JP2009064795A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバー内において整流化した一方向への気流を実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、チャンバー５０と、チャンバーに連結された導入路５２を介しチャンバー内にガスを供給するガス供給手段５４と、チャンバー内に設けられ、チャンバー内を、被処理基板を収容する処理室４４と、導入路と接続された導入室４６と、に区画する仕切部材６０と、導入室内の仕切部材上に設けられた整流部材６６と、を備えている。導入室は、導入路と接続された第１導入部４６ａと、第１導入部に対して整流部材を挟んで配置された第２導入部４６ｂと、を有している。仕切部材６０の第２導入部に対応する部分に、複数の貫通孔６２が形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、チャンバー内にガスを導入して基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に係り、とりわけ、チャンバー内に整流化されたガスの気流を形成して基板を良好に処理し得るようにした基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造においては、半導体デバイスが形成される基板（半導体ウエハ等）の清浄度を高く維持しておく必要がある。そして、基板に対する種々の処理工程の前後で基板に対して洗浄処理および乾燥処理が行われ、基板上のパーティクルを除去している。

このような洗浄および乾燥を行うための基板処理装置として、基板を略水平姿勢で保持し、基板を回転させながら基板に薬液を供給して薬液洗浄処理を行い、次に、基板を回転させながら基板に純水を供給して薬液の洗い流し処理（リンス処理または濯ぎ処理）を行う装置が、知られている。このような基板処理装置は、パーティクルの流入を防止するためのチャンバーを有しており、このチャンバー内で基板が処理される。そして、各処理が行われている間、チャンバー内において上方から下方へ向けた気流（ダウンフロー）を作り出し、これによって、雰囲気の置換や薬液の飛散を防止している。

ところで、基板処理装置のチャンバー内にダウンフローを作り出すためのガスを導入するガス供給手段は、通常、チャンバー外に設けられている。そして、基板処理装置、さらには基板処理装置を含む基板処理システムのスペース上の問題から、ガス供給手段に接続されたガス導入路はチャンバーに横方向から連結し、ガスが導入路からチャンバー内に横方向へ向けて吹き出されるようになっている。そこで、チャンバー内には整流板等が設けられ、この整流板等によってガスの流れを横方向から下方向に変化させ、チャンバー内にガスのダウンフローが形成される。

しかしながら、このような基板処理装置の内部において、気流は乱れており、またガスは下方のみに向いて流れているわけではない。このため、例えば乾燥処理中に基板上からパーティクルをいったん除去することができたとしても、基板上から除去され舞い上がったパーティクルが再び基板上に落下し基板に再付着してしまう、といった不具合が生じ得る。

この点に関し、特開平２−１１４６３６号公報では、通気孔が粗密に形成されたダンパーと、ダンパーの下方に設けられたフィルターと、を設けてチャンバー内を区分けし、整流化されたダウンフローをもたらす方法が開示されている。しかしながら、この方法では、基板を収容する処理槽の上方に２つのスペースを設ける必要があり、実際には、スペース上の問題から実現が難しい。その一方で、スペースを小さくしてこの方法を採用すると、通気孔が密に形成された部分の下方におけるガスの流速と、通気孔が粗に形成された部分の下方におけるガスの流速と、が大きく異なってしまい、乱れが少なく整流化された一方向への気流（ダウンフロー）を実現することができない。

また、基板処理装置の内部雰囲気を迅速に置換するという観点や、被処理基板に対してむらなく均一に処理を施すという観点等からすれば、洗浄処理中および乾燥処理中に限られず被処理基板に対する種々の処理中においても、基板処理装置の内部に整流化された一方向への気流（好ましくはダウンフロー）が実現されていることが好ましい。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、チャンバー内において整流化した一方向への気流を実現することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

また、これにともなって、本発明は、チャンバー内において整流化された一方向への気流を実現しながら基板を処理することができる基板処理方法を提供することを、さらに目的とする。

本発明による基板処理装置は、チャンバーと、前記チャンバーに連結された導入路を介し前記チャンバー内にガスを供給するガス供給手段と、前記チャンバー内に設けられ、前記チャンバー内を、前記被処理基板を収容する処理室と、前記導入路と接続された導入室と、に区画する仕切部材と、前記導入室内に設けられ、前記仕切部材上に配置された整流部材と、を備え、前記導入室は、前記導入路と接続された第１導入部と、前記第１導入部に対して前記整流部材を挟んで配置された第２導入部と、を有し、前記仕切部材の前記第２導入部に対応する部分に、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする。

本発明による基板処理装置によれば、ガス供給手段からチャンバーの導入室内に供給されたガスは、整流部材によって流れを変化させられて導入室内の第１導入部から第２導入部へと流れ込む。その後、ガスは第２導入部から仕切部材の貫通孔を通過して処理室内に流れ込む。これにより、処理室内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。

本発明による基板処理装置において、前記仕切部材が前記貫通孔を形成された平板状部材を有し、前記平板状部材が、前記処理室内に収容された被処理基板と対向するように、配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、チャンバー内において、被処理基板に向けた整流化された気流を形成することができる。

また、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が前記導入路の開口端に対向して配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた流れを打ち消し、整流化された一方向への気流を形成することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記仕切部材上に板状からなる複数の整流部材が周状に配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた流れを打ち消し、整流化された一方向への気流を形成することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が、通気孔を形成された筒状部材からなっていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消し、整流化された一方向への気流を形成することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、第２導入部が、前記処理室内に収容される被処理基板の上方に配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、チャンバー内において、被処理基板に向けた整流化されたダウンフローを形成することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が、前記処理室内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、チャンバー内、とりわけチャンバー内の被処理基板の周囲において、被処理基板に向けた整流化された気流を形成することができる。

さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理室内に配置され、前記処理室内に収容される被処理基板にＩＰＡを供給するノズルを、さらに備えていてもよい。このような基板処理装置によれば、基板上にＩＰＡを供給して乾燥処理を行うことができる。この場合、乾燥処理を迅速かつ確実に行うことができ、これにより、パーティクルの付着量が少なく清浄度の高い被処理基板を得ることができるようになる。

