KR20070103402A

KR20070103402A - 격납 구조체 및 방법

Info

Publication number: KR20070103402A
Application number: KR1020077017461A
Authority: KR
Inventors: 스테펜 소리치
Original assignee: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date: 2004-12-30
Filing date: 2005-12-23
Publication date: 2007-10-23
Also published as: US20080217644A1; US8017223B2; JP2008527693A; WO2006073926A1

Abstract

본 발명은, 제1 표면 에너지를 갖는 제1 대역 및 제1 표면 에너지와 상이한 제2 표면 에너지를 갖는 제2 대역을 포함하는, 유기 조성물에 대한 격납 구조체, 및 그의 제조 방법을 제공한다.

유기 조성물, 격납 구조체, 유기 전자 장치

Description

격납 구조체 및 방법 {CONTAINMENT STRUCTURE AND METHOD}

<상호 참조>

본원은, 각각 전문이 본원에 참고로 도입된 미국 가출원 제60/640,492호 (2004년 12월 30일 출원됨) 및 동 제60/694,900호 (2005년 6월 28일 출원됨)의 이익을 청구한다.

본 발명은, 일반적으로 격납(containment) 구조체, 예를 들어 유기 전자 장치에서 나타나는 격납 구조체, 그의 제조를 위한 물질 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

특정 장치, 예를 들어 유기 전자 장치의 제조 동안, 액체 유기 조성물의 층(들)을 소정 영역내에서 장치에 적용하는 것이 필수적일 수 있다. 한가지 해결책은 액체가 소정 영역을 벗어나는 것을 막기 위해 일부 격납 수단을 사용하는 것이다. 이러한 목적으로 격납 구조체 (흔히 웰이라고도 지칭됨)가 흔히 사용되나, 선행 기술의 격납 구조체는 크리핑(creeping) 또는 다른 표면 현상과 같은 특정 단점을 가졌다. 예를 들어, 표면 처리가 사용되지 않는 통상의 용도에서, 유기 조성물은 전형적으로 격납 구조체의 표면을 습윤화하여 층의 최종 두께가 바람직하지 않 게 불균일하게 되도록 한다. 반면, 격납 구조체가 비습윤화되는 통상의 용도에서는, 액체가 격납 구조체로부터 제습(de-wet)되면서 액체 점도가 낮은 경우, 층의 최종 두께가 또한 바람직하지 않게 불균일하다.

따라서, 개선된 격납 구조체가 필요하다.

<발명의 요약>

일 실시양태에서, 본 발명은 고유의 제1 표면 에너지를 갖는 제1 대역 및 제1 표면 에너지와 상이한 고유의 제2 표면 에너지를 갖는 제2 대역을 갖는 격납 구조체, 및 그의 제조 방법을 포함한다.

상기 일반적 설명 및 하기 상세한 설명은 단지 예시적이며 설명적인 것이고, 첨부된 청구의 범위에서 정의된 본 발명을 제한하는 것이 아니다.

본원에 제공된 개념의 이해를 증진시키기 위해 실시양태를 첨부된 도면에 나타내었다.

도 1은 본 발명의 일 실시양태에 따른 격납 구조체의 단면 개략도이다.

도 2는 본 발명의 또다른 실시양태에 따른 격납 구조체의 단면 개략도이다.

도 3은 유기 전자 장치의 개략도이다.

도면은 예로써 제공된 것이며, 본 발명을 제한하도록 의도되지 않는다. 당업자는, 도면에서 대상들은 간략화 및 명확화를 위해 나타낸 것이며, 반드시 일정 비례의 크기로 도시된 것은 아님을 인지한다. 예를 들어, 도면에서 일부 대상의 치수는 실시양태의 이해 증진을 돕기 위해 다른 대상에 비해 확대된 것일 수 있다.

일 실시양태에서, 본 발명은 고유의 제1 표면 에너지를 갖는 제1 대역 및 제1 표면 에너지와 상이한 고유의 제2 표면 에너지를 갖는 제2 대역을 갖는 격납 구조체를 포함한다.

