KR20130125165A

KR20130125165A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20130125165A
Application number: KR1020120048703A
Authority: KR
Inventors: 박선용; 오세훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2012-05-08
Filing date: 2012-05-08
Publication date: 2013-11-18
Also published as: KR101964656B1

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간에 설치되고, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 처리 용기의 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및 상기 처리 용기를 제외한 상기 챔버의 내부 공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 수평 격벽; 및 상기 수평 격벽의 상면으로부터 이격되게 설치되고, 상기 처리 용기 주변의 기류 배기가 이루어지도록 기공들이 형성된 타공 플레이트를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 장치에 관한 것이다.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 기판 세정 공정은 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 실시되고 있다.

약액을 이용하여 기판을 처리하는 장치에서는 약액으로부터 퓸(fume)이 발생된다. 이러한 퓸(fume)은 기판 처리 장치의 주변에 존재하면서 오염 물질의 소스가 된다.

특히, 종래 기판 처리 장치는 처리 용기의 주변의 환경 배기가 원활하지 않아서 처리 용기 주변에 존재하는 환경 파티클들 및 퓸이 처리 용기 내부 및 기판을 역오염시킬 수 있는 취약한 구조로 되어 있다.

본 발명의 실시예들은 처리 용기의 주변 오염을 해소할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.

또한, 본 발명은 처리 용기 주변의 배기 흐름이 원활한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간에 설치되고, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 처리 용기의 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및 상기 처리 용기를 제외한 상기 챔버의 내부 공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 그리고 기류 배기가 이루어지도록 기공들이 형성된 수평 격벽을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 상기 수평 격벽 아래에 제공되는 제1배기 덕트를 더 포함할 수 있다.

일 예에 의하면, 상기 처리 용기 및 상기 타공 플레이트를 세정하기 위해 상기 챔버의 내측면에 설치되는 세정 노즐들을 더 포함할 수 있다.

일 예에 의하면, 상기 수평 격벽은 적어도 하나 이상의 배기홀을 포함할 수 있다.

본 발명에 의하면, 처리 용기 주변의 배기 흐름이 원활해지기 때문에 챔버 내의 청정도를 향상시킬 수 있고, 처리 용기 및 기판의 역오염을 최소화할 수 있다.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 부분 단면 사시도이다.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.

도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제 1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.

로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.

이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.

공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.

버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.

이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.

메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리 장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.

기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.

기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(60)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

도 2 및 도 3은 기판 처리 장치를 나타낸 평면도 및 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 부분 단면 사시도이다.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.

또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(60)는 공정 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 분사 부재(300), 제1배기부재(740), 제2배기 부재(400) 및 세정 노즐(750)들을 포함한다.

공정 챔버(700)는 밀폐된 공간을 제공하며. 상부에는 팬 필터 유닛(710)이 설치된다. 팬 필터 유닛(710)은 공정 챔버(700) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.

팬 필터 유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정 챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 공정 챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 퓸(Fume)등 오염기체는 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수 용기들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 청정도를 유지하게 된다.

도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 상부 영역(716)과 하부 영역(718)으로 구획된다. 공정 챔버(700)에는 처리 용기 주변의 기류 흐름이 원활하게 이루어지도록 타공 플레이트(720)가 설치된다. 타공 플레이트(720)는 수평 격벽(714)의 상면으로부터 소정거리 이격되어 제공된다. 타공 플레이트(720)는 상부 영역(716)의 기류 배기가 원활하게 이루어지도록 다수의 기공(722)들을 갖는다. 기공(722)들의 크기는 처리 용기(100)와의 거리 및 배기 효율에 따라 다르게 제공될 수 있다.

수평 격벽(714) 아래에는 제1배기덕트(730)가 설치된다. 수평 격벽(714)은 배기홀(715)들을 갖는다. 처리 용기(100) 주변의 기류는 기공(722)들을 통해 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 유입된 후 배기홀(715)들을 통해 제1배기덕트(730)로 빠져나간다. 제1배기덕트(730)는 제1배기 부재(740)와 연결된다. 제1배기 부재(740)는 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 제1배기 부재(740)는 제1배기덕트(730)와 연결되는 배기 라인(742)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 배기라인(742)에는 댐퍼가 설치될 수 있다. 배기라인(742)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받는다.

팬 필터 유닛(710)을 통해 공정 챔버(700)의 상부 영역(716)으로 제공되는 수직기류는 타공 플레이트(720)에 형성된 기공(722)들을 통해 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 유입되고, 그 기류는 배기홀(715)들을 통해 제1배기 덕트(730)로 흘러 배기라인(742)을 따라 외부로 배기된다. 제1배기 덕트(730)의 바닥면에는 기액을 회수할 수 있는 드레인 라인(732)이 제공된다.

