KR20090024520A - 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090024520A
KR20090024520A KR1020070089582A KR20070089582A KR20090024520A KR 20090024520 A KR20090024520 A KR 20090024520A KR 1020070089582 A KR1020070089582 A KR 1020070089582A KR 20070089582 A KR20070089582 A KR 20070089582A KR 20090024520 A KR20090024520 A KR 20090024520A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
plate
exhaust holes
disposed
holes
Prior art date
Application number
KR1020070089582A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100927375B1 (ko
Inventor
윤송근
송병규
이재호
김경훈
Original Assignee
주식회사 유진테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 유진테크 filed Critical 주식회사 유진테크
Priority to KR1020070089582A priority Critical patent/KR100927375B1/ko
Priority to JP2010523951A priority patent/JP5196385B2/ja
Priority to EP08793687A priority patent/EP2195828A4/en
Priority to CN2008801135028A priority patent/CN101849279B/zh
Priority to PCT/KR2008/005210 priority patent/WO2009031830A2/en
Priority to US12/676,519 priority patent/US8771417B2/en
Publication of KR20090024520A publication Critical patent/KR20090024520A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100927375B1 publication Critical patent/KR100927375B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 내부공간 내부의 물질을 외부로 배기하는 배기유닛을 포함하되, 배기유닛은 물질의 배기경로 상의 상류에 위치하며, 복수의 제1 배기홀들이 형성되는 제1 배기플레이트; 물질의 배기경로 상의 하류에 위치하며, 복수의 제2 배기홀들이 형성되는 제2 배기플레이트를 포함한다. 제1 배기플레이트는 지지부재의 외측에 배치되며, 제2 배기플레이트는 제1 배기플레이트와 대체로 나란하게 상기 제1 배기플레이트의 하부에 배치될 수 있다. 배기유닛은 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제1 커버들; 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제2 커버들을 포함할 수 있다.
배기유닛, 배기플레이트, 커버

Description

배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치{exhausting unit and exhausting method, substrate processing unit including the exhausting unit}
본 발명은 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 배기플레이트를 포함하는 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 실리콘 기판 상에 많은 층들(layers)을 가지고 있으며, 이와 같은 층들은 증착공정을 통하여 기판 상에 증착된다. 이와 같은 증착공정은 몇가지 중요한 이슈들을 가지고 있으며, 이와 같은 이슈들은 증착된 막들을 평가하고 증착방법을 선택하는 데 있어서 중요하다.
첫번째는 증착된 막의 '질'(qulity)이다. 이는 조성(composition), 오염도(contamination levels), 손실도(defect density), 그리고 기계적·전기적 특성(mechanical and electrical properties)을 의미한다. 막들의 조성은 증착조건에 따라 변할 수 있으며, 이는 특정한 조성(specific composition)을 얻기 위하여 매 우 중요하다.
두번째는, 웨이퍼를 가로지르는 균일한 두께(uniform thickness)이다. 특히, 단차(step)가 형성된 비평면(nonplanar) 형상의 패턴 상부에 증착된 막의 두께가 매우 중요하다. 증착된 막의 두께가 균일한지 여부는 단차진 부분에 증착된 최소 두께를 패턴의 상부면에 증착된 두께로 나눈 값으로 정의되는 스텝 커버리지(step coverage)를 통하여 판단할 수 있다.
증착과 관련된 또 다른 이슈는 공간을 채우는 것(filling space)이다. 이는 금속라인들 사이를 산화막을 포함하는 절연막으로 채우는 갭 필링(gap filling)을 포함한다. 갭은 금속라인들을 물리적 및 전기적으로 절연시키기 위하여 제공된다.
이와 같은 이슈들 중 균일도는 증착공정과 관련된 중요한 이슈 중 하나이며, 불균일한 막은 금속배선(metal line) 상에서 높은 전기저항(electrical resistance)을 가져오며, 기계적인 파손의 가능성을 증가시킨다.
본 발명의 목적은 공정균일도를 확보할 수 있는 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 그리고 상기 내부공간 내부의 물질을 외부로 배기하는 배기유닛을 포함하되, 상기 배기유닛은 상기 물질의 배기경로 상의 상류에 위치하며, 복수의 제1 배기홀들이 형성되는 제1 배기플레이트; 그리고 상기 배기경로 상의 하류에 위치하며, 복수의 제2 배기홀들이 형성되는 제2 배기플레이트를 포함한다.
