JP5768888B2 - モジュールの製造方法および端子集合体 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 122
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 122
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 26
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
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- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
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Description
本発明は、層間接続導体を形成する複数の接続端子を用いたモジュールの製造方法および端子集合体に関する。
従来、図11の従来のモジュールの一例に示すように、配線基板501の両面に実装された各種の電子部品502が、樹脂層503により封止されたモジュール500が知られている(例えば特許文献1参照)。また、モジュール500の一方の主面には金属シールド層504が設けられ、他方の主面には外部接続用の実装用端子505が設けられている。そして、金属シールド層504および実装用端子505は、それぞれ層間接続用のビア導体506により配線基板501の配線層と電気的に接続される。
ビア導体506は、配線基板501に設けられた樹脂層503にレーザー加工により形成されたビアホールに、デスミア処理が施された後、AgやCuなどを含む導体ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより形成される。このように、レーザー加工を用いて樹脂層503にビアホールが形成される場合、レーザーの出力調整が煩雑であり、ビアホールの形成精度にばらつきが生じることが問題となっている。また、ビア導体506は、複数の工程を経て樹脂層503に形成されるため、モジュールの製造コストの増大を招くと共に、モジュールの製造時間の短縮化を図る上で妨げとなっていた。また、レーザー加工により樹脂層503に形成されたビアホールにデスミア処理が施される際の薬液や、ビアフィルめっきが施される際の薬液が、樹脂層503や配線基板501を浸食するという問題があった。
そこで、近年、図12に示すように、層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子601が連結体602に一体形成されて成る端子集合体600を、通常の表面実装技術を用いて配線基板501に実装し、ビア導体506に換えて接続端子601によりモジュールの層間接続導体を形成することにより、モジュールの製造コストの低減を図ると共に、モジュールの製造時間の短縮を図る試みがなされている(例えば特許文献2参照)。すなわち、レーザー加工を含む複数の工程を経て樹脂層503にビア導体506を形成するときに実行されていた、レーザーの出力調整や、デスミア処理やめっき処理などの薬液を用いた処理が不要となり、通常の表面実装技術を用いて層間接続導体を備えるモジュールを製造することができる。なお、図12は従来の端子集合体の一例を示す図である。
ところで、図12に示す端子集合体600は、Cuから成る材料がエッチング加工、削り出し加工、またはプレス加工されることにより、柱状の複数の接続端子601および連結体602が一体形成されて製造される。近年、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末の小型化が進むのに伴い、通信携帯端末に搭載されるモジュールの小型化が進み、モジュールに直径が数十μm〜数百μmの層間接続導体を形成することが要求されているが、数μm〜数十μmの加工精度で、削り出し加工やプレス加工により複数の接続端子601を連結体602に精度よく一体形成するのは困難である。
また、接続端子601がエッチング加工により連結体602に一体形成される場合には、接続端子601の根元部分と先端部分とでエッチングの進み具合が異なるため、各接続端子601の形状にばらつきが生じる。また、Cuから成る材料がエッチング加工や削り出し加工されて端子集合体600が形成される場合には、エッチングされたり削られたりした材料が廃棄されるため、端子集合体600の製造コストが増大する一因となっている。
また、端子集合体600が、LTCCやプリント基板などにより形成される配線基板に実装された後、端子集合体600の連結体602が接続端子601から除去されることで、モジュールの層間接続導体が接続端子601により形成される。接続端子601および連結体602は一体形成されているので、配線基板に実装された端子集合体600から連結体602を除去するためには、連結体602を研削や研磨により除去する必要があり、モジュールの製造時間が増大する一因となっている。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、層間接続導体を形成する複数の接続端子が支持体に支持されて成る簡易な構成で、高精度、安価であり、新規な構成の端子集合体を用いることにより、モジュールを精度よく製造することができると共に、モジュールの製造時間の短縮を図ることができる技術を提供することを第1の目的とする。
上記した第1の目的を達成するために、本発明のモジュールの製造方法は、層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子が支持体に支持されて成る端子集合体を準備する準備工程と、前記端子集合体および電子部品を配線基板の一方主面に実装する第1実装工程と、前記配線基板の一方主面に実装された電子部品および前記端子集合体を第1樹脂層により封止する第1封止工程とを備え、前記第1封止工程の前に、前記配線基板の一方主面の前記端子集合体の前記支持体を前記接続端子から除去することを特徴としている。
そして、前記接続端子の一端を、接着または粘着により前記支持体に支持し、前記支持体による接着力または粘着力を低下させて、前記支持体を前記接続端子から除去してもよい。
また、前記第1封止工程の後に前記第1樹脂層の表面を研磨または研削する工程をさらに備えるようにしてもよい。
また、前記研磨または研削工程により、前記接続端子の一端を削るようにしてもよい。
また、前記配線基板の他方主面に電子部品を実装する第2実装工程と、前記配線基板の他方主面に実装された電子部品を第2樹脂層により封止する第2封止工程とをさらに備えるようにしてもよい。
また、前記第2実装工程において前記配線基板の他方主面に前記端子集合体をさらに実装し、前記第2封止工程の前に、前記配線基板の他方主面の前記端子集合体の前記支持体を前記接続端子から除去するのがよい。
