CN107112231A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107112231A
CN107112231A CN201680005590.4A CN201680005590A CN107112231A CN 107112231 A CN107112231 A CN 107112231A CN 201680005590 A CN201680005590 A CN 201680005590A CN 107112231 A CN107112231 A CN 107112231A
Authority
CN
China
Prior art keywords
exhaust outlet
mentioned
cup
room
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680005590.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107112231B (zh
Inventor
中井仁司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN107112231A publication Critical patent/CN107112231A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107112231B publication Critical patent/CN107112231B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0229Suction chambers for aspirating the sprayed liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

在基板处理装置(1)中,杯部(4)沿上下方向移动,杯排气口(即,第一杯排气口(421)及第二杯排气口(422)中的一个杯排气口)有选择地与第一室排气口(631)或第二室排气口(632)重叠。在杯排气口与第一室排气口(631)重叠的状态下,利用第一排气机构(951)使杯部(4)内的气体经由杯排气口及第一室排气口(631)向室(6)外排出。另外,在杯排气口与第二室排气口(632)重叠的状态下,利用第二排气机构(952)使杯部(4)内的气体经由杯排气口及第二室排气口(632)向室(6)外排出。这样,能够使从杯部(4)进行排气的排气机构在第一排气机构(951)及第二排气机构(952)之间容易进行切换。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理装置。
背景技术
一直以来,在半导体基板(以下简称为“基板”。)的制造工序中,利用向旋转的基板供给处理液来进行各种处理的基板处理装置。在这样的基板处理装置中,接收借助离心力从基板飞散的处理液等的杯部设置在基板的周围。
例如,在日本特开2010-10251号公报(文献1)的抗蚀剂涂覆处理装置中,排气口设置在处理杯的底部。处理杯具有从基板的周围向径向外侧扩展的檐部。基板上方的气体从处理杯的檐部的内周缘和基板之间的间隙流入处理杯内,经由排气口向处理杯外排出。在檐部的外周部设置有多个通气孔,在檐部的上方设置有从上方覆盖多个通气孔来进行封闭的开闭机构。在基板上生成抗蚀剂膜时,使该开闭机构上升而从檐部分离,由此开放多个通气孔。因此,基板上方的气体从处理杯的檐部的内周缘和基板之间的间隙及多个通气孔流入处理杯内。由此,控制基板的外周缘部附近的气流,从而能够抑制抗蚀剂液在基板的外周缘部上升的现象。
在日本特开2010-10555号公报(文献2)的基板的处理装置中,由从杯体的底部向上方扩展的圆筒状的可动分隔体,杯体的内部空间被分隔成内周空间部和外周空间部。在可动分隔体形成有开口,在该开口设置有气体通过但阻止液体通过的材料(例如,由布料或多孔质材料形成的通气性构件)。向基板供给纯水的情况下,可动分隔体下降并位于比基板靠近下方的位置,纯水下落到外周空间部。外周空间部的底部经由气液分离器与排气鼓风机连接,下落到外周空间部的纯水及外周空间部的环境气体经由气液分离器向杯体的外部排出。向基板供给药液的情况下,可动分隔体上升并位于基板的周围,药液下落到内周空间部。另外,内周空间部的环境气体经由可动分隔体的上述开口向外周空间部被吸引,经由气液分离器向杯体的外部排出。
在日本特开2012-146835号公报(文献3)的晶片清洗装置中,排气口和排液口设置在旋转杯的底部附近。在该晶片清洗装置中,对设置在旋转杯的底部附近的排气口和在比旋转杯及基板靠近上方的位置设置于室的侧面的排气口进行切换。具体地,设置有开闭设置于室的侧面的排气口的挡板,该挡板与旋转杯的升降联动地升降。另外,在搬入搬出基板时,旋转杯下降,设置于旋转杯的底部附近的排气口被封闭,设置于室的侧面的排气口被开放。另外,对基板进行液处理时,旋转杯上升,设置于旋转杯的底部附近的排气口被开放,设置于室的侧面的排气口被封闭。由此,室的内压保持为大致恒定。
但是,在文献1至文献3的装置中,即使用于对基板进行处理的处理液的种类不同,排出处理杯内的环境气体的排气口还是同一个排气口。因此,在与排气口连接的配管等的内部,被吸引的处理液的环境气体与残留在配管内等的其他处理液的环境气体混合,从而可能产生不期望的化学反应。在文献2的处理装置中,如上所述,气液分离器设置于杯体的外部,因此有可能导致处理装置变大。另外,在如上所述的基板处理装置中,被要求调节来自排气口的排气流量的情况下,将调节排气流量的机构设置在排气管上,因此可能导致装置结构复杂并且装置变大。
发明内容
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置,其目的在于,能够容易对排气机构进行切换。
本发明的一种处理基板的基板处理装置,其中,包括:基板保持部,其将基板保持为水平状态;处理液供给部,其向上述基板上供给处理液;杯部,上述杯部呈以沿上下方向的中心轴为中心的环状,接受来自上述基板的处理液;室,其在内部容纳有上述基板保持部及上述杯部;杯升降机构,其使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动;以及控制部,其利用上述杯升降机构使上述杯部相对移动,确定上述杯部相对上述基板保持部的相对位置;上述杯部包括:圆环状的杯底部;筒状的杯内侧壁部,其从上述杯底部的内周部向上方扩展;以及筒状的杯外侧壁部,其从上述杯底部的外周部向上方扩展;在上述杯内侧壁部或上述杯外侧壁部设置有杯排气口;在上述杯内侧壁部的内侧设置有第一室排气口及第二室排气口,上述第一室排气口及第二室排气口与上述杯内侧壁部相对,或者在上述杯外侧壁部的外侧设置有第一室排气口及第二室排气口,上述第一室排气口及第二室排气口与上述杯外侧壁部相对;通过上述控制部控制上述杯升降机构,上述杯排气口有选择地与上述第一室排气口或上述第二室排气口重叠;在上述杯排气口与上述第一室排气口重叠的状态下,利用与上述第一室排气口连接的第一排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述第一室排气口向上述室外排出;在上述杯排气口与上述第二室排气口重叠的状态下,利用与上述第二室排气口连接的第二排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述第二室排气口向上述室外排出。根据该基板处理装置,能够容易对排气机构进行切换。
在本发明的一优选实施方式中,上述第二室排气口在周向上位于与上述第一室排气口不同的位置;上述杯排气口包括:第一杯排气口,在周向上位于与上述第一室排气口相同的位置;以及第二杯排气口,在周向上位于与上述第二室排气口相同的位置。
本发明的另一处理基板的基板处理装置,其中,包括:基板保持部,将基板保持为水平状态;处理液供给部,向上述基板上供给处理液;杯部,上述杯部呈以沿上下方向的中心轴为中心的环状,接受来自上述基板的处理液;室,在内部容纳有上述基板保持部以及上述杯部;杯升降机构,使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动;以及控制部,利用上述杯升降机构使上述杯部相对移动,确定上述杯部相对上述基板保持部的相对位置;上述杯部包括:圆环状的杯底部;筒状的杯内侧壁部,从上述杯底部的内周部向上方扩展;以及筒状的杯外侧壁部,从上述杯底部的外周部向上方扩展;在上述杯内侧壁部或上述杯外侧壁部设置有杯排气口;在上述杯内侧壁部的内侧设置有室排气口,上述室排气口与上述杯内侧壁部相对,或者在上述杯外侧壁部的外侧设置有室排气口,上述室排气口与上述杯外侧壁部相对;在上述杯排气口与上述室排气口重叠的状态下,利用与上述室排气口连接的排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述室排气口向上述室外排出;通过上述杯升降机构被上述控制部控制,上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积变更,从而变更利用上述排气机构从上述室排出的排气流量。
在本发明的一优选实施方式中,上述室排气口包括:大室排气口;以及小室排气口,与上述大室排气口一起沿上述上下方向排列;上述小室排气口的截面积小于上述大室排气口的截面积;上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是指使上述杯排气口有选择地与上述大室排气口或上述小室排气口重叠。
在本发明的另一优选实施方式中,上述杯排气口包括:大杯排气口;以及小杯排气口,与上述大杯排气口一起沿上述上下方向排列;上述小杯排气口的截面积小于上述大杯排气口的截面积;上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是指有选择地使上述大杯排气口或上述小杯排气口与上述室排气口重叠。
在本发明的另一优选实施方式中,上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是通过维持上述杯排气口和上述室排气口的重叠并且使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动来实现的。
在本发明的另一优选实施方式中,上述杯排气口设置于上述杯内侧壁部。
在本发明的另一优选实施方式中,上述基板保持部具有以上述中心轴为中心的圆板状的保持部主体,上述杯部具有从上述杯外侧壁部的上端部向内侧扩展的圆环状的杯檐部,搬入搬出基板时,上述杯升降机构被上述控制部控制,上述保持部主体在上述上下方向上与上述杯檐部的内周部相同的位置位于与上述杯檐部的上述内周部接近的位置。
在本发明的另一优选实施方式中,上述杯部还具有筒状的杯中间壁部,上述筒状的杯中间壁部在上述杯内侧壁部和上述杯外侧壁部之间从上述杯底部向上方扩展;在上述杯底部设置有:第一杯排液口,位于比上述分隔壁靠近内侧的位置;以及第二杯排液口,位于比上述分隔壁靠近外侧的位置;上述第一杯排液口经由设置于上述室的室底部的第一室排液口与上述室外的第一排液部连接;上述第二杯排液口经由设置于上述室底部的第二室排液口与上述室外的第二排液部连接;利用上述杯升降机构,使上述杯部在以上述基板保持部为基准的第一位置和位于比上述第一位置靠近下方位置的第二位置之间移动;在上述杯部位于上述第一位置的状态下,从上述处理液供给部向上述基板上供给到的处理液,流入到上述杯部的上述杯内侧壁部和上述杯中间壁部之间的空间,从上述第一排液部排出;在上述杯部位于上述第二位置的状态下,从上述处理液供给部向上述基板上供给到的处理液,流入到上述杯部的上述杯中间壁部和上述杯外侧壁部之间的空间,向上述第二排液部排出。
