WO2007074607A1

WO2007074607A1 - 基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number: WO2007074607A1
Application number: PCT/JP2006/323986
Authority: WO
Inventors: Hiroshi Nagayasu
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2005-12-27
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2007-07-05
Also published as: JP2009064795A; TW200739707A

Description

基板処理装置および基板処理方法

技術分野

[0001] 本発明は、チャンバ一内にガスを導入して基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に係り、とりわけ、チャンバ一内に整流化されたガスの気流を形成して基板を良好に処理し得るようにした基板処理装置および基板処理方法に関する

背景技術

[0002] 半導体デバイスの製造にお!ヽては、半導体デバイスが形成される基板 (半導体ゥェハ等)の清浄度を高く維持しておく必要がある。そして、基板に対する種々の処理工程の前後で基板に対して洗浄処理および乾燥処理が行われ、基板上のパーテイクルを除去している。

[0003] このような洗浄および乾燥を行うための基板処理装置として、基板を略水平姿勢で保持し、基板を回転させながら基板に薬液を供給して薬液洗浄処理を行い、次に、基板を回転させながら基板に純水を供給して薬液の洗ヽ流し処理 (リンス処理または濯ぎ処理)を行う装置力知られている。このような基板処理装置は、パーティクルの流入を防止するためのチャンバ一を有しており、このチャンバ一内で基板が処理される。そして、各処理が行われている間、チャンバ一内において上方から下方へ向けた気流 (ダウンフロー）を作り出し、これによつて、雰囲気の置換や薬液の飛散を防止している。

[0004] ところで、基板処理装置のチャンバ一内にダウンフローを作り出すためのガスを導入するガス供給手段は、通常、チャンバ一外に設けられている。そして、基板処理装置、さらには基板処理装置を含む基板処理システムのスペース上の問題から、ガス供給手段に接続されたガス導入路はチャンバ一に横方向から連結し、ガスが導入路力もチャンバ一内に横方向へ向けて吹き出されるようになつている。そこで、チャンバ一内には整流板等が設けられ、この整流板等によってガスの流れを横方向から下方向に変化させ、チャンバ一内にガスのダウンフローが形成される。 [0005] し力しながら、このような基板処理装置の内部において、気流は乱れており、またガスは下方のみに向いて流れているわけではない。このため、例えば乾燥処理中に基板上力もパーティクルを、つたん除去することができたとしても、基板上から除去され舞い上がったパーティクルが再び基板上に落下し基板に再付着してしまう、といった不具合が生じ得る。

[0006] この点に関し、特開平 2— 114636号公報では、通気孔が粗密に形成されたダンパーと、ダンパーの下方に設けられたフィルターと、を設けてチャンバ一内を区分けし、整流化されたダウンフローをもたらす方法が開示されている。し力しながら、この方法では、基板を収容する処理槽の上方に 2つのスペースを設ける必要があり、実際には、スペース上の問題から実現が難しい。その一方で、スペースを小さくしてこの方法を採用すると、通気孔が密に形成された部分の下方におけるガスの流速と、通気孔が粗に形成された部分の下方におけるガスの流速と、が大きく異なってしまい、乱れが少なく整流化された一方向への気流 (ダウンフロー）を実現することができない。

[0007] また、基板処理装置の内部雰囲気を迅速に置換するという観点や、被処理基板に対してむらなく均一に処理を施すという観点等力すれば、洗浄処理中および乾燥処理中に限られず被処理基板に対する種々の処理中においても、基板処理装置の内部に整流化された一方向への気流 (好ましくはダウンフロー）が実現されていることが好ましい。

発明の開示

[0008] 本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、チャンバ一内において整流化した一方向への気流を実現することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

[0009] また、これにともなって、本発明は、チャンバ一内において整流化された一方向への気流を実現しながら基板を処理することができる基板処理方法を提供することを、さらに目的とする。

[0010] 本発明による基板処理装置は、チャンバ一と、前記チャンバ一に連結され前記チヤンバー内にガスを供給する導入路と、前記チャンバ一内に設けられ、前記チャンバ一内を、前記被処理基板を収容する処理室と、前記導入路と接続された導入室と、に区画する仕切部材と、前記導入室内に設けられ、前記仕切部材上に配置された整流部材と、を備え、前記導入室は、前記導入路と接続された第 1導入部と、前記第 1導入部に対して前記整流部材を挟んで配置された第 2導入部と、を有し、前記仕切部材の前記第 2導入部に対応する部分に、複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする。

[0011] 本発明による基板処理装置によれば、ガス供給手段カゝらチャンバ一の導入室内に供給されたガスは、整流部材によって流れを変化させられて導入室内の第 1導入部から第 2導入部へと流れ込む。その後、ガスは第 2導入部から仕切部材の貫通孔を通過して処理室内に流れ込む。これにより、処理室内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。

[0012] 本発明による基板処理装置において、前記仕切部材が前記貫通孔を形成された平板状部材を有し、前記平板状部材が、前記処理室内に収容される被処理基板と対向するように、配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、チャンバ一内において、被処理基板に向けた整流化された気流を形成することができる。

[0013] また、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が前記導入路の開口端に対向して配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によつて、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた流れを打ち消し、整流化された一方向への気流を形成することができる。

[0014] さらに、本発明による基板処理装置において、前記仕切部材上に板状力なる複数の整流部材が周状に配列されていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた流れを打ち消し、整流化された一方向への気流を形成することができる。

[0015] さらに、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が、通気孔を形成された筒状部材力なっていてもよい。このような基板処理装置によれば、整流部材によって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消し

、整流化された一方向への気流を形成することができる。

[0016] さらに、本発明による基板処理装置において、第 2導入部が、前記処理室内に収容される被処理基板の上方に配置されていてもよい。このような基板処理装置によれば、チャンバ一内において、被処理基板に向けた整流化されたダウンフローを形成することができる。

[0017] さらに、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が、前記処理室内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されてヽてもよヽ。このような基板処理装置によれば、チャンバ一内、とりわけチャンバ一内の被処理基板の周囲において、被処理基板に向けた整流化された気流を形成することができる。

[0018] さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理室内に配置され、前記処理室内に収容される被処理基板に IPAを供給するノズルを、さらに備えていてもよい。このような基板処理装置によれば、基板上に IPAを供給して乾燥処理を行うことができる。この場合、乾燥処理を迅速かつ確実に行うことができ、これにより、パーティクルの付着量が少なく清浄度の高!、被処理基板を得ることができるようになる。

