TW201026621A - Method for forming a dry glass-based frit - Google Patents

Method for forming a dry glass-based frit Download PDF

Info

Publication number
TW201026621A
TW201026621A TW098135206A TW98135206A TW201026621A TW 201026621 A TW201026621 A TW 201026621A TW 098135206 A TW098135206 A TW 098135206A TW 98135206 A TW98135206 A TW 98135206A TW 201026621 A TW201026621 A TW 201026621A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass
batch
frit
item
forming
Prior art date
Application number
TW098135206A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI410384B (zh
Inventor
Robert Scott Burkhalter
Lisa Ann Lamberson
Robert Michael Morena
Shyamala Shanmugam
Charlene Marie Smith
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of TW201026621A publication Critical patent/TW201026621A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI410384B publication Critical patent/TWI410384B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/16Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06Joining glass to glass by processes other than fusing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/16Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
    • C03C3/21Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus containing titanium, zirconium, vanadium, tungsten or molybdenum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/20Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/24Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Description

201026621 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明侧於形成為無機玻璃為主之 法丄特別是,本發__形成適合制作為㈣;^的封方 裝密封介質之無機㈣為主麵料的綠。 、 【先前技術】
電致發光裝置諸如有機發光二極體裝置通常於其製 時係使用大尺寸的玻璃主(母)片在單—元件中形成多數襄 置。亦即,這錄軸在兩片大玻或朗板之間、 以形成複合元件,之後再從複合元件裁切出個別襞置。 複合元件的每-裝置包括—賴,其___裳置的 有機發光二極體關緣,㈣頂板與底板㈣成—體並保 護設置於其内的有機發光二極體,因為有些裝置尤其是有 機發光二極體在含有氧氣與水氣的情況中會劣化,而周圍 環境中隨時可見氧氣與水氣。電致發光裝置可使用例如環 氧樹脂類的黏著劑加以密封;新近幾年亦使用玻璃料經加 熱熔化後形成兩玻璃板間的密封。玻璃料密封裝置展現某 些高於黏劑密封裝置的優點,尤其是它優異的氣密性,使裝 置内不需再密封用以排除污染物的吸氣劑。因此,與黏劑 密封裝置所能達到的使用壽命比較時,玻璃料密封裝置可 以提供更長的壽命。儘管如此,目前已發現由於玻璃料中 包含的水氣會在密封過程中被釋放到包覆有機發光材料的 凹孔内,所以玻璃料密封裝置可能難免劣化。 【發明内容】 3 201026621 已有人揭露不同的方法用以形成適於密封電子裝置的 乾式破璃系玻璃料尤其是包含有機材料的電子裝置諸如 有機發光二極體顯示器有機發光二極體照明板與—些類 別的有機太陽能光電裝置。 、 在一實施例中,係揭示一種形成乾式玻璃料的方法其 包括:形成一包含釩與磷的批料;在一調節步驟中將批料加 熱至大約450Ϊ至大約55(TC之間的溫度並維持至少一小時 Q ;在調節步驟後熔融批料以形成一玻璃熔體;冷卻玻璃熔體 以形成一種玻璃;其中,此種玻璃的0H含量以直接插入探針 質譜測定法測量時係等於或小於大約2〇ppm。 在另一實施例中,係揭示一種用於形成玻璃系玻璃料 的玻璃粉末,其中,該種玻璃粉末包括釩,磷與一種金屬 鹵化物。 在另一實施例中,係揭示一種用於形成玻璃系玻璃料 的玻璃粉末,其中,該種玻璃粉末包括五氧化二鈒,五氧化 Q 二磷,及金屬鹵化物。 在另一實施例中,係揭示一種玻璃料的形成方法,其包 括:形成一包括五氧化二飢,五氧化二填及一種金屬齒化物 的批料;在一調節步驟中將批料加熱至大約45(TC至大約 550°C之間的溫度並維持大約至少一小時;在調節步驟後熔 融批料以形成一玻璃熔體;冷卻玻璃熔體以形成一種玻璃; 其中,此種玻璃的0H含量係大約等於或小於20ppm。 【實施方式】 在下列詳細說明中,揭示出特定細節之範例性實施例 4 201026621 提供完全瞭解本發明之原理,其作為說明用途以及並非作 為限制用途。因而業界熟知此技術者受益於所揭示内容了 解本發明能夠實施於其他實施例中而並不會脫離在此所揭 示本發明之内容。除此,為人所熟知之裝置,方法以及材料 能夠加以省略而並不會妨礙本發明原理之說明。最後,儘 可成地,參考數目代表類似的元件。 以高氣密性密封的玻璃封裝可用於多種用途,包括各 Q 種光子裝置,諸如光學顯示器(例如平面電視,行動電話顯 不器,相機顯示器)與太陽能光電裝置(例如太陽能電池)。 雖然環氧樹脂密封劑已被廣泛用於一些元件諸如液晶顯 示器,但是更新近的技術發展係在膠封的有機材料,此種材 料可用於類似的目的。例如,目前已發現有機發光二極體 可應用在顯示裝置與照明裝置二者。同時也已發現有些有 機材料可用在太陽能光電領域,其巾有機太陽能電池顯示 相當樂觀的前景。 ❹ 賴錢材料触^刊:益,但是構絲置的有機材 料易因曝露在高溫,氧氣及錢中^受卿響。亦即,當有 機材料《在大約縱⑶上的高溫,魏或水之中^會 .快,降解。因此,必須極其小心地確保採用有機材料的震 ,是在真空密封的狀態下。密封方法之—包括將有機材料 密财玻璃板之間。各種不同的無機玻璃特別適於作為包 覆有機材料的容器。無機玻璃大致具有環境穩定性,並且 不欠水氣魏__影響。_,職生_裝品質係 由形成玻璃板間密封的材料而決定。 5 201026621 先前技術之裴置經常採用環氧樹脂黏著劑作為玻璃板 間的密封介質。