TW469521B - A method of forming a photoresist pattern - Google Patents

A method of forming a photoresist pattern Download PDF

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Masaharu Takizawa
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Description

469521 五、發明說明（i) 【發明之背景】 發明之領域 本發明係關於一種光阻圖案之形成 -種化學增強型光阻之方法，此種化學；有關使用 I王iU子增強θ 被應用至製造例如DR AM之半導體裝置之取好疋 〜々法0 習知技術之猫诚 以LSI (大規模積體 ，一種光刻技術在 成為一種期望形狀 之薄膜包含例如形 矽膜之絕緣膜，虚 在 製造中 圖案而 種型式 或氮化 膜。 傳 阻，係 射係經 電路）為其代表之半導體裝置之 =將各種型式之薄膜予以刻以 係為不可或缺的，其中，上述各 成於半導體基板上之二氧化矽膜 例如鋁合金膜或鋼合金膜之導電 統上， 被塗敷 由一光 紫外線輻射照 一個以紫外線 域《接著，光 除，以形成一 罩而對薄膜刻 一般而言 光阻之材料。 解析度，所以 在光刻技術中；，對紫外 至一薄膜以开少成一光阻 罩圖案而照 射之區域轉 輻射照射之 阻膜顯影， 光阻圖案。 以圖案，此 ’傳統上係 因為與負光 上述型式之 線輻射有 膜，然後 光阻膜， 換成一溶解的（正的） 射（暴露）至 感光性之光 ，紫外線輻 以將一個以 區域轉換成 且溶解的區 然後，藉由 薄膜係選擇 區域，或將 溶解的（負的）區 域係部分 使用光阻 性地被# 使用一種正紛搭基光 ，正光阻 阻係屬於 阻比較而言 大部分的光 被一溶劑移 圖案作為光 刻。 阻作為上述 具有較高的 正型。吾人
46 95 2 1 五、發明說明（2) 已使用一種高壓水銀燈管作為光阻之曝光光源’並利用由 高壓水銀燈管所產生之紫外線輻射，例如一種g線（實質上 具有436 nm之波長）與一種i線（實質上具有365 nm之波 長）。 隨著LSI之集積度的增加，需要能有更細微處理之光 刻技術，因此，光阻之曝光光源傾向於使用具有可藉以獲 得高解析度之較短波長的紫外線輕射。因此，一種使用準 分子雷射作為光源之光刻技術係已被實現，其中，準分子 雷射可產生具有比上述之i線短之波長之遠紫外線輻射（舉 例而言，當使用KrF (氟化氪）作為雷射介質時，波長實質 上係為248 nm)。 當上述盼酸基光阻係被上述KrF準分子雷射光源所曝 光時，因為盼酸基光阻吸收大量的光，所以難以獲得良好 的光阻圖案。因此’關於與.可獲得上述遠紫外線輻射之光 源結合，而實現能作更細微處理之光刻技術之一種光阻， 例如，一種化學增強型光阻，已被提出於曰本已審查之專 利公告第12-27660號中。 化學增強型光阻係為一種應用酸催化反應之光阻（如 上述參考文獻所不），且大約包含一種鹼基樹脂（例如多羥 基苯乙烯（PHS))、，當保護基係連接至其預先決定的部分 時，其變成不可溶解於鹼，而當保護基脫離其預先決定的 部分時，其可溶解於鹼。化學增強型光阻更包含：一種在 以光作輻射之時產生氫離子（酸）之光學酸產生劑；小量的 添加物，用以作性能調整；及一種有機溶劑，用以作旋轉
第6頁 469521 五、發明說明（3) 塗伟。
