TW468075B - Thin film forming method, display device, and color filter - Google Patents

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4680^5 五、發明說明（1) 發明之領域 本發明係關於一種薄膜形成技術，其適用於製造具備 EL(electroluminescence :電致發光）元件或LED元件等之 顯示裝置或濾色片。特別是關於一種有利於區隔構件間形 成多層薄膜層時之技術。 相關技術之描述 習知技術中，係以喷墨方式，填充顯示裝置之半導體 膜或濾色片之著色樹脂等之材料，以製造彩色顯示用液晶 面板15 以喷墨方式填充材料時，為了防止所喷出之薄膜材料‘ 液流出至相鄰之像素，故必須設置區隔像素區域之區隔構 件（以下亦稱「屏障」.，又構成區隔構件之層稱為「屏障 層」），再將薄膜材料液填充至區隔構件所圍之區域。將 其體積遠大於成膜後體積之薄膜材料液，填充至以區隔構 件所圍之像素區域。因為顯示裝置一般要求為薄，故不可 任意形成過1¾之區隔構件。因此，依區隔構件或以區隔構 件所.圍之區域對薄膜材料液所呈現之濡濕性（親和性）如 何，所填充之薄臈材料液會有不同之性能。 若區隔構件對薄膜材料液為親和性時，如圖9 A所示， 當以超過區隔構件高度之量之材料填充時，即使有區隔構 件，材料依然很容易流出至相鄰之像素區域。反之，若區/ 隔構件對薄膜材料液為非親和性時，如圖9 B所示，即使以 超過區隔構件高度之量之材料填充，因為材料之表面張 力，故材料不會流出至相鄰之像素區域。若加熱此材料使

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溶劑蒸發後’因為材料於區隔構件之侧壁被排斥， 9C所示，成膜後像素區域之中央部之厚度變厚，而 ， 之厚度變薄。因此’會產生色彩不均或降低信賴性ββ 4 若以非親和性構件形成區隔構件時，因區隔構件與區爐 件之接地面一者之密接力變弱’而使區隔構件容^ ϋ二 為了解決如上述問題’習知技術中，揭示有一種表面:二 技術，其使區隔構件上部成為非親和性，而使其他部分 為親和性。如日本特開平9 - 2 0 3 8 0 3號公報或日本特開平 9 230129號公報中所揭示之技術’其係藉由考外線照射將 區隔構件上部加工成為斥是本性.，而將區隔構件所圍之區 域加工成為親墨水性。前者為將具斥墨水性（非親和性）之： 層’塗.布為.區隔構件之上部，而後者則更藉.由_紫外線照 射，使以區隔構件所圍之凹部成為親墨水性（親和性）。關 於其邏輯上之討論記載於1 9 9 7國際顯示研討會論文集. (international Display Research Conference)之 .128-241頁。藉由此技術，即使以超過區隔構件之高度填 充材料，如圖1 0 A所示，材料藉由非親和性之膜而被排 斥，故不會流出至相鄰之像素區域。因為區隔構件之侧壁 具親和性，故成膜後，像素區域之周邊部之厚度亦不會變 薄。 然而，上述之習知技術中，亦無清楚揭示如何設定區、 隔構件之側壁之親和性，故不易得到平坦之薄膜層。於曰 本專利特開平9-230129號公報中，雖然揭示藉由自表裡兩 面照射紫外線，以控制親和性程度，但對於如何設定非親

468075 五、發明說明（3) 和性與親和性二者之親和性程度（亦即對薄膜材料液之接 觸角），卻無相關之揭示。 例如，·當非親和性過高時，如圖9 C所示，薄膜層於接 近區隔構件之周邊部變薄，而於中央部變厚。反之，當親 和性過高時，則如圖1 0 B所示，薄膜層於接近區隔構件之 周邊部變厚，而於中央部變薄。 又，於上述習知技術中，因將薄膜層假設為僅有一 .層，故對於形成多層之薄膜層時’如何於各層分形成平坦 之薄膜層之表面處理，則完全無法得知。假設各層皆適用 上述習知技術，則於形成每一層時皆須做表面處理，故須 有非常多之製程。 發明概要 本發明人以氟系氣體進行電漿處理，發現藉由調整氧 氣與氟氣之混合比，可於有機物與無機物間產生對墨水極 為不同之接觸角。因此，本發明人想到可藉由設置由親和 性材料及非親和性材料所交互疊設而成之屏障，並可藉由 電漿處理而控制親和性。 亦即，本發明之第1課題為：提供一種薄膜形成方 法，其藉由以不同材料疊設屏障，而可形成多層薄膜。 又，本發明之第2課題為：藉由於一定條件下管理表 面處理，而可不經多數之製程而可控制親和性，如此可降 低親和性控制所需之費用，並可形成均一膜厚之多層薄 膜。 又，本發明之第3課題為：提供一種顯示裝置，其可

| 6.頁 4 68 07 5 五'發明說明（4) 一 藉由多f化之薄媒形成方法，而形成多層 圖像顯示時’不會產生亮度或色彩不岣之情形。 ’於 解決上述第1課題之發明係為一種薄膜形 膜材料液填充至由屏障所包圚之區域而 薄 備：於屏障形成面形虚之製程.腺溥膜層，具 展障之製程。成屏障Ϊ 溥膘材料液填充至 屏障之製私其中，形成屏障之製程中，藉由至 親和性屏障層之製·，重複_欠以1，=成非 層與非親和性屏障層交互疊設之屏障。形成親和性屏障 在此’所謂「屏障」係為一種區隔 如區隔利用非親和性半導體薄膜元件之顯%裝為 一層皆改變親和性材料或非親和性材料j =類，T = 每一層皆改變其厚度亦可。 暗^ ^種類。而於璧设 障之面，其可為顯示裝置之驅二=係指設置此屏 基板。 直寺之驅動基板或濾色片等之透明 在此，所謂親和性或 料液具備之性質而定。^如—和性係跟據所填充之薄膜材 時，具有極性基之表面則 右為具親水性之薄臈材料液 表面則呈現非親和性。^之現親和性’而具有非極性基之 -時，具有極性基之表面則呈’若為具親油性之薄膜材料浪 之表面則呈現親和性β以 現非親和性’而具有非極性恭 象不同’而做各種變更。^者，為薄膜材料液可依製造對 之親水性或疏水性時， =使·薄膜材料液於各層分別奚现 變層構造，使設於對應以该薄

