 A7 __— B7 __ 五、發明説明（24 ) 層Π 6底表面。在步驟s丨丨3中，一第二外部配線導電膜i i 8 A 製成於第六樹脂層117上。 請參閱圖6B，在步驟S114中，.傳導孔121係製成通過包括 樹脂層在内之核芯基板丨〇〇，各傳導孔12丨之壁面上製成一 互連件122，供相互連接各配線。在步驟s 11 5中，第一及第 二外部配線導電膜1〇8Α、118A係經圖樣化，以製成第一及 第二外部配線108、118。在此成型期間，第一外部連接端 l〇8a製成為部分之第一外部配線1〇8及第二外部連接端丨18a 製成為部分之第二外部配線11 8。 隨後’焊料抗蝕劑膜123係製成以覆蓋包括樹脂層與配線 在内之核芯基板100之頂、底表面，但是第一及第二外部連 接端108a、1 18a除外，以完成圖1所示之本實施例半導體裝 置。焊料抗蝕劑膜123成型後，第一及第二外部連接端 108a、1 18a之表面可進行表面處理，例如焊料電鍍及金電 鍍。 文内所用之核芯基板及類似物之“頂表面，，及“底表面，，係 用於方便識別欲處理之表面，並非意味著具有彼此不同之 性質。 · 在研磨第一或第一半導體晶片1〇2、^ η以薄化生成之半 導體裝置時，必須減少研·磨後之第一或第二半導體晶片 102、112之厚度變化。若研磨後之半導體晶片之厚度變化 大且研磨後之半導體晶片之厚度目標值設定於小，則半導 體晶片之研磨極可能到達半導體晶片之電路成型表面。為 了減少研磨後之半導體晶片之厚度變化，半導體晶片之研 •27- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公袭·) ---------- 515079 A7 __— —__B7 五、發明説明（25 ) 磨置較佳為以半導體晶片之研磨啟始表面做參考而決定（例 如圖5A所示研磨前之第一半導體晶片1〇2之頂表面（即相對 立於電路成型表面之表面）），其理由如下。研磨前之半導 體晶片之厚度變化（例如圖5A所示第一半導體晶片1〇2之厚 度⑴係小於所安裝半導體晶片之高度變化（例如圖化所示 自核芯基板100底表面至第一半導體晶片1〇2底表面之高度 t2)因此，當半導體晶片之研磨量係以半導體晶片之研磨 啟始表面做參考而決定時，研磨後之半導體晶片之厚度變 化即]、於以核芯基板i 〇〇之底表面做參考而決定者。惟，請 /主思，對於包括内部安裝有已研磨半導體晶片在内之整體 半導體裝置之厚度而言，當半導體晶片之研磨量係以核芯 基板100之底表面做參考而決定時，厚度變化即小。在此例 子中，上述厚度t2係預先假設，以決定例如第一半導體晶 片102研磨前之第一半導體晶片1〇2研磨量。藉由此項決 定，研磨後之第一半導體晶片1〇2之厚度變化可以減小至某 些程度。 ’、 在以半導體晶片之研磨啟始表面做參考而決定半導體晶 片之研磨i中’研磨啟始表面可以利用以下三種方法之住 一者檢測。 第一種方法係根據相關於光反射及吸收之特徵在半導體 晶片與樹脂層之間有異之事實，-詳細而言，當第一半導體 晶片102及第二樹脂層106係在第一半導體晶片ι〇2研磨啟始 時或左右利用光線照射，易言之，即在覆蓋於第一半導體 晶片102之第二樹脂層6之研磨剛剛結束，且第一半導體 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 515079

曰曰片102本身之研磨開始時或左右，則照射光線之反射或吸 收量即改變，&項改變係經檢測且改變之位置係視為第一 半導體晶片102之研磨啟始表面。 第二種方法係根據若以一旋轉研磨器例如磨石研磨，則 對於研磨H之研磨拉良在樹脂層與半導體晶片之間有異之 事：，詳細而，對於研磨器之研磨拉髮係在覆蓋於第一 半‘肢日日片102之第二樹脂層1〇6之研磨剛剛結束，且第一 半導體晶片102本身之研磨開始時或左右，因此，此項改變 係、，二k /則且改變之位置係視為第一半導體晶片^ 〇2之研磨啟始表面。 、 第二種方法係根據一溶劑例如含有研磨碎屑之水之電 阻亦即研磨水係在僅含樹脂層碎屑之研磨水與除了樹脂 層碎屑以外另含半導體晶片碎屑之研磨水之間有異之事 實，詳細而言，含有來自第一半導體晶片1〇2與第二樹脂層 106研磨所生碎屑之研磨水之電阻係在覆蓋於第一半導體晶 片102之第二樹脂層106之研磨剛剛結束，且第一半導體晶 片102本身之研磨開始時或左右改變，因此，此項改變係經 檢測且改變之位置係視為第一半導體晶片i 〇2之研磨啟始表面。 _ 如上所述，在實施例1中’第一半導體晶片1〇2係安裝於 核芯基板100之頂表面上，使其電路成型表面面向核芯基板 100之頂表面，第一半導體晶片102隨後自其相對立於電路 成型表面之表面開始研磨，以利薄化。同樣地，第二半導 體晶片112係安裝於核芯基板1 〇〇之底表面上，使其電路成 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 515079 A7 _____B7 五、發明説明（27 ) 型表面面向核芯基板100之底表面，第二半導體晶片112隨 後自其相對立於電路成型表面之表面開始研磨，以利薄 化。據此’其可於第一或第二半導體晶片i02、n2安裝期 間在核芯基板100上操作原本較厚之第一或第二半導體晶片 102、112，因此，半導體晶片上之墊塊之成型、核芯基板 上之半導體晶片之安裝、及類似者皆可輕易而穩定地執 行，同時避免外部損傷及捲曲之發生。再者，安裝於核芯 基板100上之第一或第二半導體晶片1〇2、！ 12係藉由研磨而 變薄，因此，因半導體晶片操作而產生之熱即易於散失。 此外，當此半導體晶片係積層於一半導體裝置内時，生成 之半導體裝置之厚度可變小·，結果即可輕易製成一高穩定 性及高散熱性之薄半導體裝置，、其中半導體晶片係以高密 度封裝。 在實施例1中，樹脂層係相關於核芯基板10Q而對稱地製 成，此舉即平衡核芯基板100二個表面上之樹脂層之收縮， 因而可減少半導體裝置之捲曲量。 在實施例1中，第一或第二半導體晶片1〇2、112係在由樹 脂包覆與封閉時研磨，亦即半導體晶片係在不動狀態下研 磨，此可令半導體晶片薄到例如大約100微米或以下，同時 抑制半導體晶片上因為研磨所致之外部損傷發生，亦即避 免半導體裝置之品質降低。若半導體晶片係如習知技術中 予以薄化後安裝在基板上，則外部損傷容易發生在半導體 曰曰片上，使其難以取得一良好品質之半導體裝置。實際 上，其較佳為事先薄化半導體晶片至一厚度，使其在安裝 -30-

515079 A7 B7 五、發明説明（28 於基板上期間不致發生外部損傷及類似者，接著安裝半導 體晶片於基板上，此可減少半導體晶片之研磨量，且藉以 改善半導體裝置之製造效率。 在實施例1中，第一或第二半導體晶片1〇2、112係安裝於 基板100之頂或底表面上，及覆以樹脂層，此即比一開孔製 成通過基板上之絕緣層且半導體晶片隨著樹脂一起埋入開 孔内之習知技術更為簡化製造過程，此亦避免在具有開孔 之絕緣層與填入開孔之樹脂層之間介面分離之先前技藝問 題發生，因此可取得一高品質之半導體裝置。 在實施例1中，當第二半導體晶片n2研磨時，在第三樹 脂層107與第一外部配線108保護下之第一半導體晶片1〇2較 不易受到機械性損傷。 在實施例1中，第一樹脂層105係在第二樹脂層1〇6製成以 覆蓋第一半導體晶片102側面之煎，先製成於第一半導體晶 片102及核芯基板1 〇〇之間。同樣地，第四樹脂層i 1 5係在第 五樹脂層116製成以覆蓋第二半導體晶片丨丨2側面之前，先 製成於第二半導體晶片！丨2及核芯基板i 〇〇之間。此可抑制 氣隙產生於第一及第四樹脂層1〇5、115内，因而改善半導 體裝置之穩定性。 在實施例1中，第一半導體晶片1〇2之頂表面係等高於第 二樹脂層106之頂表面，此舉有助於第三樹脂層1〇7與隨後 第一半導體晶片102及第二樹脂層1〇6上之第一外部配線1〇8 之成型。同樣地，第二半導體晶、片丨12之底表面係等高於第 五樹脂層116之底表面，此舉有助於第六樹脂層丨丨7與隨後 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 裝 訂

