TW469521B - A method of forming a photoresist pattern - Google Patents
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Description
469521 五、發明說明(i) 【發明之背景】 發明之領域 本發明係關於一種光阻圖案之形成 -種化學增強型光阻之方法,此種化學;有關使用 I王iU子增強θ 被應用至製造例如DR AM之半導體裝置之取好疋 〜々法0 習知技術之猫诚 以LSI (大規模積體 ,一種光刻技術在 成為一種期望形狀 之薄膜包含例如形 矽膜之絕緣膜,虚 在 製造中 圖案而 種型式 或氮化 膜。 傳 阻,係 射係經 電路)為其代表之半導體裝置之 =將各種型式之薄膜予以刻以 係為不可或缺的,其中,上述各 成於半導體基板上之二氧化矽膜 例如鋁合金膜或鋼合金膜之導電 統上, 被塗敷 由一光 紫外線輻射照 一個以紫外線 域《接著,光 除,以形成一 罩而對薄膜刻 一般而言 光阻之材料。 解析度,所以 在光刻技術中;,對紫外 至一薄膜以开少成一光阻 罩圖案而照 射之區域轉 輻射照射之 阻膜顯影, 光阻圖案。 以圖案,此 ’傳統上係 因為與負光 上述型式之 線輻射有 膜,然後 光阻膜, 換成一溶解的(正的) 射(暴露)至 感光性之光 ,紫外線輻 以將一個以 區域轉換成 且溶解的區 然後,藉由 薄膜係選擇 區域,或將 溶解的(負的)區 域係部分 使用光阻 性地被# 使用一種正紛搭基光 ,正光阻 阻係屬於 阻比較而言 大部分的光 被一溶劑移 圖案作為光 刻。 阻作為上述 具有較高的 正型。吾人
46 95 2 1 五、發明說明(2) 已使用一種高壓水銀燈管作為光阻之曝光光源’並利用由 高壓水銀燈管所產生之紫外線輻射,例如一種g線(實質上 具有436 nm之波長)與一種i線(實質上具有365 nm之波 長)。 隨著LSI之集積度的增加,需要能有更細微處理之光 刻技術,因此,光阻之曝光光源傾向於使用具有可藉以獲 得高解析度之較短波長的紫外線輕射。因此,一種使用準 分子雷射作為光源之光刻技術係已被實現,其中,準分子 雷射可產生具有比上述之i線短之波長之遠紫外線輻射(舉 例而言,當使用KrF (氟化氪)作為雷射介質時,波長實質 上係為248 nm)。 當上述盼酸基光阻係被上述KrF準分子雷射光源所曝 光時,因為盼酸基光阻吸收大量的光,所以難以獲得良好 的光阻圖案。因此’關於與.可獲得上述遠紫外線輻射之光 源結合,而實現能作更細微處理之光刻技術之一種光阻, 例如,一種化學增強型光阻,已被提出於曰本已審查之專 利公告第12-27660號中。 化學增強型光阻係為一種應用酸催化反應之光阻(如 上述參考文獻所不),且大約包含一種鹼基樹脂(例如多羥 基苯乙烯(PHS))、,當保護基係連接至其預先決定的部分 時,其變成不可溶解於鹼,而當保護基脫離其預先決定的 部分時,其可溶解於鹼。化學增強型光阻更包含:一種在 以光作輻射之時產生氫離子(酸)之光學酸產生劑;小量的 添加物,用以作性能調整;及一種有機溶劑,用以作旋轉
第6頁 469521 五、發明說明(3) 塗伟。
此種化學增強型光阻係被塗敷至一個半導體基板、乾 燥、並固化,而從準分子雷射發射以作為光源之遠紫外線 輕射’係對所獲得之半導體基板上之光阻膜予以照射。然 後’光學酸產生劑產生氮離子’以作為化學增強之觸發物 質。在執行於曝光後之後曝光烘烤(PEB)處理期間,氫離 子替代連接至鹼基樹脂之保護基’俾能使保護基解除。不 可溶於鹼之光阻係因此改變成可溶解於鹼。又,因為氫離 子係在此種處理期間從屬地產生’所以進行一種連鎖反 應,用以從鹼基樹脂消除保護基。此種反應係被稱為一種 酸催化感光反應D此種酸催化感光反應增加光阻之可溶解 選擇性,俾能實現高度感光特徵。因此’在曝光之後,如 果此種光阻係以一種鹼顯影液進行顯影,則可獲得一種期 望細微光阻圖案。 ' 圖1係為以步驟之順序顯示一種使用上述化學增強型 光阻以形成一光阻圖案之習知方法之流程圖。此種光阻圖 案形成方法將參考圖1而以以步驟之順序作說明。
