TWI362069B - - Google Patents

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TWI362069B
TWI362069B TW096117057A TW96117057A TWI362069B TW I362069 B TWI362069 B TW I362069B TW 096117057 A TW096117057 A TW 096117057A TW 96117057 A TW96117057 A TW 96117057A TW I362069 B TWI362069 B TW I362069B
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Kazuhisa Matsumoto
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Tokyo Electron Ltd
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Description

1362069 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於自被處理基板上方配置之處理用噴嘴對該 被處理基板供給洗淨液而處理被處理基板的裝置及方法， 關於可以防止來自處理用噴嘴之非經意之下垂液滴的基板 處理方法及基板處理裝置。 又，本發明關於記憶有程式之程式記錄媒體，該程式 用於執行：自被處理基板上方配置之處理用噴嘴對該被處 理基板供給洗淨液而處理被處理基板的方法，可以防止來 自處理用噴嘴之非經意之下垂液滴的基板處理方法。 【先前技術】 自被處理基板上方配置之處理用噴嘴對該被處理基板 供給洗淨液而處理被處理基板的裝置及方法爲習知者。 又，先前之作爲處理用噴嘴使用二流體噴嘴，將洗淨 Φ 液與氣體之混合氣體在高壓下吹附於被處理基板而洗淨被 處理基板的裝置及方法被提案（例如特開2003 — 1 68670 號公報）。使用二流體噴嘴時，不僅發揮洗淨液之化學洗 淨作用，亦能藉由流體衝撞被處理基板產生之衝撞壓而發 揮物理之洗淨作用。結果，依據該基板處理裝置可期待良 好之洗淨效果。 但是於該被處理基板之處理中，在處理次一被處理基 板時有可能不經意而由處理用噴嘴及其周圍使洗淨液滴掉 落該次一被處理基板上之問題存在。 -5- 1362069 亦即在作爲處理用噴嘴使用二流體噴嘴的基板處理裝 置中，容易產生此種下垂液滴。其第1理由爲，洗淨液衝 撞被處理基板被捲上而使洗淨液滴容易附著於處理用噴嘴 及其周圍。第2理由爲，近年來對基板處理裝置之小型化 要求變強，處理用噴嘴被處理基板被近接配置，結果’衝 撞被處理基板而被捲上之洗淨液滴益加容易附著於處理用 噴嘴及其周圍。 如上述說明，洗淨液滴掉落被處理基板時，於被處理 基板產生水滴標記之不良情況之問題存在。 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供自被處理基板 上方配置之處理用噴嘴對該被處理基板供給洗淨液而處理 被處理基板的裝置及方法中，可以防止來自處理用噴嘴之 不經意之下垂液滴的基板處理方法及基板處理裝置。 又，本發明目的在於提供記憶有程式之程式記錄媒體 ，該程式用於執行：自被處理基板上方配置之處理用噴嘴 對該被處理基板供給洗淨液而處理被處理基板的方法，可 以防止來自處理用噴嘴之非經意之下垂液滴的基板處理方 法。 (用以解決課題的手段） 本發明之基板處理裝置，其特徵爲具備：處理用噴嘴 -6 - 1362069 ’用於對被處理基板供給洗淨液；臂部，支撐上述處理用 噴嘴、可於上述處理用噴嘴被配置於被處理基板上方之處 理位置，與上述處理用噴嘴被配置於上述被處理基板外方 之待機位置之間移動；及噴嘴，上述臂部被配置於上述待 機位置時位於上述處理用噴嘴之近旁的噴嘴，用於對上述 處理用噴嘴吹出氣體的噴嘴。 依據本發明之基板處理裝置，藉由使用噴嘴對處理用 Φ 噴嘴吹出氣體，可使附著於上述處理用噴嘴之液滴由處理 用噴嘴被除去。引此，即使以例如洗淨液之液滴容易附著 之二流體噴嘴作爲處理用噴嘴使用，亦可防止下垂液滴引 起之水痕（watermark)之產生。 本發明之基板處理裝置亦可另具備：承受構件，當上 述臂部配置於上述待機位置時位於上述處理用噴嘴下方， 用於承受自上述處理用噴嘴掉落之液滴。 依據此種基板處理裝置，可將洗淨液之液滴回收於承 φ 受構件內。此情況下，基板處理裝置可另具備：排出路， 其連接於上述承受構件，用於使上述承受構件承受之液滴 由上述承受構件排出。 本發明之基板處理裝置中，上述噴嘴可設於上述處理 用噴嘴之下方。 本發明之基板處理裝置中，上述噴嘴可設於上述臂部 進入上述待機位置時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩 側方" 又’本發明之基板處理裝置中，上述噴嘴可具有：於 1362069 上述臂部進入上述待機位置時沿著上述處理用噴嘴之移動 路徑延伸的噴出口。 又，本發明之基板處理裝置亦可另具備：包圍體，其 使上述臂部配置於上述待機位置時上述處理用噴嘴下方之 空間，由上述臂部進入上述待機位置時挾持上述處理用噴 嘴之移動路徑的兩側方予以包圍。或者本發明之基板處理 裝置可另具備：包圍體，其使上述臂部配置於上述待機位 置時上述處理用噴嘴下方之空間，由上述臂部進入上述待 機位置時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側方，及上 述臂部進入上述待機位置時上述處理用噴嘴之移動路徑的 前方之三方予以包圍。依據此種基板處理裝置，可使被除 去之液滴回收於包圍體所包圍之區域。因此，可有效防止 除去之液滴飛散至被處理基板上。又，此情況下，上述噴 嘴可於面對上述處理用噴嘴下方之空間的上述包圍體之側 面具有噴出口。 又，本發明之基板處理裝置亦可另具備：上述臂部配 置於上述待機位置時位於上述處理用噴嘴之近旁的噴嘴， 用於對上述處理用噴嘴噴出水的噴水用噴嘴。 本發明之基板處理方法，其特徵爲具備以下工程：使 處理用噴嘴配置於被處理基板上方，由上述處理用噴嘴對 上述被處理基板供給洗淨液的工程；停止上述處理用噴嘴 之上述洗淨液之供給的工程；移動上述處理用噴嘴使配置 於上述被處理基板外方的工程：及對配置於上述被處理基 板外方的上述處理用噴嘴噴出氣體，使附著於上述處理用 -8- 1362069 噴嘴的液滴由上述處理用噴嘴除去的工程。 依據本發明之基板處理方法，藉由對處理用噴嘴吹出 氣體，可使附著於處理用噴嘴之液滴被除去。因此，即使 以例如洗淨液之液滴容易附著之二流體噴嘴作爲處理用噴 嘴使用，亦可防止下垂液滴引起之水痕（water mark )之 產生。因此，停止上述處理用噴嘴之上述洗淨液之供給的 工程，與使上述處理用噴嘴配置於上述被處理基板外方的 ^ 工程之任一方可先行實施，或並行實施。 ❿ 本發明之基板處理方法中，使上述液滴由上述處理用 噴嘴除去的工程中，藉由配置於上述噴嘴下方之承受構件 ，承受由上述處理用噴嘴除去之液滴亦可。依據此種基板 處理方法，可將洗淨液之液滴回收於承受構件內。此情況 下，介由連接於上述承受構件的排出路，使上述承受構件 承受之液滴排出至基板處理裝置外部亦可。 本發明之基板處理方法中，在由處理用噴嘴除去上述 φ 液滴之工程中，可由下方對上述處理用噴嘴噴出氣體。 本發明之基板處理方法中，在由處理用噴嘴除去上述 液滴之工程中，可由上述處理用噴嘴配置於上述被處理基 板外方時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側*方噴出氣