[0019] 本発明による基板処理方法は、仕切部材によって、処理室と、ガスの導入路に接続された導入室と、に区画されたチャンバ一の前記処理室内に被処理基板を配置する工程と、前記導入路から前記導入室を介し、被処理基板が配置された前記処理室内にガスを導入する工程と、を備え、前記ガスを導入する工程において、ガスは、前記導入室内の導入路に接続された第 1導入部から、前記第 1導入部に対し前記整流部材を挟んで配置された第 2導入部を経由し、仕切部材の前記第 2導入部に対応する部分に形成された貫通孔を通過して前記処理室内へ導入されることを特徴とする。

[0020] 本発明による基板処理方法によれば、ガス供給手段カゝらチャンバ一の導入室内に供給されたガスは、整流部材によって流れを変化させられて導入室内の第 1導入部から第 2導入部へと流れ込む。その後、ガスは第 2導入部から仕切部材の貫通孔を通過して処理室内に流れ込む。これにより、処理室内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]図 1は、本発明による基板処理装置の一実施の形態を適用したウェハ処理システムの一例を示す概略上面図である。

[図 2]図 2は、図 1に示されたウェハ処理システムを示す概略側面図である。 [図 3]図 3は、本発明による基板処理装置の一実施の形態を示す断面図である。

[図 4]図 4は、図 3の IV— IVに沿った断面図である。

[図 5]図 5は、洗浄処理および乾燥処理に用いられる要素を示す概略構成図である。

[図 6]図 6は、図 4に対応する図であって、処理室内の気流を説明するための図である。

[図 7]図 7、図 6の VII— VII線に沿った断面図であり、導入室内の気流を説明するための図である。

[図 8]図 8は、乾燥処理を説明するための図である。

[図 9]図 9は、整流部材の変形例を示す図である。

発明を実施するための形態

[0022] 以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。

[0023] 以下の実施の形態において、本発明による基板処理装置を、略円板状の輪郭を有する半導体ウェハの薬液洗浄処理、濯ぎ処理 (リンス処理）、および乾燥処理を行うための洗浄ユニットとして用い、ウェハ処理システムに組み込んだ例を示している。し力しながら、当然に、本発明による基板処理装置は、このような適用に限定されるものではない。

[0024] 図 1乃至図 8は、本発明による基板処理装置 40の一実施の形態を示す図である。

このうち、まず、図 1および図 2を用いて基板処理装置 40が組み込まれたウェハ処理システム 10の全体的な構成および処理方法を説明する。なお、図 1はウェハ処理システム 10を示す概略上面図であり、図 2は図 1に対応する図であってウェハ処理システム 10を示す概略側面図である。

[0025] 図 1および図 2に示すように、ウェハ処理システム 10は、処理前および処理後のゥェハ Wが載置される載置部 10aと、ウェハ Wを洗浄する洗浄部 10cと、載置部 10aおよび洗浄部 10cの間におけるウェハ Wの受け渡しを担う搬送部 10bと、を含んでいる

[0026] 以下、各部について詳述していく。

[0027] まず、載置部 10aについて説明する。載置部 10aにおいて、ウェハ処理システム 10 は載置台 11を有している。載置台 11には、被処理ウェハを収容したキャリア Cが取り外し自在に取り付けられるようになって!/、る。

[0028] 図 1に示すように、本実施の形態においては、載置台 11に 3つのキャリア Cが載置されるようになつている。各キャリア Cは蓋体 13を有しており、蓋体 13を開くことによつて、その内部に被処理ウェハ Wを収納することができるようになつている。各キャリア C内には、複数例えば 25枚の被処理ウェハ Wが所定間隔を空けて保持されるようになっている。本実施の形態において、ウェハ Wは、表面（半導体デバイスを形成される処理面）が上面となるようにして、略水平姿勢でキャリア C内に収容されている。

[0029] 次に、搬送部 10bについて説明する。図 2に示すように、搬送部 10bは区画壁に覆われた空間を有している。そして、該空間内に、キャリア Cとの間、および後に説明する洗浄部 10cの受け渡しユニット 22との間で、ウェハ Wの受け渡しを行うウェハ搬送装置 20が設けられている。図 1に示すように、載置部 10aと搬送部 10bとの間に設けられた区画壁 15には、窓部（開口）が形成されており、また、該窓部を開閉するシャツター等力もなる窓部開閉機構 17が設けられている。また、上述したキャリア Cを載置台 11に取り付けた場合、キャリア Cの蓋体 13が窓部に対向するようになっている。なお、窓部開閉機構 17が、窓部を開閉する際に、キャリア Cの蓋体 13を同時に開閉することができるようになつていることが好ましい。ただし、キャリア Cの蓋体 13の開閉方法は、これに限られず、専用の開閉機構を別途設けてもよいし、あるいは、手動で開閉するようにしてもよぐ窓部開閉機構 17や窓部の構成に応じて適宜好適に設計することがでさる。

[0030] 図 1に示すように、ウェハ搬送装置 20は X方向および Y方向に移動可能であり、キャリア Cおよび後述の受け渡しユニット 22へアクセスすることができるようになって、る。また、図 2によく示されているように、ウェハ搬送装置 20はウェハを保持するためのウェハ保持アーム 21a, 21bを、高さ方向に間隔を空けて 2本有している。各ウェハ保持アーム 21a, 21bは、ー丫平面内（0方向）で回転可能、かつ Z方向へ移動可能であり、さらに独立して進退自在となっている。ウェハ搬送装置 20が移動するとともに、ウェハ保持アーム 21a, 21bが回転、昇降および進退することにより、ウェハ保持アーム 21a, 21bに保持されたウェハ Wをキャリア C内または受け渡しユニット 22内に運び入れること、あるいはキャリア C内または受け渡しユニット 22内力もウェハ保持ァーム 21a, 21b上へウェハ Wを運び出すことができる。

[0031] 次に、洗浄部 10cについて説明する。図 2に示すように、洗浄部 10cは区画壁に覆われた空間を有している。図 1に示すように、この区画壁に覆われた空間内において、ウェハ処理システム 10は、搬送部 10bに接続する受け渡しユニット (TRS) 22と、基板処理装置（ウェハ洗浄ユニット) 40と、洗浄部 10c内でウェハを搬送する主ウェハ搬送装置 26を有している。

