TW358960B - Semiconductor element manufacturing washing liquid and manufacture of semiconductor element using it - Google Patents

Description

A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印装 五、發明説明（ ) 1 i 發 明 背 景 1 1 1 1 . 發 明 畴 範 Ί 本 發 明 關 % 於 一 種 清 潔 液 9 對 金 屬 膜 和 SC G SE )i n C η 請 I 先 I G 1 a s s - 玻 璃 上 旋 轉 塗 複 )薄膜等材料具有捶化的腐蝕性； 閲 讀 I 並 關 係 於 —· 種 生 産 高 品 質 和 高 可 靠 性 半 導 體 裝 置 之 方 法 背 1 I 之 1 9 該 清 潔 液 適 合 用 於 例 如 清 除 沉 積 的 聚 合 物 其 為 在 利 注 意 1 I 用 矽 作 半 導 體 裝 置 之 生 産 方 法 中 因 乾 蝕 刻 而 被 形 成 者 事 項 1 1 尤 其 是 ⑴ 用 於 清 除 沉 積 聚 合 物 ( 沉 積 保 護 膜 ) * 其 為 形 填 寫 本 装 成 並 黏 著 於 盲 孔 之 週 圍 或 於 其 中 者 ( 盲 孔 為 連 接 孔 形 1 1 成 於 一 絶 緣 膜 用 於 連 接 供 佈 線 用 而 形 成 於 絶 緣 膜 之 下 1 1 方 層 之 金 颶 導 電 膜 層 與 形 成 於 該 絶 緣 膜 上 方 之 金 屬 導 1 1 電 膜 層 ) t 尤 其 是 形 成 於 絶 緣 層 ( 互 叠 之 绝 緣 膜 ) 之 盲 1 訂 孔 以 及 ⑵ 用 於 在 金 饜 導 電 層 佈 線 之 後 9 清 除 形 成 並 黏 1 著 於 邊 牆 之 沉 積 聚 合 物 〇 1 I 2 . 相 開 技 術 之 說 明 1 I 通 常 9 迄 今 為 止 在 生 産 如 LC和 LS I 等 半 導 體 裝 置 曽 採 1 1 用 影 印 成 像 法 Ο 以 影 印 成 像 法 生 産 半 導 體 装 置 之 情 形 \ I 須 採 用 一 条 列 之 步 驟 以 形 成 如 氣 化 矽 膜 之 絶 緣 膜 於 如 矽 1 晶 圓 之 基 質 上 9 和 如 供 導 電 佈 線 用 之 金 屬 膜 之 一 種 導 電 1 1 膜 均 勻 施 用 光 罩 於 其 表 面 以 提 供 一 光 阻 層 t 採 取 選 擇 1 I 性 曝 光 和 顯 像 處 理 以 形 成 阻 層 圖 樣 » 使 下 層 薄 膜 接 受 選 1 1 擇 性 蝕 刻 處 理 而 用 阻 層 作 為 光 罩 以 形 成 線 路 式 樣 然 後 1 除 去 所 成 之 阻 層 式 樣 Ο 1 ί 依 新 近 在 半 導 體 裝 置 高 度 -3 積 集 之 進 展 » 形 成 之 樣 式 須 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( > ) 1 1 具 半 微 米 以 至 四 分 之 一 徹 米 之 精 密 度 〇 因 此 » 隨 箸 精 細 1 I 處 理 之 進 步 » 乾 蝕 刻 已 在 上 述 之 選 擇 性 蝕 刻 處 理 中 所 盛 I 行 9 而 阻 層 式 樣 之 清 除 漸 多 以 氧 電 漿 灰 化 處 理 施 行 〇 ^^ 請 1 先 1 然 而 已 知 如 此 之 乾 蝕 刻 處 理 9 由 於 乾 蝕 刻 氣 體 9 阻 層 閱 讀 1 N 經 加 工 之 薄 膜 等 等 而 在 所 成 樣 式 之 週 遭 形 成 沉 積 之 聚 背 1 1 之 合 物 〇 此 種 沉 積 聚 合 物 如 存 留 在 盲 孔 之 内 或 週 圍 9 將 導 注 意 1 I 致 不 良 狀 況 如 高 電 阻 和 短 路 0 所 以 9 為 求 獲 得 高 品 質 半 事 項 再 1 1 導 體 裝 置 » 沉 積 聚 合 物 之 清 除 極 為 重 要 填 寫 本 一碱 裝 清 除 少 量 之 沉 積 聚 合 物 可 以 併 用 灰 化 處 理 和 剝 除 阻 抗 頁 '—^ 1 I 物 之 有 機 溶 劑 9 其 如 鹼 性 或 酸 性 者 〇 清 除 大 量 者 可 以 利 1 用 含 氫 氟 酸 或 含 氫 氟 酸 與 氟 化 銨 之 處 理 液 作 清 潔 處 理 〇 1 然 而 » 如 此 使 用 氟 化 物 之 處 理 方 法 對 極 為 耐 蝕 之 绝 m 1 訂 膜 為 有 用 9 其 如 對 C V D (化 學 蒸 鍍 -Che m i c a 1 Va P〇 r 1 De P〇 si 11 on)之氧化矽或熱氧化矽， 及對比較耐蝕之鎢 1 1 N 鈦 X 或 其 合 金 鈦 / 鎮 合 金 氮 化 鈦 等 金 羼 膜 » 作 為 1 I 有 盲 孔 形 成 於 其 中 之 絶 緣 膜 之 下 層 膜 〇 雖 然 如 此 9 1 4. 刖 述 1 1 處 理 方 法 9 當 施 用 於 S06 氧 化 矽 絶 緣 膜 或 鋁 或 含 鋁 合 金 所 製 金 屬 膜 之 時 t 如 用 上 述 腐 蝕 並 溶 解 绝 線 膜 或 金 屬 膜 1 I 之 氟 化 物 9 將 引 發 金 羼 膜 通 過 盲 孔 之 連 接 失 效 » 因 而 完 1 1 全 喪 失 電 性 的 可 靠 度 〇 1 I 如 果 用 鋁 或 含 鋁 合 金 接 受 乾 蝕 刻 以 形 成 金 羼 線 路 f 則 1 1 沉 積 聚 合 物 形 成 並 黏 箸 於 線 路 層 的 邊 牆 0 此 種 沉 積 聚 合 1 丨 物 甚 難 除 去 而 且 在 蝕 刻 處 理 結 束 後 f 摻 在 該 沉 積 聚 合 1 物 中 的 反 應 氣 體 中 之 基 團 和 -4 離 子 與 潮 濕 空 氣 作 用 形 成 酸 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) ) 1 1 而 留 存 於 空 氣 中 〇 因 此 » 佈 線 材 料 因 而 被 腐 蝕 9 造 成 電 1 1 | 阻 增 大 和 線 路 斷 壊 » 於 是 成 為 嚴 重 的 負 面 影 總 〇 1 為 防 佈 線 材 料 被 如 此 腐 蝕 之 方 法 9 例 如 一 種 已 可 施 用 /·—V 請 1 先 1 者 9 其 中 該 等 基 團 和 離 子 是 在 乾 蝕 刻 後 以 較 長 時 間 用 閱 讀 1 特 別 純 之 水 進 行 清 潔 處 理 而 洗 除 〇 然 而 在 此 方 法 中 9 很 背 1 I 之 難 將 形 成 而 黏 著 於 邊 牆 上 之 沉 積 聚 合 物 中 之 基 團 和 離 子 1 拳 1 兀 全 除 去 而 且 常 須 擔 心 造 成 佈 線 材 料 之 腐 蝕 因 此 項 | 完 全 清 除 沉 積 聚 合 物 為 不 可 或 缺 之 處 理 以 求 根 絶 腐 蝕 作 填 寫 本 装 用 〇 頁 N_ 1 I 此 外 9 在 鈦 或 鎢 層 之 乾 蝕 刻 處 理 中 所 形 成 之 沉 積 聚 合 1 1 1 物 難 以 清 除 〇 唯 然 此 類 沉 積 聚 合 物 可 用 含 氫 氟 酸 或 含 氫氟 酸 與 氣 化 銨 之 處 理 液 作 清 潔 處 理 而 予 清 除 > 鎢 、 钛 及 1 訂 其 合 金 鈦 / 鏡 合 金 氮 化 鈦 等 所 成 之 金 屬 層 具 有 抵 抗 1 氟 化 物 之 優 良 耐 蝕 性 * 但 並 非 對 之 完 全 耐 蝕 因 此 擔 心 1 1 由 於 式 樣 剝 落 等 而 喪 失 電 性 可 靠 度 〇 沉 積 聚 合 物 如 被 1 1 允 予 留 存 而 不 清 除 » 將 造 成 鄰 近 線 路 因 後 缠 步 驟 中 之 膜 I 1 累 積 壓 力 而 生 接 觸 9 於 是 發 生 短 路 和 佈 線 之 畸 變 〇 | 明 概 ψ 1 本 發 明 之 一 項 百 的 為 提 供 一 種 用 於 如 此 環 境 之 清 潔 