BRPI0610852A2 - extrator de material fotorresistente não-aquoso que inibe corrosão galvánica - Google Patents

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Abstract

Os extratores de materiais fotorresistentes e composições de limpeza desta invenção são providos por composições de limpeza não-aquosas, não-corrosivas, que resistem à corrosão galvânica quando usada em estruturas de camada empilhadas de tipos diferentes de metais em uma superfície de um dispositivo eletrónico. Tais extratores de materiais fotorresistentes não-aquosos e composições de limpeza compreendem: (a) pelo menos um solvente orgânico polar, (b) pelo menos uma di ou poliamina tendo ambos pelo menos um grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou terciária, e tendo a fórmula na qual R1, R2, R4 e R5 são, cada independentemente, selecionados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e aminoalquila; R6 e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir do grupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independentemente, números inteiros de 1 ou maior, com a condição que R1, R2, R4 e R5 sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo amina primária e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no composto, e (c) pelo menos um inibidor de corrosão ciue é selecionado a partir do grupo consistindo em 8-hidroxiquinolina e isórneros desta, benzotriazóis, catecol, monossacarídeos, e álcoois polihídricos selecionados a partir de manitol, sorbitol, arabitol, xilitol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos dióis.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "EXTRATORDE MATERIAL FOTORRESISTENTE NÃO-AQUOSO QUE INIBE CORRO-SÃO GALVÂNICA".
CAMPO DA INVENÇÃO
A presente invenção refere-se a métodos e composições de lim-peza, não-aquosas, essencialmente não-corrosivas, para limpeza de subs-tratos microeletrônicos, e, particularmente, a tais composições de limpezaúteis com e tendo compatibilidade aperfeiçoada com substratos microeletrô-nicos que caracterizam estruturas de camada empilhadas de tipos diferentesde metais em uma superfície no substrato microeletrônico, e a invençãotambém se refere ao uso de tais composições de limpeza para extração demateriais fotorresistentes e resíduos de limpeza de processo de gravura eplasma que geram compostos orgânicos, organometálicos e inorgânicos.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
Muitos extratores de materiais fotorresistentes e removedores deresíduo têm sido propostos para uso no campo de microeletrônicos comoextremidade anterior ou a jusante dos limpadores de linha de manufatura-mento. No processo de manufaturamento, uma película delgada de materialfotorresistente é depositada em um substrato de pastilha, e, em seguida, odesenho do circuito é copiado na película delgada. Seguindo o suporte, orevestimento protetor não-polimerizado é removido com um fomentador dematerial fotorresistente. A imagem resultante é, em seguida, transferida parao material subjacente, que é geralmente um dielétrico ou metal, por meio degases de gravação de plasma reativo ou soluções de gravação química. Osgases de gravação ou soluções de gravação química seletivamente atacama área não-protegida do material fotorresistente do substrato.
Adicionalmente, em seguida ao término da etapa de gravação, amáscara do material resistente deve ser removida a partir da área protegidada pastilha de modo que a operação de acabamento final possa ocorrer. Istopode ser efetuado em uma etapa de cinzas de plasma pelo uso de gases decinzas de plasma adequados ou extratores químicos úmidos. Encontrando-se uma composição de limpeza adequada para remoção deste material demáscara do material resistente sem afetar adversamente, por exemplo, cor-rosão, dissolução ou opacidade, o circuito de metal também tem se compro-vado problemático.
À medida que os níveis de integração de fabricação de microele-trônico têm aumentado e as dimensões de dispositivos microeletrônicos mo-delados têm diminuído em direção ao tamanho dos átomos, é freqüentemen-te benéfico adotar-se uma estrutura com camadas de tipos diferentes de me-tais como um condutor de modo a, entre outras coisas, proporcionar resis-tência mecânica adicional à estrutura de linha de condutor no dispositivo mi-croeletrônico. Por exemplo, o alumínio é freqüentemente usado com cama-das adicionais de outros metais, tais como, por exemplo, cobre, cromo oumolibdênio. Embora o tipo de metal seja mudado na construção do dispositi-vo, muitas das outras condições de processo permanecem essencialmenteas mesmas, incluindo material fotorresistente com estrutura molecular similarque é usada para produzir um circuito pela modelagem da superfície antesda gravação do metal. O extrator de material fotorresistente freqüentementecontém compostos de amina que mostram performance superior para atacaro material fotorresistente endurecido, e eventualmente extrair o material fo-torresistente a partir da superfície de metal. Contudo, o metal é também se-veramente atacado por aminas, e, adicionalmente, se a estrutura de metalcom camadas acima mencionada é processada nos limpadores/extratoresde material fotorresistente convencionalmente usados, bem como processosde imersão subseqüentes com envolvimento de água, corrosão significanteocorre. Esta corrosão significante ocorre geralmente de acordo com o se-guinte mecanismo. O potencial galvânico se forma entre tipo diferente demetais quando eles estão eletricamente em contato, os eletrodos se movemde um metal (que tem tendência mais alta de ionização) para outro metal(com baixa tendência de ionização), o primeiro metal é ionizado, se dissolveem uma solução, e, como um resultado, é severamente corroído.