液晶顯示器的製作即是一例。然而,對於 一些適於用在電子裝置中的有機材料,例如用在前述顯示 器,照明板與太陽能光電裝置時,這些有機材料所需的長期 氣密性最能經由破璃板間的玻璃密封來達成。因此,使用 無機玻璃系玻璃料已成為有機電子裝置密封介質的最佳選 - 擇。 、 Q 舉例而5但不限於此,有機發光二極體顯示器1〇(圖1) 的典型玻璃料密封方法可包括:在第一玻璃基板14(背板) 上形成光子材料12。光子材料12通常包括一陽極電極與陰 極電極(圖中未示)以及置於兩電極間的一層或多層光子材 料層(例如有機發光材料)。在該背板基板與第二玻璃基板 18(蓋板)之間,設置玻璃料16。該玻璃料例如可先配置在 蓋板基板上。在一些實施例中,玻璃料係以膏狀先配置在 蓋板基板18上,然後加熱燒結玻璃料使之黏著於蓋板基板 〇 。燒結作業可在烘爐中進行。隨後放置蓋板基板18,使其 與背板基板間至少局部呈上下平放對齊,並用輻射源2〇加 熱玻璃料諸如使用雷射20放射雷射光束22軟化玻璃料而在 蓋板基板與背板基板之間形成真空密封藉此產生容置有 機發光二極體的氣密玻璃封裝。 通常,玻璃中出現的水份可以分成兩個概括的類組:一 是結構水,另一是表面水。在熔融過程中,結構水的水原子 (通常以氫氧基0H離子的型態出現)係附著在形成玻璃的多 面體分子結構上,並成為玻璃網狀結構的主要部份;以及例 6 201026621 存在於玻璃球磨研磨過程t存在之水在研磨過程中 將產生玻璃料本身黏附至由斷裂鍵產生玻璃料顆粒表面上 不飽和原子、位置。通常,利用簡易的乾燥處理諸如加熱 玻璃料的玻璃可以去除表面水。而結構水的結合力則強得 多,並可於任何乾燥步驟中持續停留在玻璃内。 雖然玻螭中出現水份未必會使破璃的特性劣化(除了 中紅外線餘率增加),但在玻補㈣過程的後續加熱期 e _出水份時(釋出氣體 > 可能會影響到玻璃的商業用途。 因水份釋出氣體而受影響的特定應用之一關係到玻璃料在 密封有機發光二極體裝置上_途,因树使是數個_的 尺量也對有機發光一極體裝置有極大的影響。在本文述及 的水份可能以汽相的形式呈現(諸如釋出氣體期間,或如氯 氧基離子0H的形式)。 在典型的玻璃料製程中,是用傳統的玻璃形成方法 來形成玻璃,例如溶膠-凝膠法或加熱粒狀批料(砂粒)法。 參隨後可熔化所產生的玻璃製成薄帶狀然後用球磨研磨成 所要的粒徑。例如,3微米的中等粒徑適合用於製作有機發 光一極體裝置。在球磨研磨之後,可將粉末狀玻璃料與填 ' 充料混合,使產生的玻璃料混合物具有預定的熱膨脹係數 。例如’沒鋰霞石是具有適合熱膨脹係數的填充料。一旦 製成前述混合物並預先乾燥之,諸如在一烘爐中加熱混合 物即可依需要將玻璃料玻璃(或混合後的玻璃料,依情況而 定)與有機媒質(例如酯醇),有機膠合劑(例如乙基纖維素) ,及不同的分散劑與表面活性劑混合,以備製玻璃質混合物 7 201026621 。接著將_料混合物哺定喊樣配置在玻璃基板上, 例如^/成環圈狀雜狀式樣,在空氣巾加熱以燒光有機物 質’然後在氮氣環境中進行後續加熱至棚。c以預燒結玻璃 料預燒結步驟如其名稱所示,可以固結玻璃料並使玻璃 料黏附到(驗)基板上。欲㈣雷職財搞預燒結的 基板對接到—個或多個有機發光二極體裝置的基板(背板 '基板)時,通常係使用雷射橫過固結的玻璃料,加熱並軟化 0玻璃料;然後當玻璃料冷卻並凝固時,蓋板基板與背板基板 間即形成密封。使用雷射密封期間,玻璃料密封劑係加熱 到400。(:以上,並維持至少零點數秒,因此會使玻璃料中的 、-構水(亦即0H)釋出,並有可能使有機發光二極體劣化。 為了可在玻璃料後續加熱至7〇(rc的過程中消除玻璃 的水份釋出氣體,研究的努力重點都集中在降低玻璃中 的〇H含量。所利用的方法有兩個:⑴玻璃的成份變化及 ⑵炼融過程的物理變化。量測水的份量時係根據兩種方 〇 法測万一0H(主要是測量oh-離子的中紅外線吸收率峰值 )與DIMS(直接插入探針質譜測定法)。根據本發明,乾式 玻璃(及生成的乾式玻璃料)之定義係指❹,值大約等 於或小於0. 3/_,或如以直接插入探針質譜測定法量測時 ^其〇H含量大約等於或小於2〇ppm。較佳是玻璃包括的 Γ曾i值大約料或小於G. 3/_,且其⑽含量以直接插入探 測定法量測時大約等於或小於2G_。較佳是當玻 再加熱至7G(TC時,不論是手玉粗磨的粉末或是球磨研磨 出的細粉末(3微米)以DIP_MS量測時都不會出現含有可測 8 201026621 感水份的釋出氣體。 冷-0H量測是在退火玻璃碎片上進行的,玻璃已先礙磨 並拋光成0· 1-0. 4mm之厚度。β-OH量測可提供有關玻璃内 風氧基離子總》辰度的數據,而不只是有關會在特定溫度區 内解吸的氫氧基數據。如圖2及下述等式1所示,石—〇Η是基 線透光度與0Η-吸收峰值透光度之比,並且對彼此組成份相 同或極類似的玻璃而言,々-0Η與氫氧基離子濃度成正比。 0 $ 一0H = 1〇g(ref%T/〇H%T)/(thk),其中 ref%T 是位於近處 的非0H吸收區的透光量;0H%T是位於〇H峰值(〜犯別賢丨)基 部的透光度;thk是樣品厚度(腿)。 對彼此組成份相同或極類似的玻璃而言,沒與氫氧 基離子濃度成正比。石-0Η量測可提供玻璃内所有氫氧基 離子的相對氫氧基(0Η)吸收係數而不只是會在特定溫度區 域内去吸附的氫氧基的相對氫氧基(〇Η)吸收係數。任何習 知的紅外線光譜學技術例如傅裡葉變換紅外線光譜法都可 0 利用作此種量測。 DIP-MS量測是在手工粗磨的粉末(_2〇〇Μ/+1〇〇Μ或近似 —75-150微米)或在球磨研磨的細粉末(平均粒徑等於或小於 3微米)上進行的。DIp_MS設備與多種標準質譜研究中使用 的真空爐質譜學技術不同。如圖3概略圖所示,DIP-MS設備 利用-種加熱過的探針28,其令容置欲測試的樣品3〇。探 針直接放在質譜儀34的離子化區(電子撞擊電離器32)内。 除上述元件外,圖3中的典型DIP-MS設備更進而包括四極離 子分析儀36及檢_ 38。波形線40代表從樣品3〇至檢測器 201026621
= 與真空爐質譜測定法量測不同的是,DiP 物種,高溫下 物種定量分析。 ”適。更具可罪性的化學 Ο ❹ 法二:= 吏:_不同的加熱程式謂週期 水,===:^5小時以去除任何表面 (_,其情縣^&=跳魏縮程式法 到靴,但保持在侧t的時間較用决==度上升率加熱 的升溫速率加熱至700。(:(每分鐘5〇;:、敕並利用較快 行過程中所有㈣碰魏 成物手工粗磨雷射^封的燒結破璃合 ,其中顯示水份的引出離;^^=\其、结果如圖6所示 數的奈米安賴。此作業係根據標準 ==作在*:幾分鐘内顯示有小*從表= _=:===的4個小賴從20 定最初釋出的水份與表面水相關:況’因此確 接近550〇C時,開始觀窣f,丨## > ,、續加熱樣品,在 (離散性)的情況。干與水份釋㈣關但呈不連續 1叙意,在無樣品的情況下進行控 飾崎麵=在 C的純時發生的結構水分刊釋咖有關。 201026621 在控制量測期間,僅觀察到一個模糊,小角度的寬峰,形成 儀器整體背景訊號的一個特徵。 如表I所示,可以發現使用鹵化物化合物時對降低結構 水量特別有效,因為含鹵化物的合成物中,其yS-OH含量顯 著降低,而使用DIP-MS量測的偵測中,在400-700°C的加熱 升溫期間也完全未出現可感測的水份釋出氣體。表I摘記 — 四種合成物(OCO與一不含鹵化物的控制合成物(〇)比 〇 較時所獲得的結果。G樣品不含鹵化物;Q樣品與G樣品 大致相同,但所有氧化鋁都換成氟化鋁。圖8中比較Cl樣品 之DIP-MS掃瞄中的高溫部份與C2樣品。 兩種材料都是手工粗磨的玻璃粉末。含氟的玻璃(C2) 掃描結果以轉42絲,掃關示—無賊的式樣,沒有任 何獨特的情況。對比之下,以曲線44表示的Ci樣品掃描,則 顯示在接近55G-65G°C的範_出現數個不連續(離散)的 Μ釋出以。(:5樣品的彡值比讎的較高,且與其他 ^的鹵化物f、果不—致,因此被認為衫良樣品備製所致(因 為辣量測對樣品的表面清潔度極為敏感)。樣* 的DIP-MS量測則未進行。 201026621 表i c2 c5 (莫耳%) Ci (標準組成份) C3 (全部ai2o3 加入為 A1F3) C4 (50% 之 AI2O3加入 為 A1F3) (25% 之 A1j〇3加入 為 A1F3) (67% 之 AI2O3加入 為 A1C13)