此種化學增強型光阻係被塗敷至一個半導體基板、乾 燥、並固化，而從準分子雷射發射以作為光源之遠紫外線 輕射’係對所獲得之半導體基板上之光阻膜予以照射。然 後’光學酸產生劑產生氮離子’以作為化學增強之觸發物 質。在執行於曝光後之後曝光烘烤（PEB)處理期間，氫離 子替代連接至鹼基樹脂之保護基’俾能使保護基解除。不 可溶於鹼之光阻係因此改變成可溶解於鹼。又，因為氫離 子係在此種處理期間從屬地產生’所以進行一種連鎖反 應，用以從鹼基樹脂消除保護基。此種反應係被稱為一種 酸催化感光反應D此種酸催化感光反應增加光阻之可溶解 選擇性，俾能實現高度感光特徵。因此’在曝光之後，如 果此種光阻係以一種鹼顯影液進行顯影，則可獲得一種期 望細微光阻圖案。 ' 圖1係為以步驟之順序顯示一種使用上述化學增強型 光阻以形成一光阻圖案之習知方法之流程圖。此種光阻圖 案形成方法將參考圖1而以以步驟之順序作說明。
如圖1之步驟A所示，具有待形成—光阻圖案之期望薄 膜之半導體基板之表面，係受到—種疏水處理，俾能增加 光阻之黏著性。舉例而言’如步驟β所示，由化學感光的 型式光阻所構成之/正光阻’係依據旋轉塗佈而被塗敷至 半導體基板’藉以形成一光阻膜。其中，正光阻包含：— 鹼基樹脂，由具有如化學式（1)所示之一種三元共聚體構 造之高分子化合物’與具有如化學式（2)所示之構造之光
46 95 2 1 五、發明說明（4) 學酸產生劑所組成。
接著，如圖1之步驟C所示，光阻膜係被預先烘烤以從 該處移除溶劑。半導體基板係被冷卻至室溫，如步驟D所 示，而光阻膜係以來自例如K r F準分子雷射之遠紫外線輻 射照射，經由一種以期望圖案晝出之光罩圖案，並將其暴 露，如步驟E所示。光阻膜係接著受到一種PEB (後曝光烘 烤）處理，以促進從光阻膜消除保護基之消去反應（酸催化 感光反應），如步驟F所示。 然後，半導體基板再次冷卻至室溫，如圖1之步驟G所 示，而光阻膜係以鹼顯影液顯影以形成一光阻圖案，如步 驟Η所示。形成光阻圖案之光阻膜係受到後烘烤，以移除
469521 五、發明說明（5) - 由顯影所產生之水汽，如步驟I所示。 接著，於半導體基板上之薄膜，係藉由使用上述光阻 圖案作為光罩以對薄膜刻以圖案，而選擇性地被蝕刻。 當一光阻圖案係待藉由使用一種化學增強型光阻而形 成時，於最近的半導體裝置中，一焦點深度S必須設定到 大約0. 7 # m或更多，俾能增加製造良率。焦點深度S取決 於採用的光阻之阻隔位準C。於上述化學式（1 )中，阻隔位 準C係由重複單元之數目X、y、與z之比率所決定，表示如 下： 阻隔位準C=((x + y)/(x_+y + z))x 100(%) 圖4係為一圖表，用以說明在焦點深度S (縱座標軸）與 阻隔位準C (橫座標軸）之間之關係。於圖4所示之例子申， 形成具有直徑0. 2 // m之接觸孔之光阻圖案。從圖4可清楚 地理解到，焦點深度S線性成比例地增加，而阻隔位準C在 大約42%之範圍之内下降，但是當阻隔位準C超過大約4 2% 時傾向於逐漸飽和。為了獲得上述之0. 7 y ra或更多之焦點 深度S，阻隔位準C必須增加至大約4 0%或更多。 於上述習知之光阻圖案形成方法中，當使用一種具有 增加之阻隔位準之化學增強型光阻時，顯影缺陷會增加。
具體而言，如上所述，當為了將焦點深度S設定到大 約0.7/zm或更多，藉由使用一種具有增加大約42%或更多 之阻隔位準C之化學增強型光阻，並藉由執行曝光與顯影 而形成一光阻圖案時，多數的缺陷係形成於顯影期間。圖 2係藉由顯現在顯影缺陷之數目N (縱座標軸）與阻隔位準C
469521 五、發明說明（6) 之間之-種關係而顯示這些缺陷。從楚 地增加，直到達到幾乎缺陷之數目n急遽 ίί ί:圖案中’則此種圖案係為缺陷的。 因此傳統上，從圖4可清楚地理解到，僅可獲 應於大：38%或更少之阻隔位準c之大約〇. 45 ”或更少之 焦=幸尺而寸:無法避免製造良率之減少。藉由顯現在 二更=#軸)與一焦點位置(橫座請之間 之關係’ ®3更坪細地顯示此種習知之缺點，並說明待形 成具有直徑G.2心之接觸孔之情.況。由虛線以心所寺定義 之範圍斷目標接觸孔之可允許範圍。 位於0,之焦點位置之中心的◦. 3…焦點深度s。 傳統t沾t :隔位準增加時’顯影缺陷增加。此係假 定由於下述的理由而達成。、因為使用於習知之形 成方法之化學增強型光阻係高度疏水 ° 落解之成分可再度加入至光阻膜：：致:斤以藉由顯影所 肤从導致顯影缺陷。 【發明概要】 本發明已黎於t述狀況而實施，而其 光阻圖案之形成方法’此種方法在即強u 阻隔位準增加的情況下’可抑制顯影缺陷。曰強1先阻之 項 為了解決上述問題，依據本發明之 I ，提供了 一種光阻圖案之形成方法，=專利範圍第1 種包含光學酸產生劑之化學増強型朵=3以下步驟：將 g強型先阻塗佈至一基板之