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第二半導體晶片112及第五樹脂層116下之第二外部配 之成型。 、6 一在貫施例1中，製成於第一半導體晶片1〇2頂表面上之第 三樹脂層1G7不僅用於保護第—半導體晶片1G2免於外部瑕 疵’其亦使第-半導體晶片1〇2之頂表面絕緣於第一外部配 線108。同樣地，製成於第二半導體晶片"2底表面上之第 六樹脂層117不僅用於保護第二半導體晶片ιΐ2免於外部瑕 疵，其亦使第二半導體晶片112之底表面絕緣於第二外部配 線118。此舉有助於操作内部封裝薄半導體晶片之半導體壯 置。 衣 在實施例1中，第一外部連接端108a係製成為部分第—外 部配線108 ’及第二外部連接端丨18&係製成為部分第二外部 配線118，使得其他電氣性組件可以經由外部連接端而電氣 性且機械性連接於半導體裝置，因此可以有效取得一良好 品質、大尺寸、多功能之電路系統。t自核芯基板ι〇〇上方 -位置視之，若第一及第二外部連接端1〇8a、"8a係製於 相同位置，其可上下堆疊本實施例之複數半導體裝置，且 彼此做電氣性及機械性連接，因此，可以有效取得一良婷 品質、大尺寸、多功能之電路系統。 在實施例1中，焊料抗蝕劑膜123係製成以覆蓋包括樹脂 層及配線在内之核芯基板100二個表面，因此，當使用焊料 將本實施例之半導體裝置連接於另一電氣性組件時，即可 確定良好品質之焊接。 在實施例1中’核怎基板100之材料實例包括由玻璃環氧 -32- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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^曰、玻璃雙馬來酿亞胺三噪、及類似物製成之硬質樹脂 基板，由聚酿亞胺及類似物製成之撓性樹脂基板及陶質 =楚當-硬質基板使用做為核芯基板⑽時，其可穩定地 固持弟-或第二半導體晶片102、112,此有利於半導體裝 置之製造。當-撓性基板使用做為核芯基板100時，核芯基 板100可以薄化。儘管所示實例中係使用雙面板做為核芯基 板100，但是使用一多層板亦可取得相同效果。 在實施m中，對於製成於第一及第二半導體晶片1〇2、 m之電極上之第-及第二塾塊103、113,使用例如由 金、鎳、焊料、及類似物製成之_栓形墊塊、板形墊塊、球 形墊塊、及類似物，此可確使第一半導體晶片1〇2與第一内 部配線101之間以及第二半導體晶片112與第二内部配線ηι 之間有良好之電氣性連接。 在實施例1中，第一墊塊103及第一元件連接突塊1〇1&係 使用導電膏104以相互連接，且第二墊塊113及第二元件連 接突塊111 a係使用導電膏114以相互連接。另者，第一塾塊 103及第一元件連接突塊1 〇 13係利用焊料連接，且第二塾塊 113及第二元件連接突塊π 1 a係利用焊料連接。再者，藉由 膠帶自動結合法（TAB)，第一及第二墊塊1〇3、！ η可以都不 使用’但疋第一半導體晶片1〇2之電極連接於第一元件連接 突塊101a，而第二半導體晶片112之電極連接於第二元件連 接突塊11 la。當利用TAB時，第一半導體晶片102及第二半 導體晶片Π 2可以在短時間内結合，即使其係多針腳型晶 片0 -33- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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線 515079 A7 B7 五、發明説明 在實施例1中，金屬例如銅可以使用做為第一及第二内部 配線101、111以及第一及第二外部配線1〇8、118之材料。 在實施例1中，第二樹脂層1〇6係在第一樹脂層1〇5製成於 第一半導體晶片102及核芯基板100之間後才製成於第一半 導體晶片102側面上。另者，第一樹脂層105可以藉由在第 二樹脂層106製成期間將樹脂填注入第一半導體晶片1〇2及 核芯基板1 〇〇之間空隙，而成為部分之第二樹脂層丨〇6，此 可簡化製造過程。更有甚者，此可避免半導體裝置因為熱 疲勞及類似者所致之穩定性及品質降低，因為第一半導體 晶片102之電路成型表面及側面係覆以相同特徵之樹脂。 同樣地，在實施例1中，第五樹脂層Π 6係在第四樹脂層 1 15製成於第二半導體晶片1丨2及核芯基板10〇之間後才製成 於第二半導體晶片Π 2側面上。另者，第四樹脂層1丨5可以 藉由在第五樹脂層116製成期間將樹脂填注入第二半導體晶 片112及核芯基板100之間空隙，而成為部分之第五樹脂層 116，此可簡化製造過程。更有甚者，此可避免半導體裝置 因為熱疲勞及類似者所致之穩定性及品質降低，因為第二 半導體晶片112之電路成型表面及側面係覆以相同特徵之樹 脂。 在實施例1中，一由無機材料例如氧化矽及氧化鋁製成之 填料較佳為混合於第二或第五樹脂層1 〇 6 ' 116内，混合於 填料之第二樹脂層106具有一較接近於第一半導體晶片！〇2 者之硬度’且因此第一樹脂層106及第一半導體晶片1〇2可 以同時及均一地研磨。同樣地，混合於填料之第五樹脂層 -34 - I紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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線 B7 32 五、發明説明（ 116具有-較接近於第二半導體晶片ιΐ2者之硬度且因此 第五樹脂層116及第二半導體晶片112可以同時及均一地研 磨’此可達成高品質半導體裝置之製造。再者，藉由混合 -填料，其可減小第二或第五樹脂層⑽、之熱膨服係 數及固化收縮係數’此即減少第二或第五樹脂層ι〇6、ιΐ6 作用於第《第—半導體晶片1Q2、112上之應力量，且半 導體晶片之捲曲可以較小，@此，可以製造一高品質半導 體裝置。若無填料混合於第二或第五樹脂層⑽、ιΐ6内， 第二或第五樹脂層1〇6、116即較軟於第一或第二半導體晶 片102、m，研磨速度因而在第一或第二半導體晶片1〇2、 112與第二或第五樹脂層106、116之間有異，結果，包括第 一或第二半導體晶片102、112在内之第二或第五樹脂層 106、116之研磨表面易呈不均勻。 在實施们中，對於第二或第五樹脂層1〇6、116之材料， 較佳為使用—液體樹脂’因為其.在不均句表面之封合及填 上有k異n。對於第一或第五樹脂層1〇6、之成型方 法，較佳為採用印刷、帘流塗佈、或類似者。 在實施例4，一熱固型、一光固化型、或一熱固光固化 組合型之樹脂較佳為使用做為第二或第五樹脂層106、 之材料。在使用-熱固光固化組合型之樹脂之例子中，樹 脂事先以光線固化及隨後進一步以熱固化。藉由依此固 化，樹脂可以充分固化，同時可減少樹脂之固化收縮，且 第或第五树月曰層1 、1 1 6固化後減少所生成半導择拉 置之捲曲。 - 艰在 -35-

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在實施例1中，第二樹脂層106較佳為在第一半導體晶片 I 〇 2之研磨開始前先覆蓋第一半導體晶片i 〇 2之頂表面（即相 對立於電路成型表面之表面），因為藉由第二樹脂層106之 覆蓋，研磨第一半導體晶片102開始時之欲研磨表面（即第 二樹脂層106之表面）較不均勻，且因此有良好之研磨。同 樣地，第五樹脂層116較佳為在第二半導體晶片ιΐ2之研磨 開始前先覆蓋第二半導體晶片丨12之底表面（即相對立於電 路成型表面之表面），因為藉由第五樹脂層116之覆蓋，研 磨第二半導體晶片U2開始時之欲研磨表面（即第五樹脂層 II 6之表面）較不均勻，且因此有良好之研磨。 在實施例1中，第二或第五樹脂層1〇6、U6較佳為在一較 低於大氣壓力之壓力下製成’此可改善樹脂之填注能力， 且即使對於不均勻部及具有窄間隙之部位仍可取得良好之 樹脂封閉，I·生’同時抑制氣隙產生。大體上，若一氣隙存在 於一封閉之樹脂0，則-半導體晶片t電路配線及類似物 易腐蝕，且半導體裝置之穩定性及品質因而易降低。因 此，為了取得一具有良好穩定性及品質之半導體裝置，樹 脂封閉期間需抑制氣隙之產生’特別I，在半導體晶片輿 基板之間之間隙係以樹脂封閉，1同時半導體晶片及類似 物之側面以樹脂封閉之例子中，施加一較低於大氣壓力之 L力係有效於半導體晶片與基板間之間隙之樹脂封閉期間 抑制一氣隙之產生。 一在實施m中’第一或第二半導體晶片1〇2、112可以藉由 一使用磨石之方法、一以電漿照射欲研磨表面之方法、一 -36 -