そして、前記第2封止工程により形成された前記第2樹脂層に、前記配線基板の他方主面に実装された前記端子集合体の前記接続端子に接続されるように、電子部品をさらに実装してもよい。
請求項1の発明によれば、層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子が支持体に支持されて成る端子集合体が準備されるが、従来の端子集合体と異なり、支持体に支持される各接続端子は、支持体とは別個に形成される。したがって、支持体に一体形成される従来の接続端子と比較すると、各々の接続端子が支持体とは別個に形成されることで、準備工程において準備される端子集合体は加工精度に優れ、非常に高精度な形状を有する柱状の複数の接続端子が支持体により支持されて形成されている。
また、端子集合体は、複数の接続端子が支持体に支持されて成る簡易な構成であり、従来のように、端子集合体を準備する際にエッチングされたり削られたりして廃棄される材料がないため、端子集合体を準備するためのコストが低減される。したがって、複数の接続端子が支持体に支持されるという簡易な構成で、高精度、安価であり、新規な構成の端子集合体および電子部品を配線基板の一方主面に実装し、配線基板の一方主面に実装された電子部品および端子集合体を第1樹脂層により封止することにより、モジュールを精度よく製造することができる。
また、複数の接続端子は支持体に支持されているだけであり、接続端子および支持体はそれぞれ別個に形成されているため、従来の一体構造の端子集合体と比較すると、支持体を複数の接続端子から容易に除去することができるので、モジュールの製造時間の短縮を図ることができる。
また、第1封止工程の前に、配線基板の一方主面の端子集合体の支持体が接続端子から除去されるため、第1樹脂層を形成するために配線基板の一方主面に充填される樹脂の充填性が向上する。また、樹脂が配線基板の一方主面に充填される際に、当該一方主面に実装された端子集合体の支持体が除去されているため、空気が抜けやすく、第1樹脂層にボイドが発生するのを抑制することができる。
また、配線基板の一方主面に実装された端子集合体の支持体が除去されているため、第1樹脂層を形成するために、液状の樹脂や樹脂シートなどの種々の樹脂を使用することができ、一般的に知られている種々の方法により第1樹脂層を形成することができる。
請求項2の発明によれば、各接続端子の一端は、接着または粘着により支持体に支持されており、支持体による接着力または粘着力を加熱するなどして低下させることにより、支持体を接続端子から容易に除去することができる。
請求項3の発明によれば、第1封止工程の後に第1樹脂層の表面が研磨または研削されることにより、第1樹脂層の表面を平坦化することができる。また、第1樹脂層の表面が研磨または研削されることにより、提供されるモジュールの低背化を図ることができる。
請求項4の発明によれば、研磨または研削工程により、第1樹脂層の表面と共に接続端子の一端が削られることで、第1樹脂層の表面に接続端子の一端により形成される外部接続用のランドを形成することができる。
請求項5の発明によれば、配線基板の他方主面に電子部品が実装され、配線基板の他方主面に実装された電子部品が第2樹脂層により封止されることにより、モジュールに実装される電子部品の実装密度を高めることができるので実用的である。
請求項6の発明によれば、配線基板の他方主面に端子集合体がさらに実装されるので、第2樹脂層に接続端子による層間接続導体を形成することができる。また、配線基板の他方主面に実装された電子部品および端子集合体が第2樹脂層により封止される前に、配線基板の他方主面の端子集合体の支持体が接続端子から除去されるため、第2樹脂層を形成するための樹脂を配線基板の他方主面に効率よく充填することができる。
請求項7の発明によれば、第2封止工程により形成された第2樹脂層に、配線基板の他方主面に実装された端子集合体の接続端子に接続されるように、電子部品がさらに実装されるため、モジュールに実装される電子部品の実装密度をさらに高めることができるので実用的である。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態にかかるモジュールについて、図1〜図3を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態にかかるモジュールに用いる端子集合体を示す図である。図2は本発明の第1実施形態にかかるモジュールに用いる端子集合体の底面図である。図3は本発明の第1実施形態にかかるモジュールの製造方法を示す図であり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる工程を示す。
本発明の第1実施形態にかかるモジュールについて、図1〜図3を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態にかかるモジュールに用いる端子集合体を示す図である。図2は本発明の第1実施形態にかかるモジュールに用いる端子集合体の底面図である。図3は本発明の第1実施形態にかかるモジュールの製造方法を示す図であり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる工程を示す。
この実施形態で説明するモジュールの製造方法では、通信携帯端末のマザー基板などに実装される、Bluetooth(登録商標)モジュールおよび無線LANモジュールなどの各種の通信モジュール、アンテナスイッチモジュール、電源モジュールなどの高周波用回路モジュールが製造される。
(端子集合体の製造方法および端子集合体)
図3(d)に示すモジュール100の層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子11を備え、モジュール100の配線基板101に実装される端子集合体10について説明する。図1および図2に示すように、端子集合体10は、配線基板101に実装されることによりモジュール100の層間接続導体を形成する柱状の接続端子11および板状の支持体12から成り、複数の接続端子11が支持体12の一方面の所定位置に支持層13を介して支持されている。
図3(d)に示すモジュール100の層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子11を備え、モジュール100の配線基板101に実装される端子集合体10について説明する。図1および図2に示すように、端子集合体10は、配線基板101に実装されることによりモジュール100の層間接続導体を形成する柱状の接続端子11および板状の支持体12から成り、複数の接続端子11が支持体12の一方面の所定位置に支持層13を介して支持されている。