如圖1之步驟A所示,具有待形成—光阻圖案之期望薄 膜之半導體基板之表面,係受到—種疏水處理,俾能增加 光阻之黏著性。舉例而言’如步驟β所示,由化學感光的 型式光阻所構成之/正光阻’係依據旋轉塗佈而被塗敷至 半導體基板’藉以形成一光阻膜。其中,正光阻包含:— 鹼基樹脂,由具有如化學式(1)所示之一種三元共聚體構 造之高分子化合物’與具有如化學式(2)所示之構造之光
46 95 2 1 五、發明說明(4) 學酸產生劑所組成。
接著,如圖1之步驟C所示,光阻膜係被預先烘烤以從 該處移除溶劑。半導體基板係被冷卻至室溫,如步驟D所 示,而光阻膜係以來自例如K r F準分子雷射之遠紫外線輻 射照射,經由一種以期望圖案晝出之光罩圖案,並將其暴 露,如步驟E所示。光阻膜係接著受到一種PEB (後曝光烘 烤)處理,以促進從光阻膜消除保護基之消去反應(酸催化 感光反應),如步驟F所示。 然後,半導體基板再次冷卻至室溫,如圖1之步驟G所 示,而光阻膜係以鹼顯影液顯影以形成一光阻圖案,如步 驟Η所示。形成光阻圖案之光阻膜係受到後烘烤,以移除
469521 五、發明說明(5) - 由顯影所產生之水汽,如步驟I所示。 接著,於半導體基板上之薄膜,係藉由使用上述光阻 圖案作為光罩以對薄膜刻以圖案,而選擇性地被蝕刻。 當一光阻圖案係待藉由使用一種化學增強型光阻而形 成時,於最近的半導體裝置中,一焦點深度S必須設定到 大約0. 7 # m或更多,俾能增加製造良率。焦點深度S取決 於採用的光阻之阻隔位準C。於上述化學式(1 )中,阻隔位 準C係由重複單元之數目X、y、與z之比率所決定,表示如 下: 阻隔位準C=((x + y)/(x_+y + z))x 100(%) 圖4係為一圖表,用以說明在焦點深度S (縱座標軸)與 阻隔位準C (橫座標軸)之間之關係。於圖4所示之例子申, 形成具有直徑0. 2 // m之接觸孔之光阻圖案。從圖4可清楚 地理解到,焦點深度S線性成比例地增加,而阻隔位準C在 大約42%之範圍之内下降,但是當阻隔位準C超過大約4 2% 時傾向於逐漸飽和。為了獲得上述之0. 7 y ra或更多之焦點 深度S,阻隔位準C必須增加至大約4 0%或更多。 於上述習知之光阻圖案形成方法中,當使用一種具有 增加之阻隔位準之化學增強型光阻時,顯影缺陷會增加。
具體而言,如上所述,當為了將焦點深度S設定到大 約0.7/zm或更多,藉由使用一種具有增加大約42%或更多 之阻隔位準C之化學增強型光阻,並藉由執行曝光與顯影 而形成一光阻圖案時,多數的缺陷係形成於顯影期間。圖 2係藉由顯現在顯影缺陷之數目N (縱座標軸)與阻隔位準C
469521 五、發明說明(6) 之間之-種關係而顯示這些缺陷。從楚 地增加,直到達到幾乎缺陷之數目n急遽 ίί ί:圖案中’則此種圖案係為缺陷的。 因此傳統上,從圖4可清楚地理解到,僅可獲 應於大:38%或更少之阻隔位準c之大約〇. 45 ”或更少之 焦=幸尺而寸:無法避免製造良率之減少。藉由顯現在 二更=#軸)與一焦點位置(橫座請之間 之關係’ ®3更坪細地顯示此種習知之缺點,並說明待形 成具有直徑G.2心之接觸孔之情.況。由虛線以心所寺定義 之範圍斷目標接觸孔之可允許範圍。 位於0,之焦點位置之中心的◦. 3…焦點深度s。 傳統t沾t :隔位準增加時’顯影缺陷增加。此係假 定由於下述的理由而達成。、因為使用於習知之形 成方法之化學增強型光阻係高度疏水 ° 落解之成分可再度加入至光阻膜::致:斤以藉由顯影所 肤从導致顯影缺陷。 【發明概要】 本發明已黎於t述狀況而實施,而其 光阻圖案之形成方法’此種方法在即強u 阻隔位準增加的情況下’可抑制顯影缺陷。曰強1先阻之 項 為了解決上述問題,依據本發明之 I ,提供了 一種光阻圖案之形成方法,=專利範圍第1 種包含光學酸產生劑之化學増強型朵=3以下步驟:將 g強型先阻塗佈至一基板之
