CN104946429A - 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 - Google Patents

一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 Download PDF

Info

Publication number
CN104946429A
CN104946429A CN201410116569.4A CN201410116569A CN104946429A CN 104946429 A CN104946429 A CN 104946429A CN 201410116569 A CN201410116569 A CN 201410116569A CN 104946429 A CN104946429 A CN 104946429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hydrazine
scavenging solution
mass percent
acid
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410116569.4A
Other languages
English (en)
Inventor
何春阳
刘兵
孙广胜
黄达辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201410116569.4A priority Critical patent/CN104946429A/zh
Publication of CN104946429A publication Critical patent/CN104946429A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DEGREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D11/00Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents ; Methods for using cleaning compositions
    • C11D11/0005Special cleaning and washing methods
    • C11D11/0011Special cleaning and washing methods characterised by the objects to be cleaned
    • C11D11/0023"Hard" surfaces
    • C11D11/0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DEGREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/22Light metals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127Etching organic layers
    • H01L21/31133Etching organic layers by chemical means

Abstract

本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺,(b)醇醚,(c)水,(d)螯合剂,(e)肼及其衍生物。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶,并且在能够去除金属线(metal)、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击,如金属铝,金属铜,非金属二氧化硅等。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

Description

一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
技术领域
[0001] 本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。
背景技术
[0002] 在半导体元器件制造过程中,光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来 说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进 行下一工艺步骤之前,光阻层材料的残留物需彻底除去。通常,在半导体器件的制程中使用 几十次光刻工艺,由于等离子蚀刻气体的离子和自由基引起与光刻胶的复杂化学反应,光 刻胶迅速与无机物的交联硬化,使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体 制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化 除去光阻层(PR)的大部分;第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余 的光阻层,其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/干燥。在这个过程中只能除去残留的聚合物 光阻层和无机物,而不能攻击损害金属层如铝层。
[0003] 在目前的湿法清洗工艺中,用得最多的清洗液是含有羟胺类和含氟类的清洗液, 羟胺类清洗液的典型专利有 US6319885、US5672577、US6030932、US6825156、US5419779 和 US6777380B2等。经过不断改进,其溶液本身对金属铝的腐蚀速率已经大幅降低,但该类清 洗液由于使用羟胺,而羟胺存在来源单一、易爆炸等问题。而现存的氟化物类清洗液虽然 有了较大的改进,如US5, 972, 862、US6, 828, 289等,但仍然存在不能很好地同时控制金属 和非金属基材的腐蚀,清洗后容易造成通道特征尺寸的改变;另一方面由于一些半导体企 业中湿法清洗设备是由石英制成,而含氟的清洗液对石英有腐蚀并随温度的升高而腐蚀加 剧,故存在与现有石英设备不兼容的问题而影响其广泛使用。
[0004] 尽管上述两类清洗液已经相对比较成功地应用于半导体工业,但是由于其各自的 限制和缺点,业界还是开发出了第三类的清洗液,这类清洗液既不含有羟胺也不含有氟化 物。如US598145A公开了含有有机酸和醇胺的PH在3. 5 - 7的酸性清洗液,该清洗液很快 能够去除金属层和导电介质层的光刻胶。如US6103680A公开了含有低烷基链羟基肼、水、 羧酸化合物和水溶性有机溶剂的清洗液,该清洗液对金属基本无腐蚀并且能够有效的去除 经过等离子体刻蚀后的残留物。这类既不含有羟胺也不含有氟化物的清洗液既解决了羟 胺的来源单一和安全环保方面的问题,又解决了含氟类清洗液非金属腐蚀速率不稳定的问 题。但是这类清洗液往往在使用过程中存在很大的局限性。因此尽管揭示了一些清洗液组 合物,但还是需要而且近来更加需要制备适应面更广的该类清洗液。