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使用腐姓劑之方法、或類似者而研磨。 在實施例1中，第二樹脂層ι〇6及第三樹脂層1〇7較佳為不 同材料製成，同樣地，第五樹脂層i 16及第六樹脂層丨17較 佳為不同材料製成。藉由使用不同材料，第二樹脂層106及 第三樹脂層107或第五樹脂層116及第六樹脂層117彼此即呈 不同特徵，例如樹脂流動填注能力、厚度均一性、黏著 性、機械強度、及類似者，此可易於製造一高品質之半導 體裝置。 在貝^例1中’第三或第六樹脂層丨〇7、1丨7可藉由固化一 液體樹脂、一薄膜樹脂、在添加樹脂之銅筠内之一樹脂、 或颌似物製成。在藉由固化添加-樹脂之銅箔内之一樹脂以 ‘成第二或第六樹脂層1〇7、1丨7之例子中，其可取得第三 或第六樹脂層107、117之一均一厚度。再者，第一或第二 外部配線導電膜108A、118A可與第三或第六樹脂層1〇7、 117同％製成，半導體裝置之製造效率即可提昇。在藉由固 化一液體樹脂或一薄膜樹脂以製成第三或第六樹脂層1〇7、 1/7之例子中，第一或第二外部配線導電膜ι〇8Α、ii8a係在 第二或第六樹脂層107、in製成後藉由電鍍、銅箔結合 或類似者而製成。在藉由固化一液體樹脂以製成第三或第 ^樹脂層107、Π7之例子中，液-體樹脂係藉由印刷、帘流 塗佈、或類似者，以施加於包括第一半導體晶片i 〇2在内之 第f樹脂層1〇6表面，或包括第二半導體晶片112在内之第 五樹脂層116表面，同時保持樹脂之厚度均一。依此，即使 當樹脂層之表面相當不均勻時，仍可取得良好之樹脂填注 -37-

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線 515079 A7 ____ B7 五、發明説明（35 ) 能力。在藉由固化一薄膜樹脂以製成第三或第六樹脂層 107、117之例子中，其易於取得第三或第六樹脂層丨〇7、 117之一均一厚度。 在實施例1中，若第一或第二外部配線丨〇8、n 8係由一添 加方法製成’則製成第一或第二外部配線導電膜1〇8A、 118A之製程步驟可以省略。 在實施例1中，第一外部配線導電膜丨08八係在第三樹脂層 107製成後立即製成，另者，第一外部配線導電膜1〇8a之製 成可在第六樹脂層117製成後執行，且同時於第二外部配線 ‘電膜118A之製成。同樣地’第三樹脂層之製成及第一 外部配線導電膜108A之製成係在第一半導體晶片1〇2之研磨 後立即執行。另者，第三樹脂層1〇7之製成及第一外部配線 導電膜108A之製成可在第二半導體晶片n2之研磨後執行， 且同時於第六樹脂層1 1 7之製成及第二外部配線導電膜丨i 8 A 之製成。因此，藉由增加製程步驟數，即核芯基板之二表 面係同時處理’則半導體裝置之生產率得以增進。特別 是’在第二半導體晶片112研磨後之第三樹脂層1〇7與第一 外部配線導電膜108A以及第六樹脂層1 π與第二外部配線導 電膜118A之同時製成中，若第三樹脂層107及第六樹脂層 117係藉由固化添加樹脂之銅箱内之一樹脂以製成，則製成 第一及第二外部配線導電膜iOSA、118A之製程步驟可以省 略，此即進一步增進半導體裝置之生產率。 在實施例1中，對於導電孔12 1，可以使用通孔、盲内部 通孔（IVHs)、或隱埋式IVHs，以電氣性相互連接不同之配 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 515079 五、發明説明（36 線層。在圖1中，僅有通孔係製成做為導電孔121。在製成 IVHs做為導電孔121之例子中，孔係依以下方式製成，以取 得本實施例之半導體裝置。IVHs係在第一及第二半導體晶 片102 1 η女衣之刖先製成通過核芯基板1 〇〇，1乂沿係在第 三樹脂層107製成後才製成通過第二及第三樹脂層1〇6、 107、及IVHs係在第六樹脂層117製成後才製成通過第五及 第六樹脂層116、117。為了取得穿過導電孔121之導電性， 各導電孔121之壁面可鍍以一金屬，例如銅及銀。另者，導 電孔121可填以導電性樹脂膏。在實施例丨中，電氣性連接 配線之方法並無特別限制。 在實施例1中，焊料抗蝕劑膜123係製成以覆蓋包括樹脂 層與配線在内之核芯基板1〇〇之二表面，若另一電氣性組件 未連接於本實施例之半導體裝置，則焊料抗蝕劑膜123之製 成即不需要。 在κ %例1中，一層半導體晶片係安裝於核芯基板1 之 各相對立表面，另者，二或多層半導體晶片係安裝於核芯 基板100之各相對立表面，核芯基板1〇〇之各表面上之第二 及較高階層内之半導體晶片可依上述方式安裝。依此，可 以輕易製造一具有高穩定性及高散熱性之薄半導體裝置， 其中半導體晶片係以高密度封裝。特別是，在本實施例 中，第一外部配線108製成於第三樹脂層107之頂表面上 後，一第三半導體晶片即安裝於第三樹脂層107之頂表面 上，使第三I導體晶片之電路成型纟面面向核芯基板100之 頂表面，及使電路成型表面上之電極連接於第一外部配線 -39 本纸乐尺度適财㈣家標準(CNS) A4規格(21GX297公爱） 515079 A7 B7

108。接著，一樹脂層製成於第三樹脂層ι〇7之頂表面上， 以覆蓋第三半導體晶片，新製成之樹脂層及第三半導體晶 片隨後自相對立於第三半導體晶片電路成型表面之表面處 研磨，以薄化第三半導體晶片。同樣地，第二外部配線ιΐ8 製成於第六樹脂層丨17之底表面上後，一第四半導體晶片即 安裝於第六樹脂層117之底表面上，使第四半導體晶片之電

路成型表面面向核芯基板100之底表面，及使電路成型表面 上之電極連接於第二外部配線118。接著，一樹脂層製成於 第六樹脂層117之底表面上，以覆蓋第四半導體晶片，新製 成之樹脂層及第四半導體晶片隨後自相對立於第四半導體 晶片電路成型表面之表面處研磨，以薄化第四半導體晶 裝 片。藉由重覆上述製程步驟，一包括任意層數半導體晶片 之半V體裝置可以輕易取得。半-導體晶片層數 核芯基請之二個表面上皆相同，此可平衡二= 訂

之一個表面上之树脂層收縮，且因而減少半導體裝置之捲 曲0 (貫施例1之第一變換型式） 本發明實施m之半導體裝置之一第—變換型式及其製造 方法將參考相關圖式說明於後。 圖7、8係截面圖，說明實施例丨之第一 裝置製造方法之一製程步驟。 …'之〜 此變換型式不同於上述實施例夏之方法處為半導體晶片在 基板上之安裝。 特別是’在上述實施们之方法中，&圖沾所*，第—半 -40-

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‘體曰曰片102係例如藉由使用導電膏1〇4將第一半導體晶片 102電路成型表面上所提供電極（圖中未示）上之第一墊塊 1〇3結合於第一内部配線1〇1之第一元件連接突塊，以 安裝於核芯基板100上。 、 在第一變換型式中，如圖7所示，第一半導體晶片i 02係 例如經由一黏接膜105A而壓抵於核芯基板100之頂表面，使 第一墊塊1〇3連接於第一元件連接突塊1〇la。另者，如圖8 所不，第一半導體晶片i 〇2係例如經由一黏接膜丨〇5B而壓抵 於核心基板1 〇〇之頂表面，使第一墊塊i 〇3連接於第一元件 連接大塊101 a。第一半導體晶片丨〇2完成安裝於核芯基板 1〇〇上之後，黏接膜105八或黏接膜1〇5B即做為第一樹脂層 105。 請注意，圖7、8說明安裝一對第一半導體晶片1〇2於核芯 基板100之頂表面上之例子。 緣是，在實施例1之第一變換型式中，第一半導體晶片 102係以黏接膜105A或黏接膜1〇化壓抵於核芯基板1 = Z頂 表面，因此，第一樹脂層105之製成即可同時於第一半導體 晶片102在核芯基板1〇〇上之安裝。 _ 實施例1之第一變換型式係相關於第一半導體晶片i 〇2而 揭述，第二半導體晶片112亦可依上述方式安裝於核芯基板 100之底表面上。 在實施例丨之第一變換型式中，導電性粒子較佳為混合於 黏接膜105A或黏接膜105B内，此在第一塾塊1〇3未能^人叫 破通過黏接膜105或黏接膜105B時，即可取得第一塾塊1〇3 -41 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 515079 A7 B7 五、發明説明（39 ) 與第一元件連接突塊101a間之良好傳導性。 (實施例1之第二變換型式） 本發明貫施例1之半導體裝置之一第二變換型式及其製造 方法將參考相關圖式說明於後。 圖9、1 〇係截面圖，說明實施例丨之第二變換型式之半導 體裝置製造方法之一製程步驟。 此’交換型式不同於上述實施例丨之方法處為第一半導體晶 片102之研磨期間，核芯基板100之底表面狀態。 特別是，在上述實施例！之方法中，如圖5B所示，當第一 半導體晶片102研磨時，第二内部配線丨丨丨已製成於核芯基 板100之底表面上，此意指核芯基板1 〇〇之底表面係因製有 配線圖樣於其上而呈不均勻。 在實施例1之第二變換型式中，如圖9所示，當第二内部 配線導電膜Π 1A尚未圖樣化成為第二内部配線丨n時，第一 半導體晶片102即研磨。另者，如圖丨〇所示，當第二内部配 線11 1尚未製成時，第一半導體晶片i 〇2即研磨，第二内部 配線111之製成（或為圖9所示例子中，第二内部配線導電膜 111A之圖樣化）係在第一半導體晶片1〇2研磨後才執行。易 片112女裝於核芯基板1〇〇之底表面上之前才執行第二内部 配線1 1 1之製成。 ° 裝 訂