46 95 2J______ 五、發明說明(7) 上,以形成一光阻膜,使形成於塗佑 預先決定的圖案化曝光;在光阻獏上^ 一 E m膜叉到 曝光烘烤處理),以促進在光P且暝種Εβ J理(後 内之酸催化感光反應;以及對已全°==露區域 阻旗顯影,有期望形狀之光阻圖案,Λ 徵為:在形成光阻膜之*,但在顯影之前,藉由 己含 缺陷預防劑塗敷至光阻膜夕 步驟。 1犋之 依據本發明之申請專利範圍第2項,係關於依 專利範圍第1項之光阻圖案形成方法。在申請專; 項中,缺陷預防劑係在曝光步驟之前被塗敷。 依據本發明之申請專利範圍第3項,係關於光阻圖 形成方法依據t請專利範圍第1項。於申請專利範圍第 中’缺陷預防劑係在曝光步=驟之後被塗敷。 工 在依據本發明之申請專利範圍第4項中,缺陷預防 係在冷卻步驟之後被塗敷。 1 依據本發明之申請專利範圍第5項’係關於光阻圖变 形成方法依據申請專利範圍第1、2、或3項。於申請專g 範圍第5項中,一表面活化劑係被使用作為缺陷預防劑。 依據本發明之申請專利範圍第6項,係關於光阻圖樂 形成方法依據申請專利範圍第5項。於申請專利範圍第5、 中,表面活化劑包含一種氟化碳基或二甲基聚矽氧俨項 、依據本發明之申請專利範圍第7項,係關於光阻& 。 形成方法依據申請專利範圍第5項。力申請專利範圍第/項
第11頁 46 95 2 1 五、發明說明(8) --- 中,表面活化劑係藉由旋轉塗佈而被塗敷。 依據本發明之申請專利範圍第8項,係關於依據申請 專利範圍第1至7項之任一項之光阻圖案形成方法。於申請 專利範圍第8項中,化學增強型光阻具有38%至1 00%之阻隔 位準。 依據本發明之申請專利範圍第9項關於光阻圖案形成 方法依據申請專利範圍第8項。於申請專利範圍第9項中, 化學增強型光阻包含一種具有三元共聚體構造之高分子化 合物。 在參考下述的詳細說明與附圖之後,熟習本項技藝者 應可輕易理解到本發明之上述與其他目的、特徵及優點。 其中,結合本發明之原理之較佳實施例係顯示作為說明的 例子。 【較佳實施例之說明】 以下將參考附圖之實施例說明本發明之較佳實施例。 第一實施例: 圖5係為以步驟之順序顯示依據本發明之第一實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖,圖6與7係為詳細顯示此種 光阻圖案形成方法之主要步驟之視圖,圖8係為用以簡要 說明此種光阻圖案形成方法之運作之視圖,而圖9與1 0係 為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效果之圖表。 本實施例之光阻圖案形成方法係被應用至製造一種例
第12頁 16 9 5 2] 五、發明說明(9) 成方法將藉 如DRAM之半導體裝置之方法°此種光阻圖案形 由參考圖5至1 〇而以步,驟之順序作說明π 如圖5之步驟Α所示,為了增加光阻之黏著性 一 有期望的薄膜(於其處形成一光阻圖案)之半導體美個具 疏水處理。. 义使其表面遭受到 如圖5之步驟B所示,一種正冼阻係依據旋轉塗佈而被 塗敷至半導體基板’以形成一光阻膜。圖6係為顯示此種 光阻塗佈步驟之視圖。 ^ ' 如圖6所示’一個半導體基板1 1係被支撐於—支樓板 1 4上’支撐板1 4係設置於一光阻顯影單元之顯影液槽1 5 中’並可轉動地被一馬達1 6所驅動《舉例而言,—種由化 學增強型光阻所構成之正光阻,係從一噴嘴1 3提供,並依 據於2000 rpm(每分鐘之迴轉數)至4000 rpm之馬達Μ之旋 轉塗佈而被塗敷至半導體基板11,藉以形成具有大約500 ntn厚度之光阻膜12,其中,化學增強型光阻包含—驗基樹 脂,其乃由具有如化學式(1)所示之三元共聚體構造之高 分子化合物,與具有如化學式(2)所示之構造之光學酸產 生劑所組成。