상기 배기유닛은 상기 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제1 커버들; 그리고 상기 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제2 커버들을 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재를 더 포함하며, 상기 제1 배기플레이트는 상기 지지부재의 외측에 배치되며, 상기 제2 배기플레이트는 상기 제1 배기플레이트와 대체로 나란하게 상기 제1 배기플레이트의 하부에 배치될 수 있다.
상기 제1 배기홀들은 상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 내측배기홀들; 그리고 상기 제1 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 외측배기홀들을 포함하며, 상기 제2 배기홀들은 상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 내측배기홀들; 그리고 상기 제2 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 외측배기홀들을 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재; 상기 내부공간에 소스가스를 공급하는 가스공급유닛; 그리고 상기 내부공간에 전계를 형성하여 상기 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 코일을 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 지지부재의 상부에 제공되어 상기 내부공간에 생성된 상기 플라스마를 상기 지지부재를 향하여 집중시키는 유도튜브를 더 포함할 수 있다.
상기 유도튜브는 상기 기판의 형상과 대체로 일치하는 형상의 단면을 가질 수 있다.
상기 챔버는 상기 지지부재가 제공되며, 상기 플라스마에 의해 공정이 이루어지는 공정챔버; 그리고 상기 공정챔버의 상부에 제공되며, 상기 코일에 의해 상기 플라스마가 생성되는 생성챔버를 구비하며, 상기 유도튜브는 상기 공정챔버의 상부벽으로부터 상기 공정챔버의 하부벽을 향하여 연장될 수 있다.
상기 챔버는 상기 지지부재가 제공되며, 상기 플라스마에 의해 공정이 이루어지는 공정챔버; 그리고 상기 공정챔버의 상부벽으로부터 상부를 향하여 연장되며, 상기 코일에 의해 상기 플라스마가 생성되는 생성챔버를 구비하며, 상기 유도 튜브는 상기 생성챔버의 측벽으로부터 상기 공정챔버의 하부벽을 향하여 연장될 수 있다.
상기 장치는 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재; 상기 내부공간에 소스가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 내부공간에 전계를 형성하여 상기 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 코일; 상기 지지부재의 상부에 상기 지지부재와 나란하게 제공되며, 상기 플라스마를 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판에 제공하는 샤워헤드; 그리고 상기 샤워헤드를 상기 지지부재의 상부에 고정하는 지지대를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 배기플레이트는 상기 지지부재의 외측에 배치되며, 상기 지지대는 상기 제1 배기플레이트 상에 설치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 배기유닛은 배기경로 상의 상류에 위치하며, 복수의 제1 배기홀들이 형성되는 제1 배기플레이트; 그리고 상기 배기경로 상의 하류에 위치하며, 복수의 제2 배기홀들이 형성되는 제2 배기플레이트를 포함한다.
본 발명에 의하면, 챔버 내의 물질을 배기하는 방법은 상기 물질의 배기경로 상의 상류에 복수의 제1 배기홀들이 형성된 제1 배기플레이트를 설치하고, 상기 배기경로 상의 하류에 복수의 제2 배기홀들이 형성된 제2 배기플레이트를 설치하는 것을 특징으로 한다.
상기 방법은 제1 커버를 이용하여 상기 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐하며, 제2 커버를 이용하여 상기 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 제1 배기플레이트 및 상기 제2 배기플레이트 중 어느 하나를 다른 하나에 대하여 기설정된 각도만큼 회전시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면 배기상태를 조절하여 공정균일도를 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 8을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
한편, 이하에서는 플라스마를 이용하는 공정을 예로 들어 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 진공상태에서 공정이 이루어지는 다양한 반도체 제조장치에 응용될 수 있다. 또한, 이하에서는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식의 플라스마 공정을 예로 들어 설명하나, 본 발명은 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 방식을 포함하는 다양한 플라스마 공정에 응용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버(10)를 포함한다. 챔버(10)는 공정챔버(12)와 생성챔버(14)로 구분되며, 공정챔버(12) 내에서는 기판에 대한 공정이 이루어지며, 생성챔버(14)에서는 후술하는 가스공급유닛(40)을 통해 공급된 소스가스로부터 플라스마가 생성된다.
공정챔버(12) 내에는 지지 플레이트(20)가 설치되며, 지지 플레이트(20) 상에는 기판이 놓여진다. 기판은 공정챔버(12) 일측에 형성된 입구(12a)를 통해 공정챔버(12) 내부로 투입되며, 투입된 기판은 지지 플레이트(20) 상에 놓여진다. 또한, 지지 플레이트(20)는 정전기 척(electrostatic chuck, E-chuck)일 수 있으며, 지지 플레이트(20) 상에 놓여진 웨이퍼의 온도를 정밀하게 제어하기 위하여 별도의 헬륨(He) 후면 냉각 시스템(도시안됨)을 구비할 수 있다.