接続端子11は、Cu、Cuに0.1%〜20%の割合でFeが混合された合金、Au、Ag、Alなどの金属導体により形成される金属ピンを用いることができる。なお、CuにFeが混合されて硬度が増した合金により接続端子11を形成することで、接続端子11が切削加工等されるときにバリ等が生じることを抑制することができるので、接続端子11が切削等されたときの加工精度を向上することができる。また、所望の直径を有し、円形状または多角形状の断面形状を有する金属導体の線材が、所定の長さでせん断加工されることで、接続端子11は、円柱状または多角柱状に形成される。
また、この実施形態では、金属導体の線材がせん断された後、該せん断部分が接続端子11の軸方向にプレス加工されることにより、接続端子11の一端に鍔状の凸部11aが形成されている。
そのため、支持層13と接続端子11の一端との接触面積が大きくなるので、支持層13により接続端子11の一端を接着または粘着して確実に支持することができる。また、支持体12を形成する板状部材の材質はどのようなものであってもよいが、例えば、端子集合体10がモジュール100の配線基板101にはんだにより実装される場合に、リフローの際の加熱により変形が生じない材質の板状部材により支持体12を形成するとよい。
また、支持体12の支持層13は、液状の接着剤や粘着剤を板状部材の一方面に塗布して形成してもよいし、シート状の接着シートや粘着シートを板状部材の一方面に張り付けて形成してもよい。また、支持層13の厚みは、モジュール100の配線基板101に接続端子11が実装されたときの接続端子11の高さに誤差が生じるのを防止し、接続端子11が傾いたりするのを防止するために、できるだけ薄い方がよく、支持層13は、100μm以下、望ましくは50μm以下の厚みで形成するとよい。
また、支持層13を形成する接着剤または粘着剤として、エポキシ系やアクリル系のものを用いることができるが、例えば、所定温度以上に加熱されると軟化し、冷却されると硬化する性質を有する粘着剤により支持層13を形成するとよい。このような性質を有する粘着剤により支持層13を形成することにより、端子集合体10が保管された状態では、支持体12の支持層13が硬化した状態であるため、保管状態の端子集合体10の支持体12の支持層13にごみや埃が付着するのを防止することができる。
また、端子集合体10は任意の方法により作製することができるが、例えば振込により作製してもよい。振込治具に形成された、接続端子11の径よりも大きな振込孔にその一端が振込孔から突出するように接続端子11を振り込み、接続端子11の一端に支持体を押し当てることにより支持体に支持させ、その後、支持体ごと振込治具から引き抜くことにより、端子集合体10を作製することができる。
また、上記したように、端子集合体10を各モジュール100に対応するように個別に製造してもよいが、複数の端子集合体10の集合体を形成した後に、個々の端子集合体10に個片化することにより端子集合体10を製造してもよい。
また、接続端子11の一端に凸部を設けなくともよい。
(モジュールの製造方法)
端子集合体10および電子部品102が配線基板101に実装され樹脂封止されて成るモジュール100の製造方法について説明する。
端子集合体10および電子部品102が配線基板101に実装され樹脂封止されて成るモジュール100の製造方法について説明する。
まず、モジュール100の層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子11が支持体12に支持されて成る端子集合体10が準備される(準備工程)。そして、図3(a)に示すように、端子集合体10と、各種のチップ部品やICなどの電子部品102とが、配線基板101の一方主面の所定位置にはんだリフローや超音波振動接合などの一般的な表面実装技術により実装される(第1実装工程)。
なお、配線基板101は、この実施形態では、複数のセラミックグリーンシートが積層されて焼成されて成る多層セラミック基板である。セラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたものであり、セラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにAgやCuなどを含む導体ペーストが充填されて層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成される。その後、各セラミックグリーンシートが積層、圧着されることによりセラミック積層体が形成されて、セラミック積層体が約1000℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成されることにより配線基板101が形成される。
このように、配線基板101には、内部配線パターン、端子集合体10および電子部品102が実装される実装用電極および外部接続用電極などの種々の電極パターンが設けられているが、配線基板101は、樹脂やポリマー材料などを用いた、プリント基板、LTCC、アルミナ系基板、ガラス基板、複合材料基板、単層基板、多層基板などで形成することができ、モジュール100の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択して配線基板101を形成すればよい。
次に、図3(b)に示すように、配線基板101の一方主面に実装された端子集合体10の支持体12が接続端子11から除去される。この実施形態では、接続端子11は、その一端に形成された凸部11aが接着または粘着により支持体12の支持層13に支持されており、支持体12の支持層13の接着力または粘着力を低下させることにより、支持体12が接続端子11から除去される。
例えば、エポキシ系の熱硬化型の接着剤や粘着剤により支持層13が形成されている場合には、支持層13をガラス転移温度(Tg)以上に加熱することにより、支持層13の接着力や粘着力を低下させて支持体12を接続端子11から除去するとよい。この場合、支持層13の接着力や粘着力を低下させるために加熱する際に、端子集合体10および電子部品102を配線基板101に接合するはんだが溶融しないように、支持層13のガラス転移温度が、はんだの溶融温度である約200℃以下であるのが望ましい。
また、例えば、アクリル系の接着剤や粘着剤により支持層13が形成されている場合には、アルカリ性界面活性剤や酢酸エチルなどを用いることで、支持層13の接着力や粘着力を低下させて支持体12を接続端子11から除去するとよい。
続いて、図3(c)に示すように、配線基板101の一方主面に樹脂が充填されることにより、配線基板101の一方主面に実装された電子部品102および端子集合体10が第1樹脂層103により封止される(第1封止工程)。第1樹脂層103は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性の樹脂に、酸化アルミニウムやシリカ(二酸化ケイ素)、二酸化チタンなどの無機フィラーが混合されて形成された複合樹脂により形成することができる。