關於光阻膜1 2,可使用一種具有大約3 5 °/。或 更多之阻隔位準之光阻膜。 然後,如圖5之步驟C所示,藉由以上述方式塗佈而形 成之光阻膜12,係於80°C至130°C之環境預先烘烤持續60 秒至9 0秒,以從其處移除溶劑。半導體基板1 1係接著持續 6 0秒至9 0秒冷卻至大約2 3 °C之室溫,如圖5之步驟D所示。
第13頁 4 6 9 5 2 : 五 、發明說明(ίο) ___ 如圖5之步驟E所示,作主— .〜 表面活化劑’係藉由旋轉;^包含親水基之缺陷預防劑之 之光阻膜1 2。圖7顯示此種表而被塗敷至半導體基板1 1上 如圖7所示,塗佈有光阻1化劑之塗佈步驟。/、 撐於支撐板1 4上,而包含且右、之半導體基板11係被支 氟化碳基的表面活化劑之^解°化學式(3)所示之構造之^ 藉由以2_ _至4_二=,係從-噴嘴17提供,= 塗敷至光阻膜12,以於光阻膜丨之馬達16.之旋轉塗佈而才 分子薄膜之表面活化劑層1 8。、之表面上形成單分子或多 因此,如圖8所示,表面活化 光阻膜12之表面,而親水基2〇 ^之疏水基19係附著至 光阻膜12之表面改變成待親水性。,疏水基Η。因此, 後),可緩和顯影溶劑成分之再附 4、影期間(待說明於 俾能在即使當阻隔位準增加'時, 光阻膜1 2之表面, 中,疏水基19與親水基20係為單分子ί影缺陷。於圖8 • - - (3) ^3~^~cf2-3 --CF3~f-CH2->r 如圖5之步驟f所示,光阻膜丨2係經由以期望圖案畫出 之光罩圖案,而被來自例如](rF準分子雷射之具有大約為
469521 五、發明說明 ¢11) ' '--- 1 步V所之示波長之遠紫外線輻射照射以將其暴露,如圖 接著’光阻膜12係於90。〇至16()。(:持續6〇秒至 到一種PEB處理’以促進保護基從光阻膜丨2之消去^广 之步驟G所示。然後’半導體基板u再持續6〇秒至㈣ 秒 > 部至大約2 3 °C之室溫,如圖5之步驟H所示。 然後,光阻膜1 2係被顯影,如圖5之步驟! 顯影係藉由下述方式而執行:依據旋轉塗佈,將例如 大約2.38¾之氫氧化四甲銨(TMAH)之水解液作為鹼顯影/ 施加至半導體基板丨丨上之光阻膜丨2。於此顯影中,'‘'因Ά 含親水基之表面活化劑層丨8係藉由塗佈而預先形成於其 上,所以光阻膜1 2之表面係具有親水性。因此,顯奢& 成分之再附著能力減弱。 /令劑 藉由上述顯影,光阻膜12之可溶解的區 影液而移除’ ϋ以形成一種具有對應於光罩圖案(,兒由明驗: 上)之期望形狀之光阻圖案。 ; 110 之Γ步驟J所示,構成光阻圖案之光阻膜12係於 L至^〇 C之環境受到預先烘烤持續120秒至240和、 移除藉由顯影所產生的水。 y 、然後,於丰導體基板11上之薄骐係藉由使用光阻 (說明於上)作為光罩而選擇性地被蝕案 圖案。 符打得取刻以 ,圖9钰為—圖表,其顯示在藉由本實施例所獲得 景y缺陷之數目N (縱座標軸)與一阻隔位準C之間之關係。’ '、0從