도 1을 참조하면, 단면으로 나타낸 격납 구조체 (10)은 일반적으로, 기판 (12) 상에 액체를 실질적으로 보유할 수 있는 영역을 한정한다. 일 실시양태에서, 액체는 유기 조성물이다. 일 실시양태에서, 액체는 유기 전자 장치의 제작에 사용된다.

기판 (12)는 격납 구조체 (10)의 하단부로서 제공된다. 기판 (12)는 액체가 빠져나가는 것을 실질적으로 막는 한 일시적이거나 영구적일 수 있다. 일 실시양태에서, 기판 (12)는 영구적이다. 일 실시양태에서, 기판 (12)는 유기 전자 장치로부터의 층이다. 일 실시양태에서, 기판 (12)는 산화인듐주석 (ITO) 코팅된 유리 기판이다.

액체를 실질적으로 보유할 수 있는 영역은 미리 결정되고, 이는 격납 구조체 (10)에 의해 한정된 임의의 원하는 형상일 수 있다.

격납 구조체 (10)내에는 제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)이 포함된다. 각 대역은 특징적 표면 에너지를 갖고, 이들 표면 에너지는 동일하지 않다. 일 실시양태에서, 표면 에너지는 10 다인/cm 이상 상이하다. 일 실시양태에서, 각각의 하단부 대역은 보다 높은 표면 에너지를 갖는다.

제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)은 개별적 층 (각각 18 및 20) 일 수 있다. 일 실시양태에서, 이들 층은 하기하는 바와 같은 포토레지스트 및 첨가제를 포함한다. 이들 층은 층 전반에 걸쳐 그들 각각의 대역의 표면 에너지를 가지며, 즉 표면 에너지는 고유의 것이다. 이는, 단계 및 가공 시간을 감소시키기 때문에 침착된 후에 코팅되어 상이한 대역을 형성하는 (예컨대 플루오르화에 의해) 층에 비해 개선된 점이다.

특정 실시양태에서는 임의 수의 추가의 대역 (제3, 제4, 제5 대역 등)을 고려되며, 이들 중 임의의 대역은 제1 대역 (14) 또는 제2 대역 (16)과 동일한 표면 에너지를 가질 수 있고, 유일한 요건은 제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)의 표면 에너지가 동일하지 않은 것임을 이해한다.

도 1 및 2를 함께 참조하여, 제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)을 형성하는 층(들)에 의해 형성된 격납 구조체 (10)의 측면은, 제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)의 각각의 각도의 평균인 전체적 각도 (θ)를 갖는다는 것을 이해한다. 전체적 각도 (θ)는 35도 내지 145도, 또한 상기 범위내의 모든 조합 및 하위조합, 예컨대 60도 내지 120도 및 75도 내지 105도의 범위의 임의의 수일 수 있다. 제1 대역 (14) 및 제2 대역 (16)의 개개의 각도는 상이할 수 있거나 (도 1 참조) 동일할 수 있다 (도 2 참조).

일 실시양태에서, 격납 구조체 (10)의 제조 방법은, 제1 표면 에너지를 갖는 포토레지스트 및 첨가제의 제1 배합물을 선택하는 단계, 및 제1 표면 에너지와 상이한 제2 표면 에너지를 갖는 포토레지스트 및 첨가제의 제2 배합물을 선택하는 단계를 포함한다. 일 실시양태에서는, 제1 배합물을 기판 상에 침착시켜 특징적 표면 에너지를 갖는 격납 구조체의 제1 부분을 형성한다. 제2 표면 에너지를 갖는 포토레지스트 및 첨가제의 제2 배합물을 제1 배합물 상에 침착시켜 격납 구조체의 제2 부분을 형성한다. 첨가제를 포토레지스트 중에 혼합한 후 가공하여 특정 표면 에너지를 달성할 수 있다. 첨가제는 계면활성제, 플루오로-계면활성제, 실리콘, 실록산 또는 기타 표면 개질제를 포함한다. 포토레지스트/첨가제 배합물의 습윤화 특성은 공지되어 있거나, 일상적 실험을 통해 용이하게 측정된다.