h2o估計, DIP-MS, ppm 175,224,251 P不同粉東批號) 未感測出 未感測出 除了在玻璃料中加入鹵化物之外,還進行了與加入鹵 化物無關的其他試驗,其中熔融過程經過修改以產生低召一 0H值的玻璃’而且此過程在後續的勝奶分析難中 呈現結構水釋出氣體。 ,、未 表II列出各種不同製程變化的實驗與制到的結構水 量(/3-0H)及/或釋出的結構水量(DIP褐。絲 ❹ 出,這些不同的實驗包括··決定熱週期在炫融過程中的作ΐ (實驗1);使用氮氣熔融的批料空氣锻燒(實 氣煆燒纖編。C)結合接_批料 :^ 4);熔融基本玻璃中五氧化二釩之外 H實驗3與 氧化二鈒再舰_ 5)爾,麵應電射 值且/或相對標準製程的產生相當低的 水釋出氣體,但是熔融過財略_ 構 C煆燒加標準_t炫融(實驗5)為例=期(實驗υ與 12 201026621
表II 試驗 # 細節 DSC DIP-MS 水份,ppm β-ΟΗ 控制 融熔於1000°歷時1 hr於空氣中 355° 175,224,251 0.471 1 融熔於1000°歷時1 hr,降低溫度 至600°,保持2 hrs,再融熔於 1000°歷時1 hr(於空氣中) 3540 925 0.336 2 暇燒於空氣中在485°,融熔於N2 於1000。 3590 未感測出 0.137 3 暇燒於空氣中在485°,融熔於空 氣中在1000° 3560 未感測出 0.205 4 融體Sb2〇3-P2〇5玻璃(使用磷酸 铵),研磨,混合V205及再融熔於 1000°於空氣中以產生25:25:50 Sb203-P2〇5-V2〇5 玻璃 895BHL 未感測出 5 嘏燒於空氣中在600。,融熔於空 氣中在1000° 0.433 6 感應融溶895ASF碎玻璃在900。 A中,及氣泡02 220。, 362° 未感測出 7 感應融溶895ASF碎玻璃在9〇〇。叫 中,及氣泡80% N2-20% 0, 359° 未感測出 ό 這些結果中有一個有趣的特點即是煆燒溫度的效應。 選擇煆燒作為降低結構水的潛能手段,是因為它允許玻璃
料混合物之任何原料中的水成份在進入熔體結構前先從批 料逸出。有趣的是,485。(:空氣煆燒/忉卯乞空氣熔融(實驗 3)對於降低結構水量有實質的效果(/?_〇Η=〇· 2〇5),但6〇〇 艽空氣假燒/i〇〇〇t空氣炫融(實驗5)相對上較為無效(石― 0H喊433)。圖9提供-個可能的解釋,其中顯示的溶凝 石英掛塌46與48,分別容置485〇c煆燒及煆燒後的控 制批料合祕。4机機後的批雜本上辆散多孔, 非固結的粉末,*嶋。(:锻燒後的㈣職生實質的嫁化 因為主要的批料組成分之一(五氧化二碌),其炫點為563’ c。-個可能的解釋為在6G(rc產生的液相封住許 水的逸散通道,導致_結_包括的水份多於以較低加 13 201026621 度485 C恨燒時的情況。在所有方法中以結合48^c空氣 煆燒與1000°C氮氣熔融(實驗2)可產生最低的^_〇Η。此 種現象的發生被認為是485。(:空氣煆燒的效果結合了氮氣 掃掠玻璃熔體並帶走水分子團的能力。在實驗6與7中亦 觀察到氮氣的效益,其中將傳統方式熔化的玻璃屑於氮氣 環境中再炫融,使氧氣或氮氣/氧氣成氣泡冒出熔體。 完成表II中的物理實驗後,再選擇三種方法重覆測試 以決定無水結果的可重複性。這些方法是··以齒化物取代 ◎ 片 氧化銘(例如氟化鋁);先在空氣中以485°c煆燒2小時,接著 再於空氣中以1 〇〇〇t:熔融;以及,先在空氣中以485。(:煆燒2 小時,接著再於氮氣環境中以1〇〇〇。〇熔融。表πΐ中針對/3 0H及水份釋出氣體結果比較這些技術。這三種方法在初 始實驗中產出乾式玻璃,在重複作業中同樣可產生乾式玻 璃。
表III C, c2 诏5°C-2hr空氣+ 1000°C-lhr (N2) 485°C-2hr 空氣+ 1000°C-lhr(空 I、 DIP-MS H2〇(ppm) 全部試樣粗研磨 175,224,251(Av, 217 ppm) 未感測 出 未感測出 未感測出 ~~ (abs/mm)範圍 全部試樣拋光大艏 0.38-0.61 3.07- 3.11 3.02-0.16 3.19-0.24 在以上數種方法中可見的無結構水釋出氣體情況,在 球磨細研粉末(粒徑等於或小於3微米)與使用上述細研粉 末製出的玻璃料混合物以400°C預燒結處理中亦可看見,如 表IV列出的DIP-MS結果所示。 201026621
表IV DIP-MS 結果^高谣益.圊.400-700°C) 2% AIF3替代歷時1% α1203 (標 準1000°C-lhr空氣融熔、 485°C-2hr空氣煆燒+ 1000°C-lhrN2 融熔 粗研磨粉末 (75-150μιη) 未感測出 未感測出 細球磨粉末i<3um) 未感測出 未感測出 初始玻璃料糊狀物由細 球磨粉末及低溫CTE填 充料(70:30混合)製造出 未感測出 未感測出 以上所述數種乾式玻璃及玻璃料的生產技術,整體看 來與含釩及磷酸鹽的玻璃相關,而不只是與目前用於有機 0 發光二極體玻璃料密封劑的三氧化二銻鈒填酸鹽玻璃相關 。以下表ν顯示根據本發明之無錄氧化鐵-五氧化二釩一五 氧化二磷玻璃的冷-0H值 表V 0 組成份(莫耳%) μ Fe203 17.5 Γί〇2 17.5 ZnO 5.0 P2O5 20.0 V2〇s 40.0 P-OH(abs/mm)標準融熔 (1000°C-lhr,空氣) 0.49 β-ΟΗ (abs/mm)嵌燒 + N2 融溶 (4850C-2hr,空氣+ 1000oC-lhrH 0.03 【圖式簡單說明】 圖1為包含有機材料範例性玻璃封裝之斷面圖。 圖2為透射率曲線圖,為顯示出一般/3,量測波數之 曲線圖。 圖3為量測排出水氣之DIP-MS裝置之示意圖。 圖4為依據本發明實施例標準加熱計劃之曲線圖。 圖5為依據本發明實施例加壓加熱計劃之曲線 圖6為對_料組成仙粗手工研磨試樣進行仙奶 15 201026621 量測之曲線圖。 ▲圖7為如圖6所進行DIP-MS量測之結果曲線圖,但是並 無5式樣顯不出圖6中所顯現情況(尖波)與在400-70(TC溫 度上昇過程中結構性水份種類排出相關。 圖8為控制(非乾燥)玻璃料組成份Cl粗手工研磨試樣 進行DIP-MS量測之曲線圖,其顯示出在4〇〇_7〇(Γ(^|度上昇 過程中結構性水份種類之排出,而與並未顯示尖峰之試樣 Q C2作比較。 圖9為相片圖,其顯示出控制在485。(:假燒(左邊)以及 6〇〇°C煆燒(右邊)後批料組成份之溶融石英坩塥。 【主要元件符號說明】 有機發光二極體顯示器10;光子材料12;第一玻璃基 板(背板)14;玻璃料16;第二玻璃基板18;輻射源2〇;雷 射光束22;探針28;樣品30;電子撞擊電離器32;質譜儀 34;離子分析儀36;檢測器38;波形線40;含氟破璃C2# Q 瞄曲線42;C!樣品掃瞄曲線44;石英坩瑪46, 48。 16

