JP5588793B2 - 液滴塗布基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の請求項2に記載の液滴塗布基板の製造方法は、請求項1において、前記工程Bにおいて、露光することにより露光部に化学的な活性種を発生させ、さらに前記レジスト層を加熱することによって、前記化学的な活性種を触媒とする化学反応を連鎖的に起こし、現像液に対して溶解特性が変化する領域αを形成し、前記工程Dにおいて、前記現像液を用いて現像することにより、前記レジスト層のうち前記領域αが選択的に残存もしくは除去すること、を特徴とする。
本発明の請求項3に記載の液滴塗布基板の製造方法は、請求項2において、前記工程Bにおいて、露光することにより露光部に酸を発生させ、さらに前記レジスト層を加熱することによって、前記酸を触媒とする化学重合反応を連鎖的に起こし、現像液に溶解しない領域αを形成し、前記工程Dにおいて、前記現像液を用いて現像することにより、前記レジスト層のうち前記領域αが選択的に残存すること、を特徴とする。
その結果、本発明ではレジストの組成を変化させること無く、またプラズマ照射装置のような特別な装置を必要とせず、パターニングの精度を維持しつつ、インクの塗布量を確保することが可能な液滴塗布基板の製造方法を提供することができる。
この液滴塗布基板1は、基板10の一面10a上にレジスト層11がパターン形成されてなる。
この液滴塗布基板1では、レジスト層11の表面が、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤により溌液性とされている。レジスト層11の表面を溌液性とすることで、インクを塗布した際に、インク液滴の濡れ広がりを防ぐことができる。これによりこの液滴塗布基板1では、パターニングの精度を維持しつつ、インクの塗布量を確保することができる。本発明において使用可能なレジストは、後述するネガ型レジストに限定されるものではなく、ポジ型レジストとしても構わない。
図2は、本発明の液滴塗布基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
本発明の液滴塗布基板の製造方法は、前記基板10の一面10aを覆うように化学増幅型のレジストを塗布しレジスト層11を形成する工程Aと、前記レジスト層11を所定のパターンで露光する工程Bと、前記レジスト層11の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤12を用いて修飾する工程Cと、前記レジスト層11を現像する工程Dと、を少なくとも順に備える。
具体的に、本発明では、レジスト層11を露光した(工程B)後、レジスト層11を現像する(工程D)前に、該レジスト層11の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤12を用いて修飾している(工程C)。これによりレジスト層11の表面を溌液性とすることができる。レジスト層11の表面を溌液性とすることで、インクを塗布した際に、インク液滴の濡れ広がりを防ぐことができる。
その結果、本発明ではレジストの組成を変化させること無く、またプラズマ照射装置のような特別な装置を必要とせず、パターニングの精度を維持しつつ、インクの塗布量を確保することが可能な液滴塗布基板1を製造することができる。
以下、工程順に説明する。
まず、図2(a)に示すように、基板10上の一面10aを覆うように化学増幅型のレジストを塗布し、ベークすることによりレジスト層11を形成する。
基板10の材質は特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜選択すれば良く、例えば、光透過性を有するもの及び有さないもののいずれでもよい。具体的には、シリコン(Si)、石英(SiO2 )、ガラス、樹脂、金属、セラミックが例示でき、なかでもシリコン(Si)、石英(SiO2 )及びガラスが特に好ましい。
化学増幅型レジストのパターニングプロセスは、基板の全面にレジストを塗布する工程、基板上に塗布されたレジストをベークしレジスト膜を形成する工程、露光する工程、PEB(Post Exposure Bake)と呼ばれる加熱工程、そして現像する工程からなる。
したがって、本発明では、化学増幅型のレジストを用いることで、現像時のレジスト表面が溶解することが防止され、表面に付与した特性(ここでは溌液性)を現像後も維持することができる。
基板10の一面10aを覆うようにレジストを塗布した後、レジストをベークしレジスト層11を形成する。
次に、図2(b)に示すように、紫外光のマスクを介してコンタクト露光を行う。
このとき、本発明ではレジストとして化学増幅型のレジストを用いているので、本工程においてレジスト層11を露光することにより露光部に酸(化学的な活性種)が発生する。さらに、露光後にレジスト層11を加熱する(PEB)ことによって、前記酸を触媒とするカチオン重合反応と呼ばれる化学重合反応(化学反応)が、基板面に対して垂直方向に拡散して(連鎖的に)起こり、これによりレジスト層11の露光部分に、現像液に溶解しない領域11a(領域α)が形成される。
露光後の加熱(PEB)の方法は、特に限定されるものではないが、例えば、105℃で3分間ベークすることで行う。