BM 體。 本發明之基扳處理方法中，在由處理用噴嘴除去上述 液滴之工程中，可由上述處理用噴嘴配置於上述被處理基 板外方時沿著上述處理用噴嘴之移動路徑而延伸之噴出口 噴出氣體。 -9- 1362069 本發明之基板處理方法中，在由處理用噴嘴除去上述 液滴之工程中，藉由自上述處理用噴嘴配置於上述被處理 基板外方時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側方，而 包圍配置於上述被處理基板外方的上述處理用噴嘴下方之 空間的包圍體，引導由上述處理用噴嘴被除去之液滴亦可 或者，本發明之基板處理方法中，在由處理用噴嘴除 去上述液滴之工程中，藉由自上述處理用噴嘴配置於上述 被處理基板外方時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側 方，以及上述處理用噴嘴配置於上述被處理基板外方時之 上述處理用噴嘴之移動路徑的前方的三方，而包圍配置於 上述被處理基板外方的上述處理用噴嘴下方之空間的包圍 體，引導由上述處理用噴嘴被除去之液滴亦可。 依據此種基板處理方法，可將被除去之液滴回收於包 圍體包圍之區域。因此，可以有效防止被除去之液滴飛散 至被處理基板上。又，彼等情況下，在由處理用噴嘴除去 上述液滴之工程中，自面對配置於上述被處理基板外方之 上述處理用噴嘴下方空間的上述包圍體之側面設置之噴出 口噴出氣體亦可。 又，本發明之基板處理方法另具備：對上述處理用噴 嘴噴出氣體之工程之前被實施的工程，對配置於上述被處 理基板外方之上述處理用噴嘴噴出水，而使附著於上述處 理用噴嘴之上述洗淨液之液滴由上述處理用噴嘴除去的工 程0 -10- 1362069 又，本發明之基板處理方法另具備：使被供給有上述 洗淨液之上述被處理基板乾燥的工程；使上述被處理基板 乾燥的工程，可和由上述處理用噴嘴除去液滴的工程並行 被進行。依據此種基板處理方法，可有效進行被處理基板 之處理。 本發明之程式，係藉由控制基板處理裝置之控制裝置 被執行者；其特徵爲：藉由上述控制裝置之執行而使基板 Φ 處理裝置實施具備以下工程之被處理基板之處理方法：使 處理用噴嘴配置於被處理基板上方，由處理用噴嘴對上述 被處理基板供給洗淨液的工程；停止上述處理用噴嘴之上 述洗淨液之供給的工程；使上述處理用噴嘴配置於上述被 處理基板外方的工程；及對配置於上述被處理基板外方的 上述處理用噴嘴噴出氣體，使附著於上述處理用噴嘴的液 滴由上述處理用噴嘴除去的工程。 本發明之程式中，於上述被處理基板之處理方法之供 φ 給上述洗淨液之工程中，上述洗淨液可藉由二流體噴嘴之 處理用噴嘴和氣體被混合，而由處理用噴嘴連同氣體被噴 出。 本發明之記錄媒體，係記錄有藉由控制基板處理裝置 之控制裝置被執行之程式者；其特徵爲：上述程式藉由上 述-控制裝置之執行而使基板處理裝置實施具備以下工程之 被處理基板之處理方法：使處理用噴嘴配置於被處理基板 上方’由處理用噴嘴對上述被處理基板供給洗淨液的工程 :停止上述處理用噴嘴之上述洗淨液之供給的工程；使上 -11 - 1362069 述處理用噴嘴配置於上述被處理基板外方的工程；及對配 置於上述被處理基板外方的上述處理用噴嘴噴出氣體，使 附著於上述處理用噴嘴的液滴由上述處理用噴嘴除去的工 程。 本發明之記錄媒體中，於上述被處理基板之處理方法 之供給上述洗淨液之工程中，上述洗淨液可藉由二流體噴 嘴之處理用噴嘴和氣體被混合，而由處理用噴嘴連同氣體 被噴出。 【實施方式】 以下參照圖面說明本發明實施形態。 以下實施形態之例爲，以本發明之基板處理裝置作爲 進行具有大略圓板狀輪廓的半導體晶圓（被處理基板之一 例）之洗淨的洗淨單元，而被組入晶圓處理系統之一例。 但是，本發明之基板處理裝置不限定於晶圓洗淨單元之使 用。 首先，使用圖8說明本實施形態之基板處理裝置被組 裝之晶圓處理系統。圖8爲基板處理裝置被組裝之晶圓處 理系統之一例。 如圖8所示’晶圓處理系統10包含：載置部l〇a，用 於載置處理前及處理後之晶圓W:洗淨晶圓W的洗淨部 10c;及搬送部i〇b，於載置部i〇a與洗淨部1〇c之間收付 晶圓W。 晶圓處理系統10’係於載置部10a具有載置台12» •12- 1362069 於載置台12，使收容被處理晶圓w之載具C被裝拆自如 地安裝。本實施形態中，於各載具C內，多數例如25片 被處理晶圓W隔開特定間隔，以表面（形成半導體裝置 之處理面）成爲上面被保持於大略水平姿勢。 於搬送部1 〇b設置晶圓搬送裝置1 4，擔當晶圓w之 收付（搬送）。晶圓搬送裝置14，可於X方向及γ方向 移動，可對載具C、及成爲洗淨部i〇c之收付口的收付單 φ 元1 6進行取用。 於洗淨部l〇c設置主晶圓搬送裝置18，擔當上述收付 單元16、本實施形態之基板處理裝置20及收付單元16與 基板處理裝置20間之晶圓W之收付。本實施形態中，於 洗淨部10c’合計8個基板處理裝置（晶圓洗淨單元）20a 〜20h’於X方向及Y方向分離之4個位置分別以上下2 段被重疊配置。又，本實施形態中，主晶圓搬送裝置18 可於X方向及Y方向移動，可於X— Y平面內（0方向） φ 旋轉’而且可於z方向移動。如此則，可取用各基板處理 裝置20a〜2 Oh及收付單元16。 以上各裝置等被連接於包含電腦之控制裝置5 (參照 圖8 )。各裝置等係依據例如記錄媒體6記億之程式，依 據控制裝置5之控制信號動作。 於晶圓洗淨系統10，首先晶圓搬送裝置14將載具C 內之被處理晶圓W搬送至收付單元16»收付單元16內之 被處理晶圓W，藉由主晶圓搬送裝置18被搬送至任一非 稼動中之基板處理裝置20內，於基板處理裝置20內被洗 -13- 1362069 淨。洗淨後之晶圓W藉由主晶圓搬送裝置18及晶圓搬送 裝置14，介由收付單元16被搬送至載具C內。 如上述說明，完成晶圓處理系統1 0中一片晶圓W之 —連串處理。 以下依據圖1-7說明本發明之基板處理裝置（晶圓 洗淨單元）20之一實施形態。圖1爲基板處理裝置之斷面 圖。圖2爲沿著圖1之II- II線之斷面表示基板處理裝置 之圖。圖3爲對應於圖2之圖，和圖2之基板處理裝置爲 不同狀態之基板處理裝置之圖。圖4爲基板處理裝置之配 管系統之圖。圖5爲圖1之一部分擴大圖，爲基板處理裝 置之液滴除去噴嘴之部分之上面圖。圖6爲沿著圖5之 VI — VI線之斷面圖。圖7爲沿著圖6之VII— VII線之斷 面圖。 如上述說明，晶圓處理系統10配置有合計8台基板 處理裝置20。如圖1所示，各基板處理裝置20分別具備 密閉構造之間隔壁（單元腔室）22以隔開各裝置和其他裝 置，於各間隔壁22設置開口 23a及間隔壁機械式開閉器 23b用於開閉該開口 23a。個基板處理裝置20除構成對稱 以外’大略爲同一構成。又，於圖2及3省略間隔壁22。 如圖1- 3所示，基板處理裝置20具備密閉構造之處 理容器25用於收容被處理晶圓W。處理容器25內被隔開 爲用於收容被處理晶圓W之處理室25 a，及鄰接處理室 25a設置的臂部儲存室2 5b。如圖2- 3所示，於處理室 25a與臂部儲存室25b之間設置：臂部用開口 26a用於連 -14 -
