TW201421552A - 液體處理裝置及清洗方法 - Google Patents

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Yoshinori Ikeda
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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

本發明旨在提供一種液體處理裝置及清洗方法，可清洗排氣通道中排放部周邊以外處。其中液體處理裝置10包含：排氣部76，設於排放部71~74附近，以使由基板固持部52所固持之基板W周圍的蒙氣排氣；排氣通道形成構件66，形成連接排氣部76之排氣通道77；及第1清洗部90，對排氣通道77側排氣通道形成構件66供給清洗液。

Description

液體處理裝置及清洗方法
本發明係關於用來以處理液處理基板之液體處理裝置及以如此之液體處理裝置進行之清洗方法。
半導體製品之製造程序或平面顯示器(FPD)之製造程序中，經常使用對作為被處理基板之半導體晶圓或玻璃基板供給處理液，進行液體處理之程序。作為如此之程序，例如有去除附著於基板之微粒或污染物質等之清洗處理等。
作為實施如此之液體處理之液體處理裝置，已知將半導體晶圓等基板固持於旋轉吸盤，在基板旋轉之狀態下對基板表面或背面、或表面及背面雙方供給處理液(藥液、潤洗液等)，進行處理之單片式液體處理單元。
自旋轉之基板甩掉對基板供給之處理液，其於基板固持台周邊區域成為霧靄飛散。因此，習知之液體處理單元中，設有用來回收對基板供給後之處理液之排放部。且於排放部附近，設有用來使由基板固持台固持之基板周圍的蒙氣排氣之排氣部。自以往，作為設有排放部或排氣部之液體處理單元，已知揭示於例如專利文獻1等。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2011-254019號公報
習知之液體處理單元中，處理液蒸發後之結晶物附著而堆積於延伸至排氣部之排氣通道，故需清洗如此之結晶物。以往，清洗附著於排氣通道之結晶物時，對排放部供給清洗液，清洗液充滿於此排放部，藉此清洗排氣通道中排放部周邊處。然而，依如此之方法，有無法清洗排氣通道中排放部周邊以外處之問題。
考慮到如此之情事，本發明之目的在於提供一種液體處理裝置及清洗方法，可清洗排氣通道中排放部周邊以外處。
本發明之液體處理裝置係用來以處理液處理基板，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持基板；基板旋轉機構，使該基板固持部旋轉；處理液供給部，用來對由該基板固持部固持之基板供給處理液；引導杯，設置成包圍該基板固持部；排放部，用來回收對基板供給後之處理液；排氣部，設於該排放部附近，以使由該基板固持部固持之基板周圍的蒙氣排氣；排氣通道形成構件，設置在作為以處理液對由該基板固持部固持之基板進行處理之區域之第1區域，與作為設有該排放部及該排氣部之區域之第2區域之間，其中於該排氣通道形成構件與該引導杯之間設有間隙，藉由該引導杯及該排氣通道形成構件，形成連接該排氣部之排氣通道；及第1清洗部，對該第2區域側該排氣通道形成構件供給清洗液。
本發明之清洗方法於一液體處理裝置中進行，該液體處理裝置包含：基板固持部，水平固持基板；基板旋轉機構，使該基板固持部旋轉；處理液供給部，用來對由該基板固持部固持之基板供給處理液；引導杯，設置成包圍該基板固持部；排放部，用來回收對基板供給後之處理液；排氣部，設於該排放部附近，以使由該基板固持部固持之基板周圍的蒙氣排氣；及排氣通道形成構件，設置在作為以處理液對由該基板固持部固持之基板進行處理之區域之第1區域，與作為設有該排放部及該排氣部之區域之第2區域之間，其中於該排氣通道形成構件與該引導杯之間設有間隙，藉由該引導杯及該排氣通道形成構件，形成連接該排氣部之排氣通道；該清洗方法之特徵在於包含第1清洗程序，以對該第2區域側該排氣通道形成構件供給清洗液。
依本發明之液體處理裝置及清洗方法，可清洗延伸至排氣部之排氣通道中排放部周邊以外處，可防止處理液蒸發後之結晶物附著而堆積於排氣通道。
W‧‧‧基板(晶圓)
10‧‧‧液體處理裝置
20‧‧‧載具載置區塊
22‧‧‧載具載置部
24‧‧‧載具
26‧‧‧第1搬運部
28‧‧‧固持臂部
30‧‧‧傳遞區塊
32‧‧‧傳遞平台
40‧‧‧處理區塊
42‧‧‧第2搬運部
44‧‧‧固持臂部
46‧‧‧搬運通路
50‧‧‧液體處理單元
51‧‧‧液體處理室
52‧‧‧基板固持台(基板固持部)
52a‧‧‧吸盤銷
53‧‧‧旋轉驅動軸
54‧‧‧旋轉馬達(基板旋轉機構)
55‧‧‧噴嘴(處理液供給部)
56a‧‧‧酸性處理液供給源
56b‧‧‧鹼性處理液供給源
56c‧‧‧清洗液供給源
56d‧‧‧有機性處理液供給源
60‧‧‧外側引導旋轉杯
62‧‧‧內側引導旋轉杯
64‧‧‧引導構件
66‧‧‧排氣通道形成構件
66a‧‧‧凹部
66b‧‧‧穿通孔
66c‧‧‧環構件
68‧‧‧第1引導板
69‧‧‧第2引導板
71‧‧‧第1處理液回收用槽
72‧‧‧第2處理液回收用槽
73‧‧‧第3處理液回收用槽
74‧‧‧第4處理液回收用槽
75‧‧‧第1排氣部
76‧‧‧第2排氣部
76A‧‧‧排氣通路
77‧‧‧排氣通道
78‧‧‧壁體
78a‧‧‧內周面
79‧‧‧第3區域
80‧‧‧FFU(風扇過濾器單元)
81‧‧‧第1引導杯
82‧‧‧第2引導杯
83‧‧‧第3引導杯
84‧‧‧區隔壁
90‧‧‧第1清洗部
92‧‧‧第2清洗部
100‧‧‧排氣導管
102‧‧‧外筒
102a‧‧‧形成開口部