공정 챔버(700)의 측벽에는 세정 노즐(750)들이 설치된다. 세정 노즐(750)들은 처리 용기(100) 외부면과 타공 플레이트(720)를 세정하기 위해 제공된다. 세정 노즐(750)들은 일정한 주기로 처리 용기(100) 외부면과 타공 플레이트(720)에 세정액과 건조 가스를 순차적으로 분사한다. 세정 노즐(750)로부터 분사된 세정액은 제1배기 덕트(730)로 흘러가서 제1배기덕트(730)의 바닥면에 형성된 드레인 라인(732)을 통해 외부로 배출된다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 처리 용기(100) 주변에 존재하는 환경 파티클 및 퓸을 타공 플레이트(720) 통해 아래로 배기시켜 공정 진행시 기판의 역오염을 차단할 수 있다. 또한, 본 발명은 공정 진행으로 인한 처리 용기(100) 주변 오염을 세정 노즐(750)들을 통해 세정함으로써 공정 챔버(700) 내부의 청정도를 유지시킬 수 있다.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 처리 용기(100)는 공정 공간 아래에 제2배기부재(400)와 연결되는 제2배기덕트(190)가 제공된다. 제2배기덕트(190)는 바닥면에 드레인 라인(192)이 제공된다.

제2배기 부재(400)는 기판 처리 공정시 처리 용기(100) 내에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 제2배기부재(400)는 제2배기덕트(190)와 연결되는 서브 배기 라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브 배기 라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.

기판 지지부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 기판 지지부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드는 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(210)의 저면에는 회전 구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다.

지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(210)에서 제 3 방향(3)으로 돌출된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(214)은 복수 개 제공되며, 지지핀(214)의 외측에 배치되며, 지지판(214)에서 제 3 방향(3)으로 돌출되도록 구비된다. 척핀(214)은 기판 지지부재(200)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.

분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 약액을 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 약액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(320), 구동기(310), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다.

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 약액을 분사하면서 이동되도록 한다.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)로부터 공급된 약액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)에서 공급된 약액 외에 다른 약액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.

처리 용기(100)는 회수통들(121,122,123)과 제1승강 부재(130)를 포함한다.

회수통(121,122,123)들은 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하기 위해 다단으로 배치된다. 각각의 회수통(121,122,123)은 공정에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수할 수 있다.

제3고정 회수통(123)은 기판 지지부재(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제2고정 회수통(122)은 제3고정 회수통(123)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제1고정 회수통(121)은 제2고정 회수통(122)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3고정 회수통(123)의 내측 공간(123a)은 제3고정 회수통(123)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 제3고정 회수통(123)과 제2고정 회수통(122)의 사이 공간(122a)은 제2고정 회수통(122)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 그리고, 제2고정 회수통(122)과 제1고정 회수통(121)의 사이 공간은 제1고정 회수통(121)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다.

본 실시예에서, 처리 용기는 3개의 고정 회수통을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 처리 용기는 2개의 고정 회수통 또는 3개 이상의 고정 회수통을 포함할 수 있다.

각각의 회수통(121,122,123)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(151,152,153)이 연결된다. 각각의 회수라인(151,152,153)은 각각의 회수통(121,122,123)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.

제1승강 부재(130)는 회수통들 전체를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 회수통들이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 제1승강 부재(130)는 제1브라켓(132), 제1이동 축(134), 그리고 제1구동기(136)를 포함한다. 제1브라켓(132)은 처리 용기(100)의 외벽(102)(프레임)에 고정설치된다. 외벽(102)은 처리 용기(100)의 원통 베이스(101) 내측에 상하 방향으로 이동가능하게 설치된다. 외벽(102)에는 고정 회수통(121,122,123)들이 고정 설치된다. 제1브라켓(132)에는 제1구동기(136)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1이동 축(134)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(200)에 놓이거나, 스핀 헤드(200)로부터 들어 올려질 때 스핀 헤드(200)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 회수통들은 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수 용기로 유입될 수 있도록 회수통들의 높이가 조절한다. 제1구동기는 실린더 장치일 수 있으며, 제1이동축은 제1구동기 내에서 상하로 이동되는 실린더 로드일 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

1000 기판 처리 시스템
10 인덱스부 20 공정 처리부
30 버퍼부 40 이동 통로
50 메인 이송 로봇 60 기판 처리 장치
100 처리 용기 200 기판 지지부재
300 분사 부재

Claims

내부 공간을 갖는 챔버;
상기 챔버의 내부 공간에 설치되고, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기;
상기 처리 용기의 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및
상기 처리 용기를 제외한 상기 챔버의 내부 공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 수평 격벽; 및
상기 수평 격벽의 상면으로부터 이격되게 설치되고, 상기 처리 용기 주변의 기류 배기가 이루어지도록 기공들이 형성된 타공 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 수평 격벽 아래에 제공되는 제1배기 덕트를 더 포함하는 기판 처리 장치.