468075 五、發明說明（5) 膜材料液所 對該薄膜材 膜材料液具 而非親和性 水性時，則 料係指無機 例如， 成上述非親 製程中，塗 層。接著， 前，塗布非 層。 解決上 後，更具備 製程。表面 於減壓或常 漿處理= 而一定 中5進行電 由電漿放電 而產生羰基 分子之流體 現非親和性 化合物分子 形成 料液 親水 材料 所謂 材料 可藉 和性 布溶 藉由 親和 之薄膜層之位 為非親和性而 性時，則所謂 係指有機材料 親和性材料係 〇 由材料塗布形 屏障層之製程 於溶劑之既定 於去除溶有親 性屏障層之材 述第2課題之發明 對屏障及屏障形成 處理可如為：使用 壓下，進行電漿照 條件可如為：於含 漿處理。於此條件 而產生未反應基， 或羥基等之極性基 呈現親和性，而對 。此外，於有機屏 與上述反應並行進 置之二層屏障層中，使下層 上層為親和性。例如，若薄 親和性材料係指無機材料； 。反之’若薄膜材料液具疏 指有機材料；而非親和性材 成上述屏障層β亦即，於形 與形成上述親和性屏障層之 材料’而分別形成各屏障 ，性屏障層之材料之溶劑 料，而形成非親和性屏障 於形成上述屏障之製程 ^ 進行既定之表面處理之 有說或敗化合物之氣體， 射之減壓電漿處理或常壓電 有氟系化合物及氧之氣體 $益於無機材料之表面上藉 。 由氧將未反應基氧化， 二極性基對於含有水等極性 Ϊ I非極性分子之流體則呈 =表面中、亦會產生氟系 有機材料表面之現象。

468075 五、發明說明（6) 特別是氟系化合物較氧為多時，如將_ 定為氟系化合與氧二者總量之60%以上時'化合物之含量設 量於過多之氣體中，因為氟系化合物· ’氟系化合物之 氧所產生之氧化反應，故主要因混入成0化現象強於因 之影響’而使表面成為非極性化。因現，而非氧化反應 過多之條件下’對有機材料進行電 挪若在氟系化合物 分子之流體會呈現非親和性，而對n理’則對於含極性 則呈現親和性。例如，以CF4、sf 、^ 3非極性分子之流趙 為含氟之氣體。若於此條件4下進^ . Ηί?3等鹵素氣體，做 表面之親和性’使其於非親和性屏 =f理，則可調整其 間，對薄膜材料液具有極為不同之 2 〃親和性屏障層 將表面處理成·使親和性屏障層表而 ^ 藉此，例如可 角為3 0度以下；而非親和性屏 對薄骐材料液之接觸 觸角為40度以上。 表面對薄臈材料液之接 進叮上述表面處理之製輕， 膜材=f f非親和性程度較親和性、親和性屏障層對薄 定條件下，進行表面處理，該面處理之製輕，二二， 封料液之雜Γίί和性，較由屏卩章=，為·親和性屏障 於形成上述屏障之製程辛 對缚膜 ίϊί二i且親和性屏障層及非親，可藉由下述製程 於親和性屏障層上，配合：障性屏障 开暉％成區域，以

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abb 015 五、發明說明（7) 非親和性材料形成 性屏障層做為光罩 區域之親和性屏障 述製程，而形成一 和性屏障層形成製 餘刻製程，配合屏 層，非親和性屏障 和性屏障層，並覆 ，上層之形成區域 二欠街屏障形狀皆進 1障層及非親和性 非蜆和性屏障層一 在此，非親和 $、含氟之有機化 。而親和性材 氮化膜之其一 β 最下層之薄膜 之親和性屏.障層之 =層之厚度，設定 障1層及非親和性 ^料液藉由屏障壁 形狀。於與親和 ，相密接，而使薄 屏障層之接觸面 非親和性屏障層 ，蝕刻去除未設 層。又，形成屏 組親和性屏障層 程，以親和性材 障下層之形成區 層形成製程，以 篕住親和性屏障 ’触刻該非親和 行蝕刻，於重叠 屏障層後，將複 次同時蝕刻亦可 性材料如可為聚 合物或絕緣有機 料如可為Α1或Ta 層之厚度，最好 厚度又，將疊 為約等於對應屏 屏障層之各厚度 面之親和性，而 性屏障層之接觸 臈之厚度有增加 上· ’因薄膜材料 ;去 有該 障之 及祚 料形 域， 非親 層； 性屏 完全 數組 除製 #親 製程 親和 成親 拉刻 和性 蚀刻 障層 部或 之親 程， 和性 中， 性屏 和性 該親 材料 製程 。又 大半 和性 以非 屏障 可藉 障層 屏障 和性 形成 ，配 ，不 之親 屏障 親和 層之 由下 :親 層； 屏障 非親 合屏 必每 和性 層及 醯胺、非晶質矽、多晶 化合物（感光性材料）之 等金屬、矽氧化膜或發 設定為大致等於最下層 設於最下層之上之各薄 障高度所疊設之親和性 之總和。所填充之薄聪 改變該壁面與液面之接 面上.，薄膜材料液與髮 之趨勢；而於與非親和 液被排斥，而使薄祺之

第10頁 4 68 07^, 88104199 五、發明說明（8) 厚度有減少之趨勢。過量填充之薄膜材 入處理而使體積逐漸減少 '然而於加熱處理完藉由加 相平衡’而使得薄膜材料液之液面與屏障壁性質 使整體變平坦。例如，可將最上廣 4目垂直，而 度設為50 Onm以下，而將除此外和性屏障層之厚 設為iOOnm以下。 外之非親和性屏障層之厚度 解決上述第3課題之發明係為一 設薄膜層所構成，上述薄骐層係 裡顯不裝置，其由疊 障所包圍之區域所形成，其特&缚膜材料液填充至由屏 薄膜材料液為親和性之親和性屏 _ =^^_座係由對上述 液為非親和性之非親層’與對上述薄唭材料 屏障所圍之區域，並於上述 贌發光元件之有機半導體材料，之像素電極，以形成薄 解決上述第4課題之發明係成上述薄膜層。 薄膜層所構成’上述薄膜層係將· 種據色片，其由疊設 所包圍之區蜮所形成，其特徵為缚模材料液填充至由屏障 薄膜材料液為親和性之親和性屏陵上述屏障係由以對上述 料液為非親和性之非親和性屏障層，與以對上述薄臈材 障形成面以逯明基板所形成，又增所交互疊設而成，且屏 區域之區隔構件，以對上述像素賭上述屏障係為區隔像素 料’形成上述薄膜層。 '巧予色彩之著色樹脂材 1999. 07.23. i〇75 468075 五、發明說明（9) 又，於上述顯示裝置或濾色片中，親和性屏障層或/與非 親和性屏障層係以表面處理，使其分別呈現親和性或非親 和性。 圖式之簡單說明 本發明之上述及其他目的、優點和特色由以下較佳實 施例之詳細說明中並參考圖式當可更加明白，其中： 圖1 本發明實施例1之薄膜4設構造之剖面圖。 圖2 本發明實施例1之薄膜形成方法之製程剖面 圖 圖3 本發明實施例3之薄膜形成方法之製程剖面 圖 (續上）β 圊4 說明本發明之表面處理原理之氟系化合物與氧 氣 Ϊ 二者 之混合比及接觸角之關係之特性圖。 圖5 本發明實施例2之薄膜形成方法之製程剖面 圖 圖6 將本發明使用於濾色片之實施例之剖面圖。 圖7 將本發明使用於顯示裝置之有機半導體發光元 件 時 ，其 實施例之剖面圊。 圖8 將本發明使用於顯示裝置之有機半導體發光元 件 時 ，其 其他實施例之剖面圖。 圊9 習知之屏障形成問題點之說明圊。 圖10 ••習知之屏障形成問題點之說明圖。 符 號 說明 100 屏障形成面 101 凹部 102 喷墨式記錄頭