104‧‧‧內筒
104a‧‧‧形成開口部
106‧‧‧清洗部
108‧‧‧清洗液供給源
166‧‧‧排氣通道形成構件
166a‧‧‧環狀第1周面
166b‧‧‧環狀第2周面
166c‧‧‧環狀第3周面
166d‧‧‧凹部
166e‧‧‧底面
166f‧‧‧排液通路
166g‧‧‧管
168‧‧‧引導突起
168a‧‧‧下端
190‧‧‧第1清洗部
190a‧‧‧第1噴吐口
190b‧‧‧第2噴吐口
190c‧‧‧流路
190d‧‧‧清洗液供給源
192‧‧‧第2清洗部
192a‧‧‧噴吐口
192b‧‧‧流路
192c‧‧‧供給管
192d‧‧‧清洗液供給源
圖1係顯示依本發明實施形態之液體處理裝置整體構成之橫剖俯視圖。
圖2係顯示設於圖1所示之液體處理裝置之液體處理單元構成之構成圖。
圖3中(a)~(c)係顯示圖2所示之液體處理單元中，第2引導杯及第3引導杯分別位於下方位置、中央位置、上方位置時之狀態圖。
圖4中(a)係顯示設於圖2所示之液體處理單元之排氣導管構成之剖面圖，(b)係(a)所示之排氣導管依A-A箭視之剖面圖。
圖5係顯示液體處理單元另一實施形態構成之構成圖。
以下，參照圖式說明關於本發明實施形態。圖1至圖3係顯示依本實施形態之液體處理裝置之構成圖。其中，圖1係顯示依本實施形態之液體處理裝置整體構成之橫剖俯視圖，圖2係顯示設於圖1所示之液體處理裝置之液體處理單元構成之構成圖。且圖3(a)~(c)係顯示圖2所示之液體處理單元中，第2引導杯及第3引導杯分別位於下方位置、中央位置、上方位置時之狀態圖。
首先，使用圖1說明關於本實施形態之液體處理裝置整體構成。圖1所示之液體處理裝置10進行對作為被處理體之基板W(以下亦稱晶圓W)供給作為處理流體之藥液，去除附著於晶圓W之粒子或污染物質之液體處理。如圖1所示，本實施形態之液體處理裝置10包含：載具載置區塊20，自外部將收納複數片晶圓W之載具24送入送出；傳遞區塊30，具有晶圓W之傳遞部；及處理區塊40，對晶圓W進行既定液體處理。
此等者以載具載置區塊20為前方側，載具載置區塊20、傳遞區塊30、處理區塊40沿前後方向(圖1中之X方向)呈一列排列，相互連接。
載具載置區塊20具有載置例如4個載具24之載具載置部22，並具有於在該載具載置部22上所載置之載具24與傳遞區塊30之間傳遞晶圓W之第1搬運部26。此第1搬運部26中，固持晶圓W之固持臂部28例如可沿前後方向任意進退、沿左右方向(圖1中之Y方向)任意移動、任意旋轉及任意昇降。
傳遞區塊30具有多段傳遞平台32，第1搬運部26，與後述設於處理區塊40之第2搬運部42可分別對此傳遞平台32進行存取。
處理區塊40具有沿前後方向(圖1中之X方向)延伸之晶圓W之搬運通路46，於此搬運通路46設有第2搬運部42。且夾隔著搬運通路46， 自載具載置區塊20側觀察於左右分別設有例如4台液體處理單元50相互對向。第2搬運部42相對於合計8台液體處理單元50及前述傳遞平台32傳遞晶圓W。此第2搬運部42中，固持晶圓W背面側周緣之固持臂部44設置成可任意進退、任意旋轉、任意昇降及沿搬運通路46任意移動。
其次，使用圖2及圖3說明關於液體處理單元50之構成詳細情形。如圖2所示，液體處理單元50包含：液體處理室51，藉由第2搬運部42之固持臂部44送入送出晶圓W並處理；及基板固持台(基板固持部)52，設於液體處理室51內，水平固持晶圓W並任意旋轉之。
此基板固持台52經由旋轉驅動軸53，連結旋轉基板固持台52之旋轉馬達(基板旋轉機構)54。且於基板固持台52設有複數(例如3根，圖2中僅圖示2根)吸盤銷52a，載置晶圓W在吸盤銷52a上。且藉由未圖示之機械式吸盤於基板固持台52周緣部固持在吸盤銷52a上所載置之晶圓W，藉由驅動旋轉馬達54使其於水平面內旋轉。
且如圖2所示，液體處理室51中，設有對由基板固持台52固持之晶圓W選擇性地噴吐(供給)複數種類處理液之噴嘴(處理液供給部)55。亦即，噴嘴55分別連接酸性處理液供給源56a、鹼性處理液供給源56b、清洗液供給源56c及有機性處理液供給源56d，自此等供給源56a~56d選擇性地將酸性處理液、鹼性處理液、清洗液及有機性處理液送往噴嘴55，朝晶圓W表面噴吐。又，作為酸性處理液，可使用例如SPM液(硫酸與過氧化氫溶液之混合溶液)、HF液(氟化氫液)或SC2(鹽酸與過氧化氫溶液之混合溶液)等，作為鹼性處理液，可使用例如SC1液(氨過氧化氫水)或氨水等。且作為清洗液，例如可使用純水等，作為有機性處理液，例如可使用IPA液(異丙醇液)等。
如圖2所示，於液體處理室51上方設有FFU(風扇過濾器單元)80，藉由此FFU80以降流將潔淨空氣送往液體處理室51。
於基板固持台52周邊，分別設有與基板固持台52一齊旋轉，引導自旋轉之晶圓W飛散之處理液或其霧靄之外側引導旋轉杯60及內側引導旋轉杯62。此等外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62具有上部形成開口部，整體而言呈環狀形成，下端部形成開口徑大於上部形成開口部之形成開口徑。
於基板固持台52周邊，為承接由外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62所引導之處理液而將其引導至下方，自上而下依序設有第1引導杯81、第2引導杯82及第3引導杯83。又，通過以第1引導杯81內側與第2引導杯82外側形成之通道，引導有機性處理液。且通過以第2引導杯82內側與第3引導杯83外側形成之通道，引導鹼性處理液。且通過以第3引導杯83內側與後述排氣通道形成構件66外側形成之通道，引導酸性處理液。又，亦可使第2引導杯82引導酸性處理液，第3引導杯83引導鹼性處理液。且各引導杯81、82、83整體呈環狀形成，第1引導杯81相對於液體處理室51固定。且第2引導杯82連結昇降缸筒(未經圖示)，相對於第1引導杯81可任意昇降。更詳細而言，第2引導杯82在如圖3(a)所示之下方位置、如圖3(b)所示之中央位置及如圖3(c)所示之上方位置之間昇降。