46 95 2J______ 五、發明說明（7) 上，以形成一光阻膜，使形成於塗佑 預先決定的圖案化曝光；在光阻獏上^ 一 E m膜叉到 曝光烘烤處理），以促進在光P且暝種Εβ J理(後 内之酸催化感光反應；以及對已全°==露區域 阻旗顯影，有期望形狀之光阻圖案，Λ 徵為：在形成光阻膜之*，但在顯影之前，藉由 己含 缺陷預防劑塗敷至光阻膜夕 步驟。 1犋之 依據本發明之申請專利範圍第2項，係關於依 專利範圍第1項之光阻圖案形成方法。在申請專； 項中，缺陷預防劑係在曝光步驟之前被塗敷。 依據本發明之申請專利範圍第3項，係關於光阻圖 形成方法依據t請專利範圍第1項。於申請專利範圍第 中’缺陷預防劑係在曝光步=驟之後被塗敷。 工 在依據本發明之申請專利範圍第4項中，缺陷預防 係在冷卻步驟之後被塗敷。 1 依據本發明之申請專利範圍第5項’係關於光阻圖变 形成方法依據申請專利範圍第1、2、或3項。於申請專g 範圍第5項中，一表面活化劑係被使用作為缺陷預防劑。 依據本發明之申請專利範圍第6項，係關於光阻圖樂 形成方法依據申請專利範圍第5項。於申請專利範圍第5、 中，表面活化劑包含一種氟化碳基或二甲基聚矽氧俨項 、依據本發明之申請專利範圍第7項，係關於光阻& 。 形成方法依據申請專利範圍第5項。力申請專利範圍第/項
第11頁 46 95 2 1 五、發明說明（8) --- 中，表面活化劑係藉由旋轉塗佈而被塗敷。 依據本發明之申請專利範圍第8項，係關於依據申請 專利範圍第1至7項之任一項之光阻圖案形成方法。於申請 專利範圍第8項中，化學增強型光阻具有38%至1 00%之阻隔 位準。 依據本發明之申請專利範圍第9項關於光阻圖案形成 方法依據申請專利範圍第8項。於申請專利範圍第9項中， 化學增強型光阻包含一種具有三元共聚體構造之高分子化 合物。 在參考下述的詳細說明與附圖之後，熟習本項技藝者 應可輕易理解到本發明之上述與其他目的、特徵及優點。 其中，結合本發明之原理之較佳實施例係顯示作為說明的 例子。 【較佳實施例之說明】 以下將參考附圖之實施例說明本發明之較佳實施例。 第一實施例： 圖5係為以步驟之順序顯示依據本發明之第一實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖，圖6與7係為詳細顯示此種 光阻圖案形成方法之主要步驟之視圖，圖8係為用以簡要 說明此種光阻圖案形成方法之運作之視圖，而圖9與1 0係 為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效果之圖表。 本實施例之光阻圖案形成方法係被應用至製造一種例
第12頁 16 9 5 2] 五、發明說明（9) 成方法將藉 如DRAM之半導體裝置之方法°此種光阻圖案形 由參考圖5至1 〇而以步，驟之順序作說明π 如圖5之步驟Α所示，為了增加光阻之黏著性 一 有期望的薄膜（於其處形成一光阻圖案）之半導體美個具 疏水處理。. 义使其表面遭受到 如圖5之步驟B所示，一種正冼阻係依據旋轉塗佈而被 塗敷至半導體基板’以形成一光阻膜。圖6係為顯示此種 光阻塗佈步驟之視圖。 ^ ' 如圖6所示’一個半導體基板1 1係被支撐於—支樓板 1 4上’支撐板1 4係設置於一光阻顯影單元之顯影液槽1 5 中’並可轉動地被一馬達1 6所驅動《舉例而言，—種由化 學增強型光阻所構成之正光阻，係從一噴嘴1 3提供，並依 據於2000 rpm(每分鐘之迴轉數）至4000 rpm之馬達Μ之旋 轉塗佈而被塗敷至半導體基板11，藉以形成具有大約500 ntn厚度之光阻膜12，其中，化學增強型光阻包含—驗基樹 脂，其乃由具有如化學式（1)所示之三元共聚體構造之高 分子化合物，與具有如化學式（2)所示之構造之光學酸產 生劑所組成。關於光阻膜1 2，可使用一種具有大約3 5 °/。或 更多之阻隔位準之光阻膜。 然後，如圖5之步驟C所示，藉由以上述方式塗佈而形 成之光阻膜12，係於80°C至130°C之環境預先烘烤持續60 秒至9 0秒，以從其處移除溶劑。半導體基板1 1係接著持續 6 0秒至9 0秒冷卻至大約2 3 °C之室溫，如圖5之步驟D所示。
第13頁 4 6 9 5 2 ： 五 、發明說明（ίο) ___ 如圖5之步驟E所示，作主— .〜 表面活化劑’係藉由旋轉；^包含親水基之缺陷預防劑之 之光阻膜1 2。圖7顯示此種表而被塗敷至半導體基板1 1上 如圖7所示，塗佈有光阻1化劑之塗佈步驟。/、 撐於支撐板1 4上，而包含且右、之半導體基板11係被支 氟化碳基的表面活化劑之^解°化學式（3)所示之構造之^ 藉由以2_ _至4_二=，係從-噴嘴17提供，= 塗敷至光阻膜12，以於光阻膜丨之馬達16.之旋轉塗佈而才 分子薄膜之表面活化劑層1 8。、之表面上形成單分子或多 因此，如圖8所示，表面活化 光阻膜12之表面，而親水基2〇 ^之疏水基19係附著至 光阻膜12之表面改變成待親水性。，疏水基Η。因此， 後），可緩和顯影溶劑成分之再附 4、影期間（待說明於 俾能在即使當阻隔位準增加'時， 光阻膜1 2之表面， 中，疏水基19與親水基20係為單分子ί影缺陷。於圖8 • - - (3) ^3~^~cf2-3 --CF3~f-CH2->r 如圖5之步驟f所示，光阻膜丨2係經由以期望圖案畫出 之光罩圖案，而被來自例如](rF準分子雷射之具有大約為
469521 五、發明說明 ¢11) ' '--- 1 步V所之示波長之遠紫外線輻射照射以將其暴露，如圖 接著’光阻膜12係於90。〇至16()。(：持續6〇秒至 到一種PEB處理’以促進保護基從光阻膜丨2之消去^广 之步驟G所示。然後’半導體基板u再持續6〇秒至㈣ 秒 > 部至大約2 3 °C之室溫，如圖5之步驟H所示。 然後，光阻膜1 2係被顯影，如圖5之步驟！ 顯影係藉由下述方式而執行：依據旋轉塗佈，將例如 大約2.38¾之氫氧化四甲銨（TMAH)之水解液作為鹼顯影/ 施加至半導體基板丨丨上之光阻膜丨2。於此顯影中，'‘'因Ά 含親水基之表面活化劑層丨8係藉由塗佈而預先形成於其 上，所以光阻膜1 2之表面係具有親水性。因此，顯奢& 成分之再附著能力減弱。 /令劑 藉由上述顯影，光阻膜12之可溶解的區 影液而移除’ ϋ以形成一種具有對應於光罩圖案(，兒由明驗： 上）之期望形狀之光阻圖案。 ； 110 之Γ步驟J所示，構成光阻圖案之光阻膜12係於 L至^〇 C之環境受到預先烘烤持續120秒至240和、 移除藉由顯影所產生的水。 y 、然後，於丰導體基板11上之薄骐係藉由使用光阻 (說明於上）作為光罩而選擇性地被蝕案 圖案。 符打得取刻以 ,圖9钰為—圖表，其顯示在藉由本實施例所獲得 景y缺陷之數目N (縱座標軸）與一阻隔位準C之間之關係。’ '、0從