液 1 1 9 對 半 導 體 裝 置 之 生 産 9 不 造 成 絶 緣 膜 和 金 颶 膜 的 腐 1 I 蝕 以 及 一 種 生 産 高 品 質 和 高 可 靠 性 半 導 體 裝 置 的 方 法 1 I 〇 該 清 潔 液 能 夠 故 殺 易 清 除 沉 積 聚 合 物 9 其 為 形 成 於 半 導 1 體 裝 置 生 産 程 序 中 之 乾 蝕 刻 過 程 中 9 尤 其 是 形 成 並 黏 著 1 於 盲 孔 之 内 或 其 週 圍 之 沉 積 -5 聚 合 物 以 及 在 金 屬 導 電 層 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 4 ) 1 1 I 佈 線 後 形 成 並 黏 著 於 邊 牆 之 沉 積 聚 合 物 〇 1 1 I 本 發 明 人 等 為 達 成 上 述 百 的 積 極 研 究 並 累 積 觀 察 之 结 1 1 果 已 發 現 乾 蝕 刻 所 形 成 之 沉 積 聚 合 物 可 輕 易 被 除 去 請 £ 1 而 不 致 對 m 緣 膜 和 金 羼 膜 造 成 腐 蝕 所 用 清 潔 液 為 一 閱 讀 J 背 1 種 含 有 含 氟 化 合 物 的 水 溶 液 一 種 水 溶 性 或 可 與 水 混 合 之 1 注 | 的 有 機 溶 劑 9 種 無 機 酸 及 / 或 有 機 酸 ; 和 —* 種 特 別 的 意 事 1 季 胺 鹽 或 特 別 的 有 機 羧 酸 m 鹽 或 有 機 羧 酸 胺 鹽 視 需 要 項 再 填 1 Λ 而 定 〇 由 於 已 有 可 能 易 於 清 除 盲 孔 之 內 或 遇 圍 所 形 成 並 寫 本 衣 黏 著 之 沉 積 聚 合 物 此 等 聚 合 物 為 迄 今 仍 難 除 去 者 > 頁 '—^ 1 1 及 在 金 羼 導 電 層 佈 線 之 後 形 成 並 黏 著 於 邊 牆 之 沉 積 聚 1 合 物 〇 盲 孔 之 週 圍 無 污 染 且 在 孔 之 形 成 步 驟 中 被 清 潔 1 1 9 因 此 使 金 鼷 佈 線 得 能 充 份 連 接 〇 同 時 已 經 發 現 因 為 1 訂 金 屬 導 電 層 之 邊 牆 上 的 沉 積 聚 合 物 可 K 被 清 除 於 金 屬 佈 1 I 線 之 形 成 步 驟 故 而 可 能 確 保 無 腐 蝕 佈 線 之 形 成 並 獲 1 1 得 高 品 質 和 高 可 靠 度 之 半 導 體 裝 置 〇 本 發 明 已 完 成 上 述 1 | 發 現 及 資 訊 之 基 礎 〇 1 特 別 者 本 發 明 提 供 ⑴ 一 種 清 潔 液 用 於 生 產 半 導 體 裝 置 之 水 溶 液 包 含 * 1 I (A) 含 氟 化 合 物 (B) 水 溶 性 或 水 可 混 合 之 有 機 溶 劑 9 1 1 和 (C) 無 機 酸 及 / 或 有 機 酸 > 1 1 ⑵ 一 種 清 潔 液 t 用 於 生 產 半 導 體 裝 置 之 水 溶 液 > 包 含 1 I (A) > (B) 9 (C) 和 (D) : 通 式 (I ) 所 代 表 之 季 銨 鹽 1 a 1 [(R 3 ) 彐 N-R 2 ] + a X E a - -- -- (] ) 1 1 1 其 中 R 1 為有1 至 4 個 碳 原 子 之 烷 基 f 而 二 個 R 1 可為相 1 I -6 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2Η)X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 1 1 I 同 或 不 同 » R 2為有1 至4 個碳原子之烷基或羥烷基， 1 1 I 而 X 為有機或無機陰離子， 其中a 為該陰離子之價數 1 I (下文稱為清潔液⑴） 請 先 1 1 —· 種 清 潔 液 用 於 生 產 半 導 體 裝 置 之 水 溶 液 9 包 含 ； 閱 ft 1 背 ί (A) (B) 9 (〇 和 (D ') ： 有 機羧酸銨鹽及 /或有機羧酸胺 1¾ 之 1 \ 鹽 » 以 通 式 (I )表示 意 事 1 Z - [COONH^- 穴（R 3 )竹 ]你 一- (I ) 項 再 1 I 填 1 其 中 Z 為 氫 原 子 或 —- 單 至 四 價 .烴 基 而 具 有 1 至 1 8個碳原 本 I 子 9 R 3為烷基而具1 至4 個碳原子， 或羥烷基而具2 頁 '—^ 1 1 至 4 個 碳 原 子 ， η 為 由 0 至 3 之 整 數 $ 田 為 由 1 至 4 之 1 I 整 數 9 且 如 R 3為多數個， 則可為相同或不同（下文稱為 1 1 清 潔 液 (I ) )； 1 訂 ⑷ 一 種 生 產 半 導 體 裝 置 之 方 法 > 包 含 之 各 步 m 為 形 成 1 1 一 規 定 之 阻 層 式 樣 於 一 半 導 體 基 質 上 » 其 表 面 配 置 有 一 1 1 絕 緣 膜 層 ； 用 該 阻 層 作 為 光 罩 而 以 乾 蝕 刻 法 形 成 一 盲 孔 1 1 > 妖 後 清 除 阻 層 式 樣 f 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 阻 層 剝 1 除 劑 作 濕 處 理 而 奏 效 隨 後 用 月U 述 第 ⑴ > (2) 或 項 之 清 Γ 潔 液 作 清 潔 處 理 而 生 效 » 及 1 I (5) 一 種 生 產 半 導 體 裝 置 之 方 法 ， 包 含 之 各 步 驟 為 ； 形 成 1 I 一 規 定 之 阻 層 式 樣 於 一 半 導 體 基 質 上 t 其 表 面 配 置 有 一 1 1 金 屬 導 電 膜 層 用 該 阻 層 作 為 光 罩 而 乾 蝕 刻 法 形 成 金 1 I 屬 佈 線 » 然 後 清 除 阻 層 式 樣 $ 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 | 阻 層 剝 除 劑 作 濕 處 理 而 奏 效 隨 後 用 前 述 第 ⑴ $ (2) 或 0) 1 [ 項 之 清 潔 液 作 清 潔 處 理 而 生 效 〇 1 1 -7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 2ί»7公釐） 五、發明説明（6 )

A7 B7 示實施例1生產半導體裝置之 示實施例7生產半導體裝置之 示實施例9生產半導體裝置之 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 符號： _1: Al-Si-Cu合金層 2 : T i N 層 3: CVD氧化矽膜 4 :阻層 5 :沉積聚合物 1 1 : C V D氧化矽膜 1 2 : T i N 層 1 3 :濺鍍鎢層 14 : CVD _ 層 15 : T i N 層 1 6 :阻層 17 :沉積聚合物 2 1 : C V D氧化矽膜 2 2 :濺鍍鎢層 23 : CVD鎢層 24: A 1 -S i-Cu合金層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 • · · . · . 五、發明説明（1 ) 2 5 : T i N 層 2 6 :阻層 27 :沉積聚合物 龄往亘鵲例銳明 在本發明清潔液中所用成份（A)為一含氟化合物，舉 例而言，例如氫氟酸、氟化銨、氟化氫銨、和氟化硼銨。 在本發明清潔液中作為成份（A)之含氟化合物，可以 單獨使用，或與至少另外一者合併使用。其含量無特別 限定，但依據狀況作適當選擇，通常為0 . 1至15重量χ 之範圍。若少於0.1重量3；,因對沉積聚合物清除率低 而不合用，而若含量大於15重量3：則有腐蝕佈線材料之 虞。就沉積聚合物之清除率和佈線材料腐蝕的抑制間作 一平衡抉擇，較佳之含量為在0.5至10重量！Κ 。 