KR20060110712A - 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물이, 전자 소자의 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조상에서 사용될 때 갈바닉 부식을 방해하는 비수성, 비부식성 세척 조성물에 의해 제공된다. 그러한 비수성 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물은,
(a) 하나 이상의 극성 유기 용매;
(b) 하나 이상의 1차 아민기와 하나 이상의 2차 및(또는) 3차 아민기를 갖는, 하나 이상의 다음 화학식의 디- 또는 폴리아민; 및
(c) 8-히드록시퀴놀린 및 그의 이성질체, 벤조트리아졸, 카테콜, 단당류, 및 만니톨, 소르비톨, 아라비톨, 자일리톨, 에리트리톨, 알칸 디올 및 시클로알칸 디올로부터 선택된 다가 알코올로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 부식 억제제
를 포함한다.
<화학식>
상기 식에서 R1, R2, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 H, OH, 히드록시알킬 및 아미노알킬기로 이루어진 군에서 선택되고; R6 및 R7은 각각 H 또는 알킬기로 이루 어진 군에서 독립적으로 선택되고; m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이며; 단 R1, R2, R4, 및 R5는 화합물에 하나 이상의 1차 아민기 및 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기가 있도록 선택된다.
포토레지스트, 스트립퍼, 세척 조성물, 전자 소자, 갈바닉 부식, 적층 구조
Description
본 발명은 마이크로전자 기판을 세척하는 방법 및 비수성이고 본질적으로 비부식성인 세척조성물, 특히 마이크로전자 기판상 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조를 특징으로 하는 마이크로전자 기판과 개선된 호환성을 가지면서 유용한 세척 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 유기, 유기금속 및 무기 화합물이 발생되는 에칭 및 플라즈마공정에서의 잔류물의 세척 및 포토레지스트의 스트리핑용 세척조성물의 용도에 관한 것이다.
다수의 포토레지스트 스트립퍼 및 잔류물 제거제가 마이크로전자 분야에서 제작 라인 세척기의 다운스트림 또는 백-엔드로서의 사용을 위해 제안되어져 왔다. 제작 공정에서, 포토레지스트의 박막이 웨이퍼 기판상에 증착된 후, 회로 디자인이 박막상에 이미징된다. 베이킹 후, 비중합된 레지스트가 포토레지스트 현상액에 의해 제거된다. 얻어진 이미지는 이어서 일반적으로 유전체 또는 금속인 기재 물질로 반응성 플라즈마 에칭 가스 또는 화학적 에칭 용액에 의해 전사된다. 에칭 가 스 또는 화학적 에칭 용액은 선택적으로 기판의 포토레지스트-비보호된 영역을 공격한다.
부가적으로, 에칭 단계의 종결 후, 레지스트 마스크는 최종 마감 작업할 수 있도록 웨이퍼의 보호된 영역으로부터 제거되어야 한다. 이는 적절한 플라즈마 에슁 (ashing) 가스 또는 습식 화학 스트립퍼를 사용하여 플라즈마 에싱 단계에서 수행될 수 있다. 금속 회로에 대한 부작용 (예컨대, 부식, 용해 또는 둔감화) 없이 본 레지스트 마스크 물질의 제거를 위한 적절한 세척 조성물을 검색하는 것에도 또한 문제가 많다고 알려져있다.