Claims (1)

  1. 201026621 七、申請專利範圍 1. 一種形成玻璃料的方法,其包括: 形成包含鈒與填的批料; 在調節步驟中將批料加熱至大約450°C至大約55(TC之間 的溫度歷時至少一小時; 在調節步驟後熔融批料以形成玻璃熔體; 冷卻玻璃炼體以形成玻璃;以及 q 其中玻璃排出氣體水份含量為等於或小於約20ppm。 2. 依據申請專利範圍帛i項之方法,其中更進一步包含研磨 玻璃以形成玻璃顆粒。 3·依據申請專利範圍第i項之方法其中包含㈣η等於或 小於約0· 3/mm。 4·依射請專利_第2項之方法,其中更進—步包含將玻 璃顆粒摻雜降低熱膨脹係數之填充材料。 5. 專利範圍第1項之方法,其中批料在調節步驟中 0 加熱歷時至少2小時。 利範圍第1項之方法,其中飢㈣。 .7·依據h專利範圍第1項之方法,其中5。 8.依據申請專利範圍第丨 Q你媸由咬奎4丨伙 < 万去,其中玻璃不含銻。 9·依據h專利範圍第β之方法 10.依據申請專利範圍第i ^甘中熔雜4中進行 行。 < 万去,其中熔融在氮氣中進 11·依據申晴專利範圍第1項 加熱至溫度至少約為1〇〇〇ΐ以炫融^中溶融包含將批料 201026621 12. —種形成玻璃為主玻璃料之玻璃粉末,其中玻璃粉末包 含釩,磷以及金屬齒化物。 13. 依據申請專利範圍第1項之玻璃粉末,其中玻璃不含錄 14. 一種形成玻璃為主玻璃料之玻璃粉末,其中V2〇5,p2〇5 以及金屬鹵化物。 15. 依據申請專利範圍第14項之玻璃粉末,其中金屬自化物 包含A1F3。 16. 依據申請專利範圍第14項之玻璃粉末,其中金屬自化物 ❹包含A1CL·。 17·依據中請專機H帛14項之玻璃粉末,其中金屬齒化物 為由包含鐵,釩以及鋁群組選取出金屬之齒化物。 18. 依據申請專利範圍第14項之玻璃粉末,其中玻璃粉末不 含録。 19. 一種形成玻璃料的方法,其包括: 形成包含V2〇5, PA以及金屬鹵化物的批料· 侧節步驟巾將批料加熱至A約·。約55(rc之間 v 的溫度歷時至少一小時; • 在調節步驟後熔融批料以形成玻璃熔體; 冷卻玻璃溶體以形成玻璃;以及 其中玻璃0H含量為等於或小於約2〇_。 20. 依據申請專利範圍第19項之方法,其中批料包含録。 2L依據申請專利範圍第19項之方法其中玻璃包 等於或小於0.3。 22.依據申請專利範圍第19項之方法,其中批料在調節步驟 18 201026621 中加熱歷時至少2小時。 23. 依據申請專利範圍第19項之方法,其中熔融在空氣中進 行。 24. 依據申請專利範圍第19項之方法,其中熔融在氮氣中進 行。 G
    19
TW098135206A 2008-10-20 2009-10-16 形成乾式玻璃系玻璃料之方法 TWI410384B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10673008P 2008-10-20 2008-10-20
US12/504,276 US20100095705A1 (en) 2008-10-20 2009-07-16 Method for forming a dry glass-based frit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201026621A true TW201026621A (en) 2010-07-16
TWI410384B TWI410384B (zh) 2013-10-01