Por exemplo, a adição de cobre em camadas de alumínio, em-bora resulte em aperfeiçoamentos de resistência de eletromigração, aumen-ta o risco de tipo específico de mecanismos de corrosão, da liga Al-Cu, com-parado ao risco de corrosão encontrado com camadas de alumínio puro. Porexemplo, durante a deposição de liga Al-Cu, uma fase teta de precipitadosde AI2CU é formadas, altamente ricos em cobre, e circundados por regiõesde alumínio que foram quase completamente esgotados de cobre. Esta não-homogeneidade na camada baseada em alumínio pode resultar em umacélula galvânica na qual os precipitados de A^Cu se comportam como o ca-todo, enquanto as regiões ricas em alumínio circundantes se comportamcomo o anodo. Portanto, a presença de um eletrólito pode então resultar emcorrosão galvânica, ou uma reação redox, em que Al será oxidado, enquantoo Cu é reduzido. Os íons Al3+ produzidos durante esta reação podem serlixiviados durante imersões de água subseqüentes. Desde que esta reaçãogalvânica seja localizada perto dos precipitados de AI2Cu, o resultado destareação galvânica é a formação de vazios na camada de alumínio. A camadabaseada em alumínio, contendo vazios, é agora menos resistente a fenôme-nos de eletromigração perniciosos, bem como exibindo uma diminuição nacondutividade.
A remoção de resíduos de gravação e/ou cinza em seguida aoprocesso de gravação de plasma e/ou formação de cinzas para tais estrutu-ras microeletrônicas metalizadas de molibdênio, cobre e alumínio, tem secomprovado problemática. A falha em remover ou neutralizar completamenteestes resíduos pode resultar na absorção de umidade e na formação de ma-teriais indesejáveis que podem causar a corrosão antes mencionada às es-truturas metálicas. Os materiais de circuito são corroídos pelos materiaisindesejáveis, e produzem descontinuidades na ligação do circuito e aumen-tos indesejáveis na resistência elétrica.
Portanto, é altamente desejável proporcionar formulações comoextratores de material fotorresistente que proporcionem boa performance deextração para remoção de material fotorresistente, bem como resíduos degravação e de formação de cinzas que tenham boa performance de inibiçãopara corrosão galvânica quando usadas nas estruturas de camadas empi-lhadas de tipos diferentes de metais em uma superfície de um dispositivoeletrônico.BREVE SUMÁRIO DA INVENÇÃO
Extratores de material fotorresistente terminal posterior e formu-lações desta invenção são providos pelas composições de limpeza não-aquosas, não corrosivas, que resistem à corrosão galvânica quando usadasnas estruturas de camadas empilhadas de tipos diferentes de metais emuma superfície de um dispositivo eletrônico. Tais extratores de material fotor-resistente não-aquosos, e composições de limpeza, compreendem:
(a) pelo menos um solvente orgânico polar,
(b) pelo menos uma di ou poliamina tendo ambos pelo menosum grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou terciá-ria, e tendo a fórmula
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na qual R1, R2, r4 e R5 são, cada independentemente, selecio-nados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e ami-noalquila; R6 e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir dogrupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independente-mente, números números inteiros de 1 ou maior, com a condição que Ri, R2,R4 e R5 sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo ami-na primária e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no com-posto, e
(c) pelo menos um inibidor de corrosão que é selecionado a par-tir do grupo consistindo em 8-hidroxiquinolina e isômeros desta, benzotria-zóis, catecol, monossacarídeos, e álcoois polihídricos selecionados a partirde manitol, sorbitol, arabitol, xilitol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos dióis.
As composições desta invenção podem conter um número deoutros componentes opcionais. As composições de limpeza desta invençãopodem ser usadas sobre uma ampla faixa de condições de proces-so/operação de pH e temperatura, e podem ser usadas para remover efi-cazmente materiais fotorresistentes, resíduos de gravação pós-plasma/decinzas, materiais de absorção de luz de sacrifício, revestimentos anti-reflexivos (ARC), e materiais fotorresistentes endurecidos.
As composições extratoras/limpadoras de microeletrônico não-aquosas, essencialmente não-corrosivas desta invenção, geralmente com-preendem de cerca de 50 a cerca de 90% em peso ou mais do componentede solvente polar orgânico, de cerca de 5% a cerca de 20% em peso docomponente de di ou poliamina, e uma quantidade de inibição de corrosãodo componente de polímero de inibidor de corrosão, geralmente de cerca de0,1% a cerca de 10% do componente de inibidor de corrosão. As percenta-gens em peso providas neste relatório são baseadas no peso total da com-posição de extração e limpeza.
As composições extratoras/limpadoras não-aquosas, essencial-mente não-corrosivas desta invenção, podem conter, opcionalmente, outroscomponentes compatíveis, incluindo, mas não limitados a, componentes taiscomo agentes quelantes, co-solventes contendo orgânico hidroxila, estabili-zantes e agentes quelantes ou complexantes de metal, e tensoativos.
DESCRIÇÃO DETALHADA DA INVENÇÃO E CONCRETIZAÇÕES PRE-FERIDAS
Extratores de material fotorresistente terminal posterior e com-posições de limpeza desta invenção são providos pelas composições delimpeza não-aquosas, não corrosivas, que resistem à corrosão gaívânicaquando usadas nas estruturas de camadas empilhadas de tipos diferentesde metais em uma superfície de um dispositivo eletrônico. Tais extratores dematerial fotorresistente não-aquosos, e composições de limpeza, compreendem:
(a) pelo menos um solvente orgânico polar,
(b) pelo menos uma di ou poliamina tendo ambos pelo menosum grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou terciá-ria, e tendo a fórmula<formula>formula see original document page 7</formula>
no qual Ri, R2, r4 e R5 são, cada independentemente, selecio-nados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e ami-noalquila; Rô e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir dogrupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independente-mente, números inteiros de 1 ou maior, com a condição que Ri, R2, r4 e R5sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo amina primá-ria e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no composto, e
(c) pelo menos um inibidor de corrosão que é selecionado a par-tir do grupo consistindo em 8-hidroxiquinolina e isômeros desta, benzotria-zóis, catecol, monossacàrídeos, e álcoois polihídricos selecionados a partirde manitol, sorbitol, arabitol, xilitol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos dióis.
Por "não-aquosa" entende-se que as composições sejam subs-tancialmente livres de água, e geralmente somente terão água presente co-mo impurezas a partir de outros componentes, e então geralmente quantifi-carão não mais do que 3% em peso da composição, e preferivelmente menos.
As composições de limpeza desta invenção podem ser usadassobre uma ampla faixa de condições de processo/operação de pH e tempe-ratura, e podem ser usadas para remover eficazmente materiais fotorresis-tentes, resíduos de gravação pós-plasma/de cinzas, materiais de absorçãode luz de sacrifício e revestimentos anti-reflexivos (ARC). Adicionalmente,amostras muito difíceis de limpar, tais como materiais fotorresistentes alta-mente reticulados ou endurecidos, são prontamente limpos pela composiçãodesta invenção.
As composições extratoras/limpadoras de microeletrônico não-aquosas, essencialmente não-corrosivas desta invenção, geralmente com-preenderão de cerca de 50 a cerca de 90% em peso ou mais, preferivelmen-te de cerca de 85% a cerca de 90% em peso ou mais, e mais preferivelmen-te cerca de 90% em peso ou mais, do componente de solvente polar orgâni-co, de cerca de 5% a cerca de 20% em peso, preferivelmente de cerca de5% a 15% em peso, e mais preferivelmente de cerca de 10% a cerca de15% em peso do componente de di ou poliamina, e uma quantidade de inibi-ção de corrosão do componente de polímero de inibidor de corrosão, geral-mente de cerca de 0,1% a cerca de 10% em peso, preferivelmente de cercade 0,3% a cerca de 5% em peso, e mais preferivelmente de cerca de 0,3% acerca de 3% em peso, e ainda mais preferivelmente cerca de 1% em peso.As percentagens em peso providas neste relatório são baseadas no pesototal da composição de limpeza.
As composições desta invenção podem conter um ou mais dequalquer solvente polar orgânico adequado, preferivelmente solventes pola-res orgânicos que incluem amidas, sulfonas, sulfóxidos, álcoois saturados, esimilares. Tais solventes polares orgânicos incluem, mas não estão limitadosa, solventes polares orgânicos tais como sulfolano (tetrahidrotiopeno-1,1-dióxido), 3-metilsulfolano, n-propil sulfona, dimetil sulfóxido (DMSO), metilsulfona, n-butil sulfona, 3-metilsulfolano, amidas tais como 1-(2-hidroxietil)-2-pirrolidona (HEP), dimetilpiperidona (DMPD), N-metil-2-pirrolidona (NMP),dimetilacetamida (DMAc), e dimetilformamida (DMF), glicóis e éteres glicóis,e misturas dos mesmos. Especialmente preferidos como o solvente polarorgânico são N-metil-pirrolidona, sulfolano, DMSO, dietileno glicol etil éter(carbitol), etileno glicol, metóxi propanol, e misturas de dois ou mais destessolventes.
O componente de di ou poliamina é um tendo ambos pelo me-nos um grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou ter-ciária, e tendo a fórmula
<formula>formula see original document page 8</formula>
no qual R-i, R2, FU e R5 são, cada independentemente, selecio-nados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e ami-noalquila; R6 e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir dogrupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independente-mente, números inteiros de 1 ou maior, com a condição que Ri, R2, R4 e R5sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo amina primá-ria e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no composto. Asporções de alquila dos grupos são preferivelmente grupos alquila de 1 a 4átomos de carbono, mais preferivelmente grupos alquila de 1 a 2 átimos decarbono. Como exemplo de tal componente de di ou poliamina inclui, masnão está limitado a, (2-aminoetil)-2-aminoetanol, dietileno triamina, trietilenotetramina e similares. Especialmente preferido é (2-aminoetil)-2-aminoetanol.
O componente de inibição de corrosão pode ser qualquer 8-hidroxiquinolina e isômeros desta, benzotriazóis, catecol, monossacarídeos,ou álcoois polihídricos selecionados a partir de manitol, sorbitol, arabitol, xili-tol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos dióis. Inibidores de corrosão especi-almente preferidos incluem 8-hidroxiquinolina e catecol.
As composições desta invenção podem também opcionalmenteconter um ou mais de quaisquer compostos alifaticos orgânicos contendohidroxila ou polihidroxila como um co-solvente. Qualquer co-solvente con-tendo hidroxila orgânico adequado pode ser empregado nas composiçõesdesta invenção. Exemplos de tais co-solventes contendo hidroxila orgânicoadequado incluem, mas não estão limitados a, glicerol, 1,4-butano diol, 1,2-ciclopentanodiol, 1,2-ciclohaxanodiol, e metilpentanodiol, e álcoois saturadostais como etanol, propanol, butanol, hexanol e hexafluorisopropanol, e mistu-ras dos mesmos. Um co-solvente pode estar presente nas composições des-ta invenção em uma quantidade, baseada no peso total da composição, decerca de 0 a cerca de 10% em peso, preferivelmente de cerca de 0,1 a cercade 10% em peso, mais preferivelmente de cerca de 0,5 a cerca de 5% empeso, baseado no peso da composição.
As composições desta invenção podem também conter um oumais de quaisquer outros agentes de inibição de corrosão adequados, prefe-rivelmente compostos arila contendo dois ou mais OH, ORô, e/ou gruposso2r6r7 ligados diretamente ao anel aromático, onde R6, r7 e Re são, cadaindependentemente, alquila, preferivelmente alquila de 1 a 6 átomos de car-bono, ou arila, preferivelmente arila de 6 a 14 átomos de carbono. Como e-xemplos de tais agentes de inibição de corrosão preferidos podem ser men-cionados pirogalol, ácido gálico, resorcinol e similares. Tais outros agentesde inibição de corrosão podem estar presentes em uma quantidade de cercade 0 a cerca de 10% em peso, preferivelmente de cerca de 0,1 a cerca de10% em peso, mais preferivelmente de cerca de 0,5 a cerca de 5% em peso,baseado no peso da composição.
Agentes orgânicos ou quelantes inorgânicos ou de complexaçãode metal não são requeridos, mas oferecem benefícios substanciais, taiscomo, por exemplo, estabilidade aperfeiçoada do produto. Um ou mais detais agentes quelantes inorgânicos ou de complexação de metal podem serempregados nas composições desta invenção. Exemplos adequados de a-gentes quelantes ou de complexação incluem, mas não estão limitados a,porções funcionais de ácido trans-1,2-ciclohexanodiamina tetracético (CyD-TA), ácido etilenodiamina tetracético (EDTA), estanatos, pirofosfatos, deriva-dos de ácido alquilideno-difosfônico (por exemplo, etano-1-hidroxila-1,1-difosfonato), fosfonatos contendo etilenodiamina, dietilenotriamina ou trietile-notriamina, por exemplo, etilenodiamina tetra (ácido metileno fosfônico)(EDTMP), dietilenotriamina penta (ácido metileno fosfônico), e trietilenote-tramina hexa (ácido metileno fosfônico), e misturas dos mesmos. O agentequelante estará presente na composição em uma quantidade de cerca de 0a cerca de 5% em peso, preferivelmente de cerca de 0,1 a cerca de 2% empeso, baseado no peso da composição. Agentes quelantes ou de complexa-ção de vários fosfonatos, tais como etilenodiamina tetra (ácido metileno fos-fônico) (EDTMP) oferecem estabilização muito aperfeiçoada das composi-ções de limpeza das composições de limpeza desta invenção contendo a-gentes oxidantes em condições ácidas e alcalinas e, desse modo, são ge-ralmente preferidos.
As composições de limpeza podem também conter opcional-mente um ou mais tensoativos adequados, tais como, por exemplo, dimetilhexinol (Surfynol-61), tetrametil decinodiol etoxilado (Surfynil-465), politetra-fluoretileno cetoxipropilbetaína (Zonyl FSK), Zonyl FSH, e similares. O ten-soativo geralmente estará presente em uma quantidade de 0 a cerca de 5%em peso, preferivelmente 0,1 a cerca de 3% em peso, baseado no peso totalda composição.
Exemplos de composições de limpeza desta invenção incluem,mas não estão limitados a, composições apresentadas nas Tabelas 1 a 3seguintes. Nas Tabelas 1 a 3, as abreviações empregadas são como se se-guem:
NMP = N-metil-pirrolidinona
SFL = sulfolano
DMSO = dimetil sulfóxido
CARB = carbitol
EG = etileno glicol
GE = metóxi propanol (Glicol éter PM)
AEEA = (2-aminoetil)2-aminotanol
CAT = catecol
8HQ = 8-hidroxiquinolina
Tabela 1
<table>table see original document page 11</column></row><table>Tabela 2
Composições/Partes em Peso
<table>table see original document page 12</column></row><table>
Tabela 3
Composições/Partes em Peso
<table>table see original document page 12</column></row><table>
Os resultados da inibição de anticorrosão galvânica obtidos comas composições de limpeza desta invenção são ilustrados pelo teste seguin-te. Substratos microeletronicos com uma característica de metal de camadatripla (Mo/Al/Mo), e revestidos com material fotorresistente, foram tratadosna Composição N9 6 da Tabela 1, e também em uma composição compara-tiva onde o componente AEEA foi substituído com 15% de metanoetanola-mina, isto é, uma composição comparativa de 84% de carbitol, 15% de eta-nolamina e 1% de 8-hidroxiquinolina. Os substratos foram primeiro coloca-dos nas composições por 5 minutos a 70°C, em seguida removidos e absor-vidos, e em seguida os substratos foram imersos em 15% de soluções diluí-das das respectivas composições (isto é, diluições de 5g da composição em95g de água) por 5 minutos à temperatura ambiente para simular uma etapade lavagem convencional no processamento dos substratos. Após este se-gundo tratamento, os substratos com as características de camada triplaforam removidos a partir das soluções diluídas, enxaguados com água, eobservados por fotografias com um SEM. Os resultados da corrosão do alu-mínio após cada etapa foram conforme segue:
Composição 6
Após tratamento na Composição 6 - Nenhuma corrosão do Al
Após tratamento em 5% de solução - Leve corrosão do AlComposição Comparativa
Após tratamento na Composição Comparativa - Nenhuma cor-rosão do Al
Após tratamento em 5% de solução - Severa corrosão do Al
Inibições de corrosão similares com relação a tais substratos decaracterística de metal de camada tripla foram observadas quando as Com-posições 8 a 13 das Tabelas 2 e 3 foram submetidas ao mesmo regime deteste em ambas a formulação da Composição, e em 15% de soluções diluí-das desta, e observadas sob um SEM.
Embora a presente invenção tenha sido descrita aqui com refe-rência às concretizações específicas desta, será apreciado que mudanças,modificações e variações podem ser feitas sem fugir do espírito e escopo doconceito inventivo aqui descrito. Conseqüentemente, é pretendido envolvertais mudanças, modificações e variações que estejam dentro do espírito eescopo das reivindicações em anexo.

Claims (20)

1. Composição de limpeza não-aquosa para limpeza de materialfotorresistente e resíduos de substâncias microeletronicas, a referida com-posição de limpeza compreendendo:(a) pelo menos um solvente orgânico polar,(b) pelo menos uma di ou poliamina tendo ambos pelo menosum grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou terciá-ria, e tendo a fórmula <formula>formula see original document page 14</formula> na qual R1, R2, R4 e R5 são, cada independentemente, selecio-10 nados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e ami-noalquila; R6 e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir dogrupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independente-mente, números inteiros de 1 ou maior, com a condição que R1, R2, R4 e R5sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo amina primá-ria e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no composto, e(c) pelo menos um inibidor de corrosão que é selecionado a par-tir do grupo consistindo em 8-hidroxiquinolina e isômeros da mesma, benzo-triazóis, catecol, monossacarídeos, e álcoois polihídricos selecionados a par-tir de manitol, sorbitol, arabitol, xilitol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos di-óis.
2. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 1, emque o componente de solvente orgânico polar (a) compreende de cerca de-50 a cerca de 90% em peso da composição, o componente de di ou poliami-na (b) compreende de cerca de 5% a cerca de 20% em peso da composi-ção, e o componente de inibição de corrosão (c) está presente na composi-ção em uma quantidade de cerca de 0,1% a cerca de 10% em peso da com-posição.
3. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 1, emque o componente de solvente orgânico polar (a) compreende de cerca de 85 a cerca de 90% em peso da composição, o componente de di ou poliami-na (b) compreende de cerca de 5% a cerca de 15% em peso da composi-ção, e o componente de inibição de corrosão (c) está presente na composi-ção em uma quantidade de cerca de 0,3% a cerca de 3% em peso da com-posição.
4. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 1, emque o componente de solvente orgânico polar (a) é selecionado a partir dogrupo consistindo em sulfolano, dimetil sulfóxido, N-metil-2-pirrolidona, carbi-tol, etileno glicol e metóxi propanol, e misturas dos mesmos, o componentede di ou poliamina (b) é selecionado a partir do grupo consistindo em 2-aminoetil-2-aminoetanol, dietileno triamina, e trietileno tetramina, e o compo-nente de inibição de corrosão (c) é selecionado a partir de 8-hidroxiquinolinae catecol.
5. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 3, emque o componente de solvente orgânico polar (a) é selecionado a partir dogrupo consistindo em sulfolano, dimetil sulfóxido, N-metil-2-pirrolidona, carbi-tol, etileno glicol e metóxi propanol, e misturas dos mesmos, o componentede di ou poliamina (b) é selecionado a partir do grupo consistindo em (2-aminoetil)-2-aminoetanol, dietileno triamina, e trietileno tetramina, e o com-ponente de inibição de corrosão (c) é selecionado a partir de 8-hidroxiquinolina e catecol.
6. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 1, emque o componente de di ou poliamina (b) é (2-aminoetil)-2-aminoetanol.
7. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 5, emque o componente de di ou poliamina (b) é (2-aminoetil)-2-aminoetanol.
8. Composição de limpeza, de acordo com a reivindicação 7,compreendendo carbitol como componente de solvente orgânico polar (a), e 8-hidroxiquinolina como componente de inibição de corrosão (c).
9. Processo para limpeza de material fotorresistente ou resíduode um substrato microeletrônico, o processo compreendendo contatar osubstrato com uma composição de limpeza por um tempo suficiente paralimpar o material fotorresistente ou resíduo a partir do substrato, no qual acomposição de limpeza compreende uma composição de:(a) pelo menos um solvente orgânico polar,(b) pelo menos uma di ou poliamina tendo ambos pelo menosum grupo amina primária e um ou mais grupos amina secundária ou terciá-ria, e tendo a fórmula<formula>formula see original document page 16</formula>no qual Ri, R2, FU e R5 são, cada independentemente, selecio-nados a partir do grupo consistindo em H, OH, grupos hidroxialquila e ami-noalquila; R6 e R7 são, cada independentemente, selecionados a partir dogrupo consistindo em H ou grupos alquila, e m e n são, cada independente-mente, números inteiros de 1 ou maior, com a condição que R1t R2, R4 e R5sejam selecionados de modo que exista pelo menos um grupo amina primá-ria e pelo menos um grupo amina secundária ou terciária no composto, e(c) pelo menos um inibidor de corrosão que é selecionado a par-tir do grupo consistindo em 8-hidroxiquinolina e isômeros desta, benzotria-zóis, catecol, monossacarídeos, e álcoois polihídricos selecionados a partirde manitol, sorbitol, arabitol, xilitol, eritritol, alcano dióis e cicloalcanos dióis.
10. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletrônico, de acordo com a reivindicação 9, emque o componente de solvente orgânico polar (a) compreende de cerca de50 a cerca de 90% em peso da composição, o componente de di ou poliami-na (b) compreende de cerca de 5% a cerca de 20% em peso da composi-ção, e o componente de inibição de corrosão (c) está presente na composi-ção em uma quantidade de cerca de 0,1% a cerca de 10% em peso da com-posição.
11. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 9, emque o componente de solvente orgânico polar (a) compreende de cerca de-85 a cerca de 90% em peso da composição, o componente de di- ou polia-mina (b) compreende de cerca de 5% a cerca de 15% em peso da composi-ção, e o componente de inibição de corrosão (c) está presente na composi-ção em uma quantidade de cerca de 0,3% a cerca de 3% em peso da com-posição.
12. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 9, emque o componente de solvente orgânico polar (a) é selecionado a partir dogrupo consistindo em sulfolano, dimetil sulfóxido, N-metil-2-pirrolidona, carbi-tol, etileno glicol e metóxi propanol, e misturas dos mesmos, o componentede di ou poliamina (b) é selecionado a partir do grupo consistindo em 2-aminoetil-2-aminoetanol, dietileno triamina, e trietileno tetramina, e o compo-nente de inibição de corrosão (c) é selecionado a partir de 8-hidroxiquinolinae catecol.
13. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 11, noqual o componente de solvente orgânico polar (a) é selecionado a partir dogrupo consistindo em sulfolano, dimetil sulfóxido, N-metil-2-pirrolidona, carbi-tol, etileno glicol e metóxi propanol, e misturas dos mesmos, o componentede di ou poliamina (b) é selecionado a partir do grupo consistindo em (2-aminoetil)-2-aminoetanol, dietileno triamina, e trietileno tetramina, e o com-ponente de inibição de corrosão (c) é selecionado a partir de 8-hidroxiquinolina e catecol.
14. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 9, emque o componente de di- ou poliamina (b) é (2-aminoetil)-2-aminoetanol.
15. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 13, noqual o componente de di ou poliamina (b) é (2-aminoetil)-2-aminoetanol.
16. Processo para limpeza de material fotorresistente ou de re-síduo de um substrato microeletronico, de acordo com a reivindicação 15,compreendendo carbitol como componente de solvente orgânico polar (a), e 8-hidroxiquinolina como componente de inibição de corrosão (c).
17. Processo, de acordo com a reivindicação 9, em que o subs-trato microeletronico é uma estrutura com camadas delineada com metaisdiferentes.
18. Processo, dé acordo com a reivindicação 13, em que o subs-trato microeletronico é uma estrutura com camadas delineada com metaisdiferentes.
19. Processo, de acordo com a reivindicação 14, em que o subs-trato microeletronico é uma estrutura com camadas delineada com metaisdiferentes.
20. Processo, de acordo com a reivindicação 16, em que o subs-trato microeletronico é uma estrutura com camadas delineada com metaisdiferentes.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5236217B2 (ja) * 2006-06-22 2013-07-17 東進セミケム株式会社 レジスト除去用組成物
US7851655B2 (en) * 2006-12-19 2010-12-14 Nalco Company Functionalized amine-based corrosion inhibitors for galvanized metal surfaces and method of using same
WO2009111719A2 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Advanced Technology Materials, Inc. Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
US8518865B2 (en) 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
US9458415B2 (en) * 2012-02-06 2016-10-04 Basf Se Post chemical-mechanical-polishing (post-CMP) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol or a polycarboxylic acid
CN103389627A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 安集微电子科技(上海)有限公司 一种光刻胶清洗液
JP7204760B2 (ja) * 2018-02-14 2023-01-16 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング フォトレジストリムーバ組成物
CN112424327A (zh) * 2018-07-20 2021-02-26 恩特格里斯公司 含腐蚀抑制剂的清洗组合物
CN109557774A (zh) * 2019-01-22 2019-04-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻胶去除方法及铝制程工艺方法
CN110967946A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 苏州博洋化学股份有限公司 一种高效碱性光刻胶剥离液

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4478827A (en) * 1983-05-09 1984-10-23 The General Hospital Corporation Renin inhibitors
KR890004583B1 (ko) * 1984-06-29 1989-11-16 히다찌가세이고오교 가부시끼가이샤 금속표면 처리공정
US4671251A (en) * 1984-09-24 1987-06-09 Ohio State University Fluidized bed combustor
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
US4824763A (en) * 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
US5166039A (en) * 1988-02-25 1992-11-24 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin and process for peeling off said resin
US5037724A (en) * 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US4921571A (en) * 1989-07-28 1990-05-01 Macdermid, Incorporated Inhibited composition and method for stripping tin, lead or tin-lead alloy from copper surfaces
US6492311B2 (en) * 1990-11-05 2002-12-10 Ekc Technology, Inc. Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process
US5753601A (en) * 1991-01-25 1998-05-19 Ashland Inc Organic stripping composition
US5496491A (en) * 1991-01-25 1996-03-05 Ashland Oil Company Organic stripping composition
US5988186A (en) * 1991-01-25 1999-11-23 Ashland, Inc. Aqueous stripping and cleaning compositions
JP3160344B2 (ja) * 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
US5556482A (en) * 1991-01-25 1996-09-17 Ashland, Inc. Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor
US5472823A (en) * 1992-01-20 1995-12-05 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition
US6825156B2 (en) * 2002-06-06 2004-11-30 Ekc Technology, Inc. Semiconductor process residue removal composition and process
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5545353A (en) * 1995-05-08 1996-08-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5554312A (en) * 1995-01-13 1996-09-10 Ashland Photoresist stripping composition
US5561105A (en) * 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition
US5507978A (en) * 1995-05-08 1996-04-16 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Novolak containing photoresist stripper composition
US5612304A (en) * 1995-07-07 1997-03-18 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Redox reagent-containing post-etch residue cleaning composition
US5693691A (en) * 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
US5759973A (en) * 1996-09-06 1998-06-02 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Photoresist stripping and cleaning compositions
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US5798323A (en) * 1997-05-05 1998-08-25 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US5919599A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
US6465403B1 (en) * 1998-05-18 2002-10-15 David C. Skee Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US7135445B2 (en) * 2001-12-04 2006-11-14 Ekc Technology, Inc. Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials
SG77710A1 (en) * 1998-09-09 2001-01-16 Tokuyama Corp Photoresist ashing residue cleaning agent
JP3054145B1 (ja) * 1999-04-22 2000-06-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
TWI270749B (en) * 1999-06-07 2007-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same
US6268115B1 (en) * 2000-01-06 2001-07-31 Air Products And Chemicals, Inc. Use of alkylated polyamines in photoresist developers
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
US6319835B1 (en) * 2000-02-25 2001-11-20 Shipley Company, L.L.C. Stripping method
US6475966B1 (en) * 2000-02-25 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Plasma etching residue removal
AU2001278890A1 (en) * 2000-07-10 2002-01-21 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
US6558879B1 (en) * 2000-09-25 2003-05-06 Ashland Inc. Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors
JP2002216977A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子
JP4810764B2 (ja) * 2001-06-29 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤組成物
US20040256358A1 (en) * 2001-11-02 2004-12-23 Hidetaka Shimizu Method for releasing resist
US6943142B2 (en) 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
JP2004101849A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄剤組成物
JP4165208B2 (ja) * 2002-12-24 2008-10-15 東ソー株式会社 レジスト剥離方法
US7119052B2 (en) * 2003-06-24 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for high-efficiency cleaning/polishing of semiconductor wafers
PL1787168T3 (pl) * 2004-07-15 2010-11-30 Avantor Performance Mat Inc Zawierające fruktozę, niewodne kompozycje do czyszczenia mikroelektroniki
ATE450595T1 (de) * 2004-08-03 2009-12-15 Mallinckrodt Baker Inc Reinigungsmittel für mikroelektronik-substrate
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
ATE463763T1 (de) * 2004-12-10 2010-04-15 Mallinckrodt Baker Inc Wasserfreie nicht korrosive mikroelektronische reinigungsverbindungen mit polymerischen corrosionsinhibitoren

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