本発明において、修飾剤12とは、レジスト層11上を被覆して、レジスト層11表面とは異なる性質を発現するものを指す。ここで「レジスト層11上を被覆する」とは、「レジスト層11表面を直接又は間接的に被覆する」ことを指す。修飾剤12として具体的には、レジスト層11と化学結合を形成することなく単にレジスト層11上に積層されるもの、レジスト層11と化学結合を形成してレジスト層11上に固定化されるものが例示できる。ここで「レジスト層11と化学結合を形成する」とは、「レジスト層11表面と化学結合を形成する、あるいはレジスト層11上に別途予め塗布された修飾剤12と化学結合を形成する」ことを指す。いずれの場合も、修飾剤12としては、通常、レジスト層11上を被覆する前の段階で所望の性質を有しているものが使用できる。また、レジストと化学結合を形成する修飾剤の場合には、該化学結合形成後に所望の性質を有するようになるものでもよい。なお、ここで化学結合とは、共有結合等を指す。
フルオロアルキル基又はフルオロアルキルエーテル基を有する高分子としては、下記一般式(l)または(2)で表されるフッ素含有化合物が用いられる。
R2 は、下記するような化学反応官能基を表す。
Yは、−NH−C(=O)−で表される基またはカルボニル基である。
Zは、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基またはアルキルオキシアルキル基に、1つの水素原子が置換されたエチレンオキシ基である。
jおよびkは、同一または異なり0または1を示す。
lおよびmは、同一または異なり0以上の整数を示し、lが2以上の整数である鳩合には1個のZは互いに同一でも異なっていてもよい。
上記した一般式(1)または(2)において化学反応官能基R2 は、以下の表1に記載する分子系を用いることができる。
R4 は、水素原子または1価の炭化水素基を表す。
nは、1、2または3であり、nが2または3である場合にはn個のR2 は互いに同一でも異なっていても良く、nが1である場合には2個のR3 は互いに同一でも異なっていてもよい。
修飾剤12が塗布された基板10は、必要に応じて洗浄及び乾燥させる。洗浄は、メタノールやエタノール等のアルコールを使用してもよいし、例えば、修飾剤溶液がフッ素系溶媒を含有する場合には、フッ素系溶媒を使用してもよい。
修飾剤12の塗布厚は、目的に応じて適宜設定すればよい。なお、修飾剤12の塗布厚は、修飾剤12の分子の大きさや使用量で調整できる。
例えば、「Bentcrs R.Et al.:Chembiochem , 2,686-694(2001)」に記載の手法を用いれば、R2 がアミノ基である一般式(1)または(2)で表されるフッ素含有化合物が表面に導入される。またアミノ基を有する有機シラン化合物、例えば、3-Aminopropyltrimethoxysilane、3-AminoPropyltriethoxysilane、3-Aminopropyldiethoxymethylsilane、3-(2-Aminoethylamino)propyltrimethoxysilane、3-(2-Aminoethylamino)propyltriethoxysilane、3-(2-Aminoethylamino)propyldimethoxymethylsilane 等といった一般的に入手できる化合物で表面にアミノ基を導入しておき、これにR2 がエポキシ基またはカルボキシル基である一般式(1)また(2)で表されるフッ素含有化合物を反応させることで同様な効果を得ることができる。
最後に、図2(d)に示すように、現像液を用いて現像することにより、前記レジスト層11のうち前記領域11aを残存させる。これにより、レジストがパターン形成されてなる液滴塗布基板1が得られる。現像液としては、例えば、2.3%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いることができる。
この液滴塗布基板1において、レジスト層11の表面は溌液性を有するものとなる。そしてこの液滴塗布基板1は、パターニングの精度を維持しつつ、インクの塗布量を確保することが可能なものとなる。
(実施例1)
基板の一面を覆うように化学増幅型のレジストを塗布しレジスト層を形成した。
基板にはSiウェハを用い、化学増幅型のエポキシレジストとして、KMPR(化薬マイクロケム株式会社製)を用いた。3000rpmの回転数で60秒間、スピンコートによりKMPRを塗布し、105℃でベークを行いレジスト層を形成した。
レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾しなかったたこと以外は、実施例1と同様にして、レジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板を作製した。
これに対し、修飾を行わなかった比較例1の液滴塗布基板では、水に対しては基板表面に比べ溌水しているが、溶媒(ジプロビレングリコール)に対しては濡れ性が高く、十分な溌液性は得られなかった。
したがって、レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾することによりレジスト層の表面を溌液性とすることができることが確認された。
本比較例では、化学増幅型レジストではなく、現在、半導体およびMEMSデバイス製造工程において最も汎用的に使用されているナフトキノンジアジド(DNQ)を感光剤とするノボラックレジストを用いて、液滴塗布基板を作製した。レジストは、ポジ型のレジストであるOFPR(東京応化製)を用いた。