发明内容
[0005] 本发明的目的是为了提供一种能够去除晶圆上的光阻残留物的低成本半导体晶 圆清洗液,其不含有羟胺和氟化物;对金属和非金属的腐蚀速率较小;并与石英设备兼容。
[0006] 该新型清洗液含有:
[0007] i.醇胺,醇胺具体含量为质量百分比20-70%,优选20-60% ;
[0008] ii.醇醚,醇醚具体含量为质量百分比1-50% ;优选1-40% ;
[0009] iii. 7K,水具体含量为小于质量百分比40%,优选1-35% ;
[0010] iv.螯合剂,螯合剂具体含量为质量百分比0. 1-10%,优选0. 5-10% ;
[0011] V.肼及其衍生物,肼及其衍生物具体含量为质量百分比0. 1-15%,优选0. 2-10%。
[0012] 上述含量均为质量百分比含量,且不含有羟胺和氟化物。
[0013] 本发明中,所述的醇胺较佳的为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异 丙醇胺、乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种 或多种。醇胺的加入有利于完全去除晶圆的光阻残留物。
[0014] 本发明中,所述的醇醚较佳的为二乙二醇单烷基醚和/或二丙二醇单烷基醚。其 中,所述的二乙二醇单烷基醚较佳的为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和二乙二醇单丁 醚;所述的二丙二醇单烷基醚较佳的为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚和二丙二醇单丁 醚。所述的醇醚优选二丙二醇单烷基醚,更优选二丙二醇单甲醚中的一种或多种。所述的 醇醚比常用的有机溶剂如二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮等具有更好的清洗效果。
[0015] 本发明中,所述的螯合剂较佳的为邻苯二酚、没食子酸、对羟基苯甲酸、邻苯三酚、 5-甲氧基邻苯三酚、5-叔丁基邻苯三酚、5-羟甲基邻苯三酚、乙二胺四乙酸、反-1,2-环已 二胺四乙酸、乙二醇双(2-氨基乙基)四乙酸、柠檬酸、琥拍酸、乳酸、酒石酸、没食子酸甲酯、 1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。
[0016] 本发明中,所述的肼及其衍生物较佳的为水合肼、苯甲酰肼、乙醇肼、碳酸肼、水杨 酰肼、草酰二肼、丁二酸二酰肼、己二酸二酰肼、丙二酰肼、对肼基苯甲酸、乙酸肼中的一种 或多种。肼及其衍生物的加入有利于抑制金属(例如铝)的腐蚀;肼及其衍生物的加入还能 够有利于完全去除晶圆上的光阻残留物
[0017] 本发明中,水优选地可为去离子水,蒸馏水,超纯水,或通过其它手段去除杂质离 子的水。
[0018] 本发明的清洗液,并不含氟化物和羟胺,因而相较传统的清洗液,具有使用更安全 稳定,效果更温和的优点。
[0019] 本发明中的清洗液,可以在50°C至80°C下清洗晶圆上的光阻残留物。具体方法如 下:将含有光阻残留物的晶圆浸入本发明中的清洗液中,在50°C至80°C下浸泡合适的时间 后,取出漂洗后用高纯氮气吹干。
[0020] 本发明的技术效果在于:
[0021] 1)本发明的清洗液通过肼及其衍生物,可在有效地去除金属线(metal)、通孔 (via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物同时,实现了对金属铝和非金属腐蚀的抑制。
[0022] 2)本发明的清洗液解决了传统羟胺类清洗液中羟胺来源单一、价格昂贵、易爆炸 等问题;
[0023] 3)本发明的清洗液由于其非金属腐蚀速率较低;解决了传统氟类清洗液非金属 腐蚀速率不稳定的问题,并与目前半导体厂商普遍使用的石英清洗槽兼容。
具体实施方式
[0024] 下面通过具体实施例进一步阐述本发明的优点,但本发明的保护范围不仅仅局限 于下述实施例。
[0025] 本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的清洗液由上述成分简单均匀混合即 可制得。
[0026] 表1实施例及对比例清洗液的组分和含量
Figure CN104946429AD00051
Figure CN104946429AD00061
Figure CN104946429AD00071
[0030] 效果实施例
[0031] 为了进一步考察该类清洗液的清洗情况,本发明采用了如下技术手段:即将含有 光阻残留物的金属线(metal)晶圆、通孔(via)晶圆和金属垫(Pad)晶圆分别浸入清洗液 中,在50°C至80°C下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡10~30分钟,然后经 漂洗涤后用高纯氮气吹干。光阻残留物的清洗效果和清洗液对晶片的腐蚀情况如表2所 /Jn 〇
[0032] 表2实施例及对比例清洗液的清洗效果
Figure CN104946429AD00072
Figure CN104946429AD00081
[0035] 从表2可以看出,本发明的清洗液对含有光阻残留物的金属线(metal)晶圆、通孔 (via)晶圆和金属垫(Pad)晶圆具有良好的清洗效果,使用温度范围广,同时没有腐蚀金属 铝和非金属二氧化硅。从对比例1和实施例5可以看出,使用其它本领域常用的有机溶剂, 例如二甲亚砜时,并没有能够完全去除晶圆的光阻残留物,而使用醇醚作为溶剂,有利于光 阻残留物的去除。从对比例2和实施例8可以看出,不加入醇胺的情况下,并不能完全去除 晶圆的光阻残留物。从对比例3、对比例4和实施例11、实施例12可以看出,在其它组分完 全相同、清洗操作条件也相同的情况下,如不加入肼及其衍生物,则会产生金属铝的腐蚀; 同时可以看出,肼及其衍生物的加入能够完全去除晶圆上的光阻残留物。
[0036] 综上,本发明的积极进步效果在于:本发明的清洗液能够去除金属线(metal)、通 孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击,在半导体晶 片清洗等领域具有良好的应用前景。
[0037] 应当理解的是,本发明所述wt%均指的是质量百分含量。
[0038] 以上对本发明的具体实施例进行了详细描述,但其只是作为范例,本发明并不限 制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言,任何对本发明进行的等同修改和 替代也都在本发明的范畴之中。因此,在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和 修改,都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (11)