1362069 通處理室25a與臂部儲存室25b之間；及開閉 開閉該臂部用開口 26a。如圖1 — 3所示，於J[ 設置：處理容器開口 27a用於連通處理室25a 外部；及機械式開閉器27b用於開閉該處理容 。處理容器25之處理容器開口 27a被形成於 22之開口 23a的位置。 首先詳細說明處理室25a內之構成。 如圖2— 3所示，基板處理裝置20係於處 具備旋轉保持台30，而使晶圓W保持於大略 使保持之晶圓W旋轉。如圖2— 3所示，設於 內之旋轉保持台30具有：圓筒狀構成之旋轉ί 於旋轉筒體31上方的夾頭本體32;被夾頭本骨 保持構件33;及支撐旋轉筒體31的中空馬達 達34可旋轉驅動旋轉筒體31。如圖1所示， 32上部' 在以旋轉筒體31之旋轉軸L1爲中 ’ 3個保持構件3 3隔開大略等間隔欸設置。 33可由周緣保持晶圓w。 如圖2— 3所示，於處理容器25之內壁面 轉保持台30保持之晶圓W (圖2之二點虛線 向之成爲外方的位置形成突起38。該突起38 略三角形狀，另外具有由側方上方朝向旋轉保 持之晶圓W的傾斜面38a。同樣，於處理容器 式開閉器27b亦形成：具有和上述突起38大 形狀、包含傾斜面28a的開閉器突起28。如圖 器26b用於 蠢理容器25 與處理容器 器開口 27a 面對間隔壁 理室25a內 水平姿勢、 處理室25a S體31 :設 I 32支撐的 34。中空馬 於夾頭本體 心的圓周上 該保持構件 ，在沿著旋 )之水平方 具有斷面大 持台30保 25之機械 略同一斷面 2 — 3所示 -15- 1362069 ’機械式開閉器27b堵住處理容器開口 27a (亦即位於上 升位置）時，突起38與開閉器突起28配置於大略同一高 度，突起38之傾斜面38a與開閉器突起28之傾斜面28a ’係沿著處理容器25之內輪廓形成大略連續之周狀傾斜 面。 如圖2 - 3所示，於處理容器25內之旋轉保持台30 之外方設置由筒形狀構成之內杯（inner cup ) 40，內杯40 具有：大略圓筒狀構成之圓筒狀部4〇a;及由圓筒狀部 40a彎向內方朝上延伸的傾斜部40b。內杯40連結於內杯 驅動機構（未圖示），藉由內杯驅動機構可於上下方向移 動。 於圖1，爲能容易理解基板處理裝置20之全體構成而 省略突起38、開閉器突起28、內杯40等之構成要素。 如圖2 - 3所示，於處理容器25之底面，於杯40之 內方設置第1排出口 42，同樣，於杯40之外方設置第2 排出口 43。 於處理容器25之上面形成多數通氣孔45，氣體由該 通氣孔45被供給至處理容器25之處理室25a內。被供給 之氣體於處理室25a內朝下方流動，介由第1排出口 42 或第2排出口 43排出處理室25a外。因此，介由通氣孔 45流入氣體而於處理室25a內形成下降氣流（down flow )。被供給至處理容器25之處理室25a內的氣體，可選 擇經過過濾器之空氣、氮等惰性氣體，較好是乾燥之氮。 如圖2-3所示，於杯40之內方配置旋轉保持台30 -16- 1362069 之中空馬達34»於杯40之內方配置包圍中2 部間隔壁36。內部間隔壁36具有端面堵住 形狀，可防止中空馬達34產生之粉塵等擴 內。 以下說明臂部儲存室25b內之構成。 基板處理裝置20，爲洗淨晶圓W，具 晶圓W噴出液體或氣體的多數處理用噴嘴 安裝有多數處理用噴嘴50a〜50d之噴頭52 52之可移動臂部54;臂部54可移動於處理 5 0d配置於晶圓W上方之處理位置（圖1之 位置），與處理用噴嘴50a〜50d配置於晶圓 向外方之上方的待機位置（圖2之實線所示 動。如圖1所示，臂部54位於處理位置時， 撐之處理用噴嘴50a〜50d，係配置於被旋轉 撐之氣體之表面大略中心之上方。 又，如圖1、5所示，基板處理裝置20 54位於待機位置時配置於處理用噴嘴50a〜 滴除去噴嘴60、62，亦即對處理用噴嘴50a 體的液滴除去噴嘴60、62。 又，如圖1所示，本實施形態中，臂部 噴頭5 2之端部之相反側端部，以可搖動的: 5 4a。臂部54係藉由臂部驅動機構驅動，以^ 中心的搖動軸L2爲中心而搖動。如圖3所 口 26a呈開放狀態下搖動臂部54時’設有臂 宮馬達34的內 之大略圓板狀 :至處理室25a 有：朝被處理 50a〜50d;及 ;及支撐噴頭 用噴嘴50a〜 二點虛線所示 ί W之水平方 位置）之間移 被臂部54支 保持台30支 另具備：臂部 50d近旁的液 〜50d吹出氣 54 ’係於設置 方式連結於軸 冓成軸54a之 示，臂部用開 部54之噴頭 -17- 1362069 52之側，將介由開放之臂部用開口 26a，自臂部儲存室 25b進入處理室25a內。 如上述說明，於臂部54前端設有第1〜第4處理用噴 嘴50a〜50d，其中，第1處理用噴嘴50a由混合氣體與液 體，將微細液滴連同氣體以高壓噴出的二流體噴嘴構成。 其他處理用噴嘴由單獨噴出氣體或液體的一流體噴嘴構成 〇 如圖4所示，第1處理用噴嘴5 0a，係介由第1配管 56a連接於供給氮的氣體源58a之同時，介由第2配管 56b連接於供給純水（DIW: deionized water)的純水源 58b。第3處理用噴嘴50c，係介由第3配管56c連接於純 水源58c之同時，介由第4配管56d連接於供給藥液的藥 液源58c。第4處理用噴嘴5 0d，係介由第5配管566連 接於氣體源58e。又，如圖4所示，本實施形態中，第2 處理用噴嘴50b，雖未連接於任一氣體供給源或藥液供給 源，但必要時可連接於氣體源58a、純水源58b、藥液源 58c 等。 又，如圖4所示，第1〜第5配管56a〜5 6e分別設有 第1〜第5閥57a〜57e。第1〜第5配管56a〜56e藉由對 應之第1〜第5閥57a〜57e被開/閉。 如圖4所示，臂部驅動機構及第1〜第5閥57a〜57e 連接於配管系統控制器7，藉由該配管系統控制器7被控 制。配管系統控制器7構成控制裝置5之一部分。 氣體源58a供給之氣體可爲氮氣以外之氣體，藥液源 -18- 1362069 58c供給之藥液並未特別限定，可考慮使用基板處理裝置 20實施之處理內容及要求之處理程度適當決定。