또다른 실시양태에서, 격납 구조체 (10)의 제조 방법은, 격납 구조체를 형성하고, 이어서 그의 일부만을 처리하여 상이한 표면 에너지를 갖는 별도의 대역을 형성하는 것을 포함한다. 일 실시양태에서는, 예컨대 플라즈마 (예를 들어, CF₄)를 통해 플루오르화하거나 또는 비습윤 물질을 격납 구조체의 벽 상에 프린팅함으로써 습윤화를 막는 표면 처리를 적용할 수 있다.

격납 구조체를 위한 임의 수의 다른 배열이 고려된다.

많은 측면 및 실시양태를 상기에 설명하였고, 이들은 단지 예시적인 것이며 제한적인 것이 아니다. 본 명세서를 읽은 후, 당업자는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는 다른 측면 및 실시양태가 가능함을 인지한다.

장치

도 3을 참조하면, 예시적 유기 전자 장치 (100)을 나타내었다. 장치 (100)은 기판 (105)를 포함한다. 기판 (105)는 강성 또는 가요성이고, 예를 들어 유리, 세라믹, 금속 또는 플라스틱일 수 있다. 전압이 인가되면, 방출된 빛이 기판 (105)를 통해 가시화된다.

기판 (105) 상에는 제1 전기 접촉층 (110)이 침착된다. 예를 들어, 층 (110)은 애노드(anode)층이다. 애노드층은 라인으로서 침착될 수 있다. 애노드는, 예를 들어 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 금속 산화물을 함유하거나 포함하는 물질로 제조될 수 있다. 애노드는 전도성 중합체, 중합체 블렌드 또는 중합체 혼합물을 포함할 수 있다. 적합한 금속으로는, 11족 금속, 4, 5 및 6족의 금속, 및 8 및 10족 전이 금속이 포함된다. 애노드가 광 투과성인 경우, 12, 13 및 14족 금속의 혼합 금속 산화물, 예컨대 산화인듐주석이 일반적으로 사용된다. 애노드는 또한, 문헌 ["Flexible Light-Emitting Diodes Made From Soluble Conducting Polymer", Nature 1992, 357, 477-479 (1992년 6월 11일)]에 기재된 바와 같은 예시 물질들을 비롯한, 유기 물질, 특히 폴리아닐린과 같은 전도성 중합체를 포함할 수 있다. 발생된 빛이 관찰가능하도록 애노드 및 캐소드(cathode) 중 하나 이상은 적어도 부분적으로 투명하여야 한다.

애노드층 (110) 상에는 임의의 완충층 (120), 예컨대 정공 수송 물질이 침착될 수 있고, 후자는 때로는 "정공 주입 접촉층"으로서 지칭된다. 층 (120)으로서 사용하기에 적합한 정공 수송 물질의 예는, 예를 들어 문헌 [Kirk Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, 4^th ed., Vol. 18, 837-860, 1996, Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 "소"분자 뿐만 아니라 올리고머 및 중합체를 모두 사용할 수 있다. 정공 수송 분자로는, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산 (TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민 (ETPD), 테트라키스(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민 (PDA), a-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌 (TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐히드라존 (DEH), 트리페닐아민 (TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린 (PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)시클로부탄 (DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TTB); 및 포르피린 화합물, 예컨대 구리 프탈로시아닌이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 유용한 정공 수송 중합체로는, 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란 및 폴리아닐린이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 전도성 중합체가 하나의 부류로서 유용하다. 상기한 것들과 같은 정공 수송 잔기를 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트와 같은 중합체내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 얻을 수도 있다.

유기층 (130)은 존재하는 경우 완충층 (120) 상에, 또는 제1 전기 접촉층 (110) 상에 침착될 수 있다. 일부 실시양태에서, 유기층 (130)은 다양한 성분을 포함하는 다수의 개별적 층일 수 있다. 장치의 용도에 따라, 유기층 (130)은 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화되는 발광층, 또는 (광검출기에서와 같이) 인가된 바이어스 전압에 의해 또는 인가된 바이어스 전압 없이 방사 에너지에 반응하여 신호를 발생시키는 물질의 층일 수 있다.

