JPH10166262A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

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JPH10166262A
JPH10166262A JP34671396A JP34671396A JPH10166262A JP H10166262 A JPH10166262 A JP H10166262A JP 34671396 A JP34671396 A JP 34671396A JP 34671396 A JP34671396 A JP 34671396A JP H10166262 A JPH10166262 A JP H10166262A
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JP
Japan
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polishing
polished
film thickness
wafer
polishing apparatus
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JP34671396A
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English (en)
Inventor
Takeshi Yagi
健 八木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Priority to US08/985,619 priority patent/US5899792A/en
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨布等に相当する研磨体にスリットを開け
る必要なく、研磨対象物の研磨後の膜厚バラ付きを抑制
できると共に、研磨時において常に研磨対象物の定点の
膜厚を検出することができる研磨装置を提供する。 【解決手段】 定盤１２上の研磨パッド１３と、「研磨
対象物」としてのウエハ１５との間に研磨剤を介在させ
た状態で、定盤１２とウエハ１５とを相対移動させるこ
とにより、ウエハ１５を研磨する研磨装置１１におい
て、定盤１２及び研磨パッド１３を、光を透過する物質
で形成し、研磨パッド１３の、ウエハ１５と反対側に、
ウエハ１５の膜厚を測定する膜厚測定装置を配設し、こ
の膜厚測定装置は、光源からの光を定盤１２及び研磨パ
ッド１３を透過させてウエハ１５に照射して、その反射
光を検出することにより膜厚を測定するように設定し、
更に、膜厚測定装置をウエハ１５と同期させて移動可能
とし、ウエハ１５が移動しても常に同じ位置の膜厚を測
定可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、研磨体に研磨対
象物を接触させて相対移動させることにより、研磨対象
物を研磨する研磨装置、特に、その研磨対象物の膜厚を
測定する膜厚測定装置が設けられた研磨装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造において微細加工の線幅が細
くなるに従って、光リソグラフィの光源波長は短くな
り、開口数いわゆるＮＡも大きくなってきている。ま
た、半導体製造プロセスも工程が増加し、複雑となって
きており、半導体デバイスの表面形状は必ずしも平坦で
はなくなってきている。
【０００３】表面における段差の存在は配線の段切れ、
局所的な抵抗値の増大などを招き、断線や電流容量の低
下等をもたらし、絶縁膜では耐圧劣化やリークの発生に
もつながる。また、こうした段差の存在は半導体露光装
置の焦点深度が実質的に浅くなってきていることを示し
ている。言い換えると、歩留まりと信頼性の向上、更に
高解像度化のための焦点深度のマージンの増加のために
半導体デバイス表面の平坦化が必要になってきた。
【０００４】そこで、図８に示すような、研磨装置が提
案されている。これは、化学的機械的研磨（Chemical M
echanical Polishing又はChemical Mechanical Planari
zation)（以下「ＣＭＰ」と称す。）技術を用いたもの
であり、この技術は、シリコンウエハの鏡面研磨法を基
に発展してきたものである。すなわち、回転駆動する定
盤１上に研磨布２が貼り付けられる一方、ホルダー３に
ウエハ４が保持され、このウエハ４が研磨布２上に接触
されている。この状態で、定盤１を回転駆動すると共
に、ホルダー３に上方から荷重をかけながら回転させる
と同時横方向に平行移動させる。かかる動作と共に、研
磨剤吐出口５から研磨剤６を研磨布２上に吐出させて、
この研磨剤６を研磨面に供給して、ホルダー３に保持さ
れたウエハ４を平坦に研磨するようにしている。