생성챔버(14)의 외주면에는 고주파 전원(RF generator)에 연결되는 코일(16)이 제공된다. 코일(16)에 고주파 전류가 흐르면 코일에 의해 자기장으로 변화되며, 이를 이용하여 챔버(10) 내부에 공급된 소스가스로부터 플라스마를 생성한다.
생성챔버(14)의 상부벽에는 공급홀(14a)이 형성되며, 공급홀(14a)에는 공급라인(42)이 연결된다. 공급라인(42)은 공급홀(14a)을 통해 챔버(10)의 내부에 소스가스를 공급한다. 공급라인(42)은 공급라인(42)에 제공된 밸브(42a)를 통해 개폐된다. 생성챔버(14)의 상부벽에는 확산판(44)이 연결되며, 확산판(44)과 생성챔버(14)의 상부벽 사이에는 버퍼공간(46)이 형성된다. 공급라인(42)을 통해 공급된 소스가스는 버퍼공간(46)에 채워지며, 확산판(44)에 형성된 확산홀들을 통해 생성챔버(14)의 내부로 확산된다.
한편, 공정챔버(12)의 일측에는 배기라인(36)이 연결되며, 배기라인(36) 상에는 펌프(36a)가 연결된다. 챔버(10) 내부에서 생성된 플라스마 및 반응부산물 등은 배기라인(36)을 통해 챔버(10)의 외부로 배출되며, 펌프(36a)는 이들을 강제배출한다.
챔버(10) 내부의 플라스마 및 반응부산물 등은 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)를 통해 배기라인(36)으로 유입된다. 제1 배기플레이트(32)는 지지 플레이트(20)의 외측에 지지 플레이트(20)와 대체로 나란하게 배치되며, 제2 배기플레이트(34)는 제1 배기플레이트(32)의 하부에 제1 배기플레이트(32)와 대체로 나란하게 배치된다. 챔버(10) 내부의 플라스마 및 반응부산물 등은 제1 배기플레이트(32)에 형성된 제1 배기홀들(322, 324, 326)을 통해 제2 배기플레이트(34)에 형성된 제2 배기홀들(342, 344, 346)을 통해 배기라인(36)으로 유입된다.
도 2는 도 1의 제1 배기플레이트(32)를 개략적으로 나타내는 도면이다. 제2 배기플레이트(34) 및 제2 커버(352, 354)는 각각 이하에서 설명하는 제1 배기플레이트(32) 및 제1 커버(332, 334, 336)와 동일한 구조 및 기능을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 배기플레이트(32) 상에는 개구(321), 제1 외측배기홀들(322), 제1 중간배기홀들(324), 제1 내측배기홀들(326)이 형성된다. 개구(321) 상에는 지지 플레이트(20)가 설치된다. 제1 내측배기홀들(326)은 제1 배기 플레이트(32)의 중앙에 형성된 개구(321)를 감싸도록 배치되며, 개구(321)의 중심을 기준으로 하는 동심원 상에 배치된다. 제1 중간배기홀들(324)은 제1 내측배기홀들(326)을 감싸도록 배치되며, 개구(321)의 중심을 기준으로 하는 동심원 상에 배치된다. 제1 외측배기홀들(322)은 제1 중간배기홀들(324)을 감싸도록 배치되며, 개구(321)의 중심을 기준으로 하는 동심원 상에 배치된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 외측배기홀들(322)은 제1 외측커버(332)에 의해, 제1 중간배기홀들(324)은 제1 중간커버(334)에 의해, 제1 내측배기홀들(326)은 제1 내측커버(336)에 의해 각각 개폐될 수 있다. 제1 외측배기홀들(322)은 제1 외측커버(332)와, 제1 중간배기홀들(324)은 제1 중간커버(334)와, 제1 내측배기홀들(326)은 제1 내측커버(336)와 각각 대응되는 크기 및 형상을 가진다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 배기플레이트에 형성된 배기홀들을 선택적으로 폐쇄한 상태를 나타내는 도면이며, 도 4는 도 1의 제1 배기플레이트(32) 및 제2 배기플레이트(34)를 이용하여 공정균일도를 조절하는 모습을 나타내는 도면이다. 이하, 도 3a 내지 도 4를 참고하여 공정균일도를 조절하는 방법을 설명하기로 한다.
