KR101899167B1 - 액 처리 장치 및 세정 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

배기 경로에 있어서의 드레인부 주변 이외의 부분의 세정을 행할 수 있는 액 처리 장치 및 세정 방법을 제공한다.
액 처리 장치(10)는, 드레인부(71 내지 74)의 근방에 마련되고, 기판 유지부(52)에 의해 유지된 기판(W)의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부(76)와, 배기부(76)에 연결되는 배기 경로(77)를 형성하는 배기 경로 형성 부재(66)와, 배기 경로(77)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정액을 공급하는 제1 세정부(90)를 구비하고 있다.

Description

액 처리 장치 및 세정 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND CLEANING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하기 위한 액 처리 장치 및 이러한 액 처리 장치에 있어서의 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 제품의 제조 프로세스나 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 프로세스가 다용되고 있다. 이러한 프로세스로서, 예컨대, 기판에 부착된 파티클이나 오염물 등을 제거하는 세정 처리 등이 있다.
이러한 액 처리를 실시하는 액 처리 장치로서, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 스핀 척에 유지하고, 기판을 회전시킨 상태로 기판의 표면 또는 표리면에 처리액(약액, 린스액 등)을 공급하여 처리를 행하는 매엽식의 액 처리 유닛이 알려져 있다.
기판에 공급된 처리액은, 회전하는 기판으로부터 털어내어져, 기판 유지대의 주변 영역에서 미스트로 되어 비산한다. 이 때문에, 종래의 액 처리 유닛에서는, 기판에 공급한 후의 처리액을 회수하기 위한 드레인부가 마련되어 있다. 또한, 드레인부의 근방에는, 기판 유지대에 의해 유지된 기판의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부가 마련되어 있다. 드레인부나 배기부가 마련된 액 처리 유닛으로서는, 예컨대 특허문헌 1 등에 개시되는 것이 종래부터 알려져 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-254019호 공보
종래의 액 처리 유닛에서는, 배기부에 이르는 배기 경로에 있어서, 처리액이 증발한 후에 남는 결정물이 부착하여 퇴적되어 버리기 때문에, 이러한 결정물을 세정할 필요가 있다. 종래는, 배기 경로에 부착된 결정물을 세정하는 데 있어서, 드레인부에 세정액을 공급하여 이 드레인부에서 세정액을 흘러 넘치게 함으로써, 배기 경로에 있어서의 드레인부 주변의 부분의 세정을 행하고 있었다. 그러나, 이러한 방법에서는, 배기 경로에 있어서의 드레인부 주변 이외의 부분의 세정을 행할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 배기 경로에 있어서의 드레인부 주변 이외의 부분의 세정을 행할 수 있는 액 처리 장치 및 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 처리액으로 처리하기 위한 액 처리 장치로서, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부와, 상기 기판 유지부를 둘러싸도록 마련된 안내컵과, 기판에 공급한 후의 처리액을 회수하기 위한 드레인부와, 상기 드레인부의 근방에 마련되고, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 처리액에 의해 처리하는 영역인 제1 영역과 상기 드레인부 및 상기 배기부가 마련된 영역인 제2 영역 사이에 마련된 배기 경로 형성 부재로서, 상기 배기 경로 형성 부재와 상기 안내컵 사이에 간극을 마련하며, 상기 안내컵 및 상기 배기 경로 형성 부재에 의해, 상기 배기부에 연결되는 배기 경로를 형성하는 배기 경로 형성 부재와, 상기 제2 영역측의 상기 배기 경로 형성 부재에 세정액을 공급하는 제1 세정부를 구비하고 있다.
본 발명의 세정 방법은, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부와, 상기 기판 유지부를 둘러싸도록 마련된 안내컵과, 기판에 공급한 후의 처리액을 회수하기 위한 드레인부와, 상기 드레인부의 근방에 마련되고, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 처리액에 의해 처리하는 영역인 제1 영역과 상기 드레인부 및 상기 배기부가 마련된 영역인 제2 영역 사이에 마련된 배기 경로 형성 부재로서, 상기 배기 경로 형성 부재와 상기 안내컵 사이에 간극을 마련하며, 상기 안내컵 및 상기 배기 경로 형성 부재에 의해, 상기 배기부에 연결되는 배기 경로를 형성하는 배기 경로 형성 부재를 구비한 액 처리 장치에 있어서의 세정 방법으로서, 상기 제2 영역측의 상기 배기 경로 형성 부재에 세정액을 공급하는 제1 세정 공정을 포함하고 있다.
본 발명의 액 처리 장치 및 세정 방법에 따르면, 배기부에 이르는 배기 경로에 있어서의 드레인부 주변 이외의 부분의 세정을 행할 수 있어, 처리액이 증발한 후의 결정물이 배기 경로에 부착하여 퇴적되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 액 처리 장치의 전체 구성을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 액 처리 장치에 마련된 액 처리 유닛의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 3의 (a)∼(c)는 도 2에 나타내는 액 처리 유닛에 있어서의, 제2 안내컵 및 제3 안내컵이 각각 하방 위치, 중앙 위치, 상방 위치에 위치하고 있을 때의 상태를 나타내는 도면이다.
도 4의 (a)는 도 2에 나타내는 액 처리 유닛에 마련된 배기 덕트의 구성을 나타내는 단면도이고, (b)는 (a)에 나타내는 배기 덕트의 A-A 화살표에 의한 단면도이다.
도 5는 액 처리 유닛의 다른 실시형태의 구성을 나타내는 구성도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 3은 본 실시형태에 따른 액 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 이 중, 도 1은 본 실시형태에 있어서의 액 처리 장치의 전체 구성을 나타내는 횡단 평면도이고, 도 2는 도 1에 나타내는 액 처리 장치에 마련된 액 처리 유닛의 구성을 나타내는 구성도이다. 또한, 도 3의 (a)∼(c)는 도 2에 나타내는 액 처리 유닛에 있어서의, 제2 안내컵 및 제3 안내컵이 각각 하방 위치, 중앙 위치, 상방 위치에 위치하고 있을 때의 상태를 나타내는 도면이다.
우선, 본 실시형태의 액 처리 장치의 전체 구성에 대해서 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1에 나타내는 액 처리 장치(10)는, 피처리체인 기판(W)(이하, 웨이퍼(W)라고도 함)에 처리 유체인 약액을 공급하여 웨이퍼(W)에 부착된 파티클이나 오염 물질을 제거하는 액 처리를 행하는 것이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)는, 외부로부터 복수매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(24)의 반입출이 행해지는 캐리어 배치 블록(20)과, 웨이퍼(W)의 전달부를 구비한 전달 블록(30)과, 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 액 처리를 행하는 처리 블록(40)을 구비하고 있다. 이들은, 캐리어 배치 블록(20)을 전방측으로 하여, 캐리어 배치 블록(20), 전달 블록(30), 처리 블록(40)이 전후 방향(도 1에 있어서의 X 방향)으로 일렬로 배열되어, 서로 접속되어 있다.