【０００５】かかる研磨時には、ウエハ４の研磨状態を
測定し、研磨の終点を検出する必要がある。この方法と
して、ホルダー３の回転状態を電気的にモニターする方
法がある。これは、ホルダー３で保持されているウエハ
４が研磨時に生じる研磨布２との摩擦力を、そのホルダ
ー３の回転軸を通し、回転用モーターに加わる摩擦抵抗
により生じる電流変化をモニターすることにより、研磨
状態を判断する方法である。また、この他に、研磨時に
ウエハ４と研磨布２とにより生じる摩擦音から研磨状態
を判断する方法もある。
【０００６】しかし、これらの方法では、研磨状態を精
度良く把握することは困難で、研磨した膜の厚さを正確
に検知することはできなかった。
【０００７】そこで、例えば上記の定盤１と研磨布２に
スリットを形成し、定盤１の下方に配設されたレーザー
光源からそのスリットを介してウエハ４の研磨面にレー
ザー光を照射し、この反射光を干渉計で検出して、終点
を検出するようにしたものが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなものにあっても、研磨布にスリットを開けるように
しているため、研磨後、この部分の影響によって、研磨
対象物であるウエハ４の膜厚に大きなバラ付きが生じる
可能性がある。また、研磨時には、ウエハ４が横方向に
平行移動されると共に、研磨布２の回転によりスリット
も移動することから、研磨中における膜厚測定並びに、
ウエハ４の定点の膜厚を検出するのが困難であった。
【０００９】そこで、この発明は、研磨布等に相当する
研磨体にスリットを開ける必要なく、研磨対象物の研磨
後の膜厚バラ付きを抑制できると共に、研磨中において
も常に研磨対象物の定点の膜厚を検出することができる
研磨装置を提供することを課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を達成するた
めに、請求項１に記載の発明は、研磨体と研磨対象物と
の間に研磨剤を介在させた状態で、該研磨体と研磨対象
物とを相対移動させることにより、該研磨対象物を研磨
する研磨装置において、前記研磨体を、光を透過する物
質で形成し、該研磨体の、前記研磨対象物側と反対側
に、前記研磨対象物の膜厚を測定する膜厚測定装置を配
設し、該膜厚測定装置は、光源からの光を前記研磨体を
透過させて前記研磨対象物に照射して、その反射光を検
出することにより膜厚を測定するように設定し、更に、
該膜厚測定装置を前記研磨対象物と同期させて移動可能
とし、前記研磨対象物が移動しても常に同じ位置の膜厚
を測定可能とした研磨装置としたことを特徴としてい
る。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の構成に加え、前記研磨体は、回転自在な定盤と、該定
盤上に設けられた研磨部材とを有し、該定盤と研磨部材
とを光を透過する物質で形成したことを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の構成に加え、前記研磨体は、直線的に移動するベルト
であり、該ベルト上に研磨対象物を接触させて相対移動
可能とすると共に、前記ベルトを光を透過する物質で形
成したことを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
の何れかに記載の構成に加え、前記研磨体の、前記研磨
対象物の配設側と反対側に、前記研磨対象物の研磨状態
を観察する撮像装置を配設し、該撮像装置を前記研磨対
象物と同期させて移動可能としたことを特徴とする。
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の構成に加え、前記撮像装置より得た情報により、前記
研磨対象物における膜厚測定位置を検出し、常に同一位
置を測定するように、前記膜厚測定装置を前記研磨対象
物と同期させて移動させるように制御したことを特徴と
する。
【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５
の何れかに記載の構成に加え、前記光源からの光は赤外
線であることを特徴とする。
【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
の構成に加え、前記赤外線を透過する物質は、エポキシ
樹脂を主剤とし、アミン又はテトラエチレンペンタミ
ン、グラファイトを硬化剤とする合成樹脂であることを
特徴とする。
【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の構成に加え、前記赤外線は、４μｍから６μｍの波長
であることを特徴とする。
【００１８】請求項９に記載の発明は、請求項２に記載
の構成に加え、前記定盤は、ガラスで形成されているこ
とを特徴とする。