챔버(10)의 내부공간에서 이루어지는 기판에 대한 공정은 플라스마에 의하여 이루어지며, 플라스마의 유동을 조절함으로써 공정균일도를 확보할 수 있다. 챔버(10) 내부에서 생성된 플라스마는 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)를 통해 배기라인(36)으로 유입되므로, 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)를 이용하여 플라스마의 유동을 조절할 수 있다.
도 3a는 제1 및 제2 중간커버(334, 354)를 이용하여 제1 및 제2 중간배기홀(324, 344)을 폐쇄한 모습을 나타내는 도면이며, 도 3b는 제1 및 제2 중간커버(334, 354)와 제1 및 제2 외측커버(332, 352)를 이용하여 제1 및 제2 중간배기홀(324, 344)과 제1 및 제2 외측배기홀(322, 342)을 폐쇄한 모습을 나타내는 도면이다. 플라스마는 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)에 각각 형성된 배기홀들을 통해 배기라인으로 유입되므로, 배기홀들을 선택적으로 차단하여 유로면적을 조절함으로써 플라스마의 유동을 조절할 수 있다.
한편, 도 3a 및 도 3b에서는 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)의 배기홀들을 동일한 조건으로 폐쇄하고 있으나, 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)의 조건을 달리할 수 있다. 또한, 예를 들어, 제1 외측배기홀들(322) 중 일부를 선택적으로 개폐하거나, 제1 내측배기홀들(326) 중 일부를 선택적으로 개폐할 수 있다. 즉, 도 2에 도시한 12개의 제1 커버들을 선택적으로 사용하여 플라스마의 유동을 조절할 수 있으며, 이를 통해 공정결과에 따른 공정균일도를 확보할 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34) 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 회전시킴으로써, 제1 배기홀들과 제2 배기홀들의 상대적인 위치를 조절할 수 있다. 즉, 제1 배기홀들과 제2 배기홀들을 서로 어긋나게 배치할 수 있으며, 이를 통해 플라스마의 유동을 조절할 수 있다.
상술한 바에 의하면, 제1 및 제2 배기플레이트를 이용하여 플라스마의 유동을 조절할 수 있으며, 이를 통해 공정균일도를 확보할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기판처리장치는 유도튜브(50)를 더 포함할 수 있다.
유도튜브(50)는 기판의 형상과 대체로 일치하는 종단면 형상을 가진다. 기판이 사각인 경우 사각형상의 종단면을 가지며, 원형인 경우 원형의 종단면을 가진다. 유도튜브(50)는 공정챔버(12)의 상부벽 및 생성챔버(14)의 하단으로부터 지지 플레이트(20)를 향하여 연장되며, 유도튜브(50)의 하단은 지지 플레이트(20)로부터 일정거리 이격되어 있다. 따라서, 플라스마는 유도튜브(50)의 하단과 지지 플레이트(20) 사이의 이격공간을 통해 배기라인(36)으로 유입될 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 생성챔버(14)에서 생성된 플라스마는 유도튜브(50)의 내벽을 통해 지지 플레이트(20) 상의 기판에 집중될 수 있다. 유도튜브(50)가 없는 경우, 플라스마 중 일부는 기판과 반응하지 않은 상태에서 기판의 외측으로 흘러 나갈 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판처리장치는 샤워헤드(60) 및 지지대(70)를 더 포함한다. 샤워헤드(60)는 지지 플레이트(20)의 상부에 배치되며 지지 플레이트(20)로부터 일정거리 이격된다. 지지대(70)의 일단에는 샤워헤드(60)가 놓여지며, 지지대(70)의 하단은 제1 배기플레이트(32) 상에 연결된다. 지지대(70)는 샤워헤드(60)를 지지함과 동시 에, 지지 플레이트(20) 및 지지 플레이트(20)의 내부에 제공된 히터(도시안됨)를 보호한다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6의 샤워헤드(60)를 나타내는 도면이다. 샤워헤드(60)는 중심판(62), 경계판(66), 중심판(62)과 경계판(66)을 연결하는 연결바(68)를 포함하며, 생성챔버(14)에서 생성된 플라스마를 지지 플레이트(20) 상에 놓여진 기판에 공급한다. 연결바(68a, 68b, 68c)는 중심판(62)을 중심으로 서로 120°를 이룬다.