且第3引導杯83於第2引導杯82昇降運動之一部分，與第2引導杯82一齊任意昇降。更詳細而言，第3引導杯83在如圖3(a)所示之下方位置、如圖3(b)所示之中央位置及如圖3(c)所示之上方位置之間昇降。又，下方位置與中央位置亦可高度相同。
且如圖2所示，於第1引導杯81、第2引導杯82、第3引導杯83下方區域外周側，設有將通過以第1引導杯81內側與第2引導杯82外側形成之通道而被引導之有機性處理液加以回收之第1處理液回收用槽71。於第1處理液回收用槽71內周側，設有將通過以第2引導杯82內側與第3引導杯83外側形成之通道而被引導之鹼性處理液加以回收之第2處理液回 收用槽72。於第2處理液回收用槽72內周側，設有將通過以第3引導杯83內側與後述排氣通道形成構件66外側形成之通道而被引導之酸性處理液加以回收之第3處理液回收用槽73。且於第3處理液回收用槽73內側，設有將後述由排氣通道形成構件66承接之各處理液以混合狀態回收之第4處理液回收用槽74。本說明書中，此等第1~第4處理液回收用槽71~74亦統稱為排放部。
且於第1處理液回收用槽71與第2處理液回收用槽72之間，設有將晶圓W周圍的蒙氣經由第1引導杯81及第2引導杯82排出之第1排氣部75。此第1排氣部75宜具有環狀俯視剖面，與各處理液回收用槽71~74一齊呈同心圓狀形成。且於第4處理液回收用槽74內周側，設有將晶圓W周圍的蒙氣經由第3引導杯83排出之第2排氣部76。此時，晶圓W周圍的蒙氣通過排氣通道77抵達第2排氣部76。於此等第1排氣部75及第2排氣部76下方設有排氣導管100，藉由第1排氣部75或第2排氣部76排氣於排氣導管100匯流，自此排氣導管100排出。藉由排氣導管100，可就匯流之排氣將酸性蒙氣、鹼性蒙氣及有機蒙氣再次個別分開朝工廠排出。
且如圖2所示，於第2引導杯82下端部，設有將來自第1引導杯81之處理液引導至第1處理液回收用槽71並將來自第2引導杯82之處理液引導至第2處理液回收用槽72之引導構件64。此引導構件64整體呈環狀形成，俾包覆第1排氣部75上方，具有朝第1排氣部75展開之U字狀剖面。此引導構件64亦可與第2引導杯82連動而進行昇降運動。
且設有區隔壁84，俾自第2處理液回收用槽72與第3處理液回收用槽73之間朝上方延伸。此區隔壁84分隔自第2引導杯82朝第2處理液回收用槽72之流路(參照圖3(b))，與自第3引導杯83朝第3處理液回收用槽73之流路(參照圖3(c))。藉由如此之區隔壁84，防止酸性蒙氣及鹼性蒙氣混合，酸性蒙氣及鹼性蒙氣不混合而結晶化，因此無需進行清洗。
且如圖2所示，於基板固持台52下方設有排氣通道形成構件66，此排 氣通道形成構件66將作為由基板固持台52固持之晶圓W周圍區域之液體處理室51(第1區域)，與作為設有第3處理液回收用槽73、第4處理液回收用槽74及第2排氣部76之區域之排氣通道77(第2區域)加以隔離。藉由如此之排氣通道形成構件66隔離液體處理室51與排氣通道77，故可在潔淨度更高之環境下處理晶圓W。在此，於排氣通道形成構件66，設有自該排氣通道形成構件66朝第3處理液回收用槽73及第4處理液回收用槽74分別往下方延伸之第1引導板68及第2引導板69。藉由第1引導板68及第2引導板69，可朝排氣通道77引導排氣，且可朝第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74引導排液。且於排氣通道形成構件66中面對液體處理室51處(亦即，排氣通道形成構件66中上表面側)形成凹部66a，藉由後述第2清洗部92對排氣通道形成構件66上表面側供給清洗液。且於排氣通道形成構件66設有穿通孔66b，將對排氣通道形成構件66上表面側供給之清洗液通過穿通孔66b送往第4處理液回收用槽74。且如圖2所示，於排氣通道形成構件66外周端設有朝上方延伸之環構件66c，如圖3(c)所示第2引導杯82處於上方位置時於此環構件66c與第3引導杯83之間形成排氣通路。如圖3(c)所示第2引導杯82處於上方位置時，於區隔壁84外側形成第3區域79。
本實施形態中，如圖2所示，於第2排氣部76附近，分別設有第1清洗部90及第2清洗部92。此等第1清洗部90及第2清洗部92配置於較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側。
第1清洗部90包含朝上方噴灑清洗液之噴嘴，藉由此第1清洗部90，對排氣通道77(第2區域)側排氣通道形成構件66供給清洗液，以清洗該處。更詳細而言，第1清洗部90對排氣通道形成構件66中較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側(內周側)處供給清洗液，以清洗該處。換言之，第1清洗部90對排氣通道77排氣方向(參照圖3(c)雙短劃虛線之箭頭)中較第2引導板69更下游側處供給清洗液，以清洗該處。如此之第1清洗部90於1個液體處理單元50，沿基板固持台52周向等間隔地設置例如3個。且噴嘴例如以廣角扇形作為液滴噴灑清洗液，故可清洗廣闊的範圍。 且作為液滴噴灑清洗液，故可跟著排氣之氣流清洗更廣闊的範圍。