同樣，包 含處理用噴嘴50a〜50d之數量等的配管系統之其他構成 ，亦可考慮使用基板處理裝置20實施之處理內容及要求 之處理程度適當決定。於本實施形態之配管系統，氣體源 58a與純水源58b共用不同之處理用噴嘴，但不限定於此 ，亦可對應於各處理用噴嘴設置氣體源58a與純水源58b ^ 。另外，對應於各處理用噴嘴設置氣體源與純水源時，可 由各處理用噴嘴噴出不同種類氣體或液體。 參照圖5-7說明液滴除去噴嘴60、62。 本實施形態中，基板處理裝置20具備：臂部54進入 待機位置時之處理用噴嘴（典型爲第1處理用噴嘴5 0a) 之移動路徑A (圖5 )之一側側方（圖5，相對於移動路 徑A爲右側側方）設置的第1液滴除去噴嘴60 ;及處理 用噴嘴（典型爲第1處理用噴嘴50a)之移動路徑A (圖 φ 5 )之另一側側方（圖5，相對於移動路徑A爲左側側方 )設置的第2液滴除去噴嘴62。 如圖5— 7所示，第1液滴除去噴嘴60及第2液滴除 去噴嘴62係由以下構成：平面上（圖5)具有大略：3字形 狀的第1區塊構件71;及由形成2個貫穿孔82a、82b的 大略平板狀構成之第2區塊構件81。第1區塊構件71及 第2區塊構件81，如圖5所示，具有大略同一之外輪廓。 第1區塊構件71，以其外輪廓和第2區塊構件81之外輪 廓備齊的方式被重疊固定於第2區塊構件81之上。 •19- 1362069 第2區塊構件81係配置於臂部儲存室2 5b之處理容 器25之下面25d(參照圖2、3)上。如圖7所示，於處 理容器25之下面25d形成2個貫穿孔25e、25f。如圖5 一 7所示，第2區塊構件81，係以第2區塊構件81之2 個貫穿孔82a、82b之各個和處理容器下面25d之不同貫 穿孔25e、25f互相重疊的方式被固定於處理容器下面25d 上。 第1區塊構件71及第2區塊構件81之處理容器25 之下面25d上之配置位置，係如圖5所示，以由第1區塊 構件71進入臂部54之待機位置時挾持處理用噴嘴之移動 路徑A的兩側方，及進入臂部54之待機位置時處理用噴 嘴之移動路徑A的前方之三方，包圍待機位置之臂部54 所支撐第1〜第4處理用噴嘴5 0a〜5 0d之下方空間的方式 而被決定其位置。
如圖5 — 6所示，於第2區塊構件81之表面形成平面 上大略：3字形狀構成之溝83，溝83形成於被重疊於第2 區塊構件81上的第1區塊構件71覆蓋之穩藏位置（圖5 )。另外，在相對於第1區塊構件71之中處理用噴嘴之 移動路徑A位於一側之部分，形成沿著移動路徑A延伸 之一側長孔72。同樣，在相對於第1區塊構件71之中處 理用噴嘴之移動路徑A位於另一側之部分，形成沿著移動 路徑A延伸之另一側長孔73。其中所謂「沿著移動路徑 Aj無須相對於移動路徑A呈嚴密之平行，亦包含「大略 平行」之槪念。本實施形態中，處理用噴嘴之移動路徑 A -20- 1362069 對應於臂部54之動作成爲圓弧形狀，各 爲直線形狀。 如圖6所示，各長孔72、73之一方 第2區塊構件81之溝83呈對向。如圖6 、73係由一方開口 72a、73a朝另一方開 直線上延伸，當臂部54被配置於待機β 嘴50a〜50d位於該直線之延伸線上。 ^ 如圖4、7所示，第2區塊構件81 配管56f連接於氣體源58a。和第1〜第 同樣，於第6配管5 6f設置連接於配管系 6閥57f。第6閥57f用於開/閉被配管弄 之第6配管50f。亦即，於第2區塊構件 送入壓縮氣體，於溝83內被供給氣體時 區塊構件71之第1長孔72及第2長孔 噴嘴50a〜50d。又，第 6配管56f亦瓦 φ 58a爲獨立之其他氣體源。又，介由第6 至溝83內之氣體不限定於氮氣體。 如上述說明，藉由第1區塊構件71 81構成配置於處理用噴嘴50a〜5 0d下尤 60 ' 62 ° 如圖5、7所示，第1液滴除去噴嘴 ，係藉由第1區塊構件71之第1長孔 7 2b構成，第2液滴除去噴嘴62之噴出[ 1區塊構件71之第2長孔73之另一方開 長孔72、73形成 開口 72a、 73a 和 所示，各長孔72 口 72b 、 73b 呈一 i置時，處理用噴 之溝83介由第6 5配管56a〜56f :統控制器7的第 ^統控制器7控制 8 1之溝83內被 ;，該氣體由第1 73被吹向處理用 『連接於和氣體源 配管5 6 f被供給 及第2區塊構件 『知液滴除去噴嘴 60之噴出口 60a 72之另一方開口 ]62a，係藉由第 口 73b構成。因 -21 - 1362069 此，各液滴除去噴嘴60、62之噴出口 60a、62a，係沿著 處理用噴嘴之移動路徑A延伸。 如圖5—7所示，於第2區塊構件81之2個貫穿孔 82a、82b下方分別配置第1及第2承受構件77、78。如 後述說明，藉由自第1、第2液滴除去噴嘴60、62噴出氣 體而使附著於處理用噴嘴50a〜50d及噴頭52之液體由處 理用噴嘴50a〜50d及噴頭52被除去。如圖5、7所示， 第1承受構件77配置於第1處理用噴嘴50a下方，主要 回收附著於第1處理用噴嘴5 0a之液滴。第2承受構件78 配置於第2〜第4處理用噴嘴5 Ob〜5 0d下方，主要回收附 著於第2〜第4處理用噴嘴5 Ob〜5 0d之液滴。 如圖6_7所示，第1承受構件77連接於第1液滴排 出路77a，第1承受構件77承受之液滴係介由第1液滴排 出路77a回收於第1回收容器79a，同樣，第2承受構件 78連接於第2液滴排出路78a，第2承受構件78承受之 液滴係介由第2液滴排出路78a回收於第2回收容器79b 〇 但是，如上述說明，第1區塊構件71具有平面上大 略=»字形狀。又，如圖6—7所示，本實施形態中，第1 承受構件77之上表面配置於處理用噴嘴50a〜50d之下端 附近》亦即，第1區塊構件71，係使臂部54處於待機位 置時之第1〜第4處理用噴嘴50a〜5 0d之下方空間，由挾 持處理用噴嘴之移動路徑A的兩側方，及處理用噴嘴之移 動路徑A的前方之三方予以包圍。因此，第1區塊構件 -22- 1362069 71’係作爲包圍體64而具有：使第1〜第4處理用噴嘴 50a〜5 Od之下方空間’由處理用噴嘴之移動路徑a的一 側側方予以包圍的一側側方部64a，及由處理用噴嘴之移 動路徑A的一側側方予以包圍的另—側側方部64b，及由 處理用噴嘴之移動路徑A的前方予以包圍的前方部64c; 而具有將由處理用噴嘴50a〜50d及噴頭52被除去的洗淨 液導入第1及第2承受構件77、78之功能。又，如圖6_ φ 7所示，本實施形態中，液滴除去噴嘴60、62，係在和第 1〜第4處理用噴嘴50a〜50d之下方空間呈對向的一側側 方部64a及另一側側方部64b之側面，分別具有噴出口 6 0a、6 2 a ° 說明使用上述構成之基板處理裝置20進行晶圓W之 洗淨處理。 首先，開放間隔壁機械式開閉器2 3 b及機械式開閉器 2 7b ’主晶圓搬送裝置18保持之晶圓w被搬入處理室25a φ 內。如圖2所示，此時晶圓W之表面朝上，保持於大略 水平姿勢。被搬入處理室25a內之晶圓W，係被載置於旋 轉保持台30之夾頭本體32，藉由保持構件33保持其周緣 部。