在本发明的其他优选的实施方式中,上述基板保持部具有以上述中心轴为中心的圆板状的保持部主体,上述保持部主体在上述杯部的上方与上述杯部在上述上下方向上相对,上述基板保持部设置有环状的凸出部,上述环状的凸出部从上述保持部主体的下表面向下方凸出且包围上述中心轴的周围。
在本发明的其他优选的实施方式中,上述室是密闭空间形成部,上述密闭空间形成部形成配置上述基板保持部及上述杯部的密闭空间。
上述的目的和其他目的、特征、方式以及优点通过以下参照附图进行的本发明的详细说明就变得更加清楚。
附图说明
图1是第一实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图2是基板处理装置的横向剖视图。
图3是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图4是基板处理装置的纵向剖视图。
图5是基板处理装置的横向剖视图。
图6是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图7是基板处理装置的纵向剖视图。
图8是处理基板的流程图。
图9是基板处理装置的纵向剖视图。
图10是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图11是第二实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图12是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图13是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图14是第三实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图15是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图16是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图17是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图18是展开表示杯内侧壁部及室内侧壁部的一部分的图。
图19是第四实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图20是基板处理装置的纵向剖视图。
图21是第五实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图22是第六实施方式的基板处理装置的纵向剖视图。
图23是其他基板处理装置的纵向剖视图。
具体实施方式
图1是表示本发明第一实施方式的基板处理装置1的纵向剖视图。基板处理装置1是向大致圆板状的半导体基板9(以下简称为“基板9”。)供给处理液来对基板9一张一张地进行处理的单张式的装置。在基板处理装置1中,将纯水、酸性药液、碱性药液等作为处理液来利用,对基板9进行清洗处理和其他各种处理。在图1中,在基板处理装置1的一部分结构的剖面中省略标注平行斜线(在其他纵向剖视图中也同样省略)。
基板处理装置1包括基板保持部31、基板旋转机构32、杯部4、杯升降机构7、处理液供给部5、室6及控制部10。另外,在图2以后的图中省略控制部10的图示。在室6的内部容纳有基板保持部31、基板旋转机构32、杯部4及处理液供给部5。
室6包括室底部61、室上底部62、室内侧壁部63、室外侧壁部64及室顶盖部65。室底部61覆盖杯部4及基板旋转机构32的下方。室上底部62是以沿上下方向的中心轴J1为中心的大致圆环板状的部位。室上底部62在室底部61的上方,覆盖基板旋转机构32的上方并且覆盖基板保持部31的下方。室6的侧壁部即室内侧壁部63是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。室内侧壁部63从室上底部62的外周部向下方扩展并到达室底部61。室内侧壁部63位于杯部4的径向内侧。
室6的侧壁部即室外侧壁部64是位于杯部4的径向外侧的大致筒状的部位。室外侧壁部64从室底部61的外周部向上方扩展并到达室顶盖部65的外周部。室顶盖部65覆盖杯部4及基板保持部31的上方。室外侧壁部64设置有用于将基板9搬入到室6内以及从室6内搬出基板9的搬入搬出口66。搬入搬出口66由能够沿上下方向移动的盖部67封闭。通过由盖部67封闭搬入搬出口66,室6的内部空间成为密闭空间。即,室6是密闭空间形成部,上述密闭空间形成部形成配置基板保持部31及杯部4的密闭空间。
图2是表示图1所示的室内侧壁部63及杯部4的横向剖视图。图2是沿上下方向观察的后述的第一室排气口631的位置的横向剖面。在图2中,一并绘出了位于比剖面靠近下方的位置的结构的一部分。在图5中也同样。图3是展开表示后述的杯内侧壁部42及室内侧壁部63的外侧面的一部分的图。图3中的左右方向,与以中心轴J1为中心的周向(以下,也简称为“周向”。)对应。在图6、图10、图12、图13、图15至图18中也同样。
如图1至图3所示,室内侧壁部63设置有第一室排气口631及第二室排气口632。第一室排气口631及第二室排气口632在将杯部4内的气体向室6外排出时被利用。
第一室排气口631及第二室排气口632例如是大致径向贯通室内侧壁部63的贯通孔。与第一室排气口631及第二室排气口632的各个流路垂直的截面形状(以下,也简称为“截面形状”。)例如是大致圆形。第一室排气口631及第二室排气口632的截面形状可以适当变更。在如图1至图3所示的例子中,第一室排气口631及第二室排气口632在上下方向上位于大致相同的位置。另外,第二室排气口632在周向上位于与第一室排气口631不同的位置。详细地,第二室排气口632位于从第一室排气口631沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。
第一室排气口631在室内侧壁部63的内侧(即,径向内侧)与沿上下方向延伸的第一通道(duct)681连接。换言之,第一室排气口631将室6的内部空间和第一通道681连接。第一通道681与第一排气机构951连接。第二室排气口632在室内侧壁部63的内侧(即,径向内侧)与沿上下方向延伸的第二通道682连接。换言之,第二室排气口632将室6的内部空间和第二通道682连接。第二通道682与除了第一排气机构951以外另设置的第二排气机构952连接。第一通道681及第二通道682是室6的一部分。第一排气机构951及第二排气机构952配置于室6及基板处理装置1的外部。在使用基板处理装置1期间,利用第一排气机构951及第二排气机构952的吸引是以恒定的输出持续地进行的。
在以下的说明中,将第一室排气口631及第二室排气口632统称为“室排气口”。换言之,室排气口包括第一室排气口631和第二室排气口632。在没有必要区分第一室排气口631和第二室排气口632的情况下,将第一室排气口631及第二室排气口632中的一方称为“室排气口”。
另外,将第一排气机构951及第二排气机构952统称为“排气机构”。换言之,排气机构包括第一排气机构951和第二排气机构952。在没有必要区分第一排气机构951和第二排气机构952的情况下,将第一排气机构951及第二排气机构952中的一方称为“排气机构”。
在室底部61的比室内侧壁部63靠近径向外侧的位置,设置有第一室排液口611和第二室排液口612。第一室排液口611及第二室排液口612在将杯部4内的液体向室6外排出时被利用。第一室排液口611及第二室排液口612例如是沿上下方向贯通室底部61的贯通孔。在图1所示的例子中,第一室排液口611及第二室排液口612分别形成于从室底部61向上方凸出的大致圆柱状的室凸出部616、617的内部。与第一室排液口611及第二室排液口612的各个流路垂直的截面形状(以下,简称为“截面形状”。)例如是大致圆形。第一室排液口611及第二室排液口612的截面形状可以适当变更。
第一室排液口611位于比第二室排液口612靠近径向内侧的位置。在图1及图2所示的例子中,第二室排液口612在周向上位于与第一室排液口611不同的位置。详细地,第二室排液口612位于从第一室排液口611沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。第一室排液口611位于从第一室排气口631沿周向错开180度的位置,即,第一室排液口611在周向上位于与第二室排气口632相同的位置。第二室排液口612位于从第二室排气口632沿周向错开180度的位置,即,第二室排液口612在周向上位于与第一室排气口631相同的位置。第一室排液口611与第一排液部961连接。第二室排液口612与第二排液部962连接。第一排液部961及第二排液部962配置于室6及基板处理装置1的外部。
在以下的说明中,将第一室排液口611及第二室排液口612统称为“室排液口”。换言之,室排液口包括第一室排液口611和第二室排液口612。在没有必要区分第一室排液口611和第二室排液口612的情况下,将第一室排液口611及第二室排液口612中的一方称为“室排液口”。
另外,将第一排液部961及第二排液部962统称为“排液部”。换言之,排液部包括第一排液部961和第二排液部962。在没有必要区分第一排液部961和第二排液部962的情况下,将第一排液部961及第二排液部962中的一方称为“排液部”。
基板保持部31将基板9保持为水平状态。具体地,基板9以预先形成有细微图案的上表面91与中心轴J1垂直且朝向上侧的状态被基板保持部31保持。基板保持部31包括基座部311、多个夹具312及凸出部34。基座部311是以中心轴J1为中心的大致圆板状的保持部主体。基座部311垂直于中心轴J1,在中央具有开口。基座部311的外周部在杯部4的内周部的上方与杯部4在上下方向上相对。基座部311的外周缘在杯部4的外周部的径向内侧与杯部4径向相对。
多个(例如为三个)夹具312固定于基座部311的上表面。多个夹具312在以中心轴J1为中心的周向上大致等角度间隔配置。在基座部311的上方,由多个夹具312保持基板9的外缘部。凸出部34在基座部311的外周部,从基座部311的下表面向下方(即,朝向杯部4)凸出。凸出部34呈包围中心轴J1的周围的环状。详细地,凸出部34是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。凸出部34例如与基座部311一体形成。
基板旋转机构32在室内侧壁部63的径向内侧,配置在室底部61和室上底部62之间。基板旋转机构32例如是轴旋转型电动马达。基板旋转机构32的旋转轴321贯穿室上底部62的中央部向室6的内部延伸。旋转轴321是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。在旋转轴321的前端部固定有基板保持部31的基座部311。在旋转轴321和室上底部62之间,设置有防止气体和液体通过的密封件。由于旋转轴321旋转,所以基板保持部31与基板9一起以中心轴J1为中心旋转。