言之，在實施例丨之第二變換型式中，圖3所示流程圖之步 驟sioi (即内部配線圖樣之製成）係分成第一半導體晶片1〇2 安裝於核芯基板100之頂表面上之前先執行第一内部配線 101之製成，及第一半導體晶片102研磨後且第二半導體晶 •42-

515079 A7 B7 五、發明説明（40 因此，在實施例1之第二變換型式中，第一半導體晶片 102係在第二内部配線導電膜！丨丨a已製成於核芯基板1〇〇之 底表面上，但是尚未圖樣化成為第二内部配線丨丨丨時之狀態 中研磨，或在第二内部配線111尚未製成於核芯基板1〇〇: 底表面上之狀態中研磨。因此，在核芯基板100之底表面處 之不均勻度小，因為該表面相對立於包括第一半導體晶片 102在内之核芯基板1〇〇之欲研磨表面，因此其可均一地研 磨欲研磨表面，且抑制第一半導體晶片1〇2内之損害及類似 者產生，因而可製造一良好品質之半導體裝置。 (實施例1之第三變換型式） 本舍明貫施例1之半導體裝置之一第三變換型式及其製造 方法將參考相關圖式說明於後。 圖11A至11C係截面圖，說明實施例1之第三變換型式之半 導體裝置製造方法之製程步驟。 此變換型式不同於上述實施例丨之方法處為第一半導體晶 片102之研磨時間。 特別是，在上述實施例1之方法中，如圖5八至5(：所示，第 一半導體晶片102之研磨係在第二樹脂層i 〇6製成後執行，-且接著為第三樹脂層107之製成及第一外部配線導電膜1〇8八 之製成。隨後，如圖6 A所示，第二半導體晶片丨丨2安裝於核 芯基板100之底表面上。 在實施例1之第三變換型式中，如圖nA至ηc所示，第二 樹脂層106製成後，第二半導體晶片i 12即安裝於核芯基板 100之底表面上，第五樹脂層116接著製成以覆蓋第二半導 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 A7 B7 五、發明説明（41 體晶片112。隨後，第一半導體晶片1〇2之研磨及第二半導 體晶片112之研磨係依序執行。隨後，儘管省略說明，但是 後續為第三樹脂層107與第一外部配線導電膜1〇8A之製成以 及第六樹脂層117與第二外部配線導電膜n8A之製成。 請注意，圖11A至11C說明分別安裝一對第一半導體晶片 102及一對第二半導體晶片n2於核芯基板ι〇〇之頂及底表面 上之例子。 另請注意，圖11A至11C說明第一樹脂層1〇5及第四樹脂層 1 15分別製成為第二樹脂層1〇6及第五樹脂層n6之一部分， 且因而未特別揭示第一及第四樹脂層1〇5、115。 在貫施例1之第三變換型式中，包括諸樹脂層在内之整體 核心基板之厚度係在第一半導體晶片1 〇2研磨時較大，因 此，核芯基板1〇〇在第一半導體晶片1〇2之研磨期間較不易 捲曲。 在實施例1之第三變換型式中，較佳為第二樹脂層1〇6係 在製成於核芯基板100之頂表面上時略為固化，其隨後在第 五樹脂層116製成於核芯基板1〇〇之底表面上時與第五樹脂 層116—起完全固化。藉由採用此程序，大致相同之固化^ 縮度即同時發生於第二及第五樹脂層丨〇6、U6内，相較於 分別完全固化第二及第五樹脂層1〇6、116之例子，第一及 第一半導體晶片102、112内較少發生捲曲。 實施例2 導體裝置及其製造方法將參考相關 本發明實施例2之一半 圖式說明於後。 -44-

515079 A7 B7 五、發明説明（42 ) 圖12說明實施例2之半導體裝置之截面結構。 如圖12所示，實施例2不同於實施例1之處在於第一外部 配線108係直接製成於第一半導體晶片ι〇2之頂表面上（即相 對立於電路成型表面之表面），而不插入第三樹脂層1〇7, 以及第二外部配線118係直接製成於第二半導體晶片丨12之 底表面上（即相對立於電路成型表面之表面），而不插入第 六樹脂層117。易言之，第三樹脂層1〇7及第六樹脂層117未 製成於實施例2中。 文後，本發明實施例2之一半導體裝置製造方法將以圖12 所示本實施例半導體裝置之製造實例，並參考相關圖式說 明於後。 圖13A至13C係截面圖，說明實施例2之一半導體裝置製造 方法之製程步驟，請注意，實施例2之製造方法中之圖BA 所示製程步驟係相同於實施例丨之製造方法中之圖4八至4匸、 5A、5B所示製程步驟。 在圖5B所不之製程步驟中，第二樹脂層1〇6及第一半導體 晶片102係自相對立於第一半導體晶片1〇2電路成型表面之 表面處開始研磨，以利薄化第一半導體晶片1〇2，且在研磨 後亦使第一半導體晶片102之頂表面等高於第二樹脂層1〇6 之頂表面。隨後，如圖13A所示，第一外部配線導電膜 108A係製成於包括第一半導體晶片1〇2在内之第二樹脂層 106上。 曰曰 如圖13B所示，導電膏114係施加於已事先製成於第二半 導體晶片112電路成型表面上所提供電極（圖中未示）上之第 -45-

515079 A7 B7 五、發明説明（43 二墊塊113，第二墊塊113隨後結合於第二内部配線1丨丨之第 二元件連接突塊11 la，亦即第二半導體晶片112係安裝於核 芯基板100之底表面上，使第二半導體晶片112之電路成型 表面面向核芯基板1 〇〇之底表面。一液體樹脂係填注入第二 半導體晶片112與核芯基板1 〇〇之間空隙，且隨後固化以製 成第四樹脂層115。隨後，一液體樹脂係製成以覆蓋於包括 第一半導體晶片112在内之核芯基板100之底表面，且隨後 固化以製成第五樹脂層116。第五樹脂層116及第二半導體 曰曰片112係自相對立於第二半導體晶片H2電路成型表面之 表面處開始研磨，以利薄化第二半導體晶片丨12 ,且在研磨 後亦使第二半導體晶片1 12之底表面等高於第五樹脂層116 之底表面。隨後，第二外部配線導電膜丨丨8A製成於包括第 二半導體晶片112在内之第五樹脂層U6底表面上。 如圖1 3 C所示，傳導孔12 1係製成通過包括樹脂層在内之 核心基板100 ’各傳導孔121之壁面上製成一互連件122 ,供 相互連接各配線。第一及第二外部配線導電膜1 $ A、11 8 a 係經圖樣化，以製成第一及第二外部配線1〇8、丨18，以利 分別覆蓋第一半導體晶片102之頂表面及第二半導體晶片 112之底表面。在此成型期間，第一外部連接端1〇8&製成為 部分之第一外部配線108，同樣地，第二外部連接端丨18&製 成為部分之第二外部配線π 8。 I1近後’知料抗姓劑膜12 3係製成以覆蓋包括樹脂層與配線 在内之核芯基板1〇〇之頂、底表面，但是位於第一半導體晶 片102頂表面上之部分第一外部配線108以及第一與第二外 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 裝 訂

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部連接端108a、118a除外，以完成圖12所示之本實施例半 導體裝置。 在實施例2中，第一外部配線1〇8係製成直接接觸於第一 半導體晶片102之頂表面，及第二外部配線！丨8係製成直接 接觸於第二半導體晶片112之底表面，此結構提供以下效 果，可取代在實施例1中製成第三樹脂層1〇7及第六樹脂層 117所取得之效果（如圖丨）。 藉由使用一具有良好熱傳導率及導電率之金屬，例如 銅，做為第一及第二外部配線丨〇8、丨丨8之材料，即可有效 地散失在第一及第二半導體晶片1〇2、112操作期間所生之 熱。此外，其變得容易經由第一外部配線丨〇8以在第一半導 體晶片102處取得基板電位，及經由第二外部配線丨“以在 第二半導體晶片112處取得基板電位。 在實施例2中，第一及第二外部配線1〇8、118較佳為利用 電鍍塗佈或類似者。 實施例3 本發明貫施例3之 ' 一半導赠梦蓄；^贫制、iL He、丄 卞命® I置及其製造方法將參考相關 圖式說明於後。 圖14說明實施例3之半導體裝置之截面結構。 如圖14所示，實施例3不同於實施例丨之處在安裝於核 基板100頂表面上之第一半導體晶片1〇2之外部尺寸係相 於τίΓ裝於核心基板100底表面上之第二半導體曰片if 部尺寸，以及當從核芯基板1〇〇上方一位置視時U第2 = 導體晶片102之中央位置係相符於第二半導體晶片门2之