Family

ID=42107545

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098135206A TWI410384B (zh) 2008-10-20 2009-10-16 形成乾式玻璃系玻璃料之方法
TW098135208A TWI391359B (zh) 2008-10-20 2009-10-16 不含銻玻璃及不含銻玻璃料及利用玻璃料密閉性密封玻璃封裝

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098135208A TWI391359B (zh) 2008-10-20 2009-10-16 不含銻玻璃及不含銻玻璃料及利用玻璃料密閉性密封玻璃封裝

Country Status (7)

Country Link
US (3) US20100095705A1 (zh)
EP (2) EP2346789B1 (zh)
JP (3) JP5284480B2 (zh)
KR (3) KR101250174B1 (zh)
CN (4) CN106277796B (zh)
TW (2) TWI410384B (zh)
WO (2) WO2010048044A2 (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5308718B2 (ja) 2008-05-26 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法
KR101665727B1 (ko) * 2008-06-11 2016-10-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 유리 용착 방법
WO2009157282A1 (ja) * 2008-06-23 2009-12-30 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法
US8245536B2 (en) * 2008-11-24 2012-08-21 Corning Incorporated Laser assisted frit sealing of high CTE glasses and the resulting sealed glass package
JP5481167B2 (ja) * 2009-11-12 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法
JP5535590B2 (ja) 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5481173B2 (ja) * 2009-11-25 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5535588B2 (ja) 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5535589B2 (ja) * 2009-11-25 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5466929B2 (ja) * 2009-11-25 2014-04-09 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5481172B2 (ja) 2009-11-25 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5525246B2 (ja) 2009-11-25 2014-06-18 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
JP5567319B2 (ja) 2009-11-25 2014-08-06 浜松ホトニクス株式会社 ガラス溶着方法及びガラス層定着方法
DE102010028776A1 (de) * 2010-05-07 2011-11-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8824140B2 (en) * 2010-09-17 2014-09-02 Apple Inc. Glass enclosure
JP5947098B2 (ja) * 2011-05-13 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ガラス封止体の作製方法および発光装置の作製方法
KR101288046B1 (ko) * 2011-05-26 2013-07-19 순천향대학교 산학협력단 레이저 실링용 저융점 유리 조성물
KR20120139392A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널, 그 제조방법 및 이에 사용되는 프릿 조성물
CN102231427B (zh) * 2011-06-30 2013-02-20 四川虹视显示技术有限公司 一种oled显示器件及其封装结构和封装方法
CN102231428B (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 四川虹视显示技术有限公司 一种oled显示器件及其封装结构和封装方法
US9824790B2 (en) 2011-08-26 2017-11-21 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Fire through aluminum paste for SiNx and better BSF formation
JP5487193B2 (ja) * 2011-12-26 2014-05-07 株式会社日立製作所 複合部材
US9346708B2 (en) * 2012-05-04 2016-05-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrates with glass frits and methods for making the same
TW201349315A (zh) * 2012-05-31 2013-12-01 3S Silicon Tech Inc 二極體/電晶體晶片pn接面之保護方法
CN103570228B (zh) * 2012-07-31 2017-05-17 膳魔师(中国)家庭制品有限公司 密封玻璃的制造方法和密封玻璃
JP6098984B2 (ja) 2012-08-30 2017-03-22 コーニング インコーポレイテッド アンチモンフリーガラス、アンチモンフリーフリット、およびそのフリットで気密封止されるガラスパッケージ
WO2014104623A1 (ko) * 2012-12-29 2014-07-03 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101802546B1 (ko) 2012-12-29 2017-11-30 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6258976B2 (ja) 2013-02-26 2018-01-10 コーニング インコーポレイテッド イオン交換プロセスに適合した装飾用多孔性無機層を表面に有する強化ガラス物品
KR101866624B1 (ko) * 2013-05-10 2018-06-11 코닝 인코포레이티드 저융점 유리 또는 흡수성 박막을 이용한 레이저 용접 투명 유리 시트
CN103325961B (zh) * 2013-05-22 2016-05-18 上海和辉光电有限公司 Oled封装加热装置及工艺方法
CN103367658B (zh) * 2013-07-17 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃封装结构和封装方法
KR102117608B1 (ko) * 2013-08-14 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 밀봉 장치, 밀봉 장치를 포함하는 기판 밀봉 장치 및 기판 밀봉 방법
US9573840B2 (en) 2013-08-27 2017-02-21 Corning Incorporated Antimony-free glass, antimony-free frit and a glass package that is hermetically sealed with the frit
CN103594625B (zh) * 2013-11-15 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 基于有机p-n结的紫外探测器件及使用该器件的紫外图像探测器
CN105236739A (zh) * 2014-03-08 2016-01-13 曹小松 一种釉面地板砖及其制备方法
KR20160017837A (ko) 2014-08-06 2016-02-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법
KR102512044B1 (ko) 2014-10-31 2023-03-20 코닝 인코포레이티드 레이저 용접 유리 패키지 및 그 제조 방법
CN109016713B (zh) * 2018-07-22 2020-05-19 广东博智林机器人有限公司 一种隔音、隔热和阻燃的空心格栅内墙板