之後，上升間隔壁機械式開閉器23b及機械式開閉器 27b ’開口 23a及處理容器開口 27a被關閉。如此則，於 密閉之間隔壁2 2內之密閉之處理容器2 5內，晶圓W以 應處理之表面朝上的方式被收容保持於大略水平姿勢。在 間隔壁機械式開閉器23b及機械式開閉器27b上升後或上 升中，內杯40亦移動至上升位置（圖3二點虛線所示位 -23- 1362069 置）》 自處理容器25上面設置之多數通氣孔45對處理室 25a內供給例如氮氣。藉由處理室25a內供給之氮氣，於 處理室25a內形成大略均勻之下降氣流（down flow)。 之後，開放開閉器26b，藉由接受配管系統控制器7 之控制信號的臂部驅動機構（未圖示）進行臂部54之搖 動驅動。如此則，臂部54自目前配置之待機位置（圖1 之實線位置）移動至處理位置（圖1之二點虛線位置）。 與此同時，被臂部54端部支撐之處理用噴嘴50a〜5 Od自 臂部儲存室25b進入處理室25a內，被配置於被處理晶圓 W之大略中心上方（參照圖3)。配合該動作，中空馬達 34使旋轉筒體31被旋轉驅動，結果晶圓W成爲旋轉狀態 〇 以下，本實施形態中，以藥液洗淨處理、淋浴處理、 純水洗淨處理、及乾燥處理之四個階段步驟進行晶圓 W 之洗淨處理。於各步驟中，於處理室2 5a內繼續形成整流 化之下降氣流。又，本實施形態中，和晶圓W之乾燥處 理並行地，於臂部儲存室2 5b內實施對處理用噴嘴5 0a〜 5 〇d以及支撐彼等處理用噴嘴5 0a〜5 Od之噴頭52的液滴 除去處理。以下詳細說明彼等各處理方法。 首先，進行第1步驟之藥液洗淨處理。於該步驟，配 管系統控制器7開放第4閥57d，結果，自第3處理用噴 嘴5 0c對旋轉爭之晶圓W之表面中心附近供給藥液（例如 nh4/ h2o2之混合液體）之洗淨液。該狀態繼續時，被供 -24- 1362069 給之藥液，藉由晶圓W之旋轉（詳言之爲晶圓W之旋轉 引起之離心力）由晶圓W之表面中心部流向周緣部側， 晶圓W之表面全體被實施藥液洗淨。 又’供給之藥液，因爲晶圓W之旋轉由晶圓W朝外 方飛散。飛散之藥液被導入處於上升位置之內杯40之傾 斜部40a，由處理容器25之下方、設於內杯40內側之第 1排出口 42排出。由第1排出口 42回收之藥液，經由適 φ 當處理後可再度貯存於藥液源58c。 上述第1步驟之藥液噴出，係藉由配管系統控制器7 關閉第4閥57d而結束，之後移至第2步驟。 其次說明淋浴處理之第2步驟。該步驟開始於臂部54 配置於處理位置，處理用噴嘴5 0a〜5 0d配置於晶圓W之 表面大略中心上方。又，和第1步驟同樣晶圓W繼續保 持旋轉。內杯40於第2步驟開始時被降下。 配管系統控制器7開放第3閥5 7 c，結果，自第3處 φ 理用噴嘴50c對旋轉爭之晶圓w之表面中心附近供給純水 (DIW )之洗淨液。結果，晶圓W上之藥液被替換爲純水 (D IW )。該狀態繼續保持一定期間，結果，於藥液洗淨 處理被供給之殘留於第3處理用噴嘴50c之藥液，藉由純 水（DIW )由第3處理用噴嘴50c內被排出。 其次說明將純水與氣體之混合物吹至晶圓W進行晶 圓W之純水洗淨處理之第3步驟。 該步驟開始於臂部54配置於處理位置，處理用噴嘴 50a〜5〇d配置於晶圓W之表面大略中心之上方。又，和 -25- 1362069 第1步驟同樣晶圓w繼續保持旋轉。 於第3步驟，配管系統控制器7開放第1閥57a及第 2閥57b，氮氣由氣體源58a被供給至第1處理用噴嘴5 0a 之同時，作爲純水之洗淨液被供給至第1處理用噴嘴5 0a 。結果’第3處理用噴嘴50c混合作爲洗淨液之純水與氮 氣，將純水之微小液滴連同作爲載運氣體的高壓氮氣吹出 至晶圓W。如此則，可以高除去效率自晶圓W除去微粒 等》 在由第1處理用噴嘴5 0a之純水與氣體之混合物之噴 出開始時，藉由臂部驅動機構驅動臂部54。因此，第1處 理用噴嘴5 0a將純水與氣體之混合物吹出至晶圓W之表面 之同時，自晶圓W之表面中心部上方水平移動至晶圓W 之表面周緣部上方。如此則，自晶圓W之中心側至晶圓 W之周緣部側爲止可進行使用純水與氣體之混合物之高度 洗淨處理。 但是，如圖3所示，朝向晶圓W之氮氣及純水之一 部分會被捲入晶圓W之上方，而附著於處理用噴嘴50a〜 50d或處理用噴嘴50a〜50d周圍之噴頭52等。又，純水 自晶圓W之表面上流向周緣部，最後自晶圓W之表面上 飛散至外方。飛散之純水被導入處理容器25內壁形成之 突起38之傾斜面38a及機械式開閉器27b之傾斜面28 a， 自處理容器25之下方、設於內杯40外側之第2排出口 43 排出。 第1處理用噴嘴5 0a移動至晶圓W之周緣部時’配管 -26- 1362069 系統控制器7關閉第1閥57a及第2閥57b，結束 驟，移至第4步驟。 於第4步驟，旋轉保持台30保持之晶圓W被 定期間旋轉之狀態。如此則，晶圓W之表面殘留 自晶圓W之表面上飛散至外方，晶圓W被乾燥。 步驟，內杯40保持降下。因此，自晶圓W上飛散 由第2排出口 43排出。
φ 如上述說明，而結束4階段構成之對晶圓W 處理。對晶圓W之處理結束後，停止旋轉筒體31 ，晶圓W於旋轉保持台30被保持於靜止狀態。之 放間隔壁機械式開閉器2 3 b及機械式開閉器2 7b， 晶圓搬送裝置18搬出處理完畢之晶圓W。 又，於本實施形態之基扳處理方法，如上述說 晶圓W之乾燥處理並行，對第1〜第4處理用噴嘴 5〇d及支撐彼等處理用噴嘴50a〜50d之噴頭52， φ 儲存室25b內進行液滴除去處理。以下詳細說明液 處理。 上述晶圓W之純水洗淨處理（AS處理）結束 部54移至待機位置。亦即，於臂部54前端介由!| 被支撐之第1〜第4處理用噴嘴50a〜50d，再度水 至晶圓W外方，第1〜第4處理用噴嘴5 0a〜5 0d 52連同臂部54全體自處理室25a移動至臂部儲存 。臂部54配置於待機位置時，處理容器開口 27a 械式開閉器2 7b被關閉（參照圖2 )。 第3步 維持一 之純水 於第4 之純水 直接之 之旋轉 後，開 藉由主 明，和 5 0 a〜 於臂部 滴除去 後，臂 t頭52 平移動 及噴頭 室25b 藉由機 •27- 1362069 配管系統控制器7開放第6閥57f(參照圖2)，氮 氣自氣體源58a被送入第2區塊構件81之溝83。結果， 自第1液滴除去噴嘴60及第2液滴除去噴嘴62朝第1〜 第4處理用噴嘴50a〜50d及支撐彼等處理用噴嘴5〇a〜 50d的噴頭52噴出氮氣。如此則，第1〜第4處理用噴嘴 50a〜50d或噴頭52附著之液滴，例如於上述純水洗淨處 理（AS處理）中自第1處理用噴嘴50a被噴出，於噴頭 52與晶圓W之間被捲上之同時，第1〜第4處理用噴嘴 5〇a〜5 0d或噴頭52附著之純水液滴，可由第i〜第4處 理用噴嘴50a〜50d或噴頭52被除去。 本實施形態中，如圖5、6所示，第1液滴除去噴嘴 60及第2液滴除去噴嘴62，係配置於臂部54處於待機位 置時之第1〜第4處理用噴嘴50a〜50d之兩側方。