本發明清潔液中所用成份（Β)之有機溶劑，其實例包 括如：醯胺類之甲醛胺、Ν-甲基甲醯胺、Ν,Ν-二甲基甲 醛胺、Ν,Ν -二甲基乙醯胺、和Ν -甲基吡咯烷酮，内酯類 之如r -丁内酯，醇類之如甲醇、乙醇、異丙酵和乙二 醇，酯類之如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲 酯、和乳酸乙酯、二醇類之如乙二醇單丁基醚、二乙二 醇單甲基醚和二乙二醇單乙基醚，以及硫化合物如二甲 基亞魄和氧化瞎吩（Sulfolane)。 在本發明清潔液中成份（B)之有機溶劑可以單獨使用 或與至少另一合併使用《其含量無特別限制，但以根據 狀況作適當選擇為宜，通常為1至80重量範圍内。若 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） mlm§. ^^^1 n^i am HM l nd I -.n nn ^ J. - ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( S ) 丨 少 於 1 重 量 % 將 構 成 佈 線 材 料 腐 蝕 的 原 因 9 並 且 因 為 清 I I 潔 液 不 合 理 而 增 加 黏 度 有 使 可 施 工 性 惡 化 之 處 9 而 若 其 含 量 超 過 80 重 量 % 則 造 成 沉 積 聚 合 物 的 清 潔 率 有 下 降 之 ^-N 請 1 先 1 趨 勢 〇 就 佈 線 材 料 腐 蝕 的 抑 制 〇 液 體 的 黏 度 和 沉 積 聚 合 閱 讀 I 物 清 除 率 作 —- 抉 擇 9 其 較 佳 含 量 在 5 至 7 0 重 量 % 範 圍 内。 背 1 I 之 本 發 明 清 潔 液 所 用 成 份 (C ) 的 無 機 酸 及 / 或 有 機 酸 9 意 1 拳 1 無 機 酸 之 實 例 包 括 硼 酸 磷 酸 、 亞 磷 酸 X 次 磷 酸 Λ 聚 m 項 再 1 酸 硫 酸 硫 酸 鹽 、 氛 酸 亞 氛 酸 Η 次 氛 酸 •s 溴 酸 亞 填 寫 本 溴 酸 、 次 溴 酸 碘 酸 、 亞 碘 酸 次 碘 酸 硝 酸 和 亞 硝 酸 頁 1 | 〇 在 這 些 化 合 物 中 9 以 m 酸 與 硼 酸 較 為 合 用 Q 有 機 酸 之 1 實 例 包 括 甲 酸 乙 酸 S 丙 酸 和 丁 酸 ·% 異 丁 酸 、 戊 酸 異 1 戊 酸 、 庚 酸 、 月 桂 酸 棕 櫊 酸 、 硬 脂 酸 丙 烯 酸 X 巴 豆 1 訂 酸 、 甲 基 丙 烯 酸 草 酸 、 丙 二 酸 馬 來 酸 琥 珀 酸 X 己 1 二 酸 壬 二 酸 λ 癸 二 酸 苯 甲 酸 X 甲 苯 甲 酸 、 m 酸 X 偏 1 1 苯 三 酸 苯 均 四 酸 苯 磺 酸 、 甲 苯 磺 酸 、 水 揚 酸 〇 1 I 本 發 明 清 潔 液 中 成 份 (c ) 之 無 機 酸 及 / 或 有 Ufi 俄 酸 可 以 1 1 單 獨 使 用 或 與 至 少 另 一 合 併 使 用 〇 其 用 量 無 待 別 限 制 〇 V | 但 是 依 狀 況 作 適 當 之 選 擇 9 通 常 在 0 . 0 1 至 5 重 量 X 範 圍 1 | 之 内 〇 其 若 少 於 0 . 0 1 重 量 % 則 因 沉 積 聚 合 物 之 清 除 率 低 1 1 而 不 合 用 9 而 若 超 過 5 重 量 X則造成腐蝕佈線材料的傾向 1 I 〇 依 沉 積 聚 合 物 之 清 除 率 和 佈 線 材 料 的 腐 蝕 抑 制 著 眼 而 1 1 作 抉 擇 9 其 用 量 較 佳 為 在 0 . 0 5 至 3 重 量 % 之 範 圍 内 〇 1 根 據 本 發 明 之 清 潔 液 (I ) 9 所 用 成 份 (D) 為 由 通 式 1 ( )所 代 表 之 季 銨 鹽 1 1 -1 0 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（9 ) [(R1 )3 N-R2 ]+a Xa' ----(I) 在通式（I)中，R1為有1至4個碳原子之烷基，可 為直鏈或分枝，如甲基、乙基、正-丙基、異丙基、正_ 丁基、異丁基、第二-丁基和第三-丁基。三個R1可Μ 相同或互異。R2為一烷基或羥烷基，各具1至4個碳 原子，可為直鐽或分枝，如R1之例，羥烷基則包括例 如2-羥乙基、2-羥丙基、3-羥丙基、2-羥丁基、3-羥丁 基和4-羥丁基。X 3_為一無機或有機陰離子，其中之a 為該離子之價數。無機陰離子包括例如鹵素離子、硫酸 根離子、硝酸根離子、碳酸根離子、酸性碳酸根離子、 磷酸根離子、和硼酸根離子。有機離子包括例如甲酸基 離子、乙酸基離子、丙酸基離子、丁酸基離子、草酸基 離子、丙二酸基雄子、馬來酸基離子、福馬酸基離子、 檸康酸基離子、苯甲酸基離子、甲苯甲酸基離子、酞酸 基離子、丙烯酸基離子、和甲基硫酸基離子。 通式（I)所代表之季銨鹽包括例如：酸性碳酸四甲基 銨、碳酸四甲基銨、甲酸四甲基銨、乙酸四甲基銨、丙 酸四甲基銨、丁酸四甲基銨、草酸四甲基銨、丙二酸四 甲基銨、馬來酸四甲基銨、福馬酸四甲基銨、擰康酸四 甲基銨、苯甲酸四甲基铵、甲笨甲酸四甲基銨、酞酸四 甲基銨、丙烯酸四甲基铵、酸性碳酸三甲基（2-羥乙基） 銨、碳酸三甲基（2-羥乙基）銨、甲酸三甲基（2-羥乙基） 銨、乙酸三甲基（2-羥乙基）銨、笨甲酸三甲基（2-羥乙 基）銨、酞酸三甲基（2-羥乙基）銨、酸性碳酸四乙基銨 -1 1 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ^^1 - !. n —In* - 1 - In i - I- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (10 ) 1 1 碳 酸 四 乙 基 銨 甲 酸 四 乙 基 銨 乙 酸 四 乙 基 m 、 甲 酸 1 1 I 四 丙 基 按 乙 酸 四 丙 基 数 甲 酸 四 丁 基 m 乙 酸 四 丁 基 J 1 銨 硼 酸 四 乙 基 銨 Λ m 酸 四 乙 基 妓 硫 酸 四 乙 基 銨 > 硼 —S 請 先 1 1 酸 三 甲 基 (2 -羥乙基） 銨 硫 酸 — 甲 基 (2 -羥乙基） 铵 和 硫 閱 ik [ 背 1 酸 三 甲 基 (2 -羥乙基） 銨 〇 之 1 在 本 發 明 清 潔 液 ( [)中 成 份 (D) 之 季 銨 鹽 可 Μ 單 獨 使 意 ί 1 事 1 用 9 或 Μ 與 至 少 另 一 者 合 併 使 用 〇 其 含 量 無 特 別 限 制 9 項 再 1 在 至 填 ,L 但 根 據 狀 況 作 適 當 選 擇 9 通 常 Κ 清 潔 液 為 基 礎 1 50 寫 本 衣 重 量 % 之 範 圍 内 〇 其 含 量 少 於 1 重 量 % 者 形 成 佈 線 材 料 頁 1 1 腐 蝕 之 責 任 9 但 若 超 過 50 重 量 % 則 造 成 沉 積 聚 合 物 之 清 I 除 率 降 低 之 趨 勢 〇 依 佈 線 材 料 腐 蝕 之 抑 制 與 沉 積 聚 合 物 1 之 清 除 之 間 權 衡 所 作 抉 擇 > 其 較 佳 含 量 為 在 3 至 40 重 量！