[0032] 主ウェハ搬送装置 26は、 X方向および Y方向に移動可能であり、各ユニット 22, 40 へアクセスすることができるようになつている。また、図 2によく示されているように、主ウェハ搬送装置 26はウェハ Wを保持するためのウェハ保持アーム 26a, 26bを、高さ方向に間隔を空けて 2本有している。各ウェハ保持アーム 26a, 26bは、 X— Y平面内（ Θ方向）で回転可能、かつ Z方向へ移動可能であり、さらに独立して進退自在となっている。一方、各ユニット 22, 40には、それぞれウェハ Wを受け入れるための開閉自在な開口が設けられている。そして、この主ウェハ搬送装置 26が移動するとともに、ウェハ保持アーム 26a, 26bが回転、昇降および進退することにより、ウェハ保持アーム 26a, 26bに保持されたウェハ Wを各ユニット 22, 40内に運び入れること、あるいは各ユニット 22, 40内力、らウェハ保持アーム 26a, 26b上へウェハ Wを運び出すことができる。

[0033] 図 2に示すように、ウェハ処理システム 10は、上下二段に重ねて配置された 2つの受け渡しユニット 22a, 22bを有している。各受け渡しユニット 22a, 22bには、搬送部 10b側にも開閉自在な開口（図示せず）が設けられている。すなわち、受け渡しュ- ット 22のこの開口を介し、洗浄部 10cと搬送部 10bとが連通するようになる。

そして、この開口を介し、上述したように、ウェハ保持アーム 21a, 21bに保持されたウェハ Wを受け渡しユニット 22内に運び入れること、あるいは受け渡しユニット 22内力ウェハ保持アーム 21a, 21b上へウェハ Wを運び出すことができる。

[0034] また、本実施の形態においては、洗浄部 10cに、合計 8つの基板処理装置（ウェハ洗净ユニット) 40a〜40h力 X方向および Y方向に離間した 4箇所にそれぞれ上下 2

ヽる。

[0035] なお、以上の各装置等は、コンピュータを含む主制御システム 5 (図 1)に接続されており、主制御システム 5からの制御信号に基づ、て動作するようになって!/、る。

[0036] 次に、このようなウェハ処理システム 10におけるウェハ Wの全体的な処理方法について説明する。

[0037] まず、処理されるべきウェハ Wを例えば 25枚収納したキャリア Cが載置台 11に取り付けられる。次に、窓部開閉機構 17およびキャリア Cの蓋体 13が開かれる。このキヤリア Cに対してウェハ搬送装置 20が接近および進入し、ウェハ搬送装置 20の例えば下段のウェハ保持アーム 21bが、窓部を介し、キャリア C内から 1枚のウェハ Wを取り上げる。その後、該ウェハ保持アーム 21bが後退するとともに回転し、また、ウェハ搬送装置 20が移動することによって、キャリア Cから取り出されたウェハ W力例えば下段の受け渡しユニット 22bへと搬送される。

[0038] 次に、下段の受け渡しユニット 22b内に載置されたウェハ Wは、主ウェハ搬送装置 26によって受け取られ、いずれかの基板処理装置 40内へと持ち込まれる。この際、ウェハ Wは、例えば、主ウェハ搬送装置 26の下段のウェハ保持アーム 26bによって保持され、基板処理装置 40内へ持ち込まれる。

[0039] 基板処理装置 40内に持ち込まれたウェハ Wに対し、後に詳述するようにして洗浄処理および乾燥処理が施される。その後、洗浄処理および乾燥処理を受けたウェハ Wは、主ウェハ搬送装置 26によって受け取られ、受け渡しユット 22へと再度持ち込まれる。この場合、ウェハ Wは、例えば、主ウェハ搬送装置 26の上段のウェハ保持アーム 26aによって保持され、上段の受け渡しユニット 22aへと持ち込まれる。

[0040] その後、上段の受け渡しユニット 22a内に載置されたウェハ Wは、ウェハ搬送装置 20によって受け取られ、再びキャリア C内へと収納される。この場合、ウェハ Wは、例えば、ウェハ搬送装置 20の上段のウェハ保持アーム 21aによって保持される。このようにして、ウェハ処理システムにおける、一枚のウェハ Wに対する一連の処理が終了する。

[0041] 次に、本発明による基板処理装置（ウェハ洗浄ユニット) 40の一実施の形態について、主に図 3乃至図 8を用いて詳述する。なお、図 3は基板処理装置 40を上方力も示す断面図であり、図 4は図 3の IV— IV線に沿った断面図であり、図 5は洗浄処理および乾燥処理に用いられる配管類の概略構成を示す図であり、図 6は図 4に対応する図であって処理室内の気流を説明するための図であり、図 7は図 6の VII— VII線に沿った断面図であり導入室内の気流を説明するための図であり、図 8は乾燥処理を説明するための図である。

[0042] 上述したように、ウェハ処理システム 10には合計 8台の基板処理装置 40が配設されている。図 3に示すように、各基板処理装置 40は各装置を他の装置から区画する密閉構造の隔壁 (ユニットチャンバ一) 42をそれぞれ備えており、各隔壁 42には開口 42aと開口 42aを開閉するための隔壁メカシャッター 42bとが設けられている。各基板処理装置 40は対称に構成されていることを除けば略同一に構成されている。以下、図を用いて、基板処理装置 40の構成について詳述する。なお、図 4乃至図 8において、隔壁 42は省略されている。

[0043] 図 3および図 4に示すように、基板処理装置 40は、被処理ウェハ Wを収容する密閉構造のチャンバ一 50と、チャンバ一 50内に接続された導入管 52 (ガス導入路）と、導入管 52に連結されたガス供給手段 54と、チャンバ一 50内に設けられた仕切部材 60 と、仕切部材 60上に設けられた整流部材 66と、チャンバ一 50に隣接して設けられたアーム格納部 81と、を備えている。図 4に示すように、仕切部材 60によってチャンバ一 50内は、ウェハ Wを収容する処理室 44と、処理室 44の上方に設けられ、導入路 5 2と接続された導入室 46と、に区画されている（区分けされている）。図 3および図 4に示すように、処理室 44内には、ウエノ、 Wを略水平姿勢で保持し、保持したウェハ W を回転させる回転保持台 76が設けられている。

[0044] このうちまず、チャンバ一 50について説明する。チャンバ一 50は、略円筒状からなつている。チャンバ一 50には、チャンバ一 50内に運び入れる際およびチャンバ一 50 内から運び出す際にウェハ Wが通過するチャンバ一開口 50aが、隔壁 42の開口 42 aに対向して設けられている。さらに、チャンバ一 50には、チャンバ一開口 50aを開閉するためのチャンバ一メカシャッター 50bが設けられている。