因此， 自第1〜第4處理用噴嘴50a〜50d或噴頭52被除去之液 滴，被朝向和來自第1液滴除去噴嘴60及第2液滴除去 噴嘴62之吹入方向之間相的下方容易吹散。 又，如圖5所示，臂部54處於待機位置時之第1處 理用噴嘴50a下方設有第1承受構件77，臂部54處於待 機位置時之第2〜第4處理用噴嘴5 Ob〜5 0d下方設有第2 承受構件78。因此，自第1處理用噴嘴5 0a掉落之液滴大 致被回收於第1承受構件77，自第2〜第4處理用噴嘴 5 Ob〜50d掉落之液滴大致被回收於第2承受構件78，回 收於第1承受構件77之液滴會介由第1液滴排出路7 7a 送入第1回收容器79 a，回收於第2承受構件78之液滴會 -28- 1362069 介由第2液滴排出路78a送入第2回收容器7 9b ^ 又，如圖5所示，臂部54處於待機位置時之噴頭52 下方設有第2區塊構件81。因此，自噴頭52掉落之液滴 ~ 大致被回收於第2區塊構件81上。亦即，自第1〜第4處 理用噴嘴50a〜50d或噴頭52被除去之液滴大致被吹散至 —定位置，因此可防止洗淨液被吹散至基板處理裝置20 之非預期之位置，可防止基板處理裝置20之劣化。 φ 又，如上述說明，第1區塊構件71作爲使臂部54處 於待機位置時之第1〜第4處理用噴嘴50a〜50d及噴頭 52之下方空間由三方予以包圍的包圍體64之功能，因此 可有效防止第1〜第4處理用噴嘴50a〜5 0d及噴頭52附 著之液滴被吹散至第1區塊構件71之外方。如此則，更 能防止非預期之洗淨液之飛散引起之基板處理裝置20之 劣化。 來自第1液滴除去噴嘴60及第2液滴除去噴嘴62之 φ 氮氣之吹出，可藉由配管系統控制器7關閉第6閥57f而 停止，結束液滴除去處理。 如上述說明，液滴除去處理以及乾燥處理及乾燥處理 完畢之晶圓W之由基板處理裝置20搬出結束後，結束使 用基板處理裝置20對一片晶圓W之全部處理。之後，次 一處理之晶圓W再度被搬入基板處理裝置20內進行上述 處理，此時噴頭52及被噴頭52支撐之處理用噴嘴50a〜 50d未附著液滴。因此可有效防止例如臂部54之搖動等伴 隨之應處理晶圓W之表面產生下垂液滴等之情況。 -29- 1362069 依據本實施形態，藉由使用液滴除去噴嘴60、62朝 處理用噴嘴50a〜50d吹出氣體，可使處理用噴嘴50a〜 5 〇d及處理用噴嘴5 0a〜5 0d周圍附著之液滴，由處理用噴 嘴50a〜50d及處理用噴嘴50a〜50d周圍除去。 因此即使以洗淨液之液滴容易附著之二流體噴嘴作爲 處理用噴嘴使用時，亦可有效防止晶圓W上之洗淨液滴 之下垂液滴等之產生。又，液滴除去時，處理用噴嘴50a 〜5 0d配置於晶圓W外方，因此可有效防止除去之液滴掉 落晶圓W上。如此則，可有效防止下垂液滴引起之水痕 (water mark)之產生。 依據本實施形態，液滴除去噴嘴60、62設於臂部54 進入待機位置時挾持處理用噴嘴之移動路徑A的兩側方。 因此可將處理用噴嘴50a〜50d及處理用噴嘴50a〜50d周 圍附著之液滴朝朝下方吹散。另外，可防止處理用噴嘴 50a〜50d伴隨臂部54之搖動而移動之間之接觸液滴除去 噴嘴60' 62，可使液滴除去噴嘴60、62近接處理用噴嘴 5 0a〜5 0d配置。亦即可防止可動構件之接觸，防止不要之 微粒等之產生，更能確實除去液滴。 依據本實施形態，設置包圍體64，可使臂部54處於 待機位置時之第1〜第4處理用噴嘴50a〜5 0d之下方空間 ，由臂部54進入待機位置時挾持處理用噴嘴之移動路徑 A的兩側方及前方之三方而包圍。可使除去之液滴回收於 包圍體64包圍之區域。因此可有效防止除去之液滴飛散 至基板處理裝置20內之非預期位置。如此則，可有效增 -30- 1362069 ，長基板處理裝置20之壽命，可減輕基板處理裝置20之維 修費用及維修作業。 又，上述實施形態可於本發明要旨範圍內做各種變更 實施。 例如上述實施形態中說明，臂部54以搖動軸L2爲中 心搖動而於待機位置與處理位置間移動，如此則，於臂部 54前端介由噴頭52被支撐的處理用噴嘴50a〜50d會移動 ^ 。但並未特別限定於此，例如，臂部54於旋轉保持台30 支撐之晶圓W之板面之平行面，可於一方向與和上述一 方向呈傾斜或正交之另一方向移動亦可。 另外，例如上述實施形態中說明，第1〜第4處理用 噴嘴50a〜50d被支撐於臂部54。但被臂部54支撐之處理 用噴嘴之構成可適當變更。例如，被臂部54支撐之處理 用噴嘴之數量可設爲1以上之任一數量。又，可適當變更 由各處理用噴嘴噴之流體種類爲例如氣體、液體、氣體與 φ 液體之二流體。 例如上述實施形態中說明，以二流體噴嘴作爲處理用 噴嘴使用而將洗淨液以微細液滴狀態噴出，但並未特別限 定於此，例如，亦可以一流體噴氣噴嘴作爲任一之處理用 噴嘴50a〜5 0d使用，由該處理用噴嘴噴洗淨液。亦可以 超音波噴嘴（超音波流體噴嘴）作爲認一之處理用噴嘴 5 0a〜5 0d使用，由該處理用噴嘴噴洗淨液。 又，上述實施形態中說明，液滴除去噴嘴60、62由 第1區塊構件71與第2區塊構件81形成之例’但並未特 -31 - 1362069 別限定於此，例如，亦可以習知噴嘴作爲液滴除去噴嘴使 用。又’上述實施形態中說明，液滴除去噴嘴60、62具 有細長形狀延伸之噴出口 60a、62a之例，但並未特別限 定於此，例如，亦可適用習知噴出口之構成。 又，上述實施形態中說明，液滴除去噴嘴60、62配 置於上述臂部進入上述待機位置時挾持處理用噴嘴50a〜 5 0d之移動路徑A的兩側方、亦即處理用噴嘴50a〜5 0d 之下方之例，但並未特別限定於此，可適當變更。例如， 如圖9所示，亦可於處理用噴嘴50a〜50d之垂直方向下 方配置液滴除去噴嘴66，由垂直方向下方對處理用噴嘴 5 0a〜5 0d噴出氣體。又，例如，如圖9所示，亦可於處理 用噴嘴50a〜50d之水平方向側方配置液滴除去噴嘴67、 68’由水平方向側方對處理用噴嘴50a〜50d噴出氣體》 圖9所示爲，由和圖6同樣視野表示液滴除去噴嘴之變形 例之圖。於圖9，和圖1 一 8之實施形態同一之部分附加同 一符號並省略重複說明。 上述實施形態中說明，包圍體64由三方包圍臂部54 處於待機位置時之處理用噴嘴50a〜5 0d之下方空間，而 導入由處理用噴嘴50a〜50d被除去之液滴之例，但並未 特別限定於此，例如，包圍體64僅位於臂部54被配置於 待機位置時之處理用噴嘴5〇a〜5〇d之兩側方的一側側方 部64a及另一側側方部64b構成，亦即消除前方部64c， 而僅由臂部54被配置於待機位置時之處理用噴嘴50a〜 50d之下方之兩側方包圍亦可。 1362069 又，包圍體64不僅包圍處於待機位置之臂部54 撐之處理用噴嘴50a〜50d之下方空間’亦包圍處於 位置之臂部54所支撐之處理用噴嘴50a〜50d之至少 分亦可。圖10爲包圍體之變形例，由和圖6同樣視 示。依據該變形例，由處理用噴嘴50a〜50d被除去 滴可以確實回收於包圍體69包圍之區域。