JP2022501207A - Cmpプロセス制御アルゴリズムへの入力としてのマシンビジョン - Google Patents
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- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 title description 7
- 238000004886 process control Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims description 32
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013526 transfer learning Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Data Mining & Analysis (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
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Abstract
Description
tanh(0.5×ak1(I1)+ak2(I2)+…+akM(IM)+bk) 方程式1
ここで、tanhは双曲線正接であり、akxはk番目の中間ノードと(M個の入力ノードのうちの)x番目の入力ノードとの間の接続の重みであり、かつ、IMはM番目の入力ノードの値である。しかし、tanhの代わりに他の非線形関数(例えば、正規化線形ユニット(ReLU)関数及びその変種)も使用されうる。
インシトゥモニタリングシステム100は、分光モニタリングシステムでありうる。同一のウインドウ36が、この分光モニタリングシステムとインシトゥ撮像システム150のセンサとなりうる。基板10のスペクトルが収集された部分の二次元画像を再構築するために、インシトゥ撮像システム150のラインスキャンカメラからのデータのウインドウであって、インシトゥモニタリングシステム100によるスペクトルの取得時間を中心とするウインドウが、使用されうる。
インシトゥモニタリングシステム100は、渦電流モニタリングシステムでありうる。渦電流モニタリングシステムのセンサ100aとインシトゥ撮像システム150のセンサとは、共配置される(例えば、プラテンの同一の凹部内に配置される)。インシトゥ撮像システム150のラインスキャンカメラは、基板の両端間のセンサ100aのスイープの全てをカバーする、時間同調画像を生成する。
本発明の実施形態、及び、この明細書に記載の機能的動作の全ては、デジタル電子回路において、又はこの明細書で開示されている構造手段及びその構造的均等物を含むコンピュータソフトウェア、ファームウェア、若しくはハードウェアにおいて、又はこれらの組合せにおいて、実装されうる。本発明の実施形態は、一又は複数のコンピュータプログラム製品(すなわち、プログラマブルプロセッサ、コンピュータ、又は複数のプロセッサ若しくはコンピュータといったデータ処理装置によって実行される、又はかかるデータ処理装置の動作を制御するための機械可読記憶媒体において有形に具現化される一又は複数のコンピュータプログラム)として、実装されうる。コンピュータプログラム(プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーションまたはコードとしても既知である)は、コンパイル型言語又はインタープリタ型言語を含む、任意の形態のプログラミング言語で書かれてよく、かつ任意の形態(スタンドアロンプログラムとして、又はモジュール、構成要素、サブルーチン、若しくはコンピューティング環境で使用されるのに適しているその他のユニットとしてのものを含む)でデプロイされうる。1つのコンピュータプログラムは、必ずしも1つのファイルに対応するわけではない。プログラムは、他のプログラム又はデータを保持するファイルの一部分に、対象プログラム専用の単一のファイルに、又は複数の協調ファイル(例えば、一又は複数のモジュール、サブプログラム、若しくはコードの部分を格納するファイル)に、格納されうる。コンピュータプログラムは、一ケ所の1つの若しくは複数のコンピュータで、又は、複数ケ所に分散され通信ネットワークによって相互接続された複数のコンピュータで、実行されるようデプロイされうる。
Claims (15)
- 研磨パッドを保持するための支持体と、
前記研磨パッドと接触させて基板を保持するためのキャリアヘッドと、
前記支持体と前記キャリアヘッドとの間に相対運動を発生させるためのモータと、
前記基板上の測定箇所における層の厚さに応じた信号を生成するための、第1のインシトゥモニタリングシステムと、
前記インシトゥモニタリングシステムが前記基板上の前記測定箇所について前記信号を生成するのと実質的に同じ時間に、前記基板の少なくとも前記測定箇所の画像を生成するための、第2のインシトゥ撮像システムと、
コントローラであって、
前記第2のインシトゥ撮像システムから前記画像を受信し、マシンビジョン処理を使用して前記画像に基づき前記測定箇所の特徴値を特定することと、
前記インシトゥモニタリングシステムから前記信号を受信することと、
前記特徴値と信号値の両方に基づいて、測定値を生成することと、
前記測定値に基づいて、前記基板の研磨の停止と研磨パラメータの調整の少なくとも一方を行うこととを、実行するよう設定されたコントローラとを備える、
研磨システム。 - 前記マシンビジョン処理が人工ニューラルネットワークを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記コントローラが、画像と前記画像の既知の特徴値とを含むトレーニングデータを使用して、逆行性伝播によって前記人工ニューラルネットワークをトレーニングするよう設定されている、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1のインシトゥモニタリングシステムが、前記測定箇所の測定スペクトルを生成するための分光モニタリングシステムを含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記人工ニューラルネットワークは、前記基板の前記測定箇所に対応する部分の分類を特定するよう設定され、前記分類は前記基板上の構造物の種類に対応する、請求項4に記載のシステム。
