CN101597548A - 一种等离子刻蚀残留物清洗液 - Google Patents

一种等离子刻蚀残留物清洗液 Download PDF

Info

Publication number
CN101597548A
CN101597548A CNA2008100386957A CN200810038695A CN101597548A CN 101597548 A CN101597548 A CN 101597548A CN A2008100386957 A CNA2008100386957 A CN A2008100386957A CN 200810038695 A CN200810038695 A CN 200810038695A CN 101597548 A CN101597548 A CN 101597548A
Authority
CN
China
Prior art keywords
washing liquid
plasma etching
residual washing
etching residual
ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100386957A
Other languages
English (en)
Inventor
刘兵
彭洪修
彭杏
于昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Anji Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CNA2008100386957A priority Critical patent/CN101597548A/zh
Priority to CN200980121263.5A priority patent/CN102047184B/zh
Priority to PCT/CN2009/000623 priority patent/WO2009146606A1/zh
Publication of CN101597548A publication Critical patent/CN101597548A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • C11D2111/22—

Abstract

本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其特征在于：其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。本发明的等离子刻蚀残留物清洗液可以有效地清洗金属和半导体制造过程中产生的等离子刻蚀残留物，并且可以使金属晶圆在清洗时金属细线比较光滑；其可以在一个温度比较大的范围内发挥作用，同时还保持较小的金属和电介物质刻蚀率；其在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀；其清洗能力强，且具有较大的操作窗口。