도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 중심판(62)은 샤워헤드(60)의 중앙에 위치하며, 연결바(68)는 중심판(62)으로부터 반경외측방향으로 연장된다. 연결바(68)의 일단에는 링 형상의 경계판(66)이 제공된다. 중심판(62)과 경계판(66) 사이에는 제1 내지 제6 링(64a, 64b, 64c, 64d, 64e, 64f)가 제공된다. 제1 내지 제6 링(64a, 64b, 64c, 64d, 64e, 64f)은 연결바(68) 상에 탈착가능하다.
도 7b는 제4 링 및 제6 링(64d, 64f)을 연결바(68)로부터 분리한 모습을 나타내는 도면이다. 제4 링 및 제6 링(64d, 64f)을 분리하면, 제4 링 및 제6 링(64d, 64f)에 대응되는 제4 및 제6 분사구(65d, 65f)가 제공된다. 도 7c는 제3 링 및 제4 링, 제6 링(64c, 64d, 64f)을 연결바(68)로부터 분리한 모습을 나타내는 도면이다. 제3 링 및 제4 링, 제6 링(64c, 64d, 64f)을 분리하면, 제3 링 및 제4 링, 제6 링(64c, 64d, 64f)에 대응되는 제3,4,6 분사구(65c,65d, 65f)가 제공된다. 즉, 제1 내지 제6 링(64a, 64b, 64c, 64d, 64e, 64f)을 선택적으로 탈착함으로써, 제1 내지 제6 분사구(65a, 65b, 65c, 65d, 65e, 65f)를 선택적으로 제공할 수 있으며, 지지부재(20) 상에 공급되는 플라스마의 유동을 변경할 수 있다. 이를 통해 공정균일도를 확보할 수 있다.
한편, 예를 들어, 제4 링(64d)을 중심판(62)을 기준으로 일정 각도(예를 들어, 120°)로 분할하고, 제4 링(64d) 중 일부를 선택적으로 분리하여 플라스마의 유동을 변경할 수도 있다. 이는 제1 및 제2 배기플레이트(32, 34)에서 설명한 내용과 대체로 일치한다.
도 8a 및 도 8b는 도 1의 확산판(44)을 나타내는 도면이다.
도 8a에 도시한 확산판(44)은 최외곽에 위치하는 제1 확산홀(442)과 제1 확산홀(442)의 내측에 위치하는 제2 확산홀(444)을 가지며, 제1 및 제2 확산홀(442, 444)은 일정한 폭(d1) 상에 배치된다. 도 8b에 도시한 확산판(44)은 제1 및 제2 확산홀(442, 444) 외에 제3 및 제4 확산홀(446, 448)을 가지며, 제1 내지 제4 확산홀은 일정한 폭(d2) 상에 배치된다.
공급라인(42)을 통해 유입된 소스가스는 확산홀을 통해 생성챔버(14)의 내부에 확산된다. 이때, 확산홀의 배치를 변경함으로써 소스가스의 공급방식을 변경할 수 있으며, 소스가스의 공급방식에 따라 공정균일도를 조절할 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 제1 배기플레이트를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 제1 배기플레이트에 형성된 배기홀들을 선택적으로 폐쇄한 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 제1 배기플레이트 및 제2 배기플레이트를 이용하여 공정균일도를 조절하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시에에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6의 샤워헤드를 나타내는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 도 1의 확산판을 나타내는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 챔버 12 : 공정챔버
14 : 생성챔버 16 : 코일
20 ; 지지플레이트 30 : 배기유닛
32 : 제1 배기플레이트 34 : 제2 배기플레이트
36 : 배기라인 40 : 가스공급유닛
44 : 확산판 50 : 유도튜브
60 : 샤워헤드 70 : 지지대
322, 324, 326 : 제1 배기홀 332, 334, 336 : 제1 커버
342, 344, 346 : 제2 배기홀 352, 354, 356 : 제2 커버

Claims (17)

  1. 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 및
    상기 내부공간 내부의 물질을 외부로 배기하는 배기유닛을 포함하되,
    상기 배기유닛은,
    상기 물질의 배기경로 상의 상류에 위치하며, 복수의 제1 배기홀들이 형성되는 제1 배기플레이트; 및
    상기 배기경로 상의 하류에 위치하며, 복수의 제2 배기홀들이 형성되는 제2 배기플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기유닛은,
    상기 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제1 커버들; 및
    상기 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제2 커버들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재를 더 포함하며,
    상기 제1 배기플레이트는 상기 지지부재의 외측에 배치되며,
    상기 제2 배기플레이트는 상기 제1 배기플레이트와 대체로 나란하게 상기 제1 배기플레이트의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 배기홀들은,
    상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 내측배기홀들; 및