ϋ 1 訂 之 範 圍 内 〇 1 I 在 根 據 本 發 明 之 清 潔 液 (I ) 中 9 作 為 成 份 (D ，） 之 有 機 1 1 羧 酸 m 鹽 及 / 或 有 機 羧 酸 胺 鹽 t 如 逋 式 (I ) 所 代 表 1 1 1- [C00HN 4- n(R5 ) η 3 0 1 -一 -- (I ) 1 在 通 式 (I ) 中 9 Ζ 為 氫 原 子 或 有 1 至 18個 碳 原 子 之 單 1 至 四 價 烴 基 9 其 為 例 如 一 種 飽 和 或 不 飽 和 脂 肪 族 基 和 一 1 I 種 飽 和 或 不 飽 和 脂 環 或 芳 族 基 〇 飽 和 或 不 飽 和 脂 肪 族 基 1 1 包 括 例 如 從 羧 酸 除 去 至 少 一 個 羧 基 後 所 餘 之 殘 基 * 其 羰 1 1 酸 包 括 如 乙 酸 、 丙 酸 丁 酸 戊 酸 庚 酸 月 桂 酸 踪 1 I m 酸 、 嫂 脂 酸 丙 烯 酸 油 酸 草 酸 丙 二 酸 > 馬 來 酸 1 福 馬 酸 擰 康 酸 琥 珀 酸 、 己 二 酸 > 壬 二 酸 癸 二 酸 1 1· 、 癸 院 二 酸 和 丁 烷 四 羧 酸 〇 飽 和 與 不 飽 和 瑁 脂 基 包 括 例 1 I -1 2- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( L1 ) 1 1 如 從 羧 酸 除 去 至 少 一 羧 基 後 所 成 之 殘 基 9 其 羧 酸 包 括 如 1 1 1 環 己 烷 單 羧 酸 環 己 烧 -1 ,4 -二羧酸 、環己烷- 1 , 2- 二 羧 1 酸 % 四 氫 苯 甲 酸 四 氫 能 酸 1 , 3 , 5- 二 甲 基 瑁 己 烷 -1 ,3 請 1 1 ,5 三羧酸 >芳基者例如包括從羧酸至少除去- -個羧基 閱 1 背 1 所 剰 之 殘 基 9 其 羧 酸 如 笨 甲 酸 甲 苯 甲 酸 % 酞 酸 > 偏 苯 之 1 二 酸 苯 均 四 酸 和 苯 基 丙 酸 〇 注 意 ί | 事 1 另 一 方 面 ， R 3為具有1 至4 個碳原子的烷基或有2 項 再 1 枝 填 J 至 4 個 碳 原 子 之 羥 烧 基 9 而 且 可 為 線 形 或 分 0 此 種 烷 寫 本 基 例 如 為 甲 基 乙 基 9 正 -丙基， >異丙基- 、正 丁 基 異 頁 '—^ 1 I 丁 基 9 第 二 -丁基和第三- 丁 基 Ο 羥 烷 基 例 如 包 括 2- 羥 乙 I 基 、 2- 羥 丙 基 3- 羥 丙 基 、 2- 羥 丁 基 3- 羥 丁 基 和 4- 羥 1 丁 基 ， η 為 0 至 3 之 整 數 m 為 1 至 4 之 整 數 且 多 個 1 訂 1 I R Ξ 〃者可Μ為相同或不同‘ > 通 式 (I ) 所 代 表 之 有 機 羧 酸 钱 鹽 例 如 包 括 甲 酸 銨 乙 I 1 酸 銨 丙 酸 数 丁 酸 数 > 戊 酸 銨 % 庚 酸 m 月 桂 酸 数 1 I 棕 櫚 酸 銨 rsB 硬 脂 酸 数 丙 烯 酸 铵 V 草 酸 数 、 丙 二 酸 銨 、 馬 來 酸 銨 福 馬 酸 銨 棒 康 酸 铵 琥 珀 酸 銨 己 二 酸 銨 ) 、 壬 二 酸 銨 > 癸 二 酸 銨 > 苯 甲 酸 銨 甲 苯 甲 酸 m 、 酞 酸 1 I 数 偏 rWI 苯 三 酸 数 Λ 苯 均 四 酸 銨 、 1 1 通 式 (I ) 所 代 表 之 有 機 羧 酸 胺 鹽 包 括 例 如 甲 酸 單 甲 基 1 1 胺 鹽 、 甲 酸 二 甲 基 胺 鹽 甲 酸 三 乙 基 胺 鹽 乙 酸 單 甲 基 1 I 胺 鹽 乙 酸 二 甲 基 胺 鹽 乙 酸 三 甲 基 胺 鹽 乙 酸 單 乙 基 1 X. 1 胺 鹽 乙 酸 二 乙 基 胺 鹽 、 乙 酸 三 乙 基 胺 鹽 、 笨 甲 酸 單 甲 1 基 胺 鹽 苯 甲 酸 二 甲 基 胺 鹽 、 苯 甲 酸 三 甲 基 胺 鹽 、 苯 甲 1 I -1 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (12 ) 1 1 酸 單 乙 基 胺 鹽 苯 甲 酸 二 乙 基 胺 鹽 苯 甲 酸 二 乙 基 胺 鹽 1 1 I 甲 酸 乙 醇 胺 鹽 乙 酸 乙 醇 胺 鹽 、 丙 酸 乙 醇 胺 鹽 和 苯 甲 1 1 酸 乙 醇 胺 鹽 〇 X-—^ 請 先 1 1 根 據 本 發 明 之 清 潔 液 (Π ) 中 作 為 成 份 (D ，） 之 有 機 羧 酸 閱 讀 L 背 1 銨 鹽 / 胺 鹽 可 K 單 獨 使 用 或 與 至 少 另 —"* 者 合 併 使 用 〇 其 之 1 Γ 含 量 無 特 別 限 制 » 但 根 據 狀 況 作 適 當 選 擇 9 通 常 在 1 至 7王 意 事 1 1 50 重 量 % 之 範 圍 內 〇 含 量 少 於 1 重 量 % 會 構 成 佈 線 材 料 項 再 1 填 上、 腐 蝕 的 責 任 > 而 若 含 量 超 過 50 重 量 % 則 沉 積 聚 合 物 之 清 寫 本 除 率 趨 向 降 低 〇 在 佈 線 材 料 的 腐 蝕 抑 制 和 沉 積 聚 合 物 的 頁 1 1 清 除 率 間 權 衡 抉 擇 其 含 量 Μ 在 3 至 40 重 量 % 之 範 圍 內 I 為 佳 〇 1 在 本 發 明 之 清 潔 液 中 9 成 份 (D) 和 (D ，） 可 視 需 要 而 合 1 訂 併 使 用 〇 在 此 情 形 中 基 於 刖 述 原 因 9 成 份 (D) 和 (D ，） 之 1 I 總 用 量 在 1 至 50¾ 範 圍 内 ， 較 佳 為 3 至 40% 9 均 Μ 重 量 I 1 計 〇 1 | 在 本 發 明 之 清 潔 液 中 > 如 有 需 要 9 可 含 有 一 種 表 面 1 活 化 劑 作 為 成 份 (E) t Μ 供 提 高 沉 積 聚 合 物 的 清 除 率 〇 1 此 種 表 面 活 化 劑 包 括 例 如 陰 離 子 表 面 活 化 劑 如 烧 基 硫 酸 1 I 酷 聚 氧 化 乙 烯 烷 基 硫 酸 酯 综 基 芳 基 硫 酸 酯 烷 基 苯 1 1 磺 酸 鹽 > 烷 基 萘 磺 酸 鹽 Λ 烷 基 m 酸 鹽 > 和 聚 氧 化 乙 烯 烷 1 1 基 磷 酸 鹽 陽 離 子 表 面 活 化 劑 如 烷 基 胺 鹽 、 季 m 鹽 和 1 I 氧 化 胺 兩 性 表 面 活 化 劑 如 烷 基 甜 菜 鹼 和 被 取 代 之 咪 唑 1 r 啉 甜 菜 鹼 非 雛 子 表 面 活 化 劑 如 聚 (氧化乙烯） 燒 基 胺 1 聚 (氧化乙烯） -脂肪酸酯 縮水甘油- 脂 肪 酸 酷 \ 聚 (氧 1 I -14- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 (13 ) 1 1 I 化 乙 烯 )山梨糖醇- 脂 肪 酸 酯 、聚（氧化乙烯） 山 梨 糖 酵 酐 1 1 I -脂肪酸酯 、聚( 氧 化 乙 烯 )/聚（氧 化 丙 烯 )嵌段共聚物 聚 氧 化 乙 烯 衍 生 物 Λ 聚 (氧化乙烯） 芳 基 醚 聚 (氧化 請 先 1 乙 烯 )烷基醚' 、炔醇- 、烷基聚（氧化 乙 烯 )磷酸酯 、芳基 閱 讀 背 1 聚 (氧化乙烯） m 酸 酯 和 脂 肪酸酵 醢 胺 ； 氟 化 物 基 表 面 冬 J 活 化 劑 如 全 氟 综 基 磺 酸 鹽 、 全氟烷 基 碳 酸 鹽 全 氟 烧 基 注 意 事 1 1 季 m 鹽 和 全 氟 烧 基 聚 (氧化乙烯）乙 醇 ； 和 烴 基 矽 酸 表 面 項 再 1 矽 填 Λ 活 化 劑 如 含 氧 化 烯 理 之 原 酸烧基 酯 和 含 氧 化 烯 鐽 之 聚 寫 本 矽 酸 酿 〇 頁 '—^ 1 1 在 本 發 明 清 潔 液 中 之 表 面 活化劑 可 以 單 獨 使 用 或 與 至 1 I 少 另 一 種 合 併 使 用 > 其 含 量 無特別 限 定 t 但 依 狀 況 作 適 I 當 選 擇 9 通 常 在 〇. 001 至 1 X範圍内， Μ重量計< >其含量 1 訂 少 於 0 . 00 1重量S! 者造成有難展提高沉積聚合物清除率 1 I 效 果 之 虞 > 而 若 其 含 量 超 過 1重量！1；則 因 提 高 沉 積 聚 合 物 1 1 清 除 率 之 效 果 對 所 加 之 量 在 經濟效 益 上 不 成 比 例 〇 從 提 1 | 高 沉 積 聚 合 物 清 除 率 之 效 果 與經濟 效 益 兩 者 之 間 權 衡 而 1 作 抉 擇 其含量較佳為在0 • 0 1 至 0 .5 重 量 % 〇 1 根 據 本 發 明 為 生 產 半 導 體 裝置如 此 所 得 之 清 潔 液 可 1 I Μ 輕 易 除 去 形 成 於 乾 蝕 刻 之 k積聚 合 物 而 在 半 導 體 裝 置 1 1 I 生 產 程 序 中 不 致 腐 蝕 金 靥 膜 。