Description

一种等离子刻蚀残留物清洗液
技术领域
本发明涉及一种半导体制造工艺中的清洗液，具体涉及一种等离子刻蚀残留物清洗液。
背景技术
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分；第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻层，其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/去离子水漂洗。在这个过程中只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。
现有技术中典型的清洗液有以下几种：胺类清洗液，半水性胺基(非羟胺类)清洗液以及氟类清洗液。其中前两类清洗液需要在高温下清洗，一般在60℃到80℃之间，存在对金属的腐蚀速率较大的问题；而现存的氟类清洗液虽然能在较低的温度(室温到50℃)下进行清洗，但仍然存在着各种各样的缺点，例如不能同时控制金属和非金属基材的腐蚀，清洗后容易造成通道特征尺寸的改变，从而改变半导体结构；另一方面由于其较大蚀刻速率，清洗操作窗口比较小等。专利US 6,828,289公开的清洗液组合物包括：酸性缓冲液、有机极性溶剂、氟化物和水，且PH值在3～7之间，其中的酸性缓冲液由有机羧酸或多元酸与所对应的铵盐组成，组成比例为10∶1至1∶10之间。如专利US 5,698,503公开了含氟清洗液，但大量使用乙二醇，其清洗液的粘度与表面张力都很大，从而影响清洗效果。如专利US 5,972,862公开了含氟物质的清洗组合物，其包括含氟物质、无机或有机酸、季铵盐和有机极性溶剂，PH为7～11，由于其清洗效果不是很稳定，存在多样的问题。
因此尽管已经揭示了一些清洗液组合物，但还是需要而且近来更加需要制备一类更合适的清洗组合物或体系，适应新的清洗要求，比如环境更为友善、低缺陷水平、低刻蚀率以及较大操作窗口。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了克服在半导体制造工艺中的清洗过程中，传统的胺类清洗液和半水性胺基清洗液需要在高温下清洗而对金属的腐蚀率较大，现存的含氟类清洗液清洗后又容易造成通道特征尺寸的改变并且清洗操作窗口比较小，而提供了一种安全、健康和有效的等离子刻蚀残留物清洗液。
本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。
其中，所述的羟基叔胺的重量百分比较佳的为0.1％～20％；所述的羟基伯胺的重量百分比较佳的为0.01％～5％，更佳的为0.1％～1％；所述的溶剂的重量百分比较佳的为30％～75％；所述的水的重量百分比较佳的为15％～65％；所述的氟化物的重量百分比较佳的为0.1％～20％；所述的螯合剂的重量百分比较佳的为0.1％～20％，更佳的为1％～10％。
本发明中，所述的羟基叔胺较佳的为N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种，优选三乙醇胺；所述的羟基伯胺较佳的为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺和二甘醇胺中的一种或多种，优选单乙醇胺。
本发明中，所述的溶剂可为本领域等离子刻蚀残留物清洗液中常用溶剂，较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。
其中，所述的亚砜优选为二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜优选为甲基砜、乙基砜和环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮优选为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮优选为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮优选为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺优选为二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺；所述的醚优选为乙二醇单烷基醚、二乙二醇单烷基醚、丙二醇单烷基醚、二丙二醇单烷基醚和三丙二醇单烷基醚中的一种或多种。
其中，所述的乙二醇单烷基醚优选为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚和乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的二乙二醇单烷基醚优选为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和二乙二醇单丁醚中的一种多种；所述的丙二醇单烷基醚优选为丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚和丙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的二丙二醇单烷基醚优选为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚和二丙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的三丙二醇单烷基醚优选为三丙二醇单甲醚。
本发明中，所述的氟化物可为本领域含氟类清洗液中常用氟化物，较佳地为氟化氢(HF)、氟化氢铵(NH4HF2)、氟化氢与碱形成的盐。其中，所述的碱较佳的为氨水、季胺氢氧化物和醇胺中的一种或多种；所述的氟化氢与碱形成的盐优选氟化铵(NH4F)、四甲基氟化铵(N(CH3)4F)和三羟乙基氟化铵(N(CH2OH)3HF)中的一种或多种。
本发明中，所述的螯合剂为本领域等离子刻蚀残留物清洗液中常用螯合剂，通常指具有螯合金属离子功能的化合物，如草酸和柠檬酸等。较佳的，本发明的螯合剂选择含有氮原子的多官能团的有机物，如多氨基有机胺和/或氨基酸。
其中，所述的多氨基有机胺优选为二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种，更优选五甲基二乙烯三胺；所述的氨基酸优选为2-氨基乙酸、2-氨基苯甲酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和乙二胺四乙酸中的一种或多种，更优选亚氨基二乙酸。所述的螯合剂最优选多氨基有机胺和氨基酸的复配螯合剂，如亚氨基二乙酸和五甲基二乙烯三胺的复配螯合剂，氨三乙酸和五甲基二乙烯三胺的复配螯合剂，或亚氨基二乙酸和二乙烯三胺的复配螯合剂。
本发明的清洗液还可含有其他本领域的常规添加剂，如金属铝铜的腐蚀抑制剂(如苯并三氮唑)。
本发明所用的试剂及原料均市售可得。
本发明的等离子刻蚀残留物清洗液可以由上述成分简单均匀混合即可制得。
本发明的等离子刻蚀残留物清洗液适用较大范围的使用温度，一般在室温到55℃范围内，且适用于多种清洗方式，如批量浸泡式(wet Batch)、批量旋转喷雾式(Batch-spray)和单片旋转式清洗。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明的清洗液可以有效地清洗金属和半导体制造过程中产生的等离子刻蚀残留物，而且不会侵蚀SiO2、离子增强四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、硅，低介质材料和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)，可以使金属晶圆(Metal wafer)在清洗时，金属细线比较光滑。
(2)本发明的清洗液能在一个温度比较大的范围内发挥作用，一般在室温到55℃范围内，同时，本发明的清洗液还保持较小的金属和电介物质刻蚀率。
(3)本发明的清洗液在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀。
(4)本发明的清洗液清洗能力强，能同时对金属线(Metal)/通道(Via)/金属垫(Pad)晶圆清洗。
(5)本发明的清洗液具有较大的操作窗口，能适用于批量浸泡式(wetBatch)/批量旋转喷雾式(Batch-spray)/单片旋转式(single wafer tool)处理器中。
附图说明
图1为未清洗金属晶圆清洗的SEM图片。
图2为对比实施例进行金属晶圆清洗后的SEM图片。
图3为实施例33对金属晶圆清洗的SEM图片。
具体实施方式
下面用实施例来进一步说明本发明，但本发明并不受其限制。
实施例1～29
表1为实施例1～29，将每一实施例中的各组分简单混匀即可得等离子刻蚀残留物清洗液。
表1等离子刻蚀残留物清洗液实施例1～29
Figure A20081003869500091
Figure A20081003869500111
Figure A20081003869500131
实施例30
N-甲基吡咯烷酮60wt％；去离子水28wt％；氟化铵1.5wt％；苯并三氮唑(BTA)0.3wt％；亚氨基二乙酸1wt％；二乙烯三胺3wt％；三乙醇胺5.2wt％；单乙醇胺1wt％。
实施例31
N-甲基吡咯烷酮60wt％；去离子水28wt％；氟化铵1.5wt％；柠檬酸0.3wt％；亚氨基二乙酸3wt％；二乙烯三胺3wt％；三乙醇胺3.2wt％；单乙醇胺1wt％。
实施例32
N-甲基吡咯烷酮60wt％；去离子水28wt％；氟化铵1.5wt％；草酸0.05wt％；亚氨基二乙酸3wt％；二乙烯三胺3wt％；三乙醇胺3.2wt％；单乙醇胺1.25wt％。
效果实施例
为了进一步体现本发明的效果，选用了实施例33～35和对比实施例进行了金属铝、铜和非金属TEOS的腐蚀速率测试，实施例33和对比实施例配方的金属晶圆清洗效果见图2和图3。
溶液的金属腐蚀速率测试方法：
1)利用Napson四点探针仪测试4*4cm铝空白硅片的电阻初值(Rs1)；
2)将该4*4cm铝空白硅片浸泡在预先已经恒温到35℃的溶液中30分钟；
3)取出该4*4cm铝空白硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Napson四点探针仪测试4*4cm铝空白硅片的电阻值(Rs2)；
4)重复第二和第三步再测试一次，电阻值记为Rs3；
5)把上述电阻值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。
溶液的非金属腐蚀速率测试方法：
1)利用Nanospec6100测厚仪测试4*4cm PETEOS硅片的厚度(T1)；
2)将该4*4cmPETEOS硅片浸泡在预先已经恒温到35℃的溶液中30分钟；
3)取出该4*4cmPETEOS硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Nanospec6100测厚仪测试4*4cmPETEOS硅片的厚度(T2)；
4)重复第二和第三步再测试一次厚度记为T3；
5)把上述厚度值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。
表2  实施例33-35和对比实施例配方对比
Figure A20081003869500141
结论：
从表2中可以看出，采用醇伯胺和醇叔胺复配的方式，在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀。对比实施例和实施例33其金属晶圆清洗的结果见图2和图3。
从图1中可以看出未清洗金属晶圆金属线上有较多的光阻残留物。图2表明：虽然对比实施例也能清洗金属晶圆上的光阻残留物，但金属细线表面比较粗，有一些凹坑。图3表明本发明的清洗液不仅能清洗金属晶圆上的光阻残留物，同时金属细线表面比较光滑。从而有利于提高半导体器件的性能。
综上，本发明的清洗液在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀；且其不仅能清洗金属晶圆上的光阻残留物，同时金属细线表面比较光滑，有利于提高半导体器件的性能。