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A7 B7 五、發明説明（45 央位置。 、 在實施例3中，焊料124係接附於第二外部連接端u8a， 第一樹脂層1+ 0 5及第四樹脂層丨丨5分別製成為第二樹脂層丨〇 6 及第五樹脂層116之一部分，且因而未特別揭示第一及第四 樹脂層105、115。 文後，本發明實施例3之一半導體裝置製造方法將以圖14 所示本實施例半導體裝置之製造實例，並參考相關圖式說 明於後。 圖15係一平面圖，說明實施例3之製造方法之一製程步 驟’及圖16係沿圖15之線η所取之截面圖。圖⑸堇揭示核 芯基板1〇〇及包括第一外部連接端108a在内且省略其他組件 之第一外部配線108,而安裝第一及第二半導體晶片1〇2、 112之位置係以虛線繪出輪廓。在圖15、“中，核芯基板 100之區隔線125係以單點鏈線表示。 製造實施例3之一半導體裝置之方法將說明於後，首先， 在實施例1所述之方式中（請參閱圖4A至4C、5A至5C、0A及 6B) ’四枚第一半導體晶片1〇2及四牧第二半導體晶片m分 別安裝於核芯基板100之頂、底表面上，因此各者係位於四 個區域之各者内，例如核芯基板1〇〇在此由區隔線125分段 成一拇格圖樣。 詳/田吕之，四枚第一内部配線1〇1及四枚第二内部配線 111係刀別製成於核芯基板1 〇〇之頂、底表面上，因此各者 丁:二四個區域之各者内。第一元件連接突塊101a係製成 為P刀第内。卩配線101，及第二元件連接突塊111 a係製成 -48- 515079

為部分第二内部配線ηι。導電膏1〇4係施加於已事先製成 於第一半導體晶片102電路成型表面上所提供電極（圖中未 不）上之第一墊塊103，第一墊塊1〇3隨後結合於第一元件連 接突塊101a。依此，各第一半導體晶片1〇2係安裝於各區之 核芯基板100之頂表面上，使第一半導體晶片1〇2之電路成 型表面面向核芯基板1〇〇之頂表面。隨後，包括第一半導體 a曰片1 02在内之核芯基板之頂表面係覆以一液體樹脂，液體 樹脂隨後固化以製成第二樹脂層106。第二樹脂層106及第 半¥體晶片102係自其相對立於第一半導體晶片1 〇2電路 成型表面之表面處開始研磨，以利薄化第一半導體晶片 102，且在研磨後亦使第一半導體晶片1〇2之頂表面等高於 第二樹脂層106之底表面。第三樹脂層1〇7係製成以覆蓋於 研磨後之第一半導體晶片1〇2與第二樹脂層1〇6之頂表面， 及隨後第一外部配線導電膜108A製成於第三樹脂層1〇7上。 接著，導電膏1 14係施加於已事先製成於第二半導體晶片 112電路成型表面上所提供電極（圖中未示）上之第二墊塊 113 ,第二墊塊113隨後結合於第二元件連接突塊丨丨“。依 此，各第二半導體晶片112係安裝於各區之核芯基板ι〇〇之 頂表面上，使第二半導體晶片丨12之電路成型表面面向核芯 基板100之頂表面。隨後，包括第二半導體晶片n2在内之 核芯基板之頂表面係覆以一液體·樹脂，液體樹脂隨後固化 以製成第五樹脂層116。第五樹脂層116及第二半導體晶片 112係自其相對立於第二半導體晶片112電路成型表面之表 面處開始研磨，以利薄化第二半導體晶片U2，且在研磨後 -49- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

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線 515079 A7 B7 五、發明説明（47 亦使第二半導體晶片112之頂表面等高於第五樹脂層116之 底表面。第六樹脂層117係製成以覆蓋於研磨後之第二半導 體晶片112與第五樹脂層116之頂表面，及隨後第二外部配 線導電膜118A製成於第六樹脂層117上。 接著，傳導孔121係製成通過包括樹脂層在内之核芯基板 100 ’各傳導孔121之壁面上製成一互連件122，供相互連接 各配線。隨後，第一及第二外部配線導電膜1 〇 8 A、1 1 8 A係 經圖樣化，以製成第一及第二外部配線1〇8、118，在此成 型期間，第一外部連接端108a製成為部分之第一外部配線 108，同樣地，第二外部連接端118&製成為部分之第二外部 配線118。隨後，焊料抗蝕劑·膜123係製成以覆蓋包括樹脂 層與配線在内之核芯基板1〇〇之頂、底表面，但是第一及第 二外部連接端l〇8a、118a除外。焊料124係接附於第二外部 連接端11 8a，生成之核芯基板1 〇〇係以一切削鋸或類似物沿 著區隔線12 5分隔，以完成圖14 >斤示之本實施例半導體裝 置。 ’ 在實施例3中，除了實施例1取得之效果外，另可取得以 下效果。其可取得一小型半導體裝置，具有接近於可使角 做為 CSP之半導體晶片者之平面尺寸，此小型半導體^置 可以簡單地大量製造。 在貫％例3中，覆蓋半導體晶片之樹脂層係相關於核芯基 板100而對稱地製成，此可平衡樹脂層在核芯基板1〇〇之二 個表面上之收縮，且因而減少半導體裝置之捲曲量。 在實施例3中，相同型式之半導體晶片，例如半導體記憶 -50-

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:二=使用做為第一及第二半導體晶片ι〇2 ΐΐ2。藉 裝。惟，在實於二 有效地以高密度封 片1〇2、， 不可使用做為第-及第二半導體晶 —12之半導體晶片型式並無特定限制。 J實Ϊ例3中’焊料124係接附於第二外部連接端"8a， 式# _曰料124可接附於第一外部連接端108a。此外，第一 3弟一外部連接端118&、丨 1 Φ , Μ 返仃表面處理，例如金 ’又或4料電鍍。當本實施例之半導體裝置係經由外部 接柒以焊接於另一電力裝置之印刷電路板時，焊料之接 :或對於外部連接端之表面處理即提供良好之潤濕於焊 、。請注意，在實施例3中，甚至當外部連接端並未 % ’仍可取得上述效果。 ^在貫施例3中’冑從核芯基板1 〇〇上方一 >ί立置視之時，至 少一對第一外部連接端108&及第二外部連接端118a較佳為 相互匹配地设置，此有利於複數之本實施例半導體裝 下相疊。 二在實施例3中，焊料124之接附可以在核芯基板1〇〇區隔之 前或之後執行，惟，請注意當其係在核芯基板1〇〇區隔之前 執行時’半導體裝置之製造效率較高。 、在實施例3中，核芯基板1〇〇係以區隔線125區隔成四個區 域，區域數並無特定限制。惟，請注意區域數越多，亦 即，藉由區隔核芯基板1 〇〇而構成之半導體裝置數，則半導 體裝置之製造較有效率。 在實施例3中，第三樹脂層1〇7及第六樹脂層117可如實施 -51 -

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線 五、發明説明（ 49 ) 例2者省略。 (實施例3之變換型式） - 本發明實施例3之半導體裝置之一變換型式及其製造方法 將參考相關圖式說明於後。 此變換型式不同於上述實施例3之處在安裝於核芯基板 100頂表面上之第一半導體晶片1〇2之外部尺寸係不同於安 裝於核芯基板100底表面上之第二半導體晶片U2之外部尺 寸，以及當從核芯基板100上方一位置視之時，第一半導體 晶片102之中央位置係未相符於第二半導體晶片112之中央 位置。 文後，本發明實施例3之變換型式之半導體裝置製造方法 將參考相關圖式說明於後。 圖1 8係一平面圖，說明實施例3之製造方法變換型式之一 製程步驟，及圖19係沿圖18之線所取之截面圖。圖18 僅揭示核芯基板100且省略其他組件，而安裝第一半導體晶 片102及第二半導體晶片i 12之位置係以較長虛線與較短虛 線繪出輪廓。在圖18、19中，核芯基板1〇〇之區隔線125係 以單點鏈線表示。 _ 製造實施例3之變換型式半導體裝置之方法將說明於後， 首先’在實施例1所述之方式中（請參閱圖4A至4c、5 A至 5C、6A及6B)，四牧第一半導體晶片1〇2及四枚第二半導體 晶片112分別安裝於核芯基板ι〇〇之頂、底表面上，因此各 者係位於四個區域之各者内，例如核芯基板1 〇〇在此由區隔 線125分段成圖18、19所示之一柵格圖樣。第一半導體晶片 -52- 本紙張尺度適用巾@ g家標準(CNS) A4規格(21GX297公爱) 515079