1. 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液,其特征在于,包含醇胺,醇醚,水,螯合 剂以及肼及其衍生物。
2. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,其中所述的醇胺的含量为质量百分比 20-70%,所述的醇醚含量为质量百分比1-50%,所述的水含量为小于质量百分比40%,所述 的螯合剂含量为质量百分比0. 1-10% ;所述的肼及其衍生物含量为质量百分比0. 1-15%。
3. 如权利要求2所述的清洗液,其特征在于,其中所述的醇胺的含量为质量百分比 20-60%,所述的醇醚含量为质量百分比1-40%,所述的水含量为小于质量百分比1-35%,所 述的螯合剂含量为质量百分比〇. 5-10% ;所述的肼及其衍生物含量为质量百分比0. 2-10%。
4. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,其中所述的醇胺为单乙醇胺、N-甲基乙醇 胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N- (2-氨基乙基)乙 醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
5. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,其中所述的醇醚为二乙二醇单烷基醚和/ 或二丙二醇单烷基醚。
6. 如权利要求5所述的清洗液,其特征在于,其中所述的二乙二醇单烷基醚为二乙二 醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和二乙二醇单丁醚;所述的二丙二醇单烷基醚为二丙二醇单甲 醚、二丙二醇单乙醚和二丙二醇单丁醚。
7. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,其中所述的螯合剂为邻苯二酚、没食子 酸、对羟基苯甲酸、邻苯三酚、5-甲氧基邻苯三酚、5-叔丁基邻苯三酚、5-羟甲基邻苯三酚、 乙二胺四乙酸、反-1,2-环已二胺四乙酸、乙二醇双(2-氨基乙基)四乙酸、柠檬酸、琥珀酸、 乳酸、酒石酸、没食子酸甲酯、1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。
8. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,其中所述的肼及其衍生物较佳的为水合 肼、苯甲酰肼、乙醇肼、碳酸肼、水杨酰肼、草酰二肼、丁二酸二酰肼、己二酸二酰肼、丙二酰 肼、对肼基苯甲酸、乙酸肼中的一种或多种。
9. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,所述的水为去离子水,蒸馏水,超纯水的 一种或多种。
10. 如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,所述的清洗液不含有羟胺和氟化物。
11. 一种如权利要求1-10任一项所述的清洗液在去除光阻残留物的应用。
CN201410116569.4A 2014-03-26 2014-03-26 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 Pending CN104946429A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410116569.4A CN104946429A (zh) 2014-03-26 2014-03-26 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410116569.4A CN104946429A (zh) 2014-03-26 2014-03-26 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
PCT/CN2015/071538 WO2015143942A1 (zh) 2014-03-26 2015-01-26 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
TW104103998A TW201536912A (zh) 2014-03-26 2015-02-06 低蝕刻的去除光阻蝕刻殘留物的清洗液以及低蝕刻的去除光阻蝕刻殘留物的清洗液應用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104946429A true CN104946429A (zh) 2015-09-30