장치내의 다른 층은 이러한 층에 의해 제공되는 기능을 고려하여 이러한 층에 유용한 것으로 공지된 임의의 물질로 제조될 수 있다.

임의의 유기 전계발광 ("EL") 물질을 (예를 들어, 층 (130)의) 광활성 물질로서 사용할 수 있다. 이러한 물질로는, 형광 염료, 소분자 유기 형광 화합물, 형광 및 인광 금속 착체, 공액 중합체 및 이들의 혼합물이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 형광 염료의 예로는, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 이들의 유도체, 및 이들의 혼합물이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 금속 착체의 예로는, 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예컨대 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄 (Alq3); 시클로메탈화 이리듐 및 백금 전계발광 화합물, 예컨대 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착체 (PCT 출원 공개 제WO 02/02714호 (Petrov et al.)에 개시됨), 및 예를 들어 US 특허출원 공개 제2001/0019782호, EP 1191612, WO 02/15645 및 EP 1191614에 기재된 유기금속 착체; 및 이들의 혼합물이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 전하 운반 호스트 물질 및 금속 착체를 포함하는 전계발광 발광층은 미국 특허 제6,303,238호 (Thompson et al.) 및 PCT 출원 공개 제WO 00/70655호 및 동 제WO 01/41512호 (Burrows and Thompson)에 기재되어 있다. 공액 중합체의 예로는, 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로비플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 이들의 공중합체, 및 이들의 혼합물이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다.

본 발명의 장치의 일 실시양태에서, 광활성 물질은 유기금속 착체일 수 있다. 또다른 실시양태에서, 광활성 물질은 이리듐 또는 백금의 시클로메탈화 착체이다. 다른 유용한 광활성 물질을 사용할 수도 있다. 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착체는 PCT 출원 공개 제WO 02/02714호 (Petrov et al.)에 전계발광 화합물로서 개시되어 있다. 다른 유기금속 착체는, 예를 들어 미국 특허출원 공개 제US 2001/0019782호, EP 1191612, WO 02/15645 및 EP 1191614에 기재되어 있다. 이리듐의 금속 착체로 도핑된 폴리비닐 카르바졸 (PVK)의 활성층을 갖는 전계발광 장치는 PCT 출원 공개 제WO 00/70655호 및 동 제WO 01/41512호 (Burrows and Thompson)에 기재되어 있다. 전하 운반 호스트 물질 및 인광 백금 착체를 포함하는 전계발광 발광층은 미국 특허 제6,303,238호 (Thompson et al.), 문헌 [Bradley et al., Synth. Met. 2001, 116 (1-3), 379-383], 및 [Campbell et al., Phys. Rev. B, Vol. 65 085210]에 기재되어 있다.

유기층 (130) 상에는 제2 전기 접촉층 (160)이 침착된다. 예를 들어 층 (160)은 캐소드층이다.

캐소드층은 라인으로서 또는 필름으로서 침착될 수 있다. 캐소드는 애노드에 비해 낮은 일 함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드를 위한 물질의 예로는, 알칼리 금속, 특히 리튬, 2족 (알칼리 토) 금속, 12족 금속, 예컨대 희토류 원소 및 란탄족, 및 악티늄족이 포함될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘, 및 이들의 조합과 같은 물질을 사용할 수 있다. LiF 및 Li₂O와 같은 리튬 함유 화합물 및 다른 화합물을 유기층과 캐소드층 사이에 침착시켜 시스템의 작동 전압을 감소시킬 수도 있다.

전자 수송층 (140) 또는 전자 주입층 (150)은 임의로는 캐소드에 인접하여 배치되며, 캐소드는 때로는 "전자 주입 접촉층"으로서 지칭된다.