处理液供给部5向基板9上吸收处理液。处理液供给部5包括上部喷嘴51和下部喷嘴52。上部喷嘴51位于基板保持部31及基板9的上方。上部喷嘴51由省略图示的喷嘴支持部指示。上部喷嘴51的下端与基板9的上表面91的中央部相对。上部喷嘴51与设置于室6的外部的处理液供给源(省略图示)连接。从处理液供给源供给到上部喷嘴51的处理液,从上部喷嘴51的下端向基板9的上表面91上的中央部供给。
下部喷嘴52配置在基板旋转机构32的旋转轴321的内侧,经由位于基板保持部31的基座部311的中央的开口从基座部311向上方凸出。下部喷嘴52不与旋转轴321接触,在旋转轴321旋转时也不旋转。在下部喷嘴52和基座部311之间设置有用于防止气体和液体通过的密封件。下部喷嘴52与设置在室6的外部的处理液供给源(省略图示)连接。下部喷嘴52的上端位于基板9的下方,并与基板9的下表面的中央部相对。从处理液供给源供给到下部喷嘴52的处理液,从下部喷嘴52的上端向基板9的下表面的中央部供给。
杯部4是以中心轴J1为中心的环状的构件。杯部4位于基板保持部31及基板9的周围及下方,接受来自基板9的处理液。另外,杯部4位于室6的室内侧壁部63的径向外侧,并包围室内侧壁部63及基板旋转机构32的周围。
杯部4包括杯底部41、杯内侧壁部42、杯分隔壁43、杯中间壁部44、杯外侧壁部45及杯檐部46。杯底部41是以中心轴J1为中心的大致圆环状的部位。杯内侧壁部42是从杯底部41的内周部向上方扩展的大致筒状的部位。在杯内侧壁部42的内侧(即,径向内侧)配置有室内侧壁部63。换言之,室内侧壁部63在杯内侧壁部42的内侧与杯内侧壁部42径向相对。
杯外侧壁部45是从杯底部41的外周部向上方扩展的大致筒状的部位。在图1及图2所示的例子中,杯内侧壁部42及杯外侧壁部45是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。杯檐部46是从杯外侧壁部45的上端部向内侧(即,径向内侧)扩展的大致圆环状的部位。在图1所示的例子中,杯檐部46是从杯外侧壁部45的上端部越靠近径向内侧越向上倾斜的倾斜部。杯檐部46的上端缘的直径稍微大于基板保持部31的直径。
杯中间壁部44是在杯内侧壁部42和杯外侧壁部45之间,从杯底部41向上方扩展的大致筒状的部位。在图1及图2所示的例子中,杯中间壁部44是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。杯中间壁部44位于比基板保持部31的基座部311靠近径向外侧。杯中间壁部44的上部是越靠近上方越向径向内侧倾斜的倾斜部。杯中间壁部44的上端缘的直径大于基板保持部31的直径。杯中间壁部44的上端缘的直径大于杯檐部46的上端缘的直径。
杯分隔壁43是在杯内侧壁部42和杯中间壁部44之间,从杯底部41向上方扩展的大致筒状的部位。在图1及图2所示的例子中,杯分隔壁43是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。杯分隔壁43位于基座部311的下方。杯分隔壁43位于比基板保持部31的凸出部34靠近径向内侧的位置。凸出部34也可以位于从杯分隔壁43向上方分离且在径向上与杯分隔壁43相同的位置。
在以下的说明中,将杯部4的杯中间壁部44和杯外侧壁部45之间的空间称为“外侧杯空间48”。另外,将杯部4的杯内侧壁部42和杯中间壁部44之间的空间称为“内侧杯空间47”。内侧杯空间47由杯分隔壁43分隔为径向内侧的空间即避液空间471和径向外侧的空间即受液空间472。外侧杯空间48、内侧杯空间47、避液空间471及受液空间472分别是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的空间。
在杯内侧壁部42设置有第一杯排气口421和第二杯排气口422。第一杯排气口421及第二杯排气口422在将杯部4内的气体向室6外排出时被利用。第一杯排气口421及第二杯排气口422例如是在大致径向上贯通杯内侧壁部42的贯通孔。与第一杯排气口421及第二杯排气口422的各个流路垂直的截面形状(以下,简称为“截面形状”。)例如是大致圆形。第一杯排气口421及第二杯排气口422的截面的直径例如大于第一室排气口631及第二室排气口632的截面的直径。第一杯排气口421及第二杯排气口422的截面形状可以适当变更。
在图1至图3所示的例子中,第二杯排气口422在上下方向上的位置与第一杯排气口421在上下方向上的位置不同。第二杯排气口422位于比第一杯排气口421靠近上方的位置。另外,第二杯排气口422在周向上位于与第一杯排气口421不同的位置。详细地,第二杯排气口422位于从第一杯排气口421沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。
第一杯排气口421在周向上位于与第一室排气口631相同的位置。第二杯排气口422在周向上位于与第二室排气口632相同的位置。在图1至图3所示的状态中,第一杯排气口421与第一室排气口631在径向上相对。第二杯排气口422位于比第二室排气口632靠近上方的位置。
在以下的说明中,将第一杯排气口421及第二杯排气口422统称为“杯排气口”。换言之,杯排气口包括第一杯排气口421和第二杯排气口422。另外,在没有必要区分第一杯排气口421和第二杯排气口422的情况下,将第一杯排气口421及第二杯排气口422中的一方称为“杯排气口”。
在杯底部41设置有第一杯排液口411和第二杯排液口412。第一杯排液口411及第二杯排液口412在将杯部4内的液体向室6外排出时被利用。第一杯排液口411及第二杯排液口412例如是贯通杯底部41的贯通孔。
在图1所示的例子中,第一杯排液口411及第二杯排液口412分别形成于从杯底部41向下方凸出的大致圆柱状的杯凸出部416、417的内部。与第一杯排液口411及第二杯排液口412的各个流路垂直的截面形状(以下,简称为“截面形状”。)例如是大致圆形。第一杯排液口411及第二杯排液口412的截面形状可以适当变更。
在图1及图2所示的例子中,第二杯排液口412在周向上位于与第一杯排液口411不同的位置。详细地,第二杯排液口412位于从第一杯排液口411沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。第一杯排液口411位于从第一杯排气口421沿周向错开180度的位置,即,第一杯排液口411在周向上位于与第二杯排气口422相同的位置。第二杯排液口412位于从第二杯排气口422沿周向错开180度的位置,即,第二杯排液口412在周向上位于与第一杯排气口421相同的位置。
在内部设置有第一杯排液口411的杯凸出部416插入室凸出部616的内部的第一室排液口611。由此,第一杯排液口411与设置于室6的室底部61的第一室排液口611连接,经由第一室排液口611与室6外的第一排液部961连接。在内部设置有第二杯排液口412的杯凸出部417插入室凸出部617的内部的第二室排液口612。由此,第二杯排液口412与设置于室6的室底部61的第二室排液口612连接,经由第二室排液口612与室6外的第二排液部962连接。
第一杯排液口411位于比第二杯排液口412靠近径向内侧的位置。第一杯排液口411在杯底部41位于比杯中间壁部44靠近内侧的位置。详细地,第一杯排液口411位于比杯中间壁部44靠近径向内侧的位置,并且比杯内侧壁部42及杯分隔壁43靠近径向外侧的位置。换言之,第一杯排液口411在内侧杯空间47的下方从受液空间472的底面向下方延伸。内侧杯空间47的受液空间472经由第一杯排液口411及第一室排液口611与第一排液部961连接。
第二杯排液口412在杯底部41位于比杯中间壁部44靠近外侧的位置。详细地,第二杯排液口412位于比杯中间壁部44靠近径向外侧的位置,并且比杯外侧壁部45靠近径向内侧的位置。换言之,第二杯排液口412在外侧杯空间48的下方从外侧杯空间48的底面向下方延伸。外侧杯空间48经由第二杯排液口412及第二室排液口612与第二排液部962连接。
在以下的说明中,将第一杯排液口411及第二杯排液口412统称为“杯排液口”。换言之,杯排液口包括第一杯排液口411和第二杯排液口412。另外,在没有必要区分第一杯排液口411和第二杯排液口412的情况下,将第一杯排液口411及第二杯排液口412中的一方称为“杯排液口”。
杯升降机构7使杯部4相对基板保持部31沿上下方向做相对移动。在图1所示的例子中,杯升降机构7包括沿周向配置的多个线性致动器71。各个线性致动器71包括活塞部72和杆73。活塞部72在室6外固定于室底部61的下表面。杆73从活塞部72贯穿室底部61向上方延伸。杆73的前端部与杯部4连接。详细地,杆73的前端部与从杯外侧壁部45向径向外侧凸出的杯凸缘部451的下表面连接。在杆73的周围设置有沿上下方向能够伸缩的大致圆筒状的波纹管74。波纹管74的上端部与杯凸缘部451的下表面连接,波纹管74的下端部与室底部61的上表面连接。由此,配置杆73的波纹管74的内部空间从室6的内部空间隔离。在杯升降机构7中,杆73利用各个线性致动器71的活塞部72沿上下方向进退,从而使杯部4在室6内沿上下方向移动。
图4是表示杯部4位于与图1不同的位置的基板处理装置1的纵向剖视图。图5是表示图4所示的室内侧壁部63及杯部4的横向剖视图。图5是沿上下方向观察的第一室排气口631的位置的横向剖面图。图6是展开表示图4所示的杯内侧壁部42及室内侧壁部63的外侧面的一部分的图。图7是表示杯部4位于与图1及图4不同的位置的基板处理装置1的纵向剖视图。
在基板处理装置1中,通过控制部10(参照图1)控制杯升降机构7,使杯部4沿上下方向相对移动,确定杯部4相对基板保持部31的上下方向的相对位置。杯部4利用杯升降机构7,在图1所示的位置、图4所示的位置、图7所示的位置之间移动。在以下的说明中,将以基板保持部31为基准的图1所示的杯部4在上下方向上的位置称为“第一位置”。另外,将以基板保持部31为基准的图4及图7中分别表示的杯部4在上下方向上的位置称为“第二位置”及“第三位置”。第二位置是比第一位置靠近下方的位置,第三位置是比第二位置靠近下方的位置。
在杯部4位于图1所示的第一位置的状态下,基板9的外周缘与杯中间壁部44在径向上相对。从处理液供给部5的上部喷嘴51向由基板旋转机构32旋转的基板9的上表面91上供给的处理液,借助离心力从基板9向径向外侧飞散,流入到内侧杯空间47的受液空间472。流入到受液空间472的处理液,经由第一杯排液口411及第一室排液口611,向第一排液部961排出。
在杯部4位于第一位置的状态下,如图1至图3所示,第一杯排气口421与第一室排气口631在径向上重叠。在图3中,对第一杯排气口421和第一室排气口631的重叠部分标注平行斜线(在图6、图10、图12、图13、图15至图18中也同样)。在杯排气口中的第一杯排气口421与第一室排气口631重叠的状态下,利用与第一室排气口631连接的第一排气机构951,杯部4内的气体经由第一杯排气口421、第一室排气口631及第一通道681向室6外排出。另外,第二杯排气口422位于比第二室排气口632靠近上方的位置,第二杯排气口422与第二室排气口632不重叠。第二室排气口632被杯内侧壁部42覆盖。因此,杯部4内的气体实际上不流入到第二室排气口632、第二通道682及第二排气机构952。
