TW201042757A - Image sensor device and method of fabricating the same - Google Patents

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Dun-Nian Yaung
Jen-Cheng Liu
Chun-Chieh Chuang
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Taiwan Semiconductor Mfg
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Description

201042757 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要是關於半導體裝置，特別是關於用於背 面受到照射的影像感測器的連接墊結構及其製造方法。 【先前技術】 影像感測器是提供網格(grid)狀排列的晝素，例如光 敏二極體或光學二極體、重設電晶體（reset transistor)、源 極追隨電晶體（source follower transistor)、固定層光二極 體（pinned layer photodiode)、及或轉移電晶體（transfer transistor)，以用於記錄光的強度或亮度。晝素是藉由電 荷載子的累積來對光線產生反應，這些電荷載子是當光 線進入/穿越一矽層時所產生的。光線越多，則產生越多 電荷。這些電荷載子被感應器所接收而被轉換成後續對 其他電路有用的電性訊號，而對適當的應用裝置例如數 位相機提供色彩與亮度的資訊。晝素網格的一般形式是 包含形成於一石夕半導體晶片上的一電荷耦合裝置（charge coupled device ; CCD)或互補式金屬_氧化物_半導體 (complementary metal oxide semiconductor ; CMOS)影像 感測器（CMOS image sensor ; CIS)。將一半導體晶片納入 一電路時’此半導體晶片是經由各種輸入/輸出 (input/output ; I/O)墊來與外界溝通，這些輸入/輸出墊例 如疋訊號塾（signal pad)與電源/接地（p〇wer/ground; P/G) 墊。 第1圖是一影像感測器裝置10〇的剖面圖，其中影 0503-A34689TWP/dwwang 4 201042757 像感測器裝置100是具有一基底102,基底102是夾置於 玻璃層108與112之間。玻璃層1〇8是覆蓋而保護形成 於一半導體裝置基底150上的晝素陣列1〇4、光學與濾光 元件160與一特殊應用積體電路（appiicati〇n-Specific integratedcircuit;ASIC)l〇6。一間隙 151 是將玻璃層 108 與晝素陣列基底150、光學與濾光元件16〇分離。一組合 層110是形成於基底150上’組合層11〇是具有多層金 屬内連線(multi-layer interconnect ; MLI)層 Ml〜M3。每 ❹個多層金屬内連線具有一層，其包含將一個多層金屬内 連線的一部分電性連接至另一個多層金屬内連線的複數 個金屬跡線(trace)。一介電材料in則將上述金屬跡線分 離’介電材料117亦用於在具有金屬跡線的各層之間形 成介層窗（via)層。上述介層窗層具有複數個金屬介層窗 116,這些金屬介層窗116是電性連接不同層中的金屬跡 線。一導電體或金屬層119是提供一 I/O介面而經由側面 連接的傾斜連接塾（T-connect pad)(未繪示）來連至晶片以 ❹ 外的電路（off chip circuitry)。傾斜連接墊是連接至形成於 金屬層Π9中的墊部120,金屬層119則是形成於影像感 測器裝置100的邊緣。墊部120是藉由介電材料117而 與其他的墊部120分離。另外，由於上述的連接是作在 影像感測器側，故墊部120是形成於金屬層119的邊緣， 並位於特殊應用積體電路106的下方，但未形成於晝素 陣列104的下方。 