因此可有 止除去之液滴飛散至基板處理裝置20內之非預期位 ^ 又，藉由一側側方部64a及另一側側方部64b配置於 54進入上述待機位置時挾持上述處理用噴嘴之移動路 的兩側方，如此則，於臂部54搖動時可防止處理用 50a〜50d與一側側方部64a及另一側側方部64b之接 同時，可將一側側方部64a及另一側側方部64b和處 噴嘴50a〜50d近接配置。亦即可防止可動構件之接 防止不要之微粒等之產生，更能確實除去液滴。 又’於圖10說明，增厚第1區塊構件71之厚度 φ 處理用噴嘴50a〜50d之一部分藉由71包圍之例，但 形例之包圍體64之構成未限定於圖示之構成。又， 1 0 ’和圖1 一 8之實施形態同一部附加同一符號而省 複說明。 又’於基板處理裝置20另配置，臂部54處於待 置時位於處理用噴嘴50a〜50d近旁之純水噴出噴嘴 92、亦即對處理用噴嘴5〇a〜5〇d噴出純水的純水噴 嘴90、92亦可。圖丨丨爲該變形之—例。圖丨丨所示 由和圖6同樣視野表示純水噴出噴嘴之變形例之圖。 所支 待機 -部 野表 之液 效防 置。 臂部 徑A 噴嘴 觸之 理用 frtm 觸， ，使 該變 於圖 略重 機位 90、 出噴 爲， 於圖 -33- 1362069 11，和圖1_8之實施形態同一之部分附加同一符號並省 略重複說明。 於圖11所示例設置，和液滴除去噴嘴60、62近接' 和液滴除去噴嘴60、62同樣之構成所形成之純水噴出噴 嘴90、92。亦即純水噴出噴嘴90、92分別設於臂部54進 入上述待機位置時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑A的兩 側方，分別具有沿著處理用噴嘴之移動路徑A延伸的噴出 口 90a、92a。具體言之爲，於第2區塊構件81形成通過 純水供給源的第2溝84。又，於第1區塊構件71形成， 一端74a、75a面對第2區塊構件81之溝84，另一端7 4b 、7 5b朝向處理用噴嘴50a〜50d的第2之一側長孔74及 第2之另一側長孔75。 使用圖11之基板處理裝置20時，作爲上述液滴除去 處理可於由第1、第2液滴除去噴嘴60、62噴出氣體，由 處理用噴嘴5 0a〜5 0d除去液滴之前，設置由第1、第2純 水噴出噴嘴90、92對處理用噴嘴50a〜50d及噴頭52噴 出純水的工程。 又，上述實施形態中說明，處理用噴嘴5 0c連接於藥 液源58c及純水源58b，藥液洗淨處理之藥液供給及淋浴 處理之純水供給均介由藥液源58c進行之例，但並未特別 限定於此，亦可介由其他處理用噴嘴進行。 又，採用此方法時，在藥液洗淨處理之後，使臂部54 回至待機位置，於和處理室25a被隔離之臂部儲存室25b 內進行液滴除去處理亦可。又，如圖1 1所示變形例，於 -34- 90 ' 1362069 液滴除去處理之前，設置由第1、第2純水噴出噴嘴 92對處理用噴嘴50a〜5 0d及噴頭52噴出純水的工程 。如此則，引起強烈化學反應之藥液之液滴可由處理 嘴5 0a〜5 0d或噴頭52除去，可防止引起強烈化學反 藥液之下垂液滴掉落至晶圓W上或基板處理裝置20 預期位置。 又，上述實施形態中說明，作爲洗淨處理之第4 $ ，藉由旋轉晶圓W而乾燥處理晶圓W之例，但並未 限定於此，例如於第4步驟，由第4處理用噴嘴50d 氮氣之狀態下搖動臂部54，使第4處理用噴嘴5 0d於 W上方由中心部朝周緣部水平移動亦可。此情況下， 4處理用噴嘴5 〇d配置於晶圓W外方之前，臂部54 動，在停止由第4處理用噴嘴5 0d噴出氮氣之後暫時 旋轉晶圓W之狀態亦可。於該例中，上述液滴除去 可於停止由第4處理用噴嘴5 Od噴出氮氣，臂部54 φ 至待機位置之後開始。 又，上述實施形態中說明，臂部54搖動於待機 之後，由液滴除去噴嘴60、62噴出氣體之例，但並 別限定於此，臂部54配置於待機位置之工程與進行 除去處理之工程被並行進行亦可。液滴除去噴嘴60 分別設於臂部54進入上述待機位置時挾持上述處理 嘴之移動路徑A的兩側方，分別具有沿著處理用噴嘴 動路徑A延伸的噴出口 60a、62a，因此於臂部54移 亦可有效進行由處理用噴嘴50a〜50d或噴頭52之液 較好 用噴 應之 之非 步驟 特別 噴出 晶圓 在第 會搖 保持 處理 移動 位置 未特 液滴 '62 用噴 之移 動中 滴除 -35- 1362069 去。又，於此變形中，噴出口 60a、62a設與包圍體64側 面，因此除去之液滴被吹至包圍體64內，可防止液滴吹 散至基板處理裝置20上或其他位置或晶圓W表面上》 上述說明至基板處理方法，基板處理裝置、程式及記 錄媒體之實施形態之幾個變形例，當然亦可適當組合多數 變形例。 但是，如上述說明，基板處理裝置20具備包含電腦 之控制裝置5，藉由控制裝置5使基板處理裝置20之各構 成要素動作，進行對被處理晶圓W之各處理。欲使用基 板處理裝置20實施晶圓W之洗淨時，藉由記錄有藉由控 制裝置5之電腦執行之程式的電腦可讀取之記錄媒體6亦 爲本件之對象。其中記錄媒體6除作爲軟碟或硬碟等單體 可被辨識者以外，亦包含傳送各種信號的網路。 又，上述說明中，說明本發明之基板處理裝置適用晶 圓W之洗淨處理的裝置例，但並未特別限定於此，本發 明亦適用LCD _基板或C基板之洗淨處理及乾燥處理，亦 適用進行洗淨處理以外之各種處理的裝置。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之基板處理裝置之一實施形態斷面圖。 圖2爲沿著圖1之II - II線之斷面表示基板處理裝置 之圖。 圖3爲對應於圖2之圖，和圖2之基板處理裝置爲不 同狀態之基板處理裝置之圖。 -36- 1362069 圖4爲基板處理裝置之配管系統之圖。 圖5爲基板處理裝置之液滴除去噴嘴之部分之上面圖 〇 圖6爲沿著圖5之VI— VI線之斷面圖。 圖7爲沿著圖6之VII — VII線之斷面圖。 圖8爲基板處理裝置被組裝之晶圓處理系統之一例。 圖9爲液滴除去噴嘴之變形例，由和圖6同樣之視野 表示之圖。 圖10爲包圍體之變形例，由和圖6同樣之視野表示 之圖。 圖11爲設有純水噴出噴嘴之變形例，由和圖6同樣 之視野表示之圖。 【主要元件之符號說明】 5 :控制裝置； 6 :記錄媒體； 7 :配管系統控制器 1 〇 :晶圓處理系統 l〇a :載置部； 4 l〇b :搬送部； l〇c :洗淨部； 1 2 :載置台； 14:晶圓搬送裝置； 1 6 :收付單元； -37- 1362069 1 8 :.主晶圓搬送裝置； 20、20a、20h:基板處理裝置； 2 2 :間隔壁； 23a :開口； 23b :間隔壁機械式開閉器； 25 :處理容器； 25a :處理室； 25b :臂部儲存室； 26a :臂部用開口； 26b :開閉器； 27a:處理容器開口； 27b :機械式開閉器； 2 8 :開閉器突起； 28a、38a:傾斜面； 30 :旋轉保持台； 31 :旋轉筒體； 32 :夾頭本體： 3 3 :保持構件； 3 4 :中空馬達； 3 6 :內部間隔壁； 3 8 :突起； 40 :內杯； 4 0 a ·圓同狀部， 40b :傾斜部； 1362069 42 :第1排出口 用噴嘴； 43 :第2排出口 45 :通氣孔； 50a〜50d:處理 52 :噴頭； 54 :臂部；