접촉층 (160) 상에는 봉입층 (170)이 침착되어, 장치 (100)내로의 물 및 산소와 같은 바람직하지 않은 성분의 도입을 막는다. 이러한 성분은 유기층 (130)에 불리한 영향을 줄 수 있다. 일 실시양태에서, 봉입층 (170)은 배리어층 또는 필름이다.

도시하지는 않았지만, 장치 (100)은 추가의 층을 포함할 수 있음을 이해한다. 예를 들어, 층의 밴드-갭 정합 및/또는 양전하 수송을 용이하게 하거나, 또는 보호층으로 기능하도록 애노드 (110)과 정공 수송층 (120) 사이에 층 (도시하지 않음)이 존재할 수 있다. 당업계에 공지되거나 다른 방식의 다른 층을 사용할 수 있다. 또한, 상기한 층 중 임의의 것은 둘 이상의 서브-층을 포함할 수 있거나, 또는 층류 구조를 형성할 수 있다. 별법으로, 애노드층 (110), 정공 수송층 (120), 전자 수송층 (140 및 150), 캐소드층 (160) 및 다른 층의 일부 또는 전부를 처리, 특히 표면 처리하여, 전하 운반체 수송 효율 또는 장치의 다른 물리적 특성을 향상시킬 수 있다. 각 성분 층을 위한 물질의 선택은 바람직하게는, 장치에 높은 장치 효율을 제공하는 것과 장치 작동 수명의 고려, 제작 시간 및 복잡성 요인 및 당업자에게 인지되는 다른 고려사항에 대한 목표들을 조화시킴으로써 결정된다. 최적의 성분, 성분 구성 및 조성 본질의 결정은 당업자에게 통상적임을 인지할 것이다.

일 실시양태에서, 각 층들은 하기와 같은 두께 범위를 갖는다. 애노드 (110): 500 내지 5000 Å, 일 실시양태에서는 1000 내지 2000 Å; 정공 수송층 (120): 50 내지 2000 Å, 일 실시양태에서는 200 내지 1000 Å; 광활성층 (130): 10 내지 2000 Å, 일 실시양태에서는 100 내지 1000 Å; 층 (140 및 150): 50 내지 2000 Å, 일 실시양태에서는 100 내지 1000 Å; 캐소드 (160): 200 내지 10000 Å, 일 실시양태에서는 300 내지 5000 Å. 장치내의 전자-정공 재조합 대역의 위치, 및 따라서 장치의 발광 스펙트럼은 각 층의 상대적 두께에 의해 영향받을 수 있다. 따라서, 전자 수송층의 두께는 전자-정공 재조합 대역이 발광층내에 있도록 선택되어야 한다. 요망되는 층 두께의 비율은 사용되는 물질의 정확한 특성에 따라 달라진다.

작동시, 적절한 전원 장치 (도시하지 않음)로부터의 전압을 장치 (100)에 인가한다. 따라서, 전류가 장치 (100)의 층을 가로질러 통과한다. 전자는 유기 중합체층으로 도입되어 광자를 방출한다. 능동형 매트릭스(active matrix) OLED 디스플레이라고 불리는 일부 OLED에서, 광활성 유기 필름의 개별적 침착물은 전류 통과에 의해 독립적으로 여기될 수 있고, 이는 방출광의 개별적 픽셀을 제공한다. 수동형 매트릭스(passive matrix) OLED 디스플레이라고 불리는 일부 OLED에서, 광활성 유기 필름의 침착물은 전기 접촉층의 행과 열에 의해 여기될 수 있다.

장치는 각종 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 이들의 비제한적 예로는, 증착 기술 및 액상 침착이 포함된다. 장치를 개별 제조품들로 서브-어셈블링하고, 이어서 이를 조합하여 장치를 형성할 수도 있다.

임의의 하나 이상의 실시양태의 다른 특징 및 이점은 하기 상세한 설명 및 청구의 범위에 의해 명백해질 것이다. 하기에 실시양태를 상술하기 전에, 일부 용어를 정의 또는 명확화한다.