[0045] 次に、処理室 44内の構成について説明する。

[0046] 図 4に示すように、処理室 44内に設けられた回転保持台 76は、円筒状力もなる回転筒体 77と、回転筒体 77の上方に設けられたチャック本体 78と、チャック本体 78に支持された保持部材 79と、回転筒体 77に連結部材 74を介して連結された駆動部材 75と、を有している。連結部材 74は、例えばベルトから構成され、駆動部材 75は、例えばモータ力も構成される。駆動部材 75は、連結部材 74を介して回転筒体 77を回転駆動するようになっている。図 3に示すように、チャック本体 78の上部であって回転筒体 77の回転軸を中心とした円周上に、 3つ保持部材 79が等間隔を空けて設けられている。この保持部材 79は、ウェハ Wを周縁から保持することができるようになっている。

[0047] ところで、図 4に示すようにチャンバ一 50内壁面には、回転保持台 76に保持されたウェハ W (図 4の二点鎖線)の横方向外方となる位置に、突起 57が形成されている。この突起 57は断面略三角形状を有し、また、上方外方から回転保持台 76に保持されたウェハ Wに向力傾斜面 57aを有している。同様に、チャンバ一 50のメカシャツター 50bにも、傾斜面 57aと略同形状力もなり傾斜面 50dを有するシャッター突起 50 cが形成されている。メカシャッター 50bが開口 50aを塞いている場合（すなわち、上昇した位置にある場合)、突起 57とシャッター突起 50cとが略同一高さに配置され（図 8)、さらに、突起 57の傾斜面 57aとシャッター突起 50cの傾斜面 50dとが、チャンバー 50の内輪郭に沿って略連続した周状の傾斜面を形成するようになっている。

[0048] さらに、図 4に示すように、チャンバ一 50内における回転保持台 76の外方には、筒状力もなるインナーカップ 58が設けられている。インナーカップ 58は、略円筒状からなる円筒状部 58aと、円筒状部 58aから内方に折れ曲がって延び上がる傾斜部 58b と、を有している。このインナーカップ 58は、図示しないインナーカップ駆動機構に連結され、インナーカップ駆動機構によって、上下方向に移動することができるようになつている。図 4に示すように、傾斜部 58bの傾斜角度は、突起 57の傾斜面 57aの傾斜角度およびシャッター突起 50cの傾斜面 50dの傾斜角度と略同一となっている。そして、インナーカップ 58が上限まで上昇した場合、傾斜部 58bは、突起 57の傾斜面 57aおよびシャッター突起 50cの傾斜面 50dに面接触しこれらを覆うようになって!/、るまた、図 4に示すように、チャンバ一 50内の下方には、インナーカップ 58の内側に第 1の排出口 91力設けられ、同様に、インナーカップ 58の外側に第 2の排出口 92が設けられている。 [0050] 次に、導入室 46の構成について説明する。

[0051] 本実施の形態において、図 7に示すように、チャンバ一 50内を導入室 46と処理室 4 4とに区分けする仕切部材 60は、略円板状力もなる平板状部材 61によって構成されている。図 4に示すように平板状部材 61は、処理室 44内の回転保持台 76上に保持されたウェハ Wと対向するよう、略水平にチャンバ一 50内に支持されている。

[0052] また、図 7に示すように、本実施の形態において、仕切部材 60上に、断面弧状輪郭を有する複数の板状部材 (弧状板部材) 67が配置され、これらの弧状板部材 67によつて整流部材 66が構成されている。図 7に示すように、複数の弧状板部材 67は、円周上に沿って配置されており、各弧状板部材 67間には隙間 68が形成されている。本実施の形態においては、弧状板部材 67が配置された円周の中心が、回転保持台 76に保持されたウェハ Wの中心と、言い換えると、回転保持台 76の回転中心と、上面視において（回転保持台 76に保持されたウェハ Wの板面と直交する方向力の視野において）一致するよう、各弧状部材 67が配置されている。各弧状板部材 67は、導入室 46内において、仕切部材 60からチャンバ一 50の上方内壁面まで、仕切部材 60に略直交して上下方向に延びて、る。

[0053] 図 7によく示されているように、整流部材 66によって、導入室 46内は、整流部材 66 の外方に配置された第 1導入部 (第 1スペース) 46aと、第 1導入部 46aに対して整流部材 66を挟んで内方に配置された第 2導入部 (第 1スペース) 46bと、に区画（区分け）されている。本実施の形態において、第 2導入部 46bは整流部材 66に囲まれており、上面視においてウェハ Wの輪郭と相似形状となる円形状の輪郭を有している。上述したように、円周上に配置された複数の整流部材 66の配置中心は回転保持台 76に保持されたウェハ Wの中心と一致するようになっている。すなわち、整流部材 6 6は、略円形状力もなるウエノ、 Wの輪郭に対応して配置されている。したがって、整流部材 66に囲まれた第 2導入部 46bは、回転保持台 76に保持されたウェハ Wの直上方に配置されている。

[0054] 第 1導入部 46aには導入管 52が接続されている。図 7および図 4に示すように、導入管 52は、チャンバ一 50近傍において、回転保持台 76の回転軸に直交するようにして、当該回転軸に向けて延び (言い換えると、第 2導入部 46aの中心に向けて延び )、チャンバ一 50に連結されている。そして、上面視における長さ（円周に沿った長さ )が最も長い弧状板部材 67は、導入管 52の開口端 52aに対向して、配置されている

[0055] 図 7に示されているように、本実施の形態においては、導入管 52のチャンバ一 50 近傍における中心線 Lを中心として、チャンバ一 50自体が対称な構成となっているのに対し、弧状板部材 67も中心線 Lを中心として対称な構成となっている。したがつて、導入管 52から導入室 46内に供給されるガスの流れは、この中心線 Lを中心として対称な流れとなる。また、図 7に示されているように、導入部 46の導入管 52に接続された側（図 7における紙面の左側）に比べ、導入部 46の導入管 52に接続されていな、側（図 7における紙面の右側）では、円周に沿った長さが短、弧状板部材 67が配置され、また、弧状板部材 67間の隙間 68が大きく（さらに詳しくは、隙間 68の円周に沿った長さが長く）なっている。さらに詳しくは、本実施の形態において、導入管 52 の導入室 46への接続位置力もガスの流路に沿って離間するにした力 ^、、各弧状板部材 67の上面視における長さ（円周に沿った長さ）は短くなつていく。また、本実施の形態においては、導入管 52の導入室 46への接続位置力もガスの流路に沿って離間するにしたがい、隣り合う二つの弧状板部材 67の間隔の上面視における長さ（円周に沿った長さ）は長くなつていく。