且第2清洗部92由細長的噴嘴構成，此第2清洗部92對液體處理室51(第1區域)側排氣通道形成構件66供給清洗液，以清洗該處。更詳細而言，藉由第2清洗部92對排氣通道形成構件66上表面側供給清洗液。又，對排氣通道形成構件66上表面側供給之清洗液通過穿通孔66b被送往第4處理液回收用槽74。且第2清洗部92自其上端部朝上方噴灑清洗液，故藉由此第2清洗部92，對基板固持台52中與排氣通道形成構件66對向處亦供給清洗液。如此之第2清洗部92於1個液體處理單元50例如設置1個。
其次，於以下說明關於藉由如此之構成所構成之液體處理單元50進行之晶圓W之液體處理方法。
首先，藉由第2搬運部42之固持臂部44將晶圓W送入液體處理單元50之液體處理室51內，由基板固持台52固持之。
接著，藉由旋轉馬達54，固持晶圓W之基板固持台52與外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62一齊旋轉驅動。藉此，由基板固持台52固持之晶圓W於水平面內旋轉。
其次，藉由酸性處理液處理晶圓W。此時，自酸性處理液供給源56a對噴嘴55供給酸性處理液，對旋轉之晶圓W表面噴吐。此時，如圖3(c)所示，第2引導杯82及第3引導杯83分別位於上方位置。藉此，自晶圓W飛散而由外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62引導，包含霧靄之酸性處理液沿著第3引導杯83與排氣通道形成構件66外周壁之間之空間被引導，通過區隔壁84內周側被送往第3處理液回收用槽73而被回收(參照圖3(c)之實線箭頭)。且晶圓W周圍的蒙氣通過排氣通道77由第2排氣部76排出，被送往排氣導管100(參照圖3(c)之雙短劃虛線箭頭)。此時，藉由第3引導杯83及區隔壁84排氣通道77(第2區域)與第3區 域79(形成於區隔壁84外側之區域)被隔離。因此，蒙氣不自排氣通道77(第2區域)流往第3區域79。
晶圓W以酸性處理液進行之處理結束後，對晶圓W進行潤洗處理。此時，自清洗液供給源56c對噴嘴55供給清洗液，對旋轉之晶圓W表面噴吐。此期間，自晶圓W飛散之清洗液由第3處理液回收用槽73回收，且晶圓W周圍的蒙氣由第2排氣部76排出。
其次，藉由未圖示之昇降缸筒，第2引導杯82及第3引導杯83下降，自如圖3(c)所示之上方位置移動至如圖3(b)所示之中央位置。此時，引導構件64亦與第2引導杯82連動而移動至如圖3(b)所示之中央位置。其後，晶圓W由鹼性處理液處理。此時，自鹼性處理液供給源56b對噴嘴55供給鹼性處理液，朝旋轉之晶圓W表面噴吐。如前述，第2引導杯82及第3引導杯83分別位於如圖3(b)所示之中央位置，故自晶圓W飛散而由外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62引導，包含霧靄之鹼性處理液沿著第2引導杯82與第3引導杯83之間之空間被引導，通過引導構件64與區隔壁84之間之空間而被送往第2處理液回收用槽72並被回收(參照圖3(b)之實線箭頭)。且晶圓W周圍的蒙氣由第1排氣部75排出，被送往排氣導管100(參照圖3(b)之雙短劃虛線箭頭)。
晶圓W以鹼性處理液進行之處理結束後，對晶圓W進行潤洗處理。此時，自清洗液供給源56c對噴嘴55供給清洗液，對旋轉之晶圓W表面噴吐。此期間，自晶圓W飛散之清洗液與鹼性處理液相同，由第2處理液回收用槽72回收，且晶圓W周圍的蒙氣由第1排氣部75排出。
其次，藉由未圖示之昇降缸筒，第2引導杯82及第3引導杯83更下降，自如圖3(b)所示之中央位置移動至如圖3(a)所示之下方位置。此時，引導構件64亦與第2引導杯82呈一體，移動至如圖3(a)所示之下方位置。其後，藉由有機性處理液對晶圓W進行乾燥處理。此時，自有機性處理液供給源56d對噴嘴55供給有機性處理液，對旋轉之晶圓W表面 噴吐。如前述，第2引導杯82及第3引導杯83分別位於如圖3(a)所示之下方位置，故自晶圓W飛散而由外側引導旋轉杯60或內側引導旋轉杯62引導之有機性處理液沿著第1引導杯81與第2引導杯82之間之空間被引導，通過引導構件64外周側被送往第1處理液回收用槽71並被回收(參照圖3(a)之實線箭頭)。且晶圓W周圍的蒙氣與鹼性處理液相同地被引導，由第1排氣部75排出而被送往排氣導管100(參照圖3(a)之雙短劃虛線箭頭)。
如此，晶圓W之處理結束。其後，藉由第2搬運部42之固持臂部44自基板固持台52卸除晶圓W，自液體處理單元50之液體處理室51送出。
其次，以下說明關於如圖2等所示之液體處理單元50中，至第2排氣部76止排氣通道77之清洗方法。又，清洗排氣通道77之時機在批次間或是處理既定片數晶圓W後。或是，亦可於晶圓W處理中清洗排氣通道77。藉由液體處理單元50長期間進行晶圓W之液體處理後，處理液之結晶物即會附著並堆積於排氣通道77(第2區域)側排氣通道形成構件66。因此，需進行如此之處之清洗以去除結晶物。又，作為結晶物，可舉出BHF(緩衝氫氟酸、藉由酸成分與鹼成分反應產生之鹽)。所有藥液自穿通孔66b流入排氣通道77，故易於在排氣通道77(第2區域)側排氣通道形成構件66反應而結晶。因此，需清洗排氣通道77(第2區域)側排氣通道形成構件66。
清洗延伸至第2排氣部76之排氣通道77時，自噴嘴55對第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74供給清洗液，於此等第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74充滿清洗液，藉此去除附著並堆積於排氣通道77中第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74附近處之結晶物。此時，藉由第1清洗部90朝上方噴灑清洗液。藉此，對圖2中由雙短劃虛線R包圍處供給清洗液。如此，對排氣通道形成構件66中面對排氣通道77(第2區域)處供給清洗液，故可清洗該處。更詳細而言，對排氣通道形成構件66中較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側(內周側) 處供給清洗液，以清洗該處。換言之，對排氣通道77排氣方向(參照圖3(c)雙短劃虛線箭頭)中較第2引導板69更下游側處供給清洗液，以清洗該處。