第12頁 4 G Β Ο 7 5 五、發明說明（10)

110 屏障 130 薄膜材料液 llHln 親和性屏障層 121~12n 非親和性屏障層. 131~13n 薄膜層 d0 ~ dn 厚度 200 基板 201 像素區域 210 區隔構件 21 1 樹脂層（或無機絕緣膜層） 221 黑色基質層 23卜233 著色樹脂 300 驅動基板 301 處理裝置 310 屏障 311 下層 321 上層 331 有機半導體層 341 透明電極 351 金屬電極 400 驅動基板 40 1 凹部 410 屏障 411-412 親和性層

第13頁 468075 五、發明說明（11) 非親和性層 正電洞輸送層 有機半導體層 透明電極 金屬電極 42 卜 422 431 432 441 451 較佳實施例之詳細^ (實施例1 ) 、本發明之實施例1係關於一種薄膜形成方法，其於構 成屏障之複數種類之層中，利用其中一層做為另—層之光 罩。此疊設構造可用於使用多層化薄膜之所有用途◊例 如’可用於使用有機半導體薄膜之EL元件、LED或濾色片 等、。圖1之疊設結構係為使用具親水性之薄膜材料液時之 構14之薄膜材料液，對表面處理過之無機材料 。.间’而對有機材料之親和性則變低（非親和 如圖1所示’本疊势棋％ 障11。所構成β屏障於屏障形成面丨⑽上設置屏 晶體（TFT: Thin Film4T面可為具有顯示裝置用之薄膜電 色片之透明基板。對於屏驅動基板，或用於濾 其目的為將流體填充$ 「形成面之構造並無限制，只要 形成薄膜者，皆可適用。作=樽件之屏障所圍之區域内以 111之密接性良好之材料，|該是’最好為與親和性屏障層 之最下層。特別是若以無~親和性屏障層丨u為屏障丨i 0 面處理中，得到適當之親和^料，成時，有助於其後之表 。京為以透明電極之IT0或

4 68 075 五、發明說明（12) f等所構成之顯示裝置、或以玻璃或石英等所構成之濾色 片，則可與親和性屏障層維持高密接性。 屏障11 0係由親和性屏障層〗丨卜丨丨n (n為自然數）及非 親和性屏障層121〜I2n交互疊設所構成。對親和性屏障層 11卜lln進行表面處理’使其對形成薄膜層^卜丨3ri之薄膜 材料液具有一定之親和性，又該薄膜層131〜13η之位置與 親和性屏障層1 1 1〜1 1 η之位置相互對應。親和性屏障層 111〜11η之材料’最好為與屏障形成面1〇〇或非親和性屏障 層1 2卜1 2 η密接性良好之材料，且該材料亦可具有絕緣 f生半導體之性質或導電性之其一。例如，親和性屏障層 11卜lln可使用一般之A1或·!^等金屬、矽氧化膜（Si〇2)或 石夕氮化膜（Si Nx)等，做為絕緣膜、又，各親和性屏障層不 必使用相同之材料。只要是與各薄膜層Un(設於與親和性 屏障層1 In相對之位置，n為任意自然數）之薄膜材料液具 有親和性之材料即可，而不必將所有親和性屏障層統一/為 相同材料。 又，對非親和性屏障層丨2卜12n進行表面處理， ，形成薄膜層1 3 1〜1 3η之薄膜材料液具有非親和性，又^ 薄膜層1 3卜1 3 η之位置與親和性屏障層丨2丨〜丨& 對應。非親和性屏障層12b12n之材料，最好為/置相互 屏障層111~1 In密接性良好之材料，且該材料亦.可具 緣性、半導體之性質或導電性之其一。例如， 和性屝 障層1 2卜1 2 η可為聚醯胺、非晶質矽、多晶矽、 機化合物或絕緣有機化合物等…各非親和性屏氣障層有不

4 6 8 075 五、發明說明（13) 必使用相同之材料》只要是可增加對各薄膜層13χ(設於與 親和性屏障層I 1 X相對之位置’ X為任意自然數）之薄膜材 料液為非親和性之材料，則可改變材料而叠設之/例如， 將此疊設構造使用於濾色片時，最上層1 2η亦可以黑色基 質（black matrix)構成’使其兼具遮蔽功能。可使用鉻等 之金屬、氧化物、或黑色光阻材料等形成，可做為遮蔽構 件。 Γ 各屏障層之厚度設定w r -力取r赝馮親和性屏障層 Π 1時’將親和性屏障層I 1 1之厚度dO ’設為與此層相對應 形成之薄臈層131之厚度約為相等。於其上層中，將親和 性屏障層11χ + 1加上非親和性屏障層12χ之厚度dx，設為與 此等層相對應形成之薄臈層1 3 X Μ之厚度約為相等。例 、 如，薄膜層132之厚度’約等於非親和性屏障層121加上親 和性屏障層112之厚度°薄臈層13η之厚度，約等於 性屏障層1 2η- 1加上親和性屏障層11 η之厚产。 望 對於形成平坦之薄膜層極為重要。 又 疋’ ν又，上述疊設構造^適用於薄膜材料液由具<歪__性^之 为子所構成時。當薄膜材料液由無極性基之八 g i則將非親和性屝障層與親和性屏障層之材料交換後使 當薄膜層於各層由具極性基之分子所構成亦iω 土之分子所構成時，則選擇屏障層之材料，^ ^ 描 材料液所填充位置之二層屏障層中，下層對=各薄膜 為非親和•，而上層對此薄祺材料液為親和材料液