第1圖的影像感測器裝置100是以晶片尺寸封裝 (chip scale package ; CSP)來製造，以縮減裝置尺寸。其 0503-A34689TWF/dwwang 5 201042757 製程包含將一導電體置於整個基底102上。以例如化學 機械研磨（chemical-mechanical polishing ; CMP)製程來平 坦化基底102，藉此移除多餘的導體，以形成墊部12〇。 然而，化學機械研磨已廣為人知是金屬層119例如銅層 的製造上的低良率的成因，其原因在於包含介電腐钕與 金屬碟化效應（metal dishing effects)之製造上的問題會發 生於具有較大線見的金屬表面’因此會減少金屬層（銅 層）119的厚度，因而增加一内連線與外部電路系統之間 的電阻。 第2圖不顯示金屬層119,其中介電材料117的狹縫 或區域122是形成於金屬層的複數個貫穿孔中，以避免 在化學機械研磨的過程中發生碟化（例如是因為化學機械 研磨所形成的下陷或凹面）。然而，如切割線1〇9所示， 一切邊（cut edge)可能包含一個狹缝122的一部分，而會 對侧裝（side mounted)導體提供不適當的著陸表面，而^ 致因為僅有金屬層12G的少數金屬曝露於㈣線1〇9所 形成的邊緣所造成的1/0特性不良。因此，當以軟金屬例 如銅來形成金制12G時，晶片尺寸封裝㈣程通常需 要形成-刻痕，其沿著基底1G2中的—傾斜的切割線ιΐ4 =割'，以提供具有足夠的金屬接觸面積之—傾斜連接 墊，以確保與金屬層的良好的導電性。 ，而’雖然有助於避免因碟化㈣生的問題，但是 具刻痕的狹縫金屬層12〇合 減少了可用的晶圓面積。 貝、圓面積’例如 0503-A34689TWF/dwwang 201042757 【發明内容】 Ο 為了解決上述問題，本發明是提供一種影像感測裝 置匕3 .裝置基底，其具有一畫素區與一電路區； -畫素陣列，其位於上述裝置基底上並位於上述晝素區 中:-控制電路，其纟於上述裝置基底上並位於上述晝 素區中，一内連線結構，其位於上述畫素陣列及上述控 制電路上，上述内連線結構將上述控制電路控制電路電 性逹接於上述晝素陣列；以及—傳導層，其位於上述内 連線結構上’ ·其中上述傳導層的—部分是位於上述 區，上述部分是作為一連接墊。 〇 本發明又提供一種影像感測裝置，包含：一裝置基 底’其具有-畫素區與一電路區；一畫素陣列，其位於 上述裝置基底上並位於上述畫素區中；一控制電路，1 =於士述裝置基底上並位於上述畫素區中；—内連線結 構’，、位於上職素陣列及上述㈣t路上，上述 線結構將上述㈣電路控制電路f性連接於上述晝素陣 列’-傳導層’其位於上述内連線結構上；一載體基 其位於上述傳導声上. 道、' 電性_:=厂 貫穿上述载體基底並 連接於上述晝素區；其中上述傳導層的-部分是位 於上述晝素區，上述部分是作為一連接墊。 本發明再提供一種影像感測裝置的製造方法，包 s.在-裝置基底上形成—晝素陣列，上述畫 2述裝置基底的-畫素區；在上述裝置基底上形成: ，制電路」上述控制電路定義上述裝置基底的一電路 品，在上述晝素陣列與上述控制電路上形成—内連線結 〇503-A34689TWF/dwwang 201042757 構，上述内連線結構將上述控制電路電性連接於上述金 素陣列；以及在上述内連線結構上形成一傳導層；其^ 上述傳導層的一部分是形成於上述畫素區，上述部分是 作為一連接塾。 【實施方式】 本說明書是在一或多個實施例_提供晶圓級製程 (wafer level processing ; WLP)來製造背面受到照射的書 素感測器裝置，以使所需的晶圓面積最小化及/或藉由使 用一傳導層中的實心導體來改善上述感測器震置的ί/〇 特性，其中上述傳導層亦稱為一頂部傳導層或一頂部金 屬層（後文稱之為「ΤΜΕ」層）。本說明書還提供石夕貫穿孔 (through silicon via ; TSV)技術，以使所需的晶圓面積最 小化並改善上述感測器裝置的I/O特性。 