102之外部尺寸係不同於第二半導體晶片112之外部尺寸， 且當從核芯基板100上方一位置視之時，第一半導體晶片 102之中央位置係未相符於第二半導體晶片"2之中央位 置。隨後，儘管省略說明，核芯基板100係以一切削鋸或類 似物沿著區隔線125分隔，以完成本變換型式之半導體裝 置。 因此，在實施例3之變換型式中，第一半導體晶片1〇2之 外部尺寸係不同於第二半導體晶片112之外部尺寸，或當從 核芯基板100上方一位置視之時，第一半導體晶片1〇2之中 央位置係未相符於第二半導體晶片112之中央位置。儘管如 此，、要第一及第一半導體晶片102、112係安裝於核芯基 板100以區隔線125分隔成之各區域之核芯基板1〇〇頂、底表 面上，上述實施例3之效果基本上即可取得。 實施例4 本發明實施例4之一半導體裝置及其製造方法將參考相關 圖式說明於後。 圖20說明實施例4之半導體裝置之截面結構。 如圖20所示’貫施例4最不同於實施例1之處在第二半導 體晶片112係安裝於第一半導體晶片1〇2之頂表面上，即安 裝於核芯基板1〇〇之頂表面上，使第二半導體晶片i 12之電 路成型表面面向核芯基板100之頂表面。請注意在實施例4 中，如同實施例3者，第一半導體晶片1〇2之外部尺寸係相 同於第二半導體晶片n2之外部尺寸，且當從核芯基板1⑻ 上方一位置視之時，第一半導體晶片1〇2之中央位置係相符 -53-

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線 A7 _________B7 五、發明説明（51 ) 於第二半導體晶片112之中央位置。 詳細言之，如圖20所示，第一内部配線101係製成於一核 芯基板100之頂表面上，在核芯基板1〇〇之頂表面上亦安裝 第一半導體晶片102，使其電路成型表面面向核芯基板1〇〇 之頂表面。細言之，製成於第一半導體晶片1〇2電路成型表 面上所提供電極（圖中未示）上之第一墊塊103係利用導電膏 104以結合於第一内部配線1〇1之第一元件連接突塊i〇ia， 亦即第一半導體晶片i 〇2及第一内部配線i 〇丨係電氣性相互 連接。第一樹脂層1 〇5製成於第一半導體晶片i 〇2及核芯基 板1 00之間，及第二樹脂層i 〇6製成以覆蓋核芯基板工⑼之頂 表面與第一半導體晶片！ 〇2之側面，第一半導體晶片i 〇2之 頂表面係‘成專南於第二樹脂層1 〇 6之頂表面。第三樹脂層 1〇7製成以覆蓋第一半導體晶片102及第二樹脂層1〇6二者^ 頂表面。 第二内部配線m製成於第三樹脂層107之頂表面上，在 第三樹脂層1〇7之頂表面上亦安裝第二半導體晶片112，使 其電路成型表面面向核芯基板100之頂表面。細言之，製成 於第一半導體晶片112電路成型表面上所提供電極（圖中未 示）上之第二墊塊113係利用導電膏114以結合於第二内部配 線1 1 1之第一元件連接突塊1 1 1 a ,亦即第二半導體晶片1 2 及第二内部配線111係電氣性相互連接。第四樹脂層115製 成於第二半導體晶片112及第三樹脂層1〇7之間，及第五樹 脂層116製成以覆蓋第三樹脂層107之頂表面及第二半導體 曰曰片112之側面’第二半導體晶片112之頂表面係製成等高 -54·

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於第五樹脂層116之頂表面。第六樹脂層117製成以覆蓋第 二半導體晶片112之頂表面及第五樹脂層116二者之頂表 面，第一外部配線108係製成於第六樹脂層117之頂表面 上，第二外部配線118製成於核芯基板100之底表面上。 傳導孔121係製成通過包括樹脂層在内之核芯基板1〇〇 , 各傳導孔121之壁面上製成互連件122，供相互連接各配 線。焊料抗蝕劑膜123覆蓋包括樹脂層與配線在内之核芯基 板100之頂、底表面，但是提供做為部分第一及第二外部配 線108、118之第一及第二外部連接端1〇8a、丨18a除外。焊料 124係接附於第二外部連接端118a。 實施例4之半導體裝置之特性在於第一及第二半導體晶片 102、112係上下堆疊於核芯基板ι〇〇之頂表面上，且各別電 路成型表面朝向相同方向。隨後，實施例4自此特性而超越 實施例3之優越性將做為一比較性實例而參考相關圖式說明 於後，其針對第一及第二半導體晶片1〇2、U2係同型之半 導體記憶體。惟，在此例子中，應該注意的是第一及第二 半導體晶片102、112間之電氣性連接需為相同位址端、相 同1/ 0端、相同控制端、及類似者，且諸半導體晶片係相立 連接。 圖21A、21B、22A及22B簡示實施例3之半導體裝置之配 線圖樣（如圖14)做為比較性實例，特別是，圖2 1 a說明包括 第一外部連接端l〇8a在内之第一-外部配線108圖樣，圖21B β尤明包括第一元件連接突塊1 〇 1 a在内之第一内部配線1 〇 1圖 樣，圖22A說明包括第二元件連接突塊illa在内之第二内部 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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線 515079 A7 _B7 五、發明説明（53 ) ' 一 配線111圖樣，及圖22B說明包括第二外部連接端n 8a在内 之第二外部配線11 8圖樣。 圖23A、23B、24A及24B間不貫施例4之半導體裝置之配 線圖樣（如圖2 0)’特別是’圖2 3 A說明包括第一外部連接端 108a在内之第一外部配線1〇8圖樣，圖23B說明包括第一元 件連接突塊10la在内之第一内部配線101圖樣，圖24a說明 包括第二元件連接突塊111 a在内之第二内部配線1丨丨圖樣， 及圖24B說明包括第二外部連接端丨丨8a在内之第二外部配線 11 8圖樣。

在圖 21A、21B、22A及 22B 以及圖 23A、23B、24A及 24B 中，核芯基板100之輪廓及傳導孔121之位置係在各別配線 圖樣之外揭示’必要時亦揭示第一塾塊1 與第二塾塊1 i 3 之位置以及第一半導體晶片102與第二半導體晶片n2之安 裝位置。 如圖2 1A、2 1B、2 2 A及2 2 B所示，在比較性實例中，安裝 於核心基板100頂表面上之第一半導體晶片1〇2之電路成型 表面及安裝於核芯基板100底表面上之第二半導體晶片n2 之電路成型表面係朝向相反方向。因此，第一及第二半導 體晶片102、112未能定位使得從核芯基板丨00上方之一位置 視之時其相同位址端可相互重疊。在此結構中，若試圖經 由傳導孔121將第一及第二半導體晶片102、112之相同位址 端相互連接，則第二内部配線n }需要長路徑，如圖22A所 示0 反之，如圖23A、23B、24A及24B所示，在實施例4中， -56- 本纸張尺度適財國g家標準(CNS) Μ規格(21GX297公董) 裝 訂

線 515079 A7 __ B7_ 五、發明説明(54 ) ~ " 安裝於核芯基板100頂表面上之第一半導體晶片1〇2之電路 成型表面及安裝於核芯基板100上第一半導體晶片1〇2頂表 面上之第二半導體晶片1丨2之電路成型表面係朝向相反方 向。因此，g從核心基板1 〇 0上方之一位置視之時，可以堆 疊第一及第二半導體晶片102、i 12 ,使其相同位址端相互 重4：。因此’第一及第二半導體晶片1 〇2、^ 12之相同位址 端可以經由僅需短配線路徑（如圖23B、24A)之傳導孔121而 相互連接，易言之，在實施例4中，配線行程係比比較性實 例者簡省，且配線之製成因而簡易。 文後’實施例4之一半導體裝置製造方法將說明之，其係 以圖20所示本貫施例半導體裝置之製造為例且參考相關圖 式。 圖25係實施例4之製造方法之流程圖，圖26八至26(：、27A 至27C、28A及28B係截面圖，說明實施例4之製造方法之各 別製程步驟。 - 首先’請參閱圖26A，在步驟S201中，複數第一内部配線 101製成於核芯基板1 〇〇之頂表面上，使其各位於核芯基板 100以區隔線（圖中未示）分段成一柵格圖樣之複數區域各著 内。在此成型期間，第一元件連接突塊10 1 a係製成為部分 之第一内部配線1 〇 1。在步驟S2〇2中，第二外部配線導電膜 118A製成於核芯基板1〇〇之底表面上。 請參閱圖26B，在步驟S203中，導電膏1〇4係施加於已事 先製成於第一半導體晶片1〇2電路成型表面上所提供電極 (圖中未不）上之第一墊塊1〇3，索一墊塊1〇3隨後結合於第 -57- 本紙張尺度適种S g家標準(CNS) Μ規格(別X撕公爱) >15079 A7

