JP4736340B2 - 有機半導体構造物、その製造方法及び有機半導体装置 - Google Patents
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Description
Y.-Y.Lin, D.J.Gundlach, S.Nelson, andT.N.Jackson,"Stacked Pentacene Layer Organic Thin-Film Transistors with Improved Characteristics" ,IEEE Electron Device Lett, 18, 606 (1997). D.Adam, F.Closss, T.Frey, D. Funhoff, D.Haarer, H.Ringsdorf, P.Schunaher, and K. Siemensmyer, Phys. Rev. Lett., 70, 457 (1993) M.Funahashi and J.Hanna, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L703-L705(1996)
本発明の有機半導体装置10は、図1及び図2に示すように、少なくとも基板11、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、液晶性有機半導体材料(以下、有機半導体材料という場合もある。)からなる結晶相の有機半導体層14、ドレイン電極15及びソース電極16で構成される。
基板11は、絶縁性の材料であれば広い範囲の材料から選択することができる。例えば、ガラス、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド膜、ポリエステル膜、ポリエチレン膜、ポリフェニレンスルフィド膜、ポリパラキシレン膜等の各種の絶縁性材料を挙げることができる。特に、高分子化合物からなる膜を用いると、軽量でフレシキブルな有機半導体装置を作製することができるので、極めて有用である。なお、本発明で適用される基板11の厚さは、25μm〜1.5mm程度である。
ゲート電極12は、ポリアニリン、ポリチオフェン等の有機材料からなる電極又は導電性インキを塗布して形成した電極であることが好ましい。これらの電極は、有機材料や導電性インキを塗布して形成できるので、電極形成プロセスが極めて簡便となるという利点がある。塗布法の具体的な手法としては、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法等が挙げられる。
ゲート絶縁層13は、上記のゲート電極12と同じように、有機材料を塗布して形成したものであることが好ましく、使用される有機材料としては、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリビニルアルコール等を挙げることができる。塗布法の具体的な手法としては、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法等が挙げられる。
ドレイン電極15及びソース電極16は、仕事関数の大きい金属で形成されることが好ましい。その理由としては、液晶性有機半導体材料は、電荷を輸送するキャリアがホールであることから、有機半導体層14とオーミック接触をとることが必要となるからである。ここでいう仕事関数とは、固体中の電子を外部に取り出すのに必要な電位差であり、真空準位とフェルミ準位のエネルギー差を電荷量で割った値として定義される。好ましい仕事関数としては、4.6〜5.2eV程度であり、具体的には、金、白金、透明導電膜(インジウム・スズ酸化物、インジウム・亜鉛酸化物等)等が挙げられる。透明導電膜は、スパッタリング法、電子ビーム(EB)蒸着法で形成することができる。なお、本発明で適用されるドレイン電極15及びソース電極16の厚さは、50〜100nm程度である。
有機半導体層14は、液晶性有機半導体材料により形成された結晶相からなる層である。
有機半導体装置10には、層間絶縁層を設けることが望ましい。層間絶縁層は、ゲート絶縁層13上にドレイン電極15及びソース電極16を形成する際に、ゲート電極12の表面の汚染を防ぐことを目的として形成される。したがって、層間絶縁層は、ドレイン電極15及びソース電極16を形成する前にゲート絶縁層13の上に形成される。そして、ソース電極15及びドレイン電極16が形成された後においては、チャネル領域上方に位置する部分を完全に除去又は一部を除去するように加工される。除去される層間絶縁層領域は、ゲート電極12のサイズと同等であることが望ましい。
本発明の有機半導体装置においては、構成1:基板/ゲート電極/ゲート絶縁層(液晶配向層を兼ねる。)/ソース・ドレイン電極/液晶性有機半導体層(/保護層)、構成2:基板/ゲート電極/ゲート絶縁層/ソース・ドレイン電極/液晶配向層/液晶性有機半導体層(/保護層)、構成3:基板/ゲート電極/ゲート絶縁層(液晶配向層を兼ねる。)/液晶性有機半導体層/ソース・ドレイン電極(パタニング)/保護層、構成4:基板/ソース・ドレイン電極/液晶性有機半導体層/ゲート絶縁層/ゲート電極/保護層兼基板、とすることもできる。
有機半導体材料として、上記化学式39の化合物であるフェニルナフタレン誘導体(2−(4’−Pentylphenyl)−6−metyloxynaphthalene。以下、5−PNP−O1と略することがある。)を用いて、有機半導体装置を作製した。また、有機半導体材料としてこの材料を用いて、有機半導体層を作製し、各特性評価を行った。
有機半導体材料として、上記の5−PNP−O1を用い、基板/ゲート電極/親油性領域パターン及び撥油性領域パターンが形成されたゲート絶縁層(液晶配向層を兼ねる。)/ソース・ドレイン電極/有機半導体層(/保護層)からなる実施例1の有機半導体装置を作製した。
(1)配向処理:
まず、ゲート絶縁層を形成し、これに配向処理を行った。
次に、配向処理したゲート絶縁層に、以下に示す親油性領域パターン及び撥油性領域パターンの形成処理をした。
ソース・ドレイン電極パッド(チャネル長50μm、チャネル幅4mm)として、Ptを抵抗加熱蒸着にてメタルマスクを用いて形成した(電極厚さ20nm)。なお、ソース・ドレイン電極パッドからの引き出し電極線として、Alを用いた。