정의

용어 "격납 구조체"는, 기판내의 또는 기판 상부에 놓인 물체, 영역 또는 임의의 이들의 조합이 기판내의 또는 기판 상부에 놓인 다른 물체 또는 영역과 접촉되지 않도록 분리하는 주기능을 제공하는, 기판 상부에 놓여있거나 또는 기판을 포함하는 구조체를 의미하는 것으로 의도된다.

용어 "고유의"는 후속 처리의 결과로 얻어지는 것이 아닌 특성을 지칭한다. 층의 고유의 표면 에너지의 경우에는, 침착 및 경화 (적용가능한 경우) 후에 후속 처리하지 않은 층의 표면 에너지를 지칭한다. 예를 들어, 플루오르화의 결과로서의 표면 에너지를 갖는 층은 본 명세서에 사용되는 바와 같은 "고유의" 표면 에너지를 더이상 갖지 않는다.

용어 "대역"은 층 또는 장치 상의 물리적 영역을 의미하는 것으로 의도된다.

용어 "기판"은, 1종 이상의 물질로 된 하나 이상의 층을 포함할 수 있는 강성 또는 가요성일 수 있는 작업편을 의미하는 것으로 의도되며, 이는 유리, 중합체, 금속 또는 세라믹 물질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.

용어 "층"은 용어 "필름"과 상호교환가능하게 사용되며, 이는 원하는 영역을 덮는 코팅을 지칭한다. 상기 영역은 전체 장치 또는 실제 화상 디스플레이와 같은 특정 기능 영역만큼 크거나, 또는 단일 서브-픽셀만큼 작을 수 있다. 필름은 증착 및 액상 침착을 비롯한 임의의 통상적 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 액상 침착 기술로는, 연속 침착 기술, 예컨대 스핀 코팅, 그래비어 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무 코팅 및 연속 노즐 코팅; 및 비연속 침착 기술, 예컨대 잉크 젯 프린팅, 그래비어 프린팅 및 스크린 프린팅이 포함되나, 이에 제한되지는 않는다.

용어 "유기 전자 장치"는 하나 이상의 반도체층 또는 물질을 포함하는 장치를 의미하는 것으로 의도된다. 유기 전자 장치로는, (1) 전기 에너지를 방사선으로 전환시키는 장치 (예를 들어, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 다이오드 레이저 또는 조명 패널), (2) 전자 프로세스를 통해 신호를 검출하는 장치 (예를 들어, 광검출기, 광전도성 셀, 광레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, 적외선 ("IR") 검출기 또는 바이오센서), (3) 방사선을 전기 에너지로 전환시키는 장치 (예를 들어, 광전지 장치 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체층을 포함하는 하나 이상의 전자 부품을 포함하는 장치 (예를 들어, 트랜지스터 또는 다이오드)가 포함되나, 이에 제한되지는 않는다. 용어 "장치"는 또한, 메모리 저장 장치, 대전방지 필름, 바이오센서, 전기변색 장치, 고체 전해질 커패시터, 에너지 저장 장치, 예컨대 충전 배터리 및 전자기 차폐 용품을 포함한다.

본원에 사용된 용어 "포함하다(comprise, include)", "포함하는(comprising, including)", "갖다", "갖는" 또는 이들의 임의의 다른 변형어는 비배제적인 포함을 포괄하는 것으로 의도된다. 예를 들어, 일련의 요소들을 포함하는 공정, 방법, 물품 또는 장치는 반드시 그 요소들에만 제한되는 것이 아니라, 이러한 공정, 방법, 물품 또는 장치의 고유의 것이거나 명백히 기재되어 있지는 않은 다른 요소들을 포함할 수 있다. 또한, 명백히 상반되게 언급되지 않는 한 "또는"은 포함적인 것을 지칭하며, 배제적인 것을 지칭하지 않는다. 예를 들어, 조건 "A 또는 B"는, A가 참이고 (또는 존재하고) B가 거짓인 (또는 존재하지 않는) 것, A가 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B가 참인 (또는 존재하는) 것, 또한 A 및 B 양쪽 모두 참인 (또는 존재하는) 것 중 어느 하나에 의해 만족된다.