應用於積體電路晶片的矽貫穿孔的各種例子已被揭 露，例如在美國專利早期公開號US 2009/0224405、US 2009/0051039、與 US 2009/0278251 中所揭露者，並將這 些文獻的標的完全納入本說明書的參考。 第3圖是顯示至少一實施例相關的一影像感測器裝 置200 ’其具有一背面受照射的CMOS影像感測器（CIS)。 其他實施例中的影像感測器裝置200可包含一 CCD感測 器陣列、或是其他已知或未來的影像感測裝置。影像感 測器裝置200具有一半導體載體基底202,半導體載體基 底202具有相反的第一 /上表面202a與第二/下表面 202b。影像感測器裝置200還包含一半導體裝置基底 〇503-A34689TWF/dwwang 8 201042757 250。裝置基底250具有一第一面25〇a (前面）與一第二面 250b (背面）。影像感測器裝置2〇〇的一第一區205具有 一晝素陣列204 ’晝素陣列204是形成於裝置基底25〇的 第一面250a上；上述CMOS影像感測器的一第二區2〇7 具有一控制電路206例如為一特殊應用積體電路 (ASIC)，控制電路206是形成於裝置基底25〇的第一面 250a。本說明書並未限制一定要將晝素陣列2〇4與控制 電路206形成於第一面250a。在其他實施例中，晝素陣 G 列204與控制電路206的其中之一或二者可形成於第二 面250b上。光學與濾光元件260是形成於裝置基底250 的第二面250b上，其位置是對應於晝素陣列204。第二 區207是從第一區205延伸至由一切割線209所表示的 影像感測器裝置200的一邊緣。在某些實施例中，半導 體載體基底202是由一梦（Si)晶圓、一錯（Ge)晶圓、及/ 或一矽-鍺（SiGe)晶圓等所形成。晝素陣列204與控制電 路206則形成於裝置基底250的一下表面250a中。 〇 在至少一實施例中’ 一多層内連線（multi-layer interconnect ; MLI)層218是形成於裝置基底250的第一 面250a上、並位於晝素陣列204與控制電路206之上； 而且在至少一實施例中，多層内連線層218是具有至少 二個内連線層，例如圖中所示的三個内連線層Ml〜M3， 並藉由金屬間介電（inter-metal dielectric ; IMD)層 234a〜234d將内連線層Ml〜M3彼此分離，並將内連線層 Ml〜M3内連線層Ml〜M3與一 TME層219分離。每個内 連線層Ml〜M3具有複數個金屬跡線，這些金屬跡線是電 0503-A34689TWF/dwwang 9 201042757 性連接每個内連線層Ml〜M3的某些部分。藉由一介電質 217來分離各内連線層Ml〜M3的上述金屬跡線，而上述 介電質217是具有與用以形成金屬間介電層234a〜234d 的材料類似的材料。金屬間介電層234a〜234d亦具有複 數個介層窗216,介層窗216是在不同的内連線層Ml〜M3 的金屬跡線之間作電性連接。在至少一實施例中，金屬 間介電層234a〜234d所包含的材料是例如二氧化矽、氮 化石夕、氧氮化碎（silicon oxynitride)、聚醯亞胺 (polyimide)、旋塗玻璃（spin-on glass ; SOG)、摻氟的二 氧化砍玻璃（fluoride-doped silicate glass ; FSG)、摻碳的 氧化梦（carbon doped silicon oxide)、黑鑽石 (DIAMOND™ ;可自美國加州的Santa Clara的應用材料 取得）、乾凝膠（XEROGEL™)、氣凝膠（AEROGEL™)、氟 化非晶石炭（amorphous fluorinated carbon)、聚對二甲苯基 (parylene)、雙苯並環丁烯（bis_benzocyclobutene ; BCB)、 芳香族碳氫化合物（SILKTM ;可自美國密西根州的 Midland 的 Dow Chemical 取得）、聚醢亞胺（polyimide)、 及/或適當的材料。