例えば、PETフィルム上に複合樹脂を成型して半硬化させた樹脂シートを用いて第1樹脂層103を形成する場合には、所望の厚みを有するスペーサ(型)が周囲に配置された状態の配線基板101に樹脂シートを被せ、樹脂の厚みがスペーサの厚みになるように樹脂シートを加熱プレスした後、配線基板101をオーブンにより加熱して樹脂を硬化させることにより、所望の厚みを有する第1樹脂層103を形成することができる。なお、第1樹脂層103は、液状の樹脂を用いたポッティング技術やトランスファーモールド技術、コンプレッションモールド技術など、樹脂層を形成する一般的な成型技術を用いて形成すればよい。
次に、図3(d)に示すように、ローラブレード等により第1樹脂層103の表面が研削されたり研磨されることにより、不要な樹脂が除去されて、第1樹脂層103の表面が平坦化されると共に、接続端子11の一端が露出される(研磨または研削工程)。これにより、第1樹脂層103の表面に露出する接続端子11の一方端部により外部接続用の端子(ランド)が形成されたモジュール100が完成する。
なお、接続端子11の他端を配線基板101に接続するはんだの厚みなどの影響で、接続端子11の配線基板101からの高さにばらつきが生じている場合には、第1樹脂層103と一緒に接続端子11の一端を削ることにより、接続端子11の配線基板101からの高さを揃えることができる。また、第1樹脂層103の表面に露出した接続端子11の一方端部に例えばNi/Auめっきを施してもよい。
また、この実施形態では、第1樹脂層103の表面を研磨または研削する際に、接続端子11の一端を樹脂層103と一緒に研磨または研削することにより、接続端子11の一端に形成された凸部11a全体を取り除いている。このようにすると、各接続端子11の横断面が、外部接続用の端子として第1樹脂層103の表面に露出する。したがって、第1樹脂層103の表面に設けられる外部接続用の端子の面積を均一に形成することができる。
また、第1封止工程において、各接続端子11の一端が露出するように第1樹脂層103が形成される場合には、第1樹脂層103の表面を研磨または研削する工程は、必ずしも実行しなくともよい。
また、端子集合体10の支持体12を接続端子11から除去せずに、配線基板101の一方主面に樹脂を充填して第1樹脂層103を形成してもよい。この場合、研磨または研削工程において、第1樹脂層103と一緒に端子集合体10の支持体12を研削や研磨により除去すればよい。
また、上記したように、モジュール100を個別に製造してもよいが、複数のモジュール100の集合体を形成した後に、個々のモジュール100に個片化することによりモジュール100を製造してもよい。この場合、配線基板101の集合体に複数の端子集合体10を実装する際に、個片化される前の端子集合体10の集合体を配線基板101の集合体に実装してもよい。このようにすると、配線基板101への端子集合体10の実装時間の短縮を図ることができるので、モジュール100の製造時間の短縮を図ることができる。
なお、配線基板101の集合体に複数の端子集合体11を実装する際に、個片化された複数の端子集合体10をそれぞれ個別に配線基板101の集合体の個々のモジュール100に対応する位置に実装してもよい。このようにすると、配線基板101の集合体に端子集合体10の集合体を実装する場合よりも、端子集合体10を位置精度よく配線基板101に実装することができる。
以上のように、この実施形態では、層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子11が支持体12に支持されて成る端子集合体10が準備されるが、支持体および接続端子が一体形成された従来の端子集合体と異なり、支持体に支持される各接続端子11は、支持体12とは別個に形成される。したがって、支持体に一体形成される従来の接続端子と比較すると、各々の接続端子11が支持体12とは別個に形成されることで、準備工程において準備される端子集合体10は、非常に高精度な形状を有する柱状の複数の接続端子11が支持体12により支持されて形成されている。
また、端子集合体10は、複数の接続端子11が支持体12に支持されて成る簡易な構成であり、従来のように、端子集合体10を準備する際にエッチングされたり削られたりして廃棄される材料がないため、端子集合体10を準備するためのコストが低減される。したがって、複数の接続端子11が支持体12に支持されるという簡易な構成で、高精度、安価であり、新規な構成の端子集合体10および電子部品102を配線基板の一方主面に実装し、配線基板101の一方主面に実装された電子部品102および端子集合体10を第1樹脂層103により封止することにより、モジュール100を精度よく製造することができる。
また、複数の接続端子11は支持体12に支持されているだけであり、接続端子11および支持体12はそれぞれ別個に形成されている。したがって、従来の一体構造の端子集合体と比較すると、支持体12を複数の接続端子11から容易に除去して、モジュール100の層間接続導体を接続端子11により形成することができるので、モジュール100の製造時間の短縮を図ることができる。
また、配線基板101の一方主面の端子集合体10の支持体12が接続端子11から除去された状態で樹脂が配線基板101の一方主面に充填されるので、第1樹脂層103を形成するために配線基板101の一方主面に充填される樹脂の充填性が向上する。また、樹脂が配線基板101の一方主面に充填される際に、当該一方主面に実装された端子集合体10の支持体12が除去されているため、空気が抜けやすく、第1樹脂層103にボイドが発生するのを抑制することができる。
また、配線基板101の一方主面に実装された端子集合体10の支持体12が除去されているため、第1樹脂層103を形成するために、液状の樹脂や樹脂シートなどの種々の態様の樹脂を使用することができ、一般的に知られている種々の方法により第1樹脂層103を容易に形成することができる。
また、各接続端子11の一端は、接着または粘着により支持体12に支持されており、支持体12による接着力または粘着力を加熱するなどして低下させることにより、支持体12を接続端子11から容易に除去することができる。
また、第1封止工程の後に第1樹脂層103の表面を研削や研磨により、第1樹脂層103の表面を平坦化することができる。
また、研磨または研削工程により、第1樹脂層103の表面と共に接続端子11の一端を削ることで、第1樹脂層103の表面に接続端子11の一端により形成される外部接続用のランドを容易に形成することができる。