一元件連接突塊101a。依此，夂筮 坐道触 各第一丰導體晶片102係製成 於各區核芯基板10 0之頂表面卜。 Μ衣命上，使第一 +導體晶片102之 電路成型表面面向核芯基板1〇〇之頂表面。 請參閱圖26C，在步驟㈣4中，一液體樹脂係填注入各第 —半導體晶片1〇2與核芯基板1〇〇之間空隙，且隨後固化以 製成第一樹脂層1 05 (下方樹脂）。 請參閱圖27Α，在步驟S2〇5中，一液體樹脂製成以覆蓋包 括第一半導體晶片102在内之核芯基板1〇〇頂表面，且隨後 固化以製成第二樹脂層1 〇 6 (側面樹脂）。 請苓閱圖27B，在步驟S2〇6中，第二樹脂層1〇6及第一半 導體晶片102係自相對立於第一半導體晶片1〇2電路成型表 面之表面處開始研磨，以利薄化第一半導體晶片1〇2，且在 研磨後亦使第一半導體晶片1 〇2之頂表面等高於第二樹脂層 106之頂表面。 请參閱圖27C ,在步驟S207中，第三樹脂層1〇7 (上方樹 脂）係製成以覆蓋於研磨後之第一半導體晶片1〇2頂表面及 第二樹脂層106頂表面。在步驟S2〇8中，欲圖樣化為第二内 部配線1 1 1之第二内部配線導電膜n丨A係製成於第三樹脂層 107 上。 請參閱圖28A，在步驟S209中，第二内部配線導電膜111 a 係在第三樹脂層107之頂表面上圖樣化為複數第二内部配線 111，使其各位於各區域内。在此成型期間，第二元件連接 突塊111 a係製成為部分之第二内部配線111。 隨後，請參閱圖28B，執行相似於上述步驟S203至S207之 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 A7 ---------—_ 67 五、發明説明（56 ) ' " ---— 製程步驟，亦即在步驟㈣中，導電膏m係施加於已事先 製成於第二半導體晶片112電路成型表面上所提供電極(圖 中未不)上之第二墊塊113，第二墊塊113隨後結合於第二元 件連接突塊uu。依此，第二半導體晶片112係安裝於各區 第三樹脂層H)7之頂表面上，使第二半導體晶片⑴之電路 成型表面面向核芯基板1〇〇之頂表面。請注意第一半導體晶 片102之外部尺寸係相同於第二半導體晶片ιΐ2之外部尺 寸，以及當從核芯基板100上方一位置視之時，各區第一半 導體晶片102之中央位置係相符於第二半導體晶片ιΐ2之中 央位置。在步驟S211中，一液體樹脂係填注入各第二半導 體晶片112與核芯基板1〇〇之間空隙，且隨後固化以製成第 四樹脂層1 1 5 (下方樹脂）^在步輝S2 12中，一液體樹脂係施 加以覆蓋於包括第二半導體晶片112在内之第三樹脂層1〇7 之頂表面，且隨後固化以製成第五樹脂層Π6 (側面樹脂）。 在步驟S213中，第五樹脂層116及第二半導體晶片112係自 相對立於第二半導體晶片112電路成型表面之表面處開始研 磨’以利薄化第二半導體晶片丨12，且在研磨後亦使第二半 導體晶片112之頂表面等高於第五樹脂層丨16之頂表面。在 步驟S2 14中’第六樹脂層丨丨7 (上方樹脂）係製成以覆蓋於研 磨後之第二半導體晶片丨12頂表面及第五樹脂層n 6頂表 面。在步驟S2 1 5中，第一外部配-線導電膜1〇8A製成於第六 樹脂層117上。隨後，在步驟S216中，傳導孔^丨係製成通 過包括樹脂層在内之核芯基板丨〇〇，且各傳導孔12丨之壁面 上製成互連件122，供相互連接各配線。 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 515079 A7

凊參閱圖29A，在步驟S2 17中，-第一及第二外部配線導電 膜108A、118A係經圖樣化，以在各區製成複數第一外部配 線108及複數第二外部配線118。在此成型期間，第一外部 連接端108a製成為部分之第一外部配線1〇8，同樣地，第二 外部連接端11 8 a製成為部分之第二外部配線11 8。 請參閱圖29B，焊料抗蝕劑膜123係製成以覆蓋包括樹脂 層與配線在内之核芯基板1 00之頂、底表面，但是第一及第 二外部連接端1 〇8a、11 8a除外，以完成圖1所示之本實施例 半體裝置。隨後’儘管省略說明，焊料12 4係接附於第二 外部連接端1 1 8a ’及核芯基板1 〇ό接著以一切削鑛或類似物 沿著區隔線12 5分隔，以完成本實施例之半導體裝置。 在實施例4中，除了實施例丨取得之效果及實施例3取得之 效果（不含相關於核芯基板1〇〇而覆蓋半導體晶片之樹脂層 對稱製成所引起者），其仍可取得以下效果，亦即，若第一 及第二半導體晶片丨〇2、1 12係相同型式，其即可減小連接 諸半導體晶片之配線長度，且因而簡化配線圖樣。 在實施例4中，第一半導體晶片1〇2之外部尺寸係相同於 第二半導體晶片112之外部尺寸，以及當從核芯基板1〇〇上 方一位置視之時，第一半導體晶片1〇2之中央位置係相符於 第一半導體晶片1 12之中央位置。本實施例之效果基本上亦 可在第一及第二半導體晶片1〇2、112彼此不同，或當從核 芯基板1〇〇上方一位置視之而第一及第二半導體晶片1〇2、 112之中央位置彼此不同時取得，只要第一及第二半導體晶 片102、1 12係在核芯基板1〇〇以區隔線分段成之各區域内積

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線 -60 -

Claims (1)

1. M5079 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 編 種製造一半導體裝置之包含以下步驟： (1)安裝一半導體晶片；f一/基板之一第一表面上，基板 具有製成於第一表面上之配線，使半導體晶片之一電路 成型表面面向基板之第一表面，且電路成型表面上提供 之·一電極係連接於配線； 以霞蓋 (2)製成一封合之樹脂層於基板之第一表面上 半導體晶片；及 士（3)自一相對立於電路成型表面之表面開始研磨封合之 樹脂層及半導體晶片，以利薄化半導體晶片。 士申明專利範圍第丨項之方法，其中一由無機材料製成 之填料係混合於封合之樹脂層内。 3.如申請專利$|圍第i項之方*，進一步包含在步驟⑴及 步驟（2)之間製成一樹脂層於基板與半導體晶片 驟。 / 4·如申請專利範圍第丨項之方法，其中步驟⑺包含在一較 低於大氣壓力之壓力下製成封合之樹脂層之步驟。 5· ^申晴專利範圍第丨項之方法，其中步驟（3)包含研磨半 導體晶片及封合之樹脂層以使其彼此等高之步驟。— 6. 如申请專利範圍第i項之方法，其中步驟⑺包含藉由檢 測半導體晶片及封合之樹脂層之研磨所生之含有^屑之 研磨水之電阻變化，以確認半導體晶片之一研磨=始位 置之步驟。 σ 7. 如申請專利範圍第1之方法，其中步驟⑺包含 檢 測作用在研料導體晶片及封合之樹脂層之研Μ上之 -62-

   研磨拉曳變化，以確認半導體晶片之一研磨啟始位置之 步驟。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中步驟（3)包含藉由以 光線=射半導體晶片及封合之樹脂層，及檢測光線之一 反射置或吸收量變化，以確認半導體晶片之一研磨啟始 位置之步驟。 如申吻專利範圍第1項之方法，進一步包含在步驟（3 )之 後製成一絕緣層於一相對立於半導體晶片電路成型表面 之表面上之步驟。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中絕緣層係由一不同 於封合之樹脂層之材料製成。 11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中絕緣層係藉由固化 添加樹脂之銅箔内之樹脂而製成。 12. 如申明專利範圍第1項之方法，進一步包含在步驟（3)之 佼製成一導電層於一相對立於半導體晶片電路成型表面 之表面上之步驟。 13·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含在步驟（3)之 後，製成一外部連接端於相對立於電路成型表面之封合- 之树月曰層或半導體晶片之一表面上，或基板之一第二表 面上之步驟。 14·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含在步驟（3)之 後，製成一第一外部連接端於相對立於電路成型表面之 封合之樹脂層或半導體晶片之一表面上，及一第二外部 連接端於基板之一第二表面上之步驟， -63 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