영문에서 부정관사 ("a" 또는 "an")는 본 발명의 요소 및 성분을 설명하기 위해 사용된다. 이는 단지 편의를 위한 것이며, 본 발명의 일반적 의미를 제공하기 위한 것이다. 이러한 기재는 하나 또는 하나 이상을 포함하도록 해석되어야 하며, 단수형은 다른 의미를 갖는 것이 명백하지 않은 한 복수형 또한 포함한다.

달리 정의되지 않는 한, 본원에 사용된 모든 기술 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 업계의 숙련자에게 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본원에 기재된 방법 및 물질과 유사하거나 동등한 방법 및 물질을 본 발명의 실시양태의 실행 또는 테스트에 사용할 수 있으나, 적합한 방법 및 물질은 하기에 기재한다. 본원에 언급된 모든 공개 문헌, 특허 출원 문헌, 특허 문헌 및 기타 참고 문헌은, 특정 구절이 인용되지 않는 한 그의 전문이 참고로 도입된다. 상충되는 경우에는, 본 명세서 (정의 포함)가 지배한다. 또한, 물질, 방법 및 예들은 단지 예시적인 것이며, 제한적인 것으로 의도되지 않는다.

본원에 기재되지 않은 범위에 대해, 특정 물질, 가공 기술 및 회로에 관한 많은 상세사항은 통상적이며, 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광전지 및 반도체 부재 기술내의 교본 및 기타 공급원에서 찾아볼 수 있다.

본원에 기재된 개념을 하기 실시예에서 추가로 설명하며, 이는 청구의 범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.

실시예 1

산화인듐주석 (ITO) 코팅된 유리 기판은 고유의 표면 에너지 (E1)을 가졌다. 포토레지스트/첨가제 배합물을 포함하는 제1층을 기판 상에 침착 (즉, 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화)시켜 표면 에너지 (E2)를 갖는 제1 대역을 형성하였다. 포토레지스트/첨가제 배합물을 포함하는 제2층을 제1층 상에 침착 (즉, 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화)시켜 상이한 표면 에너지 (E3)을 갖는 제2 대역을 형성하였다. 기판, 제1층 및 제2층은 액체를 수용하는 격납 구조체를 한정하였고, 여기서 E2는 E3과 상이하였다. E2는 E3보다 높은 표면 에너지를 갖도록 선택되었다.

실시예 2

산화인듐주석 (ITO) 코팅된 유리 기판은 고유의 표면 에너지 (E1)을 가졌다. 포토레지스트/첨가제 배합물을 포함하는 제1층을 기판 상에 침착 (즉, 레지스트 코팅)시켜 표면 에너지 (E2)를 갖는 제1 대역을 형성하였다. 포토레지스트/첨가제 배합물을 포함하는 제2층을 제1층 상에 침착 (즉, 레지스트 코팅)시켜 상이한 표면 에너지 (E3)을 갖는 제2 대역을 형성하였다. 기판, 제1층 및 제2층은 액체를 수용하는 격납 구조체를 한정하였고, 여기서 E2는 E3과 상이하였다.

이어서, 전체 구조체를 노출, 현상, 베이킹 및 경화시켰다. 실시예 1에 비해, 하나의 마스킹 단계가 생략되어 방법이 간결하였다. 상기에서 일반적 설명 또 는 실시예에 기재한 모든 실행이 요구되는 것은 아니고, 특정 실행의 일부가 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 추가의 실행이 상기한 것들에 추가로 수행될 수 있음을 주목한다. 또한 추가로, 실행이 기재된 순서는 반드시 그들이 수행된 순서는 아니다.

상기 명세서에서는, 개념을 구체적 실시양태에 대하여 기재하였다. 그러나, 당업자는 하기 청구의 범위에 기재된 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는 다양한 변형 및 변화가 이루어질 수 있음을 인지한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적 의미가 아니라 예시적 의미로 간주되어야 하고, 모든 이러한 변형은 본 발명의 범위내에 포함되는 것으로 의도된다.