特別 是 t 適 合 用 於 除 了 保 1 1 護 的 沉 積 膜 » 其 係 黏 著 於 供 盲孔用 絕 緣 層 之 邊 牆 1 並 清 1 I 潔 連 接 孔 之 底 部 $ Μ 及 清 除 在製作 佈 線 中 黏 著 於 金 屬 導 1 電 層 邊 牆 之 保 護 沉 積 膜 〇 1 Μ 下 9 根 據 本 發 明 生 產 半 導體裝 置 之 方 法 作 出 若 干 說 1 I -1 5- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ί4 ) 1 1 明 〇 1 1 1 本 發 明 之 方 法 包 括 兩 種 形 態 〇 第 一 形 態 包 含 各 種 步 驟 ί 9 如 ： 形 成 一 種 在 半 導 體 基 質 上 設 定 之 阻 層 式 樣 » 以 一 請 1 先 1 绝 緣 膜 層 配 置 於 其 表 面 5 用 該 阻 層 作 為 光 罩 以 乾 蝕 刻 法 閲 讀 形 成 盲 孔 ； 然 後 用 氣 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 阻 層 剝 除 劑 作 背 1 1 之 濕 處 理 而 奏 效 9 隨 後 用 前 述 清 潔 液 作 清 潔 處 理 而 成 功 〇 注 意 1 I 第 二 種 形 態 包 含 之 各 步 驟 9 如 : 形 成 一 種 在 半 導 體 基 質 事 項 再 1 1 上 設 定 之 阻 層 式 樣 » 以 一 金 羼 導 電 膜 層 配 置 於 其 表 面 填 寫 本 —' 1 装 利 用 該 阻 層 式 樣 作 為 光罩 以 乾 蝕 刻 形 成 金 層 的 佈 線 然 頁 '—✓ I 後 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 阻 層 剝 除 劑 作 濕 處 理 而 莠 效； 1 1 隨 後 用 前 述 清 潔 液 作 清 潔 處 理 而 兀 成 〇 1 1 ί 至 少 —. 絶 線 膜 層 金 颶 導 電 膜 層 防 反 射 膜 層 等 依 需 1 訂 要 被 置 於 上 述 絶 緣 膜 層 或 金 屬 導 電 膜 層 與 基 質 之 間 〇 此 1 外 9 一 防 反 射 膜 層 可 依 需 要 被 設 置 於 上 金 屬 導 電 膜 層 上〇 1 I 用 於 本 發 明 方 法 中 作 為 基 質 者 所 用 較 佳 基 質 為 半 導 1 I 體 裝 置 之 生 産 中 迄 乞 所 習 用 者 9 例 如 » 矽 晶 圓 〇 雄 線 膜 1 1 無 待 別 限 定 9 但 以 迄 今 在 半 導 體 裝 置 之 生 産 中 所 習 用 者 為 例 9 例 如 氣 化 矽 膜 、 氤 化 矽 膜 和 氧 化 鋁 膜 〇 其 中 以 氧 1 I 化 矽 膜 為 佳 〇 氣 化 矽 膜 9 當 直 接 形 成 於 矽 晶 圓 上 9 可 以 1 1 在 氧 氣 氛 中 於 高 溫 加 熱 於 矽 晶 圓 而 形 成 〇 氣 化 矽 膜 可 以 1 I 用 化 學 蒸 鍍 法 (C VD) 形 成 9 且 在 此 情 形 中 9 可 以 混 入 少 1 1 I 量 不 純 物 以 求 擴 散 〇 以 C VD 法 形 成 之 氧 化 矽 膜 有 時 稱 為 1 C VD 氧 化 矽 膜 9 而 已 摻 混 少 量 不 純 物 以 求 擴 散 之 C VD 氧 1 i 化 矽 膜 有 時 被 稱 為 摻 雜 之 C VD 氧 化 膜 9 而 未 被 摻 混 於 其 1 1 -1 6- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 15 ) Ί 1 中 之 CVD 氧 化 矽 膜 有 時 被 稱 為 非 摻雜CVD 氧 化 矽 膜 〇 1 1 I 另 一 方 面 9 金 屬 導 電 膜 層 無 特 別 限 定 t 但 從 迄 今 半 導 體 裝 置 生 產 中 所 習 用 者 選 擇 而 使 用 9 例 如 含 鎢 > 鎢 合 金 請 先 J 、 鈦 、 鈦 合 金 钛 / 鎢 合 金 Λ 氮 化 钛 鋁 等 之 薄 膜 〇 上 閱 ik 1 述 金 屬 導 電 膜 層 可 用 真 空 沉 積 法 濺 鍍 法 、 C VD 法 等 〇 背 面 之 注 意 事 1 1 Γ 所 用 作 為 防 反 射 膜 層 者 > 例 如 氮 化 鈦 膜 〇 用 濺 鍍 法 和 1 1 C VD 法 形 成 之 金 屬 導 電 膜 有 時 被 分 別 稱 為 濺 鍍 鏡 膜 項 再 1 C VD m 膜 等 〇 填 寫 本 衣 如 果 在 本 發 明 方 法 之 進 行 中 > 預 定 之 阻 層 式 樣 首 先 形 頁 '—^ I 成 於 絕 緣 層 或 金 屬 導 電 層 0 形 成 阻 層 式 樣 可 以 有 多 種 方 I 法 » 其 中 可 適 合 之 方 法 是 依 據 狀 況 而 選 擇 » 例 如 > 一 種 1 方 法 中 包 含 多 項 步 驟 * 用 一 旋 轉 器 塗 上 一 層 正 或 負 型 光 1 訂 1 I 阻 劑 溶 液 9 並 予 乾 燥 使 形 成 一 阻 層 於 其 上 然 後 用 如 紫 外 光 或 遠 紅 外 光 Μ 降 低 投 射 曝 光 單 位 經 過 所 設 光 罩 眧 射 1 1 > 或 用 Ex c 1 m e Γ 雷 射 光 束 或 X 光 經 阻 罩 昭 射 > 或 在 電 子 1 I 束 掃 瞄 時 眧 射 » 其 後 用 適 當 顯 影 溶 液 作 顯 影 處 理 〇 丄 繼 之 > 用 如 此 形 成 之 胆 層 1〇1 國 式 作 為 光 罩 9 完 成 乾 蝕 刻 1 〇 各 種 乾 蝕 刻 方 法 均 可 採 用 9 其 中 Μ 所 提 及 之 電 漿 蝕 刻 1 I 法 為 典 型 方 法 〇 在 電 漿 触 刻 中 通 常 用 氟 或 氟 化 合 物 1 1 氣 體 之 如 四 氟 甲 烷 者 作 為 蝕 刻 氣 體 » 然 而 9 蝕 刻 氣 體 型 1 1 類 和 蝕 刻 條 件 是 根 據 蝕 刻 目 的 而 作 適 當 選 擇 〇 在 此 乾 蝕 1 I 刻處理 中 1 一 盲 孔 形 成 於 刖 述 之 第 一 形 態 • 而 金 屬 佈 線 1 r 形 成 於 第 二 形 態 〇 1 h 在 乾 蝕 刻 處 理 中 9 沉 積 聚 合 物 由 於 蝕 刻 氣 體 、 阻 劑 和 1 I -1 7- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (16 ) 1 1 被 加 工 之 膜 而 形 成 9 並 黏 著 於 盲 孔 之 内 或 週 圍 > 或 在 金 1 1 I 鼷 導 電 膜 層 之 邊 牆 > 在 該 層 在 佈 線 已 形 成 之 後 〇 1 在 隨 後 除 去 m 層 式 樣 之 步 驟 中 > 用 氧 電 漿 灰 化 之 方 法 y-V 請 1 或 用 阻 層 剝 剝 除 劑 之 濕 處 理 是 應 用 於 本 發 明 之 方 法 t 因 閲 ★ ! 背 1 為 如 Μ 電 漿 蝕 刻 應 用 於 乾 蝕 刻 t 和 灰 化 處 理 兩 者 可 以 在 之 1 同 一 儀 具 中 進 行 ， 只 須 改 變 氣 體 類 型 9 因 而 有 經 濟 之 利 注 意 本 [ I 〇 此 外 > Μ 氟 或 氟 化 合 物 之 氣 體 加 至 用 氧 電 漿 之 灰 化 處 項 再 1 „1 理 中 之 氧 氣 中 時 » 在 阐 後 之 清 潔 處 理 步 驟中 沉 積 聚 合物 填 寫 本 明 顯 易 於 清 除 〇 氟 化 合 物 氣 體 舉 例 如 CF 4 CGF 3 ’ k 頁 '—✓ 1 I SF 6 、 HF 彐 和 C 2 F 6 〇 灰 化 處 理 溫 度 為 1 5 至 80Ό Μ 2 至 1 1 5 分 鐘 作 長 時 間 之 處 理 » 但 由 於 作 業 理 由 150 至 1 80 V I Μ 2 至 5 秒 之 短 時 間 處 理 〇 若 Μ 不 合 理 之 低 溫 度 則 有 灰 1 訂 1 I 化 處 理 執 行 不 足 之 虞 » 而 若 Μ 不 合 理 之 高 溫 度 則 引 發 如 鎮 線 之 金 羼 佈 線 之 腐 蝕 〇 1 1 随 後 9 經 過 如 此 用 氧 電 漿 或 阻 層 剝 除 劑 作 濕 處 理 而 灰 1 I 化 之 裝 置 9 接 著 根 據 本 發 明 清 潔 液 之 清 m 處 理 ， Μ 清 除 1 在 乾 蝕 刻 處 