在至少一實施例中，是以包含旋轉塗 佈法（spin-on)、化學氣相沈積法（chemical vapor deposition ; CVD)、濺鐘、或其他適當的製程的技術，來 形成上述金屬間介電層。 在某些實施例中，内連線層Ml〜M3與介層窗216是 具有一金屬或金屬合金（例如為Al、Cu、或Ag)、一金屬 矽化物等，並在晝素陣列204與控制電路206之間提供 電性連接，也在控制電路206與TME層219之間提供電 0503-A34689TWF/dwwang 10 201042757 性連接。根據晝素陣列204與控制電路206的内連線與 外部連線的需求，是藉由介層窗216來電性連接内連線 層Ml〜M3，其中介層窗216是由貫穿金屬間介電層 234a〜234c的導通孔、與置於每個導通孔中的貫穿電極所 形成。 TME層219是藉由在金屬間介電層234d上沉積一導 電體例如為一金屬或金屬合金（例如為Al、Cu、或Ag)、 一金屬石夕化物等所形成。在形成TME層219之後，藉由 〇 平坦化TME層219來移除TME層219的多餘導體，而 TME層 219的平坦化是使用例如化學機械研磨 (chemical-mechanical polishing ; CMP)的製程。不像第 1 圖所示之影像感測器裝置100的狭缝金屬墊部120, TME 層219是具有複數個實心墊部220,實心墊部220是從第 二區207延伸至第一區205中。而在實心墊部220的導 電體的實心層中，並未形成有任何貫穿孔。另外，實心 墊部220之位於第一區205中的延伸部，是作為一實心 ❹ 墊220p。TME層219的實心墊部220是藉由與金屬間介 電層234a〜234d的材料類似的介電質而分離。由於形成 於TME層219中的任何實心墊220p已不再作為側裝（side mounted)導體之用，TME層219中的實心墊部220就不 需要太大。這些金屬區域的大小僅需要足以連接於下列 二者之間即可：⑴任何後文所敘述的矽貫穿孔；（ii)經由 例如貫穿金屬間介電層234d的一介層窗232而連至内連 線層M3的連接結構。因此，可以避免相關文獻中的側裝 導體相關的化學機械研磨與良率的議題或至少將其減至 0503-A34689TWF/dwwang 11 201042757 最小。 在某些實施例中，TME層219 #龜士 & j = ^2G2的第-區2〇5中的各自的石夕貫穿 H 例如1/0訊號、電源與接地之從控制電路 =到各自的端子228的路線。而為了簡化，在第3圖中 僅繪示—個端子228與相關的矽貫穿孔222。由於已不再 使用側㈣體’端子228就不再需要位於影像感測器裝 置的邊緣，而可以將其置於第二/下表φ 2〇2b上的任 意f置。因此，端子228可形成於第一區2〇5的下方、 或是第二區207的下方。在某些實施例中，矽貫穿孔222 是形成於第一區205中。在第一區2〇5中形成矽貫穿孔 222會在第二區207中留下較多的空間給端子228，因此 封裝後的影像感測益裝置200僅會略大於封裝前的影像 感測器裝置200。 在完成TME層219的形成之後，是以銲線的技術將 半導體載體基底202接合於TME層219。在某些實施例 中’在將半導體載體基底202接合於TME層219之前， 是在TME層219的表面上以氧化矽或氮化矽形成一絕緣 層。此絕緣層可避免TME層219與半導體載體基底202 之間的電性連接。在其他實施例中，是在將半導體載體 基底202接合於TME層219之前，將此絕緣層形成於半 導體載體基底202上、或是在TME層219與半導體載體 基底202上均形成此絕緣層。 矽貫穿孔222是在晶圓接合之後形成於第一區205 中’其包含貫穿一導通孔236的一電極224，導通孔236 0503-A34689TWF/dwwang 12 201042757 導體載體基底2G2。影像感測器裝置細是包含 基底 2二二導 電性傳導。在以實_巾^;H咖子228的 而選擇性設置的。 ¥體重佈層㈣是視需求 v »,.、ί 3圖所不’在某些實施例中’在第一 11 205中 '1 一區205中的構件與⑴)形成於第一區205中的