이점, 다른 유리한 점 및 문제에 대한 해결책을 상기에서 구체적 실시양태에 대하여 설명하였다. 그러나, 임의의 이점, 유리한 점 또는 해결책을 제공하거나 보다 현저하게 할 수 있는 이점, 유리한 점, 문제에 대한 해결책 및 임의의 특징(들)이 임의의 또는 모든 청구의 범위의 중요한, 필수적인 또는 본질적인 특징으로서 구성되어선 안된다.

명확히 하기 위해 본원에서 별도의 실시양태의 문맥내에 기재한 특정 특징들은, 단일 실시양태에서 조합되어 제공될 수도 있음을 인지한다. 역으로, 간략히 하기 위해, 단일 실시양태의 문맥내에 기재한 각종 특징들은, 별도로 또는 임의의 하위조합으로 제공될 수도 있다. 또한, 범위로 기재된 값의 언급은 그 범위내의 각각의 값 및 모든 값을 포함한다.

Claims

고유의 제1 표면 에너지를 갖는 제1 대역 및 제1 표면 에너지와 상이한 고유의 제2 표면 에너지를 갖는 제2 대역을 포함하는 격납 구조체.
제1항에 있어서, 대역들이 개별적 층에 상응하는 격납 구조체.
제2항에 있어서, 층들이 각각 포토레지스트를 포함하는 격납 구조체.
제3항에 있어서, 하나 이상의 층이 첨가제를 포함하는 격납 구조체.
제4항에 있어서, 첨가제가 계면활성제, 플루오로-계면활성제, 실리콘 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 격납 구조체.
제1항에 있어서, 대역들의 각각의 표면 에너지가 10 다인/cm 이상 상이한 격납 구조체.
제1항에 있어서, 격납 구조체의 하단부를 한정하는 기판을 추가로 포함하며, 제1 대역이 기판에 인접하여 있는 격납 구조체.
제7항에 있어서, 기판이 산화인듐주석 코팅된 유리로부터 제조된 격납 구조체.
제7항에 있어서, 대역들이 개별적 층에 상응하며, 제1층은 기판 상에 침착되어 있고, 제2층은 제1층 상에 침착되어 있는 격납 구조체.
제9항에 있어서, 제1층이 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화에 의해 기판 상에 침착되고, 제2층이 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화에 의해 제1층 상에 침착된 격납 구조체.
제9항에 있어서, 제1층이 레지스트 코팅에 의해 기판 상에 침착되고, 제2층이 레지스트 코팅에 의해 제1층 상에 침착된 격납 구조체.
제7항에 있어서, 기판과 제1 대역의 표면 에너지의 합이 제2 대역의 표면 에너지와 상이한 격납 구조체.
제12항에 있어서, 기판과 제1 대역의 표면 에너지의 합이 제2 대역의 표면 에너지보다 큰 격납 구조체.
제12항에 있어서, 제1 대역의 표면 에너지가 제2 대역의 표면 에너지보다 큰 격납 구조체.
제1 표면 에너지를 갖는 포토레지스트 및 첨가제의 제1 배합물을 선택하는 단계;

제1 표면 에너지와 상이한 제2 표면 에너지를 갖는 포토레지스트 및 첨가제의 제2 배합물을 선택하는 단계;

제1 배합물을 기판 상에 침착시켜 제1 대역을 형성하는 단계; 및

제2 배합물을 제1 배합물 상에 침착시켜 제2 대역을 형성하는 단계

를 포함하는 격납 구조체의 제조 방법.
제15항에 있어서, 첨가제가 표면 개질제인 방법.
제15항에 있어서, 제1 배합물을 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화에 의해 기판 상에 침착시키고, 제2 배합물을 코팅, 노출, 현상, 베이킹 및 경화에 의해 제1층 상에 침착시키는 것인 방법.
제15항에 있어서, 두 배합물 모두를 레지스트 코팅에 의해 기판 상에 침착시키는 것인 방법.
제1항의 격납 구조체를 포함하는 유기 전자 장치.
제1항의 격납 구조체를 포함하는, 유기 전자 장치의 제조에 유용한 물품.