마이크로전자 제작에서의 집적 수준이 증가하고 패턴된 마이크로전자 소자 치수가 원자 크기를 향해 감소됨에 따라, 특히 마이크로전자 소자의 전도체 라인 구조에 추가의 기계적 강도를 제공하기 위해 전도체로서 상이한 타입의 금속의 적층 구조를 사용하는 것이 종종 바람직하다. 예컨대, 알루미늄이, 예컨대 구리, 크롬 또는 몰리브덴과 같은 다른 금속의 추가 층과 함께 빈번히 사용된다. 금속 타입이 소자의 구성에서 변화되기는 하지만, 다른 공정 조건의 다수 (메탈 에칭 전에 표면을 패턴화하여 회로를 제조하기 위해 사용되는 유사한 분자 구조의 포토레지스트 포함)는 본질적으로 변화하지 않는다. 포토레지스트 스트립퍼는 경화된 포토레지스트를 공격하여 금속 표면으로부터 포토레지스트를 결국 박리하는데 우수한 성능을 나타내는 아민 화합물을 빈번히 함유한다. 그러나, 금속도 또한 아민에 의해 공격받으며, 또한, 상기한 금속 적층 구조가 물이 관련된 이후의 헹굼 공정뿐만 아니라 통상적으로 사용되는 포토레지스트 세척기/스트립퍼에서 처리되는 경우, 상당 한 부식이 발생한다. 이 상당한 부식은 다음 메카니즘에 따라 일반적으로 발생한다. 상이한 타입의 금속이 전기적으로 접촉될 때 갈바닉 전위가 그들 금속 사이에 형성되고, 제1 금속 (이온화 경향이 높은 쪽)으로부터 제2 금속 (이온화 경향이 낮은 쪽)으로 전자가 이동되어 제1 금속은 이온화되어 용액중에 용해되어, 그 결과로서 격심하게 부식된다.
예컨대, 알루미늄 층으로의 구리의 첨가는, 전자이동 저항성 개선을 발생시키지만, 순수한 알루미늄 층에서의 부식 위험에 비해 Al-Cu 합금에서 특정 타입의 메카니즘의 부식 위험도를 증가시킨다. 예컨대, Al-Cu 합금이 증착 (deposition)되는 동안, 구리 농도가 매우 높은 Al2Cu 침전물의 쎄타 (theta) 상이 형성되고, 이는 구리가 거의 완전히 소모되어진 알루미늄 영역에 의해 둘러싸여진다. 알루미늄계 층에서의 이러한 불균일성은, Al2Cu 침전물이 캐소드로서 작용하고 주위의 알루미늄 농축 영역이 애노드로서 작용하는 갈바닉 셀을 야기할 수 있다. 따라서, 그러면 전해질의 존재는 Al이 산화되고 Cu가 환원되는 산화환원 반응 또는 갈바닉 부식을 야기할 수 있다. 이 반응동안에 생성된 Al3+ 이온은 이후의 물세척과정동안 걸러질 수 있다. 갈바닉 반응이 Al2Cu 침전물 근방에서 국소적이기 때문에, 갈바닉 반응의 결과는 알루미늄 층에서 공극의 형성이다. 공극을 함유하는 알루미늄계 층은 전도도에서의 감소를 나타낼 뿐만 아니라 유해한 전자이동 현상에 덜 저항성이다.
몰리브덴, 구리 및 알루미늄 메탈화 마이크로전자 구조용 플라즈마 에칭 및( 또는) 에슁 공정 후의 에칭 및(또는) 에슁 잔류물의 제거에는 문제가 많은 것으로 알려져 있다. 이들 잔류물을 완전히 제거 또는 중화시키지 않으면, 습도의 흡수 및 금속 구조에 상기 부식을 일으킬 수 있는 바람직하지 않은 물질의 형성이 발생한다. 이 회로 물질은 바람직하지 않은 물질에 의해 부식되고, 회로 배선에 단절을 생성시키고, 전기 저항을 바람직하지 않게 증가시킨다.