【００１９】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載の構成に加え、前記赤外線は、１μｍから２．６μｍ
の波長であることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
【００２１】［発明の実施の形態１］図１乃至図５に
は、この発明の実施の形態１を示す。
【００２２】まず構成について説明すると、図１中符号
１１は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）技術を用いた研磨
装置で、この研磨装置１１は、回転駆動する定盤１２上
に「研磨部材」としての研磨パッド１３が形成される一
方、ホルダー１４に「研磨対象物」であるウエハ１５が
保持されるようになっている。この定盤１２及び研磨パ
ッド１３で、「研磨体」が構成されている。
【００２３】そのホルダー１４は、ホルダー支持腕１６
に支持されて、第１駆動装置１７に接続されることによ
り、この第１駆動装置１７にて回転駆動されると同時
に、図１中矢印方向に平行移動可能に設定されている。
【００２４】また、図示していないが、研磨中には、研
磨剤用ノズルから研磨剤が研磨パッド１３上に吐出され
るようになっている。
【００２５】その定盤１２は、ここでは赤外線を透過す
るシリコンで形成されている。
【００２６】また、研磨パッド１３も、赤外線を透過す
る物質、ここでは、エポキシ樹脂を主剤とし、アミン又
はテトラエチレンペンタミン、グラファイトを硬化剤と
する合成樹脂から構成されている。これらエポキシ樹
脂、アミン又はテトラエチレンペンタミン、グラファイ
トの重量比は、３〜７：１：１／１５０である。また、
硬度は、ドックウェルＣスケールで６０〜１３０に調整
されている。なお、この研磨パッド１３の硬度は、対象
とする研磨対象物の材料に合わせて、樹脂混合物の混合
比、樹脂混合物の硬化条件等を調整することで設定する
ことができる。さらに、この研磨パッド１３の波長とそ
の透過率との関係を図３に示す。この図３から、この実
施の形態の研磨パッド１３は、４μｍ〜６μｍの波長の
赤外線が透過しやすいことが分かる。
【００２７】さらに、その定盤１２の下側（ウエハ１５
配設側と反対側）には、終点検出装置１８が終点検出装
置支持腕２１により支持されて配設され、この支持腕２
１を介して第２駆動装置２３に接続され、この第２駆動
装置２３により終点検出装置１８が回転駆動されると同
時に、図１中矢印方向に平行移動するように設定されて
いる。
【００２８】この第２駆動装置２３と前記第１駆動装置
１７とが同じプログラムで制御されることにより、終点
検出装置１８が前記ホルダー１４と同期して回転駆動さ
れると同時に、図１中矢印方向に平行移動するように設
定されている。
【００２９】この終点検出装置１８には、ウエハ１５研
磨面の膜厚を測定する膜厚測定装置１９及びウエハ１５
研磨面の研磨状態を観察する赤外線撮像装置２０が配設
されている。これら膜厚測定装置１９及び赤外線撮像装
置２０は、定盤１２及び研磨パッド１３を透過した赤外
線により測定及び観察ができるようになっている。この
膜厚測定装置１９は、膜表面からの偏光状態より膜厚を
測定する偏光解析による分光エリプソメータを用いてい
る。勿論、干渉法を利用することもできる。
【００３０】また、赤外線撮像装置２０は、図２中、撮
像装置用光源２５からの赤外線がウエハ１４に入射さ
れ、この反射光が入射されることにより、ウエハ１４の
研磨面が撮像されるようになっている。そして、この赤
外線撮像装置２０は、図４に示すように、制御装置２６
を介して第２駆動装置２３に接続されている。この制御
装置２６にて、赤外線撮像装置２０より得た情報によ
り、ウエハ１５における膜厚測定位置を検出し、ウエハ
１５がホルダー１４内で移動した場合でも、常に同一位
置を測定するように、膜厚測定装置１９をウエハ１５と
同期させて移動させるように制御されるようになってい
る。すなわち、制御装置２６は、赤外線撮像装置２０に
第１メモリ２７と第２メモリ２８とが接続されて、この
第１メモリ２７には、赤外線撮像装置２０からの初期値
が入力されて膜厚を測定する領域が予めインプットさ
れ、第２メモリ２８には、研磨中の画像データが赤外線
撮像装置２０から入力される。そして、これら両メモリ
２７，２８が比較回路２９に接続され、この比較回路２
９で、第１メモリ２７に予め入力されている基準となる
画像データと、研磨中の画像データとが比較され、膜厚
測定位置のズレた方向と量が測定されるようになってい
る。この測定値が駆動信号出力部３０に入力され、この
出力部３０からの出力により、第２駆動装置２３が制御
されて、ズレが抑制され、常に同一位置が測定されるよ
うになっている。
【００３１】次に、その研磨パッド１３の成形について
説明する。
【００３２】まず、エポキシ樹脂の主剤、アミン又はテ
トラエチレンペンタミン、グラファイトからなる溶融さ
れた樹脂混合物を、図示省略の筒状のパッド制作工具に
保持された定盤１２上に滴下する。
【００３３】そして、離形剤を塗布した平面状の合わせ
皿を、樹脂混合物に上から押し当てる。製造する研磨パ
ッド１３の厚さは、その合わせ皿の押圧力を調整するこ
とにより、所定の値に設定する。
【００３４】その後、これらを恒温槽に入れて一定温度
で加熱硬化させる。そして、室温まで温度を低下させた
後、合わせ皿から硬化した樹脂混合物を剥離する。次い
で、この樹脂混合物の表面に研磨剤が通る溝を形成する
ことにより、研磨パッド１３が完成する。
【００３５】この場合、この研磨パッド１３の主成分で
あるエポキシ樹脂が接着性を有するので、定盤１２上に
研磨パッド１３を形成することで、定盤１２と研磨パッ
ド１３を直接接合することができる。
【００３６】次いで、かかる構成の研磨装置１１の作用
について説明する。
【００３７】ホルダー１４にウエハ１５が保持され、こ
のウエハ１５が研磨パッド１３上に接触されている。こ
の状態で、定盤１２を回転駆動すると共に、ホルダー１
４に上方から荷重をかけながら、第１駆動装置１７によ
り回転させると同時に横方向に移動させる。かかる動作
と共に、図示省略の研磨剤用ノズルの研磨剤吐出口から
研磨剤を研磨パッド１３上に吐出させることにより、ウ
エハ１５の研磨面が研磨される。
【００３８】この際には、第１駆動装置１７と同じプロ
グラムで駆動される第２駆動装置２３により、終点検出
装置１８がホルダー１４と同期させて回転駆動させられ
ると共に横方向に移動され、ウエハ１５の研磨面の常に
同一位置の膜厚が膜厚測定装置１９で測定される。
【００３９】かかる場合には、赤外線撮像装置２０によ
り、ウエハ１５の研磨面も撮像され、ウエハ１５がホル
ダー１４内でズレた場合でも、以下のように追随させる
ことにより、そのズレが補正される。
【００４０】すなわち、赤外線撮像装置２０から第２メ
モリ２８に、研磨中の画像データが入力される。そし
て、この第２メモリ２８からの研磨中の画像データの信
号と、第１メモリ２７からの予め入力されている基準と
なる画像データの信号とが比較回路２９で比較されて、
ズレた方向と量が測定される。この測定値が駆動信号出
力部３０に入力され、この出力部３０からの出力によ
り、第２駆動装置２３が制御されて、ズレが抑制され、
常に同一位置が測定されるように、終点検出装置１８が
回転駆動させると共に横方向に移動される。
【００４１】そして、前記膜厚測定は、赤外線光源２２
から赤外線を出射させて定盤１２及び研磨パッド１３を
透過させてウエハ１５の研磨面に照射し、この反射光を
定盤１２及び研磨パッド１３を介して膜厚測定装置１９
に入射させて検出することにより、ウエハ１５の研磨面
の膜厚が測定されることとなる。この膜厚測定の際に
は、予め、定盤１２や研磨パッド１３を赤外線が透過す
るときの屈折率や反射・吸収などを考慮しておくことは
言うまでもない。この膜厚を測定することにより、研磨
終点を検知することができる。
【００４２】また、一般に、物体はその温度に応じた赤
外線を放射しており、この実施の形態のウエハ１５の研
磨面からもその温度に応じた赤外線が放射されている。
この研磨面から放射された赤外線は、定盤１２及び研磨
パッド１３を透過して赤外線撮像装置２０に入射される
ことにより、ウエハ１５の研磨面の熱分布の像が映し出
されて観察が行われることとなる。従って、撮像装置用
光源２５を廃止することもできる。
【００４３】このように、定盤１２及び研磨パッド１３
を赤外線を透過する物質で形成することにより、これら
を介して膜厚測定を行うことができることから、研磨パ
ッド１３に従来と異なりスリットを形成する必要がな
い。従って、ウエハ１５の研磨面は、研磨後の膜厚バラ
付きを従来より抑制できる。
【００４４】また、ウエハ１５の移動と同期させて膜厚
測定装置１８を移動させることができるため、研磨中に
おいても常にウエハ１５の定点の膜厚を測定することが
できる。しかも、ホルダー１４に対するウエハ１５のズ
レを補正する機構を設けておくことにより、より確実に
定点を測定することができる。
【００４５】さらに、研磨パッド１３は、上記のような
物質で形成されているため、ウエハ１５の研磨に必要な
硬度や粘弾性度を長時間にわたって安定して維持でき
る。従って、通常の研磨加工は勿論、高速高圧条件下の
研磨加工においても、縁だれの少ない高精度のウエハ１
５研磨面を、長期に渡る加工において得ることができ
る。
【００４６】また、この研磨パッド１３の主成分である
エポキシ樹脂は、硬化収縮が少なく、硬化成型用の型と
の転写性に優れ、又、硬化物の切削性が優れているの
で、硬化物により構成される研磨パッド１３の研磨面を
高精度に形成することができる。研磨パッド１３の研磨
面精度は、ウエハ１５の研磨精度に直接関係するため、
できる限り高精度であることが望ましい。
【００４７】ところで、上述では、定盤１２の材質にシ
リコンを用いているが、透過する波長帯が１μｍから
２．６μｍである場合には、定盤１２の材質に石英ガラ
スを用いる。すなわち、図５に示すように、ガラス製品
における波長と透過率との関係を見ると、石英ガラス
は、１μｍから２．６μｍの波長帯で透過率が良いこと
が分かる。従って、かかる波長帯を使用する場合に定盤
１２として石英ガラスを用いることは、膜厚測定精度を
より向上させることにつながる。
【００４８】［発明の実施の形態２］図６及び図７に
は、この発明の実施の形態２を示す。
【００４９】上記実施の形態１では、「研磨体」が回転
自在な定盤１２と、この定盤１２上に設けられた研磨パ
ッド１３とから構成されているが、この実施の形態２
は、「研磨体」が直線的に移動するベルト２４であり、
このベルト２４が赤外線を透過する物質で形成されてい
る。勿論、この実施の形態２も形態１と同様に、ウエハ
１５と終点検出装置１８が同期されるようになってい
る。
【００５０】かかるものにおいても、赤外線をベルト２
４を透過させることにより、研磨中にウエハ１５の膜厚
を測定できると共に、このベルト２４にスリットを形成
する必要もなく、膜厚のバラ付きを抑制できる。また、
ウエハ１５の移動と同期させて膜厚測定装置１８を移動
させることができるため、研磨中においても常にウエハ
１５の定点の膜厚を測定することができる。
【００５１】なお、上記実施の形態では、赤外線を透過
する物質として、エポキシ樹脂を主剤とし、アミン又は
テトラエチレンペンタミン、グラファイトを硬化剤とす
る合成樹脂、又は、シリコンを例示したが、これに限定
されるものでなく、 赤外線以外の光を用いて膜厚測定
を行っても良い。この場合には、その光を透過する物質
を用いる。
【００５２】また、上記実施の形態では、第１,第２駆
動装置１７，２３を用いて、これらを同じプログラムで
駆動させることにより、ウエハ１５と膜厚測定装置１９
とを同期させるようにしているが、これに限らず、ホル
ダー１４と膜厚測定装置１９とを同じ駆動装置で駆動さ
せることにより、同期させることもできる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１に記
載された発明によれば、研磨体を光を透過する物質で形
成することにより、この研磨体を介して研磨対象物の膜
厚を測定できるため、従来のように研磨体にスリットを
形成する必要がないことから、研磨対象物の研磨面の膜
厚のバラ付きを従来より抑制できる。また、膜厚測定装
置を前記研磨対象物と同期させて移動可能とし、前記研
磨対象物が移動しても常に同じ位置の膜厚を測定可能と
することにより、研磨中においても適正な終点検出を行
うことができる。
【００５４】請求項２に記載された発明によれば、研磨
体が定盤と研磨部材とで構成されるものについて請求項
１に記載の効果が得られる。
【００５５】請求項３に記載された発明によれば、研磨
体が直線的に移動するベルトのものについて請求項１に
記載の効果が得られる。
【００５６】請求項４に記載された発明によれば、請求
項１乃至３の何れかに記載の効果に加え、撮像装置を同
期させることにより、研磨体にスリットを開けることな
く、又、研磨作業を停止する必要なく、研磨対象物の研
磨面の像を観察できる。
【００５７】請求項５に記載された発明によれば、請求
項４に記載の効果に加え、前記撮像装置より得た情報に
より、前記研磨対象物における膜厚測定位置を検出し、
常に同一位置を測定するように、前記膜厚測定装置を前
記研磨対象物と同期させているため、研磨対象物がホル
ダーに装着されたものにおいて、この研磨対象物がホル
ダーに対してズレたような場合でも、そのズレを補正し
て確実に同期させることができる。
【００５８】請求項６に記載された発明によれば、請求
項１乃至５の何れかに記載の効果に加え、赤外線を用い
ることができる膜厚測定装置又は撮像装置とすることに
より、研磨対象物の研磨面からはその温度に応じた赤外
線が放射されているため、この赤外線を研磨体を通して
赤外線用の撮像装置に入射させて観察できることから、
この観察のために、特に光源を設ける必要はない。
【００５９】請求項７に記載された発明によれば、請求
項６に記載の効果に加え、赤外線を透過する物質を、エ
ポキシ樹脂を主剤とし、アミン又はテトラエチレンペン
タミン、グラファイトを硬化剤とする合成樹脂とするこ
とにより、研磨対象物の研磨に必要な硬度や粘弾性度を
長時間にわたって安定して維持できる。従って、通常の
研磨加工は勿論、高速高圧条件下の研磨加工において
も、縁だれの少ない高精度の研磨対象物の研磨面を長期
に渡る加工において得ることができる。
【００６０】また、この研磨体の主成分であるエポキシ
樹脂は、硬化収縮が少なく、硬化成型用の型との転写性
に優れ、又、硬化物の切削性が優れているので、硬化物
により構成される研磨体の研磨面を高精度に形成するこ