[0056] なお、以上のように複数の弧状板部材 67からなる整流部材 66の構成は、後述するように、導入管 52から第 1導入部 46aを介してガスが流れ込む第 2導入部 46b内における圧力を均一にすることを目的としている。そして、整流部材 66の構成は、説明した構成に限られるものではなぐ適宜好適に変更することができる。

[0057] 一方、図 7および図 4に示すように、第 2導入部 46bに対面する仕切部材 60には、多数の貫通孔 62が規則的に整列して形成されている。そして、第 2導入部 46bに流入したガスは、この貫通孔 62を通過して処理室 44内へと流入するようになって、る。図 7に示す例においては、図 7の紙面における上下方向および左右方向において等間隔で多数の貫通孔 62が配列されている。ただし、貫通孔 62の配列方法は、このような方法に限られず、例えば千鳥状に貫通孔 62を配列するようにしてもよい。また、図 7に示す例において、貫通孔 62は上面視略円形状の形状を有している力これに限られず、貫通孔 62が、例えば上面視四角形状等、他の形状を有するようにしてもよい。

[0058] ところで、上述したように、導入管 52はガス供給手段 54に連結されている。ガス供給手段 54はガスを導入管 52に供給し、導入管 52を介してチャンバ一 50内にガスを送り込むようになつている。なお、ガス供給手段 54から供給されるガスとしては、フィルターを通した空気や、窒素等の不活性ガスが選択され得り、好ましくは乾燥した窒素が選択され得る。

[0059] 次に、主に図 3、図 5、および図 8に示すように、アーム格納部 81について説明する

[0060] 図 3に示すように、チャンバ一 50のアーム格納部 81に面する位置にアーム用開口 81aと、このアーム用開口 81aを開閉するためのシャッター 81bが設けられている。アーム格納部 81には、ウェハ W上に液体を供給する、あるいは、ウェハ W上にガスを噴射するための液体吐出口を有するアーム 82が設けられている。アーム 82は、摇動シャフト 82aを中心として揺動可能となっており、アーム用開口 81aが開いている場合に、開放されたアーム用開口 81aから処理室 44内に揺動して入り込むことができるようになつている（図 8)。なお、アーム 82は、アーム 82の先端が回転保持台 76に保持されたウェハ Wの中心直上に配置されるまで、揺動することができるようになって!/ヽる。

[0061] 図 5に示すように、本実施の形態においては、アーム 82の先端に、第 1乃至第 3のノズノレ 83a, 83b, 83c力 ^設けられている。また、アーム 82内には、第 1ノス、ノレ 83aに接続された第 1配管 84aと、第 2ノズル 83bに接続された第 2配管 84bと、第 3ノズル 8 3cに接続された第 3配管 84cと、が設けられている。

[0062] また、第 1配管 84aは第 1弁 88aを介して薬液を供給する薬液源 86aに接続され、第 2配管 84bは第 2弁 88bを介して純水（DIW： deionized water)を供給する純水源 8 6bに接続され、第 3配管 84cは第 3弁 88cを介して IPA (イソプロピルアルコール）を供給する IPA源 86cに接続されている。ここで、薬液源 86aに蓄えられる薬液として例えば HFZH O混合液を採用することができる。

2

[0063] なお、本実施の形態にぉ、て、第 1乃至第 3ノズルとして流体ノズルが用いられてヽる。また、第 1乃至第 3弁、および図示しないアーム 82の揺動駆動機構は洗浄乾燥系制御器 89に接続され、この洗浄乾燥系制御器 89によって制御されるようになっている。なお、洗浄乾燥系制御器 89は上述した主制御システム 5の一部をなしている。

[0064] ただし、このようなアーム 82およびアーム 82に関連する各構成要素の構成は例示に過ぎず、要求される洗浄処理および乾燥処理に応じて、適宜好適に変更することができる。

[0065] なお、基板処理装置 40の以上の各装置等は、コンピュータを含む主制御システム 5 (図1)に接続されており、主制御システム 5からの制御信号に基づいて動作するようになっている。

[0066] 次に、以上のような構成力なる基板処理装置 40を用いたウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理にっ、て説明する。

[0067] まず、隔壁メカシャッター 42bおよびメカシャッター 50bが開き、上述した主ウェハ搬送装置 26の下段ウェハ保持アーム 26bに保持されたウェハ Wが処理室 44内に持ち込まれる。図 4に示すように、このときウェハ Wは表面が上方を向くようにして、略水平姿勢で保持されている。処理室 44内に持ち込まれたウエノ、 Wは、回転保持台 76のチャック本体 78に載置され、保持部材 79によって縁部から保持される。その後、下段ウェハ保持アーム 26bが後退し、隔壁メカシャッター 42bおよびメカシャッター 50b が上昇して、隔壁開口 42aおよびチャンバ一開口 50aが閉鎖される。このようにして、密閉された隔壁 42内の密閉されたチャンバ一 50内に、処理されるべき表面が上方を向くようして、ウェハ Wは略水平姿勢で収納保持される。なお、隔壁メカシャッター 42bおよびメカシャッター 50bの上昇後または上昇中、インナーカップ 58も上昇した位置へと移動する（図 6)。

[0068] ここで、ガス供給手段 54から、例えば窒素等のガスが導入管 52へ供給され始めるこのとき、図 7に示すように、ガス供給手段 54から供給されたガスは、導入管 52を経由して、まず、チャンバ一 50内の導入室 46へ送り込まれる。上述したように、導入室 46には、導入管 52の開口端 52aに対面するようにして仕切部材 66をなす弧状板部材 67が設けられている。したがって、図 7に示すように、導入室 46の第 1導入部 46a へと送り込まれたガスは、この弧状板部材 67に衝突して、弧状板部材 67の両側（図 7の紙面における上側および下側）へ分かれて流れるようになる。すなわち、導入路 5 4の構成に起因した特定方向へ向けた局部的な流れが打ち消される。

[0069] また、上述したように、導入管 52のチャンバ一 50近傍における中心線 Lを中心として導入室 46内は対称な構造となっている（図 7)。このため、二手に分かれたガスは、中心 Lを中心として対称な気流を形成しながら、弧状板部材 67とチャンバ一 50壁面との間を流れ、最終的に、導入管 52の開口端 52aから最も離れた位置で衝突する。

[0070] このような第 1導入部 46a内におけるガスの流れにより、第 1導入部 46a内の圧力が上昇し、第 1導入部 46a内のガスは弧状板部材 67間に形成された隙間 68から第 2導入部 46b内へ流れ込む。このとき、連続的にガスが供給される第 1導入部 46a内の導入管 52へ接続されている側において圧力が高くなり、第 1導入部 46a内の接続部から離れた側では圧力が低くなる。ところ力本実施の形態によれば、図 7に示されているように、導入部 46の導入管 52に接続された側（図 7における紙面の左側）に比べ、導入部 46の導入管 52に接続されてヽな、側（図 7における紙面の右側）で、弧状板部材 67間の隙間が大きく（さらに詳しくは、隙間の円周に沿った長さが長く）なっている。

つまり、導入部 46の導入管 52に接続された側に比べ、導入部 46の導入管 52に接続されていない側で、第 1導入部 46aから第 2導入部 46b内へガスが流れ込みやすくなっている。このため、第 2導入部 46b内へ整流されて略均一にガスが流れ込むとともに、第 2導入部 46b内における圧力が略均一となる。

[0071] 次に、第 2導入部 46b内に流れ込んだガスは、第 2導入部 46b内における圧力の増加にともない、仕切部材 60に形成された貫通孔 62を通過して処理室 44内に流れ込む。上述したように、貫通孔 62は規則的に整列配置されており、また、第 2導入部 46 bは回転保持台 76に保持されたウェハ Wの直上に配置されている。したがって、図 6 に示すように、処理室 44内に吹き込まれるガスの気流は、ウェハ Wに向けて整流化された均一なダウンフローとなる。

[0072] また、図 6に示すように、ウェハ W上に吹き込まれたガスは、その後、ウェハ Wの外方に流れ、インナーカップ 58の傾斜部 58aに案内されてチャンバ一 50の下方に流れ込み、インナーカップ 58の内側に設けられた第 1の排出口 91 (図 4)力排出される。

なお、インナーカップ 58の下降時においては、ウェハ Wの外方に流れたガスは、チヤンバー 50内壁に形成された突起 57の傾斜面 57aおよびメカシャッター 50bの傾斜面 50dに案内され、第 2の排出口 92 (図 4)力も排出される。

[0073] このようにチャンバ一 50内に整流化されたダウンフローが形成された状態で、シャッター 81bが開き、アーム 82が洗浄乾燥系制御器 89によって揺動駆動され、開放されたアーム用開口 81aから処理室 44内に入り込む（図 8)。以降、洗浄処理および乾燥処理がウェハ Wに対して施される力本実施の形態において、洗浄処理および乾燥処理は 3段階のステップ（工程)で行われる。なお、各ステップ中、ガス供給手段 54 力もはガスが供給され続け、これにともない処理室 44内に、整流化されたダウンフロ一が作り出され続けている。

[0074] まず、第 1ステップとして薬液洗浄処理が行われる。このステップにお、ては、薬液源 86aに接続された第 1ノズル 83aが回転保持台 79に保持されたウェハ Wの略中心の直上に配置されるよう、アーム 82が揺動させられる。また、この動作にあわせて、駆動部材 75が連結部材 74を介して回転筒体 77を回転駆動し、ウェハ Wが回転させられる。この状態で、洗浄乾燥系制御器 89が第 1弁 88aを開き、この結果、第 1ノズル 8 3aからウェハ Wの中心付近に薬液 (例えば HFZH O混合液）が供給される。供給さ

2

れた薬液はウェハ wの回転によってウェハ W中心から外方へと流れ、ウェハ Wの表面が全体的に薬液洗浄される。とりわけ、本実施の形態によれば、ウエノ、 Wに向けた整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウェハ W上においては、ゥェハ Wの中心力外方に向けた整流化された気流が形成される（図 6参照)。したがつて、この気流により、薬液がウェハ Wの全表面に行き渡り、ウェハ W全体を均一にむらなく薬液洗浄することができる。

[0075] このような第 1ステップにおける薬液の吐出は、洗浄乾燥系制御器 89が第 1弁 88a を閉じることにより終了し、その後、第 2ステップへと移行する。

なお、上述したように、この第 1ステップ中、処理室 44内には、薬液の吐出方向と同一方向に流れる整流化されたダウンフローが形成されている。したがって、第 1ノズル 83aから吐出される薬液がウェハ W内に衝突して飛散することが防止される。これにより、薬液はインナーカップ 58の傾斜部 58aに案内され、チャンバ一 50の下方であつてインナーカップ 58の内側に設けられた第 1の排出口 91から排出される。なお、排出口 91から回収された薬液は、適切な処理を施した後、薬液源 86aに再貯留することがでさる。

[0076] また、 HF/H O混合液等の薬液を使用した場合、ウェハ Wに対して次の処理を行

2

う前に、チャンバ一 50内の薬液雰囲気を置換しておく必要がある。本実施の形態によれば、チャンバ一 50内に整流化されたダウンフローが形成されているため、雰囲気の置換を迅速かつ確実に行うことができる。

[0077] 次に、リンス処理を施す第 2ステップについて説明する。このステップにおいては、純水源 86bに接続された第 2ノズル 83bが回転保持台 79に保持されたウェハ Wの略中心の直上に配置されるよう、アーム 82が配置される。また、ウェハ Wも、第 1ステツプと同様に、回転させられたままとなっている。一方、インナーカップ 58が第 2ステツプの開始時に降下し、第 1ステップにおける薬液の流路となっていた部分は、図 8に示すように、インナーカップ 58と回転保持台 79のチャック本体 78との間で閉じられる

[0078] このような状態で、洗浄乾燥系制御器 89が第 2弁 88bを開き、この結果、第 2ノズル 83bからウェハ Wの中心付近に純水（DIW)が供給される。供給された純水はウェハ Wの回転（さらに詳しくは、ウェハ Wの回転に起因する遠心力）によってウェハ W中心から外方へと流れ、ウェハ Wの表面全体にリンス処理、すなわち薬液の濯ぎ処理が施される。とりわけ本実施の形態によれば、上述のように、純水の吐出方向と同一方向に向けて流れる整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウェハ W 上においては、ウェハ Wの中心力外方に向けた整流化された気流が形成される。したがって、この気流により、ウェハ W全体を均一にむらなぐかつ迅速にリンス処理することができる。

[0079] このような第 2ステップにおける純水の吐出は、洗浄乾燥系制御器 89が第 2弁 88b を閉じることによって終了し、その後、第 3ステップへと移行する。

[0080] なお、上述したように、この第 2ステップ中、処理室 44内には整流化されたダウンフローが形成されている。したがって、第 1ノズル 83aから吐出される純水や、それまでウエノ、 W上に存在していた薬液がウェハ W内に衝突して飛散することが防止される。これにより、リンス処理に用いられた純水は、チャンバ一 50内壁に形成された突起 57 の傾斜面 57aおよびメカシャッター 50bの傾斜面 50dに案内され、チャンバ一 50の下方であってインナーカップ 58の外側に設けられた第 2の排出口 92から排出される