따라서, 전자 소자의 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조로 사용될 때 갈바닉 부식에 대한 억제 성능이 양호한, 에칭 및 에슁 잔류물 뿐만 아니라 포토레지스트를 제거하는데 양호한 스트리핑 성능을 제공하는 제제를 포토레지스트 스트립퍼로 제공하는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 백-엔드 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물이, 전자 소자의 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조상에서 사용될 때 갈바닉 부식을 방해하는 비수성, 비부식성 세척 조성물에 의해 제공된다. 그러한 비수성 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물은,
(a) 하나 이상의 극성 유기 용매;
(b) 하나 이상의 1차 아민기와 하나 이상의 2차 및(또는) 3차 아민기를 갖는, 하나 이상의 다음 화학식의 디- 또는 폴리아민; 및
(c) 8-히드록시퀴놀린 및 그의 이성질체, 벤조트리아졸, 카테콜, 단당류, 및 만니톨, 소르비톨, 아라비톨, 자일리톨, 에리트리톨, 알칸 디올 및 시클로알칸 디올로부터 선택된 다가 알코올로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 부식 억제제
를 포함한다.
<화학식>
상기 식에서 R1, R2, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 H, OH, 히드록시알킬 및 아미노알킬기로 이루어진 군에서 선택되고; R6 및 R7은 각각 H 또는 알킬기로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이며; 단 R1, R2, R4, 및 R5는 화합물에 하나 이상의 1차 아민기 및 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기가 있도록 선택된다.
본 발명의 조성물은 또한 일정한 임의의 기타 성분을 함유할 수 있다. 본 발명의 세척 조성물은 넓은 범위의 공정/작업 조건의 pH 및 온도에 걸쳐 사용될 수 있고, 포토레지스트, 포스트 플라즈마 에칭/에슁 잔류물, 희생 광 흡수 물질 및 반사방지 코팅 (ARC) 및 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 비수성이고 본질적으로 비부식성인 마이크로전자 스트립퍼/세척제는 조성물의 약 50 내지 약 90중량% 또는 그 이상의 극성 유기 용매 성분; 조성물의 약 5 내지 약 20중량%의 디- 또는 폴리아민 성분; 및 조성물의 약 0.1 내지 약 10 중량%의 부식 억제량의 부식 억제 고분자 성분을 포함하는 세척 조성물이다. 본 명세서에 제공된 중량%는 스트립핑 및 세척 조성물의 총중량에 대한 것이다.
본 발명의 비수성, 본질적으로 비부식성인 스트립핑/세척 조성물은 임의로 기타 호환성 성분을 함유할 수 있으며, 그 비제한적인 예로는 킬레이트제, 유기 히드록실-함유 공용매 (co-solvent), 안정화 및 금속킬레이트 또는 배위제, 또는 표면활성제가 포함된다.
본 발명의 백-엔드 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물이, 전자 소자의 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조상에서 사용될 때 갈바닉 부식을 방해하는 비수성, 비부식성 세척 조성물에 의해 제공된다. 그러한 비수성 포토레지스트 스트립퍼 및 세척 조성물은,
(a) 하나 이상의 극성 유기 용매;
(b) 하나 이상의 1차 아민기와 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기를 갖는, 하나 이상의 다음 화학식의 디- 또는 폴리아민; 및
(c) 8-히드록시퀴놀린 및 그의 이성질체, 벤조트리아졸, 카테콜, 단당류, 및 만니톨, 소르비톨, 아라비톨, 자일리톨, 에리트리톨, 알칸 디올 및 시클로알칸 디올로부터 선택된 다가 알코올로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 부식 억제제
를 포함한다.
<화학식>
상기 식에서 R1, R2, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 H, OH, 히드록시알킬 및 아미노알킬기로 이루어진 군에서 선택되고; R6 및 R7은 각각 H 또는 알킬기로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이며; 단 R1, R2, R4, 및 R5는 화합물에 하나 이상의 1차 아민기 및 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기가 있도록 선택된다. "비수성"이란, 조성물이 실질적으로 물이 없는 상태이고 일반적으로 물은 단지 다른 성분으로부터의 불순물로서 존재할 것이어서 조성물의 약 3 중량% 미만, 바람직하게는 더 소량일 것을 의미한다.