在杯部4位于图4所示的第二位置的状态下,基板9的外周缘与从杯外侧壁部45的上端部扩展的杯檐部46在径向上相对。基板9的外周缘也可以与杯外侧壁部45在径向上相对。从处理液供给部5的上部喷嘴51向旋转中的基板9的上表面91供给到的处理液,借助离心力从基板9向径向外侧飞散,流入到外侧杯空间48。流入到外侧杯空间48的处理液,经由第二杯排液口412及第二室排液口612向第二排液部962排出。
在杯部4位于第二位置的状态下,如图4至图6所示,第二杯排气口422与第二室排气口632在径向上重叠。在杯排气口中的第二杯排气口422与第二室排气口632重叠的状态下,利用与第二室排气口632连接的第二排气机构952,杯部4内的气体经由第二杯排气口422、第二室排气口632及第二通道682向室6外排出。另外,第一杯排气口421位于比第一室排气口631靠近下方的位置,不与第一室排气口631重叠。第一室排气口631由杯内侧壁部42覆盖。因此,杯部4内的气体实际上不流入到第一室排气口631、第一通道681及第一排气机构951。
在基板处理装置1中,通过控制部10(参照图1)控制杯升降机构7,使杯排气口(即,第一杯排气口421或第二杯排气口422)有选择地与第一室排气口631或第二室排气口632重叠。
在杯部4位于图7所示的第三位置的状态下,基板保持部31的基座部311在上下方向上位于与杯檐部46的内周部大致相同的位置。基座部311的外周部在径向上隔着微小的间隙与杯檐部46的内周部接近。在基板处理装置1中,在搬入搬出基板9时,杯升降机构7被控制部10控制,使杯部4位于第三位置。
图8是表示基板处理装置1的基板9处理流程的一例的图。在该处理例中,从下部喷嘴52不供给处理液。在基板处理装置1中对基板9进行处理时,首先,在杯部4位于图7所示的第三位置的状态下,从搬入搬出口66向室6内搬入基板9,并被基板保持部31保持(步骤S11)。
在杯部4位于第三位置的状态下,第一室排气口631及第二室排气口632未被杯内侧壁部42覆盖。因此,通过由第一排气机构951及第二排气机构952持续进行的吸引,杯部4内的第一室排气口631及第二室排气口632附近的气体被吸引。另一方面,如上所述,杯檐部46的内周部和基座部311的外周部在径向上接近,因此能够抑制位于比杯部4靠近上方的位置的气体从杯檐部46和基座部311之间的间隙流入到杯部4内。因此,也能够抑制利用第一排气机构951及第二排气机构952吸引杯部4内的气体。由此,在搬入基板9时,能够抑制室6外的气体从开放状态的搬入搬出口66流入到室6内。
已搬入基板9时,由盖部67封闭搬入搬出口66,室6的内部空间成为密闭空间。另外,通过由控制部10控制杯升降机构7,使杯部4从第三位置上升,向图1所示的第一位置移动(步骤S12)。当杯部4位于第一位置时,基板旋转机构32被驱动,基板9及基板保持部31开始旋转(步骤S13)。步骤S13可以与步骤S12同时进行,也可以在步骤S11和步骤S12之间进行。
接着,从处理液供给部5的上部喷嘴51开始向旋转中的基板9的上表面91供给第一处理液(步骤S14)。向基板9的上表面91的中央部连续供给到的第一处理液借助离心力向径向外侧移动。第一处理液在基板9的上表面91上扩散而覆盖上表面91的整个面。由此,用第一处理液对基板9的上表面91进行处理。第一处理液例如是用于对基板9进行药液处理的药液(聚合物去除液或蚀刻液等)。
到达基板9的外周缘的第一处理液从该外周缘向径向外侧飞散,流入到杯部4的内侧杯空间47的受液空间472。流入到受液空间472内的第一处理液,经由第一杯排液口411及第一室排液口611,向室6外的第一排液部961排出。向第一排液部961排出的第一处理液可以根据需要回收再利用。向第一排液部961排出的第一处理液也可以废弃。
在用第一处理液对基板9进行处理中,如上所述,杯部4内的气体利用第一排气机构951经由第一杯排气口421、第一室排气口631及第一通道681向室6外排出。
当从上部喷嘴51供给第一处理液开始经过规定时间时,停止供给第一处理液,结束用第一处理液对基板9进行处理。残留在基板9上的第一处理液借助基板9的旋转从基板9上去除,经由受液空间472、第一杯排液口411及第一室排液口611向第一排液部961排出。
用第一处理液进行的处理结束时,通过由控制部10控制杯升降机构7,使杯部4从第一位置下降,向图4所示的第二位置移动(步骤S15)。接着,从处理液供给部5的上部喷嘴51,开始向旋转中的基板9的上表面91供给第二处理液(步骤S16)。向基板9的上表面91的中央部连续供给到的第二处理液借助离心力在基板9的上表面91上扩散而覆盖上表面91的整个面。由此,用第二处理液对基板9的上表面91进行处理。第二处理液例如是用于对基板9进行清洗处理的纯水(DIW:deionized water)或炭酸水等清洗液。
到达基板9的外周缘的第二处理液,从该外周缘向径向外侧飞散,流入到杯部4的外侧杯空间48。流入到外侧杯空间48内的第二处理液,经由第二杯排液口412及第二室排液口612,向室6外的第二排液部962排出。向第二排液部962排出的第二处理液被废弃,或者根据需要回收再利用。
在用第二处理液对基板9进行处理中,如上所述,杯部4内的气体利用第二排气机构952经由第二杯排气口422、第二室排气口632及第二通道682,向室6外排出。
当从上部喷嘴51供给第二处理液开始经过规定时间时,停止供给第二处理液,结束用第二处理液对基板9进行处理。残留在基板9上的第二处理液,借助基板9的旋转从基板9上去除,经由外侧杯空间48、第二杯排液口412及第二室排液口612向第二排液部962排出。
当已从基板9上去除第二处理液时,基板9及基板保持部31停止旋转(步骤S17)。接着,通过由控制部10控制杯升降机构7,使杯部4从第二位置下降,移动到图7所示的第三位置(步骤S18)。步骤S18可以与步骤S17同时进行。当杯部4位于第三位置时,开放搬入搬出口66,从基板处理装置1搬出基板9(步骤S19)。
如上所述,在杯部4位于第三位置的状态下,杯檐部46的内周部在径向上与基座部311的外周部接近。由此,在搬出基板9时,能够防止室6外的气体从开放状态的搬入搬出口66流入室6内。
在基板处理装置1中,对多个基板9依次实施上述的步骤S11~S19,依次对多个基板9进行处理。
如上所述,在基板处理装置1中,通过控制部10控制杯升降机构7,使杯排气口(即,第一杯排气口421及第二杯排气口422中的一个杯排气口)有选择地与第一室排气口631或第二室排气口632重叠。然后,在杯排气口与第一室排气口631重叠的状态下,利用与第一室排气口631连接的第一排气机构951,杯部4内的气体经由杯排气口及第一室排气口631向室6外排出。另外,在杯排气口与第二室排气口632重叠的状态下,利用与第二室排气口632连接的第二排气机构952,杯部4内的气体经由杯排气口及第二室排气口632向室6外排出。
这样,在基板处理装置1中,利用杯升降机构7使室6内的杯部4相对基板保持部31沿上下方向相对移动,由此能够使对来自杯部4的气体进行排气的排气机构,在第一排气机构951及第二排气机构952之间容易地切换。另外,能够利用简单结构的机构,切换来自杯部4的排气的输送目的地(以下,称为“排气目的地”。),因此能够简化基板处理装置1的结构。由此,与将切换来自杯部的排气的排气目的地的切换器设置于室的外部的情况相比,能够实现基板处理装置1的小型化。而且,在室6内切换来自杯部4的排气的排气目的地,这样与利用共用配管等将排气引导到室外的切换器的情况相比,能够抑制排气中的气体状和雾状的处理液混合而产生不期望的化学反应。
在基板处理装置1中,杯排气口(即,第一杯排气口421及第二杯排气口422)设置在比基板9的外周缘靠近径向内侧的杯内侧壁部42,第一室排气口631及第二室排气口632设置在室内侧壁部63。由此,能够抑制从基板9流入到杯部4的处理液,经由杯排气口进入到第一排气机构951及第二排气机构952。另外,在杯部4中,从杯底部41向上方扩展的杯分隔壁43设置在处理液流入的外侧杯空间48及受液空间472的径向内侧。由此,能够更进一步抑制流入到杯部4的处理液,经由杯排气口进入第一排气机构951及第二排气机构952。
在基板处理装置1中,处理基板9时,有时降低基板9的旋转速度(或,停止基板9的旋转)用处理液布满基板9的上表面91。此时,从基板9流入到基座部311的上表面的处理液,有可能流到基座部311的下表面(即,经由基座部311的表面向下表面移动)。
在基板处理装置1中,如上所述,设置有从基座部311的下表面向下方凸出的环状的凸出部34,因此流到基座部311的下表面的处理液,经由凸出部34的外周面下落到杯部4的受液空间472。这样,在基板处理装置1中,能够防止流向基座部311的下表面的处理液,向比凸出部34靠近径向内侧的位置移动,并经由杯排气口进入到第一排气机构951及第二排气机构952。
如上所述,第二室排气口632在周向上位于与第一室排气口631不同的位置。另外,杯排气口包括:第一杯排气口421,其在周向上位于与第一室排气口相同的位置;以及第二杯排气口422,其在周向上位于与第二室排气口632相同的位置。由此,能够使与第一排气机构951连接的第一通道681和与第二排气机构952连接的第二通道682配置于俯视时不同的位置。结果,能够简化基板处理装置1的结构。
在基板处理装置1中杯部4位于第一位置的状态(即,杯排气口与第一室排气口631重叠的状态)下,从处理液供给部5向基板9上供给到的处理液,流入到杯部4的受液空间472,从第一排液部961排出。另外,在杯部4位于第二位置的状态(即,杯排气口与第二室排气口632重叠的状态)下,从处理液供给部5向基板9上供给到的处理液,流入到杯部4的外侧杯空间48,从第二排液部962排出。
这样,在基板处理装置1中,利用杯升降机构7使杯部4相对基板保持部31沿上下方向相对移动,由此利用一个机构的一个动作同时进行来自杯部4的排气的排气目的的切换和来自杯部4的处理液的输送目的地(以下称为“排液目的地”。)的切换。结果,能够简化基板处理装置1的结构,并且能够实现基板处理装置1的小型化。
在基板处理装置1中,无需变更排气机构的输出,而是通过使杯部4的上下方向的位置,从第一位置或第二位置稍微变更(即,通过微调整),能够变更经由杯部4的来自室6的排气流量。
具体地,例如杯部4从图1所示的第一位置下降比第一室排气口631的上下方向的大小小的距离,位于图9所示的位置。由此,如图9及图10所示,在维持第一杯排气口421和第一室排气口631重叠的情况下,减小第一杯排气口421和第一室排气口631的重叠面积。如上所述,在第一杯排气口421与第一室排气口631重叠的状态下,利用与第一室排气口631连接的第一排气机构951,杯部4内的气体经由第一杯排气口421及第一室排气口631向室6外排出。因此,当第一杯排气口421和第一室排气口631的重叠面积变小时,抑制利用第一排气机构951排出杯部4内的气体,从而减少从室6内向室6外排出的排气流量。
另外,例如杯部4从图4所示的第二位置上升比第二室排气口632的上下方向的大小小的距离,从而在维持第二杯排气口422和第二室排气口632重叠的情况下,第二杯排气口422和第二室排气口632的重叠面积变小。如上所述,在第二杯排气口422与第二室排气口632重叠的状态下,利用与第二室排气口632连接的第二排气机构952,杯部4内的气体经由第二杯排气口422及第二室排气口632向室6外排出。因此,当第二杯排气口422和第二室排气口632的重叠面积变小时,抑制利用第二排气机构952排出杯部4内的气体,从而减少从室6内向室6外排出的排气流量。