[0081] 次に、図 8に示す、ウェハ W上に IPAを供給して純水と置換し、乾燥する第 3ステツプについて説明する。このステップは、 IPA源 86cに接続された第 3ノズル 83cがゥェハ Wの中心の略直上に配置された状態から開始される。また、第 3ステップ中、第 2ステツプと同様に、インナーカップ 58は降下した位置にあり（図 8)、ウェハ Wは回転している。

[0082] 第 3ステップにお、て、洗浄乾燥系制御器 89が第 3弁 88cを開く。そして、第 3ノズル 83cからウェハ Wの中心付近に IPAが吐出されている状態で、アーム 82がー方の方向（本実施の形態においては、図 3における時計回り方向）に揺動し始める。すなわち、ウェハ Wの中心付近の直上にあった第 3ノズル 83cは、ウェハ Wと一定の間隔を保ちながら、ウエノ、 Wの周縁に向けて移動する。このようなアーム 82の動作、第 3ノズル 83cからの IPAの吐出、およびウェハ Wの回転により、第 2ステップでウェハ W上に吐出された純水はウェハ Wの外方に移動し、替わりに IPAがウェハ Wの表面を占めていくようになる。

[0083] このような動作により、純水がより表面張力の低い IPAによって置換され、ウェハ W の全表面上から純水が除去される。このとき、 IPAの一部も純水とともにウェハ W上から外方に飛散し、チャンバ一 50内壁に形成された突起 57の傾斜面 57aおよびメカシャッター 50bの傾斜面 50d〖こ案内され、チャンバ一 50の下方であってインナーカップ 58の外側に設けられた第 2の排出口 92から排出される。

[0084] 上述のように、本実施の形態によれば、 IPAの吐出方向と同一方向に向けて流れる整流化された略均一なダウンフローが形成されており、ウェハ W上においては、ゥエノ、 Wの中心力外方に向けた整流化された気流が形成される。したがって、この気流により、純水から IPAへの置換を均一にむらなぐかつ迅速に行うことができる。 [0085] このような第 3ステップにおける IPAの吐出は、所定時間継続した後、洗浄乾燥系制御器 89が第 3弁 88cを閉じることによって終了する。なお、 IPAの吐出が終了すると、アーム 82は揺動し、アーム用開口 81aを経由して処理室 44を力退出する。ァーム 82が処理室 44外に位置するようになると、シャッター 81bが閉じ、アーム用開口 81aが閉鎖状態となる。

[0086] 以上のようにして、 3段階のステップ力なる洗浄処理および乾燥処理が終了する。

洗浄処理および乾燥処理が終了すると、回転筒体 77の回転が停止し、ウェハ Wが回転保持台 79上に静止した状態で保持されるようになる。その後、隔壁メカシャツタ一 42bおよびメカシャッター 50bが開き、主ウェハ搬送装置 26の上段ウェハ保持ァーム 26aが処理室 44内に進入してくる。上段ウェハ保持アーム 26aは、回転保持台 76のチャック本体 78上に載置された洗浄乾燥済のウェハ Wを保持し、処理室 44内から退室する。好ましくは、この後すぐ、主ウェハ搬送装置 26の下段ウェハ保持ァーム 26bが次に処理すべきウェハ Wを回転保持台 76上に載置する。そして、ウェハ保持アームが処理室 44内力も退出した後、隔壁メカシャッター 42bおよびメカシャツタ一 50bが閉じて、チャンバ一 50内、さらには隔壁 42内が密閉された状態となる。その後、連続して次のウェハ Wに対して洗浄処理および乾燥処理する場合には、ここでインナーカップ 58が上昇し、上述した第 1乃至第 4ステップが順に実行されていく。

[0087] 以上のように本実施の形態によれば、基板処理装置 10は、ウェハ Wを収容する処理室 44と導入管 52に接続された導入室 46とにチャンバ一 50内を区画する仕切部材 60と、導入室 46内の仕切部材 60上に設けられた整流部材 66と、を備えており、導入室 46が、導入管 52と接続された第 1導入部 46aと、第 1導入部 46aに対して整流部材 66を挟んで配置された第 2導入部 46bと、を有している。このため、ガス供給手段 54からチャンバ一 50の導入室 46内に供給されたガスは、整流部材 66によって流れを変化させられて導入室 46内の第 1導入部 46aから第 2導入部 46bへと流れ込み、第 2導入部 46a内の圧力は略均一となる。そして、内部の圧力が略均一となっている第 2導入部 46bから仕切部材 60の貫通孔 62を通過し、ガスが処理室 46内に流れ込む。したがって、処理室 46内へ流れ込む気流を、整流化された一方向への気流とすることができる。このように処理室 46内に整流化された一方向への気流を作り出すことができる基板処理装置 10は、雰囲気置換を迅速に行うことができる点や、被処理基板の表面全域に対してむらなく均一な処理を施すことができる点等において

、被処理基板に対して種々の処理を行う上で非常に有用である。とりわけ、ウェハ W の洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例にぉヽては、各ノズル 83a〜83cから吐出された液体が処理室 44内に飛散してしまうことを抑制することができる。また、処理室 46内における気流の乱れが格段に抑制されるので、ウェハ Wに付着したパ一ティクルをより確実に安定して除去することができる。さらに、ウェハ Wから除去されたパーティクルがウェハ W上方に舞い上がるとともに、ウェハ Wに再付着してしまうことを抑制することができる。また、回転中のウェハ W上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を抑制することができる。

[0088] また、本実施の形態によれば、仕切部材 60は貫通孔 62を形成された平板状部材 6 1からなり、平板状部材 61は、処理室 44内に収容された被処理基板と対向するように、配置されている。したがって、チャンバ一 40内において、被処理基板に向けた整流化された気流を作り出すことができ、さらに、処理室 44内に配置された被処理基板上において、ウェハ Wの中心力外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。これにより、ウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウェハ Wからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウェハ Wへパーティクルが再付着することをより抑制することができる。また、ウェハ W上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑帘 Uすることができる。

[0089] さらに、本実施の形態によれば、整流部材 66は、チャンバ一 50への連結部となる導入管 52の開口端 52aに対向して配置されている。したがって、整流部材 66によつて、導入管 52の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消すことができ、これにより、気流の乱れを抑制し、より安定して処理室 44内に整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例にぉ、ては、ウエノ、 Wの洗浄処理および乾燥処理をむらなく均一かつ迅速に行うことができる。

[0090] さらに本実施の形態によれば、仕切部材 60上に板状力なる複数の整流部材 66 が周状に配置されている。したがって、導入路の構成に起因したガスの特定方向へ向けた局部的な流れを打ち消すことができ、これにより、気流の乱れを抑制し、より安定して処理室 44内に整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウェハ W の洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例にぉ、ては、ウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理をむらなく均一かつ迅速に行うことができる。

[0091] さらに、本実施の形態によれば、第 2導入部 46bは、処理室 44内に収容された被処理基板の上方に配置されている。したがって、チャンバ一 44内において、被処理基板に向けた整流化されたダウンフローを処理室 44内に作り出すことができ、さらに、処理室 44内に配置された被処理基板上において、ウェハ Wの中心から外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ウェハ Wに向けて吐出される液体等の飛散を防止することができる。また、ウエノ、 Wからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウェハ Wへパーティクルが再付着することをより確実に抑制することができる。さらに、ウェハ W上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑制することができる。

[0092] さらに、本実施の形態によれば、整流部材 66は、処理室 44内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されて、る。被処理基板に向けて整流化された気流を処理室 44内に作り出すことができ、さらに、処理室 44内に配置された被処理基板上において、ウエノ、 Wの中心力外方に向けた整流化された気流を作り出すことができる。とりわけ、ウエノ、 Wの洗浄処理および乾燥処理用に構成された本例においては、ゥエノ、 Wに向けて吐出される液体等の飛散を防止することができる。また、ウエノ、 Wからのパーティクルの除去をより促進することができるとともに、ウェハ Wへパーティクルが再付着することをより確実に抑制することができる。さらに、ウェハ W上の液体をより確実に除去することができ、これにより、ウォーターマークの発生を格段に抑制することがでさる。

[0093] なお、上述した実施の形態に関し種々の変更が可能である。例えば、上述した実施の形態においては、複数の弧状板部材 67が円周上に沿って並べられて整流部材 66が構成されている例を示した力これに限られない。例えば、図 9に示すような通気孔 96が形成された筒状部材 95からなる整流部材 94を、図 1乃至図 8に示す基板処理装置 40に適用してもよい。なお、このような整流部材 94を用いる場合、筒状部材 95の導入管 52の開口端 52aに対向する部分に、通気孔 96が形成されていないことが好ましい。また、筒状部材 95の導入管 52に接続されている側 (導入管 52に対面する側）から接続されていない側に向力につれて、通気孔 96の配置ピッチが短くなる、あるいは通気孔 96の大きさが大きくなつていくことが好ましい。このようにすれば、第 1導入部 46aから第 2導入部 46bへと流れ込むガスの量を、筒状部材 95の導入管 52に接続されて、る側と接続されて!、な、側とで略均一にすることができる。これにより、第 2導入部 46b内の圧力分布を略均一にすることができ、第 2導入部 46から処理室 44内に吹き込むガスの気流を一方向に向けた整流化された流れとすることができる。

[0094] また、同様に仕切部材 60の構成も種々変更することができる。例えば、上述したように、仕切部材 60の厚さを変更してもよいし、また仕切部材 60を平板状部材以外の部材によって構成するようにしてもょ、。

[0095] さらに、洗浄処理および乾燥処理において、純水を IPAに置換して乾燥する例を示したが、これに限られない。ウェハ W上に供給された純水のウェハ Wに対する表面張力が十分低ければ、純水を IPAに置換することなくウェハ Wを乾燥することもできる。

[0096] ところで、上述のように、基板処理装置 40は、コンピュータを含む主制御システム 5 によって制御され、制御信号からの信号に基づ!、て被処理基板に対して処理を実施するようになつている。そして、基板処理装置 40を制御して基板処理装置 40に被処理基板の処理を実施させるために、主制御システム 5のコンピュータによって実行されるプログラムも本件の対象である。また、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 6も、本件の対象である。ここで、記録媒体 6とは、フレキシブルディスク (フロッピーディスク (登録商標）を含む)等の単体として認識することができるものの他、各種信号を伝搬させるネットワークも含む。

[0097] なお、以上の説明におヽては、本発明による基板処理装置を、ウェハ Wの洗浄処理および乾燥処理を行うための装置に適用した例を示している力そもそもこれに限られず、 LCD基板や CD基板の洗浄処理および乾燥処理に適用してもよぐさらには洗浄処理や乾燥処理以外の種々の処理を行うための装置に適用することもできる。

Claims

請求の範囲

[1] チャンバ一と、

前記チャンバ一に連結され、前記チャンバ一内にガスを供給する導入路と、前記チャンバ一内に設けられ、前記チャンバ一内を、前記被処理基板を収容する処理室と、前記導入路と接続された導入室と、に区画する仕切部材と、

前記導入室内に設けられ、前記仕切部材上に配置された整流部材と、を備え、前記導入室は、前記導入路と接続された第 1導入部と、前記第 1導入部に対して前記整流部材を挟んで配置された第 2導入部と、を有し、

前記仕切部材の前記第 2導入部に対応する部分に、複数の貫通孔が形成されて Vヽることを特徴とする基板処理装置。

[2] 前記仕切部材は前記貫通孔を形成された平板状部材を有し、

前記平板状部材は、前記処理室内に収容される被処理基板と対向するように、配置されて!ヽることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。

[3] 前記整流部材は前記導入路の開口端に対向して配列されていることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。

[4] 前記仕切部材上に板状力なる複数の整流部材が周状に配置されていることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。

[5] 前記整流部材は、通気孔を形成された筒状部材力なることを特徴とする請求項 1 に記載の基板処理装置。

[6] 第 2導入部は、前記処理室内に収容される被処理基板の上方に配置されていることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。

[7] 前記整流部材は、前記処理室内に収容された被処理基板の輪郭に対応して配置されてヽることを特徴とする請求項 6に記載の基板処理装置。

[8] 仕切部材によって、処理室と、ガスの導入路に接続された導入室と、に区画されたチャンバ一の前記処理室内に被処理基板を配置する工程と、

前記導入路から前記導入室を介し、被処理基板が配置された前記処理室内にガスを導入する工程と、を備え、

前記ガスを導入する工程において、ガスは、前記導入室内の導入路に接続された第 1導入部から、前記第 1導入部に対し整流部材を挟んで配置された第 2導入部を経由し、前記仕切部材の前記第 2導入部に対応する部分に形成された貫通孔を通過して前記処理室内へ導入されることを特徴とする基板処理方法。