また、非常に高精度な形状を有する柱状の複数の接続端子11が支持体12により支持されて成る端子集合体10は、複数の接続端子11が支持体12に支持されて成る簡易な構成でありながら、高精度、安価であり、一方面に接着層または粘着層から成る支持層13が形成された板状部材から成る支持体12により接続端子11の一端が支持されるため、非常に実用的な構成を備えている。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態にかかるモジュールについて、図4を参照して説明する。図4は本発明の第2実施形態にかかるモジュールを示す図である。
本発明の第2実施形態にかかるモジュールについて、図4を参照して説明する。図4は本発明の第2実施形態にかかるモジュールを示す図である。
この実施形態にかかるモジュールが、上記した第1実施形態と異なるのは、図4に示すように、モジュール100aの配線基板101の他方主面に電子部品102がさらに実装される点である(第2実装工程)。その他の構成は上記した第1実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。なお、この実施形態では、接続端子11の一端に凸部が設けられておらず、接続端子11の端面によりモジュール100aの外部接続用のランドが形成されている。
したがって、配線基板101の他方主面に電子部品102が実装されることにより、モジュール100aに実装される電子部品102の実装密度を高めることができるので実用的である。
<第3実施形態>
本発明の第3実施形態にかかるモジュールについて、図5を参照して説明する。図5は本発明の第3実施形態にかかるモジュールを示す図である。
本発明の第3実施形態にかかるモジュールについて、図5を参照して説明する。図5は本発明の第3実施形態にかかるモジュールを示す図である。
この実施形態にかかるモジュールが、上記した第2実施形態と異なるのは、図5に示すように、モジュール100bの配線基板101の他方主面に実装された電子部品102が第2樹脂層104により封止される点である(第2封止工程)。その他の構成は上記した第1および第2実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
以上のように、上記した第2実施形態と同様に、配線基板101の他方主面に電子部品102が実装され、配線基板101の他方主面に実装された電子部品102が第2樹脂層104により封止されることにより、モジュール100bに実装される電子部品102の実装密度を高めることができるので実用的である。
<第4実施形態>
本発明の第4実施形態にかかるモジュールについて、図6を参照して説明する。図6は本発明の第4実施形態にかかるモジュールを示す図である。
本発明の第4実施形態にかかるモジュールについて、図6を参照して説明する。図6は本発明の第4実施形態にかかるモジュールを示す図である。
この実施形態にかかるモジュールが、上記した第3実施形態と異なるのは、図6に示すように、モジュール100cの配線基板101の他方主面に設けられた第2樹脂層104に金属シールド層105が設けられている点である。その他の構成は上記した第1〜第3実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。なお、金属シールド層105は、配線基板101に設けられたGND用配線と電気的に接続されるのが望ましい。
このように構成すると、第2樹脂層104に金属シールド層105が設けられているため、特に、第2樹脂層104に封止される電子部品102に外部からノイズが伝搬するのが防止されると共に、第2樹脂層104に封止される電子部品102から電磁波などが輻射するのが防止される。
<第5実施形態>
本発明の第5実施形態にかかるモジュールについて、図7を参照して説明する。図7は本発明の第5実施形態にかかるモジュールを示す図である。
本発明の第5実施形態にかかるモジュールについて、図7を参照して説明する。図7は本発明の第5実施形態にかかるモジュールを示す図である。
この実施形態にかかるモジュールが、図5を参照して説明した第3実施形態と異なるのは、図7に示すように、モジュール100dの配線基板101の他方主面に端子集合体10が実装されることにより(第2実装工程)、第2樹脂層104に接続端子11による層間接続導体が設けられている点である。また、第2樹脂層104は、配線基板101の他方主面に実装された端子集合体10の支持体12が接続端子11から除去された後に樹脂が充填されることにより形成される。
また、この実施形態では、第2樹脂層104に設けられた接続端子11により形成された層間接続導体に接続されるように、第2樹脂層104にさらに電子部品102が実装される。その他の構成は上記した第1〜第4実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成すると、配線基板101の他方主面に端子集合体10がさらに実装されるので、第2樹脂層104に接続端子11による層間接続導体を形成することができる。また、配線基板101の他方主面に実装された電子部品102および端子集合体10が第2樹脂層104により封止される前に、配線基板101の他方主面の端子集合体10の支持体12が接続端子11から除去されるため、第2樹脂層104を形成するための樹脂を配線基板101の他方主面に効率よく充填することができる。
また、第2封止工程により形成された第2樹脂層104に、第2樹脂層104に設けられた接続端子11に接続されるように電子部品102がさらに実装されるため、モジュール100dに実装される電子部品102の実装密度をさらに高めることができるので実用的である。
<接続端子の変形例>
接続端子の変形例について図8を参照して説明する。図8は接続端子の変形例を示す要部拡大図であり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる接続端子の変形例を示す。なお、図8(a)〜(d)はそれぞれ要部拡大図であり、上記した第1〜第5実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
接続端子の変形例について図8を参照して説明する。図8は接続端子の変形例を示す要部拡大図であり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる接続端子の変形例を示す。なお、図8(a)〜(d)はそれぞれ要部拡大図であり、上記した第1〜第5実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
図8(a)に示す例では、配線基板101の一方主面に、接続端子11の断面積とほぼ同じ面積で実装用電極101aが設けられており、接続端子11は、はんだなどの接合材Sが実装用電極101aの外側に広がった状態で実装用電極101aに実装される。このように構成すると、実装用電極101aの外側に広がった接合材Sが第1樹脂層103に引っ掛かるため、接続端子11の第1樹脂層103からの抜けが防止される。なお、接続端子11と実装用電極101aとの間にもはんだなどの接合剤Sが配置されていてもよい。