본 발명의 세척 조성물은 넓은 범위의 공정/작업 조건의 pH 및 온도에 걸쳐 사용될 수 있고, 포토레지스트, 포스트 플라즈마 에칭/에슁 잔류물, 희생 광 흡수 물질 및 반사방지 코팅 (ARC)을 효과적으로 제거하는데 사용될 수 있다. 부가적으로, 고도로 가교된 또는 경화된 포토레지스트와 같이 세척하기 매우 어려운 시료들도 본 발명의 조성물에 의해 쉽게 세척된다.
본 발명의 비수성이고 본질적으로 비부식성인 마이크로전자 스트립퍼/세척제 조성물은, 일반적으로 약 50 내지 약 90중량% 또는 그 이상, 바람직하게는 약 85 내지 약 90 중량% 또는 그 이상, 가장 바람직하게는 약 90 중량% 또는 그 이상의 극성 유기 용매 성분; 일반적으로 약 5 내지 약 20중량%, 바람직하게는 약 5 내지 약 15 중량%, 더욱 바람직하게는 약 10 내지 약 15중량%의 유기 디- 또는 폴리아민 성분; 및 일반적으로 약 0.1 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.3 내지 약 5 중량%, 더욱 바람직하게는 약 0.3 내지 약 3 중량%, 더욱더 바람직하게는 약 1 중량% 의 부식 억제량의 부식 억제 고분자 성분을 포함할 것이다. 본 명세서에 제공된 중량%는 세척 조성물의 총중량에 대한 것이다.
본 발명의 조성물은 하나 이상의 임의의 적절한 유기 극성 용매, 바람직하게는 아미드, 술폰, 술폭사이드, 포화 알코올 등을 포함하는 하나 이상의 유기 극성 용매를 함유할 수 있다. 그러한 유기 극성 용매로는, 이제 제한되지는 않으나, 술폴란 (테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드), 3-메틸술폴란, n-프로필 술폰, 디메틸술폭사이드 (DMSO), 메틸 술폰, n-부틸 술폰, 3-메틸술폴란, 아미드 (예컨대 1-(2-히드록시에틸)-피롤리돈 (HEP), 디메틸피페리돈 (DMPD), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 디메틸아세트아미드 (DMAc), 및 디메틸포름아미드 (DMF)), 글리콜 및 글리콜 에테르과 같은 유기 극성 용매 및 이들의 혼합물이 포함된다. 특히, 유기 극성 용매로서 바람직한 것으로는 N-메틸 피롤리돈, 술폴란, DMSO, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르 (카르비톨), 에틸렌 글리콜, 메톡시 프로판올 및 이들 용매의 2이상의 혼합물이다.
디- 또는 폴리아민 성분은 하나 이상의 1차 아민기와 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기를 가진 다음 화학식의 화합물이다.
<화학식>
상기 식에서 R1, R2, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 H, OH, 히드록시알킬 및 아미노알킬기로 이루어진 군에서 선택되고; R6 및 R7은 각각 H 또는 알킬기로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이며; 단 R1, R2, R4, 및 R5는 화합물에 하나 이상의 1차 아민기 및 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기가 있도록 선택된다. 상기 기들의 알킬 잔기는 바람직하게는 1 내지 4의 탄소수를 가진 알킬기, 더욱 바람직하게는 1 또는 2의 탄소수를 가진 알킬기이다. 그러한 디- 또는 폴리아민 성분의 예로는, 이에 한정되지는 않으나, (2-아미노에틸)-2-아미노에탄올, 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민 및 기타 등이 포함된다. 특히 바람직한 것은 (2-아미노에틸)-2-아미노에탄올이다.
부식 억제 성분은 8-히드록시퀴놀린 및 그의 이성질체, 벤조트리아졸, 카테콜, 단당류, 및 만니톨, 소르비톨, 아라비톨, 자일리톨, 에리트리톨, 알칸 디올 및 시클로알칸 디올로부터 선택된 다가 알코올 중 임의의 것일 수 있다. 특히 바람직한 부식 억제제로는 8-히드록시퀴놀린과 카테콜이 포함된다.