理 狀 況 中 形 成 之 沉 積 聚 合 物 〇 清 潔 溫 度 和 清 1 潔 時 間 各 依 沉 積 聚 合 物 之 情 形 和 佈 線 材 料 之 種 類 等 作 適 1 I 當 之 選 擇 〇 清 潔 溫 度 通 常 為 1 0 至 30 為 足 夠 * 但 可 提 高 I 1 至 約 60 t： Μ 應 付 沉 積 聚 合 物 清 除 率 過 低 之 狀 況 〇 清 潔 時 1 1 間 通 常 約 為 1 至 30分 鐘 〇 清 潔 系 统 可 Μ 從 批 式 浸 潰 清 潔 1 I 嗔 灑 於 Η 件 給 料 系 統 而 清 潔 和 霧 化 清 潔 等 之 中 採 用 〇 1 1 1 用 上 述 清 潔 處 理 9 已 可 輕 易 將 形 成 並 黏 著 於 盲 孔 之 内 1 和 遇 邊 而 迄 今 難 Μ 清 除 之 沉 積 聚 合 物 除 去 > 且 另 可 將 金 1 I -1 8- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (17 ) 丨 1 鼷 導 電 膜 層 佈 線 後 所 形 成 並 黏 著 於 邊 牆 等 之 沉 積 聚 合 物 1 1 I 除 去 » 而 不 會 對 金 屬 導 電 膜 造 成 腐 蝕 0 清 潔 處 理 之 後 > 用 上 迷 糸 統 進 行 純 水 清 潔 9 繼 予 乾 煉 /·—S 請 J 處 理 〇 九 閱 ik J 背 1 在 第 —' 形 態 之 情 形 > 所 規 定 之 半 導 體 裝 置 是 藉 經 如 此 之 1 經 過 清 潔 之 盲 孔 將 在 絕 緣 膜 之 下 方 層 上 所 形 成 而 供 佈 線 意 1 事 1 之 金 羼 導 電 膜 層 連 接 於 該 絕 緣 膜 上 方 層 上 之 金 羼 導 電 膜 項 再 1 丄 層 〇 在 第 二 形 態 之 情 形 中 » 所 規 定 之 半 専 體 裝 置 是 在 金 填 寫 本 衣 麋 導 電 膜 之 佈 線 在 該 項 清 潔 之 後 9 形 成 叠 積 各 絕 緣 層 並 頁 1 I 完 成 金 屬 佈 線 而 製 得 0 1 | 根 據 本 發 明 生 產 半 導 體 裝 置 用 之 清 潔 液 9 使 能 輕 易 清 1 除 在 半 導 體 裝 置 生 產 程 序 中 乾 蝕 刻 所 形 成 之 沉 積 聚 合 物 1 訂 1 I 尤 其 是 形 成 黏 著 於 盲 孔 之 內 與 週 邊 之 沉 積 聚 合 物 9 Μ 及 在 金 靥 導 電 膜 層 佈 線 後 形 成 並 黏 著 於 邊 牆 之 沉 積 聚 合 1 1 物 > 而 不 致 造 成 金 羼 膜 的 腐 蝕 〇 1 | 根 據 本 發 明 生 產 半 導 體 裝 置 之 方 法 > 因 為 沉 積 聚 合 物 1 已 在 盲 孔 形 成 步 驟 中 被 確 實 清 除 > 盲 孔 附 近 » 特 別 是 在 1 包 括 S0G 層 的 絕 緣 層 所 形 成 的 盲 孔 9 不 受 污 染 而 被 清 潔 1 I 因 而 使 金 臑 佈 線 能 夠 充 份 連 接 形 成 高 品 質 高 可 靠 I 1 性 的 半 導 體 裝 置 0 在 形 成 金 屬 佈 線 之 步 驟 中 » 在 導 電 膜 1 1 邊 牆 的 沉 積 聚 合 物 > 迄 今 曾 難 予 清 除 者 ， 已 可 輕 易 除 1 I 去 因 而 確 保 無 所 腐 蝕 及 清 淨 佈 線 9 形 成 高 品 質 和 高 可 1 i 靠 性 半 導 體 裝 置 〇 1 [ K 下 所 述 > 本 發 明 將 參 照 實 施 例 作 更 詳 盡 之 說 明 » 然 1 I -19- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( νδ ) 1 而 並 非 對 本 發 明 作 為 限 制 Ο 1 宵 旅 例 1 第 1 圖 為 一 說 明 圖 9 表 示 在 此 實 施 例 中 生 産 半 導 體 裝 /--V 請 J 先 1 置 之 程 序 〇 閲 讀 (1 )盲孔之形成 背 * 1 I 之 如 第 1 ( a) 圖 所 示 9 在 一 表 面 被 氣 化 之 矽 晶 圓 上 接 绩 形 注 意 1 1 成 —- A1 -S i - Cu 合 金 層 1 9 其 厚 度 為 0 . 5 微 米 » __- T i N 層 項 * 1 2 9 厚 度 5 0〇I (埃>， 作 為 防 反 射 層 » 和 一 絶 緣 膜 層 3 9 丹 填 寫 本 —I 装 I 包 含 C VD 氧 化 矽 膜 » 厚 0 . 8 微 米 9 其 中 包 含 經 摻 雜 之 頁 I C VD 氣 化 矽 膜 和 未 經 摻 雜 之 C VD 氧 化 矽 膜 〇 1 ⑵ 形 成 狙 層 圖 樣 1 1 | 在 步 驟 ⑴ 包 含 —- C VD 氧 化 矽 膜 的 絶 緣 膜 層 3 上 f 置 —- 1 訂 正 阻 層 4 9 厚 度 1 . 0 微 米 如 第 1(b) 圖 所 示 〇 然 後 9 各 層 1 經 設 定 光 罩 以 投 射 方 法 曝 於 紅 外 光 作 選 擇 性 照 射 9 加 熱 1 I 於 11 (TC 歷 9 〇秒鐘， 接受用2 .38；Κ 四 甲 基 銨 氫 氣 化 (THAH) 1 I 水 溶 液 作 顯 像 處 理 9 用 水 洗 並 予 乾 燥 9 使 成 有 一 開 Π 之 1 1 咀 層 式 樣 » 如 第 1 ( C ) 圔 所 示 Ο % | ⑶ 乾 蝕 刻 處 理 1 1 用 得 白 步 驟 ⑵ 之 阻 層 式 樣 作 為 光 罩 9 將 绝 緣 膜 層 接 受 1 1 乾 蝕 刻 處 理 9 條 件 如 下 9 以 形 成 如 第 1(d) 圖 所 示 之 盲 孔。 1 I 乾 蝕 刻 條 件 1 1 平 行 平 板 型 RI E 9 處 理 壓 力 7 5 0 毫 托 爾 (aTo Γ r )， 3 0 0 1 瓦 RF電 源 > CH F Ξ i人 C F ^ t和A Γ之混合氣體， 處理時間1 52 1 秒 Ο 1 1 ⑷ 用 氣 電 漿 作 灰 化 處 理 1 1 -2 0- 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（19 ) 1 1 在 步 驟 ⑶ 中 經 過 乾 蝕 刻 處 理 後 之 阻 層 式 樣 被 用 氧 於 1 1 I 1 70 υ 歷 180 秒 作 灰 化 處 理 而 清 除 〇 從 第 1 ( c )圖 所 示 9 可 見 灰 化 處 理 後 之 情 形 ， 可 以 認 出 沉 積 聚 合 物 5 黏 著 於 /--S 請 £ Ί CVD 氧 化 矽 膜 之 邊 牆 〇 閱 ik J 背 1 (5) 清 潔 處 理 之 J 在 步 驟 ⑷ 中 經 過 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 之 裝 置 9 在23υ 注 意 1 1 事 1 接 受 3 分 鐘 之 清 潔 處 理 9 所 用 清 潔 液 含 有 8 重 量 % 之 氟 項 再 1 填 化 数 > 1 重 量 % 之 丙 酸 5 重 量 % 之 四 甲 基 銨 甲 酸 鹽 寫 苯 40重 量 X 二 甲 基 甲 醸 胺 (DFM) 0 • 1重 童 % 之 非 離 子 表 面 頁 1 I 活 化 劑 EP -120A [聚 (氧化乙烯）苯基酯 t Da i - 1 C hi Κ 〇 y go I Se iy a k 11公司產製]和 45 .9重 量 % 之 水 t 繼 用 水 洗 並 予 乾 1 燥 〇 狀 況 如 第 1 (f)圖所示 〇 1 訂 從 第 1 (f )圖可見黏著於CVD 氧 化 矽 膜 邊 牆 之 沉 積 聚 合 1 I 物 已 被 完 全 清 除 9 而 且 邊 牆 已 被 清 潔 〇 1 1 (6) 金 靥 膜 之 黏 合 1 I 最 後 t 一 個 次 層 金 羼 膜 之 A 1 -S i - Cu 層 經 過 在 步 驟 (5) 中 1 已 被 清 潔 之 盲 孔 被 黏 合 至 上 層 金 鼷 膜 之 A 1 -S 1 - C u 層 而 製 1 成 一 半 導 體 裝 置 〇 1 I 常 例 2 罕 4 -1— 參 考 例 和 比 1 例 1 1 在 實 胞 例 1 - ⑷ 步 驟 中 已 經 接 受 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 之 1 1 裝 置 9 使 接 受 化 學 組 成 如 表 1 所 示 之 清 潔 液 作 清 潔 處 理 1 I f 其 條 件 亦 給 於 表 1 9 繼 予 水 洗 並 予 乾 燥 〇 然 後 評 估 沉 1 1 積 聚 合 物 之 可 清 除 性 和 腐 蝕 抑 制 性 9 所 依 據 標 準 如 下 〇 1 I 结 果 見 於 表 1 〇 1 I -21- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（2〇 ) ◎:沉積聚合物完全清除，或腐蝕完全被抑制0 Δ ：察覺稍有殘存沉積聚合物，或稍有腐蝕抑制作用*» X:察覺有殘存沉積聚合物，或未見有腐蝕抑制作用。 