第15頁 d6 95 2 1_______ 五、發明說明（12) 圖9可清楚地理解到，顯影缺陷之數目N係大幅地減少至一 個位置達到數個缺陷之數目，此乃因為即使阻隔位準C增 加至大約1 0 0 %，其幾乎不增加之緣故。用以設定一焦點深 度S至大約或更多之上述需求可充分被滿.足，而可 改善半導體裝置之製造良率。換言之，當作為包含親水基 之缺陷預防劑之表面活化劑係被塗敷至光阻膜1 2時，可幾 乎消除顯影缺陷。 依此方式’即使阻隔位準C增加，顯影缺陷仍可大幅 減少。此乃因為在光阻膜12係藉由塗佈而形成之後，包含 複數之親水基之表面活化劑之水解液係被塗敷至光阻膜1 2 之表面，以形成表面活化劑層丨8。然後’複數之親水基影 響光阻膜1 2以改變其表面成為親水性的。 圖1 0係為一圖表，其顯示在藉由本實施例所獲得之光 阻圖案尺寸與焦點位置間之關係。從與圖3作比較可清楚 地理解到，於圖10中，位於焦點位置中心之〇巧^^之 焦點深度S可被獲得，故本實施例係因此優於習知技術。 依此方式，依據具有此種配置之本實施例，包含化學 增強型光阻之光阻膜12係被塗敷至光阻膜12，而在那之 後，在k光阻膜1 2促進保護基之消去反應的ρΕΒ處理之 刖，包3複數之親水基之表面活化劑層丨8係藉由塗佈而形 成於光阻膜12上。因此，光阻獏12之表面可被改變成為親 水的。 因此，即使當化學增強型光阻之阻隔位準增加時’顯 影缺陷可減少。
第16頁 4r4^- 五、發明說明（13) 第二實施例： 圖1 1係為以步驟之順序顯示依據本發明之第二實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖。此種光阻圖案形成方法主 要與上述第一實施例不同之處在於：一種表面活化劑之水 解液係在光阻膜曝光之後被塗敷。 具體而言’於圖1 1之步驟B中，一光阻膜1 2係在與顯 示第一實施例之圖5的步驟β幾乎相同的條件下形成。於圖 11之步驟Ε中，曝光過糕係在與顯示第一實施例之圖5之步 驟F幾乎相同的條件下執行。然後，於圖11之步驟F中，作 為包含 示第一 具 板21係 舉例而 活化劑 至 4000 21。表 大約30 構 相同的 面成為 分之再 隔位準 複數親水基之缺陷預防劑之表面活化劑，係在與顯 實施例之圖5之步驟Ε幾乎相同的條件下被塗敷。 體而言’如圖11之步驟F所示，已暴露之半導體基 被支禮於如圖1 2所示之顯影液槽1 5之支撐板1 4上。 $ ’具有如化學式（3)所示構造之氟化碳基的表面 之水解液，係從—噴嘴1 7提供，並藉由以2 0 0 0 r pm rpm運轉之馬達丨6之旋轉塗佈而塗敷至半導體基板 面活 "fb 杳|| + . A <水解液係被塗敷至光阻膜1 2之表面直到 nm之厚许、 . 没藉以形成一表面活化劑層1 8。
f 面活化劑層1 8之親水基’以與在第一實施例中 原理影響nrs； J f卜層的光阻膜12 ’用以改變光阻膜12之表 親水性。太％ 附著至“任後來的步驟I之顯影期間’顯影溶劑成 』 光阻膜1 2之表面係被減弱。因此，即使當阻 增加時，介1 亦可減少顯影缺陷。
第17頁 4 6 9 5 2 1__ 五、發明說明（14) - 依據本實施例，表面活化劑之水解液係在曝光之後被 塗敷。當施加表面活化劑之水解液時，即使一缺陷附著至 下層的光阻膜12之表面，其將不會被傳送至光阻膜12之表 面，此乃因為其係在曝光之後附著至光阻膜12之表面。因 此，可避免形成一種缺陷光阻圖案。此外，此種缺陷可在 後來的顯影期間容易地被移除。 依此方式，以本實施例之配置，.可獲得幾乎與第一實 施例相同的效果。 此外，依據本實施例之配置，因為曝光並不影響光阻 膜，所以可以避免一種缺陷光阻圖案之形成。 第三實施例： 於本實施例中，係使用具有如化學式（4)所示構造之 二甲基聚矽氧烷基，以取代包含於第一實施例之表面活化 劑之水解液中之I化碳基。 ch3 ch3 CH3~Si HSi-〇+i— …⑷
I I CH3 CHr 於如同本實施例中，在塗敷一光阻膜1 2之後，包含二 甲基聚矽氧烷基之表面活化劑之水解液係被塗敷至光阻膜