본 발명의 조성물은 또한 임의로 하나 이상의 임의의 적절한 유기 히드록실- 또는 폴리히드록실-함유 지방족 화합물을 공용매로서 함유할 수 있다. 임의의 적절한 유기 히드록실-함유 공용매가 본 발명의 조성물에서 사용될 수 있다. 그러한 적절한 유기 히드록실-함유 공용매의 예로는, 이에 한정되지는 않으나, 글리세롤, 1,4-부탄 디올, 1,2-시클로펜탄디올, 1,2-시클로헥산디올, 메틸펜탄디올, 및 포화 알코올 (예컨대, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 및 헥사플루오로이소프로판 올), 및 이들의 혼합물이 포함된다. 공용매는 본 발명의 조성물에서, 조성물의 총중량에 대해 0 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 10중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 중량%로 존재할 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 하나 이상의 임의의 적절한 기타 부식 억제제, 바람직하게는 방향족 링에 직접 결합된 2개 이상의 OH, OR6, 및(또는) SO2R6R7기를 함유하는 아릴 화합물을 함유할 수도 있으며, 여기서 R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 알킬, 바람직하게는 1 내지 6의 탄소수를 가진 알킬, 또는 아릴, 바람직하게는 6 내지 14의 탄소수를 가진 아릴이다. 그러한 바람직한 부식 억제제의 예로서, 피로갈롤, 갈릭 산, 레조르시놀 등이 언급될 수 있다. 그러한 기타 부식억제제는 조성물의 중량에 대해서 0 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 10중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
유기 또는 무기 킬레이팅 또는 금속 배위제가 요구되지는 않으나, 예컨대 개선된 생성물 안정성과 같은 실질적인 잇점을 제공한다. 하나 이상의 그러한 무기 킬레이팅 또는 금속 배위제는 본 발명의 조성물에서 사용될 수 있다. 적절한 킬레이팅 또는 배위제의 예로는, 이에 제한되지는 않으나, 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산 (CyDTA), 에틸렌디아민 테트라아세트산 (EDTA), 스탄네이트, 피로포스페이트, 알킬리덴-디포스폰산 유도체(예컨대, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스포네이트), 에틸렌디아민-, 디에틸렌트리아민- 또는 트리에틸렌테트라민-관능기를 함유하는 포스포네이트 (예컨대, 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMP), 디 에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산), 및 트리에틸렌테트라민 헥사(메틸렌 포스폰산), 및 이들의 혼합물이 포함된다. 킬레이팅제는 조성물 중에, 조성물의 중량에 대해 약 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2 중량%의 양으로 존재할 것이다. 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMP)와 같은 다양한 포스포네이트의 금속 킬레이팅 또는 배위제는 산성 또는 알칼리 조건에서 산화제를 함유하는 본 발명의 세척 조성물의 안정성을 매우 개선시켜 일반적으로 바람직하다.
세척 조성물은 임의로 하나 이상의 적절한 표면활성제, 예컨대 디메틸헥시놀 (Surfynol-61), 에톡실화 테트라메틸 데신디올 (Surfynol-465), 폴리테트라플루오로에틸렌 세톡시프로필베타인 (Zonyl FSK), 조닐 FSH 및 기타 등을 함유할 수도 있다. 표면 활성제는 조성물의 중량에 대해 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 약 3 중량%의 양으로 일반적으로 존재할 것이다.