本発明による基板処理方法は、仕切部材によって、処理室と、ガスの導入路に接続された導入室と、に区画されたチャンバーの前記処理室内に被処理基板を配置する工程と、前記導入路から前記導入室を介し、被処理基板が配置された前記処理室内にガスを導入する工程と、を備え、前記ガスを導入する工程において、ガスは、前記導入室内の導入路に接続された第１導入部から、前記第１導入部に対し前記整流部材を挟んで配置された第２導入部を経由し、仕切部材の前記第２導入部に対応する部分に形成された貫通孔を通過して前記処理室内へ導入されることを特徴とする。

本発明による基板処理方法によれば、ガス供給手段からチャンバーの導入室内に供給されたガスは、整流部材によって流れを変化させられて導入室内の第１導入部から第２導入部へと流れ込む。その後、ガスは第２導入部から仕切部材の貫通孔を通過して処理室内に流れ込む。これにより、処理室内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。

本発明によれば、チャンバー内に整流化された一方向へ気流を形成することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

以下の実施の形態において、本発明による基板処理装置を、略円板状の輪郭を有する半導体ウエハの薬液洗浄処理、濯ぎ処理（リンス処理）、および乾燥処理を行うための洗浄ユニットとして用い、ウエハ処理システムに組み込んだ例を示している。しかしながら、当然に、本発明による基板処理装置は、このような適用に限定されるものではない。

図１乃至図８は、本発明による基板処理装置４０の一実施の形態を示す図である。このうち、まず、図１および図２を用いて基板処理装置４０が組み込まれたウエハ処理システム１０の全体的な構成および処理方法を説明する。なお、図１はウエハ処理システム１０を示す概略上面図であり、図２は図１に対応する図であってウエハ処理システム１０を示す概略側面図である。

図１および図２に示すように、ウエハ処理システム１０は、処理前および処理後のウエハＷが載置される載置部１０ａと、ウエハＷを洗浄する洗浄部１０ｃと、載置部１０ａおよび洗浄部１０ｃの間におけるウエハＷの受け渡しを担う搬送部１０ｂと、を含んでいる。

以下、各部について詳述していく。

まず、載置部１０ａについて説明する。載置部１０ａにおいて、ウエハ処理システム１０は載置台１１を有している。載置台１１には、被処理ウエハを収容したキャリアＣが取り外し自在に取り付けられるようになっている。

図１に示すように、本実施の形態においては、載置台１１に３つのキャリアＣが載置されるようになっている。各キャリアＣは蓋体１３を有しており、蓋体１３を開くことによって、その内部に被処理ウエハＷを収納することができるようになっている。各キャリアＣ内には、複数例えば２５枚の被処理ウエハＷが所定間隔を空けて保持されるようになっている。本実施の形態において、ウエハＷは、表面（半導体デバイスを形成される処理面）が上面となるようにして、略水平姿勢でキャリアＣ内に収容されている。

次に、搬送部１０ｂについて説明する。図２に示すように、搬送部１０ｂは区画壁に覆われた空間を有している。そして、該空間内に、キャリアＣとの間、および後に説明する洗浄部１０ｃの受け渡しユニット２２との間で、ウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送装置２０が設けられている。図１に示すように、載置部１０ａと搬送部１０ｂとの間に設けられた区画壁１５には、窓部（開口）が形成されており、また、該窓部を開閉するシャッター等からなる窓部開閉機構１７が設けられている。また、上述したキャリアＣを載置台１１に取り付けた場合、キャリアＣの蓋体１３が窓部に対向するようになっている。なお、窓部開閉機構１７が、窓部を開閉する際に、キャリアＣの蓋体１３を同時に開閉することができるようになっていることが好ましい。ただし、キャリアＣの蓋体１３の開閉方法は、これに限られず、専用の開閉機構を別途設けてもよいし、あるいは、手動で開閉するようにしてもよく、窓部開閉機構１７や窓部の構成に応じて適宜好適に設計することができる。

図１に示すように、ウエハ搬送装置２０はＸ方向およびＹ方向に移動可能であり、キャリアＣおよび後述の受け渡しユニット２２へアクセスすることができるようになっている。また、図２によく示されているように、ウエハ搬送装置２０はウエハを保持するためのウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂを、高さ方向に間隔を空けて２本有している。各ウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂは、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転可能、かつＺ方向へ移動可能であり、さらに独立して進退自在となっている。ウエハ搬送装置２０が移動するとともに、ウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂが回転、昇降および進退することにより、ウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂに保持されたウエハＷをキャリアＣ内または受け渡しユニット２２内に運び入れること、あるいはキャリアＣ内または受け渡しユニット２２内からウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂ上へウエハＷを運び出すことができる。

次に、洗浄部１０ｃについて説明する。図２に示すように、洗浄部１０ｃは区画壁に覆われた空間を有している。図１に示すように、この区画壁に覆われた空間内において、ウエハ処理システム１０は、搬送部１０ｂに接続する受け渡しユニット（ＴＲＳ）２２と、基板処理装置（ウエハ洗浄ユニット）４０と、洗浄部１０ｃ内でウエハを搬送する主ウエハ搬送装置２６を有している。

主ウエハ搬送装置２６は、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能であり、各ユニット２２，４０へアクセスすることができるようになっている。また、図２によく示されているように、主ウエハ搬送装置２６はウエハＷを保持するためのウエハ保持アーム２６ａ，２６ｂを、高さ方向に間隔を空けて２本有している。各ウエハ保持アーム２６ａ，２６ｂは、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転可能、かつＺ方向へ移動可能であり、さらに独立して進退自在となっている。一方、各ユニット２２，４０には、それぞれウエハＷを受け入れるための開閉自在な開口が設けられている。そして、この主ウエハ搬送装置２６が移動するとともに、ウエハ保持アーム２６ａ，２６ｂが回転、昇降および進退することにより、ウエハ保持アーム２６ａ，２６ｂに保持されたウエハＷを各ユニット２２，４０内に運び入れること、あるいは各ユニット２２，４０内からウエハ保持アーム２６ａ，２６ｂ上へウエハＷを運び出すことができる。