b奋S 219之間’並無直接的電性路徑。這是因為在某 -貝施例巾所有的訊號與電源均被繞線至第二區撕，
而未使用第—區2G5。換句話說，從畫素陣列2G4至TME 或是從介電質217至畫素陣列綱的電性連接， 是在第二區2G7中完成。在至少某些實施例中，從晝素 陣列2〇4至TME層219或是從介電質爪至畫素陣列2〇4 的電性連接’是唯獨/整個在第二區2G7中完成。換句話 說’並無直接的電性路經是整個位在第—區2G5中以及⑴ 第-區2〇5中的構件與⑼形成於第一區2〇5中的TME 層219之間者。 、第3圖是繪示一實施例，其中導通孔236是貫穿半 導體載體基底202及TME層219的至少一部分23〇。另 外在至少一實施例中，是將導通孔236形成為漸細的形 狀（例如具有逐漸減少的截面積，而為垂直延伸長度的函 ，）。在另外的實施例中，可將導通孔236改形成為具有 實質上為常數的截面積。 在某些實施例中’是使用雷射鑽孔（laser drilling)來 形成導通孔236。然而，在至少一替補的實施例中，是使 〇503-A34689TWF/dwwang 13 201042757 用乾敍刻製程來形成導通孔236,其中先將—姓刻罩幕形 成於半導體載體基底2〇2的第二/下表面2〇孔上，以定義 導通孔236的-開σ。㈣，使用上述_罩幕來施行 乾蝕刻，以保護上述開口周圍的半導體載體基底2〇2。另 外，在另-替補的實施财’是使賴關製程來形成 導通孔2 3 6。 在元成導通孔236的形成之後，在半導體載體基底 202的第二/下表面202b上—包含導通孔236的侧壁與底 部，形成一間隔物絕緣層238。在某些實施例中，可以氧 化矽或氮化矽來形成間隔物絕緣層238。在某些實施例 中，是使用化學氣相沉積法（CVD)或旋轉塗佈法來形成間 隔物絕緣層238。 然後，蝕刻位於導通孔236的底部的間隔物絕緣層 238直到底部231為止，以曝露出TME層219中的塾 部220。為了達成此目的，可使用任何已知或未來發展出 的圖形化與蝕刻技術。 在一替換的貫施例中，是在將半導體載體基底2〇2 接合於TME層219之前，沿著間隔物絕緣層238來形成 導通孔236。在本貫施例中，是先形成未貫穿半導體載體 基底202的導通孔236，再接著形成間隔物絕緣層238， 然後從第一 /上表面202a將半導體載體基底2〇2薄化，以 打開導通孔236並移除任何位於導通孔236的底部之間 隔物絕緣層238。隨後，將半導體載體基底2〇2接合於 TME 層 219。 、 在一實施例中，是使用鋁（A1)的物理氣相沉積 0503-A34689TWF/dwwang 14 201042757 (physical vapor deposition ; PVD)的沉積方法來形成電極 224 ;在另一實施例中，是先在導通孔236中的間隔物絕 緣層238的曝露的内表面鍍上銅的種子層，之後以一或 多種導體材料填滿（或部分填滿）導通孔236。用來形成電 極224的上述導體材料可包含一金屬（或金屬合金），例如 為铭（A1)或銅（Cu)、及/或一金屬梦化物等。 在某些實施例中，電極224是完全填滿導通孔236 而與TME層219連接。在其他實施例中，電極224是覆 〇 蓋間隔物絕緣層238的表面而與TME層219連接。另外， 在某些實施例中，電極224是包含與一特定的導體材料 有關的一或多種的阻障層。可以額外地圖形化上述阻障 層及/或導電層’以在形成於半導體載體基底202的第二/ 下表面202b上的間隔物絕緣層238上，形成導體重佈層 226。導體重佈層226可作為電極224的一水平重佈部 分’可將導體的端子228放置在與導通孔236有些距離 的位置。 ❹ 在某些實施例中，一分離絕緣層240是形成於半導 體載體基底202的第二/下表面2〇2b上，並位於間隔物絕 緣層238上’且曝路出電極224的一部分（例如重佈層 226)。在某些實施例中，是使用化學氣相沉積（CVD)或旋 轉塗佈法來形成分離絕緣層240。通常會在分離絕緣層 240形成一或多個開口以使電極224與端子228電性連 接。