본 발명의 세척 조성물의 예로는, 이에 한정되지 않으나, 이하의 표 1 내지 표 3에 기재된 조성물이 포함된다. 표 1 내지 표 3에서, 사용된 약칭은 이하와 같다:
NMP= N-메틸 피롤리디논
SFL= 술폴란
DMSO=디메틸술폭사이드
CARB=카르비톨
EG= 에틸렌 글리콜
GE=메톡시 프로판올(글리콜 에테르 PM)
AEEA=(2-아미노에틸)-2-아미노에탄올
CAT= 카테콜
8HQ=8-히드록시퀴놀린
| 조성물/중량부 | |||||
| 성분 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| NMP | 60 | 60 | |||
| SFL | 15 | 15 | |||
| DMSO | 15 | 15 | |||
| CARB | 87 | 77 | 89 | ||
| EG | 1 | ||||
| GE | |||||
| AEEA | 9 | 9 | 10 | 20 | 10 |
| CAT | 1 | 3 | 3 | ||
| 8HQ | 1 | 1 | |||
| 조성물/중량부 | |||||
| 성분 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| NMP | 24 | 30 | |||
| SFL | |||||
| DMSO | 24 | ||||
| CARB | 84 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| EG | 24 | ||||
| GE | |||||
| AEEA | 15 | 15 | 15 | 15 | 9 |
| CAT | 1 | ||||
| 8HQ | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| 조성물/중량부 | |||
| 성분 | 11 | 12 | 13 |
| NMP | 30 | ||
| SFL | 20 | ||
| DMSO | 30 | ||
| CARB | 60 | ||
| EG | |||
| GE | 84 | 40 | |
| AEEA | 9 | 15 | 9 |
| CAT | |||
| 8HQ | 1 | 1 | 1 |
본 발명의 조성물로 얻어진 갈바닉 부식 방지 억제 결과는 다음 테스트에 의해 나타낸다. 3층의 금속 구조(Mo/Al/Mo)를 가지고 포토레지스트로 코팅된 마아크로전자 기판을 표 1의 조성물 6 및 대조 조성물 (AEEA 성분을 15% 모노에탈올아민으로 대체하여, 84% 카르비톨, 15% 에탈올아민 및 1% 8-히드록시퀴놀린으로 구성됨)에서 처리하였다. 기판의 처리단계에서의 통상적인 세척 단계를 시뮬레이트하기 위해, 기판을 우선 상기 조성물에 70 ℃에서 5분동안 위치시킨 후, 조성물을 제거하고 관찰한 후, 기판을 실온에서 5분동안 각 조성물의 5%로 희석된 용액(즉, 95 g의 물 중 조성물 5g의 정도로 희석)에 침지하였다. 두번째 처리 후, 3층 구조를 가진 기판을 희석된 용액으로부터 제거하고, 물로 헹군 후, SEM으로 화상촬영하여 관찰하였다. 각 단계 후의 알루미늄 부식 결과는 이하와 같다:
조성물 6
조성물 6에서의 처리후 Al 부식 없음
5% 용액에서의 처리후 Al 부식 약간
대조 조성물
대조 조성물에서의 처리 후 Al 부식 없음
5% 용액에서의 처리 후 Al 부식 심각함
표 2 및 표 3의 조성물 8 내지 13을 동일한 테스트법에서의 양쪽 조성물 제제 및 그의 5% 희석된 용액에 적용하고 SEM 하에서 관찰할 때, 그러한 3층 금속 구조 기판에 대한 유사한 부식 억제가 관찰되었다.
본 발명이 특정 실시태양을 참조로 본원에 기재되었기는 하지만, 본원에 개시된 발명의 범위 및 사상으로부터 벗어남 없이 변화, 변형, 및 변이가 이루어질 수 있다고 여겨질 것이다. 따라서, 첨부된 청구항의 범위 및 사상에 포함되는 그러한 모든 변화, 변형 및 변이를 본원에 포함하는 것으로 의도된다.
본 발명에 의해, 전자 소자의 표면에서 상이한 타입의 금속의 적층 구조로 사용될 때 갈바닉 부식에 대한 억제 성능이 양호한, 에칭 및 에슁 잔류물 뿐만 아니라 포토레지스트를 제거하는데 양호한 스트리핑 성능을 제공하는 제제가 제공된다.