캐리어 배치 블록(20)은, 예컨대 4개의 캐리어(24)가 배치되는 캐리어 배치부(22)를 구비하며, 그 캐리어 배치부(22) 상에 배치된 캐리어(24)와 전달 블록(30) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제1 반송부(26)를 구비하고 있다. 이 제1 반송부(26)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암(28)이, 예컨대 전후 방향으로 진퇴 가능, 좌우 방향(도 1에 있어서의 Y 방향)으로 이동 가능, 회전 가능 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
전달 블록(30)은, 전달 스테이지(32)를 다단으로 구비하고 있고, 이 전달 스테이지(32)에 대해서는, 제1 반송부(26)와, 후술하는 처리 블록(40)에 마련된 제2 반송부(42)가 각각 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리 블록(40)은, 전후 방향(도 1에 있어서의 X 방향)으로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(46)를 구비하고 있고, 이 반송로(46)에는, 제2 반송부(42)가 마련되어 있다. 또한, 반송로(46)를 사이에 두고, 캐리어 배치 블록(20)측에서 보아 좌우에 각각, 예컨대 4대의 액 처리 유닛(50)이 서로 대향하도록 마련되어 있다. 제2 반송부(42)는, 합계 8대의 액 처리 유닛(50) 및 전술한 전달 스테이지(32)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 되어 있다. 이 제2 반송부(42)는, 웨이퍼(W)의 이면측 주연을 유지하는 유지 아암(44)이 진퇴 가능, 회전 가능, 승강 가능 및 반송로(46)를 따라 이동 가능하게 마련되어 있다.
다음에, 액 처리 유닛(50)의 구성의 상세에 대해서 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 액 처리 유닛(50)은, 웨이퍼(W)가 제2 반송부(42)의 유지 아암(44)에 의해 반입출되어 처리되는 액 처리실(51)과, 액 처리실(51) 내에 마련되며, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 회전 가능한 기판 유지대(기판 유지부)(52)를 구비하고 있다. 이 기판 유지대(52)에는, 회전 구동축(53)을 통해, 기판 유지대(52)를 회전시키는 회전 모터(기판 회전 기구)(54)가 연결되어 있다. 또한, 기판 유지대(52)에는 복수(예컨대 3개, 도 2에서는 2개밖에 도시하지 않음)의 척 핀(52a)이 마련되어 있고, 웨이퍼(W)는 척 핀(52a) 상에 배치되도록 되어 있다. 또한, 척 핀(52a) 상에 배치된 웨이퍼(W)는, 도시하지 않는 메카니컬 척에 의해 기판 유지대(52)의 주연부에 있어서 유지되고, 회전 모터(54)를 구동시킴으로써 수평면 내에서 회전하도록 되어 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 액 처리실(51)에는, 기판 유지대(52)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 복수 종류의 처리액을 선택적으로 토출(공급)하는 노즐(처리액 공급부)(55)이 마련되어 있다. 즉, 노즐(55)에는, 산성 처리액의 공급원(56a), 알칼리성 처리액의 공급원(56b), 세정액의 공급원(56c), 및 유기성 처리액의 공급원(56d)이 각각 접속되어 있고, 이들 공급원(56a∼56d)으로부터 산성 처리액, 알칼리성 처리액, 세정액 및 유기성 처리액이 선택적으로 노즐(55)에 보내져, 웨이퍼(W)의 표면에 토출되도록 되어 있다. 또한, 산성 처리액으로서는, 예컨대, SPM액(황산과 과산화수소수의 혼합 용액), HF액(플루오르화수소액), 또는 SC2(염산과 과산화수소수의 혼합 용액) 등을 이용할 수 있고, 알칼리성 처리액으로서는, 예컨대, SC1액(암모니아과수) 또는 암모니아수 등을 이용할 수 있다. 또한, 세정액으로서는, 예컨대, 순수 등을 이용할 수 있고, 유기성 처리액으로서는, 예컨대, IPA액(이소프로필알콜액) 등을 이용할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 액 처리실(51)의 상방에는 FFU(팬 필터 유닛)(80)가 마련되어 있고, 이 FFU(80)에 의해 다운 플로우로 액 처리실(51)에 청정한 공기가 보내지도록 되어 있다.
기판 유지대(52)의 주변에는, 기판 유지대(52)와 함께 회전하며, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액이나 그 미스트를 안내하는 외측 안내 회전컵(60) 및 내측 안내 회전컵(62)이 각각 마련되어 있다. 이들 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)은, 상하부 개구부를 가지며, 전체적으로는 링형으로 형성되고, 상부 개구부의 개구 직경보다 하단부의 개구 직경 쪽이 크게 되어 있다.
기판 유지대(52)의 주변에는, 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)에 의해 안내된 처리액을 받아 하방으로 안내하기 위해, 제1 안내컵(81), 제2 안내컵(82), 및 제3 안내컵(83)이, 위에서부터 순서대로 마련되어 있다. 그리고, 제1 안내컵(81)의 내측과 제2 안내컵(82)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여, 유기성 처리액을 안내한다. 또한, 제2 안내컵(82)의 내측과 제3 안내컵(83)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여, 알칼리성 처리액을 안내한다. 또한, 제3 안내컵(83)의 내측과 후술하는 배기 경로 형성 부재(66)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여, 산성 처리액을 안내한다. 또한, 제2 안내컵(82)이 산성 처리액을 안내하고, 제3 안내컵(83)이 알칼리성 처리액을 안내하도록 하여도 좋다. 또한, 각 안내컵(81, 82, 83)은, 전체적으로 링형으로 형성되어 있고, 제1 안내컵(81)은 액 처리실(51)에 대하여 고정되어 있다. 또한, 제2 안내컵(82)은 승강 실린더(도시하지 않음)에 연결되어 있어, 제1 안내컵(81)에 대하여 승강 가능하게 되어 있다. 보다 상세하게는, 제2 안내컵(82)은, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같은 하방 위치, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치, 및 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같은 상방 위치의 사이에서 승강하도록 되어 있다.