- 前記構造物の種類は、アレイ、スクライブライン、周縁部、及び接触パッドのうちの少なくとも1つを含む、請求項5に記載のシステム。
- 前記第1のインシトゥモニタリングシステムが、前記測定箇所の信号値を生成するための渦電流モニタリングシステムを含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記人工ニューラルネットワークが、前記測定箇所における電流の流れに影響を与えるフィーチャの形状寸法値を特定するよう設定されている、請求項7に記載のシステム。
- 前記形状寸法値が距離、サイズ、配向のうちの少なくとも1つを含む、請求項8に記載のシステム。
- 非一過性のコンピュータ可読媒体において有形に具現化される、基板の処理を制御するためのコンピュータプログラム製品であって、プロセッサに、
第1のインシトゥモニタリングシステムから、研磨されている基板上の測定箇所における層の厚さに応じた信号値を受信することと、
第2のインシトゥ撮像システムから、前記基板の少なくとも前記測定箇所の画像データを受信することと、
マシンビジョン処理を使用して、前記画像に基づいて前記測定箇所の特徴値を特定することと、
前記特徴値と前記信号値の両方に基づいて、測定値を生成することと、
前記測定値に基づいて、前記基板の研磨の停止と研磨パラメータの調整の少なくとも一方を行うこととを、実行させるための命令を含む、
コンピュータプログラム製品。 - 前記画像データの前記測定箇所に対応する部分を特定するための命令を含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記第2のインシトゥ撮像システムからの画像データを、前記第1のインシトゥモニタリングシステムからの信号値と同期させるための命令を含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム製品。
- マシンビジョン処理が、人工ニューラルネットワークに前記画像データを供給することを含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム製品。
- マシンビジョン処理を実施するための前記命令が、前記基板の前記測定箇所に対応する部分の分類を特定するための命令を含み、前記測定値を生成するための前記命令が、前記分類に基づいて参照スペクトルの複数のライブラリのうちの1つを選択するための命令を含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム製品。
- マシンビジョン処理を実施するための前記命令が、前記基板の前記測定箇所に対応する部分におけるフィーチャの形状寸法値を特定するための命令を含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862735772P | 2018-09-24 | 2018-09-24 | |
US62/735,772 | 2018-09-24 | ||
PCT/US2019/048636 WO2020068345A1 (en) | 2018-09-24 | 2019-08-28 | Machine vision as input to a cmp process control algorithm |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022501207A true JP2022501207A (ja) | 2022-01-06 |
JPWO2020068345A5 JPWO2020068345A5 (ja) | 2022-09-07 |
JP7472111B2 JP7472111B2 (ja) | 2024-04-22 |
Family
ID=69883039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021515551A Active JP7472111B2 (ja) | 2018-09-24 | 2019-08-28 | Cmpプロセス制御アルゴリズムへの入力としてのマシンビジョン |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11577356B2 (ja) |
JP (1) | JP7472111B2 (ja) |
KR (1) | KR20210052559A (ja) |
CN (2) | CN112823080B (ja) |
TW (1) | TW202027908A (ja) |
WO (1) | WO2020068345A1 (ja) |
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- 2019-08-28 CN CN201980066820.1A patent/CN112823080B/zh active Active
- 2019-08-28 KR KR1020217011806A patent/KR20210052559A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-28 WO PCT/US2019/048636 patent/WO2020068345A1/en active Application Filing
- 2019-08-28 JP JP2021515551A patent/JP7472111B2/ja active Active
- 2019-08-28 CN CN202310816202.2A patent/CN117001534A/zh active Pending
- 2019-08-28 US US16/554,427 patent/US11577356B2/en active Active
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