Claims (19)

1、一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其特征在于：其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。
2、如权利要求1所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的清洗液由下述成分组成：溶剂、水、氟化物、螯合剂、羟基叔胺和羟基伯胺。
3、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的羟基叔胺的重量百分比为0.1％～20％。
4、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的羟基伯胺的重量百分比为0.01％～5％。
5、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的溶剂的重量百分比为30％～75％。
6、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的水的重量百分比为15％～65％。
7、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的氟化物的重量百分比为0.1％～20％。
8、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的螯合剂的重量百分比为0.1％～20％。
9、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的羟基叔胺为N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。
10、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的羟基伯胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
11、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。
12、如权利要求11所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的亚砜为二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、乙基砜和环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺；所述的醚为乙二醇单烷基醚、二乙二醇单烷基醚、丙二醇单烷基醚、二丙二醇单烷基醚和三丙二醇单烷基醚中的一种或多种。
13、如权利要求12所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的乙二醇单烷基醚为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚和乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的二乙二醇单烷基醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和二乙二醇单丁醚中的一种多种；所述的丙二醇单烷基醚为丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚和丙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的二丙二醇单烷基醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚和二丙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的三丙二醇单烷基醚为三丙二醇单甲醚。
14、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的氟化物为氟化氢、氟化氢铵和氟化氢与碱形成的盐中的一种或多种。
15、如权利要求14所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的碱为氨水、季胺氢氧化物和醇胺中的一种或多种。
16、如权利要求14所述的等离子蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的氟化氢与碱形成的盐为氟化铵、四甲基氟化铵和三羟乙基氟化铵中的一种或多种。
17、如权利要求1或2所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的螯合剂为多氨基有机胺和/或氨基酸。
18、如权利要求17所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的多氨基有机胺为二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种；所述的氨基酸为2-氨基乙酸、2-氨基苯甲酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和乙二胺四乙酸中的一种或多种。
19、如权利要求17所述的等离子刻蚀残留物清洗液，其特征在于：所述的螯合剂为亚氨基二乙酸和五甲基二乙烯三胺的复配螯合剂，氨三乙酸和五甲基二乙烯三胺的复配螯合剂，或亚氨基二乙酸和二乙烯三胺的复配螯合剂。
CNA2008100386957A 2008-06-06 2008-06-06 一种等离子刻蚀残留物清洗液 Pending CN101597548A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100386957A CN101597548A (zh) 2008-06-06 2008-06-06 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN200980121263.5A CN102047184B (zh) 2008-06-06 2009-06-03 一种等离子刻蚀残留物清洗液
PCT/CN2009/000623 WO2009146606A1 (zh) 2008-06-06 2009-06-03 一种等离子刻蚀残留物清洗液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100386957A CN101597548A (zh) 2008-06-06 2008-06-06 一种等离子刻蚀残留物清洗液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101597548A true CN101597548A (zh) 2009-12-09