    상기 제1 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 외측배기홀들을 포함하며,
    상기 제2 배기홀들은,
    상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 내측배기홀들; 및
    상기 제2 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 외측배기홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재;
    상기 내부공간에 소스가스를 공급하는 가스공급유닛; 및
    상기 내부공간에 전계를 형성하여 상기 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 장치는 상기 지지부재의 상부에 제공되어 상기 내부공간에 생성된 상기 플라스마를 상기 지지부재를 향하여 집중시키는 유도튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유도튜브는 상기 기판의 형상과 대체로 일치하는 형상의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 지지부재가 제공되며, 상기 플라스마에 의해 공정이 이루어지는 공정챔버; 및
    상기 공정챔버의 상부에 제공되며, 상기 코일에 의해 상기 플라스마가 생성되는 생성챔버를 구비하며,
    상기 유도튜브는 상기 공정챔버의 상부벽으로부터 상기 공정챔버의 하부벽을 향하여 연장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 지지부재가 제공되며, 상기 플라스마에 의해 공정이 이루어지는 공정챔버; 및
    상기 공정챔버의 상부벽으로부터 상부를 향하여 연장되며, 상기 코일에 의해 상기 플라스마가 생성되는 생성챔버를 구비하며,
    상기 유도튜브는 상기 생성챔버의 측벽으로부터 상기 공정챔버의 하부벽을 향하여 연장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지부재;
    상기 내부공간에 소스가스를 공급하는 가스공급유닛;
    상기 내부공간에 전계를 형성하여 상기 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 코일;
    상기 지지부재의 상부에 상기 지지부재와 나란하게 제공되며, 상기 플라스마를 상기 지지부재 상에 놓여진 상기 기판에 제공하는 샤워헤드; 및
    상기 샤워헤드를 상기 지지부재의 상부에 고정하는 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배기플레이트는 상기 지지부재의 외측에 배치되며,
    상기 지지대는 상기 제1 배기플레이트 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 배기경로 상의 상류에 위치하며, 복수의 제1 배기홀들이 형성되는 제1 배기플레이트; 및
    상기 배기경로 상의 하류에 위치하며, 복수의 제2 배기홀들이 형성되는 제2 배기플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기유닛.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 배기유닛은,
    상기 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제1 커버들; 및
    상기 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐할 수 있는 복수의 제2 커버들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기유닛.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 배기홀들은,
    상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 내측배 기홀들; 및
    상기 제1 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제1 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제1 외측배기홀들을 포함하고,
    상기 제2 배기홀들은,
    상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 내측배기홀들; 및
    상기 제2 내측배기홀들의 외측에 배치되며, 상기 제2 배기플레이트의 중심을 기준으로 동심원 상에 배치되는 제2 외측배기홀들을 포함하며,
    상기 제1 배기플레이트 및 상기 제2 배기플레이트는 서로 대체로 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 챔버 내의 물질을 배기하는 방법에 있어서,
    상기 물질의 배기경로 상의 상류에 복수의 제1 배기홀들이 형성된 제1 배기플레이트를 설치하고,
    상기 배기경로 상의 하류에 복수의 제2 배기홀들이 형성된 제2 배기플레이트를 설치하는 것을 특징으로 하는 배기방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 방법은 제1 커버를 이용하여 상기 제1 배기홀들을 선택적으로 개폐하며, 제2 커버를 이용하여 상기 제2 배기홀들을 선택적으로 개폐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제1 배기플레이트 및 상기 제2 배기플레이트 중 어느 하나를 다른 하나에 대하여 기설정된 각도만큼 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기방법.