这样,在基板处理装置1中杯排气口与室排气口重叠的状态下,利用与室排气口连接的排气机构,杯部4内的气体经由杯排气口及室排气口向室6外排出。然后,通过由控制部10控制杯升降机构7,使杯排气口和室排气口的重叠面积变更,从而变更利用排气机构排出的来自室6的排气流量。
在基板处理装置1中,通过使杯部4的上下方向的位置变更,能够容易变更来自室6的排气流量。另外,在基板处理装置1中,杯排气口和室排气口的重叠面积的变更,是通过维持杯排气口和室排气口重叠且使杯部4相对基板保持部31沿上下方向相对移动来实现的。由此,来自室6的排气流量的变更,是通过使杯部4相对移动比杯排气口的上下方向的大小小的距离来实现的。换言之,通过微调整杯部4在上下方向上的位置,变更来自室6的排气流量。这样,在基板处理装置1中,能够使伴随排气流量变更的杯部4的相对移动距离变小,因此能够抑制基板处理装置1在上下方向上变大。
上述排气流量的变更,例如在步骤S16的第二处理液(例如,清洗液)的处理结束后,向基板9上供给异丙醇(IPA)等第三处理液,以使残留在基板9上的第二处理液被置换成第三处理液的置换处理时进行。进行该置换处理时,降低利用基板旋转机构32的基板9的旋转速度,或者停止基板9的旋转,在基板9的上表面91上布满(即,盛满液)第三处理液。此时,如上所述,杯部4从如图4所示的第二位置稍微上升,来自室6的排气流量减少。由此,能够适当地维持基板9上的第三处理液的液膜形状,能够适当地进行上述置换处理。
置换处理结束时,使杯部4返回第二位置,增加基板9的旋转速度。由此,第三处理液从基板9上向周围飞散而被去除,进行基板9的干燥处理。干燥处理时,如上所述,由于杯部4位于第二位置,因此来自室6的排气流量比置换处理时增加。结果,能够在短时间完成基板9的干燥处理。
图11是表示本发明第二实施方式的基板处理装置1a的纵向剖视图。图12是展开表示图11所示的杯内侧壁部42及室内侧壁部63的外侧面的一部分的图。在基板处理装置1a中,不对杯部4的排气目的地进行切换,而对杯部4的排气流量进行变更。
在图11所示的基板处理装置1a中,代替图1所示的基板处理装置1的第一杯排气口421及第二杯排气口422,在杯内侧壁部42设置一个杯排气口423。另外,在基板处理装置1a中,代替第一室排气口631及第二室排气口632,在室内侧壁部63设置大室排气口634及小室排气口635。而且,代替第一通道681及第二通道682设置一个排气通道683,代替第一排气机构951及第二排气机构952设置一个排气机构953。除这些方面之外,基板处理装置1a具有与图1所示的基板处理装置1大致相同的结构。在以下的说明中,对与基板处理装置1的各个结构对应的基板处理装置1a的结构标注相同的附图标记。
小室排气口635在周向上位于与大室排气口634相同的位置,并且与大室排气口634一起沿上下方向排列。图11所示的例子中,小室排气口635与大室排气口634分离并位于大室排气口634的下方。小室排气口635的截面积小于大室排气口634的截面积。该截面积是与各个室排气口的流路垂直的截面的面积。在以下的说明中,将大室排气口634及小室排气口635统称为“室排气口”。换言之,室排气口包括大室排气口634和小室排气口635。在没有必要区分大室排气口634和小室排气口635的情况下,将大室排气口634及小室排气口635中的一方称为“室排气口”。
大室排气口634及小室排气口635与在室内侧壁部63的径向内侧沿上下方向延伸的排气通道683连接,排气通道683与排气机构953连接。排气机构953配置于室6及基板处理装置1a的外部。在使用基板处理装置1a的期间,利用排气机构953的吸引是以恒定的输出持续地进行的。
杯排气口423在周向上配置于与大室排气口634及小室排气口635相同的位置。杯排气口423的截面积大于小室排气口635的截面积。在图11及图12所示的例子中,杯排气口423的截面积大于大室排气口634的截面积。杯排气口423的截面积也可以小于大室排气口634的截面积。
在杯部4位于图11所示的第一位置的状态下,如图11及图12所示,杯排气口423与大室排气口634重叠,小室排气口635实际上被杯内侧壁部42封闭。而且,该状态下,利用与大室排气口634连接的排气机构953,杯部4内的气体经由杯排气口423、大室排气口634及排气通道683向室6外排出。
在使杯部4从第一位置下降并位于第二位置(参照图4)的状态下,如图13所示,杯排气口423与小室排气口635重叠,大室排气口634实际上被杯内侧壁部42封闭。而且,该状态下,利用与小室排气口635连接的排气机构953,杯部4内的气体经由杯排气口423、小室排气口635及排气通道683向室6外排出。
使杯排气口423与小室排气口635整体重叠,这样和杯排气口423与大室排气口634整体重叠的状态相比,杯排气口423和室排气口(即,大室排气口634及小室排气口635)的重叠面积变小。由此,抑制利用排气机构953排出杯部4内的气体,因此从室6内向室6外排出的排气流量减少。
这样,在基板处理装置1a中杯排气口423与室排气口(即,大室排气口634或小室排气口635)重叠的状态下,利用与室排气口连接的排气机构953,杯部4内的气体经由杯排气口423及室排气口向室6外排出。然后,通过由控制部10控制杯升降机构7,使杯排气口423和室排气口的重叠面积变更,从而变更利用排气机构953从室6排出的排气流量。
在基板处理装置1a中,无需变更排气机构953的输出,而是通过变更杯部4的上下方向的位置,就能够容易变更来自室6的排气流量。另外,在基板处理装置1a中,杯排气口423和室排气口的重叠面积的变更,是通过使杯排气口423有选择地与大室排气口634或小室排气口635重叠来实现的。由此,能够简化变更来自室6的排气流量(即,切换排气流量)。
图14是表示本发明第三实施方式的基板处理装置1b的纵向剖视图。图15是展开表示图14所示的杯内侧壁部42及室内侧壁部63的外侧面的一部分的图。在基板处理装置1b中,与图11所示的基板处理装置1a同样地,不对杯部4的排气目的地进行切换,而对杯部4的排气流量进行变更。
在图14所示的基板处理装置1b中,代替图11所示的基板处理装置1a的杯排气口423,在杯内侧壁部42设置大杯排气口424及小杯排气口425。另外,在基板处理装置1b中,代替图11所示的大室排气口634及小室排气口635,在室内侧壁部63设置一个室排气口633。除这些方面之外,基板处理装置1b具有与图11所示的基板处理装置1a大致相同的结构。在以下的说明中,对与基板处理装置1a的各个结构对应的基板处理装置1b的结构标注相同的附图标记。
小杯排气口425在周向上位于与大杯排气口424相同的位置,与大杯排气口424一起沿上下方向排列。在图14所示的例子中,小杯排气口425与大杯排气口424分离并位于大杯排气口424的上方。小杯排气口425的截面积小于大杯排气口424的截面积。该截面积是与各个杯排气口的流路垂直的截面的面积。在以下的说明中,将大杯排气口424及小杯排气口425统称为“杯排气口”。换言之,杯排气口包括大杯排气口424和小杯排气口425。在没有必要区分大杯排气口424和小杯排气口425的情况下,将大杯排气口424及小杯排气口425中的一方称为“杯排气口”。
室排气口633在周向上位于与大杯排气口424及小杯排气口425相同的位置。室排气口633的截面积大于小杯排气口425的截面积。在图14及图15所示的例子中,室排气口633的截面积大于大杯排气口424的截面积。室排气口633的截面积也可以小于大杯排气口424的截面积。室排气口633与在室内侧壁部63的径向内侧沿上下方向延伸的排气通道683连接,排气通道683与排气机构953连接。排气机构953配置于室6及基板处理装置1b的外部。在使用基板处理装置1b的期间,利用排气机构953的吸引是以恒定的输出持续地进行的。
在杯部4位于图14所示的第一位置的状态下,如图14及图15所示,大杯排气口424与室排气口633重叠,小杯排气口425实际上被室内侧壁部63封闭。然后,该状态下,利用与室排气口633连接的排气机构953,杯部4内的气体经由大杯排气口424、室排气口633及排气通道683向室6外排出。
在使杯部4从第一位置下降并位于第二位置(参照图4)的状态下,如图16所示,小杯排气口425与室排气口633重叠,大杯排气口424实际上被室内侧壁部63封闭。然后,该状态下,利用与室排气口633连接的排气机构953,杯部4内的气体经由小杯排气口425、室排气口633及排气通道683向室6外排出。
使小杯排气口425整体与室排气口633重叠,这样和大杯排气口424整体与室排气口633重叠的状态相比,杯排气口(即,大杯排气口424及小杯排气口425)和室排气口633的重叠面积变小。由此,抑制利用排气机构953排出杯部4内的气体,从而从室6内向室6外排出的排气流量减少。
这样,在基板处理装置1b中杯排气口(即,大杯排气口424或小杯排气口425)与室排气口633重叠的状态下,利用与室排气口633连接的排气机构953,杯部4内的气体经由杯排气口及室排气口633向室6外排出。然后,由控制部10控制杯升降机构7,使杯排气口和室排气口633的重叠面积变更,从而利用排气机构953从室6排出的排气流量变更。
在基板处理装置1b中,无需变更排气机构953的输出,而是通过使杯部4的上下方向的位置变更,就能够容易变更来自室6的排气流量。另外,在基板处理装置1b中,杯排气口和室排气口633的重叠面积的变更,是通过有选择地使大杯排气口424或小杯排气口425与室排气口633重叠来实现的。由此,能够简化变更从室6排出的排气流量(即,切换排气流量)。
在图1所示的基板处理装置1中,与图11所示的基板处理装置1a同样地,也可以通过使杯排气口有选择地与大室排气口或小室排气口重叠,变更杯排气口和室排气口的重叠面积,从而变更从室6排出的排气流量。
例如,如图17所示,在第一室排气口631的下方,比第一室排气口631截面积小的另一个第一室排气口631a设置在室内侧壁部63。第一室排气口631a与第一室排气口631同样地,与第一排气机构951(参照图1)连接。该情况下,第一室排气口631、631a分别相当于大室排气口及小室排气口。然后,通过使第一杯排气口421有选择地与第一室排气口631或第一室排气口631a重叠,使第一杯排气口421和第一室排气口的重叠面积变更,从而容易变更从室6排出的排气流量。
另外,在第二室排气口632的下方,比第二室排气口632截面积小的另一个第二室排气口632a设置在室内侧壁部63。第二室排气口632a与第二室排气口632同样地,与第二排气机构952(参照图1)连接。该情况下,第二室排气口632、632a分别相当于大室排气口及小室排气口。然后,使第二杯排气口422有选择地与第二室排气口632或第二室排气口632a重叠,使第二杯排气口422和第二室排气口的重叠面积变更,从而容易变更从室6排出的排气流量。
在图1所示的基板处理装置1中,与图14所示的基板处理装置1b同样地,也可以通过有选择地使大杯排气口或小杯排气口与室排气口重叠,使杯排气口和室排气口的重叠面积变更,从而变更从室6排出的排气流量。
例如,如图18所示,在第一杯排气口421的上方,比第一杯排气口421截面积小的另一个第一杯排气口421a设置在杯内侧壁部42。该情况下,第一杯排气口421、421a分别相当于大杯排气口及小杯排气口。然后,通过有选择地使第一杯排气口421或第一杯排气口421a与第一室排气口631重叠,使第一杯排气口和第一室排气口631的重叠面积变更,从而容易变更从室6排出的排气流量。