図２に示すように、ウエハ処理システム１０は、上下二段に重ねて配置された２つの受け渡しユニット２２ａ，２２ｂを有している。各受け渡しユニット２２ａ，２２ｂには、搬送部１０ｂ側にも開閉自在な開口（図示せず）が設けられている。すなわち、受け渡しユニット２２のこの開口を介し、洗浄部１０ｃと搬送部１０ｂとが連通するようになる。そして、この開口を介し、上述したように、ウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂに保持されたウエハＷを受け渡しユニット２２内に運び入れること、あるいは受け渡しユニット２２内からウエハ保持アーム２１ａ，２１ｂ上へウエハＷを運び出すことができる。

また、本実施の形態においては、洗浄部１０ｃに、合計８つの基板処理装置（ウエハ洗浄ユニット）４０ａ〜４０ｈが、Ｘ方向およびＹ方向に離間した４箇所にそれぞれ上下２段に重ねて配置されている。

なお、以上の各装置等は、コンピュータを含む主制御システム５（図１）に接続されており、主制御システム５からの制御信号に基づいて動作するようになっている。

次に、このようなウエハ処理システム１０におけるウエハＷの全体的な処理方法について説明する。

まず、処理されるべきウエハＷを例えば２５枚収納したキャリアＣが載置台１１に取り付けられる。次に、窓部開閉機構１７およびキャリアＣの蓋体１３が開かれる。このキャリアＣに対してウエハ搬送装置２０が接近および進入し、ウエハ搬送装置２０の例えば下段のウエハ保持アーム２１ｂが、窓部を介し、キャリアＣ内から１枚のウエハＷを取り上げる。その後、該ウエハ保持アーム２１ｂが後退するとともに回転し、また、ウエハ搬送装置２０が移動することによって、キャリアＣから取り出されたウエハＷが、例えば下段の受け渡しユニット２２ｂへと搬送される。

次に、下段の受け渡しユニット２２ｂ内に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送装置２６によって受け取られ、いずれかの基板処理装置４０内へと持ち込まれる。この際、ウエハＷは、例えば、主ウエハ搬送装置２６の下段のウエハ保持アーム２６ｂによって保持され、基板処理装置４０内へ持ち込まれる。

基板処理装置４０内に持ち込まれたウエハＷに対し、後に詳述するようにして洗浄処理および乾燥処理が施される。その後、洗浄処理および乾燥処理を受けたウエハＷは、主ウエハ搬送装置２６によって受け取られ、受け渡しユニット２２へと再度持ち込まれる。この場合、ウエハＷは、例えば、主ウエハ搬送装置２６の上段のウエハ保持アーム２６ａによって保持され、上段の受け渡しユニット２２ａへと持ち込まれる。

その後、上段の受け渡しユニット２２ａ内に載置されたウエハＷは、ウエハ搬送装置２０によって受け取られ、再びキャリアＣ内へと収納される。この場合、ウエハＷは、例えば、ウエハ搬送装置２０の上段のウエハ保持アーム２１ａによって保持される。このようにして、ウエハ処理システムにおける、一枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。

次に、本発明による基板処理装置（ウエハ洗浄ユニット）４０の一実施の形態について、主に図３乃至図８を用いて詳述する。なお、図３は基板処理装置４０を上方から示す断面図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図であり、図５は洗浄処理および乾燥処理に用いられる配管類の概略構成を示す図であり、図６は図４に対応する図であって処理室内の気流を説明するための図であり、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図であり導入室内の気流を説明するための図であり、図８は乾燥処理を説明するための図である。

上述したように、ウエハ処理システム１０には合計８台の基板処理装置４０が配設されている。図３に示すように、各基板処理装置４０は各装置を他の装置から区画する密閉構造の隔壁（ユニットチャンバー）４２をそれぞれ備えており、各隔壁４２には開口４２ａと開口４２ａを開閉するための隔壁メカシャッター４２ｂとが設けられている。各基板処理装置４０は対称に構成されていることを除けば略同一に構成されている。以下、図を用いて、基板処理装置４０の構成について詳述する。なお、図４乃至図８において、隔壁４２は省略されている。

図３および図４に示すように、基板処理装置４０は、被処理ウエハＷを収容する密閉構造のチャンバー５０と、チャンバー５０内に接続された導入管５２（ガス導入路）と、導入管５２に連結されたガス供給手段５４と、チャンバー５０内に設けられた仕切部材６０と、仕切部材６０上に設けられた整流部材６６と、チャンバー５０に隣接して設けられたアーム格納部８１と、を備えている。図４に示すように、仕切部材６０によってチャンバー５０内は、ウエハＷを収容する処理室４４と、処理室４４の上方に設けられ、導入路５２と接続された導入室４６と、に区画されている（区分けされている）。図３および図４に示すように、処理室４４内には、ウエハＷを略水平姿勢で保持し、保持したウエハＷを回転させる回転保持台７６が設けられている。

このうちまず、チャンバー５０について説明する。チャンバー５０は、略円筒状からなっている。チャンバー５０には、チャンバー５０内に運び入れる際およびチャンバー５０内から運び出す際にウエハＷが通過するチャンバー開口５０ａが、隔壁４２の開口４２ａに対向して設けられている。さらに、チャンバー５０には、チャンバー開口５０ａを開閉するためのチャンバーメカシャッター５０ｂが設けられている。

次に、処理室４４内の構成について説明する。

図４に示すように、処理室４４内に設けられた回転保持台７６は、円筒状からなる回転筒体７７と、回転筒体７７の上方に設けられたチャック本体７８と、チャック本体７８に支持された保持部材７９と、回転筒体７７に連結部材８１を介して連結された駆動部材８２と、を有している。連結部材８１は、例えばベルトから構成され、駆動部材８２は、例えばモータから構成される。駆動部材８２は、連結部材８１を介して回転筒体７７を回転駆動するようになっている。図３に示すように、チャック本体７８の上部であって回転筒体７７の回転軸を中心とした円周上に、３つ保持部材７９が等間隔を空けて設けられている。この保持部材７９は、ウエハＷを周縁から保持することができるようになっている。

ところで、図４に示すようにチャンバー５０内壁面には、回転保持台７６に保持されたウエハＷ（図４の二点鎖線）の横方向外方となる位置に、突起５７が形成されている。この突起５７は断面略三角形状を有し、また、上方外方から回転保持台７６に保持されたウエハＷに向かう傾斜面５７ａを有している。同様に、チャンバー５０のメカシャッター５０ｂにも、傾斜面５７ａと略同形状からなり傾斜面５０ｄを有するシャッター突起５０ｃが形成されている。メカシャッター５０ｂが開口５０ａを塞いている場合（すなわち、上昇した位置にある場合）、突起５７とシャッター突起５０ｃとが略同一高さに配置され（図８）、さらに、突起５７の傾斜面５７ａとシャッター突起５０ｃの傾斜面５０ｄとが、チャンバー５０の内輪郭に沿って略連続した周状の傾斜面を形成するようになっている。

さらに、図４に示すように、チャンバー５０内における回転保持台７６の外方には、筒状からなるインナーカップ５８が設けられている。インナーカップ５８は、略円筒状からなる円筒状部５８ａと、円筒状部５８ａから内方に折れ曲がって延び上がる傾斜部５８ｂと、を有している。このインナーカップ５８は、図示しないインナーカップ駆動機構に連結され、インナーカップ駆動機構によって、上下方向に移動することができるようになっている。図４に示すように、傾斜部５８ｂの傾斜角度は、突起５７の傾斜面５７ａの傾斜角度およびシャッター突起５０ｃの傾斜面５０ｄの傾斜角度と略同一となっている。そして、インナーカップ５８が上限まで上昇した場合、傾斜部５８ｂは、突起５７の傾斜面５７ａおよびシャッター突起５０ｃの傾斜面５０ｄに面接触しこれらを覆うようになっている。

また、図４に示すように、チャンバー５０内の下方には、インナーカップ５８の内側に第１の排出口９１が設けられ、同様に、インナーカップ５８の外側に第２の排出口９２が設けられている。

次に、導入室４６の構成について説明する。

本実施の形態において、図７に示すように、チャンバー５０内を導入室４６と処理室４４とに区分けする仕切部材６０は、略円板状からなる平板状部材６１によって構成されている。図４に示すように平板状部材６１は、処理室４４内の回転保持台７６上に保持されたウエハＷと対向するよう、略水平にチャンバー５０内に支持されている。

また、図７に示すように、本実施の形態において、仕切部材６０上に、断面弧状輪郭を有する複数の板状部材（弧状板部材）６７が配置され、これらの弧状板部材６７によって整流部材６６が構成されている。図７に示すように、複数の弧状板部材６７は、円周上に沿って配置されており、各弧状板部材６７間には隙間６８が形成されている。本実施の形態においては、弧状板部材６７の配置中心が回転保持台７６に保持されたウエハＷの中心と一致するよう、言い換えると、回転保持台７６の回転中心と一致するよう、各弧状部材６７が配置されている。各弧状板部材６７は、導入室４６内において、仕切部材６０からチャンバー５０の上方内壁面まで、仕切部材６０に略直交して上下方向に延びている。

図７によく示されているように、整流部材６６によって、導入室４６内は、整流部材６６の外方に配置された第１導入部（第１スペース）４６ａと、第１導入部４６ａに対して整流部材６６を挟んで内方に配置された第２導入部（第１スペース）４６ｂと、に区画（区分け）されている。本実施の形態において、第２導入部４６ｂは整流部材６６に囲まれており、上面視においてウエハＷの輪郭と相似形状となる円形状の輪郭を有している。上述したように、円周上に配置された整流部材６６の配置中心は回転保持台７６に保持されたウエハＷの中心と一致するようになっている。すなわち、整流部材６６は、略円形状からなるウエハＷの輪郭に対応して配置されている。したがって、整流部材６６に囲まれた第２導入部４６ｂは、回転保持台７６に保持されたウエハＷの直上方に配置されている。

第１導入部４６ａには導入管５２が接続されている。図７および図４に示すように、導入管５２は、チャンバー５０近傍において、回転保持台７６の回転軸に直交するようにして、当該回転軸に向けて延び（言い換えると、第２導入部４６ａの中心に向けて延び）、チャンバー５０に連結されている。そして、最も円周に沿った長さが長い弧状板部材６７は、導入管５２の開口端５２ａに対向して、配置されている。

図７に示されているように、本実施の形態においては、導入管５２のチャンバー５０近傍における中心線Ｌを中心として、チャンバー５０自体が対称な構成となっているのに対し、弧状板部材６７も中心線Ｌを中心として対称な構成となっている。したがって、導入管５２から導入室４６内に供給されるガスの流れは、この中心線Ｌを中心として対称な流れとなる。また、図７に示されているように、導入部４６の導入管５２に接続された側（図７における紙面の左側）に比べ、導入部４６の導入管５２に接続されていない側（図７における紙面の右側）では、円周に沿った長さが短い弧状板部材６７が配置されているとともに、弧状板部材６７間の隙間６８が大きく（さらに詳しくは、隙間６８の円周に沿った長さが長く）なっている。

なお、以上のように複数の弧状板部材６７からなる整流部材６６の構成は、後述するように、導入管５２から第１導入部４６ａを介してガスが流れ込む第２導入部４６ｂ内における圧力を均一にすることを目的としており、第２導入部４６ｂ内における圧力を所望の程度に均一とすることができる限りにおいて、説明した構成に限られるものではなく、適宜好適に変更することができる。

一方、図７および図４に示すように、第２導入部４６ｂに対面する仕切部材６６には、多数の貫通孔６２が規則的に整列して形成されている。そして、第２導入部４６ｂに流入したガスは、この貫通孔６２を通過して処理室４４内へと流入するようになっている。図７に示す例においては、図７の紙面における上下方向および左右方向において等間隔で多数の貫通孔６２が配列されている。ただし、貫通孔６２の配列方法は、このような方法に限られず、例えば千鳥状に貫通孔６２を配列するようにしてもよい。また、図７に示す例において、貫通孔６２は上面視略円形状の形状を有しているが、これに限られず、例えば貫通孔６２が上面視四角形状を有するようにしてもよい。

ところで、上述したように、導入管５２はガス供給手段５４に連結されている。ガス供給手段５４はガスを導入管５２に供給し、導入管５２を介してチャンバー５０内にガスを送り込むようになっている。なお、ガス供給手段５４から供給されるガスとしては、フィルターを通した空気や、窒素等の不活性ガスが選択され得り、好ましくは乾燥した窒素が選択され得る。

次に、主に図３、図５、および図８に示すように、アーム格納部８１について説明する。

図３に示すように、チャンバー５０のアーム格納部８１に面する位置にアーム用開口８１ａと、このアーム用開口８１ａを開閉するためのシャッター８１ｂが設けられている。アーム格納部８１には、ウエハＷ上に液体を供給する、あるいは、ウエハＷ上にガスを噴射するための液体吐出口を有するアーム８２が設けられている。アーム８２は、揺動シャフト８２ａを中心として揺動可能となっており、アーム用開口８１ａが開いている場合に、開放されたアーム用開口８１ａから処理室４４内に揺動して入り込むことができるようになっている（図８）。なお、アーム８２は、アーム８２の先端が回転保持台７６に保持されたウエハＷの中心直上に配置されるまで、揺動することができるようになっている。

図５に示すように、本実施の形態においては、アーム８２の先端に、第１乃至第３のノズル８３ａ，８３ｂ，８３ｃが設けられている。また、アーム８２内には、第１ノズル８３ａに接続された第１配管８４ａと、第２ノズル８３ｂに接続された第２配管８４ｂと、第３ノズル８３ｃに接続された第３配管８４ｃと、が設けられている。

また、第１配管８４ａは第１弁８８ａを介して薬液を供給する薬液源８６ａに接続され、第２配管８４ｂは第２弁８８ｂを介して純水（DIW : deionized water）を供給する純水源８６ｂに接続され、第３配管８４ｃは第３弁８８ｃを介してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するＩＰＡ源８６ｃに接続されている。ここで、薬液源８６ａに蓄えられる薬液として例えばＨＦ／Ｈ_２Ｏ混合液を採用することができる。

なお、本実施の形態において、第１乃至第３ノズルとして流体ノズルが用いられている。また、第１乃至第３弁、および図示しないアーム８２の揺動駆動機構は洗浄乾燥系制御器８９に接続され、この洗浄乾燥系制御器８９によって制御されるようになっている。なお、洗浄乾燥系制御器８９は上述した主制御システム５の一部をなしている。

ただし、このようなアーム８２およびアーム８２に関連する各構成要素の構成は例示に過ぎず、要求される洗浄処理および乾燥処理に応じて、適宜好適に変更することができる。

なお、基板処理装置４０の以上の各装置等は、コンピュータを含む主制御システム５（図１）に接続されており、主制御システム５からの制御信号に基づいて動作するようになっている。

次に、以上のような構成からなる基板処理装置４０を用いたウエハＷの洗浄処理および乾燥処理について説明する。

まず、隔壁メカシャッター４２ｂおよびメカシャッター５０ｂが開き、上述した主ウエハ搬送装置２６の中段ウエハ保持アーム２６ｂに保持されたウエハＷが処理室４４内に持ち込まれる。図４に示すように、このときウエハＷは表面が上方を向くようにして、略水平姿勢で保持されている。処理室４４内に持ち込まれたウエハＷは、回転保持台７６のチャック本体７８に載置され、保持部材７９によって縁部から保持される。その後、中段ウエハ保持アーム２６ｂが後退し、隔壁メカシャッター４２ｂおよびメカシャッター５０ｂが上昇して、隔壁開口４２ａおよびチャンバー開口５０ａが閉鎖される。このようにして、密閉された隔壁４２内の密閉されたチャンバー５０内に、処理されるべき表面が上方を向くようして、ウエハＷは略水平姿勢で収納保持される。なお、隔壁メカシャッター４２ｂおよびメカシャッター５０ｂの上昇後または上昇中、インナーカップ５８も上昇した位置へと移動する（図６）。

ここで、ガス供給手段５４から、例えば窒素等のガスが導入管５２へ供給され始める。このとき、図７に示すように、ガス供給手段５４から供給されたガスは、導入管５２を経由して、まず、チャンバー５０内の導入室４６へ送り込まれる。上述したように、導入室４６には、導入管５２の開口端５２ａに対面するようにして仕切部材６６をなす弧状板部材６７が設けられている。したがって、図７に示すように、導入室４６の第１導入部４６ａへと送り込まれたガスは、この弧状板部材６７に衝突して、弧状板部材６７の両側（図７の紙面における上側および下側）へ分かれて流れるようになる。すなわち、導入路５４の構成に起因した特定方向へ向けた局部的な流れが打ち消される。

また、上述したように、導入管５２のチャンバー５０近傍における中心線Ｌを中心として導入室４６内は対称な構造となっている（図７）。このため、二手に分かれたガスは、中心Ｌを中心として対称な気流を形成しながら、弧状板部材６７とチャンバー５０壁面との間を流れ、最終的に、導入管５２の開口端５２ａから最も離れた位置で衝突する。

このような第１導入部４６ａ内におけるガスの流れにより、第１導入部４６ａ内の圧力が上昇し、第１導入部４６ａ内のガスは弧状板部材６７間に形成された隙間６８から第２導入部４６ｂ内へ流れ込む。このとき、連続的にガスが供給される第１導入部４６ａ内の導入管５２へ接続されている側において圧力が高くなり、第１導入部４６ａ内の接続部から離れた側では圧力が低くなる。ところが、本実施の形態によれば、図７に示されているように、導入部４６の導入管５２に接続された側（図７における紙面の左側）に比べ、導入部４６の導入管５２に接続されていない側（図７における紙面の右側）で、弧状板部材６７間の隙間が大きく（さらに詳しくは、隙間の円周に沿った長さが長く）なっている。つまり、導入部４６の導入管５２に接続された側に比べ、導入部４６の導入管５２に接続されていない側で、第１導入部４６ａから第２導入部４６ｂ内へガスが流れ込みやすくなっている。このため、第２導入部４６ｂ内へ整流されて略均一にガスが流れ込むとともに、第２導入部４６ｂ内における圧力が略均一となる。

次に、第２導入部４６ｂ内に流れ込んだガスは、第２導入部４６ｂ内における圧力の増加にともない、仕切部材６０に形成された貫通孔６２を通過して処理室４４内に流れ込む。上述したように、貫通孔６２は規則的に整列配置されており、また、第２導入部４６ｂは回転保持台７６に保持されたウエハＷの直上に配置されている。したがって、図６に示すように、処理室４４内に吹き込まれるガスの気流は、ウエハＷに向けて整流化された均一なダウンフローとなる。

また、図６に示すように、ウエハＷ上に吹き込まれたガスは、その後、ウエハＷの外方に流れ、インナーカップ５８の傾斜部５８ａに案内されてチャンバー５０の下方に流れ込み、インナーカップ５８の内側に設けられた第１の排出口９１（図４）から排出される。なお、インナーカップ５８の下降時においては、ウエハＷの外方に流れたガスは、チャンバー５０内壁に形成された突起５７の傾斜面５７ａおよびメカシャッター５０ｂの傾斜面５０ｄに案内され、第２の排出口９２（図４）から排出される。

このようにチャンバー５０内に整流化されたダウンフローが形成された状態で、シャッター８１ｂが開き、アーム８２が洗浄乾燥系制御器８９によって揺動駆動され、開放されたアーム用開口８１ａから処理室４４内に入り込む（図８）。以降、洗浄処理および乾燥処理がウエハＷに対して施されるが、本実施の形態において、洗浄処理および乾燥処理は３段階のステップ（工程）で行われる。なお、各ステップ中、ガス供給手段５４からはガスが供給され続け、これにともない処理室４４内に、整流化されたダウンフローが作り出され続けている。

まず、第１ステップとして薬液洗浄処理が行われる。このステップにおいては、薬液源８６ａに接続された第１ノズル８３ａが回転保持台７９に保持されたウエハＷの略中心の直上に配置されるよう、アーム８２が揺動させられる。また、この動作にあわせて、駆動部材８２が連結部材８１を介して回転筒体７７を回転駆動し、ウエハＷが回転させられる。この状態で、洗浄乾燥系制御器８９が第１弁８８ａを開き、この結果、第１ノズル８３ａからウエハＷの中心付近に薬液（例えばＨＦ／Ｈ_２Ｏ混合液）が供給される。供給された薬液はウエハＷの回転によってウエハＷ中心から外方へと流れ、ウエハＷの表面が全体的に薬液洗浄される。とりわけ、本実施の形態によれば、ウエハＷに向けた整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウエハＷ上においては、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流が形成される（図６参照）。したがって、この気流により、薬液がウエハＷの全表面に行き渡り、ウエハＷ全体を均一にむらなく薬液洗浄することができる。

このような第１ステップにおける薬液の吐出は、洗浄乾燥系制御器８９が第１弁８８ａを閉じることにより終了し、その後、第２ステップへと移行する。
なお、上述したように、この第１ステップ中、処理室４４内には、薬液の吐出方向と同一方向に流れる整流化されたダウンフローが形成されている。したがって、第１ノズル８３ａから吐出される薬液がウエハＷ内に衝突して飛散することが防止される。これにより、薬液はインナーカップ５８の傾斜部５８ａに案内され、チャンバー５０の下方であってインナーカップ５８の内側に設けられた第１の排出口９１から排出される。なお、排出口９１から回収された薬液は、適切な処理を施した後、薬液源８６ａに再貯留することができる。

また、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ混合液等の薬液を使用した場合、ウエハＷに対して次の処理を行う前に、チャンバー５０内の薬液雰囲気を置換しておく必要がある。本実施の形態によれば、チャンバー５０内に整流化されたダウンフローが形成されているため、雰囲気の置換を迅速かつ確実に行うことができる。

次に、リンス処理を施す第２ステップについて説明する。このステップにおいては、純水源８６ｂに接続された第２ノズル８３ｂが回転保持台７９に保持されたウエハＷの略中心の直上に配置されるよう、アーム８２が配置される。また、ウエハＷも、第１ステップと同様に、回転させられたままとなっている。一方、インナーカップ５８が第２ステップの開始時に降下し、第１ステップにおける薬液の流路となっていた部分は、図８に示すように、インナーカップ５８と回転保持台７９のチャック本体７８との間で閉じられる。

このような状態で、洗浄乾燥系制御器８９が第２弁８８ｂを開き、この結果、第２ノズル８３ｂからウエハＷの中心付近に純水（ＤＩＷ）が供給される。供給された純水はウエハＷの回転（さらに詳しくは、ウエハＷの回転に起因する遠心力）によってウエハＷ中心から外方へと流れ、ウエハＷの表面全体にリンス処理、すなわち薬液の濯ぎ処理が施される。とりわけ本実施の形態によれば、上述のように、純水の吐出方向と同一方向に向けて流れる整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウエハＷ上においては、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流が形成される。したがって、この気流により、ウエハＷ全体を均一にむらなく、かつ迅速にリンス処理することができる。

このような第２ステップにおける純水の吐出は、洗浄乾燥系制御器８９が第２弁８８ｂを閉じることによって終了し、その後、第３ステップへと移行する。

なお、上述したように、この第２ステップ中、処理室４４内には整流化されたダウンフローが形成されている。したがって、第１ノズル８３ａから吐出される純水や、それまでウエハＷ上に存在していた薬液がウエハＷ内に衝突して飛散することが防止される。これにより、リンス処理に用いられた純水は、チャンバー５０内壁に形成された突起５７の傾斜面５７ａおよびメカシャッター５０ｂの傾斜面５０ｄに案内され、チャンバー５０の下方であってインナーカップ５８の外側に設けられた第２の排出口９２から排出される。

次に、図８に示す、ウエハＷ上にＩＰＡを供給して純水と置換し、乾燥する第３ステップについて説明する。このステップは、ＩＰＡ源８６ｃに接続された第３ノズル８３ｃがウエハＷの中心の略直上に配置された状態から開始される。また、第３ステップ中、第２ステップと同様に、インナーカップ５８は降下した位置にあり（図８）、ウエハＷは回転している。

第３ステップにおいて、洗浄乾燥系制御器８９が第３弁８８ｃを開く。そして、第３ノズル８３ｃからウエハＷの中心付近にＩＰＡが吐出されている状態で、アーム８２が一方の方向（本実施の形態においては、図３における時計回り方向）に揺動し始める。すなわち、ウエハＷの中心付近の直上にあった第３ノズル８３ｃは、ウエハＷと一定の間隔を保ちながら、ウエハＷの周縁に向けて移動する。このようなアーム８２の動作、第３ノズル８３ｃからのＩＰＡの吐出、およびウエハＷの回転により、第２ステップでウエハＷ上に吐出された純水はウエハＷの外方に移動し、替わりにＩＰＡがウエハＷの表面を占めていくようになる。

このような動作により、純水がより表面張力の低いＩＰＡによって置換され、ウエハＷの全表面上から純水が除去される。このとき、ＩＰＡの一部も純水とともにウエハＷ上から外方に飛散し、チャンバー５０内壁に形成された突起５７の傾斜面５７ａおよびメカシャッター５０ｂの傾斜面５０ｄに案内され、チャンバー５０の下方であってインナーカップ５８の外側に設けられた第２の排出口９２から排出される。

上述のように、本実施の形態によれば、ＩＰＡの吐出方向と同一方向に向けて流れる整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウエハＷ上においては、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流が形成される。したがって、この気流により、純水からＩＰＡへの置換を均一にむらなく、かつ迅速に行うことができる。

このような第３ステップにおけるＩＰＡの吐出は、所定時間継続した後、洗浄乾燥系制御器８９が第３弁８８ｃを閉じることによって終了する。なお、ＩＰＡの吐出が終了すると、アーム８２は揺動し、アーム用開口８１ａを経由して処理室４４をから退出する。アーム８２が処理室４４外に位置するようになると、シャッター８１ｂが閉じ、アーム用開口８１ａが閉鎖状態となる。

以上のようにして、３段階のステップからなる洗浄処理および乾燥処理が終了する。洗浄処理および乾燥処理が終了すると、回転筒体７７の回転が停止し、ウエハＷが回転保持台７９上に静止した状態で保持されるようになる。その後、隔壁メカシャッター４２ｂおよびメカシャッター５０ｂが開き、主ウエハ搬送装置２６の上段ウエハ保持アーム２６ａが処理室４４内に進入してくる。上段ウエハ保持アーム２６ａは、回転保持台７６のチャック本体７８上に載置された洗浄乾燥済のウエハＷを保持し、処理室４４内から退室する。好ましくは、この後すぐ、主ウエハ搬送装置２６の下段ウエハ保持アーム２６ｂが次に処理すべきウエハＷを回転保持台７６上に載置する。そして、ウエハ保持アームが処理室４４内から退出した後、隔壁メカシャッター４２ｂおよびメカシャッター５０ｂが閉じて、チャンバー５０内、さらには隔壁４２内が密閉された状態となる。その後、連続して次のウエハＷに対して洗浄処理および乾燥処理する場合には、ここでインナーカップ５８が上昇し、上述した第１乃至第４ステップが順に実行されていく。

以上のように本実施の形態によれば、基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する処理室４４と導入管５２に接続された導入室４６とにチャンバー５０内を区画する仕切部材６０と、導入室４６内の仕切部材６０上に設けられた整流部材６６と、を備えており、導入室４６が、導入管５２と接続された第１導入部４６ａと、第１導入部４６ａに対して整流部材６６を挟んで配置された第２導入部４６ｂと、を有している。このため、ガス供給手段５４からチャンバー５０の導入室４６内に供給されたガスは、整流部材６６によって流れを変化させられて導入室４６内の第１導入部４６ａから第２導入部４６ｂへと流れ込み、第２導入部４６ａ内の圧力は略均一となる。そして、室内が略均一の圧力状態となっている第２導入部４６ｂから仕切部材６０の貫通孔６２を通過し、ガスが処理室４６内に流れ込む。したがって、処理室４６内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。このように処理室４６内に整流化された一方向への気流を作り出すことができる基板処理装置１０は、雰囲気置換を迅速に行うことができる点や、被処理基板の表面全域に対してむらなく均一な処理を施すことができる点等において、被処理基板に対して種々の処理を行う上で非常に有用である。とりわけ、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、各ノズル８３ａ〜８３ｃから吐出された液体が処理室４４内に飛散してしまうことを抑制することができる。また、処理室４６内における気流の乱れが格段に抑制されるので、ウエハＷに付着したパーティクルをより確実に安定して除去することができる。さらに、ウエハＷから除去されたパーティクルがウエハＷ上方に舞い上がるとともに、ウエハＷに再付着してしまうことを抑制することができる。また、回転中のウエハＷ上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を抑制することができる。

また、本実施の形態によれば、仕切部材６０は貫通孔６２を形成された平板状部材６１からなり、平板状部材６１は、処理室４４内に収容された被処理基板と対向するように、配置されている。したがって、チャンバー４０内において、被処理基板に向けた整流化された気流を作り出すことができ、さらに、処理室４４内に配置された被処理基板上において、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。これにより、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウエハＷからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウエハＷへパーティクルが再付着することをより抑制することができる。また、ウエハＷ上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑制することができる。

さらに、本実施の形態によれば、整流部材６６は、チャンバー５０への連結部となる導入管５２の開口端５２ａに対向して配置されている。したがって、整流部材６６によって、導入管５２の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消すことができ、これにより、気流の乱れを抑制し、より安定して処理室４４内に整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理をむらなく均一かつ迅速に行うことができる。

さらに本実施の形態によれば、仕切部材６０上に板状からなる複数の整流部材６６が周状に配置されている。したがって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消すことができ、これにより、気流の乱れを抑制し、より安定して処理室４４内に整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理をむらなく均一かつ迅速に行うことができる。