第18頁 46 95 2 1_ 五、發明說明（15) - 1 2之表面，以形成一表面活化劑層1 8。二甲基聚矽氧烷基 之親水基影響光阻膜1 2以改變其表面成為親水的。 除此之外，第三實施例之配置實質上係與上述第一實 施例相同。因此，於圖1 1中，對應於圖5之組成部分之部 分，係以與圖5相同的步驟之字母表示，所以省略其詳細 說明。 依此方式，以本實施例之配置，可獲得幾乎與第一實 施例相同的效果。 第四實施 於本實施 二甲基聚矽氧 表面活化劑之 於如同本 包含二甲基聚 光阻膜1 2之表 氧烷基之親水 依此方式 施例相同的效 本發明之 意到，其實際 發明之精神之 中。舉例而言 成，並未受限 例： 例中，具有 烷基係被使 水解液申之 實施例中， 矽氧烷基之 面，以形成 基影響光阻 ，以本實施 實施例已參 配置並未受 範疇内，任 如上述 用，以 氟化碳 在塗敷 表面活 一表面 膜I 2以 例之配 考附圖 限於這 何設計 ，使用一種化學增 於半導體基板之情 化學式（4)所示之構造之 取代包含於第二實施例之 基° 與暴露一光阻膜12之後， 化劑之水解液係被塗敷至 活化劑層1 8。二甲基聚矽 改變其表面成為親水的。 置，可獲得幾乎與第二實 而詳細說明。吾人應可注 些貫施例’但在不背離本 改變係可併入於本發明 強型光阻之光阻圖案之形 況，但可應用至例如光罩
第19頁 469521 五'發明說明（16) 基板之其他基板的情況。表面活化劑並未受限於包含氟化 碳基或二甲基聚矽氧烷基之活化劑，但可使用下述的其他 複數之表面活化劑。吾人應注意到，R表示各種型式之烷 基° (1 )陰離子表面活性劑 RCONCH jCOONa ch3 …⑸ …（6) R—CH-R S03Na
CH
S03Na …⑺ R — CH = CH — (CH2) a — S03Na R 一 CH — (CH2)
OH RCOONa 〇) R0S03Na 〇〇)
第20頁 469521
五、發明說明（17) R—(OCH^CHj) n0SO3Na ... (11) R(0CH2CH2)n0S03Na …（12) 0 、 」π R (0CH?CH-) nO—P—〇H OH ...03) (2 )陽離子表面活性劑 "1 + N— cr xN\ ch3 CHzCH2NHC〇R ...04) III· I 第21頁 469521 五、發明說明（18) CH3 i R—N ~CH 3 ) CH3 \=^z/ + Cl
CI 05) 06)
Cl 07) ch3
R—N-(CH㈣0)ΠΗ (CHzCH20)nH
Cl' .(18) 第22頁 469521 五、發明說明（19) CH, cr 09)
R—N —R
I CH, (3 )兩性表面活性劑 R — ίϊΗ —(CH2)„C00 (20) CH. U' (20 R—N —（CH2)nC00 CH- CH, ... (22) I v R—N — ί CH, (4 )非離子表面活性劑
11B 第23頁 4 6 9 5 2 1 五、發明說明（20) -R —《J}0(CH2CH20)nH …（23) R0(CH2CH20)nH …（24) RCOO(CH 2CH20) „Η ... (25) ch3 I HO(CH2CH2〇)n(CH-CHz〇)n -(CH2CH20)nH …U6) RCONHCH2CH2OH …（27) 11111 第24頁 ‘ （28)469521 五、發明說明C2])
RCON 於上述之 (但在PEB處理 之塗敷可能在 好是在冷卻步 化學增強 同樣地使用具 其中，於此阻 未受限於一種 之旋轉 與在預 件係僅 如 學増強 理之前 被塗敷 性的。 依 強型光 之後與 水解液 塗佈方 先烘烤 為例子 上所述 型光阻 ，包含 至光阻 據本發 阻之光 在顯影 可藉由
