CN110967946A - 一种高效碱性光刻胶剥离液 - Google Patents
一种高效碱性光刻胶剥离液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110967946A CN110967946A CN201911223963.7A CN201911223963A CN110967946A CN 110967946 A CN110967946 A CN 110967946A CN 201911223963 A CN201911223963 A CN 201911223963A CN 110967946 A CN110967946 A CN 110967946A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aeo
- photoresist stripping
- efficiency
- stripping liquid
- alkaline photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 12
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 15
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 2
- ONJQDTZCDSESIW-UHFFFAOYSA-N polidocanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO ONJQDTZCDSESIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RJSRSRITMWVIQT-UHFFFAOYSA-N quinolin-6-amine Chemical compound N1=CC=CC2=CC(N)=CC=C21 RJSRSRITMWVIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 2
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006065 biodegradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
本发明属于化学制剂技术领域,涉及一种高效碱性光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~15wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%喹啉类缓蚀剂,0.1~2wt%AEO类表面活性剂和余量的去离子水。本高效碱性光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及化学制剂技术领域,特别涉及一种高效碱性光刻胶剥离液。
背景技术
TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystaldisplay字头的缩写。TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在Si上进行微电子精细加工的技术,移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工,再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板,利用已成熟的LCD技术,形成一个液晶盒相结合,再经过后工序如偏光片贴覆等过程,最后形成液晶显示器。
在LED芯片中的导线制备中,必不可少的使用到光刻胶。使用时是将光刻胶作为涂层覆盖在金属表面,然后用显影的办法让一部分固化,一部分不固化。然后洗掉未固化部分,对暴露的金属进行蚀刻,形成线路,最后将固化部分用剥离液洗掉。所以剥离液要对光刻胶有良好的溶解性,但是对金属不能有过量的腐蚀。
因此有必要开发一种蚀刻效率高而且对金属镀层破坏小的光刻胶剥离液。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种高效碱性光刻胶剥离液,既具有较高的光刻胶剥离效率,又不会对金属镀层有很大的腐蚀。
本发明通过如下技术方案实现上述目的:
一种高效碱性光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~15wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%喹啉类缓蚀剂,0.1~2wt%AEO类表面活性剂和余量的去离子水。
具体的,所述喹啉类缓蚀剂包括环氧丙烷基氯化喹啉、烯丙基氯化喹啉、萘甲基氯化喹啉、6-氨基喹啉或7-二氯-8-羟基喹啉中的一种。
具体的,所述AEO类表面活性剂为AEO-3、AEO-7、AEO-9中的一种。
采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:
本高效碱性光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。
具体实施方式
本发明涉及一种高效碱性光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~15wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%喹啉类缓蚀剂,0.1~2wt%AEO类表面活性剂和余量的去离子水。
脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)是由聚乙二醇(PEG)与脂肪醇缩合而成的醚,其脂肪醇的链段带来亲油性,聚乙二醇部分有亲水性,故可以作为表面活性剂使用。因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏,所以稳定性较高,水溶性较好,耐电解质,易于生物降解,泡沫小。
喹啉类缓蚀剂在酸碱环境下能够长期保持活度,在缓释的效果以外与AEO形表面活性剂配合可以起到提高处理量的作用。
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1~6:
按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、喹啉类缓蚀剂、AEO类表面活性剂和去离子水混合,得到高效碱性光刻胶剥离液。
表1:
注:含量中不满100wt%的部分由去离子水补足余量。
以CN106292209A披露的高效光刻胶剥离液作为对照例,与实施例1~6所得高效碱性光刻胶剥离液进行比较试验,对面积均为200cm2的电路板上的光刻胶进行剥离并分别测定剥离周期、金属镀层的腐蚀率和过片量(剥离的面壁数量)。
对比情况见表2:
表2:
剥离周期/s | 金属腐蚀率/ppm | 过片量/片 | |
实施例1 | 80~90 | 131 | 125 |
实施例2 | 80~90 | 138 | 126 |
实施例3 | 80~90 | 147 | 118 |
实施例4 | 80~90 | 136 | 122 |
实施例5 | 80~90 | 143 | 114 |
实施例6 | 80~90 | 146 | 134 |
对照例 | 120~130 | 185 | 105 |
由表2可知,本高效碱性光刻胶剥离液通过加入喹啉类缓蚀剂和AEO类表面活性剂,使剥离效率有明显的提升,对金属腐蚀率降低近25%,而且让过片量提高15%以上。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种高效碱性光刻胶剥离液,其特征在于:配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~15wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%喹啉类缓蚀剂,0.1~2wt%AEO类表面活性剂和余量的去离子水。
2.关于权利要求1所述的高效碱性光刻胶剥离液,其特征在于:所述喹啉类缓蚀剂包括环氧丙烷基氯化喹啉、烯丙基氯化喹啉、萘甲基氯化喹啉、6-氨基喹啉或7-二氯-8-羟基喹啉中的一种。
3.关于权利要求1所述的高效碱性光刻胶剥离液,其特征在于:所述AEO类表面活性剂为AEO-3、AEO-7、AEO-9中的一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911223963.7A CN110967946A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种高效碱性光刻胶剥离液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911223963.7A CN110967946A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种高效碱性光刻胶剥离液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110967946A true CN110967946A (zh) | 2020-04-07 |
Family
ID=70032738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911223963.7A Pending CN110967946A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种高效碱性光刻胶剥离液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110967946A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113563888A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-10-29 | 信丰正天伟电子科技有限公司 | 一种剥膜液及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060110712A (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-25 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
JP2006317714A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
CN101630127A (zh) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | 株式会社东进世美肯 | 液晶显示器的滤色器阵列制造中的光刻胶剥离剂组合物 |
CN102117025A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗剂组合物 |
CN103676504A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-03-26 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种水性光刻胶剥离液 |
CN108121176A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种低刻蚀光阻残留物清洗液 |
CN109976111A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
-
2019
- 2019-12-04 CN CN201911223963.7A patent/CN110967946A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060110712A (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-25 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
CN101164016A (zh) * | 2005-04-19 | 2008-04-16 | 马林克罗特贝克公司 | 抑制电化腐蚀的非水光致抗蚀剂剥离剂 |
JP2006317714A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
CN101630127A (zh) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | 株式会社东进世美肯 | 液晶显示器的滤色器阵列制造中的光刻胶剥离剂组合物 |
CN102117025A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗剂组合物 |
CN103676504A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-03-26 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种水性光刻胶剥离液 |
CN108121176A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种低刻蚀光阻残留物清洗液 |
CN109976111A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113563888A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-10-29 | 信丰正天伟电子科技有限公司 | 一种剥膜液及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1873543B (zh) | 光致抗蚀剂用剥离液 | |
CN106637209A (zh) | 一种蚀刻液组合物及该组合物的金属膜刻蚀方法 | |
CN104781732B (zh) | 光刻胶剥离液组合物及光刻胶的剥离方法 | |
CN102486620A (zh) | 用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物 | |
CN103890233B (zh) | 铜微蚀刻剂及其补充液、以及电路板的制造方法 | |
CN106062637B (zh) | 用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法 | |
TW439013B (en) | Photoresist stripping composition | |
JP4144959B2 (ja) | フォトレジスト用のストリッパー組成物 | |
CN110967946A (zh) | 一种高效碱性光刻胶剥离液 | |
KR20110007828A (ko) | 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물 | |
CN110597026A (zh) | 一种软性电路板干膜清除工艺 | |
CN101981511A (zh) | 光致抗蚀剂剥离组合物及使用所述组合物剥离光致抗蚀剂的方法 | |
CN114231982B (zh) | 自蚀刻铜面键合剂及其制备方法 | |
CN105527804A (zh) | 一种低温型水系正性光阻剥离液 | |
CN107168021B (zh) | 一种光刻胶用剥离液及其制备方法和应用 | |
CN101359189A (zh) | 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液 | |
CN115236954A (zh) | 一种cf制程负性光刻胶返工液及其制备方法和应用 | |
CN112180682A (zh) | 一种表面性能优越的正性光刻胶添加剂 | |
CN110850691A (zh) | 一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液 | |
CN106997158B (zh) | 光刻胶去除用剥离液组合物 | |
CN113534625B (zh) | 一种pcb用正胶剥离液 | |
KR20210056768A (ko) | 금속막 식각액 조성물 | |
CN109164686A (zh) | 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用 | |
CN104635439A (zh) | 一种光刻胶剥离液及其应用 | |
KR100951365B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200407 |