在第3圖的實施例中，端子228是如圖所示為軟銲 料凸塊（solderbump)或軟銲料球狀物（s〇lderball)。然而， 端子228可具有任何適當的幾何形狀，並可使用數種技 0503-A34689TWF/dwwang 15 201042757 術的任一種來製造。 在至少一實施例中，在分離絕緣層240中而可將重 佈層226連接於端子228的開口（未繪示），是沿著電極 224的重佈層226而水平設置。然而在其他實施例中，上 述開口的設置是使端子228被放置在電極224的正下方 (例如垂直地對準電極224)。在這樣的實施例中，可以省 略重佈層226的設置。 在某些實施例中，一覆蓋層208是形成於半導體裝 置基底250的上方，且是由一透明材料例如玻璃所形成， 以促進入射光的傳播而到達晝素陣列204。在某些實施例 中，一間隙251是形成於覆蓋層208與半導體裝置基底 250之間。在其他實施例中，一保護環（guard ring)結構（未 繪示）是嵌入半導體裝置基底250中而位於畫素陣列204 的正上方以防止晝素陣列204的串音（crosstalk)例如光的 散射或相鄰晝素之間的電荷載體的散射。 無論是具體實施於一系統或一半導體封裝體中，本 發明在一或多個實施例中所揭露的影像感測器裝置 200,是提供了 I/O端子特性的改善及/或有助於使習知的 晶片尺寸封裝製程所浪費的晶圓區域最小化。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知 識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之 更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 0503-A34689TWF/dwwang 16 201042757 I圖式簡單說明】圖為一剖面圖’是顯示相關製程的一影像感測 益哀置。要第2圖為一俯視圖，是顯示f 1圖的影像感測器裝 置之一狹縫金屬内連線層。_ _ ^圖為剖面圖，是顯示一實施例之一影像感測
❹ 【主要元件符號說明】 i〇〇〜影像感測器裝置； 104〜畫素陣列； 106〜特殊應用積體電路； 108〜破璃層； 110〜組合層； 114〜傾斜的切割線； 117〜介電材料； 120〜塾部（金屬層）(狹縫金屬層）；122〜狹縫或區域； U0〜基底； 151〜間隙； 200〜影像感測器襞置； 102〜基底； 109〜切割線； 112〜玻璃層； 116〜金屬介層窗； 119〜導電體或金屬層； 202a〜第一 /上表面； 204〜晝素陣列； 205a〜第一面（下表面） 160〜光學與濾光元件 202〜半導體载體基底 202b〜第二/下表面； 205〜第一區； 205b〜第二面； 206〜控制電路； 208〜覆蓋層； 207〜第二區； 209〜切割線； 0503-A34689TWF/dwwang 17 201042757 216〜介層窗； 218〜多層内連線層； 220〜實心墊部； 222〜矽貫穿孔； 226〜重佈層； 230〜部分； 232〜介層窗； 234b〜金屬間介電層； 234d〜金屬間介電層； 238〜間隔物絕緣層； 250〜裝置基底； 250b〜第二面； 260〜光學與濾、光元件； M2〜金屬内連線層； 217〜介電質； 219〜丁；^層； 220p〜實心墊； 224〜電極； 228〜端子； 231〜底部； 234a〜金屬間介電層； 234c〜金屬間介電層； 236〜導通孔； ❹ 240〜分離絕緣層； 250a〜第一面； 251〜間隙；
Ml〜金屬内連線層； M3〜(金屬）内連線層。 ❹ 0503-A34689TWF/dwwang 18

Claims (1)