さらに、本実施の形態によれば、第２導入部４６ｂは、処理室４４内に収容された被処理基板の上方に配置されている。したがって、チャンバー４４内において、被処理基板に向けた整流化されたダウンフローを処理室４４内に作り出すことができ、さらに、処理室４４内に配置された被処理基板上において、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウエハＷに向けて吐出される液体等の飛散を防止することができる。また、ウエハＷからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウエハＷへパーティクルが再付着することをより確実に抑制することができる。さらに、ウエハＷ上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑制することができる。

さらに、本実施の形態によれば、整流部材６６は、処理室４４内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されている。被処理基板に向けて整流化された気流を処理室４４内に作り出すことができ、さらに、処理室４４内に配置された被処理基板上において、ウエハＷの中心から外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウエハＷに向けて吐出される液体等の飛散を防止することができる。また、ウエハＷからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウエハＷへパーティクルが再付着することをより確実に抑制することができる。さらに、ウエハＷ上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑制することができる。

なお、上述した実施の形態に関し、本発明の要旨の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上述した実施の形態においては、複数の弧状板部材６７が円周上に沿って並べられて整流部材６６が構成されている例を示したが、これに限られない。例えば、図９に示すような通気孔９６が形成された筒状部材９５からなる整流部材９４を、図１乃至図８に示す基板処理装置４０に適用してもよい。なお、このような整流部材９４を用いる場合、筒状部材９５の導入管５２の開口端５２ａに対向する部分に、通気孔９６が形成されていないことが好ましい。また、筒状部材９５の導入管５２に接続されている側（導入管５２に対面する側）から接続されていない側に向かうにつれて、通気孔９６の配置ピッチが短くなる、あるいは通気孔９６の大きさが大きくなっていくことが好ましい。このようにすれば、第１導入部４６ａから第２導入部４６ｂへと流れ込むガスの量を、筒状部材９５の導入管５２に接続されている側と接続されていない側とで略均一にすることができる。これにより、第２導入部４６ｂ内の圧力分布を略均一にすることができ、第２導入部４６から処理室４４内に吹き込むガスの気流を一方向に向けた整流化された流れとすることができる。

また、同様に仕切部材６０の構成も種々変更することができる。例えば、上述したように、仕切部材６０の厚さを変更してもよいし、また仕切部材６０を平板状部材以外の部材によって構成するようにしてもよい。

さらに、洗浄処理および乾燥処理において、純水をＩＰＡに置換して乾燥する例を示したが、これに限られない。ウエハＷ上に供給された純水のウエハＷに対する表面張力が十分低ければ、純水をＩＰＡに置換することなくウエハＷを乾燥することもできる。

ところで、上述のように、基板処理装置４０は、コンピュータを含む主制御システム５によって制御され、制御信号からの信号に基づいて被処理基板に対して処理を実施するようになっている。そして、基板処理装置４０を制御して基板処理装置４０に被処理基板の処理を実施させるために、主制御システム５のコンピュータによって実行されるプログラムも本件の対象である。また、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体６も、本件の対象である。ここで、記録媒体６とは、フロッピーディスク（フレキシブルディスク）等の単体として認識することができるものの他、各種信号を伝搬させるネットワークも含む。

なお、以上の説明においては、本発明による基板処理装置を、ウエハＷの洗浄処理および乾燥処理を行うための装置に適用した例を示しているが、そもそもこれに限られず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板の洗浄処理および乾燥処理に適用してもよく、さらには洗浄処理や乾燥処理以外の種々の処理を行うための装置に適用することもできる。

本発明による基板処理装置の一実施の形態を適用したウエハ処理システムの一例を示す概略上面図。 図１のウエハ処理システムを示す概略側面図。 本発明による基板処理装置の一実施の形態を示す断面図。 図３のＩＶ−ＩＶに沿った断面図。 洗浄処理および乾燥処理に用いられる要素を示す概略構成図。 図４に対応する図であって、処理室内の気流を説明するための図。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図であり、導入室内の気流を説明するための図。 乾燥処理を説明するための図。 整流部材の変形例を示す図。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
５ コンピュータ（主制御システム）
６ 記録媒体
４０ 基板処理装置
４４ 処理室
４６ 導入室
４６ａ 第１導入部
４６ｂ 第２導入部
５０ チャンバー
５２ 導入管（導入路）
５２ａ 開口端
６０ 仕切部材
６１ 平板状部材
６２ 貫通孔
６６ 整流部材
８３ｃ，８３ｄ ノズル
９４ 整流部材
９５ 筒状部材
９６ 通気孔

Claims (8)

1. チャンバーと、
   前記チャンバーに連結された導入路を介し前記チャンバー内にガスを供給するガス供給手段と、
   前記チャンバー内に設けられ、前記チャンバー内を、前記被処理基板を収容する処理室と、前記導入路と接続された導入室と、に区画する仕切部材と、
   前記導入室内に設けられ、前記仕切部材上に配置された整流部材と、を備え、
   前記導入室は、前記導入路と接続された第１導入部と、前記第１導入部に対して前記整流部材を挟んで配置された第２導入部と、を有し、
   前記仕切部材の前記第２導入部に対応する部分に、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記仕切部材は前記貫通孔を形成された平板状部材を有し、
   前記平板状部材は、前記処理室内に収容された被処理基板と対向するように、配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記整流部材は前記導入路の開口端に対向して配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記仕切部材上に板状からなる複数の整流部材が周状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記整流部材は、通気孔を形成された筒状部材からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 第２導入部は、前記処理室内に収容される被処理基板の上方に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記整流部材は、前記処理室内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
8. 仕切部材によって、処理室と、ガスの導入路に接続された導入室と、に区画されたチャンバーの前記処理室内に被処理基板を配置する工程と、
   前記導入路から前記導入室を介し、被処理基板が配置された前記処理室内にガスを導入する工程と、を備え、
   前記ガスを導入する工程において、ガスは、前記導入室内の導入路に接続された第１導入部から、前記第１導入部に対し整流部材を挟んで配置された第２導入部を経由し、前記仕切部材の前記第２導入部に対応する部分に形成された貫通孔を通過して前記処理室内へ導入されることを特徴とする基板処理方法。

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