J-----.----'笨---.--^——訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

A 明説 明發 比較例2 比較例1 參考例 實陁例5 實胞例4 實施例3 實施例2 實施例1 〇〇 〇〇 — 1~^ cn 〇〇 〇〇 ii m WP icr w鵁 1 1 丙酸 硼酸 乙酸 異丁酸 酞酸酐 丙酸 激 πβπ . 1 有機羧酸 1 1 〇 ro 〇 〇〇 〇 1—* 〇 to 〇 1—* ㈠ (重量:《 ) 二甲基甲酿胺 1 1 二甲基甲醯胺 二甲基甲釀胺 二甲基甲醯胺 二甲基甲醯胺 二甲基甲醯胺 甲醯胺 二甲基甲醯胺 ry tn>K> m ΜΛ 有機溶劑 CO σ> CO 4^ CO tn (重量％ ) 谢一丨一SS雜蒗薛a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 五、發明説明 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 S 3TMAF:13书脚筇,薄|8 (2) TMBC:s-fflitl$(N隳豳 (3) ΕΡ-120Α: ι-ητ雜^s^Blffi-ibll,资aNlsMiitjl, Dai-ichi kogyo seiyaku>>al涯。 比較例2 比較例1 參考例 實胞例5 實施例4 實施例3 實施例1 1 TMAF TMAF 1 ΤΜΒΟ2) ΤΜΑΓ TMAF THAF。） Λ ΓΠΠΠ m μΑ m 1 cn 1 ΟΊ (重量3!) 1 雜 1 1 EP-120A 1 1 ΕΡ-120Α -1 EP-120A ΕΡ-120Α Ερ-120Α (3) Μ (non 翘 姍 Bi ΓΓ ΊΜ % 爸 1 g 1 〇 1 1 〇 〇 Ο Η-* ο (重量ϋ；) 2310，10 分鐘 2310，10 分鐘 23C , 10分鐘 23C, 10分鐘 1 23它，3分鐘 23Ό, 3分鐘 23^, 3分鐘 23C, 3分鐘 清潔條件 ◎ X ◎ 〇 〇 Ο ◎ α *F5y 清除性 沉積聚 A4n n f X 0 〇 ◎ ◎ Ο Ο 夺P $ Μ i 材料腐 4fh &rl »1—2 I ； J 「妓 - ' 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (25 ) 1 1 宵 例 5 1 1 I 重 複 實 施 例 1 之 程 序 但 用 鎢 層 和 T i N 層 代替 A 1 -S i -Cu 1 層 〇 结 果 與 實 施 例 1 中 者 相 同 〇 請 1 先 1 m 例 閲 讀 J 背 1 實 施 例 1 至 4 之 程 序 各 白 重 複 實 施 » 但 用氧 電 漿 灰 Λ 之 1 化 處 理 是 進 行 於 170 t：, 歷1 8 0秒 作 為 第 一 步 驟， 繼 用 含 意 京 1 | 10容 積 % CF 4 餘 為 氧 之 混 合 氣 體 電 漿 於 1 7 0 υ作灰化處 甲 項 再 1 α 聚合 物 被 填 理 2 . 5 秒 0 如 同 在 實 施 例 1 中 之 情 形 $ 沉 積 完 寫 本 本 全 清 除 於 清 潔 步 驟 f 而 且 曾 被 聚 合 物 黏 著 之 位置 已 被 清 頁 s_^ 1 | 除 0 1 1 宵 旃 例 7 1 第 2 圖 為 一 說 明 圖 表 示 本 實 施 例 生 產 半 導 體之 程 序 〇 1 訂 1 I ⑴ 形 成 金 靥 導 電 膜 層 如 第 2(a) 圖 所 示 t 在 矽 晶 圓 上 側 上 之 C VD 氧化 矽 膜 11 1 1 上 接 續 形 成 一 Τι N 層 12 t 厚 度 500 A 一 濺 鍍 鎢層 13 » 厚 1 I 度 1 500 A 一 CVD 鎢 層 14 9 厚 度 1 500 A 和 T i N 層 15作 1 1 為 防 反 射 層 y 厚 度 1 500 A 〇 I ⑵ 形 成 阻 層 式 樣 1 I 在 上 一 步 驟 ⑴ 中 T i N 層 15上 設 置 一 正 阻 層 16 , 厚 度 I 1 1 . 0 微 米 > 如 第 2(b) 圖 所 示 〇 然 後 > 各 層 被 曝於 紅 外 光 1 1 用 投 射 法 經 已 設 之 光 罩 作 選 擇 性 昭 八、、 射 » 在 11 ο υ熱處理 1 I 90秒 > 接 受 用 2 . 38¾之四甲基妓化氫氧（TMAH)之水溶液 1 1 作 顯 影 處 理 t 用 水 洗 並 予 乾 燥 而 形 成 如 第 2 ( c ) Μ 所 示 之 1 } 阻 層 式 樣 〇 1 I -25- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4^ ( 210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（24) (3)乾蝕刻處理 用得自步驟⑵之阻層式樣作為光罩，使導電層接受乾 蝕刻，所處理條件如下，形成如第2(d)圖之金羼佈線。 乾蝕刻條件： ECR (電子加速共振） ① 處理壓力：10毫托爾，微波入射電流：300毫安培； ϋ F電源：2 5瓦，C 1 2 ,處理時間：1 0秒 ② 處理壓力：10毫托爾，微波入射電流：350毫安培； RF電源：20瓦，混合氣體： （C12/SF6), 處理時間：25秒 ③ 處理壓力：10毫托爾，微波入射電流：350毫安培； R F電源：5 0瓦，C 1 2，處理時間：2 5秒。 ⑷用氧電漿作灰化處理 在步驟（3)中經乾蝕刻處理後之阻層式樣被用氧於170¾ 作灰化處理180秒而清除。如從第2(e)圖所見，表示灰 化處理後之情形，可認出在絕緣膜上並黏著於CVD氧化 矽膜之邊牆。 (5)清潔處理 在Μ上步驟⑷中用氧電漿使接受灰化處理之裝置，接 受如實胞例1-(5)相同狀況之清潔處理，繼予水洗並乾煉 。情況如第2 ( f )圖所示。 從第2(f)圖可見黏著於導電膜邊牆之沉積聚合物被完 全清除，而且邊牆被清潔。 ⑹形成層叠之絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n- - Λ, n 1—L· mu 1 '息"u i I - I 一 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 _______B7____ 五、發明説明（25) 最後，一種叠層之絕緣膜被形成，而且完成金屬佈線 而製成標的物半導體裝置。 g 例 8 重複實施例7 -⑷之程序，但用氧電漿灰化處理是於 170C進行180秒作為第一步驟，繼用10容積$ 2CF4而 餘為氧之混合氣體電漿於170C作2.5秒之灰化處理。如 同實施例1之情況，沉積聚合物被完全清除於清潔步驟 ,而曾被聚合物黏著之位置被清潔。 奮life例9 第3圖為一說明圖表示此實胞例生產半導體裝置之程 序。 ⑴形成之金靥導電膜層 如第3(a)圖所示，在一矽晶圓上側之CVD氧化矽膜上 接鑛形成一濺鍍鎢層22,厚度500$; — CVD $自層23,厚