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五、 發明說明 ；14) 薄 膜 層 13 卜 1 3 η 係 由 具 各 g 的 f生 質 之> 料 所 構 成。 例 如 ， 將 本 疊 設 構 造 用 於 顯 示 裝 置 時 係 以 任 意 之 有 機半 導 體 薄 膜 材 料 液 填 充 至 各 薄 膜 層 所 形 成 〇 於 各 薄 膜 層 中， 可 疊 -J-TL 5又 複 數 層 之 可 發 出 原 光 之 有 機 半 導 體 薄 膜 材 料 液 ，必 要 時 ) 可 填 充 疊 設 正 電 洞 m 送 層 或 電 子 輸 送 層 之 材 料 。例 如 將 本 疊 -tTL &又 構 造 用 於 遽 色 片 時 可 於 各 薄 膜 層 填 充疊 不 同 折 射 率 之 樹 脂 〇 如 此 疊 設 薄 膜 構 造 可 為 光 學 之 干涉 過 遽 器 ? 僅 能 透 過 特 定 波 長 之 光 而 可 提 供 具 良 好 選 擇性 之 色 彩 0 屏 障 之 最 上 層 亦 可 使 用 黑 色 基 質 〇 亦 即 > 可 塗 布氧 化 鉻 或 黑 色 光 阻 等 〇 此 層 可 兼 用 為 非 親 和 性 層 或 與 非親 和 性 層 個 別 設 置 亦 可 0 各 薄 膜 層 13 1 ~ 13 η之厚度 ，如上所， 述 設 定 為 約 等 於 形 成 於 對 應 於 此 薄 膜 層 之 非 親 和 性屏 障 層 與 親 和 性 屏 障 層 之 總 厚 度 0 (疊設構造之作用） 若 藉 由 上 述 屏 障 之 層 構 造 ， 則 可 提 供 '— 種 裝 置 ，其 可 疊 ^rL ax 各 層 厚 度 皆 均 — 之 薄 膜 層 0 若 將 屏 障11 0製成上述構 造 J 則 可 使 薄 膜 層 之 厚 度 變 平 坦 0 亦. 即 J 若 逐 漸 填 充薄 膜 材 料 液 ί 則 藉 由 屏 障 壁 面 之 親 和 性 可 改 變 對 該 壁 面之 薄 膜 材 料 液 液 面 之 接 觸 形 狀 〇 於 與 親 和 性 屏 障 層 之 接 觸面 上 9 薄 膜 材 料 液 與 壁 面 相 密 接 而 使 薄 膜 之 厚 度 有 增加 之 趨 勢 t 而 於 與 非 親 和 性 屏 障 層 之 接 觸 面 上 3 因 薄 膜 材料 液 被 排 斥 而 使 薄 膜 之 厚 度 有 減 少 之 趨 勢 0 過 量 填 充 之薄 膜 .材 料 液 f 雖 然 可 藉 由 加 入 處 理 而 使 體 積 逐 漸 減 少 ， 献 /”、 而於 加

第17頁 468075 五、發明說明（15) 層 若將薄膜材料液之液面 性屏障層之邊界時，因 性質相平衡，而使得薄 ’而使整體變平坦。 設構造之裝置中，因為 定之效果。若各薄膜層 流而形成發光型顯示元 固定，可提升發光之均 故可提升信賴性。可於 厚度薄之區域無電場， ’色彩及亮度亦均一化 之均一性並防止色缺等 熱處理完成後， 性屏障層及親和 親和性屏障層之 屏障壁面相垂直 於使用此疊 故可發揮一 於電極間通過電 之電流密度變成 中於特定區域， 元件中，因為於 延長壽命。此外 時，可提升色彩 .(製造方法） 其次，參考 之薄膜形成方法 們正取位於非親和 非親和性屏障層與 膜材料液之液面與 具有平垣之薄膜 之厚度為均一，則 件時，因為電極間 一性’避免電流集 電極間森加電壓之 故可提升信賴性而 。當適用於濾色片 問題。 圖2及圖3之攀程剖面圖，’說明本疊設構造 屏障形成製程（圖2A〜D):屏障形成製程係於屏障形成 面100上’叠δδι親和性屏障層ill〜ιΐη及非.親和性屏障層 12卜12η ’以形成屏障110之製程，

首先’將於屏障形成面1 〇 〇上，全面形成親和性屏障 層111(圖2Α)。形成方法因材料而異，可使用 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、沈積法、藏鍍 法或各種塗布方法（旋轉塗布法、喷灑塗布法、滾壓塗布 法、模具塗布、浸潰塗布）。例如，於實施例中藉由

第18頁 4 6Β 075 五、發明說明（16) S0G(Spin on Glass)以旋轉塗布法形成3丨02膜。最下層之 親和性屏障層1 1 1之厚度，配合薄膜層1 3 1之厚度。 其次，配合屏障形狀，形成非親和性屏障層1 2 1 (圖 2B)。非親和性屏障層之形成方法以上述方法，全面形成 有機材料。若使用一般之微影法時，配合屏障形狀加上光 罩，對光阻曝光、顯影、及去除，最後再進行蝕刻，去除 光罩以外部分之有機材料。若使用印刷法時，可以凹版、 平版、凸版等任意方法，直接將有機材料塗布成屏障形 狀。將非親和性屏障層1 2 1之厚度，形成為能充分排斥其 後所填充之薄膜材料液之厚度。但是，此層與疊於此層之 上之親和性屏障層1 1 2之總厚度，須調整為略等於薄膜層 1 3 1之範圍。 其次，以非親和性屏障層1 2 1做為光阻光罩，蝕刻無 機材料膜（圖2C)，非親和性屏障層係為有機材料，故可做 為光阻光罩。 其次，與圖2Α相同全面塗布S0G以做為無機材料（圖 2 D)。將無機材料之厚度，形成為能克分與其後所填充之 薄膜材料液相密接之厚度。但是，此層與疊於此層之下之 非親和性屏障層1 2 1之總厚度，須調整為略等於薄膜層1 3 2 之範圍。此後，重複圖2Β〜D之製程，逐漸疊設屏障。 將最上層疊設為配置非親和性屏障層12η。此係因若最上 層不為非親和性時，會使得所填充之薄膜材料液越過屏障 1 1 0而流出。 藉由上述製程，可形成如圖2Ε之構造，其由屏障110

第19頁 〇d〇T5 五、發明說明（17) 與由屏障所·圍之凹部101所構成。藉由此構造，可形成由 親和性層與非親和性層二者交互疊設而成之多層構造屏 障。其後，如圖3B所示，只需.轉而進行將薄膜材料液依序 填充至凹部101之製程即可。然而，此時，進行如下所示 之表面處理，其可調整屏障形成面100與屏障110各層，對 薄膜材料液之親和性程度。 表面處理製程（圖3A):表面處理製程係為：於_ — 件下進行電漿處理，而可調整屏障形成面1〇〇與屏障 層，對缚膜材料液之親和性程度。本發明之電嘴處理中 以含有氟之氣體做為導入氣體。可採用減壓環境 、’