第15頁 d6 95 2 1_______ 五、發明說明(12) 圖9可清楚地理解到,顯影缺陷之數目N係大幅地減少至一 個位置達到數個缺陷之數目,此乃因為即使阻隔位準C增 加至大約1 0 0 %,其幾乎不增加之緣故。用以設定一焦點深 度S至大約或更多之上述需求可充分被滿.足,而可 改善半導體裝置之製造良率。換言之,當作為包含親水基 之缺陷預防劑之表面活化劑係被塗敷至光阻膜1 2時,可幾 乎消除顯影缺陷。 依此方式’即使阻隔位準C增加,顯影缺陷仍可大幅 減少。此乃因為在光阻膜12係藉由塗佈而形成之後,包含 複數之親水基之表面活化劑之水解液係被塗敷至光阻膜1 2 之表面,以形成表面活化劑層丨8。然後’複數之親水基影 響光阻膜1 2以改變其表面成為親水性的。 圖1 0係為一圖表,其顯示在藉由本實施例所獲得之光 阻圖案尺寸與焦點位置間之關係。從與圖3作比較可清楚 地理解到,於圖10中,位於焦點位置中心之〇巧^^之 焦點深度S可被獲得,故本實施例係因此優於習知技術。 依此方式,依據具有此種配置之本實施例,包含化學 增強型光阻之光阻膜12係被塗敷至光阻膜12,而在那之 後,在k光阻膜1 2促進保護基之消去反應的ρΕΒ處理之 刖,包3複數之親水基之表面活化劑層丨8係藉由塗佈而形 成於光阻膜12上。因此,光阻獏12之表面可被改變成為親 水的。 因此,即使當化學增強型光阻之阻隔位準增加時’顯 影缺陷可減少。
第16頁 4r4^- 五、發明說明(13) 第二實施例: 圖1 1係為以步驟之順序顯示依據本發明之第二實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖。此種光阻圖案形成方法主 要與上述第一實施例不同之處在於:一種表面活化劑之水 解液係在光阻膜曝光之後被塗敷。 具體而言’於圖1 1之步驟B中,一光阻膜1 2係在與顯 示第一實施例之圖5的步驟β幾乎相同的條件下形成。於圖 11之步驟Ε中,曝光過糕係在與顯示第一實施例之圖5之步 驟F幾乎相同的條件下執行。然後,於圖11之步驟F中,作 為包含 示第一 具 板21係 舉例而 活化劑 至 4000 21。表 大約30 構 相同的 面成為 分之再 隔位準 複數親水基之缺陷預防劑之表面活化劑,係在與顯 實施例之圖5之步驟Ε幾乎相同的條件下被塗敷。 體而言’如圖11之步驟F所示,已暴露之半導體基 被支禮於如圖1 2所示之顯影液槽1 5之支撐板1 4上。 $ ’具有如化學式(3)所示構造之氟化碳基的表面 之水解液,係從—噴嘴1 7提供,並藉由以2 0 0 0 r pm rpm運轉之馬達丨6之旋轉塗佈而塗敷至半導體基板 面活 "fb 杳|| + . A <水解液係被塗敷至光阻膜1 2之表面直到 nm之厚许、 . 没藉以形成一表面活化劑層1 8。
f 面活化劑層1 8之親水基’以與在第一實施例中 原理影響nrs; J f卜層的光阻膜12 ’用以改變光阻膜12之表 親水性。太% 附著至“任後來的步驟I之顯影期間’顯影溶劑成 』 光阻膜1 2之表面係被減弱。因此,即使當阻 增加時,介1 亦可減少顯影缺陷。
第17頁 4 6 9 5 2 1__ 五、發明說明(14) - 依據本實施例,表面活化劑之水解液係在曝光之後被 塗敷。當施加表面活化劑之水解液時,即使一缺陷附著至 下層的光阻膜12之表面,其將不會被傳送至光阻膜12之表 面,此乃因為其係在曝光之後附著至光阻膜12之表面。因 此,可避免形成一種缺陷光阻圖案。此外,此種缺陷可在 後來的顯影期間容易地被移除。 依此方式,以本實施例之配置,.可獲得幾乎與第一實 施例相同的效果。 此外,依據本實施例之配置,因為曝光並不影響光阻 膜,所以可以避免一種缺陷光阻圖案之形成。 第三實施例: 於本實施例中,係使用具有如化學式(4)所示構造之 二甲基聚矽氧烷基,以取代包含於第一實施例之表面活化 劑之水解液中之I化碳基。 ch3 ch3 CH3~Si HSi-〇+i— …⑷
I I CH3 CHr 於如同本實施例中,在塗敷一光阻膜1 2之後,包含二 甲基聚矽氧烷基之表面活化劑之水解液係被塗敷至光阻膜