Family

ID=41397714

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100386957A Pending CN101597548A (zh) 2008-06-06 2008-06-06 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN200980121263.5A Active CN102047184B (zh) 2008-06-06 2009-06-03 一种等离子刻蚀残留物清洗液

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980121263.5A Active CN102047184B (zh) 2008-06-06 2009-06-03 一种等离子刻蚀残留物清洗液

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN101597548A (zh)
WO (1) WO2009146606A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102296006A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 拉姆科技有限公司 清洗组合物及用其形成半导体图形的方法
CN102827708A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827707A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN103809394A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 安集微电子科技(上海)有限公司 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
WO2015143942A1 (zh) * 2014-03-26 2015-10-01 安集微电子科技(上海)有限公司 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN106637270A (zh) * 2016-12-27 2017-05-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 干蚀刻清洗剥离防护液
WO2018099112A1 (zh) * 2016-11-29 2018-06-07 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种含氟清洗液
CN109976108A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种用于半导体的清洗液
CN112863999A (zh) * 2019-11-26 2021-05-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 刻蚀方法
CN113430069A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130088847A (ko) * 2010-07-16 2013-08-08 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭 후 잔류물을 제거하기 위한 수성 세정제
KR101964901B1 (ko) * 2013-12-06 2019-04-02 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
JP6231423B2 (ja) * 2014-04-09 2017-11-15 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
SG11202008828VA (en) 2018-03-28 2020-10-29 Fujifilm Electronic Materials Usa Inc Cleaning compositions
CN112859552B (zh) * 2021-02-04 2024-01-05 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种氧化钒缓蚀含氟剥离液的应用
CN112859553B (zh) * 2021-02-04 2023-11-10 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种氧化钒缓蚀含氟剥离液
CN112859554B (zh) * 2021-02-04 2023-11-10 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种氧化钒缓蚀含氟剥离液的制备方法
CN116218610A (zh) * 2021-12-06 2023-06-06 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种聚酰亚胺清洗液的制备方法
CN116218612A (zh) * 2021-12-06 2023-06-06 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种聚酰亚胺清洗液在清洗半导体器件中的应用
CN116218611A (zh) * 2021-12-06 2023-06-06 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种聚酰亚胺清洗液

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US8772214B2 (en) * 2005-10-14 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
CN1966636B (zh) * 2005-11-15 2011-08-03 安集微电子（上海）有限公司 清洗液组合物
CN101187788A (zh) * 2006-11-17 2008-05-28 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液
CN101187787A (zh) * 2006-11-17 2008-05-28 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102296006A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 拉姆科技有限公司 清洗组合物及用其形成半导体图形的方法
CN102827708A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827707A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN103809394A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 安集微电子科技(上海)有限公司 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN103809394B (zh) * 2012-11-12 2019-12-31 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
WO2015143942A1 (zh) * 2014-03-26 2015-10-01 安集微电子科技(上海)有限公司 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
WO2018099112A1 (zh) * 2016-11-29 2018-06-07 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种含氟清洗液
CN106637270A (zh) * 2016-12-27 2017-05-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 干蚀刻清洗剥离防护液
CN109976108A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种用于半导体的清洗液
CN112863999A (zh) * 2019-11-26 2021-05-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 刻蚀方法
CN112863999B (zh) * 2019-11-26 2023-10-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 刻蚀方法
CN113430069A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009146606A1 (zh) 2009-12-10
CN102047184B (zh) 2013-10-23
CN102047184A (zh) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102047184B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102399648B (zh) 一种含氟清洗液
JP4942275B2 (ja) 化学的機械的平坦化（ｃｍｐ）後の清浄化組成物
US6514352B2 (en) Cleaning method using an oxidizing agent, chelating agent and fluorine compound
CN101412949A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101955852A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101412948B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗剂
JP2004518819A (ja) 化学機械平坦化（ｃｍｐ）後の洗浄組成物
CN101827927B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827707A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
JPWO2006129538A1 (ja) ホスホン酸を含む半導体ウェハ洗浄用組成物及び洗浄方法
CN1966636B (zh) 清洗液组合物
CN104946429A (zh) 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN102138202B (zh) 残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法
CN101666984B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
JP2020047913A (ja) ポストエッチング残留物洗浄組成物及びその使用方法
JP4689855B2 (ja) 残渣剥離剤組成物およびその使用方法
CN101685273A (zh) 一种去除光阻层残留物的清洗液
JP2006310603A (ja) ホウ素化合物を含む半導体用洗浄液組成物及び洗浄方法
CN102051283B (zh) 一种含羟胺的清洗液及其应用
CN102827708A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN103809394A (zh) 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN101750913A (zh) 一种去除光阻层残留物的清洗液
US6864193B2 (en) Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor
KR20110078443A (ko) Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20091209