또한, 제3 안내컵(83)은, 제2 안내컵(82)의 승강 운동의 일부에 있어서, 제2 안내컵(82)과 함께 승강 가능하게 구성되어 있다. 보다 상세하게는, 제3 안내컵(83)은, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같은 하방 위치, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치, 및 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같은 상방 위치의 사이에서 승강하도록 되어 있다. 또한, 하방 위치와 중앙 위치는 동일한 높이여도 좋다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 안내컵(81), 제2 안내컵(82), 제3 안내컵(83)의 하방 영역의 외주측에는, 제1 안내컵(81)의 내측과 제2 안내컵(82)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여 안내된 유기성 처리액을 회수하는 제1 처리액 회수용 탱크(71)가 마련되어 있다. 제1 처리액 회수용 탱크(71)의 내주측에는, 제2 안내컵(82)의 내측과 제3 안내컵(83)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여 안내된 알칼리성 처리액을 회수하는 제2 처리액 회수용 탱크(72)가 마련되어 있다. 제2 처리액 회수용 탱크(72)의 내주측에는, 제3 안내컵(83)의 내측과 후술하는 배기 경로 형성 부재(66)의 외측에서 형성되는 경로를 통하여 안내된 산성 처리액을 회수하는 제3 처리액 회수용 탱크(73)가 마련되어 있다. 또한, 제3 처리액 회수용 탱크(73)의 내측에는, 후술하는 배기 경로 형성 부재(66)에서 받은 각 처리액을 혼합 상태로 회수하는 제4 처리액 회수용 탱크(74)가 마련되어 있다. 본 명세서에서는, 이들 제1∼제4 처리액 회수용 탱크(71∼74)를 합쳐서 드레인부라고도 한다.
또한, 제1 처리액 회수용 탱크(71)와 제2 처리액 회수용 탱크(72) 사이에는, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기를, 제1 안내컵(81) 및 제2 안내컵(82)을 통해 배출하는 제1 배기부(75)가 마련되어 있다. 이 제1 배기부(75)는, 링형의 평면 단면을 가지고, 각 처리액 회수용 탱크(71∼74)와 함께, 동심 원형으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 제4 처리액 회수용 탱크(74)의 내주측에는, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기를, 제3 안내컵(83)을 통해 배출하는 제2 배기부(76)가 마련되어 있다. 이때에, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는 배기 경로(77)를 통과하여 제2 배기부(76)에 이르도록 되어 있다. 이들 제1 배기부(75) 및 제2 배기부(76)의 하방에는 배기 덕트(100)가 마련되어 있고, 제1 배기부(75)나 제2 배기부(76)에 의한 배기는 배기 덕트(100)에서 합류되어, 그 배기 덕트(100)로부터 배출되도록 되어 있다. 배기 덕트(100)에 의해, 합류된 배기에 대해서, 산의 분위기, 알칼리의 분위기 및 유기의 분위기를 재차 개별로 나누어 공장에 배출할 수 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 안내컵(82)의 하단부에, 제1 안내컵(81)으로부터의 처리액을 제1 처리액 회수용 탱크(71)에 안내하며 제2 안내컵(82)으로부터의 처리액을 제2 처리액 회수용 탱크(72)에 안내하는 안내 부재(64)가 마련되어 있다. 이 안내 부재(64)는, 제1 배기부(75)의 상방을 덮도록, 전체적으로 링형으로 형성되어 있고, 제1 배기부(75)를 향하여 개방되는 U자형 단면을 갖고 있다. 이 안내 부재(64)는 제2 안내컵(82)과 연동하여 승강 운동을 행하도록 되어 있어도 좋다.
또한, 제2 처리액 회수용 탱크(72)와 제3 처리액 회수용 탱크(73) 사이로부터 상방으로 연장되도록 구획벽(84)이 마련되어 있다. 이 구획벽(84)은, 제2 안내컵(82)으로부터 제2 처리액 회수용 탱크(72)로의 유로(도 3의 (b) 참조)와, 제3 안내컵(83)으로부터 제3 처리액 회수용 탱크(73)로의 유로(도 3의 (c) 참조)를 구획하도록 되어 있다. 이러한 구획벽(84)에 의해, 산성의 분위기 및 알칼리성의 분위기가 섞이는 것이 방지되어, 산성의 분위기 및 알칼리성의 분위기가 섞여서 결정화되는 일이 없으며, 이 때문에 세정을 행할 필요가 없어진다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 유지대(52)의 하방에는 배기 경로 형성 부재(66)가 마련되어 있고, 이 배기 경로 형성 부재(66)는, 기판 유지대(52)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 주위의 영역인 액 처리실(51)(제1 영역)과, 제3 처리액 회수용 탱크(73), 제4 처리액 회수용 탱크(74) 및 제2 배기부(76)가 마련된 영역인 배기 경로(77)(제2 영역)를 격리하도록 되어 있다. 이러한 배기 경로 형성 부재(66)에 의해, 액 처리실(51)과 배기 경로(77)를 격리하고 있기 때문에, 보다 청정도가 높은 환경 하에서 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 있다. 여기서, 배기 경로 형성 부재(66)에는, 그 배기 경로 형성 부재(66)로부터 제3 처리액 회수용 탱크(73) 및 제4 처리액 회수용 탱크(74)를 향하여 각각 하방으로 연장되는 제1 안내판(68) 및 제2 안내판(69)이 마련되어 있다. 제1 안내판(68) 및 제2 안내판(69)에 의해, 배기 경로(77)를 향하여 배기를 안내할 수 있고, 또한, 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)를 향하여 배액을 안내할 수 있다. 또한, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 액 처리실(51)에 면하는 부분(즉, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 상면측)에는 오목부(66a)가 형성되어 있고, 후술하는 제2 세정부(92)에 의해 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 세정액이 공급되도록 되어 있다.
또한, 배기 경로 형성 부재(66)에는 관통 구멍(66b)이 마련되어 있어, 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 공급된 세정액은 관통 구멍(66b)을 통과하여 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 보내지도록 되어 있다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 배기 경로 형성 부재(66)의 외주단에는 상방으로 연장되는 링 부재(66c)가 마련되어 있고, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 제2 안내컵(82)이 상방 위치에 있을 때에 이 링 부재(66c)와 제3 안내컵(83) 사이에서 배기로가 형성되도록 되어 있다. 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 제2 안내컵(82)이 상방 위치에 있을 때에는, 구획벽(84)의 외측에 제3 영역(79)이 형성된다.
본 실시형태에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 배기부(76)의 근방에, 제1 세정부(90) 및 제2 세정부(92)가 각각 마련되어 있다. 이들 제1 세정부(90) 및 제2 세정부(92)는, 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측에 배치되어 있다.
제1 세정부(90)는, 세정액을 상방을 향하여 분무하는 노즐을 포함하고 있고, 이 제1 세정부(90)에 의해, 배기 경로(77)(제2 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정하도록 되어 있다. 보다 상세하게는, 제1 세정부(90)는, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측(내주측)의 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정하도록 되어 있다. 바꾸어 말하면, 제1 세정부(90)는, 배기 경로(77)의 배기 방향(도 3의 (c)의 2점 쇄선의 화살표 참조)에 있어서의 제2 안내판(69)보다 하류측의 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정하도록 되어 있다. 이러한 제1 세정부(90)는, 하나의 액 처리 유닛(50)에 있어서, 기판 유지대(52)의 둘레 방향을 따라 등간격으로, 예컨대 3개 마련되어 있다. 또한, 노즐은, 세정액을 예컨대 광각 부채꼴로 액적으로서 분무하고 있기 때문에, 넓은 범위를 세정할 수 있다. 또한, 세정액은 액적으로서 분무되기 때문에, 배기의 흐름을 타고 보다 넓은 범위를 세정할 수 있다.
또한, 제2 세정부(92)는 가늘고 긴 노즐을 포함하고, 이 제2 세정부(92)는, 액 처리실(51)(제1 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정액을 공급하여, 해당 부분을 세정하도록 되어 있다. 보다 상세하게는, 제2 세정부(92)에 의해 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 세정액이 공급되도록 되어 있다. 그리고, 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 공급된 세정액은, 관통 구멍(66b)을 통하여 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 보내지게 된다. 또한, 제2 세정부(92)는 그 상단부로부터 상방을 향하여 세정액을 분무하도록 되어 있기 때문에, 이 제2 세정부(92)에 의해, 기판 유지대(52)에 있어서의 배기 경로 형성 부재(66)에 대향하는 부분에도 세정액이 공급되게 된다. 이러한 제2 세정부(92)는, 하나의 액 처리 유닛(50)에 있어서, 예컨대 1개 마련되어 있다.
다음에, 이러한 구성을 포함하는 액 처리 유닛(50)에 의한 웨이퍼(W)의 액 처리 방법에 대해서 이하에 설명한다.
우선, 제2 반송부(42)의 유지 아암(44)에 의해 웨이퍼(W)가 액 처리 유닛(50)의 액 처리실(51) 내에 반입되어, 기판 유지대(52)에 유지된다.
계속해서, 회전 모터(54)에 의해, 웨이퍼(W)를 유지한 기판 유지대(52)가, 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)과 함께 회전 구동된다. 이에 의해, 기판 유지대(52)에 의해 유지된 웨이퍼(W)가 수평면 내에서 회전한다.
다음에, 웨이퍼(W)가 산성 처리액에 의해 처리된다. 이 경우, 산성 처리액이 산성 처리액 공급원(56a)으로부터 노즐(55)에 공급되고, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면에 토출된다. 이 경우, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2 안내컵(82) 및 제3 안내컵(83)은 각각 상방 위치에 위치하고 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)로부터 비산하여 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)에 의해 안내된, 미스트를 포함하는 산성 처리액은, 제3 안내컵(83)과 배기 경로 형성 부재(66)의 외주벽 사이의 공간을 따라 안내되고, 구획벽(84)의 내주측을 통하여 제3 처리액 회수용 탱크(73)에 보내져 회수된다(도 3의 (c)의 실선의 화살표 참조). 또한, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는, 배기 경로(77)를 통과하여 제2 배기부(76)에 의해 배출되어 배기 덕트(100)에 보내지게 된다(도 3의 (c)의 2점 쇄선의 화살표 참조). 이때에, 제3 안내컵(83) 및 구획벽(84)에 의해 배기 경로(77)(제2 영역)와 제3 영역(79)(구획벽(84)의 외측에 형성된 영역)이 격리된다. 이 때문에, 배기 경로(77)(제2 영역)로부터 제3 영역(79)으로 분위기가 흐르는 일은 없다.
웨이퍼(W)의 산성 처리액에 의한 처리가 종료한 후, 웨이퍼(W)가 린스 처리된다. 이 경우, 세정액이 세정액 공급원(56c)으로부터 노즐(55)에 공급되고, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면에 토출된다. 이 동안, 웨이퍼(W)로부터 비산된 세정액은, 제3 처리액 회수용 탱크(73)에 회수되며, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는 제2 배기부(76)에 의해 배출된다.
다음에, 도시하지 않는 승강 실린더에 의해, 제2 안내컵(82) 및 제3 안내컵(83)이 하강하여, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같은 상방 위치로부터 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치까지 이동한다. 이때에, 안내 부재(64)도 제2 안내컵(82)에 연동하여 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치까지 이동한다. 그 후, 웨이퍼(W)가 알칼리성 처리액에 의해 처리된다. 이 경우, 알칼리성 처리액이 알칼리성 처리액 공급원(56b)으로부터 노즐(55)에 공급되고, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면에 토출된다. 전술한 바와 같이, 제2 안내컵(82) 및 제3 안내컵(83)은 각각 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치에 위치하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 비산하여 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)에 의해 안내된, 미스트를 포함하는 알칼리성 처리액은, 제2 안내컵(82)과 제3 안내컵(83) 사이의 공간을 따라 안내되고, 안내 부재(64)와 구획벽(84) 사이의 공간을 통과하여 제2 처리액 회수용 탱크(72)에 보내져 회수된다(도 3의 (b)의 실선의 화살표 참조). 또한, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는, 제1 배기부(75)에 의해 배출되어 배기 덕트(100)에 보내지게 된다(도 3의 (b)의 2점 쇄선의 화살표 참조).
웨이퍼(W)의 알칼리성 처리액에 의한 처리가 종료한 후, 웨이퍼(W)가 린스 처리된다. 이 경우, 세정액이 세정액 공급원(56c)으로부터 노즐(55)에 공급되고, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면에 토출된다. 이 동안, 웨이퍼(W)로부터 비산된 세정액은, 알칼리성 처리액과 동일하게 하여, 제2 처리액 회수용 탱크(72)에 회수되며, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는 제1 배기부(75)에 의해 배출된다.