GH2CH2OH CH 2 CH 2 OH 實施例中，缺陷預防劑係在形成光阻膜後 前）被塗敷至一光阻膜。然而，&陷預防劑 形成光阻膜之後與在顯影處理之前執行，最 驟Η與顯影步驟I之間。 型光阻並未受限於上述所討論的那些，而可 有大約3U或更多之阻隔位準之任何材料， 隔位準可形成顯影缺陷。化學增強型光阻並 正光阻，但可能為一種負光阻。例如光阻膜 法，表面活化劑之水解液之旋轉塗佈方法， 、ΡΕΒ處理、後烘烤等之溫度、時間等之條 ，而可依據應’用、目的等作改變。 ，依據本發明之光阻圖案形成方法，包含化 之光阻膜係被塗敷至基板，然後，在顯影處 親水基之表面活化劑之水解液係藉由塗佈而 膜。因此，光阻膜之表面可被改變成為親水 明之另一種光阻圖案形成方法，包含化學声 阻膜係被塗敷至基板，然後，在一曝光步ς 處理之前，包含複數親水基之表面活化劑之 塗佈而被塗敷至光阻犋。因此，光阻膜之表
第25頁 469521
第26頁 ^69521 圖式簡單說明 圖1係為以步驟之順序顯示一習知之光阻圖案形成方 法之流程圖； 圖2係為用以說明由此種光阻圖案形成方法所導致的 缺點之圖表； 圖3係為用以說明由此種光阻圖案形成方法所導致的 缺點之圖表； 圖4係為用以說明本發明所需要之背景之圖表； 圖5係為以步驟之順序顯示依據本發明之第一實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖； 圖6係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖， 圖7係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖， 圖8係為用以簡要說明此種光阻圖案形成方法之運作 之視圖； 圖9係為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效 果之圖表； 圖1 0係為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效 果之圖表； 圖1 1係為以步驟之順序顯示依據本發明之第二實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖；及 圖1 2係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖。
第27頁 469521
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Claims (1)

  1. 46 95 2 1 六、申請專利範圍 _ 1. 一種光阻圖案之形成方法，包含以下步驟： 將一種包含光學酸產生劑之化學增強型光阻塗佈至一 基板之上，以形成一光阻膜； 使形成於該塗佈步驟中之該光阻膜受到預先決定的圖 案化曝光； 在該光阻膜上執行一種PEB處理（後曝光烘烤處理）， 以促進在該光阻膜之全部區域之暴露區域内之酸催化感光 反應；以及. 對已經受到PEB處理步驟之該光阻膜顯影，用以獲得 —種具有期望形狀之光阻圖案，其特徵為：在形成該光阻 膜之後，但在顯影之前，籍由塗佈而將包含一疏水基與一 親水基之一缺陷預防劑塗敷至該光阻膜之步驟。 2. 如申請專利範圍第1項之形成方法，其中，該缺陷 預防劑係在曝光步驟之前被塗敷。 3. 如申請專利範圍第1項之形成方法，其中，該缺陷 預防劑係在曝光步驟之後被塗敷。 4. 如申請專利範圍第1項之形成方法，其中，該缺陷 預防劑係在冷卻步驟之後被塗敷。 5. 如申請專利範圍第1項之形成方法，其中，一表面 活化劑係被使用作為該缺陷預防劑。 6. 如申請專利範圍第5項之形成方法，其中，該表面 活化劑包含一氟化碳基或二甲基聚矽氧烷基。 7. 如申請專利fe圍第5項之形成方法，其中，該表面 活化劑係藉由旋轉塗佈而被塗敷。
    第29頁 469521 六、申請專利範圍 - 8, 如申請專利範圍第1項之形成方法，其中，該化學 增強型光阻具有38%至100%之阻隔位準。 9. 如申請專利範圍第8項之形成方法，其中，該化學 增強型光阻包含一種具有三元共聚體構造之高分子化合 物。
    第30頁
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