另外,在第二杯排气口422的上方,比第二杯排气口422截面积小的另一个第二杯排气口422a设置在杯内侧壁部42。该情况下,第二杯排气口422,422a分别相当于大杯排气口及小杯排气口。然后,通过有选择地使第二杯排气口422或第二杯排气口422a与第二室排气口632重叠,使第二杯排气口和第二室排气口632的重叠面积变更,从而容易变更从室6排出的排气流量。
图19是表示本发明第四实施方式的基板处理装置1c的纵向剖视图。在基板处理装置1c中,与图1所示的杯部4形状不同的杯部4a设置在室6内。在杯部4a中,省略了图1所示的杯部4的杯中间壁部44,代替第一杯排液口411及第二杯排液口412,设置一个杯排液口413。流入到杯部4a的液体,经由杯排液口413及室排液口613向排液部963排出。
另外,在杯部4a,第一杯排气口421及第二杯排气口422设置于杯外侧壁部45。在杯部4a优选设置盖部49,上述盖部49从杯外侧壁部45的上端部向径向内侧扩展且向下方扩展而在径向上分别与第一杯排气口421及第二杯排气口422相对。盖部49更优选为覆盖第一杯排气口421及第二杯排气口422的周向的两侧。通过设置盖部49,能够抑制从基板9飞散的处理液进入到第一杯排气口421及第二杯排气口422。优先的是,盖部49也设置在下述的基板处理装置1d、1e。
而且,室6的一部分即第一通道681及第二通道682设置于杯外侧壁部45的外侧(即,径向外侧)。在第一通道681的侧壁部设置有在径向上与杯外侧壁部45相对的第一室排气口631,在第二通道682的侧壁部设置有在径向上与杯外侧壁部45相对的第二室排气口632。除这些方面之外,基板处理装置1c具有与图1所示的基板处理装置1大致相同的结构。在以下的说明中,对与基板处理装置1的各个结构对应的基板处理装置1c的结构标注相同的附图标记。
在图19所示的例子中,第一室排气口631及第二室排气口632在上下方向上位于大致相同的位置。另外,第二室排气口632在周向上位于与第一室排气口631不同的位置。详细地,第二室排气口632位于从第一室排气口631沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。
在图19所示的例子中,第二杯排气口422在上下方向上的位置与第一杯排气口421在上下方向上的位置不同。第二杯排气口422位于比第一杯排气口421靠近上方的位置。另外,第二杯排气口422在周向上位于与第一杯排气口421不同的位置。详细地,第二杯排气口422位于从第一杯排气口421沿周向错开180度的位置(即,隔着中心轴J1位于径向的相反一侧的位置)。第一杯排气口421在周向上位于与第一室排气口631相同的位置。第二杯排气口422在周向上位于与第二室排气口632相同的位置。
在图19所示的状态中,第一杯排气口421在径向上与第一室排气口631相对并重叠。另外,第二杯排气口422位于比第二室排气口632靠近上方的位置,第二杯排气口422实质上被第二通道682的侧壁部封闭。在第一杯排气口421与第一室排气口631重叠的状态下,利用与第一室排气口631连接的第一排气机构951,杯部4a内的气体经由第一杯排气口421、第一室排气口631及第一通道681向室6外排出。
另外,利用杯升降机构7使杯部4a从图19所示的位置下降并位于图20所示的位置时,第二杯排气口422在径向上与第二室排气口632相对并重叠。另外,第一杯排气口421位于比第一室排气口631靠近下方的位置,第一杯排气口421实际上被第一通道681的侧壁部封闭。在第二杯排气口422与第二室排气口632重叠的状态下,利用与第二室排气口632连接的第二排气机构952,杯部4a内的气体经由第二杯排气口422、第二室排气口632及第二通道682向室6外排出。
在基板处理装置1c中,与图1所示的基板处理装置1同样地,无需开放室6,而是利用杯升降机构7,就能够使室6内的杯部4a相对基板保持部31沿上下方向相对移动,从而能够使从杯部4a进行排气的排气机构,在第一排气机构951及第二排气机构952之间容易进行切换。另外,能够利用简单结构的机构切换来自杯部4a的排气的排气目的地,从而能够简化基板处理装置1c的结构。
图21是表示本发明第五实施方式的基板处理装置1d的纵向剖视图。在基板处理装置1d中,与图11所示的基板处理装置1a同样地,不对杯部4a的排气目的地进行切换,而对杯部4a的排气流量进行变更。
在图21所示的基板处理装置1d中,代替图19所示的基板处理装置1c的第一杯排气口421及第二杯排气口422,在杯外侧壁部45设置一个杯排气口423。另外,代替第一通道681及第二通道682设置一个排气通道683,代替第一排气机构951及第二排气机构952设置一个排气机构953。而且,代替第一室排气口631及第二室排气口632,在排气通道683的侧壁部设置大室排气口634及小室排气口635。除这些方面之外,基板处理装置1d具有与图19所示的基板处理装置1c大致相同的结构。在以下的说明中,对与基板处理装置1c的各个结构对应的基板处理装置1d的结构标注相同的附图标记。
小室排气口635在周向上位于与大室排气口634相同的位置,与大室排气口634一起沿上下方向排列。在图21所示的例子中,小室排气口635与大室排气口634分离并位于大室排气口634的下方。小室排气口635的截面积小于大室排气口634的截面积。大室排气口634及小室排气口635经由在杯外侧壁部45的径向外侧沿上下方向延伸的排气通道683与排气机构953连接。
杯排气口423配置于在周向上与大室排气口634及小室排气口635相同的位置。杯排气口423的截面积大于小室排气口635的截面积。在图21所示的例子中,杯排气口423的截面积大于大室排气口634的截面积。杯排气口423的截面积也可以小于大室排气口634的截面积。
在图21所示的状态中,杯排气口423在径向上与大室排气口634相对并重叠。另外,小室排气口635实质上被杯外侧壁部45封闭。该状态下,利用排气机构953,杯部4a内的气体が经由杯排气口423、大室排气口634及排气通道683向室6外排出。
另外,当利用杯升降机构7使杯部4a从图21所示的位置下降,杯排气口423在径向上与小室排气口635相对并重叠时,大室排气口634实质上被杯外侧壁部45封闭。该状态下,利用排气机构953,杯部4a内的气体经由杯排气口423、小室排气口635及排气通道683向室6外排出。
在基板处理装置1d中,与图11所示的基板处理装置1a同样地,无需变更排气机构953的输出,而是通过使杯部4a的上下方向的位置变更,就能够容易地变更从室6排出的排气流量。另外,在基板处理装置1d中,杯排气口423和室排气口的重叠面积的变更,是通过使杯排气口423有选择地与大室排气口634或小室排气口635重叠来实现的。由此,能够简化变更从室6排出的排气流量(即,切换排气流量)。
图22是表示本发明第六实施方式的基板处理装置1e的纵向剖视图。在基板处理装置1e中,与图21所示的基板处理装置1d同样地,不对杯部4a的排气目的地进行切换,而对杯部4a的排气流量进行变更。
在图22所示的基板处理装置1e中,代替图21所示的基板处理装置1d的杯排气口423,在杯外侧壁部45设置大杯排气口424及小杯排气口425。另外,在基板处理装置1e中,代替图21所示的大室排气口634及小室排气口635,在排气通道683的侧壁部设置一个室排气口633。除这些方面之外,基板处理装置1e具有与图21所示的基板处理装置1d大致相同的结构。在以下的说明中,对与基板处理装置1d的各个结构对应的基板处理装置1e的结构标注相同的附图标记。
小杯排气口425在周向上位于与大杯排气口424相同的位置,与大杯排气口424一起沿上下方向排列。在图22所示的例子中,小杯排气口425与大杯排气口424分离并位于大杯排气口424的上方。小杯排气口425的截面积小于大杯排气口424的截面积。
室排气口633配置于在周向上与大杯排气口424及小杯排气口425相同的位置。室排气口633的截面积大于小杯排气口425的截面积。在图22所示的例子中,室排气口633的截面积大于大杯排气口424的截面积。室排气口633的截面积也可以小于大杯排气口424的截面积。室排气口633经由在杯外侧壁部45的径向外侧沿上下方向延伸的排气通道683与排气机构953连接。
在图22所示的状态中,大杯排气口424在径向上与室排气口633相对并重叠。另外,小杯排气口425实质上被排气通道683的侧壁部封闭。该状态下,利用排气机构953,杯部4a内的气体经由大杯排气口424、室排气口633及排气通道683向室6外排出。
另外,当利用杯升降机构7使杯部4a从图22所示的位置下降,小杯排气口425在径向上与室排气口633相对并重叠时,大杯排气口424实质上被排气通道683的侧壁部封闭。该状态下,利用排气机构953,杯部4a内的气体经由小杯排气口425、室排气口633及排气通道683向室6外排出。
在基板处理装置1e中,与图21所示的基板处理装置1d同样地,无需变更排气机构953的输出,而是通过使杯部4a的上下方向的位置变更,就能够容易地变更从室6排出的排气流量。另外,在基板处理装置1e中,杯排气口和室排气口633的重叠面积的变更,是通过有选择地使大杯排气口424或小杯排气口425与室排气口633重叠来实现的。由此,能够简化变更从室6排出的排气流量(即,切换排气流量)。
在上述的基板处理装置1、1a~1e中,能够进行各种变更。
在图1所示的基板处理装置1中,不限于第一室排气口631及第二室排气口632必须位于在上下方向上大致相同的位置。例如,如图23所示,第二室排气口632也可以设置于比第一室排气口631靠近下方的室内侧壁部63。在图23所示的例子中,第一杯排气口421及第二杯排气口422在上下方向上位于大致相同的位置。
在图11所示的在基板处理装置1a中,代替大室排气口634及小室排气口635设置一个室排气口,也可以通过维持该室排气口和杯排气口423重叠且使杯部4相对基板保持部31沿上下方向相对移动,使室排气口和杯排气口423的重叠面积变更。该情况下,能够容易地变更从室6排出的排气流量。另外,能够使伴随排气流量变更的杯部4的相对移动距离变小,因此能够抑制基板处理装置1a在上下方向上变大。
在图14所示的在基板处理装置1b中,也可以代替大杯排气口424及小杯排气口425设置一个杯排气口,通过维持该杯排气口和室排气口633的重叠且使杯部4相对基板保持部31在上下方向上相对移动,使室排气口633和杯排气口的重叠面积变更。该情况下,能够容易变更从室6排出的排气流量。另外,能够使伴随排气流量变更的杯部4的相对移动距离变小,因此能够抑制基板处理装置1b在上下方向上变大。
在图1所示的在基板处理装置1中,第一室排气口631和第二室排气口632不限于位于沿周向错开180度的位置,可以适当变更第一室排气口631和第二室排气口632在周向上的位置关系。例如,第一室排气口631及第二室排气口632也可以在周向上的相同位置沿上下方向排列,分别与第一通道681及第二通道682连接。该情况下,在杯内侧壁部42设置一个杯排气口,通过使该杯排气口有选择地与第一室排气口631或第二室排气口632重叠,容易切换排气目的地。对图19所示的基板处理装置1c也是同样的。
在图1所示的在基板处理装置1中,杯檐部46不限于必须是倾斜部,例如,也可以从杯外侧壁部45的上端部沿大致水平向径向内侧扩散。对基板处理装置1a~1e也是同样的。