度 1000& , — A1-S卜 Cu 合金羼 24,厚度 500〇1;和一 TiN 層25,厚度50〇1作為防反射層。 ⑵形成阻層式樣 在上項⑴中之TiN層25上置一正阻層26,厚度1.6微 米，如第3(b)圖所示。然後，各層被用投射方法經過設 定之光罩曝於紅外光被作選擇性照射，加熱處理於11 0 υ 歷90秒，接受用2.385：四甲基銨化氫氧（ΤΜΑη)水溶液之 顯影處理，水洗並乾燥而形成如第3(c)圖所示之阻層式 樣。 ⑶乾蝕刻處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（26 ) 用獲自步驟⑵之阻層式樣作為光罩，使導電層接受在 下列條件下之乾蝕刻，Μ形成金靥佈線如第3 ( d )圖所示。 乾蝕刻條件： ECR (電子加速共振） ① 處理壓力：8毫托爾，微波入射電流：250毫安培； RF電源：20瓦，混合氣體：（BC13/SF6), 處理時間：9秒， ② 處理壓力：8毫托爾，微波入射電流：320毫安培； RF電源：60瓦，混合氣體：（BC13/C12), 處理時間：30秒 ③ 處理壓力：9毫托爾，微波入射電流：250毫安培； RF電源：20瓦，混合氣體：（BC13/SF6), 處理時間：25秒 ⑷用氧電漿作灰化處理 阻層式樣在步驟（3)之乾鈾刻處理後，被用氧於17〇υ 作灰化處理180秒而被清除。如從第3(e)圖可見，表示 灰化處理後之狀況，辨認出金靥導電膜邊牆上所黏著之 沉積聚合物27。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ⑸清潔處理 在上項步驟⑷用氧電漿作灰化處理過之裝置，Μ與實 施例1-⑸相同之情況接受清潔處理，繼用水洗並予乾燥 。情況見第3 (f)圖。 從第3(f)圖可見黏著於導電膜邊牆上之沉稹聚合物27 已完全清除，而且邊牆已被清潔。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（，？） ⑹形成層叠之絶緣膜 最後，形成叠層之絶緣膜，而且完成金羼佈線，製成 標的物半導體裝置。 奮施例1 0 重複實施例9-⑷之程序，但用氧電漿灰化處理，而 氧電漿作灰化處理進行於17Q°C歷180秒作為第一步驟， 繼用10容積X之CF4及餘額之氧氣成混合氣體之電漿， 於1 7 (TC作灰化處理2 .5秒。如實施例1之狀況，沉積聚 合物已完全清除於清潔步驟，曽被沉積聚合物黏箸之位 置B被清潔。 1-1 1! HH —I— i M^HI _ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印$L -29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 以年「月I， 修正補充 (I) 六、申請專利範圍 第86111001號「製造半導體裝置之清潔液及用以製造半導 體裝置之方法」專利案 (88年1月13日修正） 巧申請專利範圍： 1. 一種生産半導體裝置之清潔水溶液，包含：（A)含氟 化合物；（B)水溶性或水可混合之有機溶劑；以及 (C)無機酸及/或有機酸。 2. 如申請專利範圍第1項生産半導體裝置之清潔水溶液 ,另含有（D),由通式（I)所代表之季銨鹽 [(R1 )3 H-R2 ]a Xa 其中R1為具有1至4個碩原子之烷基，三値R1可為 相同或不同，R2為具有1至4個碩原子之烷基或羥 烷基，而Xa~為無機或有機陰離子，其中a為該陰離 子之價數。 3.如申請專利範圍第1項生産半導體裝置之清潔水溶液 ,另含有（D’），至少一種選自由通式U)所代表之有 機羧酸銨鹽和有機羧酸胺鹽之基 (R3 ) η ] 其中Ζ為氫原子或單至四價烴基，具有1至18值硝原 子，R3為具有1至4個碩原子之烷基或具有2至4 値磺原子之羥烷基；η為0至3之整數，為1至4 之整數，如有多舾R3 ,則可為相同或不同者。 4.如申請專利範圍第2項生産半導體裝置之清潔水溶液 -1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） --^-------- I裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消費合作社印裂 -[COONH 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 穴、申請專利範 圍 1 1 1 另 含 (E) 表 面 活 化 劑 Ο 1 5 .如 申 請 專 利 範 圍 第 3 項 生 産 半 導 體 裝 置 之 清 潔 水 溶 液 1 1 • 另 含 (E) 表 面 活 化 劑 〇 ✓—v I 請 1 I 6 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1、 2 、 3、 4 或S 項生産半導體裝 閱 1 1 讀 1 置 之 清 潔 水 溶 液 9 其 中 之 無 機 酸 為 硼 酸 或 酸 〇 背 1 1 之 1 7 . — 種 生 産 半 導 體 裝 置 之 方 法 » 包 含 各 步 驟 為 : 形 成 預 注 意 1 I 定 之 阻 層 式 樣 於 半 導 體 基 質 上 » 其 表 面 已 設 有 —» 絕 緣 事 項 1 Λ_ 再 膜 層 者 ； 利 用 該 阻 層 式 樣 作 為 光 罩 9 以 乾 蝕 刻 形 成 盲 填 寫 本 1 裝 I 孔 ; 然 後 用 氣 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 阻 層 剝 除 劑 作 濕 處 t 1 理 而 能 有 效 除 去 該 阻 層 式 樣 以 及 隨 用 請 專 利 範 圍 1 第 1、 2 3、 4 或5 項所示清潔液作有效之清潔處理。 1 1 8 .如 申 請 專 利 範 圍 第 7 項 生 産 半 導 體 裝 置 之 方 法 * 其 中 1 訂 該 清 潔 處 理 步 驟 有 效 清 除 形 成 並 黏 著 於 盲 孔 之 内 或 週 1 | 邊 之 沉 積 聚 合 物 〇 1 I 9 .如 請 專 利 範 圍 第 7 項 生 産 半 導 體 裝 置 之 方 法 9 其 中 1 該 清 潔 處 理 步 驟 有 效 清 除 形 成 並 黏 箸 於 盲 孔 之 内 或 週 線 邊 之 沉 積 聚 合 物 $ 該 盲 孔 形 成 於 包 括 SOG (Sp i η 0 η 1 1 G 1 a s S · 在 玻 璃 上 旋 轉 塗 複 )層之絕緣層中。 1 I 10 . 一 種 生 産 半 導 體 裝 置 之 方 法 * 包 含 各 步 驟 為 形 成 1 1 I 預 定 之 阻 層 式 樣 於 半 導 體 基 質 上 9 其 表 面 已 設 有 一 金 1 靨 導 電 膜 層 者 利 用 該 阻 層 式 樣 作 為 光 罩 ♦ 以 乾 蝕 刻 1 1 形 成 金 屬 佈 線 然 後 用 氧 電 漿 作 灰 化 處 理 或 用 阻 層 剝 1 I 除 劑 作 濕 處 理 有 效 除 去 該 -2 阻 層 式 樣 以 及 随 後 用 申 請 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 專利範圍第1、2、3、4或5項所示之清潔液之清潔 其鈦至 中牆 其化 其化 ，、之 其邊 ·氟 .氟 法鈦中 法/層 法或 法或 方、組 方膜 方氣 方氣 之金一 之電 之氟 之氟 置合金 置導 置入 置入 裝鎢合 裝於 裝加 裝加 體 、鉛 體著 體中 體中 導鐘和 導黏 導氣 導氣 半自鋁 半並 半氣 半氣 産選、 産成 産在 産在 生括鈦 生形 生以 生以 項包化 項除 項是 項是 10為氡10清 7 理10理 第.、 第效 第處 第處 圍層金 圍有 圍化 圍化 範膜合 範以。範灰 範灰 。利電 _ 利是物利作。利作 0 效專導 \ 專理合專漿效專漿效 奏請颶鈦。請處聚請電奏請電奏 而申金 、種申潔積申氧而申氧而 理如之金一 如清沉如用物如用物 處.中合少 .該之 .中合 ♦中合 i I裝------訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）