電聚處理或常壓環境下之常壓電漿處理。反應氣體$ 含有一定量之氧氣。又，可使甩CF4、SF6、CHF楚中最好 氣體等做為氟系化合物。 等之齒素 表面 亦即 流體 材料 量接 沖淡 ，以 I nd i ，可 ，當 其接 潤， 面之 無機 而測 以水 合物 ιτ〇( 材料 所示 料， 4於缚膜材料等任意流體為容易濕濶τ 是呈現親和性或非親和性，可藉由测;$ j》 之接觸角而得知。圖4.中，係表示對、材米 進行電漿處理時，藉由氟化合物與^機材料 觸角之變化之結果β接觸角係為對水U合tl 水）之接觸角。此圖中，係水（ &醯亞胺為有機材料，以ςίΩ月 4寻為氟系 unr-Tin_0xide)為無機材料^例。

K為有機或無機而呈現出類似之匕對於其 觸角之程度並無太大差異。㉟而m無名 ® 1之氟系4

五、發明說明（18) 物過量時，則有機材料之接觸角會變大（亦即，當薄膜材 料液為親和性時，會變成非親和性）。與此相比，無機材 料之接觸角之變化小。若反應氣體中含有氧氣時，由於氧 氣之氧化作用，而使無機材料及有機材料皆產生極性基。 然而，若氣系化合物過量_，因氟系化合物分子會進入有 機材料中，而使得極性基之影響相對變小。因此，藉由將 氟系化合物控制於較氧氣為多之條件下，同時進行電漿處 理，而可將屏障110與屏障形成面100表面，設定成符合圖 4所希ΐ之接觸角（親和性）。特別是為了使二者之接觸角 差為最大，最好·使用圖4之最佳混合比（CF4/ CF4+ 02= 7 5 %〜90%)。但是，最重要是需設大聚醯亞胺與Si02 或I TO間之接觸角差，為了達到此目的，根據圖4，將CF4 設為約7 0 %以上即可。例如 '，進行表_面處理，使.親和性屏 障層表面對薄膜材料液之接觸烏，成為3 0度以下。又，進 行表面處理，使非親和性屏障層表面對薄膜材料液之接觸 角5成為4 0度以上。 依據以上事實，於本實施例中以氟系化合物做為導入 氣體，進行減壓電漿處理或常壓電漿處理，以使混入一定 比例之氧氣。例如，於電容耦合型之電漿處理中，將上述 氣體導入反應室，於一邊之電極上放置具有屏障形成面 1 _0 0之基板後：，自電源施加電場。對反應室施加能量之方 法，可使用習知方法，如：直流法、頻率法、介電耦合 型、電容耦合型、微波法、同時施加電場及磁場之方法 等。

第21頁 4 6 8 07 5 五、發明說明（19) 例如，以奵〇.等透明電極 之底面），以Si〇2形成親和性屏障成層屏障凹部101 非親和性屏障層時’藉由上述處彡，而醯亞胺形成 之親和度順序如下： 使對薄膜材料液1 3 0 屏障形成面g親和性屏障層 ， 薄膜形成製程（圖U生屏障層 液，依序填充入由屏障n〇所圍之程係將薄臈材料 之製程。 凹部101 ’而疊設薄膜層 適：於顯示裝置時，薄臈材料液u 材料、摻雜正電洞供應元件做為正了為有機+導體 雜電子供應元件做為電子輸送層之等3 之材料、摻 時，可使用著色樹脂#。 m科等。適用於據色片 成分Gii:度使理自薄膜材料液中將溶劑 之#度略等於親和性屏障層111之厚度（1HR :虛：而於此層上方之薄臈層132〜-中，調厚整 厚度略料液中將溶劑成分蒸發後之 和性屏：層IT之該：Λ位 噴墨Ϊί薄^料液之方法’最好藉由喷墨方式。若使用 體，“於任d: j j j用列印機之小型裝置填充流1 11 置填充任意量之流體。 '喷墨方式填充薄膜材料液之後，加入薄膜材料液，

46B0T5 五、發明說明（20) 以去除溶劑成分。為了能自喷墨式記錄頭喷出，一般黏度 必須為數pc以下。因此，所喷出之量，較最終所需之薄膜 層厚為多。 於剛喷出後，薄膜材料液與配置於高於最終厚度之上 之親和性屏障層相接。隨著加熱處理蒸發溶劑而使體積減 少，薄膜材料液之液面雖然受液面拉引，但仍降至其液面 以下。此液面若與非親和性屏障層相連接，因為薄膜材料 液被排斥，故移至較薄膜材料液與壁面之接觸點之下一層 之親和性屏障層。如此，液面逐漸階梯式下降，當薄膜材 料液之體積逐漸減少至接近最終薄膜層之厚度時，薄膜样 料液與壁面之接觸點會移動至：位於與該薄膜材料液相連 接之屏障層之最下層之親和性屏障層及其正上方之非親和 性屏障層之邊界。 薄膜材料液之填充量，係設定為使加熱處理後之薄膜 材料液之體積，略等於位於填充該薄膜材料液之最下層之 非親和性屏障層與親和性屏障層之總高度之容積。當液面 移至位於最下層之親和性屏障層及其正上方之非親和性屏 障層之邊界後，液面就不再下降。藉由體積減少，使得薄 膜材料液之中央部厚度緩慢下降，而自與屏障部分之接觸 部分至中央部止之所有部分，皆成為相等厚度時，即可凝 固並形成薄膜層。 '例如，於最下層之薄膜層131中，如圖3B所示，自喷 墨式記錄頭1 0 2，於由屏障1 1 0所圍之凹部1 0 1，將薄膜材 料液130喷出至虛線之位置。接著，進行加熱處理，形成

第23頁 468075 五、發明說明（21) 平坦之薄膜層131。於其上之薄膜層132中，如圖3C所示， 自喷墨式記錄頭102，於薄膜層131上’將薄膜材料液13〇 喷出至虛線之位置。接著，進行加熱處理，形成平坦之薄 膜層132 »重複此等處理至形成薄膜層13η為止。 又’喷墨方式可使用壓力噴射方式、以熱產生氣' 泡而 喷出之方法、或以靜電力而喷出之方法之任一方法皆可。 壓力喷射方式中之構成為：該喷頭於壓力室中具備喷嘴及 壓電體元件。若對於壓力室中填充流體之壓電體元件施加 電壓時’則於壓力室產生體積變化，而自噴嘴喷出流體之 液滴。而於藉由產生氣泡而喷出之方式中，係於與喷頭之 喷嘴相通之壓力室，設置發熱體所成。 如上所示，藉由本實施例1，可平坦地形成各薄膜 層。 藉由本實施例1 ’藉由以於氟系化合物中混入氧之條 件下進行電藥處理，而可對薄膜材料液，調整以有機材料 所形成之屏障表面之非親和性’與以無機材料所形成之 障表面及屏障形成面之親和性。 措由本實施例1 ’可依據如圖4所示之特性，簡單地执 定呈現親和性程度之接觸角，亦即，而使屏障本身於與$ 障形成面保持高密著性之同時’確實地控制屏障與屏障 成面之親和性’而不必如習知技術般為了控制親和性而 進行多數製程《藉此，可防止薄膜材料液超過屏障流出， 而能提升良率、減少製造成本。 (實施例2)