Family

ID=54161501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410116569.4A Pending CN104946429A (zh) 2014-03-26 2014-03-26 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN104946429A (zh)
TW (1) TW201536912A (zh)
WO (1) WO2015143942A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106980239A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 东友精细化工有限公司 彩色抗蚀剂或有机膜剥离液组合物
CN107820584A (zh) * 2016-09-30 2018-03-20 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN107942625A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 江苏中德电子材料科技有限公司 一种面板行业铜制程用新型剥离液
CN107980105A (zh) * 2016-11-29 2018-05-01 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN108121175A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 安集微电子科技(上海)股份有限公司 一种含氟清洗液
CN108235741A (zh) * 2016-12-28 2018-06-29 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875090A (zh) * 2003-10-27 2006-12-06 和光纯药工业株式会社 基板用清洗剂及清洗方法
CN101760355A (zh) * 2008-12-17 2010-06-30 气体产品与化学公司 用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物
CN102968001A (zh) * 2011-09-02 2013-03-13 安集微电子(上海)有限公司 一种碱性的清洗液

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008297507A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Espo Chemical Corp 清浄化剤
CN101597548A (zh) * 2008-06-06 2009-12-09 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN103789780B (zh) * 2014-02-26 2016-06-08 苏州禾川化学技术服务有限公司 一种ic元件用碱性通用型去毛刺液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875090A (zh) * 2003-10-27 2006-12-06 和光纯药工业株式会社 基板用清洗剂及清洗方法
CN101760355A (zh) * 2008-12-17 2010-06-30 气体产品与化学公司 用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物
CN102968001A (zh) * 2011-09-02 2013-03-13 安集微电子(上海)有限公司 一种碱性的清洗液

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106980239A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 东友精细化工有限公司 彩色抗蚀剂或有机膜剥离液组合物
CN107820584A (zh) * 2016-09-30 2018-03-20 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN107820584B (zh) * 2016-09-30 2019-10-18 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN107980105B (zh) * 2016-11-29 2019-10-18 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN107980105A (zh) * 2016-11-29 2018-05-01 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN108121175A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 安集微电子科技(上海)股份有限公司 一种含氟清洗液
CN108235741A (zh) * 2016-12-28 2018-06-29 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN108235741B (zh) * 2016-12-28 2019-05-28 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN107942625A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 江苏中德电子材料科技有限公司 一种面板行业铜制程用新型剥离液
CN107942625B (zh) * 2017-11-24 2019-12-10 江苏中德电子材料科技有限公司 一种面板行业铜制程用新型剥离液

Also Published As

Publication number Publication date
TW201536912A (zh) 2015-10-01
WO2015143942A1 (zh) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104946429A (zh) 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN102047184B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
KR101691850B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물
CN102827707A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101666984B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101827926A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101955852A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
KR101831452B1 (ko) 다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물
CN105785725A (zh) 一种光阻残留物清洗液
CN101412950A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
JP2008519310A (ja) アルミニウム含有基板に使用するためのポストエッチ洗浄組成物
CN101685273B (zh) 一种去除光阻层残留物的清洗液
CN101981510B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN105527803A (zh) 一种光刻胶清洗液
TW201418913A (zh) 一種去除光阻殘留物的清洗液
CN108121176A (zh) 一种低刻蚀光阻残留物清洗液
CN105022237B (zh) 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液
JP2020047913A (ja) ポストエッチング残留物洗浄組成物及びその使用方法
CN102968001A (zh) 一种碱性的清洗液
CN101750913A (zh) 一种去除光阻层残留物的清洗液
CN103809394A (zh) 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN107357143B (zh) 一种清洗剂、其制备方法和应用
CN103773626B (zh) 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
CN108255026A (zh) 一种低刻蚀光阻残留物清洗液组合物
CN102051283B (zh) 一种含羟胺的清洗液及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 201201 Pudong New Area East Road, No. 5001 Jinqiao Export Processing Zone (South) T6-9 floor, the bottom of the

Applicant after: Anji microelectronic technology (Shanghai) Limited by Share Ltd

Address before: 201201 Pudong New Area East Road, No. 5001 Jinqiao Export Processing Zone (South) T6-9 floor, the bottom of the

Applicant before: Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd.

Address after: 201201 Pudong New Area East Road, No. 5001 Jinqiao Export Processing Zone (South) T6-9 floor, the bottom of the

Applicant after: Anji microelectronic technology (Shanghai) Limited by Share Ltd

Address before: 201201 Pudong New Area East Road, No. 5001 Jinqiao Export Processing Zone (South) T6-9 floor, the bottom of the

Applicant before: Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150930