Claims (20)
- (a) 하나 이상의 극성 유기 용매;(b) 하나 이상의 1차 아민기와 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기를 갖는, 하나 이상의 다음 화학식의 디- 또는 폴리아민; 및(c) 8-히드록시퀴놀린 및 그의 이성질체, 벤조트리아졸, 카테콜, 단당류, 및 만니톨, 소르비톨, 아라비톨, 자일리톨, 에리트리톨, 알칸 디올 및 시클로알칸 디올로부터 선택된 다가 알코올로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 부식 억제제를 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 및 잔류물을 세척하기 위한 비수성 세척 조성물.<화학식>
상기 식에서 R1, R2, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 H, OH, 히드록시알킬 및 아미노알킬기로 이루어진 군에서 선택되고; R6 및 R7은 각각 H 또는 알킬기로 이루어진 군에서 독립적으로 선택되고; m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이며; 단 R1, R2, R4, 및 R5는 화합물에 하나 이상의 1차 아민기 및 하나 이상의 2차 또는 3차 아민기가 있도록 선택된다. - 제1항에 있어서, 조성물의 약 50 내지 약 90중량%의 극성 유기 용매 성분 (a); 조성물의 약 5 내지 약 20중량%의 디- 또는 폴리아민 성분 (b); 및 조성물의 약 0.1 내지 약 10 중량%의 부식 억제 성분(c)을 포함하는 세척 조성물.
- 제1항에 있어서, 조성물의 약 85 내지 약 90중량%의 극성 유기 용매 성분 (a); 조성물의 약 5 내지 약 15중량%의 디- 또는 폴리아민 성분 (b); 및 조성물의 약 0.3 내지 약 3 중량%의 부식 억제 성분(c)을 포함하는 세척 조성물.
- 제1항에 있어서, 극성 유기 용매 성분 (a)이 술폴란, 디메틸술폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, 카르비톨, 에틸렌 글리콜, 메톡시 프로판올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되고, 디- 또는 폴리아민 성분 (b)이 2-아미노에틸-2-아미노에탄올, 디에틸렌 트리아민 및 트리에틸렌 테트라민로 이루어진 군에서 선택되며, 부식 억제 성분(c)이 8-히드록시퀴놀린 및 카테콜로부터 선택되는 세척 조성물.
- 제3항에 있어서, 극성 유기 용매 성분 (a)이 술폴란, 디메틸술폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, 카르비톨, 에틸렌 글리콜, 메톡시 프로판올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되고, 디- 또는 폴리아민 성분 (b)이 2-아미노에틸-2-아미노에탄올, 디에틸렌 트리아민 및 트리에틸렌 테트라민로 이루어진 군에서 선택되며, 부식 억제 성분(c)이 8-히드록시퀴놀린 및 카테콜로부터 선택되는 세척 조성물.
- 제1항에 있어서, 디- 또는 폴리아민 성분 (b)이 (2-아미노에틸)-2-아미노에탄올인 세척 조성물.
- 제5항에 있어서, 디- 또는 폴리아민 성분 (b)이 (2-아미노에틸)-2-아미노에탄올인 세척 조성물.
- 제7항에 있어서, 극성 유기 용매 성분 (a)로서 카르비톨을, 부식 억제 성분 (c)으로서 8-히드록시퀴놀린을 포함하는 세척 조성물.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제1항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제2항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제3항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크 로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제4항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제5항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제6항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제7항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 기판을, 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하기에 충분한 시간동안 제8항의 조성물을 포함하는 세척 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크 로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세척하는 방법.
- 제9항에 있어서, 마이크로전자 기판이 상이한 금속을 가진 적층 소자인 방법.
- 제13항에 있어서, 마이크로전자 기판이 상이한 금속을 가진 적층 소자인 방법.
- 제14항에 있어서, 마이크로전자 기판이 상이한 금속을 가진 적층 소자인 방법.
- 제16항에 있어서, 마이크로전자 기판이 상이한 금속을 가진 적층 소자인 방법.
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