4 6 8 07 5 五、發明說明（22) 本發明之實施例2，係以異於上述實施例之方法 ^障所成。本實施例與上述實施例1相同，可適用於 f ^ =下述條件之用途：其於屏障形成面上以任意形狀訝 障’並於以屏障所區隔之區域中，填充既定之流。 用於如為利用有機半導體元件之顯示元件時，將二 色樹脂填充至像素區域。 牙將奢 圖5係為顯示本實施例之製程剖面圖。 形成ΖιΐΛ形成^製程（圖5A〜C):下層膜形成製程係於屏障 於無機鉍^ /门方法，塗布無機材料（圖5Α)。发女、 接$機：料層上’配合屏障形狀，設置光罩】‘二， 除益d無機材料層’保留放置光罩“。之區域而丄 性屏々液之刻？上述方式可形成最V層氮之2 有機材科（圖接耆：與上述實施例相同之方法，塗布σ 狀，設Ϊ丄）。其 於有機材料層1，配合屏Λ布 料性質遴 〇〇 去除有機材料（圖5 F )。可耐二 〇 乾蝕3 ί擇蝕刻方法。若為聚醯亞胺等有機材料^材 d i外，亦可使用利用ΝΜΡα-甲其’材枓時，除了 濕蝕刻。以上述方式可二甲基吡咯烷酮）等蝕刻液 本實施例中，因為非非親和性屏障層121。 例中因為非如上述實施例1般，以非親和性 46B075 五、發明說明（23) 屏障層做為光罩而蝕刻親和性屏障層，而可獨立蝕刻各上 層，故可使親和性屏障層之屏障形狀與非親和性屏障層之 屏障形狀各不相同。例如，可由下層至上層逐漸窄化屏障 之寬度，而形成階梯狀或類似圓錐狀。若以此方式形成屏 障，則可容易地填充做為薄膜層之薄膜材料液，又於越過 屏障形成配線圖案時，可防止該配線斷裂。藉由選擇適當 之此屏障下層之形狀，而可適當地設置薄膜層。以所需之 疊設次數（如η次），重複上述製程（圖5A〜F)，而形成如圖 5G之屏障1 10。 至於:表面處理製程及薄膜層形成製程，因為與上述實 施例1相同，故省略說明。 如上所示，若藉由本實施例2，除了可得到與實施例1 相同之效果外，因為可使屏障各層之形狀互異，故可對應 所使用之元件，而設定最適當之薄膜層形狀。 (實施例） 以下說明顯示使用本實施例之層構造。 圖6係為將本發明應用於濾色片之實施例之層構造剖 面圖。如圖6所示，本濾色片之構成係為：於基板200上， 形成如從平面看為格子狀之區隔構件210，再對以區隔構 件21 0所圍之像素區域201，填充著色樹脂23卜2 3 3。基板 2 0 0相當於本發明之屏障形成面，其由與著色樹脂密著性 佳之透明材料、玻璃、石英、樹脂等所構成。區隔構件 2 1 0則相當於本發明之屏障，其形成樹脂層（或無機絕緣膜 層）2 1 1做為親和性屏障層，而形成黑色基質層2 2 1做為非

第26頁 a 〇75

親和性屏障廣。、樹脂層（或絕< 屏障形狀所構成6而黑色基質 料或碳之有機絕緣材料所構成 ?31(紅）、232(綠） 樹脂層（或絕緣膜層）2 1 1係將樹脂形 231(紅）'232C 綠） 其係將混有紅、綠、 區域20 1所構成。 2 3 3 (藍）係相當於本發明 藍等原色染料之嫩脂，相 f色基質層2 2 1則是塗布含有無機材 料所構成。著色樹脂材料層 藍）係相當於本發明之薄膜層， 原色染料之樹脂，填充至各像素 根據亡述，成，對樹脂層（或絕緣膜層）2丨丨進行表面 處理，使，、與者色樹脂具親和性，並對黑色基質層2 2 i進 行表面加工’ ^其與著色樹脂具非親和性。因此，若藉由 噴墨方式填充著色樹脂，並進行加熱處理，則可平坦地形 成著色樹脂層23卜233。因此，於影像顯示時，不會產生 亮度或色彩不均。

圖7係為將本發明使用於顯示裝置之有機半導體發光 元件時’其實施例之層構造剖面圖。如圖7所示，本有機 半導體發光元件之構成係為：於驅動基板3〇〇上，形成透 明電極341及屏障310 ’再於以屏障31〇所圍之凹部3G1，形 成有機半導體層331。其後’將全體覆蓋而形成金屬電極 351。驅動基板300之構成係為疊設多層之tft、線、絕 緣膜等，並可於透明電極3 4 1與金屬電極3 5 1間施加電極。 透明電極341係疊設約〇.〇5 ym〜0.2 am之ITO所構成，其可 透過來自有機半導體層331之光及因金屬電極351所產生之 反射光。屏障3 10係由下層311與上層321所構成。下層311 係由對有機半導體材料具親和性之無機材料所構成，其可 由氧化矽或氮化矽所構成，該氧化矽或氮化矽可以CVD 五、發明說明（25) 法、減 半導體 醯亞胺 化合物 而發光 設約0. 0.1 β m 根 與有機 使其與 充有機 半導體 彩不均 體之信 鑛法或 材料具 、非晶 等所構 之材料 0 5 〜1. 0仁 據上述 半導體 有機半 半導體 層331 或色缺 賴性、 各種舍油 +、4> 非恕·ί Ϊ万法所形成°上層3 2 1係由對有機 質石夕、°Vf有機材料所構成，其可由含有聚 1夕晶妙、氟之有機化合物或絕緣有機 成二，機半導體層331係將可藉由施加電場 聚苯乙稀（PPV)等眾所皆知之材料，疊 ’ 所構成。而金屬電極351係疊設約 1^、鋁鋰合金（A1_Li)所構成。 成’因為對下層311進行表面處埋，使其 層331具親和性，並上層321進行表面加工， 導體層3 3 1具非親和性，故若以喷墨方式填 材料並進行加熱處理，則可平坦地形成有機 。因此’於影像顯示時，不會產生亮度、色 。又’亦可防止電極短路，提升顯示裝置整 並延長使用壽命。