KR1020070089582A 2007-09-04 2007-09-04 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 KR100927375B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070089582A KR100927375B1 (ko) 2007-09-04 2007-09-04 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
JP2010523951A JP5196385B2 (ja) 2007-09-04 2008-09-04 半導体製造装置
EP08793687A EP2195828A4 (en) 2007-09-04 2008-09-04 EXHAUST UNIT, EXHAUST METHOD COMPRISING THE USE OF SAID EXHAUST UNIT, AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE COMPRISING SAID EXHAUST UNIT
CN2008801135028A CN101849279B (zh) 2007-09-04 2008-09-04 排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置
PCT/KR2008/005210 WO2009031830A2 (en) 2007-09-04 2008-09-04 Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit
US12/676,519 US8771417B2 (en) 2007-09-04 2008-09-04 Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070089582A KR100927375B1 (ko) 2007-09-04 2007-09-04 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090024520A true KR20090024520A (ko) 2009-03-09
KR100927375B1 KR100927375B1 (ko) 2009-11-19

Family

ID=40429546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070089582A KR100927375B1 (ko) 2007-09-04 2007-09-04 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8771417B2 (ko)
EP (1) EP2195828A4 (ko)
JP (1) JP5196385B2 (ko)
KR (1) KR100927375B1 (ko)
CN (1) CN101849279B (ko)
WO (1) WO2009031830A2 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130085147A (ko) * 2012-01-19 2013-07-29 서울옵토디바이스주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR20130125165A (ko) * 2012-05-08 2013-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2016171451A1 (ko) * 2015-04-20 2016-10-27 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
US9779918B2 (en) 2013-12-26 2017-10-03 Psk Inc. Substrate treating apparatus and method
KR20200028832A (ko) * 2018-09-07 2020-03-17 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210011547A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927375B1 (ko) * 2007-09-04 2009-11-19 주식회사 유진테크 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
WO2011026126A2 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 Lam Research Corporation A multi-peripheral ring arrangement for performing plasma confinement
CN103502508B (zh) * 2010-12-30 2016-04-27 维易科仪器公司 使用承载器扩展的晶圆加工
US9418880B2 (en) * 2011-06-30 2016-08-16 Semes Co., Ltd. Apparatuses and methods for treating substrate
CN103160813B (zh) * 2011-12-14 2015-10-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备
KR20130086806A (ko) * 2012-01-26 2013-08-05 삼성전자주식회사 박막 증착 장치
KR101430741B1 (ko) * 2012-04-30 2014-08-14 세메스 주식회사 조절플레이트 및 이를 가지는 기판처리장치
CN103377979B (zh) * 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
US9490152B2 (en) * 2012-05-29 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetrical chamber configuration
WO2014052388A1 (en) * 2012-09-26 2014-04-03 Applied Materials, Inc. An apparatus and method for purging gaseous compounds
US9388493B2 (en) 2013-01-08 2016-07-12 Veeco Instruments Inc. Self-cleaning shutter for CVD reactor
GB201304631D0 (en) * 2013-03-14 2013-05-01 Malvern Instr Ltd Monomer detection in protein separation
KR101451244B1 (ko) * 2013-03-22 2014-10-15 참엔지니어링(주) 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
WO2014161199A1 (zh) * 2013-04-03 2014-10-09 Wang Dongjun 等离子体增强原子层沉积设备
GB201309583D0 (en) * 2013-05-29 2013-07-10 Spts Technologies Ltd Apparatus for processing a semiconductor workpiece
US20150020974A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Psk Inc. Baffle and apparatus for treating surface of baffle, and substrate treating apparatus
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
KR101551199B1 (ko) * 2013-12-27 2015-09-10 주식회사 유진테크 사이클릭 박막 증착 방법 및 반도체 제조 방법, 그리고 반도체 소자
KR101535155B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-09 주식회사 유진테크 기판 처리장치
DE102014216195A1 (de) * 2014-08-14 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats
JP6423706B2 (ja) * 2014-12-16 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102465801B1 (ko) * 2015-05-22 2022-11-14 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법
US9953829B2 (en) * 2015-08-27 2018-04-24 Toshiba Memory Corporation Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data
DE102016100625A1 (de) * 2016-01-15 2017-07-20 Aixtron Se Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung
JP6750534B2 (ja) * 2017-02-24 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6575641B1 (ja) * 2018-06-28 2019-09-18 株式会社明電舎 シャワーヘッドおよび処理装置
JP7451490B2 (ja) * 2018-07-30 2024-03-18 ノードソン コーポレーション プラズマを用いたワーク処理用のシステム
CN109957786A (zh) * 2018-11-16 2019-07-02 黄剑鸣 一种制作hit硅电池的气相沉積装置
TWI843856B (zh) * 2019-05-28 2024-06-01 美商應用材料股份有限公司 用於改善的流量均勻性的泵送襯墊
US11032945B2 (en) * 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber
KR20220032608A (ko) * 2019-07-15 2022-03-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 평판 디스플레이들을 위한 대면적 고밀도 플라즈마 프로세싱 챔버
KR102404571B1 (ko) * 2019-11-05 2022-06-07 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
CN113130282B (zh) * 2019-12-31 2023-10-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置
JP2022049494A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 キオクシア株式会社 半導体製造装置
CN114990526B (zh) * 2022-06-01 2024-05-28 上海鑫华夏半导体设备有限公司 装有排气模组单元的大容量cvd设备