図8(b)に示す例では、配線基板101の一方主面に、接続端子11の断面積よりも大面積の実装用電極101bが設けられており、接続端子11は、はんだなどの接合材Sにより実装用電極101bに実装される。このように構成すると、接合材Sは、接続端子11の断面積よりも大面積の実装用電極101b全体に広っており、実装用電極101a全体に広がった接合材Sが第1樹脂層103に引っ掛かるため、接続端子11の第1樹脂層103からの抜けが防止される。なお、接続端子11と実装用電極101bとの間にもはんだなどの接合剤Sが配置されていてもよい。
図8(c)に示す例では、接続端子11bはテーパ状に形成されている。また、配線基板101の一方主面に、接続端子11bの大径側の断面積よりも大面積の実装用電極101bが設けられている。そして、接続端子11の大径側がはんだなどの接合材Sにより実装用電極101bに実装される。このように構成すると、接続端子11bは、第1樹脂層103に楔状に設けられるため、接続端子11bの大径部分が第1樹脂層103に引っかかると共に、接続端子11bの大径側の断面積よりも大面積の実装用電極101b全体に広がった接合材Sが樹脂層103に引っ掛かるため、接続端子11bの樹脂層103からの抜けが防止される。なお、接続端子11bと実装用電極101bとの間にもはんだなどの接合剤Sが配置されていてもよい。実装用電極101bの面積は接続端子11bの大径側の断面積と同等であってもよい。
図8(d)に示す例では、接続端子11bはテーパ状に形成されている。また、配線基板101の一方主面に、接続端子11bの小径側の断面積よりも大面積の実装用電極101bが設けられている。そして、接続端子11の小径側がはんだなどの接合材Sにより実装用電極101bに実装される。このように構成すると、接続端子11bの小径側の断面積よりも大面積の実装用電極101b全体に広がった接合材Sが樹脂層103に引っ掛かるため、接続端子11bの樹脂層103からの抜けが防止される。なお、接続端子11bと実装用電極101bとの間にもはんだなどの接合剤Sが配置されていてもよい。
<モジュールの変形例>
なお、図9のモジュールの変形例に示すように、研磨または研削工程において、第1樹脂層103と一緒に凸部11aを部分的に研磨または研削することにより、第1樹脂層103の表面と同一表面上に、接続端子11の横断面の面積よりも大面積の外部接続用のランドを凸部11aにより形成してもよい。このように構成すると、モジュール100に大面積の外部接続用のランドを設けることができるため、モジュール100が通信携帯端末のマザー基板などに実装される際の電気的接続性を向上することができる。この場合、第1樹脂層103の表面に露出する外部接続用のランド(凸部11a)と接続端子11とが一体形成されているため、第1樹脂層103の表面に露出する接続端子11に、スクリーン印刷やフォトリソグラフィなどによりランドを形成する場合と比較すると、ランド(凸部11a)と接続端子11との間の接続強度を向上することができる。
なお、図9のモジュールの変形例に示すように、研磨または研削工程において、第1樹脂層103と一緒に凸部11aを部分的に研磨または研削することにより、第1樹脂層103の表面と同一表面上に、接続端子11の横断面の面積よりも大面積の外部接続用のランドを凸部11aにより形成してもよい。このように構成すると、モジュール100に大面積の外部接続用のランドを設けることができるため、モジュール100が通信携帯端末のマザー基板などに実装される際の電気的接続性を向上することができる。この場合、第1樹脂層103の表面に露出する外部接続用のランド(凸部11a)と接続端子11とが一体形成されているため、第1樹脂層103の表面に露出する接続端子11に、スクリーン印刷やフォトリソグラフィなどによりランドを形成する場合と比較すると、ランド(凸部11a)と接続端子11との間の接続強度を向上することができる。
また、接続端子11の一端に形成された凸部11aにより第1樹脂層103の表面に大面積のランドを形成することができる。したがって、モジュール100をマザー基板などに接続するときに必要な面積を有する外部接続用のランドを、凸部11aにより第1樹脂層103の表面に形成することで、接続端子11の径を、外部接続用のランド(凸部11a)の面積よりも小さく形成することができる。
この場合、各接続端子11の凸部11aにより第1樹脂層103の表面に形成されるランドが近接配置されるように、各接続端子11をモジュール100内で近接配置しても、各種の電子部品102を、各接続端子11の鍔状の凸部11aと上面視において重なるように各接続端子11間に配置して配線基板101に実装することができるので、モジュール100の小型化を図ることができる。
<端子集合体の変形例>
端子集合体の変形例について図10を参照して説明する。なお、上記した第1〜第5実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
端子集合体の変形例について図10を参照して説明する。なお、上記した第1〜第5実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
図10(b)に示す端子集合体10aは、図10(a)に示すように、樹脂板に所定間隔で接続端子11を挿入するための孔12a1が格子状に形成されて成る支持体12aが準備され、図10(b)に示すように、支持体12aに形成された複数の孔12a1のうち、モジュールの設計態様に応じて必要な位置の孔12a1に柱状の接続端子11が一方端部側から挿入されることにより形成される。
このように構成すると、板状の支持体12aに設けられた孔12a1に柱状の接続端子11を挿入するだけで、端子集合体10aを低コストで容易に製造することができる。また、支持体12aに設けられた複数の孔12a1のうち、必要な孔12a1に接続端子11を挿入することにより、モジュールの種類に応じた端子集合体10aを形成することができる。したがって、モジュールの種類ごとに支持体12aを設計する必要がないため、端子集合体10aの製造コストの低減を図ることができる。
なお、モジュールの設計態様に応じて樹脂板の必要な位置にのみ孔12a1を形成することにより支持体12aを形成してもよい。また、支持体12aは、例えば、樹脂を用いた射出成型や、樹脂板に孔を形成することにより形成することができる。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、上記した実施形態では、端子集合体10の支持体12に支持層13を設けることにより、接続端子11,11bを支持するように構成されているが、支持体12に支持層13を設ける代わりに、磁性を有する材質の板状部材により支持体12を形成してもよい。このようにすると、板状部材の磁力により接続端子11の一端を吸着することで、支持体12により接続端子11を支持することができる。また、端子集合体10が配線基板101に実装された後に、支持体12を接続端子11,11bから容易に除去することができる。