Family Cites Families (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3414465A (en) 1965-06-21 1968-12-03 Owens Illinois Inc Sealed glass article of manufacture
US3762936A (en) * 1967-07-31 1973-10-02 Du Pont Manufacture of borosilicate glass powder essentially free of alkali and alkaline earth metals
US3614825A (en) 1969-03-17 1971-10-26 Stromberg Datagraphix Inc Method for fabricating a membrane assembly
US3767432A (en) * 1971-04-08 1973-10-23 Owens Illinois Inc PRODUCTION OF P{11 O{11 -SiO{11 {11 PRODUCTS
US3972704A (en) * 1971-04-19 1976-08-03 Sherwood Refractories, Inc. Apparatus for making vitreous silica receptacles
US3778126A (en) 1971-12-30 1973-12-11 Ibm Gas display panel without exhaust tube structure
JPS526097B2 (zh) 1972-03-14 1977-02-18
US3973975A (en) 1972-04-21 1976-08-10 Owens-Illinois, Inc. PbO-containing sealing glass with higher oxide of a cation to avoid PbO reduction
US4070198A (en) * 1976-03-05 1978-01-24 Corning Glass Works SiO2 -Al2 O3 -N glass for production of oxynitride glass-ceramics
JPS52121615A (en) * 1976-04-06 1977-10-13 Hoya Glass Works Ltd Glass having low refraction index and low melting point
JPS54150150A (en) 1978-05-17 1979-11-26 Hitachi Ltd Production of liquid crystal display element
US4206382A (en) 1978-06-22 1980-06-03 Wagner Electric Corporation Glass-to-glass sealing method with conductive layer
NL7908501A (nl) 1979-11-22 1981-06-16 Philips Nv Lichamen samengesteld uit ten minste twee delen, verbindingsglas en werkwijze voor het aan elkaar hechten van delen.
US4400870A (en) 1980-10-06 1983-08-30 Texas Instruments Incorporated Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation
JPS60255643A (ja) * 1984-06-01 1985-12-17 Hitachi Ltd 無鉛系低融点ガラス
JPS61111935A (ja) * 1984-11-02 1986-05-30 Hitachi Ltd ガラス組成物
US4743302A (en) * 1986-06-06 1988-05-10 Vlsi Packaging Materials, Inc. Low melting glass composition
US4748137A (en) 1987-05-20 1988-05-31 Corning Glass Works Low temperature melting frits
US4814298A (en) 1987-10-26 1989-03-21 Corning Glass Works Lead-free glasses for glaze materials
JP2999486B2 (ja) * 1989-10-03 2000-01-17 三井鉱山株式会社 マシナブルセラミックスの製造方法
US5192240A (en) 1990-02-22 1993-03-09 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a microelectronic vacuum device
JP2965336B2 (ja) * 1990-08-22 1999-10-18 住友電気工業株式会社 燐酸塩ガラスの製造方法
FR2668144B1 (fr) * 1990-10-17 1993-04-16 Sept Doloy Sa Compositions de verres pour scellement sur l'aluminium et ses alliages.
SU1749193A1 (ru) * 1990-10-24 1992-07-23 Опытное Конструкторско-Технологическое Бюро "Кристалл" С Опытным Производством При Ленинградском Технологическом Институте Им.Ленсовета Электроизол ционное стекло
FR2682373B1 (fr) * 1991-10-15 1995-01-27 Sept Doloy Sa Compositions de verres sans plomb pour scellement sur cuivre.
US5246890A (en) 1992-08-03 1993-09-21 Corning Incorporated Non-lead sealing glasses
US5281560A (en) 1993-06-21 1994-01-25 Corning Incorporated Non-lead sealing glasses
US5516733A (en) 1994-03-31 1996-05-14 Corning Incorporated Fusion seal and sealing mixtures
US5514629A (en) 1994-12-09 1996-05-07 Corning Incorporated Fusion sealing materials and use in CRT
US5500917A (en) 1994-04-18 1996-03-19 Gould Electronics Inc. Optical assembly/housing for securing optical fiber components, devices and fibers to the same or to mounting fixtures
US5552092A (en) * 1994-05-31 1996-09-03 Corning Incorporated Waveguide coupler
JP2754461B2 (ja) 1994-07-08 1998-05-20 双葉電子工業株式会社 容器の封着方法および封着装置
US5489321A (en) 1994-07-14 1996-02-06 Midwest Research Institute Welding/sealing glass-enclosed space in a vacuum
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US6150027A (en) 1995-06-16 2000-11-21 Hitachi, Ltd Glass composition, structure, and apparatus using the same
US5641611A (en) 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
US5733828A (en) 1996-02-15 1998-03-31 Asahi Glass Company Ltd. Hermetic sealing composition
WO1997030949A1 (en) 1996-02-21 1997-08-28 Corning Incorporated Fusion seal and sealing mixtures
US5750824A (en) * 1996-02-23 1998-05-12 The Curators Of The University Of Missouri Iron phosphate compositions for containment of hazardous metal waste
DE69719965T2 (de) 1996-04-29 2004-03-04 Corning Inc. Versiegelungsglaspastenverfahren
US5734225A (en) 1996-07-10 1998-03-31 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using siloxane or siloxane derivatives
IL126993A (en) 1996-07-10 2002-12-01 Ibm Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5895228A (en) 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
US5821692A (en) 1996-11-26 1998-10-13 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package
US5874804A (en) 1997-03-03 1999-02-23 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication
US5929474A (en) 1997-03-10 1999-07-27 Motorola, Inc. Active matrix OED array
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US6356376B1 (en) 1997-04-02 2002-03-12 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror incorporating a third surface metal reflector and a display/signal light
US6700692B2 (en) 1997-04-02 2004-03-02 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror assembly incorporating a display/signal light
US5872355A (en) 1997-04-09 1999-02-16 Hewlett-Packard Company Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system
US6096496A (en) 1997-06-19 2000-08-01 Frankel; Robert D. Supports incorporating vertical cavity emitting lasers and tracking apparatus for use in combinatorial synthesis
US6069443A (en) 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
US5920080A (en) 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6370019B1 (en) 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
US6476783B2 (en) 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
US6137221A (en) 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
EP0982274A3 (en) 1998-08-14 2000-08-02 Corning Incorporated Sealing frits
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
DE19918672A1 (de) 1999-04-23 2000-10-26 Inst Angewandte Photovoltaik G Verfahren zum Verschweißen von Oberflächen von Materialien
JP2001019473A (ja) * 1999-06-29 2001-01-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 表示管用封着材料
EP1138739B1 (en) 1999-08-12 2006-10-11 Mitsui Chemicals, Inc. Photocurable resin composition for sealing material and method of sealing
US6552488B1 (en) 1999-08-24 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device
EP1157976A1 (en) 1999-10-22 2001-11-28 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass panel and production method therefor
US20010053082A1 (en) 1999-12-22 2001-12-20 Makarand H. Chipalkatti Electroluminescent vehicle lamp
US20020190661A1 (en) 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
US6608283B2 (en) 2000-02-08 2003-08-19 Emagin Corporation Apparatus and method for solder-sealing an active matrix organic light emitting diode
WO2001064481A2 (en) 2000-03-02 2001-09-07 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
TW495812B (en) 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device
US6661029B1 (en) 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6777871B2 (en) 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US7525165B2 (en) 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6436739B1 (en) 2000-04-27 2002-08-20 The Regents Of The University Of California Thick adherent dielectric films on plastic substrates and method for depositing same
JP2001319775A (ja) 2000-05-10 2001-11-16 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機el表示装置の封止方法および封止構造
US6436222B1 (en) 2000-05-12 2002-08-20 Eastman Kodak Company Forming preformed images in organic electroluminescent devices
TW463525B (en) 2000-06-01 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same
US6872604B2 (en) 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
US7339317B2 (en) 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6465953B1 (en) 2000-06-12 2002-10-15 General Electric Company Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices
US20020008463A1 (en) 2000-06-22 2002-01-24 Roach William R. Display device and module therefor
TW515223B (en) 2000-07-24 2002-12-21 Tdk Corp Light emitting device
US6760005B2 (en) 2000-07-25 2004-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit of a display device
JP2002114531A (ja) * 2000-08-04 2002-04-16 Sumitomo Electric Ind Ltd フッ素添加ガラス
WO2002042232A1 (fr) 2000-11-22 2002-05-30 Asahi Glass Company, Limited Tube cathodique couleur et fritte de verre pour tube cathodique couleur
US20020119884A1 (en) 2000-12-21 2002-08-29 Buhrmaster Carol L. Phosphate sealing frits with improved H2O durability
US6737375B2 (en) 2000-12-21 2004-05-18 Corning Incorporated Phosphate sealing frits with improved H2O durability
US6904772B2 (en) * 2000-12-22 2005-06-14 Corning Incorporated Method of making a glass preform for low water peak optical fiber
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US6611312B2 (en) 2001-01-24 2003-08-26 Hitachi, Ltd. Display device including outer frame with some neighboring wall members that are engaged with each other have oblique surfaces
US6639360B2 (en) 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6614057B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 Universal Display Corporation Sealed organic optoelectronic structures
US6747623B2 (en) 2001-02-09 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
US20020116028A1 (en) 2001-02-20 2002-08-22 Wilson Greatbatch MRI-compatible pacemaker with pulse carrying photonic catheter providing VOO functionality
JP4906018B2 (ja) 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
US6855584B2 (en) 2001-03-29 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
KR100859818B1 (ko) 2001-03-29 2008-09-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 기판의 침투율을 측정하는 방법 및 장치, 배치로부터 기판 세트를 침투율에 대해 테스트하는 방법 및 캡슐화의 침투율을 측정하는 방법
US6706316B2 (en) 2001-05-08 2004-03-16 Eastman Kodak Company Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays
US6743700B2 (en) 2001-06-01 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device and method of their production
KR100413450B1 (ko) 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
US6470594B1 (en) 2001-09-21 2002-10-29 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication utilizing vent holes or gaps
TW517356B (en) 2001-10-09 2003-01-11 Delta Optoelectronics Inc Package structure of display device and its packaging method
JP3975739B2 (ja) 2001-12-14 2007-09-12 旭硝子株式会社 有機elディスプレイ用対向基板の製造方法および有機elディスプレイの製造方法
US6891330B2 (en) 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
DE10219951A1 (de) 2002-05-03 2003-11-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Verkapselung eines Bauelements auf Basis organischer Halbleiter
JP2004014267A (ja) 2002-06-06 2004-01-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
US20040050106A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-18 Murnane Rand A. Producing glass using outgassed frit
JP4299021B2 (ja) 2003-02-19 2009-07-22 ヤマト電子株式会社 封着加工材及び封着加工用ペースト
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7341964B2 (en) 2004-07-30 2008-03-11 Shepherd Color Company Durable glass and glass enamel composition for glass coatings
US7435695B2 (en) 2004-12-09 2008-10-14 B.G. Negev Technologies And Applications Ltd. Lead-free phosphate glasses
US7189470B2 (en) 2005-01-18 2007-03-13 Corning Incorporated Sealing materials and devices utilizing such materials
US7214441B2 (en) 2005-02-03 2007-05-08 Corning Incorporated Low alkali sealing frits, and seals and devices utilizing such frits
JP2006290665A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Boe Technology Group Co Ltd 無鉛シーリングガラス粉末及び製造方法
JP4799043B2 (ja) * 2005-05-09 2011-10-19 奥野製薬工業株式会社 低融点ガラス組成物
JP5041323B2 (ja) * 2005-05-09 2012-10-03 日本電気硝子株式会社 粉末材料及びペースト材料
KR100795068B1 (ko) 2005-08-31 2008-01-17 야마토 덴시 가부시키가이샤 봉착가공용 무연 유리재와 이것을 이용한 봉착가공물 및봉착가공방법
KR100685845B1 (ko) 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
CN101454860B (zh) * 2005-12-06 2012-05-23 康宁股份有限公司 用玻璃料气密密封的玻璃封装物及其制造方法
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
US20070170846A1 (en) 2006-01-23 2007-07-26 Choi Dong-Soo Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100635514B1 (ko) 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100688796B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법
US7999372B2 (en) 2006-01-25 2011-08-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100671638B1 (ko) 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
JP4633674B2 (ja) 2006-01-26 2011-02-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100645706B1 (ko) 2006-01-27 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100759667B1 (ko) 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR100671643B1 (ko) 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2007220647A (ja) 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7564185B2 (en) 2006-02-20 2009-07-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
WO2007121071A2 (en) 2006-04-18 2007-10-25 Mo-Sci Corporation Alkaline resistant phosphate glasses and method of preparation and use thereof
JP5057505B2 (ja) 2006-06-21 2012-10-24 Agcテクノグラス株式会社 視感度補正フィルタガラスの製造方法
US20080124558A1 (en) * 2006-08-18 2008-05-29 Heather Debra Boek Boro-silicate glass frits for hermetic sealing of light emitting device displays
US20080048556A1 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Stephan Lvovich Logunov Method for hermetically sealing an OLED display
US7439201B2 (en) 2006-08-29 2008-10-21 Corning Incorporation Lead-free frits for plasma displays and other glass devices utilizing glass sealing materials
CN1915877B (zh) * 2006-09-11 2010-04-14 中国建筑材料科学研究总院 一种稀土元素掺杂无铅低熔封接玻璃粉及制造方法
US7800303B2 (en) * 2006-11-07 2010-09-21 Corning Incorporated Seal for light emitting display device, method, and apparatus
TW200836580A (en) 2007-02-28 2008-09-01 Corning Inc Seal for light emitting display device and method
KR101457362B1 (ko) * 2007-09-10 2014-11-03 주식회사 동진쎄미켐 유리 프릿 및 이를 이용한 전기소자의 밀봉방법
KR101464305B1 (ko) * 2007-09-11 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 게터 페이스트 조성물
KR100897566B1 (ko) * 2007-10-25 2009-05-14 (주)세라 평판 디스플레이 패널 봉착용 무연 프릿 조성물
US8025975B2 (en) * 2007-11-20 2011-09-27 Corning Incorporated Frit-containing pastes for producing sintered frit patterns on glass sheets
US8067883B2 (en) 2008-02-29 2011-11-29 Corning Incorporated Frit sealing of large device
JP5552743B2 (ja) 2008-03-28 2014-07-16 旭硝子株式会社 フリット
JP5414409B2 (ja) 2009-01-16 2014-02-12 日立粉末冶金株式会社 低融点ガラス組成物、それを用いた低温封着材料及び電子部品
JP2012106891A (ja) 2010-11-18 2012-06-07 Asahi Glass Co Ltd 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト

Also Published As

Publication number Publication date
EP2349940A1 (en) 2011-08-03
TWI391359B (zh) 2013-04-01
KR20160014779A (ko) 2016-02-11
JP5284480B2 (ja) 2013-09-11
JP5555793B2 (ja) 2014-07-23
KR101662977B1 (ko) 2016-10-05
CN106277796A (zh) 2017-01-04
CN102186789B (zh) 2017-02-08
WO2010048044A3 (en) 2010-07-22
KR20110071130A (ko) 2011-06-28
CN104003618A (zh) 2014-08-27
CN106277796B (zh) 2019-01-29
JP5718818B2 (ja) 2015-05-13
US20110091668A1 (en) 2011-04-21
CN102216233B (zh) 2014-05-14
US8434328B2 (en) 2013-05-07
EP2346789B1 (en) 2018-01-10
CN104003618B (zh) 2017-04-12
JP2012505827A (ja) 2012-03-08
JP2012505826A (ja) 2012-03-08
WO2010048042A1 (en) 2010-04-29
KR101621997B1 (ko) 2016-05-17
KR101250174B1 (ko) 2013-04-05
TWI410384B (zh) 2013-10-01
CN102216233A (zh) 2011-10-12
CN102186789A (zh) 2011-09-14
KR20110073597A (ko) 2011-06-29
US8198203B2 (en) 2012-06-12
JP2013227217A (ja) 2013-11-07
EP2346789A2 (en) 2011-07-27
WO2010048044A2 (en) 2010-04-29
US20120222450A1 (en) 2012-09-06
US20100095705A1 (en) 2010-04-22
TW201031614A (en) 2010-09-01
EP2346789A4 (en) 2012-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201026621A (en) Method for forming a dry glass-based frit
CN102918927B (zh) 有机el封装用无铅玻璃材料和使用它的有机el显示器
Ozawa et al. Cathode ray tube phosphors
JP6014739B2 (ja) ガラスシートに焼結フリットパターンを生成するためのフリット含有ペースト
US20190071346A1 (en) Coefficient of thermal expansion filler for vanadium-based frit materials and/or methods of making and/or using the same
TW201209005A (en) Sealing material paste, and process for production of electronic device using same
JP2010228998A (ja) 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法
US10118856B2 (en) Lead-free glass and sealing material
JP2009155200A (ja) 封着材料
JP2007001853A (ja) シーリングガラス組成物及びそれを用いたフラットパネルディスプレイ装置
KR20150050575A (ko) 안티몬-비함유 유리, 안티몬-비함유 프릿 및 프릿으로 기밀된 유리 패키지
JP2017128456A (ja) 複層ガラス、及びその製造方法
JP2014080351A (ja) ビスマス系ガラス及びこれを用いた封着材料
TWI618685B (zh) 無銻玻璃、無銻玻璃料及利用該玻璃料密閉性密封之玻璃封裝
KR101429192B1 (ko) 레이저 실링용 저융점 유리 조성물
JP2022003682A (ja) 封着パッケージ及び有機エレクトロルミネセンス素子
JP2001019473A (ja) 表示管用封着材料
KR101288046B1 (ko) 레이저 실링용 저융점 유리 조성물
JP2008247658A (ja) ガラスペースト組成物
JP5471095B2 (ja) 封着用ガラス
KR101408289B1 (ko) 저팽창 글라스 충전제, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 글라스 프릿
CN103553335A (zh) 玻璃料及其制备方法、基于玻璃料的密封方法
JP2019182672A (ja) 放射線検出用ガラスの製造方法
CN102449722A (zh) 等离子显示面板的制造方法
JP2007055830A (ja) 結晶性フリット

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees