JPS5852644A - 界面活性剤によるウェハ表面の処理方法 - Google Patents
界面活性剤によるウェハ表面の処理方法Info
- Publication number
- JPS5852644A JPS5852644A JP15148281A JP15148281A JPS5852644A JP S5852644 A JPS5852644 A JP S5852644A JP 15148281 A JP15148281 A JP 15148281A JP 15148281 A JP15148281 A JP 15148281A JP S5852644 A JPS5852644 A JP S5852644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- development
- developer
- resist
- active agent
- hydrophilic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はポルシストの現像処理前に界面活性剤を用い
てレジスト表面を親水性にした界面活性剤によるウェハ
表面の処理方法に関する。
てレジスト表面を親水性にした界面活性剤によるウェハ
表面の処理方法に関する。
現在、ポジレジストのリングラフィ工程を自動化するた
め、現像はスプレ一方式で行なわれつつある。このよう
なスプレー現像方式とは通常回転しているウェハ上に現
像液をスプレーノズルを用いて噴霧化して供給し、ウェ
ノ・表面のレジストを現像すること金いう。しかし、ス
プレー現像方式でポジレジストを現像すると、従来から
行なわれているディップ現像では見られない特有の問題
を生じ、ＬＳＩ（大規模乗積回路）製造の歩留りを低下
させていた。このような従来のスプレー現像方式では、
現像の初期段階で現像液の供給がウェハ表面上で均−ｒ
ｔｃならないため、ある特定領域だけに噴霧された現像
液によってウェハ表面での現像速度に差を生じていた。
め、現像はスプレ一方式で行なわれつつある。このよう
なスプレー現像方式とは通常回転しているウェハ上に現
像液をスプレーノズルを用いて噴霧化して供給し、ウェ
ノ・表面のレジストを現像すること金いう。しかし、ス
プレー現像方式でポジレジストを現像すると、従来から
行なわれているディップ現像では見られない特有の問題
を生じ、ＬＳＩ（大規模乗積回路）製造の歩留りを低下
させていた。このような従来のスプレー現像方式では、
現像の初期段階で現像液の供給がウェハ表面上で均−ｒ
ｔｃならないため、ある特定領域だけに噴霧された現像
液によってウェハ表面での現像速度に差を生じていた。
従って、初期段階での現像速度は通常の現像速度に比べ
数倍も速いためウェハ表面が均一に現像液でおおわれる
壕では短時間であるにもかかわらず、異常に現像が進行
してレジストパターン形状が通常とは異なった形になっ
てしまうという欠点があった。
数倍も速いためウェハ表面が均一に現像液でおおわれる
壕では短時間であるにもかかわらず、異常に現像が進行
してレジストパターン形状が通常とは異なった形になっ
てしまうという欠点があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
ｔボンぎジレノストの現像処理前に界面活性剤を用いて
レノスト表面を親水性にして、各レノスト表面での現像
速度を均一にする界面活性剤によるウェハ表面の処理方
法を提供することにある。
ｔボンぎジレノストの現像処理前に界面活性剤を用いて
レノスト表面を親水性にして、各レノスト表面での現像
速度を均一にする界面活性剤によるウェハ表面の処理方
法を提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
現像処理前のポルシソスト表面は疎水性であり、一度現
像液が付着するとただちに親水性となる。このため、現
像初期にレジスト表面に付着した噴霧化された現像液の
粒子はその位置から離り、ずに加速的な異常現像が進行
する。このため、現像液を供給する前すなわち現像ケ行
なう前に界面活性剤例えばＮＣＷでレジスト表面を処理
して親水性とする。その後、直ちに現像を行なうとウェ
ハ表面の定位Ｉｔ Ｋ 、！１３！像液が付着しなくな
るため、現像液の供給が均一でない現像初期でのウェハ
面内の現像速度差もほとんど生じなくなる。ここで、−
１−＋図に示す曲線ａは従来のようＶＣ現像処理時に現
像液が不均−ｔｚこ噴霧された場合、現像時間に対する
現像量が曲線ｂＶＣ示される本願の処理方法を用いた現
像よりも短時間で現像が行なわれることを示している。
像液が付着するとただちに親水性となる。このため、現
像初期にレジスト表面に付着した噴霧化された現像液の
粒子はその位置から離り、ずに加速的な異常現像が進行
する。このため、現像液を供給する前すなわち現像ケ行
なう前に界面活性剤例えばＮＣＷでレジスト表面を処理
して親水性とする。その後、直ちに現像を行なうとウェ
ハ表面の定位Ｉｔ Ｋ 、！１３！像液が付着しなくな
るため、現像液の供給が均一でない現像初期でのウェハ
面内の現像速度差もほとんど生じなくなる。ここで、−
１−＋図に示す曲線ａは従来のようＶＣ現像処理時に現
像液が不均−ｔｚこ噴霧された場合、現像時間に対する
現像量が曲線ｂＶＣ示される本願の処理方法を用いた現
像よりも短時間で現像が行なわれることを示している。
以上詳述したようにこの発明によれば、ポジレジストの
現像処理前に界面活性剤を用いてレノスト表面を親水性
＆ｎ ｌ、だので、現像液が不均一にレノスト表面に噴
霧されて特定領域のポジレノストだけ現像速度が速−ま
ることによって生じるレジスト・にターンの異常が生じ
なくなりＬＳＩ製造の歩留りを安定化できる。
現像処理前に界面活性剤を用いてレノスト表面を親水性
＆ｎ ｌ、だので、現像液が不均一にレノスト表面に噴
霧されて特定領域のポジレノストだけ現像速度が速−ま
ることによって生じるレジスト・にターンの異常が生じ
なくなりＬＳＩ製造の歩留りを安定化できる。
図面はこの発明の一実施例をＨｉ２明するｌこめの現像
時間と現像量を示す図である。
時間と現像量を示す図である。
Claims (1)
- ポジレノストが塗布されたウェノ１の現像処理前に界面
活性剤を用いてレジスト表面を親水性にすることを特徴
とする界面活性剤によるウェハ表面の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15148281A JPS5852644A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 界面活性剤によるウェハ表面の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15148281A JPS5852644A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 界面活性剤によるウェハ表面の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852644A true JPS5852644A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15519461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15148281A Pending JPS5852644A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 界面活性剤によるウェハ表面の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010015280A (ko) * | 1999-07-12 | 2001-02-26 | 가네꼬 히사시 | 포토레지스트패턴의 형성방법 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15148281A patent/JPS5852644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010015280A (ko) * | 1999-07-12 | 2001-02-26 | 가네꼬 히사시 | 포토레지스트패턴의 형성방법 |
| US6472127B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-10-29 | Nec Corporation | Method of forming a photoresist pattern |
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