とができる。
【００６１】請求項８に記載された発明によれば、請求
項７に記載の効果に加え、エポキシ樹脂を主剤とし、ア
ミン又はテトラエチレンペンタミン、グラファイトを硬
化剤とする合成樹脂は、４μｍ〜６μｍの波長の赤外線
の透過率が良いため、膜厚測定精度をより向上させるこ
とができる。
【００６２】請求項１０に記載された発明によれば、定
盤をガラスで形成することにより、１μｍ〜２．６μｍ
の波長の赤外線の透過率が良いため、膜厚測定精度をよ
り向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る研磨装置の概略
正面図である。
【図２】同実施の形態１に係るウエハや終点検出装置等
を示す、定盤や研磨パッドを省略した概略図である。
【図３】同実施の形態１に係る研磨パッドの波長と透過
率との関係を示すグラフ図である。
【図４】同実施の形態１に係る撮像装置，制御装置及び
第２駆動装置等を示すブロック図である。
【図５】同実施の形態１に係るガラスの波長と透過率と
の関係を示すグラフ図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る研磨装置の概略
正面図である。
【図７】同実施の形態２に係る概略平面図である。
【図８】従来例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
11 研磨装置 12 定盤 13 研磨パッド（研磨部材） 14 ホルダー 15 ウエハ（研磨対象物） 18 終点検出装置 19 膜厚測定装置 20 赤外線撮像装置（撮像装置） 22 光源 24 ベルト 26 制御装置

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 研磨体と研磨対象物との間に研磨剤を介
    在させた状態で、該研磨体と研磨対象物とを相対移動さ
    せることにより、該研磨対象物を研磨する研磨装置にお
    いて、 前記研磨体を、光を透過する物質で形成し、 該研磨体の、前記研磨対象物側と反対側に、前記研磨対
    象物の膜厚を測定する膜厚測定装置を配設し、 該膜厚測定装置は、光源からの光を前記研磨体を透過さ
    せて前記研磨対象物に照射して、その反射光を検出する
    ことにより膜厚を測定するように設定し、 更に、該膜厚測定装置を前記研磨対象物と同期させて移
    動可能とし、前記研磨対象物が移動しても常に同じ位置
    の膜厚を測定可能としたことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項２】 前記研磨体は、回転自在な定盤と、該定
    盤上に設けられた研磨部材とを有し、該定盤と研磨部材
    とを光を透過する物質で形成したことを特徴とする請求
    項１に記載の研磨装置。
  3. 【請求項３】 前記研磨体は、直線的に移動するベルト
    であり、該ベルト上に研磨対象物を接触させて相対移動
    可能とすると共に、前記ベルトを光を透過する物質で形
    成したことを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
  4. 【請求項４】 前記研磨体の、前記研磨対象物の配設側
    と反対側に、前記研磨対象物の研磨状態を観察する撮像
    装置を配設し、該撮像装置を前記研磨対象物と同期させ
    て移動可能としたことを特徴とする請求項１乃至３の何
    れか一つに記載の研磨装置。
  5. 【請求項５】 前記撮像装置より得た情報により、前記
    研磨対象物における膜厚測定位置を検出し、常に同一位
    置を測定するように、前記膜厚測定装置を前記研磨対象
    物と同期させて移動させるように制御したことを特徴と
    する請求項４に記載の研磨装置。
  6. 【請求項６】 前記光源からの光は赤外線であることを
    特徴とする請求項１乃至５の何れか一つに記載の研磨装
    置。
  7. 【請求項７】 前記赤外線を透過する物質は、エポキシ
    樹脂を主剤とし、アミン又はテトラエチレンペンタミ
    ン、グラファイトを硬化剤とする合成樹脂であることを
    特徴とする請求項６に記載の研磨装置。
  8. 【請求項８】 前記赤外線は、４μｍから６μｍの波長
    であることを特徴とする請求項７に記載の研磨装置。
  9. 【請求項９】 前記定盤は、ガラスで形成されているこ
    とを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
  10. 【請求項１０】 前記赤外線は、１μｍから２．６μｍ
    の波長であることを特徴とする請求項９に記載の研磨装
    置。
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