第18頁 46 95 2 1_ 五、發明說明(15) - 1 2之表面,以形成一表面活化劑層1 8。二甲基聚矽氧烷基 之親水基影響光阻膜1 2以改變其表面成為親水的。 除此之外,第三實施例之配置實質上係與上述第一實 施例相同。因此,於圖1 1中,對應於圖5之組成部分之部 分,係以與圖5相同的步驟之字母表示,所以省略其詳細 說明。 依此方式,以本實施例之配置,可獲得幾乎與第一實 施例相同的效果。 第四實施 於本實施 二甲基聚矽氧 表面活化劑之 於如同本 包含二甲基聚 光阻膜1 2之表 氧烷基之親水 依此方式 施例相同的效 本發明之 意到,其實際 發明之精神之 中。舉例而言 成,並未受限 例: 例中,具有 烷基係被使 水解液申之 實施例中, 矽氧烷基之 面,以形成 基影響光阻 ,以本實施 實施例已參 配置並未受 範疇内,任 如上述 用,以 氟化碳 在塗敷 表面活 一表面 膜I 2以 例之配 考附圖 限於這 何設計 ,使用一種化學增 於半導體基板之情 化學式(4)所示之構造之 取代包含於第二實施例之 基° 與暴露一光阻膜12之後, 化劑之水解液係被塗敷至 活化劑層1 8。二甲基聚矽 改變其表面成為親水的。 置,可獲得幾乎與第二實 而詳細說明。吾人應可注 些貫施例’但在不背離本 改變係可併入於本發明 強型光阻之光阻圖案之形 況,但可應用至例如光罩
第19頁 469521 五'發明說明(16) 基板之其他基板的情況。表面活化劑並未受限於包含氟化 碳基或二甲基聚矽氧烷基之活化劑,但可使用下述的其他 複數之表面活化劑。吾人應注意到,R表示各種型式之烷 基° (1 )陰離子表面活性劑 RCONCH jCOONa ch3 …⑸ …(6) R—CH-R S03Na
CH
S03Na …⑺ R — CH = CH — (CH2) a — S03Na R 一 CH — (CH2)
OH RCOONa 〇) R0S03Na 〇〇)
第20頁 469521
五、發明說明(17) R—(OCH^CHj) n0SO3Na ... (11) R(0CH2CH2)n0S03Na …(12) 0 、 」π R (0CH?CH-) nO—P—〇H OH ...03) (2 )陽離子表面活性劑 "1 + N— cr xN\ ch3 CHzCH2NHC〇R ...04) III· I 第21頁 469521 五、發明說明(18) CH3 i R—N ~CH 3 ) CH3 \=^z/ + Cl
CI 05) 06)
Cl 07) ch3
R—N-(CH㈣0)ΠΗ (CHzCH20)nH
Cl' .(18) 第22頁 469521 五、發明說明(19) CH, cr 09)
R—N —R
I CH, (3 )兩性表面活性劑 R — ίϊΗ —(CH2)„C00 (20) CH. U' (20 R—N —(CH2)nC00 CH- CH, ... (22) I v R—N — ί CH, (4 )非離子表面活性劑
11B 第23頁 4 6 9 5 2 1 五、發明說明(20) -R —《J}0(CH2CH20)nH …(23) R0(CH2CH20)nH …(24) RCOO(CH 2CH20) „Η ... (25) ch3 I HO(CH2CH2〇)n(CH-CHz〇)n -(CH2CH20)nH …U6) RCONHCH2CH2OH …(27) 11111 第24頁 ‘ (28)469521 五、發明說明C2])
RCON 於上述之 (但在PEB處理 之塗敷可能在 好是在冷卻步 化學增強 同樣地使用具 其中,於此阻 未受限於一種 之旋轉 與在預 件係僅 如 學増強 理之前 被塗敷 性的。 依 強型光 之後與 水解液 塗佈方 先烘烤 為例子 上所述 型光阻 ,包含 至光阻 據本發 阻之光 在顯影 可藉由
GH2CH2OH CH 2 CH 2 OH 實施例中,缺陷預防劑係在形成光阻膜後 前)被塗敷至一光阻膜。然而,&陷預防劑 形成光阻膜之後與在顯影處理之前執行,最 驟Η與顯影步驟I之間。 型光阻並未受限於上述所討論的那些,而可 有大約3U或更多之阻隔位準之任何材料, 隔位準可形成顯影缺陷。化學增強型光阻並 正光阻,但可能為一種負光阻。例如光阻膜 法,表面活化劑之水解液之旋轉塗佈方法, 、ΡΕΒ處理、後烘烤等之溫度、時間等之條 ,而可依據應’用、目的等作改變。 ,依據本發明之光阻圖案形成方法,包含化 之光阻膜係被塗敷至基板,然後,在顯影處 親水基之表面活化劑之水解液係藉由塗佈而 膜。因此,光阻膜之表面可被改變成為親水 明之另一種光阻圖案形成方法,包含化學声 阻膜係被塗敷至基板,然後,在一曝光步ς 處理之前,包含複數親水基之表面活化劑之 塗佈而被塗敷至光阻犋。因此,光阻膜之表
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第26頁 ^69521 圖式簡單說明 圖1係為以步驟之順序顯示一習知之光阻圖案形成方 法之流程圖; 圖2係為用以說明由此種光阻圖案形成方法所導致的 缺點之圖表; 圖3係為用以說明由此種光阻圖案形成方法所導致的 缺點之圖表; 圖4係為用以說明本發明所需要之背景之圖表; 圖5係為以步驟之順序顯示依據本發明之第一實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖; 圖6係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖, 圖7係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖, 圖8係為用以簡要說明此種光阻圖案形成方法之運作 之視圖; 圖9係為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效 果之圖表; 圖1 0係為顯示藉由此種光阻圖案形成方法所獲得之效 果之圖表; 圖1 1係為以步驟之順序顯示依據本發明之第二實施例 之光阻圖案形成方法之流程圖;及 圖1 2係為詳細顯示此種光阻圖案形成方法之主要步驟 之視圖。
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Claims (1)
- 46 95 2 1 六、申請專利範圍 _ 1. 一種光阻圖案之形成方法,包含以下步驟: 將一種包含光學酸產生劑之化學增強型光阻塗佈至一 基板之上,以形成一光阻膜; 使形成於該塗佈步驟中之該光阻膜受到預先決定的圖 案化曝光; 在該光阻膜上執行一種PEB處理(後曝光烘烤處理), 以促進在該光阻膜之全部區域之暴露區域内之酸催化感光 反應;以及. 對已經受到PEB處理步驟之該光阻膜顯影,用以獲得 —種具有期望形狀之光阻圖案,其特徵為:在形成該光阻 膜之後,但在顯影之前,籍由塗佈而將包含一疏水基與一 親水基之一缺陷預防劑塗敷至該光阻膜之步驟。 2. 如申請專利範圍第1項之形成方法,其中,該缺陷 預防劑係在曝光步驟之前被塗敷。 3. 如申請專利範圍第1項之形成方法,其中,該缺陷 預防劑係在曝光步驟之後被塗敷。 4. 如申請專利範圍第1項之形成方法,其中,該缺陷 預防劑係在冷卻步驟之後被塗敷。 5. 如申請專利範圍第1項之形成方法,其中,一表面 活化劑係被使用作為該缺陷預防劑。 6. 如申請專利範圍第5項之形成方法,其中,該表面 活化劑包含一氟化碳基或二甲基聚矽氧烷基。 7. 如申請專利fe圍第5項之形成方法,其中,該表面 活化劑係藉由旋轉塗佈而被塗敷。第29頁 469521 六、申請專利範圍 - 8, 如申請專利範圍第1項之形成方法,其中,該化學 增強型光阻具有38%至100%之阻隔位準。 9. 如申請專利範圍第8項之形成方法,其中,該化學 增強型光阻包含一種具有三元共聚體構造之高分子化合 物。第30頁
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