基板にはSiウェハを用い、1200rpmの回転数でスピンコートによりOFPRを塗布し、110℃で2分間ホットプレート上でベークを行いレジスト層を形成した。
次に、コンタクトアライナーによるマスクを介した紫外光の露光を行った。これにより、露光部のDNQが変質し、現像液に対する溶解度が上昇する。
最後に、現像液を用いて現像し、液滴塗布基板を得た。
レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾しなかったたこと以外は、比較例2と同様にして、レジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板を作製した。
これは、DNQ−ノボラック系のフォトレジストは、露光によってDNQが変質し、現像液に対するエッチングレートの差によってパターニングされる。つまり、非露光部においても現像液によってエッチングされてしまうために、レジスト表面に付与した修飾剤も除去されてしまい、その特性が失われてしまったためと考えられる。
したがって、実施例1に示されるように、化学増幅型のレジストを用いることで、現像時のレジスト表面が溶解することが防止され、表面に付与した特性(ここでは溌液性)を現像後も維持することができることが確認された。
本比較例では、レジスト層の露光工程と現像工程との間ではなく、露光工程前に、レジスト層の表面を修飾剤を用いて修飾し、液滴塗布基板を作製した。
基板の一面を覆うように化学増幅型のレジストを塗布しレジスト層を形成した。
化学増幅型のエポキシレジストとして、KMPR(化薬マイクロケム株式会社製)を用いた。3000rpmの回転数で60秒間、スピンコートによりKMPRを塗布し、105℃でベークを行いレジスト層を形成した。
最後に、現像液として2.3%水酸化テトラメチルアンモニウムを用いて現像し、液滴塗布基板を得た。
レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾しなかったたこと以外は、比較例4と同様にして、レジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板を作製した。
したがって、実施例1に示されるように、レジスト層の露光工程と現像工程との間に、修飾を行うことで、修飾剤の分解や変性が防止され、レジスト層表面に溌液性などの特性を付与できることが確認された。
基板の一面上にレジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板に実際にインクジェットを用いてインクを滴下した。
図3(a)に作製した液滴塗布基板を示す。ガラス基板(51)上にブラックマトリクスを見立てたCr(52)およびフルオロアルキルエーテル基の有機シラン化合物(54)で修飾された溌液表面を有するレジスト(53)の構造物(55)を、図3(b)に示すような100μmの正方形の開口部(56)を有する格子状のパターンで形成した。本基板では、レジスト層を厚さ15μmで形成したため、開口部(56)の体積から約0.15nLの液滴が入ると想定される。
レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾しなかったたこと以外は、実施例2と同様にして、レジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板を作製した。
その結果、実施例2の基板では、0.3nLを滴下しても、図4に示すようにNMP(61)が表面張力で保たれ、十分に溌液性が機能していることが分かった。
一方、比較例6の基板では、0.2nL程度のNMPの滴下で開口部同上のNMPが繋がってしまった。
Claims (3)
- 基板の一面上にレジスト層がパターン形成されてなる液滴塗布基板の製造方法であって、
前記基板の一面を覆うように化学増幅型のレジストを塗布しレジスト層を形成する工程Aと、
前記レジスト層を所定のパターンで露光する工程Bと、
前記レジスト層の表面を、フッ素を有する高分子を含有する修飾剤を用いて修飾する工程Cと、
前記レジスト層を現像する工程Dと、を少なくとも順に備え、
前記工程Cにおいて、前記修飾剤として、フルオロアルキルエーテル基を有する高分子を含有するものを用いることを特徴とする、液滴塗布基板の製造方法。 - 前記工程Bにおいて、露光することにより露光部に化学的な活性種を発生させ、さらに前記レジスト層を加熱することによって、前記化学的な活性種を触媒とする化学反応を連鎖的に起こし、現像液に対して溶解特性が変化する領域αを形成し、
前記工程Dにおいて、前記現像液を用いて現像することにより、前記レジスト層のうち前記領域αが選択的に残存もしくは除去すること、を特徴とする請求項1に記載の液滴塗布基板の製造方法。 - 前記工程Bにおいて、露光することにより露光部に酸を発生させ、さらに前記レジスト層を加熱することによって、前記酸を触媒とする化学重合反応を連鎖的に起こし、現像液に溶解しない領域αを形成し、
前記工程Dにおいて、前記現像液を用いて現像することにより、前記レジスト層のうち前記領域αが選択的に残存すること、を特徴とする請求項2に記載の液滴塗布基板の製造方法。
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