液晶性有機半導体材料として、5−PNP−O1を使用し、溶媒をp−キシレンとして1wt%の有機半導体層形成溶液を調製した。この有機半導体層形成溶液を、大気圧下雰囲気温度15℃にて、ゲート絶縁層上の親油性領域に滴下し、溶媒を約5時間かけて蒸発させることにより結晶を形成させて、厚さ400nmの有機半導体層を得た。
有機半導体層の電荷輸送特性を評価するために、実施例1の有機半導体装置の電界効果移動度(層面に平行方向)の測定を行った。
有機半導体層の結晶状態を評価するために、実施例1の有機半導体層について、偏光顕微鏡写真を観察した。
有機半導体層の構造欠陥密度を評価するために、実施例1の有機半導体層について、定常光電流の測定結果を考察した。
結晶状態の評価の際に用いた実施例1の有機半導体層について、X線回折装置(RIGAKU社製、型番;RAD−B)によって結晶構造の解析を行った。図9は、実施例1の有機半導体層のX線回折結果である。この結果より、実施例1の有機半導体層を形成する液晶性分子は、基材に対して垂直に立っていることが示唆された。実施例1の有機半導体層を形成する液晶がこのような結晶となる理由は、塗布された溶液中の液晶性有機半導体材料の液晶性分子が、基材上に垂直に形成された疎水基に沿って配向するためだと思われる。したがって、実施例1の有機半導体装置においては、配向処理を施さなくても、液晶性分子がドレイン電極とソース電極の膜厚方向に並行に配向して結晶化されているものと考えられる。
有機半導体材料として上記化学式40の化合物であるフェニルナフタレン誘導体(2−(4’−Octylphenyl)−6−dodecyloxynaphthalene。以下、8−PNP−O12と略することがある。)を用いた実施例2の有機半導体層について、実施例1と同様の各特性評価を行った。
2 有機半導体層形成溶液
10 有機半導体装置
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁層
14 有機半導体層
15 ドレイン電極
16 ソース電極
Claims (6)
- 基材上に液晶性有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体構造物の製造方法であって、
前記基材に撥油性領域及び当該撥油性領域で囲まれた親油性領域を形成する工程と、前記液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液を前記親油性領域に塗布して該有機半導体層形成溶液を半円弧状の液滴形状にする工程と、前記親油性領域に塗布された前記半円弧状の液滴形状状態で前記有機半導体層形成溶液中の前記溶媒を蒸発させて前記液晶性有機半導体材料を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする有機半導体構造物の製造方法。 - 基材上に、液晶性有機半導体材料からなる結晶相の有機半導体層が形成された有機半導体構造物であって、
前記基材が撥油性領域と当該撥油性領域で囲まれて疎水基で親油化処理されてなる親油性領域とを有し、
前記有機半導体層の前記親油性領域への形成が、前記液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液を、前記基板に対して垂直に形成された疎水基を持つ前記親油性領域に塗布して半円弧状の液滴形状とし、その後その液滴形状状態で前記有機半導体層形成溶液中の溶媒を蒸発させて行われることにより、
前記有機半導体層を形成する前記液晶性有機半導体材料は、その液晶分子が前記基板に対して垂直に形成された前記疎水基に沿って、前記基材上に垂直に立って結晶化されていることを特徴とする有機半導体構造物。 - 前記基材の前記有機半導体層が形成された面が配向処理されていることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体構造物。
- 少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、前記基板上に形成される液晶性有機半導体材料からなる結晶相の有機半導体層、ドレイン電極及びソース電極で構成される有機半導体装置であって、
前記基板が撥油性領域及び当該撥油性領域で囲まれて疎水基で親油化処理されてなる親油性領域を有し、
前記有機半導体層の前記親油性領域への形成が、前記液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液を、前記基板に対して垂直に形成された疎水基を持つ前記親油性領域に塗布して半円弧状の液滴形状とし、その後その液滴形状状態で前記有機半導体層形成溶液中の溶媒を蒸発させて行われることにより、
前記有機半導体層を形成する前記液晶性有機半導体材料は、その液晶分子が前記基板に対して垂直に形成された前記疎水基に沿って、前記基材上に垂直に立って結晶化されていることを特徴とする有機半導体装置。 - 少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層に形成される液晶性有機半導体材料からなる結晶相の有機半導体層、ドレイン電極及びソース電極で構成される有機半導体装置であって、
前記ゲート絶縁層が撥油性領域及び当該撥油性領域で囲まれて疎水基で親油化処理されてなる親油性領域を有し、
前記有機半導体層の前記親油性領域への形成が、前記液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液を、前記基板に対して垂直に形成された疎水基を持つ前記親油性領域に塗布して半円弧状の液滴形状とし、その後その液滴形状状態で前記有機半導体層形成溶液中の溶媒を蒸発させて行われることにより、
前記有機半導体層を形成する前記液晶性有機半導体材料は、その液晶分子が前記基板に対して垂直に形成された前記疎水基に沿って、前記基材上に垂直に立って結晶化されていることを特徴とする有機半導体装置。 - 前記液晶性有機半導体材料中の液晶性分子が、前記ゲート絶縁層上に形成された前記ドレイン電極と前記ソース電極との膜厚方向に並行に配向していることを特徴とする請求項4又は5に記載の有機半導体装置。
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