   裝 訂 C8 D8 六、申請專利範圍 :中當從基板之第一表面上一位置視之時，第一 卜。P連接端及第二外部連 15. -種製造-半導體裝置之春以 戈内 ⑴安裝-第-半導體晶祕A广驟· 卞导篮晶基板之一第一表面上， 基板具有製成於第一表面上之篦 曰Μ夕一楚線’使第-半導體 :、電路成型表面面向基板之第-表面，且第 電路成型表面上接供夕—笛 ^ 線； 挺供之第一電極係連接於第一配 (2) 製成一第一封合之樹脂層-於基板之第一 覆蓋第一半導體晶片； ^ (3) 自-相對立於第一電路成型表面之表面開始研磨第 -封合之樹脂層及第一半導體晶片，以利薄 體晶片； > (4) 製成第二配線於相對立於第一電路成型表面之第一 封合之樹脂層或第一半導體晶片之一表面上； (5) 安裝一第二半導體晶片於相對立於第一電路成型表 面之第一封合之樹脂層或第一半導體晶片之表面上，使 第二半導體晶片之一第二電路成型表面面向基板之第二 表面，及使第二電路成型表面上提供之一第二電極連= 於第二配線； (6) 製成一第二封合之樹脂層於相對立於第一電路成型 表面之第-封合之樹脂層或第一半導體晶片之表面上， 以覆蓋第二半導體晶片；及 (7) 自一相對立於第二電路成型表面之表面開始研磨第 -64 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 515079 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 二封合之樹脂層及第二半導體晶片，以利薄化第二半導 體晶片。 16·如申请專利範圍第1 5項之方法，其中第一半導體晶片及 第二半導體晶片係相同之端子數及端子位置。 17.如申請專利範圍第15項之方法，其中當從基板之第一表 面上方之一位置視之時，第一 g體晶片及第二半導體 晶片係位於相同區域内。 丨, 18· —種製造一半導體裝置之；以下步驟： (1) 女裝厂第一半導體晶| 基板之一第一表面上， 基板具有製成於第一表面上之第一配線及製成於一第二 表面上之第二配線，使第二半導體晶片之一第一電路成 型表面面向基板之第一表面，及使第一電路成型表面上 提供之一第一電極連接於第一配線； (2) 製成一第一封合之樹脂層於相對立於基板之第一表 面上，以覆蓋第一半導體晶片； (3) 自一相對立於第一電路成型表面之表面開始研磨第 一封合之樹脂層及第一半導體晶片，以利薄化第一半導 體晶片； 、 (4) 安裝一第二半導體晶片於基板之第二表面上，使第 二半導體晶片之一第二電路成型表面面向基板之第二表 面，及使第二電路成型表面上提供之一第二電極連接於 第二配線； ' (5) 製成一第一封合之樹脂層於基板之第二表面上 、 覆蓋第二半導體晶片；及 ^ -65- 515079 申請專利範園 (6)自-相對立於第二電路成型表面之表面開始研磨第 二封合之樹脂層及第二半導體晶片，以利薄化第二 體晶片。 设如申請專利範圍第18項之方法，其中當從基板之第—表 面上方之一位置視之時，第一半導體晶片及第二半導體 晶片係位於相同區域内。 20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中步驟⑺係在第二 配線尚未製成於基板之第二表面上之狀態中執行。 21. 如申請專利範圍第18項之方法，其中步驟（3)係在一導 電膜製成於基板之第二表面上且尚未圖樣化成為第二配 線之狀態中執行。 訂 22. 如申請專利範圍第18項之方法，進一步包含在步驟⑷ 之後，以一樹脂膜同時覆蓋相對立於第一電路成型表面 之第-半導體晶片之表面’Μ對立於第二電 面之第二半導體晶片之表^ (1) 安裝各用於複數區_者之複數半導體晶片在一基 板之一第一表面上，基板具有製成於第一表面上且各5 於複數區域各者之複數配線，使各半導體晶片之電路成 型表面面向基板之第一表面，及使電路成型表面上提供 之多數電極分別連接於複數配線； (2) 製成一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以 複數半導體晶片； — ^ (3) 自相對立於電路成型表面之多數表面開始研磨封合 扛-種製造一半導體裝置含以下步驟： i張尺歧财 A4^(21GX297 公幻 ABCD 515079 六、申請專利範圍 之樹月曰層及複數半導體晶片，以利薄化複數半導體晶 片；及 (4)將包括複數薄化之半導^無片在内之基板區隔成複 數區域。 國疼 24·種製造一半導體裝置之；含以下步驟： (1) 女裝各用於複數區域暴眷之複數第一半導體晶片在 基板之一第一表面上，基板具有製成於第一表面上且 各用於複數區域各者之複數第一配線，使各第一半導體 晶片之第一電路成型表面面向基板之第一表面，及使第 一電路成型表面上提供之多數電極分別連接於複數第一 配線； (2) 製成一第一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以 覆蓋複數第一半導體晶片； (3) 自相對立於第一電路成型表面之多數表面開始研磨 第一封合之樹脂層及複數第一半導體晶片，以利薄化複 數第一半導體晶片； (4) 製成各用於複數區域各者之複數第二配線在相對立 於第一電路成型表面之第一封合之樹脂層之一表面上，· 或複數第一半導體晶片之表面上； (5) 安裝各用於複數區域各者之複數第二半導體晶片在 相對立於第一電路成型表面之第一封合之樹脂層之表面 上或複數第一半導體晶片之表面上，使各第二半導體 晶片之第二電路成型表面面向基板之第一表面，及使第 二電路成型表面上提供之多數第二電極分別連接於複數 •67· 本^^度勒+ ® ®家料(CNS) A4規格(210X297公釐)—

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   苐—配線； (6)製成-第二封合之樹脂層、在相對立於第—電路成型 f面之第一封合之樹脂層之表面上，或複數第一半導體 晶片之表面上，以覆蓋複數第二半導體晶片； 々⑺自相對立於第二電路成型表面之多數表面開始研磨 第二封合之樹脂層及複數第二半導體晶片，以利薄化複 數第二半導體晶片；及 (8)將包括複數薄化之第二半導體晶片纟内之基板區隔 成複數區域。 25. 數第一配線； (2) 製成一第一封合之樹脂層於基板之第一表面上，以 覆蓋複數第一半導體晶片；. (3) 自相對立於第一電路成型表面之多數表面開始研磨 第一封合之樹脂層及複數第一半導體晶片，以利薄化複 數第一半導體晶片； (4)安裝各用於複數區域各者之複數第二半導體晶片在 基板之第二表面上，使各第二半導體晶片之第二電路成 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

   種製造一半導體裝置含以下步驟： (1)女裝各用於複數者之複數第一半導體晶片^ 一基板之一第一表面上，基板具有製成於第一表面上』 各用於複數區域各者之複數第一配線及製成於一第二4 面上且各用於複數區域各者之複數第二配線，使各第一 半導體晶片之第一電路成型表面面向基板之第一表面， 及使第一電路成型表面上提供之多數電極分別連接於福 裝 訂

   ^表面面向基板之第二表面，及使第二電路成型表面上 提供之多數第二電極分別連接於複數第二配線； (j)製成一第二封合之樹脂層在基板之第二表面上，以 覆蓋複數第二半導體晶片； 々（6)自相對立於第二電路成型表面之多數表面開始研磨 第二封合之樹脂層及複數第二半導體晶片，以利薄化複 數第二半導體晶片；及 (7)將包括化之第二半導體晶片在内之基板區隔 成複數區域。 26. —種半導體含： 一半導體，係安裝於一基板之一第一表面上，基 板具有製成於第一表面上之配線，使半導體晶片之一電 路成型表面面向基板之第一表面，且電路成型表面上提 供之一電極係連接於配線；及 一封合之樹脂層，係製成於基板之第一表面上，以覆 蓋半V體晶片，且亦等高於一相對立於電路成型表面之 半導體晶片表面。 27·如申請專利範圍第26項之半導體裝置，進一步包含一絕· 緣層，係製成於一相對立於電路成型表面之半導體晶片 表面上。 28·如申請專利範圍第26項之半導體裝置，進一步包含一導 電層，係製成於一相對立於電·路成型表面之半導體晶片 表面上。 29·如申凊專利範圍第26項之半導體裝置，進一步包含一外 -69-本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) A8 B8

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   515079 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 接於第二配線；及 一第二封合之樹脂層，係製成於相對立於第—電路成 型表面之第-封合之樹脂層或第一半導體晶片之表面 上，以覆蓋第二半導體晶片，且亦等高於一相對立於第 一電路成型表面之第二半導體晶片表面。 32. 如申請專利範圍第31項之半導體裝置，其中第一半導體 晶片及第二半導體晶片係相同之端子數及端子位置。 第一表面上方置視之時’第-半導體晶片及第 半導體晶片相同區域内。 33. 如申請專利範圍=31項之半導體装置，其中當從基板之 34· —種半導體包含： -第-半fl晶片’係安裝於一基板之一第一表面 上，基板具有製成於第一表面上之第一配線及製成於_ 第二表面上之第二配線，使第—半導體晶片之—第一電 路成型表面面向基板之第—表面，且第一電路成型表面 上提供之一第一電極係連接於第一配線； 一第一封合之樹脂層，係製成於基板之第一表面上， 以覆蓋第一半導體晶片，且亦等高於一相對立於第一電 路成型表面之第一半導體晶片表面； 一第二半導體晶片，係安裝於基板之第二表面上，使 第二半導體晶片之一第二電路成型表面面向基板之第二 表面，且第二電路成型表面上提供之一第二電極係連接 於第二配線；及 一第二封合之樹脂層，係製成於基板之第二表面上， -71 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 515079 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 以覆蓋第二半導體晶片，且亦等高於一相對立於第二電 路成型表面之第二半導體晶片表面。 35·如申請專利範圍第34項之半導體裝置，其中當從基板之 第一表面上方之一位置視之時、，第一半導體晶片及第二 半導體晶片係位於相同區域内。 -72- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）