圖8係為將本發明使用於顯示裝置之有機半導體發光 元件時’其他實施例之層構造剖面圖。如圖8所示，本有 機半導體發光元件之構成係為：於驅動基板4〇〇上，形成 透明電極441及屏障41 0，再於以屏障410所圍之凹部401， 疊設正電洞輸送層431及有機半導體層432。其後，將全體 覆蓋而形成金屬電極451。驅動基板400、透明電極4 41、 有機半導體層432及金屬電極451，與上述圖7之實施例相 同。屏障4 1 0係由交互疊設親和性層4 1 Γ、4 1 2與非親和板 層421、422所構成》親和性層411係由對正電洞輸送材料 或有機半導體材料具親和性之無機材料所構成，其可由氣

第28頁 468075 五、發明說明（26) 化矽或氮化矽所構成'該氧化矽或氮化矽可以CVD法、濺 鍍法或各種塗布方法所形成。非親和性層421係由對有機 半導體材料具非親和性之有機材料所構成，其可由含有聚 醯亞胺、非晶質矽、多晶矽、氟之有機化合物或絕緣有機 化合物等所構成°正電洞輸送層4 3 1係由可將正電洞自做 為陽極之透明電極441送至有機半導體層432之材料，如混 有正電洞供應元件之I TO所構成。 " 根據上述構成’對親和性層4 11進行表面處理，使其 與正電洞輸送層431具親和性，並對親和性層412進行表面 處理，使其與有機半導體層432具親和性。又對非親和性 層421進行表面加工’使其與正電洞輸送層431或有機半導 體層431具非親和性。若以喷墨方式填充正電洞輸送層431 或有機半導體層43 1並進行加熱處理，則可平坦地分別形 成各層β因此，於影像顯示時，不會產生亮度或色彩不 均1或！:缺1又，亦可防止電極短路，提升顯示裝置整體 之彳§賴性、並延長使用壽命。 #做Ϊ ^有機電場發光元件之構造不限於以上所 亦可 其更。例如，於有機電場發光元件中 再疊吸電子輸送層或其他有機半導體層。 (其他變形例） 本發明不限於上述實 圍内，進行種種變更。 例如，使用親和性材 之形成方法不限於上述實 施例’可於#合本發明精神之範 料、非親和性材料或二者之屏障 施例’可進行種種變更。此乃因

第29頁 、發明說明（27) ' ^ 本發明之主t係藉由交互配置親和性程度不同之層， 平坦地形成薄膜層。具體而言，除了使用可加厚之屏障 成材料，直揍形成屏障外，亦可將呈現親和性.或非輥和& 之材料塗布於屏障表面 一·—— 〃- -一 π取洱朕增。另瓶叩 S ，rarj 用 成材料，直揍形成屏障外，亦可將呈現親..m ^ 塗布於屏障表面，而形成本發明之屏障。例如，_ 甘醇-甲乙醚（C2H5OCH2CH2CH2OCH2CH2OCH3)或2-全氟代辛^ 乙基-丙婦酸酯（F(CF2)8CH2CH2000CH = CH2)，其本身對具^ 性基分子之薄膜材料液呈現非親和性. 、 一 又’上述表面處理不限為電漿處理，只要是如囷4 示之表面處理方法’其可於同一表面處理條件下，加工 不同之親和性材料者，皆可適用。因此，設定親和性 f 料不限設為無機材料及有機材料間，只要特定之材 材 如圖4之親和性特性者，可將本發明之表面_間可 於該特定之材料間。 纯埋通用 又，上述屏障亦不限於叠設親和性材料 如’以單-構件構成本發明後，對G材ΪΓί 和性材料構成屏障材料，再將非 ^ j。例如，可以親 ::以非親和性材料構成屏“料m石織等… J成5親和性之區域’ A條狀放電利：：5照射紫外線， 序戶：：，若對屏障材料整體形J j:：塗布親和性材 之：化ί親2之置換基之硫化物與且非親而再自下層依 區域及非親和性區；“子集合化膜’形成條狀；

第30頁 ^68 QT5 ___;_ 五、發明說明（28) 產業上之應用領域 依據本發明之薄膜形成方法，藉由以不同材料疊設屏 障，而能平坦地.形成薄膜層。藉此，可大幅提升元件之性 能或信賴性。 又，依據本發明之薄膜形成方法，藉由於一定條件下 進行表面處理，可使薄膜多層化並控制親和性，而不必為 了控制親和性而需進行多數製程。藉此，可減少親和性控 制所需之成本，並以均一膜厚形成多層之薄膜。 依據本發明之顯示裝置，因可藉由可多層化之薄膜形 成方法加以多層化，故可疊設厚度均一之薄膜層。藉此， 於影像顯示時，不會產生亮度、色彩不均或色缺。又，亦 ’ 可防止電極短路，提升信賴性、並延長使用壽命。 依據本發明之濾色片，因可藉由可多層化之薄膜形成 方法加以：多層化，故可疊設厚度均一之薄膜層〜藉此，於 影像顯示時，不會產生亮度或色彩不均。

I

第31頁

Claims (1)

1. 本告 公 5 7 0991 9 年 αΛν οο 正 修 六 圍 範 矛 專 請 屏 由 至 充 填 液 料 材 膜 薄 將 其 法 方 成 形 膜 薄 種 程 及製 .，之 :程障 含製屏 包之述 ，障上 層屏於 膜述充 薄上填 成成液 形形料 而面材 域成膜 區形薄 之障述 圍屏上 包於將 所 障 障 屏 性 和 :親 為成 徵形 特而 其’ ，上 中以 程次 製一 之複 障重 屏程 述製 上一一 成述 形下 ，將 中由 其藉 屏 性 和 親 成 形 : 9 障料 屏材 述之 上性 之和 設親 疊為 互液 交料 層材 障膜 屏薄 性述 和上 親對 非以 與. 層 和 親 為 液 料 材 膜 薄。 述程 上製 對之 以層 ’障 上屏 層性 障和 屏親 性非 和成 •,親形 程述， 製上料 之於材 Μ 之 障 性 第 圍 利 專 請 中 如 2 於進 ，ί 中面 其成 ’形 法障 方屏 成及 形障 膜屏 薄對 之備 項具 更。 ，程 後製 程之 製理 之處 障面 屏表 述之 上定 成既 形行 面 3表 述 上 利 專 請 中 如 液 料下4. 材件 膜條 製和面 之親表 理非行 處之進 程 行薄 進述 中上 其對 ， 層 法障 方屏 成性 形和 膜親 薄非 之述 項上 2 人； 第π 圍Τ 範 專 請 中 如 層 障 屏 性 和 親 述 上 較 度。 程理— , * 寒 性處彳 第 圍 法 方 成 形 膜 薄 之 項 定 1 之 高 為 行 進 中 其 料料 處材材 面膜膜 表薄薄 行述述 進上上 ，對對 下層域 件障區 條屏之 定性圍 一和包 更述障 係上屏 > :述 程為上 製係由 之件較 理條， 處定性 面一和 表該親 述，之 上理液 述 上 中 其 法 方 成 形 膜 薄 之 項 2 第 圍 範 矛 專 彳請 為申 性α 口士 顧5 之 液