  1. 201042757 七、申請專利範圍： 1.一種影像感測裝置，包含： 一裝置基底，其具有一晝素區與一電路區； 一晝素陣列，其位於該裝置基底上並位於該畫素區 中； 一控制電路，其位於該裝置基底上並位於該畫素區 中； 一内連線結構，其位於該晝素陣列及該控制電路 ° 上，該内連線結構將該控制電路控制電路電性連接於該 畫素陣列；以及 一傳導層，其位於該内連線結構上；其中 該傳導層的一部分是位於該畫素區，該部分是作為 一連接墊。 2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置，其中 該連接塾是實心的。 3. 如中請專利範圍帛}項所述之影像感測裝置，更包 ) 含： 一载體基底，其位於該傳導層上；以及 一導通孔，貫穿該載體基底並電性連接於該晝素區。 、4,如申明專利範圍第3項所述之影像感測裝置，其中 該導通孔的位置是對應於該畫素區。 5. 如申請專利範圍第3項所述之影像感測裝置，其中 該導通孔延伸至該傳導層中。 6. 如申請專利範圍第3項所述之影像感測裝置，更包 含一絕緣層，其圍繞該導通孔的側壁。 0503-A34689TWF/ dwwang ^ 201042757 7. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置，其中 該影像感測裝置是背面受照射的影像感測裝置。 8. 如申請專利範圍第丨項所述之影像感測裝置，其中 該裝置基底具有一前面與一背面，而該晝素陣列是位於 該裝置基底的前面。 9. 如申請專利範圍第8項所述之影像感測裝置，更包 含位於該裝置基底上的一渡光元件。 10. —種影像感測裝置，包含： 裝置基底，其具有一畫素區與一電路區； 一畫素陣列，其位於該裝置基底上並位於該畫素區 中； 一控制電路，其位於該裝置基底上並位於該畫素區 中； 一内連線結構，其位於該晝素陣列及該控制電路 上該内連線結構將該控制電路控制電路電性連接於該 畫素陣列； 一傳導層’其位於該内連線結構上； 一載體基底，其位於該傳導層上；以及 導通孔，貫穿該載體基底並電性連接於該晝素 該部分是作為 該傳導層的一部分是位於該畫素區 一連接塾。 11. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測裳置，其 中該導通孔的位置是位於該晝素區。 八 12. 如申請專利範圍第丨〇項所述之影像感測裝置，其 20 〇5〇3~A34689TWF/dwwang 201042757 中該導通孔延伸至該傳導層中。 13. 如申請專難圍第1G項所述之影像感測裝置 包含一絕緣層，其圍繞該導通孔的側壁。 14. 如申請專㈣圍第1G項所述之影像感測裝置 中該裝置基底具有-前面與—背面，而該影像感測裝置 是從該背面受到照射，且該畫素陣列是位於該裝 的前面。 Ο Ο 15. —種影像感測裝置的製造方法，包含： 在-裝置基底上形成一晝素陣列，該晝素 該裝置基底的一晝素區； 我 在該裝置基底上形成-控制電路，該控制電路 該裝置基底的一電路區； 在該晝素陣列與該控制電路上形成一内連線結構， 該内連線結構將該控制電路電性連接於該晝素陣列；以 及 在該内連線結構上形成一傳導層；其中 該傳導層的-部分是形成於該晝素區，該部分 為一連接墊。 16·如中睛專利範圍第15項所述之影像感測裝置的 ^方法’其中該連接塾是由實心的導體所形成。 制如巾料利範圍第15項所述之影像感測裝置的 製造方法，更包含： 將一載體基底連接於該傳導層；以及 電^通孔，其穿透該載體基底，該載體基底是 冤{•生連接於該傳導層。 〇503-A34689TWF/dvwang 21 201042757 18. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測裝置的 製造方法，其中該導通孔是形成於該連接墊上。 19. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測裝置的 製造方法，其中一絕緣層是形成於該導通孔的一側壁上。 20. 如申請專利範圍第15項所述之影像感測裝置的 製造方法，其中該裝置基底具有一前面與一背面，而該 影像感測裝置是從該背面受到照射，且該晝素陣列是形 成於該裝置基底的前面。 0503-A34689TWF/dwwang 22
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