第一杯排气口421、第二杯排气口422、杯排气口423、大杯排气口424及小杯排气口425的截面形状,例如也可以是各个边与上下方向平行或垂直的大致矩形。第一室排气口631、第二室排气口632、室排气口633、大室排气口634及小室排气口635的截面形状,同样也可以是各个边与上下方向平行或垂直的大致矩形。这样,各个排气口的截面形状只要是大致矩形,在微调整杯部4、4a的上下位置而维持杯排气口和室排气口的重叠且变更重叠面积的情况下,重叠面积根据杯部4、4a在上下方向上的移动距离线形地变化。因此,能够使杯排气口和室排气口的重叠面积容易设置成所需面积。
在基板处理装置1、1a~1e中,可以对杯升降机构7的结构进行各种变更。另外,在对基板9的处理中,也可以从下部喷嘴52向基板9的下表面供给处理液。
在基板处理装置1、1a~1e中,从基板9流入杯部的处理液可以通过共用配管向室外且壳体外排出,并在壳体外,利用阀等切换排出目的地。即使在该情况下,由于处理液用的阀和配管比较小,因此能够抑制基板处理装置1、1a~1e变大。
上述的基板处理装置除了应用于半导体基板以外,还可以应用在液晶表示装置、等离子体显示器、场致发射显示器(FED:field emission display)等显示装置所使用的玻璃基板的处理。或者,上述的基板处理装置可以应用在光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等的处理。
对上述实施方式和各变形例中的各个结构而言,只要相互不矛盾,就可以适当组合。
通过详细地描述本发明而说明了本发明,但上述的说明仅是例示而不是限定。因此,只要不脱离本发明的范围就可以有各种变形和方式。
附图标记说明
1、1a~1e:基板处理装置
4、4a:杯部
5:处理液供给部
6:室
7:杯升降机构
9:基板
10:控制部
31:基板保持部
34:凸出部
41:杯底部
42:杯内侧壁部
44:杯中间壁部
45:杯外侧壁部
46:杯檐部
47:内侧杯空间
48:外侧杯空间
61:室底部
311:基座部
411:第一杯排液口
412:第二杯排液口
413:杯排液口
421、421a:第一杯排气口
422、422a:第二杯排气口
423:杯排气口
424:大杯排气口
425:小杯排气口
611:第一室排液口
612:第二室排液口
613:室排液口
631、631a:第一室排气口
632、632a:第二室排气口
633:室排气口
634:大室排气口
635:小室排气口
951:第一排气机构
952:第二排气机构
953:排气机构
961:第一排液部
962:第二排液部
963:排液部
J1:中心轴
S11~S19:步骤

Claims (11)

1.一种处理基板的基板处理装置,其中,包括:
基板保持部,将基板保持为水平状态;
处理液供给部,向上述基板上供给处理液;
杯部,呈以沿上下方向的中心轴为中心的环状,接受来自上述基板的处理液;
室,在内部容纳有上述基板保持部及上述杯部;
杯升降机构,使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动;以及
控制部,利用上述杯升降机构使上述杯部相对移动,确定上述杯部相对上述基板保持部的相对位置;
上述杯部包括:
圆环状的杯底部;
筒状的杯内侧壁部,从上述杯底部的内周部向上方扩展;以及
筒状的杯外侧壁部,从上述杯底部的外周部向上方扩展;
在上述杯内侧壁部或上述杯外侧壁部设置有杯排气口;
在上述杯内侧壁部的内侧设置有第一室排气口及第二室排气口,上述第一室排气口及第二室排气口与上述杯内侧壁部相对,或者在上述杯外侧壁部的外侧设置有第一室排气口及第二室排气口,上述第一室排气口及第二室排气口与上述杯外侧壁部相对;
通过上述控制部控制上述杯升降机构,上述杯排气口有选择地与上述第一室排气口或上述第二室排气口重叠;
在上述杯排气口与上述第一室排气口重叠的状态下,利用与上述第一室排气口连接的第一排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述第一室排气口向上述室外排出;
在上述杯排气口与上述第二室排气口重叠的状态下,利用与上述第二室排气口连接的第二排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述第二室排气口向上述室外排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述第二室排气口在周向上位于与上述第一室排气口不同的位置;
上述杯排气口包括:
第一杯排气口,在周向上位于与上述第一室排气口相同的位置;以及
第二杯排气口,在周向上位于与上述第二室排气口相同的位置。
3.一种处理基板的基板处理装置,其中,包括:
基板保持部,将基板保持为水平状态;
处理液供给部,向上述基板上供给处理液;
杯部,呈以沿上下方向的中心轴为中心的环状,接受来自上述基板的处理液;
室,在内部容纳有上述基板保持部以及上述杯部;
杯升降机构,使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动;以及
控制部,利用上述杯升降机构使上述杯部相对移动,确定上述杯部相对上述基板保持部的相对位置;
上述杯部包括:
圆环状的杯底部;
筒状的杯内侧壁部,从上述杯底部的内周部向上方扩展;以及
筒状的杯外侧壁部,从上述杯底部的外周部向上方扩展;
在上述杯内侧壁部或上述杯外侧壁部设置有杯排气口;
在上述杯内侧壁部的内侧设置有室排气口,上述室排气口与上述杯内侧壁部相对,或者在上述杯外侧壁部的外侧设置有室排气口,上述室排气口与上述杯外侧壁部相对;
在上述杯排气口与上述室排气口重叠的状态下,利用与上述室排气口连接的排气机构,使上述杯部内的气体经由上述杯排气口及上述室排气口向上述室外排出;
通过上述杯升降机构被上述控制部控制,上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积变更,从而变更利用上述排气机构从上述室排出的排气流量。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
上述室排气口包括:
大室排气口;以及
小室排气口,与上述大室排气口一起沿上述上下方向排列,上述小室排气口的截面积小于上述大室排气口的截面积;
上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是指使上述杯排气口有选择地与上述大室排气口或上述小室排气口重叠。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
上述杯排气口包括:
大杯排气口;以及
小杯排气口,与上述大杯排气口一起沿上述上下方向排列,上述小杯排气口的截面积小于上述大杯排气口的截面积;
上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是指有选择地使上述大杯排气口或上述小杯排气口与上述室排气口重叠。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
上述杯排气口和上述室排气口的重叠面积的变更,是通过维持上述杯排气口和上述室排气口的重叠并且使上述杯部相对上述基板保持部沿上述上下方向相对移动来实现的。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述杯排气口设置于上述杯内侧壁部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述基板保持部具有以上述中心轴为中心的圆板状的保持部主体;
上述杯部具有从上述杯外侧壁部的上端部向内侧扩展的圆环状的杯檐部;
搬入搬出基板时,上述杯升降机构被上述控制部控制,上述保持部主体在上述上下方向上与上述杯檐部的内周部相同的位置位于与上述杯檐部的上述内周部接近的位置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述杯部还具有筒状的杯中间壁部,上述筒状的杯中间壁部在上述杯内侧壁部和上述杯外侧壁部之间从上述杯底部向上方扩展;
在上述杯底部设置有:
第一杯排液口,位于比上述分隔壁靠近内侧的位置;以及
第二杯排液口,位于比上述分隔壁靠近外侧的位置;
上述第一杯排液口经由设置于上述室的室底部的第一室排液口与上述室外的第一排液部连接;
上述第二杯排液口经由设置于上述室底部的第二室排液口与上述室外的第二排液部连接;
利用上述杯升降机构,使上述杯部在以上述基板保持部为基准的第一位置和位于比上述第一位置靠近下方的位置的第二位置之间移动;
在上述杯部位于上述第一位置的状态下,从上述处理液供给部向上述基板上供给到的处理液,流入到上述杯部的上述杯内侧壁部和上述杯中间壁部之间的空间,从上述第一排液部排出;
在上述杯部位于上述第二位置的状态下,从上述处理液供给部向上述基板上供给到的处理液,流入到上述杯部的上述杯中间壁部和上述杯外侧壁部之间的空间,向上述第二排液部排出。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述基板保持部具有以上述中心轴为中心的圆板状的保持部主体;
上述保持部主体在上述杯部的上方与上述杯部在上述上下方向上相对;
上述基板保持部设置有环状的凸出部,上述环状的凸出部从上述保持部主体的下表面向下方凸出且包围上述中心轴的周围。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述室是密闭空间形成部,上述密闭空间形成部形成配置上述基板保持部及上述杯部的密闭空间。
CN201680005590.4A 2015-01-20 2016-01-07 基板处理装置 Active CN107112231B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-008592 2015-01-20
JP2015008592A JP6461617B2 (ja) 2015-01-20 2015-01-20 基板処理装置
PCT/JP2016/050310 WO2016117363A1 (ja) 2015-01-20 2016-01-07 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107112231A true CN107112231A (zh) 2017-08-29
CN107112231B CN107112231B (zh) 2020-05-01

Family

ID=56416912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680005590.4A Active CN107112231B (zh) 2015-01-20 2016-01-07 基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10755950B2 (zh)
JP (1) JP6461617B2 (zh)
KR (1) KR101934661B1 (zh)
CN (1) CN107112231B (zh)
TW (1) TWI602232B (zh)
WO (1) WO2016117363A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109772784A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆清洁设备及晶圆清洁方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6982433B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7382164B2 (ja) * 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
TWI711491B (zh) * 2020-01-03 2020-12-01 弘塑科技股份有限公司 基板濕處理設備及回收環
JP7444639B2 (ja) 2020-02-28 2024-03-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR102622987B1 (ko) * 2020-12-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이에 제공되는 필러 부재
KR20220108560A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP2022130880A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
KR102571523B1 (ko) * 2021-09-10 2023-08-29 (주)디바이스이엔지 배기구조를 포함하는 기판 처리장치
CN115440633B (zh) * 2022-10-17 2023-07-11 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备和排气调节机构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101615567A (zh) * 2008-06-27 2009-12-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN101901777A (zh) * 2009-03-31 2010-12-01 东京毅力科创株式会社 基板支承装置及基板支承方法
TW201125062A (en) * 2009-09-30 2011-07-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus
US20120171941A1 (en) * 2010-12-22 2012-07-05 Micro Engineering Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
TW201421552A (zh) * 2012-07-26 2014-06-01 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置及清洗方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
JP3860111B2 (ja) * 2002-12-19 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置およびメッキ方法
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP4303484B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-29 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置
JP4343050B2 (ja) * 2004-07-15 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及びその方法
KR100864647B1 (ko) 2007-04-27 2008-10-23 세메스 주식회사 처리액 공급 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP5006274B2 (ja) 2008-06-25 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5129042B2 (ja) 2008-06-30 2013-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
JP2010226043A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5789986B2 (ja) 2011-01-13 2015-10-07 株式会社Sumco 枚葉式ウェーハ洗浄装置
JP5844681B2 (ja) 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP5885989B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5693439B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6051919B2 (ja) * 2012-04-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR101512560B1 (ko) * 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP5833046B2 (ja) 2013-03-12 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置および気流異常検出方法
JP6077437B2 (ja) * 2013-05-31 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびノズル洗浄方法
JP6234736B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-22 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101615567A (zh) * 2008-06-27 2009-12-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN101901777A (zh) * 2009-03-31 2010-12-01 东京毅力科创株式会社 基板支承装置及基板支承方法
TW201125062A (en) * 2009-09-30 2011-07-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus
US20120171941A1 (en) * 2010-12-22 2012-07-05 Micro Engineering Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
TW201421552A (zh) * 2012-07-26 2014-06-01 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置及清洗方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109772784A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆清洁设备及晶圆清洁方法
US11056358B2 (en) 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
CN109772784B (zh) * 2017-11-14 2022-01-25 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆清洁设备及晶圆清洁方法
US11764081B2 (en) 2017-11-14 2023-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
US20180012778A1 (en) 2018-01-11
KR101934661B1 (ko) 2019-01-02
TWI602232B (zh) 2017-10-11
KR20170096165A (ko) 2017-08-23
CN107112231B (zh) 2020-05-01
WO2016117363A1 (ja) 2016-07-28
JP2016134514A (ja) 2016-07-25
TW201637087A (zh) 2016-10-16
US10755950B2 (en) 2020-08-25
JP6461617B2 (ja) 2019-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107112231A (zh) 基板处理装置
CN100594427C (zh) 涂布膜形成装置和涂布膜形成方法
KR0176434B1 (ko) 진공 척 장치
TWI547986B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
TWI578427B (zh) 基板處理裝置
CN102108502B (zh) 成膜装置及成膜方法
CN105742203B (zh) 一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备
JP5630393B2 (ja) 成膜装置及び基板処理装置
KR20050107806A (ko) 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법
JP2011135003A (ja) 成膜装置及び成膜方法
TW201202581A (en) Vacuum-exhaust ball valve and vacuum exhaust apparatus
JP4079212B2 (ja) 塗布膜形成装置およびスピンチャック
TW201707055A (zh) 基板處理裝置
CN105938791A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
CN105900218B (zh) 基板处理装置
CN104105813B (zh) 侧排型基板处理装置
CN107437516A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
TWI527144B (zh) 基板處理裝置
JP6739268B2 (ja) 基板処理装置
JPH1187225A (ja) 基板処理装置
JP6434293B2 (ja) 基板処理装置
CN218677102U (zh) 一种匀胶吸盘
KR20130060521A (ko) 매엽식 기판 처리장치
JP6135903B2 (ja) 装置内層流化機構
JP6208021B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant