JP6443451B2 - 高周波部品 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態にかかる高周波部品1aについて、図1を参照して説明する。なお、(a)は高周波部品1aの断面図、(b)は高周波部品1aの平面図、(c)は高周波部品1aの電子部品4を搭載していない状態の平面図である。
次に、高周波部品1aの製造方法について、図2を参照して説明する。なお、図2(a)〜図2(e)は、それぞれ高周波部品1aの製造方法の各工程を示している。
本発明の第2実施形態にかかる高周波部品1bについて、図3を参照して説明する。なお、図3(a)は高周波部品1bの断面図、(b)は高周波部品1bの平面図、(c)は高周波部品1bの電子部品4を搭載していない状態の平面図である。
次に、高周波部品1bの製造方法について、図4を参照して説明する。なお、図4は高周波部品1bの製造方法を説明するための図であり、(a)〜(d)はその各工程を示している。
本発明の第3実施形態にかかる高周波部品1cについて、図5を参照して説明する。なお、(a)は高周波部品1cの断面図、(b)は高周波部品1cの電子部品4を搭載していない状態の平面図である。
次に、高周波部品1cの製造方法について、図6(a)〜図6(e)を参照して説明する。なお、図6は高周波部品1cの製造方法を説明するための図であり、(a)〜(e)は、その各工程を示している。
本発明の第4実施形態にかかる高周波部品1dについて、図7を参照して説明する。なお、(a)は高周波部品1dの断面図、(b)は高周波部品1dの平面図、(c)は高周波部品1dの電子部品4を搭載していない状態の平面図である。
本発明の第5実施形態にかかる高周波部品1eについて、図8を参照して説明する。なお、(a)は高周波部品1eの断面図、(b)は高周波部品1eの電子部品4を搭載していない状態の平面図である。
次に、高周波部品1eの製造方法について、図9を参照して説明する。なお、図9は高周波部品1eの製造方法を説明するための図であり、(a)〜(f)は、その各工程を示している。なお、樹脂層2の内部に第1〜第3の金属ピン3a〜3cが配設されたものを準備するまでの工程は、第1実施形態の高周波部品1aと同じであるため、この工程以降について説明する。
上記した第5実施形態の高周波部品1eでは、絶縁被覆膜12dに開口12d1,12d2を設けて、外部電極4a,4bとの接続面積を調整するように構成したが、例えば、図10に示すように、ダム部材10dを利用して外部電極4a,4bとの接続面積を調整するように構成してもよい。具体的には、ダム部材10dの第1の配線電極14の一端(第2の金属ピン3bとの接続側の端部)の周囲を囲む部分と、絶縁被覆膜12eとを組み合わせて、第1の配線電極14に第2の外部電極4bとの接続面を形成する。この場合、第1の配線電極14の一端部に平面視矩形状の領域(第2の外部電極4bとの接続領域)を形成するように、絶縁被覆膜12eは配置する。この構成によると、絶縁被覆膜12eの形成領域を減らすことができるため、高周波部品1eの製造コストを低減することができる。
本発明の第6実施形態にかかる高周波部品1fについて、図11を参照して説明する。なお、図11は高周波部品1fの平面図である。
本発明の第7実施形態にかかる高周波部品1gについて、図12を参照して説明する。なお、図12は高周波部品1gの平面図である。
本発明の第8実施形態にかかる高周波部品1hについて、図13を参照して説明する。なお、図13は高周波部品1hの断面図である。
本発明の第9実施形態にかかる高周波部品1iについて、図14を参照して説明する。なお、図14は高周波部品1iの断面図である。
また、樹脂層2の一方主面上に、電子部品4や第1、第2の配線電極14,11等を被覆するように、さらに樹脂層を形成してもよい。
2 樹脂層(絶縁層)
3 インダクタ
3a 第1の金属ピン
3b 第2の金属ピン
3c 第3の金属ピン
4 電子部品
4a,4c 第1の外部電極
4b,4d 第2の外部電極
6 高周波回路
11 第2の配線電極
14 第1の配線電極
Claims (2)
- 絶縁層と、
インダクタと前記絶縁層の一方主面に配置された電子部品とを有する、複数の高周波回路とを備え、
前記各インダクタそれぞれは、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第1の金属ピンと、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方端面から露出して設けられた第2の金属ピンと、
一方端面が前記絶縁層の一方主面から露出し、他方端面が前記絶縁層の他方主面から露出して設けられた第3の金属ピンと、
前記絶縁層の一方主面に形成されて前記第2の金属ピンと前記第3の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第1の配線電極とを有し、
前記各電子部品は、いずれも平面視矩形状のチップ部品で形成されるとともに、平面視で前記第1の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第1の金属ピンに接続された第1の外部電極と、平面視で前記第2の金属ピンの前記一方端面に重なる位置に設けられて前記第2の金属ピンに接続された第2の外部電極とを有し、
前記各高周波回路は、隣接する2つの前記高周波回路の組がマトリクス状に多数配列されて成り、
前記高周波回路の組それぞれは、2つの前記電子部品が平行に配置されるとともに、2つの前記第3の金属ピンの前記一方端面が当該2つの前記電子部品間にそれぞれ配置されている
ことを特徴とする高周波部品。 - 前記各インダクタそれぞれは、前記絶縁層の一方主面に形成されて、前記第1の金属ピンと前記第2の金属ピンの前記一方端面同士を接続する第2の配線電極をさらに有し、
前記第1の外部電極は、前記第2の配線電極を介して前記第1の金属ピンの前記一方端面に接続され、
前記第2の外部電極は、前記第2の配線電極を介して前記第2の金属ピンの前記一方端面に接続されることを特徴とする請求項1に記載の高周波部品。
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