   第32頁 1999. 07. 23. 032 •a b Β Ο 7 5 —-_ 案號 881041 卯 JULJ 六、申請專利__ 表面處理為電漿處理，其使用含 氣體’於含有氧氣之環境下， I或氟化合物做為導入 6 如申請專利範圍第3項之$電襞照射。 一定條件為：氟系化合物多於 2膜形成方法，其中上述 7·如申請專利範圍第6項之iκ 一定條件為：將氟系化合物之含$ 成方法，其+上述 者總量之60%以上。 3 设定為氟系化合與氧二 8· ΛΛ請Λ1範圍。f5項之薄膜形成方法， 含氟之氣體係使用CF4、SFe、CHF；j等由素氣想 其中上述 9.如申請專利範圍第2項之薄膜形成^法，立由推奸 上述表面處理，使上述親和性屏障層 其中進打 液之接觸角為30度以下。屏障層表面對上述薄膜材料 10.如申請專利範園第2項之薄膜彬Λ 士土 甘士& 行上述表面處理，使上述非親和，成方法，其中進 材料液之接觸角祕度ίί親和^障層表面對上述薄膜 項之薄臈形成方法，其中於 下述製程形成一組親和性屏 以親和性材料形成親和性 11.如申請專利範圍第1 形成上述屏障之製程中，藉由 障層及非親和性屏障層： 親和性屏障層形成製程， 膜； 非親^性屏障層形成製程，於上述親和性屏障層上， 配合屏障形成區域’以非親和性材料形成非親和性屏障 層；及 去除製程，以上述非親和性屏障層做為光罩，蝕刻去

   468075 案號 88104198 :正 。於屏 親 層申性 性 該 障Λ.、和 和 刻 賡，"親 親 蝕 性法組 成 ， 和W ί 形 域 親成成 料 區 述吧形 材 成 上膜程 性形 之薄製 和 之 域，之述 親 層 區項下 以下 之1由 ， 障 層第藉 程 屏 障圍，：製 述 屏範中廣成 上 性利程障形 合 和專製屏層 配 親請之性障 ， 非申障和屏 程； 团該如屏親性 製層 m有.述非和 刻障 料設12上及親 蝕屏 h未 成層 ； 性 、、除 形障 臈 和 親非成 材 非 該 形 中機 成 刻 膜。 有 形 蝕 薄成，為 料 ， 之形法料 材及域 項所^材 性.，區 一料成性 和層成 任材^和 親障形 中性M親 非屏之 項光薄非 以性層12感I述 ，和上 或以P上 程親障11層1而 製述屏 第障第， 成上述 圍屏圍料 形住上 範性範材 層蓋合 利和利機 障覆配 專親專無 屏並，。請述請為 性，程層申上申料 和層製障如中如材 親障刻屏其‘性 非屏姓性13，14和 性 和 法 親。 和親方 述料 7 # 4Β5.1如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中上 擤仆八私ί材料為聚酸胺、非晶質硬、多晶妙、含氟之有 Α物或絕緣有機化合物（感光性材料）之其一。 如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法’其中上 其—。 科為為A1或Ta等金屬、矽氧化膜或矽氮化膜之 17.如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中上

   第34頁 1999.07.23. 034 468075 _1S-J8104199 六、申請專利範圍 述薄膜層中，其最下；| 於最下層之親和性屏降 18. 如申請專利範 述薄膜層中’將疊設於 設定為約等於對應該辱 親和性屏障層之各厚度 19. 如申請專利範 最上層之上述非親和性 將除此外之上述非親和 2 0.如申請專利範 形成非親和性屏障層之 程’係為塗布溶於溶劑 層’其藉由於去除溶有 前’塗布上述非親和性 性屏障層·> 21. 種顯示裝置 膜層係將薄膜材料液填 其特徵為： 、 •係由對上 障層，與對上述薄膜材 ，並於上 成之像素電極，以形成 形成上述薄骐層。 2 2.如申請專利範 <薄膜層之厚度，最好設定A 層之厚度。 疋為約等 固第1項之薄膜形成方法，其中 其最下層之上之各薄骐層之厚上 障高度所疊設之親和性屏障層^ ’ <總和。 及非 圍第1項之薄膜形成方法，其 屏障層之厚度設為50〇nm以下，將 性屏障層之厚度設為1〇〇ηιη以而 =第1項之薄膜形成方法，其I 程與該形成親和性屏障層之 之既定材料，而分別形成各屏陵 亡述親和性屏障層之材料之溶 屏障層之材料，而形成上述非覩和 *其由疊設薄膜層所構成，上述薄 充至由屏障所包圍之區域所形成， 迷薄膜材料液為親和性之親和性屏 料液為非親和性之非親和性屏障層 述屏障所圍之區域設置由[Τ0等所 薄膜發光元件之有機半導體材料， 圍第21項之顯示裝置，其中上述親

   4 6 8 Ο 7 5 案號88104199 π年？月 曰 修正 使 理 處 面 表 以 係 層 障 屏 性 和 親 非 述 上 與 / 或 圍層 範章 9m rer 專屏 請t 申性 '口 六矛 膜其 薄， 述成 上形 ’所 成域 構區 所之 層圍 膜包 薄所 。設障 性疊屏 和由由 親其至 非，充 或片填 性色液 和濾料 親種材 現一膜 呈 薄 別23將 分 係 其 .層 性屏 親和 之親 性非 和之 親性 為和 液親 料非 材為 膜液 薄料 述材 上膜 對薄 以述 由上 係對 障以 屏與 :述， 為上層 徵 障 特 屏 ’素 成像 形述 所上 板對 基以。 明，層 tit溪 νχ /τ ΠΛ 以構薄 面隔述 成區上 形之成 障域形 屏區， 且素料 ，像材 成隔脂 而區樹 設為色 疊係著 互障之 交屏彩 所述色 層上予 障又賦 2 ^ 第—性 和 圍 和 範Μ親 ^ d^· hr 專Li或 請Jla 如或親 層現 24.障呈 屏別 性分 片 色 滤 之 項 和 親 述 上 中 其 其 使 理 處 面 表 以 係 層 障 屏

   第36頁 1999. 07. 23. 036