且藉由第2清洗部92，可對液體處理室51(第1區域)側排氣通道形成構件66進行清洗。具體而言，藉由第2清洗部92對排氣通道形成構件66上表面側供給清洗液，藉此清洗凹部66a。酸、鹼、有機之所有藥液流入液體處理室51(第1區域)側排氣通道形成構件66，故易於反應而結晶。因此，需清洗液體處理室51(第1區域)側排氣通道形成構件66。又，對排氣通道形成構件66上表面側供給之清洗液通過穿通孔66b被送往第4處理液回收用槽74。且第2清洗部92自其上端部朝上方噴灑清洗液，故藉由此第2清洗部92，對基板固持台52中與排氣通道形成構件66對向處亦供給清洗液。藉此，亦可清洗基板固持台52中與排氣通道形成構件66對向處。
如以上依本實施形態之液體處理裝置10或清洗方法，藉由第1清洗部90，對排氣通道77(第2區域)側排氣通道形成構件66供給清洗液。藉此，可將僅對第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74供給清洗液，於此等第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74充滿清洗液仍無法清洗之排氣通道77中第3處理液回收用槽73或第4處理液回收用槽74周邊以外處(具體而言，例如圖2中由雙短劃虛線R包圍處)加以清洗。
且本實施形態之液體處理裝置10或清洗方法中，第1清洗部90對排氣通道形成構件66中至少較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側處供給清洗液，以清洗該處。換言之，第1清洗部90至少對排氣通道77排氣方向中較第2引導板69更下游側處供給清洗液，以清洗該處。
且本實施形態之液體處理裝置10中，第1清洗部90係以液滴狀態供給清洗液之噴嘴。且第1清洗部90配置於較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側處。
且本實施形態之液體處理裝置10或清洗方法中，藉由第2清洗部92，對液體處理室51(第1區域)側排氣通道形成構件66供給清洗液。藉此，可去除附著於排氣通道形成構件66中面對液體處理室51處之處理液結晶物。
在此，於液體處理室51側排氣通道形成構件66形成凹部66a，藉由第2清洗部92對排氣通道形成構件66上表面側供給清洗液。且於排氣通道形成構件66設有穿通孔66b，對排氣通道形成構件66上表面側供給之清洗液通過穿通孔66b而被送往第4處理液回收用槽74。
且藉由第2清洗部92，對基板固持台52中與排氣通道形成構件66對向處亦供給清洗液。藉此，可去除附著於基板固持台52中與排氣通道形成構件66對向處之處理液結晶物。
且如圖2所示，第2清洗部92配置於較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側處。
又，依本實施形態之液體處理裝置及清洗方法不由上述態樣限定，可施加各種變更。
例如，第1清洗部90之設置位置只要可對排氣通道形成構件66中面對排氣通道77處供給清洗液以清洗該處，不限定於較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側處。同樣地，第2清洗部92之設置位置只要可對排氣通道形成構件66中面對液體處理室51處供給清洗液以清洗該處，不限定於較第4處理液回收用槽74更朝徑向內側處。
且亦可於自第1排氣部75或第2排氣部76接受排氣之排氣導管100設置清洗該排氣導管100內之排氣導管清洗機構。以下，使用圖4(a)、(b)說明關於如此之排氣導管清洗機構構成。在此，圖4(a)係顯示設於圖2 所示之液體處理單元之排氣導管構成之剖面圖，圖4(b)係圖4(a)所示之排氣導管依A-A箭視之剖面圖。
如圖4(a)、(b)所示，排氣導管100呈包含外筒102及內筒104之雙管構造。內筒104藉由未圖示之旋轉機構旋轉。且於內筒104設有形成開口部104a，藉由此形成開口部104a，外筒102與內筒104之間之空間，與內筒104內之空間連通。且於外筒102外周面設有清洗部106，藉由此清洗部106對外筒102與內筒104之間之空間供給清洗液。更詳細而言，清洗部106連接清洗液供給源108，藉由此清洗液供給源108對清洗部106內供給清洗液。且於外筒102設有形成開口部102a，藉由此形成開口部102a自清洗部106對外筒102內供給清洗液。如此，清洗排氣導管100時，經由形成開口部102a自清洗部106對外筒102內供給清洗液，藉此亦可將清洗液經由形成開口部104a送往內筒104內，故可無遺漏地清洗排氣導管100之外筒102之內周壁及內筒104之內周壁或外周壁。
其次，參照圖5說明關於第2實施形態。於以下，說明關於與圖2所示之第1實施形態(意指上述「本實施形態」。以下同。)之相異點。揭示第2實施形態之圖5中，賦予與揭示第1實施形態之圖2相同之參照符號之構件係相同構件，省略關於此等者之重複說明。
第2實施形態中，不設置第1實施形態之第1清洗部90，代之以第1清洗部190。第1清洗部190與第1實施形態相同，配置於較排放部77更朝徑向內側區域，具體而言第2排氣部76內。第1清洗部190作為中空環形狀噴嘴體形成，包含複數例如90個第1噴吐口190a，與複數例如30個第2噴吐口190b。第1噴吐口190a沿圓周方向以等間隔設置，第2噴吐口190b亦沿圓周方向以等間隔設置。於第1清洗部190內部，設有沿圓周延伸之流路190c。流路190c經由開合閥連接清洗液供給源190d。自清洗液供給源190d對第1清洗部190供給清洗液，藉此自第1噴吐口190a以及第2噴吐口190b噴吐清洗液。第2實施形態之第1清洗部190不如第1實施形態之第1清洗部90般噴灑液滴(雙流體)，而呈線狀噴射液體。
且第2實施形態中，不設置第1實施形態之排氣通道形成構件66，代之以排氣通道形成構件166。於排氣通道形成構件166下表面側，設有朝第3處理液回收用槽73往下方突出之引導突起168。引導突起168與第1實施形態之第1引導板68相同，將氣液混相流所包含之液體成分(參照圖5箭頭L)導往引導突起168下方之第3處理液回收用槽73，另一方面，將氣體成分(排氣)(參照圖5箭頭G)導往排氣通道77下游側(徑向內側)。排氣通道形成構件166下表面中較引導突起168下端168a更朝徑向內側之區域由環狀第1周面166a、連接第1周面166a外側之環狀第2周面166b與連接第2周面166b外側之環狀第3周面166c構成。第1周面166a傾斜，俾隨著往徑向外側逐漸升高，第2周面166b以及第3周面166c傾斜，俾隨著往徑向外側逐漸降低，第3周面166c之梯度大於第2周面166b。
第1清洗部190之第1噴吐口190a朝徑向外斜上方噴吐清洗液(參照自圖5第1噴吐口190a延伸之虛線箭頭)。自第1噴吐口190a噴吐之清洗液衝擊第2周面166b，衝擊第2周面166b內周端部區域佳。自第1噴吐口190a衝擊第2周面166b之清洗液中，(1)其一部分由第2周面166b彈回，朝第3處理液回收用槽73以及第4處理液回收用槽74飛散(參照圖5虛線箭頭)，(2)另一部分沿第2周面166b流往徑向外後更沿第3周面166c流往徑向外，自引導突起168下端168a朝第3處理液回收用槽73內落下，(3)又一部分亦(若清洗液流量夠大)流入至第1周面166a上，在第1周面166a上流往徑向內。
特別是，排氣通道形成構件166下表面中來自第1噴吐口190a之清洗液衝擊第2周面166b上之衝擊位置至引導突起168下端168a之區間內之排氣通道形成構件166傾斜，俾隨著往徑向外側逐漸降低，於該區間內不存在妨礙上述(2)之流動而朝下之突出部，藉此實現上述(2)之流動。且第3周面166c之傾斜較第2周面166b之傾斜陡，藉此清洗液確實到達引導突起168下端168a。又，第2周面166b與第3周面166c亦可係傾斜角相同之連續單一周面。
如上述，依此第2實施形態，藉由第1清洗部190第1噴吐口190a之清洗液噴吐態樣與排氣通道形成構件166下表面之形狀，可以自第1噴吐口190a噴吐之清洗液清洗廣闊的範圍。第1實施形態中，來自第1清洗部90之清洗液難以到達由第1引導板68與第2引導板69包夾之凹空間內，結晶物若堆積於面對此凹空間之第1引導板68以及第2引導板69表面，有時即會無法完全充分地將其去除。然而，此第2實施形態中，清洗液遍佈排氣通道形成構件166下表面較引導突起168下端168a更內側之所有區域，故即使結晶物堆積於排氣通道形成構件166下表面側，亦可確實去除之。
設置第1清洗部190之第2噴吐口190b，俾朝徑向外側且沿水平方向噴吐清洗液，朝分隔第2排氣部76與第4處理液回收用槽74之壁體78內周面78a噴吐清洗液。自第2噴吐口190b衝擊內周面78a之清洗液沿內周面78a流下(參照圖5虛線箭頭)，在連通設於第1~第4處理液回收用槽71~74下方之第2排氣部76之排氣通路76A內流動(參照圖5虛線箭頭)，藉此可清洗排氣通路76A內。第1實施形態中，結晶物若堆積於排氣通路76A內有時即會無法完全充分地將其去除，但第2實施形態中可確實去除排氣通路76A內之結晶物。又，若清洗液流量夠大，自第2噴吐口190b衝擊內周面78a之清洗液即亦到達與內周面78a對面之壁面，故亦可清洗此壁面。又，於清洗時較多量的清洗液會流入排氣通路76A內，故宜在排氣通路76A下游側設置適當氣液分離機構。
且第2實施形態中，不設置第1實施形態之第2清洗部92，代之以第2清洗部192。第2清洗部192包含沿徑向設於相互不同位置之複數噴吐口192a。圖示例中，複數噴吐口192a沿徑向在直線上排列。且複數噴吐口192a設於排氣通道形成構件166，於排氣通道形成構件166上表面形成開口。於排氣通道形成構件166內部，流路192b沿排氣通道形成構件166徑向延伸，流路192b連接複數噴吐口192a。流路192b經由在第2排氣部76內部沿鉛直方向延伸之供給管192c與開合閥，連接清洗液供給源192d。
於排氣通道形成構件166上表面設有凹部166d。於凹部166d底面166e該複數噴吐口192a形成開口。底面166e傾斜，俾沿徑向愈內側愈低。於排氣通道形成構件166內部形成1個或複數排液通路166f，此排液通路166f上端於底面166e徑向內側端部區域形成開口。排液通路166f下端於第4處理液回收用槽74上方開口，管166g插入此形成開口部。管166g下端位於較第2周面166b更下方，藉此，通過排液通路166f排出之液確實朝第4處理液回收用槽74內落下。
此第2實施形態中，在基板固持台52旋轉之狀態下清洗液自複數噴吐口192a朝上噴吐(參照圖5自噴吐口192a延伸之虛線箭頭)，藉此可以清洗液就基板固持台52下表面沿徑向廣範圍地進行清洗。亦即，依第2實施形態，相較於第1實施形態，可更確實地去除堆積在基板固持台52下表面上的結晶物。且衝擊基板固持台52下表面之清洗液於排氣通道形成構件166上表面落下，在凹部166d底面166e上朝徑向內流下，經由排液通路166f自凹部166d排出。藉此亦可清洗排氣通道形成構件166上表面。又，於清洗時基板固持台52旋轉，故清洗液落下至排氣通道形成構件166上表面圓周方向之全部區域。因此，即使第2清洗部192僅設於圓周方向一處，亦可均一清洗排氣通道形成構件166上表面。複數第2清洗部192當然亦可設於圓周方向之不同位置。