56a〜56f:配管 57a 〜57e:閥； 5 8 a ·氣體源， 5 8 b :純水源； 5 8 c :藥液源； 去噴嘴； 件； 件； 82b :貫穿孔；
60 . 62 :液滴除 71 :第1區塊構 8 1 :第2區塊構 25e、 25f、 82a、 LI :旋轉軸； L2 :搖動軸。 -39-

Claims (1)

1362069 _ (D奔I修正本 十、申請專利範圍 1·—種基板處理裝置，其特徵爲具備： 處理用噴嘴，用於對被處理基板供給洗淨液； 臂部，支撐上述處理用噴嘴、可於上述處理用噴嘴被 配置於上述被處理基板上方之處理位置，與上述處理用噴 嘴被配置於上述被處理基板外方之待機位置之間移動；及 噴嘴，上述臂部被配置於上述待機位置時位於上述處 理用噴嘴之近旁的噴嘴，用於對上述處理用噴嘴噴出氣體 的噴嘴： 另具備：包圍體，使上述臂部配置於上述待機位置時 上述處理用噴嘴下方之空間，由上述臂部進入上述待機位 置時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側方，及上述臂 部進入上述待機位置時上述處理用噴嘴之移動路徑的前方 之三方予以包圍。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 上述處理用噴嘴，爲噴出上述洗淨液與氣體之混合氣 體的二流體噴嘴。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 另具備：承受構件，當上述臂部配置於上述待機位置 時位於上述處理用噴嘴下方，用於承受自上述處理用噴嘴 掉落之液滴：及 排出路，連接於上述承受構件，用於使上述承受構件 承受之液滴由上述承受構件排出。 4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， -40- 1362069 上述噴嘴設於上述處理用噴嘴之下方。 5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 上述噴嘴設於上述臂部進入上述待機位置時挾持上述 處理用噴嘴之移動路徑的兩側方。 6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中， 上述噴嘴具有：於上述臂部進入上述待機位置時沿著 上述處理用噴嘴之移動路徑延伸的噴出口。 7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 另具備：包圍體，使上述臂部配置於上述待機位置時 上述處理用噴嘴下方之空間，由上述臂部進入上述待機位 置時挾持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側方予以包圍。 8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中， 上述噴嘴：係於面對上述處理用噴嘴下方之空間的上 述包圍體之側面具有噴出口。 9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 另具備：上述臂部配置於上述待機位置時位於上述處 理用噴嘴之近旁、用於對上述處理用噴嘴噴出水的噴水用 噴嘴。 10. —種基板處理方法，其特徵爲具備以下工程： 使安裝於噴頭的處理用噴嘴配置於被處理基板上方， 由上述處理用噴嘴對上述被處理基板供給洗淨液的工程； 停止上述處理用噴嘴之上述洗淨液之供給的工程； 移動上述噴頭及上述處理用噴嘴使配置於上述被處理 基板外方的工程；及 -41 - 1362069 對配置於上述被處理基板外方的上述噴頭及上述處理 用噴嘴噴出氣體，使附著於上述噴頭及上述處理用噴嘴的 液滴由上述噴頭及上述處理用噴嘴除去的工程。 11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中 於上述洗淨液之供給工程中，上述洗淨液係藉由二流 體噴嘴之處理用噴嘴被和氣體混合，而由上述處理用噴嘴 連同氣體被噴出。 12. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中 在由處理用噴嘴除去上述液滴之工程中，係由下方對 上述處理用噴嘴噴出氣體。 13. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中 在由處理用噴嘴除去上述液滴之工程中， 係由上述處理用噴嘴配置於上述被處理基板外方時挾 持上述處理用噴嘴之移動路徑的兩側方，噴出氣體。 14. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中 另具備：對上述處理用噴嘴噴出氣體之工程之前被實 施的工程，對配置於上述被處理基板外方之上述處理用噴 嘴噴出水而使附著於上述處理用噴嘴之上述洗淨液之液滴 由上述處理用噴嘴除去的工程。 15. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中 -42- 1362069 另具備：使被供給有上述洗淨液之上述被處理基板乾 燥的工程； 使上述被處理基板乾燥的工程，係和由上述處理用噴 嘴除去液滴的工程並行被進行。 16.—種記錄媒體，係記錄有藉由控制基板處理裝置 之控制裝置被執行之程式者：其特徵爲： φ 上述程式藉由上述控制裝置之執行而使基板處理裝置 實施具備以下工程之基板處理方法： 使安裝於噴頭的處理用噴嘴配置於被處理基板上方， 由上述處理用噴嘴對上述被處理基板供給洗淨液的工程； 停止上述處理用噴嘴之上述洗淨液之供給的工程； 移動上述噴頭及上述處理用噴嘴使配置於上述被處理 基板外方的工程；及 對配置於上述被處理基板外方的上述噴頭及上述處理 φ 用噴嘴噴出氣體，使附著於上述噴頭及上述處理用噴嘴的 液滴由上述噴頭及上述處理用噴嘴除去的工程。 -43- 1362069 七、指定代表圊： (一） 、本案指定代表圖為：第（1)囷 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 2〇 :基板處理裝置； 22 :間隔壁； 23a :開口； 23b :間隔壁機械式開閉器； 25 :處理容器； 2 5a·處理室： 25b :臂部儲存室： 27a:處理容器開口； 27b :機械式開閉器； 3〇 :旋轉保持台； 32 :夾頭本體； 3 3 :保持構件； 52 :噴頭； 54.臂部；54a:軸； 八、太 Ll:旋轉軸；L2:搖動軸； 有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學
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