다음에, 도시하지 않는 승강 실린더에 의해, 제2 안내컵(82) 및 제3 안내컵(83)이 더 하강하여, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같은 중앙 위치로부터 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같은 하방 위치까지 이동한다. 이때에, 안내 부재(64)도 제2 안내컵(82)과 일체적으로 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같은 하방 위치까지 이동한다. 그 후, 웨이퍼(W)가 유기성 처리액에 의해 건조 처리된다. 이 경우, 유기성 처리액이 유기성 처리액 공급원(56d)으로부터 노즐(55)에 공급되고, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면에 토출된다. 전술한 바와 같이, 제2 안내컵(82) 및 제3 안내컵(83)은 각각 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같은 하방 위치에 위치하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 비산하여 외측 안내 회전컵(60)이나 내측 안내 회전컵(62)에 의해 안내된 유기성 처리액은, 제1 안내컵(81)과 제2 안내컵(82) 사이의 공간을 따라 안내되고, 안내 부재(64)의 외주측을 통과하여 제1 처리액 회수용 탱크(71)에 보내져 회수된다(도 3의 (a)의 실선의 화살표 참조). 또한, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기는, 알칼리성 처리액과 동일하게 하여 안내되고, 제1 배기부(75)에 의해 배출되어 배기 덕트(100)에 보내지게 된다(도 3의 (a)의 2점 쇄선의 화살표 참조).
이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 처리가 종료한다. 그 후, 제2 반송부(42)의 유지 아암(44)에 의해 웨이퍼(W)가 기판 유지대(52)로부터 제거되어, 액 처리 유닛(50)의 액 처리실(51)로부터 반출된다.
다음에, 도 2 등에 나타내는 바와 같은 액 처리 유닛(50)에 있어서의, 제2 배기부(76)에 이르는 배기 경로(77)의 세정 방법에 대해서 이하에 설명한다. 또한, 배기 경로(77)를 세정하는 타이밍은, 로트 사이 혹은 정해진 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후가 된다. 혹은, 웨이퍼(W)의 처리 중에 배기 경로(77)를 세정하여도 좋다. 액 처리 유닛(50)에 의해 웨이퍼(W)의 액 처리를 장기간 행하면, 배기 경로(77)(제2 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 처리액의 결정물이 부착하여 퇴적되어 버린다. 이 때문에, 이러한 부분의 세정을 행하여 결정물을 제거할 필요가 있다. 또한, 결정물로서는, BHF(버퍼드 플루오르화수소산, 산 성분과 알칼리 성분이 반응함으로써 생성되는 염)를 들 수 있다. 배기 경로(77)에는, 관통 구멍(66b)으로부터 모든 약액이 유입되기 때문에, 배기 경로(77)(제2 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에서 반응하여 결정이 되기 쉽다. 이 때문에, 배기 경로(77)(제2 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)를 세정할 필요가 있다.
제2 배기부(76)에 이르는 배기 경로(77)의 세정을 행하는 데 있어서, 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 노즐(55)로부터 세정액을 공급하여, 이들 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)에서 세정액을 흘러 넘치게 함으로써, 배기 경로(77)에 있어서의 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)의 근방의 부분에 부착하여 퇴적된 결정물의 제거를 행한다. 이때에, 제1 세정부(90)에 의해 상방을 향하여 세정액을 분무한다. 이에 의해, 도 2에 있어서의 2점 쇄선(R)으로 둘러싼 부분에 세정액이 공급되게 된다. 이와 같이 하여, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 배기 경로(77)(제2 영역)에 면하는 부분에 세정액이 공급되기 때문에, 해당 부분을 세정할 수 있다. 보다 상세하게는, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측(내주측)의 부분에 세정액이 공급되어, 해당 부분이 세정된다. 바꾸어 말하면, 배기 경로(77)의 배기 방향(도 3의 (c)의 2점 쇄선의 화살표 참조)에 있어서의 제2 안내판(69)보다 하류측의 부분에 세정액이 공급되어, 해당 부분이 세정된다.
또한, 제2 세정부(92)에 의해, 액 처리실(51)(제1 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정을 행할 수 있다. 구체적으로는, 제2 세정부(92)에 의해 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 세정액을 공급함으로써, 오목부(66a)의 세정이 행해진다. 액 처리실(51)(제1 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에는 산, 알칼리, 유기의 모든 약액이 유입되기 때문에, 반응하여 결정이 되기 쉽다. 이 때문에, 액 처리실(51)(제1 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)를 세정할 필요가 있다. 또한, 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 공급된 세정액은 관통 구멍(66b)을 통과하여 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 보내진다. 또한, 제2 세정부(92)는 그 상단부로부터 상방을 향하여 세정액을 분무하도록 되어 있기 때문에, 이 제2 세정부(92)에 의해, 기판 유지대(52)에서의 배기 경로 형성 부재(66)에 대향하는 부분에도 세정액이 공급된다. 이에 의해, 기판 유지대(52)에서의 배기 경로 형성 부재(66)에 대향하는 부분의 세정도 행할 수 있게 된다.
이상과 같이 본 실시형태의 액 처리 장치(10)나 세정 방법에 따르면, 제1 세정부(90)에 의해, 배기 경로(77)(제2 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정액을 공급하도록 되어 있다. 이에 의해, 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 세정액을 공급하여, 이들 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)에서 세정액을 흘러 넘치게 하는 것만으로는 세정할 수 없었던, 배기 경로(77)에 있어서의 제3 처리액 회수용 탱크(73)나 제4 처리액 회수용 탱크(74)의 주변 이외의 부분(구체적으로는, 예컨대 도 2에 있어서 2점 쇄선(R)으로 둘러싼 부분)의 세정을 행할 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)나 세정 방법에 있어서는, 제1 세정부(90)는, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 적어도 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측의 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정하도록 되어 있다. 바꾸어 말하면, 제1 세정부(90)는, 적어도 배기 경로(77)의 배기 방향에 있어서의 제2 안내판(69)보다 하류측의 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정하도록 되어 있다.
또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 제1 세정부(90)는, 세정액을 액적 상태로 공급하는 노즐이다. 또한, 제1 세정부(90)는 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측의 부분에 배치되어 있다.
또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)나 세정 방법에 있어서는, 제2 세정부(92)에 의해, 액 처리실(51)(제1 영역)측의 배기 경로 형성 부재(66)에 세정액을 공급하도록 되어 있다. 이에 의해, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 액 처리실(51)에 면하는 부분에 부착된 처리액의 결정물을 제거할 수 있게 된다.
여기서, 액 처리실(51)측의 배기 경로 형성 부재(66)에는 오목부(66a)가 형성되어 있고, 제2 세정부(92)에 의해 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 세정액이 공급되도록 되어 있다. 또한, 배기 경로 형성 부재(66)에는 관통 구멍(66b)이 마련되어 있어, 배기 경로 형성 부재(66)의 상면측에 공급된 세정액은 관통 구멍(66b)을 통과하여 제4 처리액 회수용 탱크(74)에 보내지도록 되어 있다.
또한, 제2 세정부(92)에 의해, 기판 유지대(52)에 있어서의 배기 경로 형성 부재(66)에 대향하는 부분에도 세정액이 공급되도록 되어 있다. 이에 의해, 기판 유지대(52)에 있어서의 배기 경로 형성 부재(66)에 대향하는 부분에 부착된 처리액의 결정물을 제거할 수 있게 된다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 세정부(92)는 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측의 부분에 배치되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 액 처리 장치 및 세정 방법은, 상기 양태에 한정되는 것이 아니며, 여러가지의 변경을 부가할 수 있다.
예컨대, 제1 세정부(90)의 설치 위치는, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 배기 경로(77)에 면하는 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정할 수 있는 위치이면, 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측의 부분에 한정되는 일은 없다. 마찬가지로, 제2 세정부(92)의 설치 위치는, 배기 경로 형성 부재(66)에 있어서의 액 처리실(51)에 면하는 부분에 세정액을 공급하여 해당 부분을 세정할 수 있는 위치이면, 제4 처리액 회수용 탱크(74)보다 반경 방향 내측의 부분에 한정되는 일은 없다.
또한, 제1 배기부(75)나 제2 배기부(76)로부터 배기가 보내지는 배기 덕트(100)에, 그 배기 덕트(100) 내의 세정을 행하는 배기 덕트 세정 기구가 마련되어도 좋다. 이하, 이러한 배기 덕트 세정 기구의 구성에 대해서 도 4의 (a), (b)를 이용하여 설명한다. 여기서, 도 4의 (a)는 도 2에 나타내는 액 처리 유닛에 마련된 배기 덕트의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 나타내는 배기 덕트의 A-A 화살표에 의한 단면도이다.
도 4의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 배기 덕트(100)는, 외통(102) 및 내통(104)을 포함하는 2중관 구조로 되어 있다. 내통(104)은 도시하지 않는 회전 기구에 의해 회전하도록 되어 있다. 또한, 내통(104)에는 개구부(104a)가 마련되어 있고, 이 개구부(104a)를 통해, 외통(102)과 내통(104) 사이의 공간과, 내통(104) 내의 공간이 연통하도록 되어 있다. 또한, 외통(102)의 외주면에는 세정부(106)가 마련되어 있고, 이 세정부(106)에 의해 외통(102)과 내통(104) 사이의 공간에 세정액이 공급되도록 되어 있다. 보다 상세하게는, 세정부(106)에는 세정액 공급원(108)이 접속되어 있고, 이 세정액 공급원(108)에 의해 세정부(106) 내에 세정액이 공급되도록 되어 있다. 또한, 외통(102)에는 개구부(102a)가 마련되어 있고, 이 개구부(102a)를 통해 세정부(106)로부터 외통(102) 내에 세정액이 공급된다. 이와 같이 하여, 배기 덕트(100)의 세정을 행할 때에는, 개구부(102a)를 통해 세정부(106)로부터 외통(102) 내에 세정액을 공급함으로써, 개구부(104a)를 통해 내통(104) 내에도 세정액이 보내지게 되기 때문에, 배기 덕트(100)의 외통(102)의 내주벽 및 내통(104)의 내주벽이나 외주벽을 구석구석 세정할 수 있게 된다.
다음에, 도 5를 참조하여 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에 있어서는, 도 2에 나타내는 제1 실시형태(상기 「본 실시형태」를 의미한다. 이하 동일함)와의 차이점에 대해서 설명한다. 제2 실시형태를 나타내는 도 5에 있어서, 제1 실시형태를 나타내는 도 2와 동일한 참조 부호가 첨부되어 있는 부재는 동일한 부재이며, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다.
제2 실시형태에서는, 제1 실시형태의 제1 세정부(90) 대신에, 제1 세정부(190)가 마련되어 있다. 제1 세정부(190)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 배기 경로(77)보다 반경 방향 내측의 영역, 구체적으로는 제2 배기부(76) 내에 배치되어 있다. 제1 세정부(190)는, 중공의 링 형상의 노즐체로서 형성되고, 복수, 예컨대 90개의 제1 토출구(190a)와, 복수, 예컨대 30개의 제2 토출구(190b)를 갖고 있다. 제1 토출구(190a)는 원주 방향을 따라 등간격으로 마련되고, 제2 토출구(190b)도 원주 방향을 따라 등간격으로 마련되어 있다. 제1 세정부(190)의 내부에는, 원주를 따라 연장되는 유로(190c)가 마련되어 있다. 유로(190c)는, 세정액 공급원(190d)에 개폐 밸브를 통해 접속되어 있다. 세정액 공급원(190d)으로부터 제1 세정부(190)에 세정액을 공급함으로써, 제1 토출구(190a) 및 제2 토출구(190b)로부터 세정액이 토출된다. 제2 실시형태의 제1 세정부(190)는, 제1 실시형태의 제1 세정부(90)와 같이 액적(2류체)을 분무하는 것이 아니며, 액체를 선형으로 분사하도록 구성되어 있다.
또한, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태의 배기 경로 형성 부재(66) 대신에, 배기 경로 형성 부재(166)가 마련되어 있다. 배기 경로 형성 부재(166)의 하면측에는, 제3 처리액 회수용 탱크(73)를 향하여 하방을 향하여 돌출하는 안내 돌기(168)가 마련되어 있다. 안내 돌기(168)는, 제1 실시형태의 제1 안내판(68)과 마찬가지로, 기액 혼상류에 포함되는 액체 성분(도 5의 화살표(L)를 참조)을 안내 돌기(168)의 하방의 제3 처리액 회수용 탱크(73)에 유도하는 한편, 가스 성분(배기)(도 5의 화살표(G)를 참조)을 배기 경로(77)의 하류측(반경 방향 내측)으로 유도한다. 배기 경로 형성 부재(166)의 하면 중의 안내 돌기(168)의 하단(168a)보다 반경 방향 내측의 영역은, 링형의 제1 둘레면(166a)과, 제1 둘레면(166a)의 외측에 접속된 링형의 제2 둘레면(166b)과, 제2 둘레면(166b)의 외측에 접속된 링형의 제3 둘레면(166c)으로 구성되어 있다. 제1 둘레면(166a)은 반경 방향 외측으로 감에 따라 높아지도록 경사져 있고, 제2 둘레면(166b) 및 제3 둘레면(166c)은 반경 방향 외측으로 감에 따라 낮아지도록 경사져 있으며, 제3 둘레면(166c)의 구배는 제2 둘레면(166b)의 구배보다 크다.
제1 세정부(190)의 제1 토출구(190a)는, 반경 방향 외향으로 또한 경사 상방으로 세정액을 토출한다(도 5의 제1 토출구(190a)로부터 연장되는 파선 화살표를 참조). 제1 토출구(190a)로부터 토출된 세정액은, 제2 둘레면(166b), 바람직하게는 제2 둘레면(166b) 내주 단부 영역에 충돌한다. 제2 둘레면(166b)에 충돌한 제1 토출구(190a)로부터의 세정액은, (1) 그 일부가, 제2 둘레면(166b)에 되튀겨져 제3 처리액 회수용 탱크(73) 및 제4 처리액 회수용 탱크(74)를 향하여 비산하고(도 5의 파선 화살표를 참조), (2) 다른 일부가, 제2 둘레면(166b)을 따라 반경 방향 외향으로 흐른 후에, 또한 제3 둘레면(166c)을 따라 반경 방향 외향으로 흘러, 안내 돌기(168)의 하단(168a)으로부터 제3 처리액 회수용 탱크(73) 내에 낙하하고, (3) 또한 다른 일부는(세정액 유량이 충분히 크면) 제1 둘레면(166a) 상에도 유입하여 제1 둘레면(166a) 상을 반경 방향 내향으로 흐른다. 특히 상기 (2)의 흐름은, 배기 경로 형성 부재(166)의 하면 중의 제1 토출구(190a)로부터의 세정액의 제2 둘레면(166b) 상에 충돌 위치로부터 안내 돌기(168)의 하단(168a)에 이르기까지의 구간 내에 있어서만 반경 방향 외측으로 감에 따라 낮아지도록 경사져 있어, 그 구간 내에 상기(2)의 흐름을 방해하는 것 같은 하향의 돌출부가 존재하지 않음으로써 실현된다. 또한, 제3 둘레면(166c)의 경사가 제2 둘레면(166b)의 경사보다도 급함으로써, 세정액은 확실하게 안내 돌기(168)의 하단(168a)까지 도달한다. 또한, 제2 둘레면(166b)과 제3 둘레면(166c)을 동일 경사각을 갖는 연속한 단일의 둘레면으로 하여도 좋다.
전술한 바와 같이, 이 제2 실시형태에 따르면, 제1 세정부(190)의 제1 토출구(190a)의 세정액의 토출 양태와 배기 경로 형성 부재(166)의 하면의 형상에 의해, 제1 토출구(190a)로부터 토출된 세정액에 의해 넓은 범위를 세정할 수 있도록 되어 있다. 제1 실시형태에서는, 제1 안내판(68)과 제2 안내판(69) 사이에 낀 오목 공간 내에 제1 세정부(90)로부터의 세정액을 도달시키기 어려워, 이 오목 공간에 면하는 제1 안내판(68) 및 제2 안내판(69)의 표면에 결정물이 퇴적하면, 그것을 충분히 제거할 수 없는 경우가 있다. 그러나, 이 제2 실시형태에서는, 배기 경로 형성 부재(166)의 하면의 안내 돌기(168)의 하단(168a)보다 내측의 전체 영역에 세정액이 고루 미치기 때문에, 배기 경로 형성 부재(166)의 하면측에 결정물이 퇴적하여도, 그것을 확실하게 제거할 수 있다.
제1 세정부(190)의 제2 토출구(190b)는, 반경 방향 외측 또한 수평 방향으로 세정액을 토출하도록 마련되어 있고, 제2 배기부(76)와 제4 처리액 회수용 탱크(74)를 구획하는 벽체(78)의 내주면(78a)을 향하여 세정액을 토출한다. 내주면(78a)에 충돌한 제2 토출구(190b)로부터의 세정액은, 내주면(78a)을 따라 유하하고(도 5의 파선 화살표를 참조), 제1 내지 제4 처리액 회수용 탱크(71 내지 74)의 하방에 마련된, 제2 배기부(76)에 연통하는 배기 통로(76A) 내를 흐르며(도 5의 파선 화살표를 참조), 이에 의해 배기 통로(76A) 내를 세정할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 배기 통로(76A) 내에 결정물이 퇴적되면 그것을 충분히 제거할 수 없는 경우가 있었지만, 제2 실시형태에서는 배기 통로(76A) 내의 결정물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 세정액 유량이 충분히 크면, 내주면(78a)에 충돌한 제2 토출구(190b)로부터의 세정액은, 내주면(78a)에 대면하는 벽면에도 도달하기 때문에, 이 벽면도 세정할 수 있다. 또한, 세정 시에는 배기 통로(76A) 내에 비교적 다량의 세정액이 유입되게 되기 때문에, 배기 통로(76A)의 하류측에는 적당한 기액 분리 수단을 마련하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태의 제2 세정부(92) 대신에, 제2 세정부(192)가 마련되어 있다. 제2 세정부(192)는, 반경 방향의 서로 상이한 위치에 마련된 복수의 토출구(192a)를 갖고 있다. 도시예에서는, 복수의 토출구(192a)는 반경 방향으로 직선 상에 배열되어 있다. 또한, 복수의 토출구(192a)는 배기 경로 형성 부재(166)에 마련되어 있고, 배기 경로 형성 부재(166)의 상면에 개구하고 있다. 배기 경로 형성 부재(166)의 내부에는 유로(192b)가 배기 경로 형성 부재(166)의 반경 방향으로 연장되어 있고, 유로(192b)는 복수의 토출구(192a)에 접속되어 있다. 유로(192b)는, 제2 배기부(76)의 내부를 연직 방향으로 연장하는 공급관(192c)과, 개폐 밸브를 통해, 세정액 공급원(192d)에 접속되어 있다.
배기 경로 형성 부재(166)의 상면에는, 오목부(166d)가 마련되어 있다. 오목부(166d)의 바닥면(166e)에 상기 복수의 토출구(192a)가 개구하고 있다. 바닥면(166e)은 반경 방향 내측일수록 낮아지도록 경사져 있다. 배기 경로 형성 부재(166)의 내부에 하나 또는 복수의 배액로(166f)가 형성되어 있고, 이 배액로(166f)의 상단은 바닥면(166e)의 반경 방향 내측 단부 영역에서 개구하고 있다. 배액로(166f)의 하단은 제4 처리액 회수용 탱크(74)의 상방에서 개구하고 있고, 이 개구부에 파이프(166g)가 삽입되어 있다. 파이프(166g)의 하단은 제2 둘레면(166b)보다 하방에 위치하고 있고, 이에 의해, 배액로(166f)를 통과하여 배출되는 액이 확실하게 제4 처리액 회수용 탱크(74) 내로 낙하한다.
이 제2 실시형태에 있어서는, 기판 유지대(52)를 회전시킨 상태로 복수의 토출구(192a)로부터 세정액을 상향으로 토출(도 5의 토출구(192a)로부터 연장되는 파선 화살표를 참조)시킴으로써, 기판 유지대(52)의 하면의 반경 방향에 관해서 광범위를 세정액에 의해 세정할 수 있다. 즉, 제2 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 비교하여, 기판 유지대(52)의 하면 상에 퇴적된 결정물을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 또한 기판 유지대(52)의 하면에 충돌한 세정액은, 배기 경로 형성 부재(166)의 상면에 낙하하고, 오목부(166d)의 바닥면(166e) 상을 반경 방향 내향으로 유하하여, 배액로(166f)를 통해 오목부(166d)로부터 배출된다. 이에 의해 배기 경로 형성 부재(166)의 상면도 세정할 수 있다. 또한, 세정 시에는 기판 유지대(52)가 회전하고 있기 때문에, 세정액은 배기 경로 형성 부재(166)의 상면의 원주 방향 전역에 구석구석까지 낙하한다. 이 때문에, 제2 세정부(192)가 원주 방향의 일부분에만 마련되어 있었다고 해도, 배기 경로 형성 부재(166)의 상면을 균일하게 세정할 수 있다. 물론, 복수의 제2 세정부(192)를 원주 방향의 상이한 위치에 마련하는 것도 가능하다.
또한, 제2 실시형태에서는, 제1 세정부(190)가, 복수의 제1 토출구(190a) 및 제2 토출구(190b)를 갖는 단일의 노즐이지만, 이것에 한정되는 것이 아니며, 복수의 제1 토출구(190a)를 갖는 노즐과 복수의 제2 토출구(190b)를 갖는 노즐을 따로따로 마련할 수도 있다.
10 액 처리 장치 52 기판 유지대
53 회전 구동축 55 노즐
60 외측 안내 회전컵 62 내측 안내 회전컵
66 배기 경로 형성 부재 71 제1 처리액 회수용 탱크
72 제2 처리액 회수용 탱크 73 제3 처리액 회수용 탱크
74 제4 처리액 회수용 탱크 75 제1 배기부
76 제2 배기부 77 배기 통로
90, 190 제1 세정부 92, 192 제2 세정부

Claims (15)

  1. 액 처리 장치로서,
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부와,
    상기 기판 유지부를 둘러싸도록 마련된 안내컵과,
    기판에 공급한 후의 처리액을 회수하기 위한 드레인부와,
    상기 드레인부의 근방에 마련되며, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 처리액에 의해 처리하는 영역인 제1 영역과 상기 드레인부 및 상기 배기부가 마련된 영역인 제2 영역 사이에 마련된 배기 경로 형성 부재로서, 상기 배기 경로 형성 부재와 상기 안내컵 사이에 간극을 마련하고, 상기 안내컵 및 상기 배기 경로 형성 부재에 의해, 상기 배기부에 연결되는 배기 경로를 형성하는 배기 경로 형성 부재와,
    상기 기판 유지부에서의 상기 배기 경로 형성 부재에 대향하는 부분에 세정액을 공급하는 세정부
    를 구비하고,
    상기 제1 영역측의 상기 배기 경로 형성 부재에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 세정부에 의해 상기 배기 경로 형성 부재의 상면측에도 세정액이 공급되며,
    상기 배기 경로 형성 부재에는 구멍이 마련되어 있고, 상기 배기 경로 형성 부재의 상면측에 공급된 세정액은 상기 구멍을 통하여 배출되는 것인 액 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 배기 경로 형성 부재의 상면측에 공급된 세정액은 상기 구멍을 통과하여 상기 드레인부로 보내지는 것인 액 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정부는, 상기 배기 경로 형성 부재의 반경 방향의 상이한 위치에 마련된 복수의 토출구를 갖는 것인 액 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정부는, 상기 드레인부보다 반경 방향 내측의 부분에 배치되어 있는 것인 액 처리 장치.
  6. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부와, 상기 기판 유지부를 둘러싸도록 마련된 안내컵과, 기판에 공급한 후의 처리액을 회수하기 위한 드레인부와, 상기 드레인부의 근방에 마련되고, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 주위의 분위기를 배기하기 위한 배기부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 처리액에 의해 처리하는 영역인 제1 영역과 상기 드레인부 및 상기 배기부가 마련된 영역인 제2 영역 사이에 마련된 배기 경로 형성 부재로서, 상기 배기 경로 형성 부재와 상기 안내컵 사이에 간극을 마련하며, 상기 안내컵 및 상기 배기 경로 형성 부재에 의해, 상기 배기부에 연결되는 배기 경로를 형성하는 배기 경로 형성 부재를 구비한 액 처리 장치에 있어서의 세정 방법으로서,
    상기 기판 유지부에서의 상기 배기 경로 형성 부재에 대향하는 부분에 세정액을 공급하는 세정 공정을 포함하고,
    상기 제1 영역측의 상기 배기 경로 형성 부재에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 세정 공정에 의해 상기 배기 경로 형성 부재의 상면측에도 세정액이 공급되며,
    상기 배기 경로 형성 부재에는 구멍이 마련되어 있고, 상기 세정 공정에 의해 상기 배기 경로 형성 부재의 상면측에 공급된 세정액은 상기 구멍을 통하여 배출되는 것인 세정 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6461617B2 (ja) * 2015-01-20 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI564952B (zh) * 2015-01-30 2017-01-01 Ventilation process equipment
US10832902B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6494536B2 (ja) 2016-01-12 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法
JP6815912B2 (ja) * 2017-03-23 2021-01-20 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
JP6990602B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7412134B2 (ja) 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7370277B2 (ja) 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2023145905A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
CN115069719B (zh) * 2022-08-23 2022-11-22 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种气流增强型单片式方形基板清洗设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688322A (en) 1995-05-24 1997-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating resist on substrate
JP2004193568A (ja) * 2002-11-28 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び洗浄方法
US20070119476A1 (en) 2005-11-25 2007-05-31 Takashi Hara Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2012129462A (ja) 2010-12-17 2012-07-05 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849539B2 (ja) * 1993-12-27 1999-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
JP3276601B2 (ja) * 1997-01-22 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP3761482B2 (ja) 2002-03-26 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法
JP2004050054A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置
JP2011254019A (ja) 2010-06-03 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置
JP5425745B2 (ja) * 2010-10-29 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688322A (en) 1995-05-24 1997-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating resist on substrate
JP2004193568A (ja) * 2002-11-28 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び洗浄方法
US20070119476A1 (en) 2005-11-25 2007-05-31 Takashi Hara Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2012129462A (ja) 2010-12-17 2012-07-05 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置

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US20140026927A1 (en) 2014-01-30
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