又，第2實施形態中，第1清洗部190雖係包含複數第1噴吐口190a以及第2噴吐口190b之單一噴嘴，但不限定於此，亦可分別設置包含複數第1噴吐口190a之噴嘴與包含複數第2噴吐口190b之噴嘴。
W‧‧‧基板(晶圓)
50‧‧‧液體處理單元
51‧‧‧液體處理室
52‧‧‧基板固持台(基板固持部)
52a‧‧‧吸盤銷
53‧‧‧旋轉驅動軸
54‧‧‧旋轉馬達(基板旋轉機構)
55‧‧‧噴嘴(處理液供給部)
56a‧‧‧酸性處理液供給源
56b‧‧‧鹼性處理液供給源
56c‧‧‧清洗液供給源
56d‧‧‧有機性處理液供給源
60‧‧‧外側引導旋轉杯
62‧‧‧內側引導旋轉杯
64‧‧‧引導構件
66‧‧‧排氣通道形成構件
66a‧‧‧凹部
66b‧‧‧穿通孔
66c‧‧‧環構件
68‧‧‧第1引導板
69‧‧‧第2引導板
71‧‧‧第1處理液回收用槽
72‧‧‧第2處理液回收用槽
73‧‧‧第3處理液回收用槽
74‧‧‧第4處理液回收用槽
75‧‧‧第1排氣部
76‧‧‧第2排氣部
76A‧‧‧排氣通路
77‧‧‧排氣通道
80‧‧‧FFU(風扇過濾器單元)
81‧‧‧第1引導杯
82‧‧‧第2引導杯
83‧‧‧第3引導杯
84‧‧‧區隔壁
90‧‧‧第1清洗部
92‧‧‧第2清洗部
100‧‧‧排氣導管

Claims (15)

  1. 一種液體處理裝置，用來以處理液處理基板，其特徵在於包含：基板固持部，水平固持基板；基板旋轉機構，使該基板固持部旋轉；處理液供給部，用來對由該基板固持部固持之基板供給處理液；引導杯，設置成包圍該基板固持部；排放部，用來回收對基板供給後之處理液；排氣部，設於該排放部附近，用以使由該基板固持部固持之基板周圍的蒙氣排氣；排氣通道形成構件，設置在以處理液對由該基板固持部固持之基板進行處理之區域亦即第1區域，與設有該排放部及該排氣部之區域亦即第2區域之間，其中在該排氣通道形成構件與該引導杯之間設有間隙，藉由該引導杯及該排氣通道形成構件，形成連接該排氣部之排氣通道；及第1清洗部，對該第2區域側之該排氣通道形成構件供給清洗液。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中該第1清洗部係以液滴狀態供給清洗液之噴嘴。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中該第1清洗部對該排氣通道形成構件中的至少較該排放部更朝徑向內側處供給清洗液。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中於該排氣通道形成構件設有自該排氣通道形成構件朝下方延伸之引導板，該第1清洗部對於至少該排氣通道之沿排氣方向較該引導板更下游側處供給清洗液。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中該第1清洗部配置於較該排放部更朝徑向內側處。
  6. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中該第1清洗部在較該排放部更朝徑向內側處設於該第2區域內，並包含設有複數之第1噴吐口的噴嘴，該複數之第1噴吐口彼此隔著間隔沿圓周方向排列，該各第1噴吐口朝徑向外側且斜上方，往該排氣通道形成構件下表面噴吐清洗液。
  7. 如申請專利範圍第6項之液體處理裝置，其中於該排氣通道形成構件下表面的外周部，設有朝該排放部突出之引導突起，此引導突起將自該第1區域流下的氣液混相流中所包含之液體朝該排放部引導，且將該氣液混相流中所包含之氣體往該排氣通道的較引導突起更朝徑向內側引導，於該排氣通道形成構件下表面中，由該各第1噴吐口噴吐之清洗液所衝擊之位置亦即清洗液衝擊位置至該引導突起之區間，係傾斜成越往徑向外側越降低的傾斜面。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之液體處理裝置，其中該第1清洗部設於較該排放部更朝徑向內側之該第2區域內，包含設有複數之第2噴吐口的噴嘴，該複數之第2噴吐口彼此隔著間隔沿圓周方向排列，該各第2噴吐口對分隔出該排放部之壁體供給清洗液。
  9. 如申請專利範圍第1、2、6、7項中任一項之液體處理裝置，其中更包含對該第1區域側之該排氣通道形成構件供給清洗液之第2清洗部。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體處理裝置，其中於該第1區域側之該排氣通道形成構件形成凹部，藉由該第2清洗部對該排氣通道形成構件的上表面側供給清洗液。
  11. 如申請專利範圍第10項之液體處理裝置，其中 於該排氣通道形成構件設有穿通孔，將對該排氣通道形成構件的上表面側所供給之清洗液通過該穿通孔而送往該排放部。
  12. 如申請專利範圍第9項之液體處理裝置，其中藉由該第2清洗部，對該基板固持部中與該排氣通道形成構件對向處亦供給清洗液。
  13. 如申請專利範圍第12項之液體處理裝置，其中該第2清洗部包含設於該排氣通道形成構件的徑向相異位置之複數噴吐口。
  14. 如申請專利範圍第9項之液體處理裝置，其中該第2清洗部配置於較該排放部更朝徑向內側處。
  15. 一種清洗方法，於一液體處理裝置中進行，該液體處理裝置包含：基板固持部，水平固持基板；基板旋轉機構，使該基板固持部旋轉；處理液供給部，用來對由該基板固持部固持之基板供給處理液；引導杯，設置成包圍該基板固持部；排放部，用來回收對基板供給後之處理液；排氣部，設於該排放部附近，以使由該基板固持部固持之基板周圍的蒙氣排氣；及排氣通道形成構件，設置在以處理液對由該基板固持部固持之基板進行處理之區域亦即第1區域，與設有該排放部及該排氣部之區域亦即第2區域之間，其中在該排氣通道形成構件與該引導杯之間設有間隙，藉由該引導杯及該排氣通道形成構件，形成連接該排氣部之排氣通道；該清洗方法之特徵在於包含第1清洗程序，以對該第2區域側的該排氣通道形成構件供給清洗液。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564952B (zh) * 2015-01-30 2017-01-01 Ventilation process equipment
CN107112231A (zh) * 2015-01-20 2017-08-29 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN115069719A (zh) * 2022-08-23 2022-09-20 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种气流增强型单片式方形基板清洗设备

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10832902B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6494536B2 (ja) 2016-01-12 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法
JP6815912B2 (ja) * 2017-03-23 2021-01-20 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
JP6990602B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7412134B2 (ja) 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7370277B2 (ja) 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2023145905A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849539B2 (ja) * 1993-12-27 1999-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
TW406216B (en) * 1995-05-24 2000-09-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus for coating resist on substrate
JP3276601B2 (ja) * 1997-01-22 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP3761482B2 (ja) 2002-03-26 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法
JP2004050054A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置
JP2004193568A (ja) * 2002-11-28 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び洗浄方法
JP2007149892A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011254019A (ja) 2010-06-03 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置
JP5425745B2 (ja) * 2010-10-29 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5309118B2 (ja) * 2010-12-17 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107112231A (zh) * 2015-01-20 2017-08-29 株式会社斯库林集团 基板处理装置
TWI602232B (zh) * 2015-01-20 2017-10-11 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
CN107112231B (zh) * 2015-01-20 2020-05-01 株式会社斯库林集团 基板处理装置
TWI564952B (zh) * 2015-01-30 2017-01-01 Ventilation process equipment
CN115069719A (zh) * 2022-08-23 2022-09-20 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种气流增强型单片式方形基板清洗设备

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