本発明は、モジュールの配線基板に柱状の接続端子を表面実装技術を用いて実装することにより、モジュールの層間接続導体を形成する技術に広く適用することができ、種々の電子部品を配線基板に搭載することにより、種々の機能を有するモジュールを構成することができる。
10 端子集合体
11,11b 接続端子
11a 凸部
12 支持体
13 支持層(接着層、支持層)
100,100a、100b,100c,100d モジュール
101 配線基板
102 電子部品
103 第1樹脂層
104 第2樹脂層
11,11b 接続端子
11a 凸部
12 支持体
13 支持層(接着層、支持層)
100,100a、100b,100c,100d モジュール
101 配線基板
102 電子部品
103 第1樹脂層
104 第2樹脂層
Claims (7)
- 層間接続導体を形成する柱状の複数の接続端子が支持体に支持されて成る端子集合体を準備する準備工程と、
前記端子集合体および電子部品を配線基板の一方主面に実装する第1実装工程と、
前記配線基板の一方主面に実装された電子部品および前記端子集合体を第1樹脂層により封止する第1封止工程とを備え、
前記第1封止工程の前に、前記配線基板の一方主面の前記端子集合体の前記支持体を前記接続端子から除去する
ことを特徴とするモジュールの製造方法。 - 前記接続端子の一端を、接着または粘着により前記支持体に支持し、前記支持体による接着力または粘着力を低下させて、前記支持体を前記接続端子から除去することを特徴とする請求項1に記載のモジュールの製造方法。
- 前記第1封止工程の後に前記第1樹脂層の表面を研磨または研削する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のモジュールの製造方法。
- 前記研磨または研削する工程により、前記接続端子の一端を削ることを特徴とする請求項3に記載のモジュールの製造方法。
- 前記配線基板の他方主面に電子部品を実装する第2実装工程と、
前記配線基板の他方主面に実装された電子部品を第2樹脂層により封止する第2封止工程と
をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のモジュールの製造方法。 - 前記第2実装工程において前記配線基板の他方主面に前記端子集合体をさらに実装し、
前記第2封止工程の前に、前記配線基板の他方主面の前記端子集合体の前記支持体を前記接続端子から除去することを特徴とする請求項5に記載のモジュールの製造方法。 - 前記第2封止工程により形成された前記第2樹脂層に、前記配線基板の他方主面に実装された前記端子集合体の前記接続端子に接続されるように、電子部品をさらに実装することを特徴とする請求項6に記載のモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013532615A JP5768888B2 (ja) | 2011-09-07 | 2012-09-05 | モジュールの製造方法および端子集合体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011194567 | 2011-09-07 | ||
JP2011194567 | 2011-09-07 | ||
JP2013532615A JP5768888B2 (ja) | 2011-09-07 | 2012-09-05 | モジュールの製造方法および端子集合体 |
PCT/JP2012/072549 WO2013035714A1 (ja) | 2011-09-07 | 2012-09-05 | モジュールの製造方法および端子集合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013035714A1 JPWO2013035714A1 (ja) | 2015-03-23 |
JP5768888B2 true JP5768888B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=47832159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013532615A Active JP5768888B2 (ja) | 2011-09-07 | 2012-09-05 | モジュールの製造方法および端子集合体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9491846B2 (ja) |
JP (1) | JP5768888B2 (ja) |
CN (1) | CN103797577B (ja) |
WO (1) | WO2013035714A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11335645B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6443451B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-12-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波部品 |
JP6400509B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2018-10-03 | Towa株式会社 | 電子部品の製造方法 |
US10321572B2 (en) * | 2016-04-01 | 2019-06-11 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Electronic package including cavity defined by resin and method of forming same |
JP6615341B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2019-12-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6787413B2 (ja) | 2017-02-17 | 2020-11-18 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールおよび回路モジュールの製造方法 |
US10057989B1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-08-21 | Tactotek Oy | Multilayer structure and related method of manufacture for electronics |
US10872866B2 (en) | 2018-10-08 | 2020-12-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
WO2020202841A1 (ja) * | 2019-04-03 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | モジュール、端子集合体、及びモジュールの製造方法 |
WO2022185692A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4526651B2 (ja) * | 1999-08-12 | 2010-08-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
JP2001168264A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Hitachi Ltd | 電子回路モジュール及びその製造方法 |
JP3420748B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2003-06-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004047702A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 半導体装置積層モジュール |
JP2004193404A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Alps Electric Co Ltd | 回路モジュール、及びその製造方法 |
JP4042785B2 (ja) | 2004-02-13 | 2008-02-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
JP2007287762A (ja) | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路素子とその製造方法および半導体装置 |
JP3960479B1 (ja) * | 2006-07-07 | 2007-08-15 | 国立大学法人九州工業大学 | 両面電極構造の半導体装置の製造方法 |
JP4274290B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2009-06-03 | 国立大学法人九州工業大学 | 両面電極構造の半導体装置の製造方法 |
JP4376891B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2009-12-02 | イビデン株式会社 | 半導体モジュール |
SG149710A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-02-27 | Micron Technology Inc | Interconnects for packaged semiconductor devices and methods for manufacturing such devices |
JP2009246104A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kyushu Institute Of Technology | 配線用電子部品及びその製造方法 |
WO2009136496A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 国立大学法人九州工業大学 | 3次元実装半導体装置及びその製造方法 |
US8097489B2 (en) * | 2009-03-23 | 2012-01-17 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of mounting pre-fabricated shielding frame over semiconductor die |
JP2010245157A (ja) | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Kyushu Institute Of Technology | 配線用部品及びその製造方法、並びに該配線用部品を組み込んで用いる電子デバイスパッケージ及びその製造方法 |
JP2010278069A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 接続端子の配設方法 |
CN201667333U (zh) * | 2009-06-26 | 2010-12-08 | 江阴长电先进封装有限公司 | 新型圆片级扇出芯片封装结构 |
-
2012
- 2012-09-05 JP JP2013532615A patent/JP5768888B2/ja active Active
- 2012-09-05 CN CN201280043302.6A patent/CN103797577B/zh active Active
- 2012-09-05 WO PCT/JP2012/072549 patent/WO2013035714A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-03-07 US US14/200,901 patent/US9491846B2/en active Active
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---|---|---|---|---|
US11335645B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103797577A (zh) | 2014-05-14 |
WO2013035714A1 (ja) | 2013-03-14 |
JPWO2013035714A1 (ja) | 2015-03-23 |
US20140182918A1 (en) | 2014-07-03 |
CN103797577B (zh) | 2017-06-09 |
US9491846B2 (en) | 2016-11-08 |
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