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215023A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd 表面処理方法およびその装置
JPH03257182A (ja) * 1990-03-07 1991-11-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
JPH04371578A (ja) * 1991-06-19 1992-12-24 Sony Corp マグネトロンスパッタリング装置
JPH054466U (ja) * 1991-06-25 1993-01-22 国際電気株式会社 ウエーハ処理装置
JPH0729890A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ発生装置
US6391147B2 (en) 1994-04-28 2002-05-21 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5891350A (en) * 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
JP2927211B2 (ja) 1995-06-21 1999-07-28 国際電気株式会社 ウェーハ処理装置
JPH1140398A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ生成装置
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
DE19734278C1 (de) * 1997-08-07 1999-02-25 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum anisotropen Ätzen von Substraten
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
JP3731844B2 (ja) * 1997-11-10 2006-01-05 東芝セラミックス株式会社 気相薄膜成長装置及びそれを用いた気相薄膜成長方法
US6036821A (en) * 1998-01-29 2000-03-14 International Business Machines Corporation Enhanced collimated sputtering apparatus and its method of use
JPH11288922A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Sony Corp アッシング装置
JP2001052894A (ja) * 1999-08-04 2001-02-23 Ulvac Japan Ltd 誘導結合高周波プラズマ源
JP4592856B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
US6261408B1 (en) * 2000-02-16 2001-07-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing chamber pressure control
US6531069B1 (en) * 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections
US20020038791A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
JP4330315B2 (ja) * 2002-03-29 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6963043B2 (en) * 2002-08-28 2005-11-08 Tokyo Electron Limited Asymmetrical focus ring
KR20040033831A (ko) * 2002-10-16 2004-04-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP4255747B2 (ja) * 2003-05-13 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100549953B1 (ko) * 2004-04-30 2006-02-07 삼성전자주식회사 스피너설비의 베이크장치
JP3999774B2 (ja) * 2004-08-02 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US20060037702A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2006060073A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR100663351B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-02 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
US20070095283A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Galewski Carl J Pumping System for Atomic Layer Deposition
JP5324026B2 (ja) * 2006-01-18 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法
US7416677B2 (en) * 2006-08-11 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Exhaust assembly for plasma processing system and method
KR100927375B1 (ko) * 2007-09-04 2009-11-19 주식회사 유진테크 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
US8075728B2 (en) * 2008-02-28 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber
KR100999588B1 (ko) * 2008-03-25 2010-12-08 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130085147A (ko) * 2012-01-19 2013-07-29 서울옵토디바이스주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR20130125165A (ko) * 2012-05-08 2013-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9779918B2 (en) 2013-12-26 2017-10-03 Psk Inc. Substrate treating apparatus and method
WO2016171451A1 (ko) * 2015-04-20 2016-10-27 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR20160124534A (ko) * 2015-04-20 2016-10-28 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR20200028832A (ko) * 2018-09-07 2020-03-17 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210011547A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11145524B2 (en) 2019-07-22 2021-10-12 Semes Co., Ltd Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010538489A (ja) 2010-12-09
CN101849279B (zh) 2012-05-23
JP5196385B2 (ja) 2013-05-15
US20100206231A1 (en) 2010-08-19
EP2195828A4 (en) 2011-05-04
US8771417B2 (en) 2014-07-08
EP2195828A2 (en) 2010-06-16
KR100927375B1 (ko) 2009-11-19
WO2009031830A3 (en) 2009-04-30
CN101849279A (zh) 2010-09-29
WO2009031830A2 (en) 2009-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100927375B1 (ko) 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
KR100963297B1 (ko) 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법
KR20090024522A (ko) 기판처리장치
US9018111B2 (en) Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
JP2013533640A (ja) 処理チャンバ内のガスの流れを制御するための装置
US20100243620A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100888659B1 (ko) 기판처리장치
KR20170003917A (ko) 히터 급전 기구
KR20210008725A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR101383291B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100999588B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101037917B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 안테나
KR100963291B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP7394556B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
CN112117177A (zh) 工程气体供应装置以及配备上述装置的基板处理系统
US20230207272A1 (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131025

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151111

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161101

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181029

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191030

Year of fee payment: 11