TW201001507A - Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television - Google Patents

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201001507 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 u日月__胃由使用以去爲代表的微滴排 放方法形成的半導體元件的半導體裝置的製造方法，以及 關於形成半導體元件的每個部分的掩罩圖案、接觸？L以及 膜的技術。 【先前技術】 據調查’使用微滴排放裝置來形成用於半導體元件的 薄膜圖案和佈線，以便實現低成本設備，並簡化製造半導 體裝置中的過程。 藉由微影術以形成半導體元件的接觸孔，其中，將光 阻施加到基底的整個表面，進行預烘乾，將紫外線等經由 掩罩圖案而照射到基底上，藉由顯影（development)形 成光阻圖案。然後，藉由利用光阻圖案作爲掩罩圖案進行 蝕刻，去除要成爲接觸孔的部分上形成的絕緣膜，從而形 成接觸孔。 此外，藉由使用光阻圖案來蝕刻半導體膜、絕緣膜、 金屬膜等，形成所需形狀的膜圖案。 [專利文獻1 ] 日本專利公開號2000-89213。 【發明內容】 然而，在傳統的用於形成膜圖案、具有接觸孔的絕緣 -5- 201001507 膜等的過程中，膜圖案的大量材料和光阻被浪費，並且要 求大量的步驟來形成掩罩圖案，這降低了產能。 在開啓接觸孔時不充分地控制光阻的施加量以及基膜 的表面條件的情況下，光阻擴展到接觸孔上，及可能產生 有缺陷的接觸。 鑒於上述問題而作出本發明，以提供藉由簡單的步驟 製造具有絕緣膜、半導體膜、導電膜等的膜圖案的基底的 方法，以及以高產量製造低成本的半導體裝置的方法。 根據本發明，在基底上形成具有低濕水性的第一保護 膜（下文中稱爲掩罩圖案）之後，在第一掩罩圖案的外緣 上施加或排放高濕水性材料，以形成膜圖案和具有膜圖案 的基底。 根據本發明，在基底上形成具有低濕水性的第一掩罩 圖案之後，在除了第一掩罩圖案的區域上施加或排放高濕 水性材料，以形成膜圖案和具有膜圖案的基底。 根據本發明，在基底上形成具有低濕水性的第一掩罩 圖案之後，在不形成第一掩罩圖案的區域上施加或排放高 濕水性材料，以形成膜圖案和具有膜圖案的基底。 根據本發明，在薄膜或構件上形成具有低濕水性的第 一掩罩圖案之後，形成具有高濕水性的第二掩罩圖案，去 除第一掩罩圖案以及覆蓋有第一掩罩圖案的薄膜或構件， 形成具有膜圖案或接觸孔的絕緣膜。注意，可在稍後去除 第二掩罩圖案。 當液體在具有高濕水性的第二掩罩圖案上擴展時，具 -6 - 201001507 有低濕水性的第一掩罩圖案容易排斥液體。諸如用於第二 掩罩圖案的材料之類的液體溶液以半球形狀被排斥在在胃 一掩罩圖案的表面上’因此’可以自對準的方式形成第二 掩罩圖案。 可藉由向絕緣層照射電漿氟化物來形成具有低濕水性 的第一掩罩圖案。可在氟化物或氟化物氣體中產生電漿氟 化物’或可藉由使用具有包括氟塑料的電介質的電極來產 生。 對於形成具有低濕水性的第一掩罩圖案，可在預定位 置上排放或施加具有低濕水性的材料。例如，具有低濕水 性的材料是含碳氟化合物鏈的化合物。 較佳的是’具有低濕水性的第一掩罩圖案的接觸角大 於具有高濕水性的第二掩罩圖案的接觸角，接觸角之間的 差爲30°，更佳的爲40。或以上。結果，由於第二掩罩圖 案的材料以半球形狀被PC在第一掩罩圖案的表面上，可 以自對準的方式形成每個掩罩圖案。 第二掩罩圖案較佳地用於形成膜圖案的掩罩。 膜圖案是具有所而形狀的絕緣膜、半導體膜、導電膜 、或具有接觸孔的絕緣膜。典型地，使用閘極絕緣膜、層 間絕緣膜、保護膜、諸如具有接觸孔的絕緣膜的絕緣膜、 ®道形成區域 '源極區域和汲極區域的半導體膜、以及諸 如源極電極、汲極電極、佈線、閘極電極、像素電極以及 天線的導電膜。在去除掩罩圖案之後，掩罩圖案的化合物 仍然存在於膜圖案的周圍中（形成掩罩圖案的區域）。 201001507 藉由使用液相方法或印刷方法形成具有低濕水性的第 一掩罩圖案。液相方法代表性地包括微滴排放方法、噴墨 方法等。 使用液相方法形成具有高濕水性的第二掩罩圖案。液 相方法代表性地包括微滴排放方法、噴墨方法、旋塗方法 、輥塗方法、槽隙塗敷（slot coating)方法等。 根據本發明’使用藉由使用具有低濕水性的第一掩罩 圖案和具有高濕水性的第二掩罩圖案形成的膜圖案或構件 來形成半導體元件。半導體元件例如是T F T、場效應電晶 體（FET) 、M0S電晶體、雙極型電晶體、有機半導體電 晶體、ΜIΜ元件、記憶元件、二極體、光電轉換器、電 容器、電阻器等。 根據本發明，提供具有藉由使用具有低濕水性的第一 掩罩圖案和具有高濕水性的第二掩罩圖案形成的膜圖案的 半導體裝置、具有膜圖案的基底或半導體元件、及其製造 方法。半導體裝置例如是由半導體元件形成的積體電路、 顯示器、無線標簽、IC標簽、IC卡等。顯示器代表性地 包括液晶顯示器、發光顯示器、DMD (數位微鏡設備）、 pDP (電漿顯示器）、FED (場發射顯示器）、電泳顯示 器（電子紙）等。TFT例如是參差TFT'反向參差TFT( 通道蝕刻型TFT或通道保護型TFT )、上閘極共面TFT、 下閘極共面TFT等。

在本發明中，顯示器指的是使用顯示元件的裝置，即 圖像顯示裝置。此外，諸如可撓印刷電路（FPC)或TAB 201001507 (帶自動接合）帶或TCP (帶載送封裝 顯示器相連接的模組，1C (積體電路） COG (玻璃上晶片）方法安裝在顯示元 於顯示器中。 本發明提供上述膜圖案、具有膜圖 $件 '或具有半導體裝置的液晶電視機 根據本發明，在親液表面上藉由使 體表面的材料形成掩罩圖案之後，藉由 罩圖案的外緣上形成膜圖案和具有膜圖 根據本發明，在親液表面上藉由使 體表面的材料形成掩罩圖案之後，藉由 7掩罩圖案之外的區域中形成膜圖案和 〇 根據本發明，在親液表面上藉由使 體表面的材料形成掩罩圖案之後，藉由 形成掩罩圖案的區域中形成膜圖案和具 宇艮據本發明，在具有親液表面的薄 用用於形成排斥液體表面的材料形成第 藉由使用親液材料形成第二掩罩圖案， 和覆蓋有第一掩罩圖案的膜或構件以形 觸孔的絕緣膜。注意，也可去除第二掩 膜圖案是具有所希望的形狀的絕緣 電膜或具有接觸孔的絕緣膜。典型地， 層間絕緣膜、保護膜、諸如具有接觸孔 )之類的連接器與 和CPU直接藉由 件上的模組都包含 案的基底、半導體 或EL電視機。 用用於形成排斥液 使用親液材料在掩 案的基底。 用用於形成排斥液 使用親液材料在除 具有膜圖案的基底 用用於形成排斥液 使用親液材料在不 有膜圖案的基底。 膜或構件上藉由使 一掩罩圖案之後， 去除第一掩罩圖案 成膜圖案或具有接 罩圖案。 膜、半導體膜、導 使用閘極絕緣膜、 的絕緣膜的絕緣膜 -9- 201001507 、通道形成區域、源極區域和汲極區域的半導體膜 諸如源極電極、汲極電極、佈線、閘極電極、像素 及天線的導電膜。在去除掩罩圖案之後，掩罩圖案 物仍然存在於膜圖案的周圍中（形成掩罩圖案的區 用於形成排斥液體表面的材料具有代表性的爲 式：Rn-Si-X(4_n)(n=l、2和3)表示的矽烷偶聯劑。 R包含諸如烷基之類的相對較惰性的基團。此外， 水解基團’它與基底表面上的吸附的水或羥基縮合 ’如鹵素、甲氧基、乙氧基或乙醯氧基等。 包含氟碳基作爲R的矽烷偶聯劑（氟烷基矽焦 ))形成具有較高液體排斥性的排斥液體表面。 具有碳氟化合物鏈的材料（代表性的爲碳氟樹 具有排斥液體表面的材料的例子。 形成排斥水表面的溶劑是諸如正戊烷、正己烷 烷、正辛烷、正癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、二甲 甲苯、茚、四氫化萘、十氫化萘、以及鯊烯或四氫 之類的烴類溶劑。 藉由將電漿、鐳射或電子束照射到具有排斥液 的材料’可提高液體排斥性。 作爲親液材料，使用可藉由水解接合到親液表 代基（羥基、氫基團）或能夠進行氫鍵合的取代基 、氫基團、羰基、氨基、磺醯基、醚基等）。代表 可使用諸如丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰 、聚脂樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂 、以及 電極以 的化合 域）。 由化學 在此， X表示 而結合 :(FAS 脂）是 、正庚 苯、四 呋喃等 體表面 面的取 (羥基 性的， 胺樹脂 、聚縮 -10- 201001507 醒樹脂、聚醚、聚氨酯、聚醯胺（尼龍）、呋喃樹脂、鄰 本一甲酸—燒丙脂樹脂（dially phthalate resin)、以及 砂氧院和聚矽氮烷等之類的有機樹脂。矽氧烷是包含砂（ SO和氧（0)鍵作爲主鏈結構、並至少包含氫作爲取代 基或氣化物、烷基或芳香碳氫化物中的至少一個作爲取代 基的聚合物材料。聚矽氮烷是包含矽（Si)和氮（Ni)鏈 的聚合物材料，它是含聚矽氮烷的液體材料。 親液表面具有表面上有極性的反應基團，代表性的爲 可藉由水解接合到親液表面的取代基（羥基、氫基團）或 能夠進行氫鍵合的取代基（羥基、氫基團、羰基、氨基、 磺醯基、醚基等）。 藉由使用液相方法形成由用於形成排斥液體表面的材 料·形成的掩罩圖案。液相方法代表性地包括微滴排放方法 、噴墨方法等。 使用液相方法形成由親液溶液形成的掩罩圖案或膜圖 案。液相方法代表性地例如微滴排放方法、噴墨方法、旋 塗方法、輥塗方法、槽隙塗敷方法等。 根據本發明’使用藉由使用由用於形成排斥液體表面 的掩罩圖案形成的膜圖案或構件來形成半導體元件。半導 體元件包括TFT、場效應電晶體（FET) 、MOS電晶體、 一極型電晶體、有機半導體電晶體、ΜIΜ元件、記憶元 件、二極體、光電變換器、電容器、電阻器等。 本發明提供具有藉由使用具有排斥液體表面的掩罩圖 案形成的膜圖案、具有膜圖案的基底、或具有半導體元件 -11 - 201001507 的半導體裝置、及其製造方法。半導體裝置例如是由半導 體元件形成的積體電路、顯示器、無線標簽、1C標簽等 。顯示器例如是包括液晶顯示器、發光顯示器、DMD (數 位微鏡設備）、PDP(電槳顯不器）、FED (場發射顯示 器）、電泳顯示器（電子紙）等。TFT例如是參差TFT、 以及反向參差TFT (通道鈾刻型TFT或通道保護型TFT ) 〇 在本發明中，顯示器指的是使用顯示元件的裝置，即 圖像顯示器。此外，諸如可撓印刷電路（FPC )或TAB ( 帶自動接合）帶或TCP (帶載送封裝）之類的連接器連接 到顯示面板的模組，1C (積體電路）和CPU直接藉由 COG (玻璃上晶片）方法安裝在顯示元件上的模組都包含 於顯示器中。 本發明提供上述膜圖案、具有膜圖案的基底、半導體 元件、或具有半導體裝置的液晶電視機或EL電視機。 藉由使用根據本發明的具有低濕水性的第一掩罩圖案 和具有高濕水性的第二掩罩圖案，可在所希望的位置上形 成所希望的形狀的膜圖案。可在所希望的位置上選擇性地 形成充當層間絕緣膜、偏振膜、閘極絕緣膜等的膜。而且 ’由於可不用使用光阻掩罩圖案進行曝露和顯影處理來形 成具有膜圖案和接觸孔的絕緣膜，與傳統技術相比能夠顯 著地簡化處理。 藉由在具有低濕水性的掩罩圖案上照射電漿、鐳射或 電子束’可進一步降低濕水性。 -12- 201001507 藉由使用由用於形成排斥液體表面的材料形成的掩罩 圖案’可在所希望的位置上形成所希望的形狀的膜圖案。 可在所希望的位置上選擇性地形成充當層間絕緣膜、偏振 膜、閘極絕緣膜等的膜。而且，由於可不用使用光阻掩罩 圖案進彳了曝Μ和顯影處理來形成具有膜圖案和接觸孔的絕 緣膜’與傳統技術相比能夠顯著地簡化處理。由於掩罩圖 案具有排斥液體表面，不形成親液材料形成的膜，從而可 藉由簡化的處理容易地去除掩罩圖案以及形成良好的接觸 孔。 藉由對由用於形成排斥液體表面的材料形成的掩罩圖 案照射電漿、鐳射或電子束等，可進一步提高液體排斥性 〇 藉由在形成具有低濕水性的掩罩圖案、由用於形成排 斥液體表面的材料形成的膜圖案、導電膜等之前施加微滴 排放方法，可藉由改變基底和噴嘴的相對位置來將微滴排 放在任意位置上，噴嘴是含有上述膜的材料的微滴的排放 孔。由於可根據噴嘴直徑、要排放的微滴的量、以及噴嘴 和形成排放的微滴的基底之間的移動速率的相對關係來控 制要形成的圖案的厚度和寬度，因此可藉由排放可高精度 地在所希望的位置形成這些膜。由於可省略印刷處理，即 使用掩罩圖案的曝露和顯影處理，因此可相當地簡化處理 並降低成本。藉由使用微滴排放方法，可在任意位置形成 圖案，可控制圖案的厚度和寬度。因此，可以高產量低成 本地製造即使是一邊長大於1至2m的大型半導體基底。 -13- 201001507 根據本發明’以此方式，可藉由簡單的處理，高精度 地形成膜圖案、具有膜圖案的基底、具有接觸孔的絕緣膜 、以及具有這些的半導體元件和半導體裝置。此外，本發 明可提供以低成本和高產量製造半導體元件和半導體裝置 的方法。 【實施方式】 雖然將藉由參考附圖，舉例說明來充分描述本發明， 但是要瞭解習於此技藝者而言，顯然可知各種變化和修改 。因此’除非這種變化和修改背離了下文中界定的本發明 的範圍’否則’它們都應包含於本發明之中。注意，實施 方式中的相同的部分以相同的代號標主，並省略對其的詳 細說明。 [實施方式1] 在該實施方式中，參考圖1描述使用具有低濕水性的 掩罩圖案形成具有所希望的形狀的膜圖案的步驟。注意， 該實施方式中所描述的掩罩圖案是用於形成膜圖案的掩罩 圖案。 如圖1A所示’基底1〇丨上形成第一膜1〇2。藉由微 滴排放方法、噴墨方法等在第一膜上形成具有低濕水性的 第一掩罩圖案103。在此，微滴排放方法用作爲形成掩罩 圖案的方法。 作爲基底101，可使用玻璃基底、石英基底、以諸如 -14- 201001507 氧化鋁之類的絕緣物質形成的基底、能夠抵抗後續步驟的 處理熱量的塑膠基底、矽晶片、金屬基底等等。在該情況 下，較佳的是形成絕緣膜，用於防止雜質等從基底側（如 氧化矽（SiOx )、氮化矽（SiNx )、氧氮化矽（SiOxNy )(x>y )、以及氧氮化矽（SiNxOy ) ( x>y )膜）分散 。也可使用上面形成有諸如氧化矽和氮化矽之類的絕緣膜 的諸如不銹鋼之類的金屬板或半導體基底。又，可使用 320x400mm、370x470mm、55 0x65 0mm、600x720mm ' 6 8 0 X 880mm ' 1000 x 1 200mm > 1 1 00 x 1 250mm、或 1 1 50 x 1 3 00 尺寸的基底作爲基底101。在此，使用玻璃基底作爲基底 10卜 在使用塑膠基底作爲基底1 0 1的情況下，較佳的是使 用具有較高的玻璃轉換溫度的PC (聚碳酸酯）、PES (聚 乙烯颯）、PET (聚對苯二甲酸乙酯）、PEN (聚萘二甲 酸乙酯）等。 作爲第一膜1 〇 2，可使用藉由噴塗方法、汽相沈積方 法、CVD方法、塗敷方法等形成的絕緣層、導電層以及 半導體層中的任一種。已知的無機絕緣材料或有機絕緣材 料可適當地用於由絕緣層形成的第一膜1〇2。代表性地， 可藉由微滴排放方法、施加方法或印刷方法形成Si02和 具有Si-CH3鍵的同類物等，典型地爲聚醯亞胺、聚醯胺 、聚酯、丙烯酸、PSG(磷矽酸鹽玻璃）、BPSG(硼磷矽 酸鹽玻璃）、膜、矽酸鹽SOG (玻璃上旋塗）、烷氧基矽 酸鹽SOG、聚矽氮烷SOG、以及矽氧烷聚合物。又，可 -15- 201001507 藉由P V D (物理汽相沈積）方法、c V D (化學汽相沈積） 方法、以及熱氧化方法形成氮化矽、氧氮化矽、氧化矽等 。而且’可藉由汽相沈積方法、陽極氧化方法等形成諸如

Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、

Zn、Fe、Ti、Si' Ge、Zr以及Ba之類的金屬氧化物。在 此，藉由噴塗方法形成氧化矽膜。 作爲用於由導電層形成的第一膜102的材料，可使用

Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、

Cd、Zn、F e ' T i ' Si、Ge、Zr、Ba等的金屬、合金或金 屬氮化物。此外，可適當地使用用於透光導電膜的氧化銦 錫（ITO )、氧化鋅（ZnO )、氧化銦鋅（IZO )、鎵摻雜 的氧化鋅（GZO )、包含氧化矽的氧化銦錫、有機銦、有 機錫等。此外，可使用包含1至20%的鎳的鋁。在此， 使用鋁形成第一導電層。 作爲用於由半導體層形成的第一膜102的材料，可形 成具有使用矽、鍺化矽（SiGe )等的非晶形態半導體、具 有非晶形態和晶態的半非晶形態半導體、在非晶形態半導 體中可觀察到0.5至20nm的晶粒微晶半導體、以及晶體 半導體中的任何一個的膜。此外，也可使用諸如聚亞噻吩 亞乙嫌（polythienylene vinylene)、聚 2’ 5-亞噻吩亞乙 稀（poly(2,5-thienylene vinylene))、聚乙炔、聚乙炔衍 生物、以及聚芳撐亞乙烯基（Polyarylene vinylene)之類 的有機半導體材料。 在此，藉由c V D方法形成氧化矽膜作爲第一膜。 -16 - 201001507 第一掩罩圖案充當用於形成在以後形成的膜圖案的掩 罩。因此，較佳的是第一掩罩圖案具有低濕水性。 藉由形成在預定位置具有高濕水性的絕緣層並在表面 上照射氟電漿，形成第一掩罩圖案103。又，可藉由提供 具有電介質並產生電漿的電極來進行電漿處理，使得曝露 於使用空氣、氧氣或氮氣的電漿。在該情況下，不要求電 介質覆蓋電極的整個表面。作爲電介質，可使用含氟樹脂 。藉由使用含氟樹脂，在絕緣層的表面上形成CF2鍵，從 而表面特性被調製，且濕水性降低。 作爲用於絕緣膜的材料，可使用藉由將諸如聚乙烯醇 (PVA )之類的水溶性樹脂與H2〇溶液混合而獲得的材料 。而且，也可混合PVA和其他水溶性樹脂。此外，可使 用諸如丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚 脂樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚縮醛樹 脂、聚醚、聚氨酯' 聚醯胺（尼龍）、呋喃樹脂、鄰苯二 甲酸二烯丙脂樹脂、以及光阻等之類的有機樹脂。 可藉由微滴排放方法、絲網（模板）印刷方法、膠印 (平版）印刷方法、凸版印刷方法、或凹版（凹雕）印刷 方法等來形成絕緣層。從而’可在預定位置形成絕緣層。 可藉由施加或排放具有低濕水性的材料來形成第一掩 罩圖案103。具有低濕水性的材料典型的爲具有碳氟鏈的 化合物。具有碳氟鏈的該化合物例如是由化學式：Rn_Si_ X(4-n)(n=l、2和3)表示的矽烷偶聯劑。在此，r包含諸如 烴基之類的相封較惰性的基團（gr0Up )。此外，X表示 -17- 201001507 水解基團’它與基底表面上的吸附的水或羥基縮合而結合 ，如鹵素、甲氧基、乙氧基或乙醯氧基等。 藉由使用具有適合於R的氟烷基的氟矽烷偶聯劑（氟 烷基矽烷（fas ))作爲代表性的矽烷偶聯劑的例子，可 降低濕水性。FAS的R具有可表示爲（CF3)(CF2)x(CH2)y的 結構（X:從0至10的整數，y:從0至4的整數）。在 多個R或X結合於Si的情況下，R或X可以全部相同或 不同。具有代表性地來說，FAS是諸如十七氟四氫癸基三 乙氧基矽烷、十七氟四氫癸基三氯矽烷、十三氟四氫辛基 三氯矽烷以及三氟丙基三甲氧基矽烷之類的氟烷基矽烷（ 下文中稱爲FAS )。 作爲具有低濕水性的溶劑，使用諸如正戊烷、正己烷 、正庚烷、正辛烷、正癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、二甲 苯、四甲基苯、茚、四氫化萘、十氫化萘、以及鯊烯或四 氫呋喃之類的烴類溶劑。 作爲具有低濕水性的化合物的例子，可使用具有碳氟 化合物鏈的材料（含氟樹脂）。作爲含氟樹脂’可使用聚 四氟乙烯（PTFE;聚四氟乙烯樹脂）、全氟烷氧基矽鏈 烷（perflu〇roalk〇xyalkane ) ( PFA ；四氟乙烯-全氟烷基

乙烯基醚共聚樹脂）、全氟乙烯丙烯共聚物（PFEP;四 氟乙稀六氟丙稀共聚物樹脂）' 乙儲-四氣乙嫌共聚物（ ETFE ;四氟乙烯-乙烯共聚物樹脂）、聚偏二氟乙烯（ PVDF ;聚偏二氟乙烯樹脂）、聚三氟氯乙烯（PCTFE ; 聚三氟氯乙烯樹脂）、乙烯·三氟氯乙烯共聚物（ECTFE 18- 201001507 ’·聚三氟氯乙烯-乙烯共聚物樹脂）、聚四氟乙烯-全氟間 二氧雜環戊嫌（perfluorodioxol)共聚物（TFE/PDD)、 聚氟乙烯（PVF;氟乙烯樹脂）等。 接著，使用乙醇清潔附有低濕水性材料的表面，從而 可形成相當薄的且具有低濕水性的第一掩罩圖案。 在形成具有精細形狀的膜圖案的情況中，較佳的是在 第一膜102上形成的第一掩罩圖案103具有如圖7A所示 的閉環形狀。在該情況下，如圖7 B所示，在具有閉環形 狀的掩罩圖案中排放具有高濕水性的材料1 1 1，然後進行 乾燥和烘焙處理。因此，如圖7 C所示，可以任意的形狀 形成具有高濕水性的膜圖案121。在圖7C中，去除掩罩 圖案，掩罩圖案的化合物122存在於薄膜的表面上。 用於微滴排放方法的噴嘴的直徑設置爲0.1至50μιη (較佳的爲0.6至2 6 μηι )，從噴嘴排放的化合物的量設 置爲0.0000 1至50pl (較佳的爲0.000 1至1〇ρ1 )。該量 隨著噴嘴的直徑而成比例地增加。而且，較佳的是正被處 理的物件與噴嘴的排放口盡可能地靠近，以將微滴排到所 希望的位置，距離較佳地設置爲〇 . 1至2mm。 注意，用於微滴排放方法的化合物的黏度較佳的爲 300mPa.s或更少，或更佳的爲50mPa.s或更少，以用於 防止乾燥和用於從排放口平緩地排放化合物。注意到，可 根據所使用的溶劑和施加方式來適當地控制化合物的黏度 、表面張力等。 如圖1 B所示，與第一掩罩圖案相比具有高濕水性的 -19- 201001507 材料111被施加在第一膜102上的第一掩罩圖案103內。 在此’參考圖29描述具有低濕水性的區域和具有高 濕水性的區域之間的關係。具有低濕水性的區域（圖2 9 中的第一掩罩圖案103)是如圖29所示的相對於第一膜 102的表面的液體接觸角Θ1大的區域。在該表面上，液體 以半球面形狀被排斥。另一方面，具有高濕水性的區域（ 圖1 Β中的具有高濕水性的材料n i形成的區域）是相對 於第一膜102的表面的液體接觸角02小的區域。在該表 面上’液體像是可能要擴展。 因此’在具有不同接觸角的兩個區域彼此接觸的情況 中’具有相對較小的接觸角的區域成爲具有高濕水性的區 域’而具有較大接觸角的區域成爲具有低濕水性的區域。 在該兩個區域上施加或排放溶劑時，溶劑在具有高濕水性 的區域的表面上擴展，而在具有低濕水性的區域和具有高 濕水性的區域之間的邊界上縮退爲半球面形狀。 較佳的是’具有低濕水性的區域的接觸角Θ 1和具有 高濕水性的區域的接觸角Θ2之間的差爲30。或更大，更佳 的爲40°或更大。結果，具有高濕水性的區域的材料在具 有低濕水性的區域的表面上以半球面形狀被排斥，從而， 可以自對準的方式形成每個掩罩圖案。因此，在描述爲用 於形成第一掩罩圖案103的材料的物質和方法之中，在接 觸角之間的差爲30。或更大，或更佳的爲40。或更大的情 況下’由具有較小接觸角的材料形成的區域變爲具有高濕 水性的區域’而具有較大接觸角的區域變爲具有低濕水性 -20- 201001507 的區域。類似地，在隨後將描述爲作爲具有高濕水性的材 料1 1 1的物質之間，在接觸角之間的差爲30。或更大，或 更佳的爲40°或更大的情況下，由具有較小接觸角的材料 形成的區域變爲具有高濕水性的區域，而由具有較大接觸 角的材料形成的區域變爲具有低濕水性的區域。 在表面具有凸起和凹陷的情況下，在具有低濕水性的 區域中，接觸角變得更小。也就是說，濕水性被降低。另 一方面，在具有高濕水性的區域中，接觸角變得更大。也 就是說，濕水性提高。因此，藉由在具有凸起和凹陷的每 個表面上施加或排放具有低濕水性的材料和具有高濕水性 的材料，並進行烘焙處理，可形成端部均勻的層。 作爲具有高濕水性的材料1 1 1，可適當地使用與第一 掩罩圖案相比具有高濕水性的絕緣材料、導電材料以及半 導體材料。作爲代表，絕緣材料是諸如丙烯酸類樹脂、聚 醯樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、 酚醛樹脂、環氧樹脂、聚縮醛樹脂、聚醚、聚氨酯、聚醯 胺（尼龍）、呋喃樹脂以及鄰苯二甲酸二烯丙脂樹脂之類 的有機樹脂，也可以使用矽氧烷聚合物、聚矽氮烷、p s G (磷矽酸鹽玻璃）、：BPSG (硼磷矽酸鹽玻璃）。 而且’也可使用水、酒精溶液、醚溶液、使用諸如二 甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞颯、N -甲吡咯烷酮、 六甲基磷胺（hexamethylphosphamidon)、氯仿、二氯甲 烷之類的溶劑的溶液。 此外’可使用溶劑中溶解或分散的導體作爲導電材料 -21 - 201001507 的代表。作爲導體’可使用諸如Ag、Au、Cu、Ni、 Pd、Ir、Rh、W ' A1 ' Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、

Ge、Zr以及Ba之類的金屬、鹵化銀微粒 '或可分散 微粒。可選地’可使用ITO、包含用於光透射膜的氧 、有機銦、有機錫、氧化鋅（ZnO)、氮化鈦的ITO 此外’也可使用眾多溶解或散佈的上述導體。 作爲半導體材料的代表，可使用有機半導體材料 佳的是，具有共軛雙鍵作爲主鏈的Tt — 電子共軛高分子 料用作爲有機半導體材料。代表性地來說，可使用諸 噻吩、聚（3 -烷基噻吩）、聚噻吩衍生物以及並五苯 的可熔的高分子量材料。 可藉由微滴排放方法、噴墨方法、旋塗塗敷方法 塗方法、槽隙塗敷方法等來施加與第一掩罩圖案相比 較高濕水性的材料。 接著’如圖1C所示，藉由對與第一掩罩圖案相 有較高濕水性的材料進行乾燥和烘焙，形成膜圖案1 因此’在絕緣膜具有高濕水性的情況下，膜圖案形成 有所希望的形狀的絕緣層。此外，在導電材料具有高 性的情況下，膜圖案形成爲具有所希望的形狀的導電 在半導體材料具有高濕水性的情況下，膜圖案形成爲 所希望的形狀的半導體層。注意，在該步驟中，第一 圖案的溶劑被蒸發，在第一膜102的表面上留下化合 滲透入第一膜102。注意到，可藉由諸如使用氧氣進 化、濕蝕刻、乾蝕刻之類的已知蝕刻方法來去除留

Pt ' Si、 的毫 化矽 等。 。較 量材 如聚 之類 、輥 具有 比具 .21。 爲具 濕水 層。 具有 掩罩 物或 行灰 :第一 -22- 201001507 膜102的表面上的化合物。在圖ic中，122表开 第一膜102中的掩罩圖案的化合物。在該步驟中， 具有高濕水性的材料適當地進行乾燥和烘焙。 作爲上述步驟的替代’在乾燥第一掩罩圖案纪 後可施加具有高濕水性的材料。也就是說，在藉注 有低濕水性的材料在第一膜1 02上形成第一掩罩Ϊ 之後，如圖24B所示，乾燥第一掩罩圖案。此時， 罩圖案的化合物留在第一掩罩的表面上，或渗透_7> 圖2 4B中，122表示滲透入第—掩罩圖案的化合衫 。接著’如圖24C所示，排放一種與第一掩罩圖壽 有高濕水性的材料。在該情況下，第一掩罩圖案纪 122留在形成第一掩罩圖案的區域中，因此，與穿 圖案相比具有較高濕水性的材料被排斥，並被選捐 加’如圖24C所示。此後，對與第一掩罩圖案相以 高濕水性的材料進行適當地乾燥或烘焙，以形成 12 1。 藉由上述步驟，不用使用已知的微影術就能 所希望的形狀的膜圖案。因此，可顯著地減少製 數量。 [實施方式2] 在本實施方式中，參考圖32A至32C描述 於形成排斥液體表面的材料形成的掩罩圖案形成 望的形狀的膜圖案的步驟。注意，該實施方式中 滲透入 可根據 溶劑之 使用具 案103 第一掩 膜。在 的區域 相比具 化合物 一掩罩 性地施 具有較 膜圖案 成具有 步驟的 用由用 有所希 描述的 -23- 201001507 掩罩圖案是用於形成膜圖案的掩罩圖案。 如圖32A所示，基底1001上形成第一膜1002。藉由 微滴排放方法、噴墨方法等在第一膜上形成保護膜（第一 掩罩圖案）1 003。在此，微滴排放方法用於形成掩罩圖案 。較佳的是，第一膜1002具有親液表面。在基底1001具 有親液表面的情況中，不要求形成第一膜。 基底1001可以是玻璃基底、石英基底、以諸如氧化 鋁之類的絕緣物質形成的基底、能夠抵抗後續步驟的處理 熱量的塑膠基底、矽晶片、金屬基底等等。在該情況下， 較佳的是形成絕緣膜，用於防止雜質等從基底側（如氧化 W ( S iOx )、氮化砂（SiNx)、氧氮化政（SiOxNy)( x>y )、以及氧氮化矽（SiNxOy ) ( x>y )膜）分散。此 外，也可使用表面形成有諸如氧化砂或氮化砂之類的絕緣 膜的諸如不銹鋼之類的金屬板或半導體基底。 較佳的是第一膜102具有親液表面。雖然在此示出了 膜，但是也可使用具有親液表面的構件。 可藉由使用用於形成親液表面的溶液來形成第一掩罩 圖案103。用於形成親液表面的溶液的化合物典型的爲由 化學式：Rn-Si-X(4-n>(n=l、2和3)表示的矽烷偶聯劑。在 此，R包含諸如烴基之類的相對較惰性的基團（group ) 。此外，X表示水解基團，它與基底表面上的吸附的水或 羥基縮合而結合，如鹵素、甲氧基、乙氧基或乙醯氧基等 〇 藉由使用具有適合於R的氟烷基的氟矽烷偶聯劑（氟 -24- 201001507 院基砂院（FAS ))作爲代表性的矽烷偶聯劑的例子，可 提高液體排斥性。FAS的r具有可表示爲 (CF3)(CF2)x(CH2)y的結構（X:從〇至1〇的整數，y:從 〇至4的整數）。在多個尺或χ結合於Si的情況下，R 或X可以全部相同或不同。具有代表性地來說，fas是 諸如十七氟四氫癸基三乙氧基砂烷、十七氟四氫癸基三氯 砂院、十三氟四氫辛基三氯矽烷以及三氟丙基三甲氧基矽 烷之類的氟烷基矽烷（下文中稱爲FAS)。 作爲用於形成排斥液體表面的溶劑，使用諸如正戊烷 、正庚烷、正辛烷、正癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、二甲 苯'四甲基苯、茚、四氫化萘、十氫化萘、以及鯊烯或四 氫呋喃之類的烴類溶劑。 作爲用於形成排斥液體表面的化合物的實施例，可使 用具有碳氟<化合物鏈的材料（含氟樹脂）。作爲含氟樹脂 ’可使用聚四氣乙燦（PTFE;聚四氟乙嫌樹脂）、全氟 院氧基院 perfluoroalkoxyalkane ( PFA ；四氟乙稀-全氟院 即乙稀基酸共聚樹脂）、全氟乙稀丙嫌共聚物（PFEP; 四氟乙燦六氟丙燒共聚物樹脂）、乙嫌-四氟乙燒共聚物 (ETFE ;四氟乙烯-乙烯共聚物樹脂）、聚偏二氟乙烯（ PVDF;聚偏二氟乙烧樹脂）、聚氯三氟乙嫌（pcTFE; 聚二氟氯乙嫌樹脂）、乙稀-三氟氯乙嫌共聚物（ECTFE ’聚二氟氯乙嫌-乙稀共聚物樹脂）、聚四氟乙嫌-全氟間 二氧雜環戊烯共聚物（TFE/PDD)、聚氟乙烯（pvF;氟 乙烯樹脂）等。 -25- 201001507 也可使用不形成排斥液體表面（即形成親液表面）的 有機材料’在該情況下，有機材料應用C F 4電漿等進行處 理，以獲得液體排斥性。例如，在電漿處理之前，可使用 藉由將諸如聚乙烯醇（PVA )之類的水溶性樹脂與H20等 溶液混合而獲得的材料。而且，也可組合使用P V A和其 他水溶性樹脂。注意，即使在掩罩圖案具有排斥液體表面 的情況下，也可藉由進行電漿處理等進一步加強排斥性。 在形成具有精細形狀的膜圖案的情況中，較佳的是在 具有親液表面的第一膜1002上形成的第一掩罩圖案1003 具有閉環形狀。在該情況下，如圖3 3 B所示，在具有閉環 形狀的掩罩圖案中排放第二溶液1 〇 1 1，然後進行乾燥和 烘焙處理。因此，如圖33C所示，可形成具有任意的形狀 的膜圖案1021。在圖33C中，去除掩罩圖案，掩罩圖案 的化合物1 022留在親液表面上。 用於微滴排放方法的噴嘴的直徑設置爲〇_1至50^m (較佳的爲0.6至26μη〇 ，從噴嘴排放的化合物的量設 置爲0.00001至5 Opl (較佳的爲0.0001至1〇ρ1)。該量 隨著噴嘴的直徑而成比例地增加。而且，較佳的是正被處 理的物件與噴嘴的排放口盡可能地靠近，以將微滴排到所 希望的位置，距離較佳地設置爲0 _ 1至2mm。 注意，用於微滴排放方法的化合物的黏度較佳的爲 300mPa.s或更少，或更佳的爲^OmPa.s或更少’以用方< 防止乾燥和用於從排放口平緩地排放化合物。注意到’可 根據所使用的溶劑和施加方式來適當地控制化合物的黏度 -26- 201001507 、表面張力等。 如圖32B所示，第二溶液1011施加在第一掩罩圖案 1 003內。作爲第二溶液，可使用親液溶劑。作爲代表， 親液溶液是諸如丙烯酸類樹脂、聚茚樹脂、三聚氰胺甲醛 樹脂、聚脂樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、 聚縮醛樹脂、聚醚、聚氨酯、聚醯胺（尼龍）、呋喃樹脂 以及鄰苯二甲酸二烯丙脂樹脂之類的有機樹脂，也可以是 矽氧烷和聚矽氮烷。由，也可使用水、酒精溶液、醚溶液 、使用諸如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碾、N-甲基吡咯烷酮、六甲基磷胺、氯仿、二氯甲烷之類的溶劑 的溶液。可藉由微滴排放方法、噴墨方法、旋塗塗敷方法 、輥塗方法、槽隙塗敷方法等來施加第二溶液。 接著，如圖32C所示，藉由對第二溶液1011進行乾 燥和烘焙，形成膜圖案1〇21。在該過程中，掩罩圖案的 溶劑被蒸發，在第一膜1〇〇2的表面上留下化合物或滲透 入膜。注意到，可藉由諸如使用氧氣進行灰化、濕蝕刻、 乾蝕刻之類的已知蝕刻方法來去除留在第一膜1002的表 面上的化合物。在圖32C中’ 1022表示滲透入第一膜 10 02中的掩罩圖案的化合物。在該步驟中，可根據第二 溶液的材料適當地進行乾燥和烘焙。 作爲上述步驟的替代’在乾燥第一掩罩圖案的溶劑之 後可施加第二溶液。也就是說’在藉由如圖3 4 A所示使 用用於形成排斥液體表面的溶液在第一膜1002上形成第 一掩罩圖案1003之後，如圖34B所示，乾燥第—掩罩圖 -27- 201001507 案。此時，第一掩罩圖案的化合物留在第一膜1002的表 面上，或滲透入膜。在圖34B中’ 1 022表示第一掩罩圖 案的化合物滲透入第一膜的區域。接著’如圖34C所示’ 施加親液的第二溶液。在該情況下’第一掩罩圖案的化合 物1022留在形成第一掩罩圖案的區域中，因此’第二溶 液被排斥，並被選擇性地施加’如圖34C所示。此後’對 第二溶液進行適當地乾燥或烘焙，以形成第二膜圖案 1 02卜 藉由上述步驟，不用使用已知的微影術就能形成具有 所希望的形狀的膜圖案。因此，可顯著地減少製造步驟的 數量。 [實施方式3] 下面的實施方式和實施例將參考實施方式1進行描述 。然而，也可適當地適用實施方式2。 在該實施方式中，參考圖2A至2C描述使用具有低 濕水性的第一掩罩圖案和具有高濕水性的第二掩罩圖案形 成具有所需形狀的膜圖案的步驟。注意，該實施方式中描 述的第一掩罩圖案是用於形成第二掩罩圖案的掩罩圖案。 第=掩罩圖案是用於蝕刻的掩罩圖案。 如圖2A所示，第一基底101上形成第一膜20 1， 第 一膜201上形成第二膜202。對第一膜使用適當的材料。 作爲第二膜’可使用與實施方式i中第一膜102的材料類 似的材料。 -28- 201001507 接著’藉由微滴排放方法施加具有低濕水性的材料來 在弟一膜202上形成具有低濕水性的第一掩罩圖案丨〇3。 此時’具有筒濕水性的材料與具有低濕水性的材料〜起被 乾燥和烘焙。 接著’如圖2B所示，施加具有高濕水性的材料，以 形成具有高濕水性的第二掩罩圖案2 1 2。具有高濕水性的 材料比具有低濕水性的材料具有更高的濕水性，因此，在 與第一掩罩圖案103接觸的部分，它被排斥。如圖2b所 示’具有高濕水性的材料施加在不形成第一掩罩圖案的區 域中。可藉由微滴排放方法、噴墨方法、旋塗塗敷方法、 輥塗方法、槽隙塗敷方法等來施加具有高濕水性的材料。 此後，依據所需’對具有高濕水性的材料進行乾燥和烘焙 。因此’可形成作爲用於蝕刻的掩罩圖案的第二掩罩圖案 212 ° 接著’如圖2C所7K，去除第一掩罩圖案1〇3。在該 實施方式中，藉由灰化來去除第一掩罩圖案103。此後， 藉由諸如乾蝕刻和濕蝕刻之類的已知方法蝕刻第二膜的曝 露區域，從而可形成具有所希望的形狀的膜圖案22 1。在 第一掩罩圖案具有柱形或圓柱形形狀的情況下，膜圖案具 有接觸孔。 如圖2D所示，可藉由去除第二掩罩圖案曝露具有所 希望的形狀的膜圖案221。 藉由上述過程，不用使用已知的微影術就能形成具有 所希望的形狀的膜圖案。因此，可顯著地減少製造步驟的 -29- 201001507 數量。此外，與傳統技術相比，可以更少 案或良好的接觸孔。 [實施方式4] 下文中描述的是半導體元件的製造方 實施方式中，採用TFT作爲半導體元件 本發明不限於此。作爲有機半導體電晶體 、MIM元件、記憶元件、光電轉換器、 等。 在該實施方式中，參考圖3A至3D i 的形成通道蝕刻型TFT作爲用作半導體5 的TFT的代表的步驟。 如圖3 A所示，在基底1 〇 1上形成閘: 由微滴排放方法、印刷方法、電場電鍍方名 CVD方法形成閘極電極301。在藉由使J c v D方法形成導電層的情況中，藉由實施 法或微影術，在導電層上形成掩罩圖案，ί 所希望的形狀來形成閘極電極。在該實施： 上選擇性地排放包含導電材料的化合物。？ 爲蝕刻步驟，不要求使用掩罩圖案，可顯_ 驟。 在藉由微滴排放方法形成閘極電極的 孔排放的化合物可以是從溶解或分散於溶 1中所描述的具有低濕水性的材料中選擇 步驟形成膜圖 $。注意，在該 丨例子，然而， 可使用二極體 :容器、電阻器 S述使用本發明 :件的反向參差 |電極301。藉 :、PVD方法、 3 PVD方法和 方式3中的方 》而藉由蝕刻成 j"式中’在基底 ί該情況中，作 〖地簡化製造步 〖況中，從排放 丨中的實施方式 i的導體。此外 -30- 201001507 ，可藉由疊層導電層來形成閘極電極301。 考慮到電阻率，從排放孔排放出的化合物較佳的是溶 解或分散于溶劑中的金、銀或銅中的任一種。更佳的是， 使用電阻率低且成本低的銀或銅。然而，在使用銅的情況 下，較佳的是相結合地形成阻擋膜，以防止雜質。溶劑可 以是諸如如醋酸丁酯和乙酸乙酯之類的酯、如異丙醇和乙 醇之類的醇、如甲基乙基甲酮和丙酮之類的有機溶劑等。 關於阻擋層，在使用銅作爲佈線的情況下，較佳的使 用諸如氮化矽、氧氮化矽、氮化鋁、氮化鈦和氮化鉬（ TaN )之類的包含氮的絕緣的或導電的物質。也可藉由微 滴排放方法形成上述物質。 注意，用於微滴排放方法的化合物的黏度較佳的爲5 至2 OmP a· s，用於防止乾燥和從排放口平滑排放化合物。 較佳的是，表面張力爲40mN/m或更小。注意，可根據使 用的溶劑和施加方式適當地控制化合物的黏度等。作爲例 子，藉由將氧化銦錫（ITO )、氧化鋅（ZnO )、氧化銦 鋅（IZO )、鎵摻雜的氧化鋅（GZO )、包含氧化矽的氧 化銦錫、或有機錫溶解或分散於溶劑中獲得的化合物的黏 度爲5至20mP a. s，藉由將銀溶解或分散於溶劑中獲得的 化合物的黏度爲5至20mPa，s，以及藉由將金溶解或分散 於溶劑中獲得的化合物的黏度是10至2 0mPa_s。 較佳的是，導體的顆粒的直徑盡可能地小’以防止噴 嘴阻塞並用於形成精細的圖案’雖然這是與每個噴嘴的直 徑和所希望的圖案形狀有關的。較佳的是’顆粒的直徑爲 -31 - 201001507 0 · 1 μιη或更小。藉由諸如電解方法、霧化方法以及濕還原 方法之類的已知方法來形成化合物。顆粒尺寸一般爲大約 0.5至ΙΟμπι。然而’當藉由氣相蒸發方法形成導體時，分 散劑所保護的毫微分子大約是7nm，這是非常小的。當藉 由塗敷劑覆蓋毫微顆粒的表面時，毫微顆粒在溶劑中不會 凝結。室溫下毫微顆粒穩定地分散。也就是說，毫微顆粒 實質上呈現出與液體相同的性態。因此，較佳的是使用塗 敷劑。 可在低壓力下進行排放化合物的步驟。這是因爲，排 放的化合物的溶劑揮發直到它降落在正被處理的物件上， 因此可省略或縮短用於乾燥和烘焙的後續步驟。在排放合 成物之後，利用鐳射照射、快速熱退火、熱熔爐等，在大 氣壓力或低壓下進行乾燥和烘焙步驟之一或兩者。雖然乾 燥和烘焙的目的、溫度和時間不同，但是兩者都是熱處理 。例如，以100°C進行三分鐘的乾燥，以200至350°C進 行1 5至1 20分鐘的烘焙。爲了順利地執行乾燥和烘焙步 驟，可加熱基底，其溫度可設置在1〇〇至800 °C (較佳的 是200至350°C)，雖然這取決於基底的材料等。藉由該 步驟，溶液中的溶劑揮發，或者化學地去除分散劑，周圍 的樹脂固化且收縮，從而加速了熔融和焊接。該步驟在氧 氣環境、氮氣環境或空氣中進行。然而，較佳的是在氧氣 環境中進行該步驟，在該環境中，容易去除溶解或分散有 金屬元素的溶劑。 注意，藉由微滴排放方法形成的導電層是藉由三維地 -32- 201001507 隨機疊加微細顆粒來形成的。也就是說，由三維塊集顆粒 形成導電層。 因此，其表面具有細微的凸起和凹陷。此外，當藉由 光吸收層的熱及其保溫時間烘焙細微的顆粒時，顆粒的粒 徑增大。因此，形成了具有大的凸起和凹陷的層。 可藉由使用連續振盪或脈衝振盪氣體雷射器或固態雷 射器來照射鐳射。作爲前者的雷射器，使用準分子雷射器 、YAG雷射器等，使用諸如摻雜有Cr、Nd等的YAG和 YV〇4之類的晶體的雷射器用作爲後者的固態雷射器。考 慮到鐳射的吸收率，較佳的是使用連續振盪雷射器。此外 ，也可使用稱爲混合鐳射照射方法的方法，其中脈衝振盪 和連續振盪相組合。雖然，取決於基底的抗熱特性，較佳 的是藉由瞬間照射鐳射數微秒至數十秒來施加熱處理。藉 由使用紅外燈或用於照射紫外光至紅外光或鹵素燈快速地 升高溫度，暫態地施加熱量達數微秒至數分鐘，在惰性氣 體中進行快速熱退火（RTA )。暫態地進行該處理，因此 ，有利的是僅最外面的表面的薄膜實質上被加熱，而下層 膜不受到影響。 接著，在閘極電極301上形成閘極絕緣膜302。藉由 使用諸如電漿CVD方法或濺射方法之類的薄膜形成方法 ，由包含氮化矽、氧化矽以及其他矽化物的絕緣膜的單層 或多層結構來形成閘極絕緣膜3 02。較佳的是，以氮化矽 膜（氧氮化矽膜）、氧化矽膜、氮化矽膜（氧氮化矽膜） 的順序從與閘極電極層接觸的一側疊層地形成閘極絕緣層 -33- 201001507 。利用該結構，閘極電極與氮化矽膜接觸，因此，可防止 由於氧化造成劣化。 接著，在閘極絕緣膜3 02上形成第一半導體膜303。 作爲第一半導體膜303，使用具有非晶形態半導體、非晶 形態和晶態混合的半非晶形態半導體（也稱爲SAS )、在 非晶形態半導體中可觀察到0.5至20nm的晶粒的微晶半 導體、以及晶體半導體中的任何一個的膜。特別地，可觀 察到0.5至20nm的晶粒的微晶稱爲微晶體。可由10至 60ηιη厚的半導體膜形成包含矽、鍺化矽（SiGe )等的膜 〇 S AS具有介於非晶結構和晶體結構（包括單晶和多晶 結構）之間的中間結構，它是具有自由能穩定的第三狀態 的半導體。又，SAS包括具有近程有序和晶格畸變的結晶 區域。在矽是主要成份的情況下，可至少在膜的一部分中 觀察到0.5至20nm的結晶區域，並且拉曼光譜從520cm·1 向低頻側偏移。藉由X射線衍射測量到（1 1 1 )和（2 2 0 )的衍射峰値，這是由S i晶格引起的。又，包含至少1 原子％的氨或氮’以便終止懸空鍵（dangling bond)。 藉由輝光放電（電漿CVD)沈積矽氣體來形成SAS 。矽氣體典型的爲SiH4、以及Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、 SiCl4、SiF4等。藉由用氫或氫和諸如氦、氬、氪、氖之 類的惰性氣體中的一個或多個來稀釋矽，可容易地形成 S AS。較佳地用10至1 000倍的稀釋比來稀釋矽氣體。藉 由輝光放電分解進行的膜的反應產生可在〇.1至133Pa的 -34- 201001507 壓力下進行。輝光放電可以1至120MHz的功率形成’更 佳的是用1 3至60MHz的RF功率形成。較佳的是，用於 加熱基底額定溫度爲300。C或更低，更佳的爲1〇〇至 250°C 。 又，可藉由加熱或照射鐳射使非晶形態半導體結晶化 來形成晶體半導體。此外，可直接形成晶體半導體。在該 情況下，使用諸如GeF4或F2之類的含氟氣體和諸如SiH4 和Si2H6之類的矽烷氣體，藉由使用熱或電漿來直接形成 晶體半導體膜。 接著，形成導電的第二半導體膜3 04。在形成η通道 型TFT的情況下，導電的第二半導體膜304中添加了來 自元素周期表的第15族中的元素，代表性的爲磷或砷。 在形成P通道型TFT的情況中，添加來自元素周期表的 第13族的元素，代表性的爲硼。使用添加有含來自第13 族或15族的諸如硼、磷和砷之類的元素的氣體的矽氣體 ，藉由電漿CVD方法，沈積第二半導體膜3〇4。在形成 半導體膜之後，可藉由在半導體膜上施加含有來自第13 或15族的元素的溶液並照射鍾射來形成導電的第二半導 體膜。作爲鐳射，適當地使用來自已知的脈衝振·雷射器 或連續振盪雷射器的鐳射。 接著，藉由微滴排放方法在導電的第二半導體膜304 上形成第一掩罩圖案305。較佳的是，第一掩罩圖案3〇5 由具有方香環和雜環作爲主鍵結構、具有較少脂族部分、 並包含雜原子團的耐熱的高分子量的材料形成。這種高分 -35- 201001507 子量材料典型的爲聚醯亞胺或聚苯並咪唑。在使用 胺的情況中，從噴嘴向第二半導體膜3 04上排放含 胺的化合物，在200°C烘焙30分鐘。 接著，藉由使用第一掩罩圖案305，蝕刻第一 膜3 03和第二半導體膜304，形成具有所希望的形 一半導體區域312和第二半導體區域313。作爲蝕 ’可使用由Cl2、BC13、SiCl4、CC14等表示的含氯 由CF4、SF6、NF3、CHF3等表示的含氟氣體、或 刻後，去除第一掩罩圖案3 0 5。 接著，藉由微滴排放方法排放導電材料，在第 體區域313上形成源極電極和汲極電極314。作爲 料，可使用與溶解或分散於溶劑中的閘極電極3 0 1 類似的材料。在此，選擇性地排放含A g的化合物 中稱爲Ag膏（paste))，藉由照射鐳射或熱處理 進行乾燥和供焙處理，以形成每個厚度爲600至 的電極。 藉由在〇2中進行烘焙處理，包含於Ag膏中 黏合劑（熱固化樹脂）等之類的有機物質被分解， 形成幾乎沒有有機物質的Ag膜。而且，可使膜表 化。藉由在低壓下排放Ag膏，膏中的溶劑揮發， 隨後的熱處理或可縮短熱處理時間。 藉由在利用濺射方法預先沈積導電膜並藉由微 方法形成掩罩圖案之後，藉由蝕刻形成源極沈積和 積314。可使用上述材料來形成掩罩圖案。 聚醯亞 聚醯亞 半導體 狀的第 刻氣體 氣體、 〇2。蝕 二半導 導電材 的材料 (下文 適當地 8 0 0nm 的諸如 從而可 面平坦 可省略 滴排放 汲極沈 -36- 201001507 接著，如圖3 C所示，藉由利用源極電極和汲極電極 314作爲掩罩，鈾刻第二半導體區域，使第一半導體區域 312曝露。在此，藉由蝕刻分離的第二半導體區域以第三 半導體區域321標註。對於蝕刻條件，適當地適用上述的 條件。此外，在該實施方式中，藉由使用源極電極和汲極 電極來蝕刻第二半導體區域，然而，本發明不限於該步驟 ，可形成上述掩罩圖案來用於蝕刻半導體膜。 注意，可藉由印刷方法、噴射方法、旋塗方法、微滴 排放方法等，使用有機半導體材料形成第一半導體區域 3 1 2。在該情況下，不要求如上所述的蝕刻步驟，可減少 步驟數。用於本發明的有機半導體材料較佳的是具有共軛 雙鍵作爲主鏈的電子共軛高分子量材料。代表性地來說 ，可使用諸如聚噻吩、聚（3-烷基噻吩）、聚噻吩衍生物 以及並五苯之類的可熔的高分子量材料。作爲可用于本發 明中的有機半導體材料，存在可用於在沈積可熔的先驅物 (precursor)之後藉由處理形成第二半導體區域的材料。 藉由先驅物形成的這種有機半導體材料是聚亞噻吩亞乙烯 、聚2，5 -亞噻吩亞乙烯、聚乙炔、聚乙炔衍生物、以及 聚芳撐亞乙烯基等。 在將先驅物轉換成有機半導體的過程中，添加諸如氯 化氫氣體之類的反應催化劑，以及施加熱處理。用於溶解 這些可熔的有機半導體材料的溶劑典型的是甲苯、二甲苯 、氯苯、二氯苯、苯甲醚、氯仿、二氯甲烷、γ -丁基內酯 、丁基溶纖劑、環己烷、ΝΜΡ(Ν-甲基-2-吡咯烷酮）、 -37- 201001507 環己嗣、2-丁酮、二噁烷、二甲基甲醯胺 THF (四氫呋喃）。 在使用有機半導體用於第一半導體區域 ，可形成由諸如聚乙炔、聚苯胺、PEDOT ( 吩（poly-ethylyenedioxythiophen ))、以； 乙燦磺酸酯（P〇ly-styrenesulphonate))之 材料形成的導電層。 而且，可使用金屬元素形成的導電層代 區域3 2 1。在該情況下，由於大多數有機半 以電洞作爲傳送電荷的物質的載流子的P型 的是使用功函數高的金屬，以便獲得與半導 觸。 具體來說，金、鉑、鉻、鈀、鋁、銦、 屬、合金等是較佳的。藉由使用利用這些金 的導電膏，可藉由印刷方法、輥塗方法和微 形成導電層。 此外，由有機半導體材料形成的第一半 有機導電材料形成的導電層、由金屬元素形 疊層。 在第一半導體區域312由SAS形成的 用源極區域和汲極區域的端部與閘極電極的 平面的自對準結構，以及源極區域和汲極區 域的結構。此外，可採用這樣一種結構’其 汲極區域以某一距離形成而不覆蓋閘極電極 (DMF )、或 3 1 2的情況下 聚乙二氧撐噻 泛PSS (聚苯 類的有機導電 替第三半導體 導體材料具有 半導體，較佳 體層的歐姆接 鉬、錬等的金 屬或合金材料 滴排放方法來 導體區域、由 成的導電層可 情況下，可採 端部形成相同 域覆蓋閘極區 中源極區域和 。在該結構中 -38- 201001507 ’可減少截止電流，因此，在使用TFT作爲顯示器的開 關元件的情況下，可提高對比度。而且，可使用多閘極 TFT ’其中第二半導體區域覆蓋多個閘極電極。在該情況 下’同樣能減少截止電流。 接著’較佳的是在源極電極和汲極電極314上沈積鈍 化膜。可藉由諸如電漿CVD方法和噴塗方法之類的薄膜 形成方法’用氮化砂、氧化砂、氮化砂氧化物、氧氮化砂 、氧氮化鋁、或氧化鋁、菱形碳（DLC )、含氮碳和其他 絕緣材料來形成鈍化膜。 接著’形成具有低濕水性的第二掩罩圖案322。第二 掩罩圖案是用於形成在後續步驟中形成的層間絕緣膜的掩 罩圖案。第二掩罩圖案由與實施方式1中描述的第一掩罩 圖案1 03的材料類似的材料形成。 接著’藉由在除了第二掩罩圖案之外的區域中施加絕 緣材料來形成具有高濕水性的層間絕緣膜3 2 3。作爲第二 掩罩圖案’形成與層間絕緣膜3 23相比具有較高濕水性並 具有所希望的形狀的層間絕緣膜。可藉由使用丙烯酸類樹 脂（aery resin )、聚醯亞胺樹脂、聚脂樹脂、環氧樹脂 、聚酯、聚氨酯、矽氧烷聚合物以及聚矽氮烷來形成層間 絕緣膜3 23。 如圖3D所示，藉由· 〇2灰化，去除第二掩罩圖案322 ’從而曝露源極電極和汲極電極314。在源極電極和汲極 電極上沈積鈍化膜的情況下，還去除鈍化膜。隨後，形成 分別連接源極電極和汲極電極的導電膜331。在此，藉由 -39- 201001507 微滴排放方法排放藉由在溶劑中溶解或分散導電材料而獲 得的膏，進行烘焙，從而形成導電膜。作爲導電膜的導電 材料，可使用與源極電極和汲極電極類似的材料。注意， 導電膜3 1 1充當連接佈線或像素電極。 藉由上述步驟，可形成通道蝕刻型TFT。 [實施方式5] 在該實施方式中’參考圖4描述形成通道保護型（通 道截斷環型）TFT的步驟。 如圖4A所示，類似於實施方式4，在基底1〇1上形 成閘極電極301、閘極絕緣膜302、以及第一半導體膜 3 03。 接著，在疊有閘極電極301的第一半導體膜303的區 域中形成保護膜4〇1。可使用實施方式4中描述的類似的 方式和第一掩罩圖案305類似的材料來形成保護膜401。 接著，類似於實施方式4’沈積第二半導體膜（導電 半導體膜）304。接著，類似於實施方式4，形成第一掩 罩圖案3 05。 接著，如圖4B所示，使用第一掩罩圖案蝕刻第一半 導體膜，從而形成第一半導體區域312。然後’鈾刻第二 半導體膜以形成第二半導體區域313。接著’在第二半導 體區域3 1 3上形成源極電極和汲極電極3 1 4。 接著，如圖4 C所不’用源極電極和汲極電極3 1 4作 爲掩罩來蝕刻第二半導體區域，以曝露保護膜40 1。在同 -40- 201001507 時，分離第二半導體膜，並形成充當源極區域和汲極 的第三半導體區域321。在該實施方式中，使用源極 和汲極電極蝕刻第二半導體膜’然而’本發明不限於 驟，可藉由形成類似於上述第一掩罩圖案的掩罩來選 地蝕刻半導體膜。 接著，如圖4D所示，在源極電極和汲極電極31 沈積鈍化膜。然後，在形成具有低濕水性的第二掩罩 3 2 2之後，使用具有高濕水性的絕緣材料形成層間絕 3 23。 接著，如圖4E所示，在去除第二掩罩圖案322 ，類似於實施方式4，形成分別連接至源極電極和汲 極314的導電膜331。 藉由上述步驟，可形成通道保護型TFT。保護膜 充當通道保護膜，因此可防止要成爲通道區域的第一 體區域由於在蝕刻添加了雜質的半導體膜時過蝕刻等 的損壞。因此，可獲得表現出具有穩定特性的高遷移 TFT。 [實施方式6] 在該實施方式中’參考圖5A至5E描述形成參 (staggered ) TFT 的步驟。 如圖5 A所示’在基底1 〇〗上形成源極電極和汲 極501°藉由使用與實施方式*中描述的源極電極和 電極3 1 4的材料類似的材料形成源極電極和汲極電極 區域 電極 該步 擇性 4上 圖案 緣膜 之後 極電 40 1 半導 造成 率的 差的 極電 汲極 50 1 -41 - 201001507 。使用微滴排放方法、印刷方法、電場電鍍方法、P v D方 法、CVD方法。在使用PVD方法或cvD方法的情況中， 藉由實施方式3中的方法或微影術形成掩罩圖案，施加蝕 刻以將掩罩圖案形成爲所希望的形狀。 接著’沈積含元素周期表的第13族或15族的雜質的 導電性第一半導體膜502。藉由與實施方式4中形成第二 半導體膜3 0 3的方法類似的方法形成第一半導體膜5 〇 2。 接著’形成用於在源極電極和汲極電極5 0 1上和之間蝕刻 第一半導體膜的一部分的第一掩罩圖案503。藉由與實施 方式4中第一掩罩圖案類似的材料和製造方法形成第一掩 罩圖案。 接著，如圖5B所示，使用第一掩罩圖案503，藉由 已知的方法蝕刻第一半導體膜，形成源極區域和汲極區域 5 1 1。接著’順序地沈積第二半導體膜5 1 2和閘極絕緣膜 513。藉由適當地使用與實施方式4中描述的第一半導體 膜303和閘極絕緣膜302的材料和製造方法各自形成第二 半導體膜5 1 2和閘極絕緣膜5 1 3。 接著，在源極區域和汲極區域之間形成閘極電極5 1 4 。接著，形成第二掩罩圖案515。使用與實施方式4中描 述的形成閘極電極301和第一掩罩圖案3 05的材料和方法 個自形成閘極電極514和第二掩罩圖案515。 接著，如圖5C所示，使用第二掩罩圖案515蝕刻閘 極絕緣膜5 1 3，以形成閘極電極5 2 1。藉由蝕刻第二半導 體膜512形成半導體區域5 22，曝露了源極電極和汲極電 -42- 201001507 極5 0 1的一部分。 接著’如圖5 D所示，在曝露的源極電極和汲極電極 5 0 1表面上形成具有低濕水性的第三掩罩圖案5 3丨之後， 藉由使用具有高濕水性的材料形成層間絕緣膜323。對於 第二掩罩圖案531’適當地施加用於形成實施方式4中描 述的第二掩罩圖案322的材料和方法。 接著’如圖5E所示’在去除第三掩罩圖案531之後 ，形成導電膜3 3 1。 藉由上述步驟，形成了參差TFT。 [實施方式7] 在該實施方式中’參考圖6A至6D描述形成上閘極 共面（top gate cop lanar ) TFT。 如圖6A所示’在基底100上沈積第一絕緣膜602。 藉由諸如PVD方法和CVD方法之類的已知方法，由氧化 矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽氧化物膜等形成第 一絕緣膜，用於防止雜質從TFT中基底101進入。在以 雜質不進入TFT的材料（代表性的爲石英等）形成基底 101的情況下，不要求提供第一絕緣膜602。 接著’在第一絕緣膜602上形成半導體區域603。藉 由實施方式1或3中的方法或已知的蝕刻方法鈾刻實施方 式4中所述的第一半導體膜303，形成半導體區域603, 以形成所希望的形狀。 接著’在半導體區域603上排放包含元素周期表中第 -43- 201001507 1 3族或1 5族的雜質的溶液6 04之後，照射鍾 由該步驟，如圖6B所示，可形成導電半導體 區域和汲極區域）611。因此，較佳的是在隨 極區域和汲極區域的半導體區域上排放含元 1 3或1 5族的雜質的溶液。 接著，如圖6B所示，在源極區域和汲極1 形成具有低濕水性的第一掩罩圖案6 1 2。提供 案6 1 2用於防止在隨後形成的閘極絕緣膜和層 形成，因此，較佳的是在隨後形成接觸孔和連 域中排放第一掩罩圖案6 1 2。使用用於形成第 類似的材料和方法形成第一掩罩圖案。 接著，藉由微滴排放方法或施加方法，形 矽氧烷聚合物和聚矽氮烷之類的有機SOG和弃 類的具有高濕水性的材料，藉由乾燥和烘焙處 絕緣膜613。注意，有機SOG和無機SOG由 濕水性而受第一掩罩圖案排斥。在該步驟中， 罩圖案612，從而在半導體區域603之中或之 掩罩圖案的化合物622。 如圖6C所示，在半導體區域603上源極 區域6 1 1之間的閘極絕緣膜6 1 3上形成閘極電 由使用實施方式4中描述的用於形成閘極電極 的材料和方法來形成閘極電極62 1。 接著，藉由施加具有高濕水性的絕緣材料 絕緣膜323。由於第一掩罩圖案的化合物622 射605 。藉 區域（源極 後要成爲源 素周期表第 區域6 1 1上 第一掩罩圖 間絕緣膜的 接佈線的區 二掩罩圖案 成諸如例如 £機SOG之 理形成閘極 於它們的高 乾燥第一掩 上留下第一 區域和汲極 極6 2 1。藉 3 0 1的類似 ，形成層間 具有低濕水 -44 - 201001507 性，排斥具有高濕水性的絕緣材料。因此，可選擇性地形 成層間絕緣膜323。 接著，形成導電膜331。 藉由上述步驟’可形成上閘極共面TFT。 [實施方式8] 在該實施方式中’參考圖25A至25D描述與實施方 式7不同的用於形成上閘極共面TFT的步驟。在實施方 式7中，描述了藉由施加方法或微滴排放方法形成閘極絕 緣膜的TFT。在該實施方式中，描述藉由CVD方法或 PVD方法沈積閘極絕緣膜的TFT。 如圖25A所示，類似於實施方式7，形成半導體區域 603。在藉由微滴排放方法在半導體區域603上排放含元 素周期表中第13或15族的雜質的溶液604之後，照射鐳 射605，形成如圖25B所示的導電半導體區域（源極區域 和汲極區域）6 1 1。 接著，藉由CVD方法或PVD方法在半導體區域和第 一絕緣膜602上沈積閘極絕緣膜7 1 3。在該情況下，閘極 絕緣膜沈積在基底的整個表面上。接著，在半導體區域 603上源極區域和汲極區域6 1 1之間的閘極絕緣膜7 1 3上 形成閘極電極621。 接著，如圖2 5 C所示，在源極區域和汲極區域6 1 1以 及閘極絕緣膜7 1 3重疊的區域中形成具有低濕水性的第一 掩罩圖案6 1 2。提供用於防止隨後形成的層間絕緣膜的形 -45- 201001507 成的第一掩罩圖案612，因此，較佳的是在隨後形成接觸 孔和連接佈線的區域中排放第一掩罩圖案。接著，藉由施 加具有高濕水性的絕緣材料形成層間絕緣膜3 23。由於第 一掩罩圖案具有高濕水性’第一掩罩圖案排斥了具有高濕 水性的絕緣材料。 接著，如圖2 5 D所示’藉由使用層間絕緣膜3 2 3作 爲掩罩，藉由〇2灰化去除第一掩罩圖案612，從而曝露 閘極絕緣膜7 1 3的一部分。然後’蝕刻閘極絕緣膜的曝露 區域，以曝露源極區域和汲極區域。接著，形成分別連接 源極區域和汲極區域的導電膜311。 藉由上述步驟，可形成上閘極共面TFT。同樣，藉由 形成接觸孔的類似步驟和已知方法，可形成下閘極共面 TFT。 [實施方式9] 在該實施方式中，描述用於形成上述實施方式中的掩 罩圖案的微滴排放裝置的一種方式。在圖20中，以虛線 示出一個面板1930形成在基底1900上的區域。 微滴排放裝置1 905具有包括多個噴嘴的頭。在該實 施方式中’提供了三個頭（ 1903a、丨9〇31)和1903c) ’每 個頭具有十個噴嘴’然而’可根據處理面積和步驟來設置 噴嘴和頭部的數量。 每個頭1 9 0 5連接到控制機構1 9 0 7。電腦1 9 1 〇控制 控制機構1 9 0 7，從而可繪製程式控制的圖案。舉例而言 -46- 201001507 ，可根據形成在固定在平台1931上的基底1 900上的標記 1911來決定繪製的時機。或者，可根據基底1900的邊緣 來確定基準點。這是藉由諸如C CD之類的圖像拾取機構 1 9 04檢測的，並藉由視頻信號處理機構1 909轉換成數位 信號。電腦1 9 1 0識別數位信號，並產生送往控制機構 1907的控制信號。當以此方式繪製圖案時，形成圖案的 表面與噴嘴的末端之間的距離爲0.1至5cm，較佳的爲 0.1至2 c m，更佳的爲0 · 1 m m。利用如此短的距離，提高 了微滴的著陸精度。 此時，關於要形成在基底1900上的圖案的資料儲存 在儲存媒體1 908中。根據該資料，控制信號發送到控制 裝置1907，可獨立地控制每個頭19 03 a、1903b和1903c 。也就是，頭19〇3a、l9〇3b和〗9〇3c的每個噴嘴額排放 不同材料的微滴。例如，頭1903a和1903b的噴嘴排放含 絕緣材料的微滴，頭1 90 3 c的噴嘴可排放含導電材料的微 滴。 此外，也可獨立地控制頭的每個噴嘴。由於可獨立地 控制噴嘴，因此可從特定的噴嘴排放不同材料的微滴。例j 如，可向頭1 9 0 3 a提供用於排放含導電材料的微滴的噴嘴 和用於排放含絕緣材料的微滴的噴嘴。 此外，在大面積上施加微滴排放處理的情況下，諸如 形成層間絕緣膜的步驟，較佳的是從所有的噴嘴排放含用 於層間絕緣膜的材料的微滴。此外，較佳的是從多個頭的 所有噴嘴排放含用於層間絕緣膜的材料的微滴。因此，可_ -47- 201001507 提高吞吐量。不用說，在形成層間絕緣膜的步驟中’可藉 由掃描多個噴嘴對大面積施加微滴排放處理，其中每個噴 嘴排放含用於形成層間絕緣膜步驟中層間絕緣膜的材料的 微滴。 藉由鋸齒狀或來回地掃描頭，可在大的母玻璃上形成 圖案。此時，較佳的是，相對多次地掃描頭和基底。當相 對於基底掃描頭時，較佳的是使頭向移動的反方向傾斜。 當從大的玻璃形成多個面板時，較佳的是，頭的寬度 等於一個面板的寬度。這是因爲可藉由對形成一個面板 1 93 0的區域進行一次掃描來形成圖案，從而可預期到高 生產量。 頭的寬度可小於面板的寬度。此時，可串聯地設置寬 度小的多個頭，與一個面板的寬度相對應。藉由串聯地佈 置寬度小的多個頭，可防止隨著頭的寬度變大而可能發生 的頭的彎曲。不用說，可藉由多次掃描寬度小的頭來形成 圖案。 較佳的是，在低壓下進行藉由微滴排放方法排放溶液 的微滴的步驟。這是因爲，在排放的溶液著陸於正被處理 的表面上之前，溶液中的溶劑揮發，從而可省略溶液的乾 燥和烘焙步驟。此外，較佳的是在低壓下進行，因爲導體 的表面不形成氧化膜等。也可在氮氣和有機氣體氛圍中進 行溶液的排放步驟。 作爲微滴排放方法，可使用壓電方法。壓電方法用於 噴墨印表機，因爲它對微滴的出衆的可控制性以及對墨水 -48- 201001507 的選擇的高自由度。壓電方法中，有售主型（vend )(代表性的爲MLP (多層壓電）型）、活塞型 性的爲ML Chip (多層陶瓷超集合成壓電段）型） 型以及頂壁型。取決於溶液的溶劑，可使用使用稱 射（bubble-jet )(日本注冊商標）方法（熱方法 滴排放方法，其中藉由加熱器產生泡來推出溶液。 [實施例1] 接著，參考圖8至13描述主動矩陣基底和包 矩陣基底的顯示面板的製造方法。在該實施例中， 示面板作爲顯示面板的實施例。圖8至10中的每 意性地示出了像素部分和連接端子部分的垂直斷面 圖11至13中的每一個示出了對應於A-B和C-D 結構。 如圖8 A所示，藉由在400°C氧化基底800的 形成厚度爲l〇〇nm的絕緣膜801。該絕緣膜充當隨 的導電膜的蝕刻阻擋膜。接著，在絕緣膜801上形 導電膜802，藉由在第一導電膜上進行微滴排放方 成第一掩罩圖案8 03至805。朝日玻璃有限公司 100玻璃基底用於基底800，藉由使用鎢作爲氬氣 進行濺射，沈積lOOnm厚的鎢膜，用作第一導電膜 藉由微滴排放方法排放聚醯亞胺，並藉由在200° 30分鐘的烘焙處理，形成第一掩罩圖案。第一掩 排放在作爲形成的層的閘極佈線層、閘極電極層和 er type (代表 、側壁 爲泡噴 )的微 括主動 液晶顯 一個示 結構。 的平面 表面， 後形成 成第一 法來形 的 AN 中的靶 802 ° C施加 罩圖案 連接導 -49- 201001507 電層上。 接著，如圖8B所示，藉由使用第一掩罩圖案803至 8 05，鈾刻第一導電膜的一部分，形成閘極佈線層81 1、 閘極電極層8 1 2以及連接導電層8 1 3。此後，藉由使用剝 離溶液剝離第一掩罩圖案803至805。 接著，藉由電漿CVD方法沈積閘極絕緣膜8 1 4。使 用 SiH4 和 N20 (流量 SiH4 : N20 = 1 : 200 )，在 40〇。〇 加熱的腔室中，藉由電漿cvd方法由厚度11〇 nm的氧氮 化矽（H: 1.8%，N: 2.6%，◦: 63.9%，Si: 31.7%) 形成閘極絕緣膜8 1 4。 然後，沈積具有η通道型的第一半導體膜815和第二 半導體膜816。藉由電漿CVD方法，由厚度150nm的非 晶矽膜形成第一半導體膜815。接著，藉由在去除非晶矽 膜的表面上的氧化膜之後，使用矽烷氣體和膦化氫（ phosphine )氣體形成厚度50nm的半非晶矽膜。 接著，在第二半導體膜上形成第二掩罩圖案817和 818。藉由微滴排放方法在第二半導體膜上排放聚醯亞胺 ’並在200°C施加熱處理30分鐘形成第二掩罩圖案。在 隨後形成半導體區域的區域中排放第二掩罩圖案817。 接著，如圖8 C所示，藉由使用第二掩罩圖案蝕刻第 二半導體膜816，形成第一半導體區域821和822 (源極 區域和汲極區域）。藉由使用流量爲CF4 : 02= 1 0 : 9的混 合氣體來蝕刻第二半導體膜8 1 6。此後，藉由使用剝離溶 液剝離第二掩罩圖案8 1 7和8 1 8。 -50- 201001507 接著，形成第三掩罩圖案823。藉由微滴排放方法 放聚醯亞胺在第一半導體區域821和822以及第一半導 膜815的部分上，並在200°C施加熱處理30分鐘形成 三掩罩圖案。 接著，如圖8D所示，藉由使用第三掩罩圖案8 23 刻第一半導體膜815，形成第二半導體區域831。注意 圖8D示意性地示出了垂直斷面結構，而圖11示出了 應於A_B和C-D的平面結構。注意，藉由使用剝離溶 剝離第三掩罩圖案823。 接著，如圖8E所示，形成具有低濕水性的第四掩 圖案83 2。將藉由將氟矽烷偶聯劑溶解於溶劑中而獲得 溶液排放在閘極絕緣膜8 1 4和連接導電層8 1 3重叠的區 上，形成具有低濕水性的第四掩罩圖案。注意，第四掩 圖案832是用於形成第五掩罩圖案的保護膜，第五掩罩 案用於在隨後形成的汲極電極和連接導電層813彼此連 的區域中形成接觸孔。 接著，藉由使用具有高濕水性的材料形成第五掩罩 案8 3 3。第五掩罩圖案是用於形成第一接觸孔的掩罩， 由微滴排放方法排放聚醯亞胺並在200°C施加熱處理 分鐘形成第五掩罩圖案。此時，由於第四掩罩圖案832 有低濕水性，而第五掩罩圖案8 3 3具有高濕水性，在形 第四掩罩圖案的區域中不形成第五掩罩圖案。 接著，如圖9A所示，藉由氧氣灰化去除第四掩罩 案8 32以曝露閘極絕緣膜的部分。接著，藉由使用第五 排 體 第 蝕 5 對 液 罩 的 域 罩 圖 接 圖 藉 30 具 成 圖 掩 -51 - 201001507 罩圖案83 3蝕刻曝露的閘極絕緣膜。使用CHF3蝕刻閘極 絕緣膜。此後，藉由氧氣灰化和使用剝離溶液蝕刻來剝離 第五掩罩圖案833。 接著，藉由微滴排放方法形成源極佈線層84 1和汲極 佈線層842。此時，形成汲極佈線層842，使之與第二半 導體區域82 2和連接導電層813連接。藉由排放分散有 Ag (銀）的溶液，並在100°C施加熱處理30分鐘進行乾 燥，在含10%的氧氣的氣體中以230°C施加烘焙一小時 ，形成源極佈線層8 4 1和汲極佈線層8 4 2。接著，形成保 護膜843。使用氬氣和氮氣（量Ar:N2=l:l)的混合氣 體環境中的矽靶，藉由濺射方法由10 〇nm厚的氮化矽膜 形成保護膜。 圖12示出了對應於圖9A的A-B和C-D的平面圖。 接著，如圖9B所示，在保護膜843和連接導電層 8 1 3重疊的區域、以及閘極佈線層和源極佈線層連接至連 接端子的區域中形成具有低濕水性的第六掩罩圖案8 5 1和 8 5 2。此後，形成層間絕緣膜8 5 3。第六掩罩圖案是用於 隨後形成的層間絕緣膜的掩罩。在藉由微滴排放方法排放 藉由將氟矽烷偶聯劑溶解於溶劑中而獲得的溶液作爲第六 掩罩圖案，以及藉由微滴排放方法排放聚醯亞胺作爲具有 高濕水性的絕緣材料之後，兩層都分別在2 0 0 ° C供焙3 0 分鐘以及在3 00 °C烘焙一小時。 接著，如圖9C所示，在藉由使用CF4、02以及He ( 流量CF4 : 02 : He = 8 : 12: 7)的混合氣體蝕刻第六掩罩 -52- 201001507 圖案8 5 1之後’蝕刻保護膜8 4 3和閘極絕緣膜8 1 4的部分 ’以形成第二接觸孔。藉由該蝕刻步驟，蝕刻在閘極佈線 層和源極佈線層連接至連接端子的區域中的保護膜843和 閘極絕緣膜8 1 4。 在沈積第二導電膜861之後，形成第七掩罩圖案。藉 由濺射方法沈積llOnm厚的含氧化矽的氧化銦錫（ITO) 、在隨後形成像素電極的區域中藉由微滴排放方法微滴排 放聚醯亞胺、以及在200°C烘焙30分鐘，形成第二導電 膜。 在該實施例中，由含氧化矽的ITO形成像素電極，用 於製造光透射液晶顯示面板，然而，可藉由使用含氧化銦 錫（ITO )、氧化鋅（ZnO )、氧化錫（Sn02 )等的化合 物並施加供焙來形成預定的圖案，來形成像素電極。在製 造反射型液晶顯示面板的情況下，可使用含諸如Ag (銀 )、Au (金）、Cu (銅）、W (鎢）和 A1 (鋁）之類的 金屬粒子的化合物。 接著，如圖9D所示，藉由使用第七掩罩蝕刻第二導 電膜來形成像素電極8 7 1。藉由該蝕刻步驟，形成在閘極 佈線層和源極佈線層連接至連接端子的區域中的第二導電 膜也被鈾刻。此後，藉由使用剝離溶液剝離第七掩罩圖案 。注意，圖13示出了對應於圖9D中A-B和C-D的平面 圖。 像素電極871藉由第二接觸孔連接至連接導電層813 。連接導電層8 1 3連接至汲極佈線層842，因此，像素電 -53- 201001507 極8 7 1和汲極佈線層8 4 2電氣連接。 (A g )形成汲極佈線層8 4 2，由含氧 電極871，然而，這些不直接彼此連 氧化，可電氣連接汲極佈線層842和 會增加接觸電阻。 此外，可藉由微滴排放方法選擇 的溶液形成像素電極，而不用蝕刻步 不形成像素的區域中形成具有低濕水 由排放導電溶液形成像素電極。在該 化，去除掩罩圖案。可留下掩罩圖案 藉由上述步驟，可形成主動矩陣 接著，如圖10A所示，藉由印 積絕緣膜以覆蓋像素電極87 1，從而 處理形成定位膜872。注意，也可藉 膜872。接著，藉由微滴排放方法在 8 73 ° 接著，如圖10B所示，藉由分配 (排滴方法）在密封劑8 7 3形成的閉 在此，圖 28示出了藉由“一 Drop Filling)在主動矩陣基底上排 圖28A示出了藉由分配器2701排落 視圖，而圖28B是圖28A中A-B的養 從分配器270 1排落或排放液晶; 密封劑2 7 0 2圍繞的像素部分2 7 0 3。 在該實施例中，由銀 化矽的IT0形成像素 接。因此，銀不會被 I像素電極871，而不 性地排放含導電材料 驟。而且，可藉由在 性的掩罩圖案之後藉 情況下，藉由02灰 而不被去除。 基底。 刷方法和旋塗方法沈 藉由摩擦（rubbing ) 由傾斜沈積形成定位 像素周圍形成密封劑 益(dispenser)方法 環內排落液晶材料。 滴塡充”方法（〇ne 下液晶材料的步驟。 液晶材料的步驟的透 交面圖。 讨料2704，以覆蓋由 可移動分配器27(H， -54- 201001507 或可移動基底2700而使分配器27〇ι固定，以形成液晶層 。此外’可藉由提供多個分配器同時排落液晶。 如圖28B所示，在密封劑27〇2圍繞的區域中選擇性 地排落或排放液晶材料2 7 0 4。 接著’在真空環境下，將基底與提供有定位膜883和 M 電極 882 的對 基底（counter substrate) 881 相黏合 ’用紫外射線照射進行固化’從而藉由塡充液晶材料形成 液晶層8 8 4。 也可以是’塡料可混合於密封劑873中，可在對立基 底上形成彩色篩檢程式、遮罩膜（黑矩陣）等。此外，可 藉由浸漬方法形成液晶層884，其中黏合對立基底，隨後 藉由使用毛細現象塡充液晶。 雖然在此在像素部分上滴落液晶材料，可在將液晶材 料滴落到對立基底側之後黏合具有像素部分的基底。 接著’如圖10C所示’可藉由各向異性導電層885將 連接端子（連接至閘極佈線層的連接端子886，連接至源 極佈線層的連接端子（未示出）分別黏合到閘極佈線層 8 1 1和源極佈線層（未示出）’來形成液晶顯示面板。 可在基底的整個表面上形成層間絕緣膜853和定位膜 8 72。在該情況下’在形成密封劑之前，藉由微滴排放方 法形成掩罩之後，藉由已知的蝕刻方法去除這些絕緣膜， 從而曝露源極佈線層和閘極佈線層。 藉由上述步驟’可製造液晶顯示面板。注意，可在連 接端子和源極佈線（閘極佈線）之間或像素部分中提供用 -55- 201001507 於防止靜電放電的保護電路，代表性的爲二極體等。在該 情況下’藉由與上述類似的步驟形成二極體，並連接像素 部分的閘極佈線層和二極體的汲極佈線層或源極佈線層， 也可獲得如二極體的作用。 注意’實施方式1至9中任一個可適用於該實施例中 。在該實施例中’描述了作爲顯示面板的液晶顯示面板的 製造方法’然而’本發明不限於此，本發明可適用於具有 由有機材料或無機材料作爲發光層形成的發光物質的發光 顯示器’以及諸如DMD (數位微鏡設備）、：PDP (電漿顯 示器）、FED (場發射顯示器）和電泳顯示器（電子紙） 之類的有源顯示面板。 [實施例2] 在本實施例中，參考圖26A至26D描述使用無源矩 陣基底的顯示面板。在該實施例中，描述EL (電致發光 )顯示面板（發光顯示面板）作爲顯示面板的實施例。 如圖26A所示，在透光的基底260 1上形成以光透射 導電膜形成的第一像素電極2602。並行提供多個第一像 素電極2602。在該實施例，藉由繪製，同時並行地排放 含IT Ο和Zn〇2的組合物的溶液，並烘焙，來形成第一像 素電極。 接著，在第一像素電極2 602上形成以均勻的間隔跨 第一電極的多個第一絕緣膜2603。作爲第一絕緣膜，形 成諸如Si02和SiN之類的絕緣膜，並並行蝕刻。 -56- 201001507 接著，如圖26B所示，在隨後形成有機EL層的區域 中形成具有低濕水性的掩罩圖案2611，該區域是相鄰的 第一絕緣膜2603及其之間的部分。作爲具有低濕水性的 掩罩圖案，藉由微滴排放方法排放含FAS的溶液。 注意，在某些情況下，有機EL層含無機材料形成的 材料。 接著，藉由在不形成具有低濕水性的掩罩圖案的區域 中（即掩罩圖案的外緣）排放高濕水性溶液，進行乾燥和 烘焙，形成第二絕緣膜26 1 2。在該實施例中，排放聚醯 亞胺。 根據具有高濕水性的溶液的成分、黏度和表面張力， 可如圖26B所示那樣形成截面具有倒錐形形狀的第二絕緣 膜 2612 ° 根據具有高濕水性的溶液的成分、黏度和表面張力， 可如圖2 7所示那樣形成截面具有正向錐形形狀的第二絕 緣膜2 63 1。 接著’如圖26C所示，藉由〇2灰化，去除掩罩圖案 2611。接著，藉由蒸發有機EL材料，在相鄰的第一絕緣 膜2603及其之間的區域上形成有機el層2621。藉由該 步驟’也在第二絕緣膜2612上沈積有機El材料2622。 接著，如圖26D所示，藉由沈積導電材料形成第二 像素電極2623。藉由該步驟，在形成在第二絕緣膜2612 上的有機EL材料2622上沈積第二導電材料2624。在該 實施例中’第二像素電極由Al、Al-Li合金、Ag_Mg合金 -57- 201001507 等形成。 在第二絕緣膜2 6 1 2具有倒錐形截面的情況 有機EL層2621和像素電極2623由第二絕緣月! 頭沈積，因此’可藉由第二絕緣膜2612分離， 已知的微影術。 在第二絕緣膜2631具有正向錐形的截面的 如圖27B所示，可藉由微滴排放方法在每個第 2 6 3 1之間排放有機E L材料和導電材料，形成有 料2 622和第二像素沈積2623。 此後，可藉由沈積保護膜製造有機EL顯示Ϊ 注意，實施方式1至9中任一個可適用於該 。在該實施例中，描述作爲顯示面板的有機EL 的製造方法，然而，本發明不限於此，本發明可 如DMD (數位微鏡設備）、PDP (電漿顯示器） 場發射顯示器）和電泳顯示器（電子紙）之類的 面板。 在該實施例中，可不用使用已知的光刻來形 緣有機EL層的絕緣膜。 [實施例3] 在本實施例中，參考圖MA至14C描述將 路（信號驅動器電路1 402和掃描驅動器電路 1403b)安裝到上述實施例中描述的顯示面板。 如圖14A所不^ ί@號驅動器電路1402和掃 下，防止 ;2612 的 而不使用 情況下， 二絕緣膜 機EL材 S板。 實施例中 顯示面板 適用于諸 、FED ( 無源顯示 成用於絕 驅動器電 1 4 0 3 a 和 描驅動器 -58- 201001507 電路1403a和1403b安裝到像素部分14〇1的周圍。在圖 14A中’ 1C晶片1 405安裝在基底1400上作爲信號驅動 器電路1402、掃描驅動器電路1403a和1403b等。然後 ’ 1C晶片1 40 5和外部電路藉由FPc (可撓印刷電路）相 連接。 如圖14B所示’像素部分1401和掃描驅動器電路 1 403a和1 403b等一體地形成在基底上，並且在TFT由 S AS或晶體半導體形成的某些情況下信號驅動器電路 1402等作爲1C晶片被獨立地安裝。在圖14β中，藉由 COG方法’ 1C晶片1405安裝在基底1400上作爲信號驅 動器電路1402。藉由FPC 1406連接1C晶片1405和外部 電路。 如圖14C所示，在某些情況下，藉由TAB方法替代 COG方法來安裝信號驅動器電路14〇2等。藉由FPC 1406 連接1C晶片14〇5和外部電路。在圖14C中，藉由TAB 方法安裝信號驅動器電路，然而，也可藉由TAB方法安 裝掃描驅動器電路。 藉由TAB方法安裝1C晶片，相對於基底來說可提供 大的像素部分，並可實現更窄的框架。 藉由使用矽晶片形成1C晶片，然而，可提供形成在 玻璃基底上的1C (稱爲驅動器1C )來替代1C晶片。1C 晶片得自於電路矽晶片，因此，母基底的形狀受限。另一 方面，驅動器1C在提高產量方面是有利的，因爲母基底 是形狀不受限的玻璃制的。因此，可自由地設計驅動器 -59- 201001507 IC的形狀和尺寸。在將驅動器IC形成爲其長邊 8 0mm的情況下，與安裝1C晶片的情況相比， 需的數量。結果，可降低連接端子的數量，提高 可藉由使用基底上形成的晶體半導體來形 I c，可藉由照射連續振盪鐳射來形成晶體半導體 射連續振盪鐳射而獲得的半導體膜具有較少的晶 和大的直徑的晶格。結果，具有這種半導體膜的 有良好的遷移率和回應，導致高速驅動並較佳的 器1C 〇 [實施例4] 在本實施例中，參考圖15A至15D描述將 路（信號驅動器電路1402和掃描驅動器電路 1 403b )安裝到上述實施例中描述的顯示面板的 藉由使用各向異性導電材料的連接方法、佈線接 安裝驅動器電路，其中之一參考圖15A至15D 本實施例中，描述使用驅動器1C用於信號驅 1402和掃描驅動器電路1403a和1 403b的實施 當地使用1C晶片代替驅動器1C。 圖15A示出了藉由使用各向異性的導電材 矩陣基底1701上安裝驅動器1C 1703。源極佈線 線（未示出）等中的每一個以及作爲佈線的引出 極墊1702a和1702b形成在主動矩陣基底1701」

連接端子17〇4a和17 04b設置在驅動器IC 爲15至 可減少所 產量。 成驅動器 。藉由照 體缺陷， 電晶體具 用於驅動 驅動器電 1403a 和 方法。可 合方法等 描述。在 動器電路 例。可適 料在主動 、閘極佈 電極的電 * 〇 1 7 0 3的表 -60- 201001507 面上，保護絕緣膜1 705形成在其週邊。 驅動器1C 1 703用各向異性的導電黏合劑1 706和連 接端子1704a和1704b固定在主動矩陣基底1701上，電 極墊1 702a和1 702b藉由包含在各向異性的導電黏合劑中 的導電粒子電氣連接。各向異性導電黏合劑是含有分散的 導電粒子（粒子直徑大約3至7μιη)的黏合樹脂，如環氧 樹脂、酚醛樹脂等。導電粒子（粒子直徑大約爲數微米至 數百微米）由從金、銀、銅、鈀和鉑中選擇出的一種或多 種元素的合金粒子形成。又，可使用具有這些元素的多層 結構的粒子。而且，也可使用用從金、銀、銅、鈀和鉑中 選擇出的一種或多種元素的合金塗覆樹脂顆粒來獲得顆粒 〇 除了各向異性導電黏合劑，可轉而使用在基膜上的膜 中形成的各向異性導電膜。各向異性導電膜也散佈有與各 向異性導電黏合劑類似的導電粒子。藉由使用混合在各向 異性黏合劑1 706中的適當尺寸和密度的導電粒子1 707， 可以這種方法將驅動器1C安裝到主動矩陣基底上。該安 裝方法適用於圖14Α和14Β的驅動器1C的安裝方法。 圖15Β示出了使用有機樹脂的收縮力的安裝方法的實 施例，其中，在驅動器1C的連接端子的表面上由Ta、Ti 等形成緩衝層1711a和1711b，藉由無電極電鍍方法等形 成大約 20μιη厚的 Au，以形成隆起（bump) 1712a和 1712b。藉由在驅動器1C和主動矩陣基底之間提供光可固 化的絕緣樹脂1 7 1 3，可使用光可固化的樹脂的收縮力來 -61 - 201001507 安裝壓力焊接的電極。該安裝方法適用於圖14A和14B 的驅動器1C的安裝方法。 如圖15C所示’驅動器ic 1703藉由黏合劑1721固 定在主動矩陣基底1701上，驅動器ic和電極墊1702a和 1702b可藉由佈線1722a和1722b連接。然後，使用有機 樹脂1723進行密封。該安裝方法適用於圖14A和14B的 驅動器1C的安裝方法。 如圖15D所示’可藉由含導電粒子17〇8的各向異性 導電黏合劑1706’向FPC(可撓印刷電路）1731上的佈 線1 7 3 2提供驅動器IC 1 7 0 3。該結構非常有效地適用於外 殼尺寸受限的諸如攜帶型終端之類的電子裝置。該安裝方 法適用於圖1 4 C的驅動器I c的安裝方法。 不特別地限定驅動器1C的安裝方法，可採用已知的 COG方法、佈線接合方法、TAB方法或使用焊料隆起墊 的回流處理。在施加回流處理的情況下，較佳的是使用諸 如聚醯亞胺基底、HT基底（日本鋼鐵化學集團有限公司 (Nippon Steel Chemical Group Co.，Ltd.))和由具有極 性團（polarity group )的降冰片烯樹脂形成的Art〇N( JSR公司）之類的高抗熱性塑膠。 [實施例5] 在由S A S形成半導體層的實施例4中描述的液晶顯 7K面板中’如圖14B和14C所示，對基底1400上形成的 掃描線側上的驅動器電路進行描述。 -62- 201001507 圖 21是由使用其電場電子遷移率爲 cm2/V.sec的SAS的η通道TFT形成的掃描驅動 方塊圖。 在圖21中，1 5 00所表示的框對應於輸出用 的採樣脈衝的脈沖輸出電路。同樣，由η個脈衝 形成移位暫存器。像素連接到緩衝器電路1 5 0 1。 圖22示出了由η通道TFT 3601至3612形 輸出電路1500的具體配置。考慮到使用SAS[ TFT的工作特性，可確定TFT的尺寸。例如， 長度是8μιη，可把通道寬度設置爲10至80μιη的 圖2 3示出了緩衝器電路1 5 0 1的具體配置。 路也由η通道TFT 3 62 1至3 63 6形成。考慮到 的η通道TFT的工作特性，可確定TFT的尺寸 假設通道長度是ιομπι，可把通道寬度設置 1800μηι的範圍。 [實施例6] 在本實施例中，作出關於顯示模組的描述。 考圖1 6，將液晶模組描述爲顯示模組的實施例。 在圖1 6所示的液晶模組中，用密封劑1 600 矩陣基底1601和對立基底1 602，其間插入有 1603和液晶層1604，形成顯示區域。 在進行彩色顯示時，要求著色層1605。在 的情況下，對每個像素提供對應於紅、綠和藍的 1至 15 器電路的 於一個級 輸出電路 成的脈衝 的η通道 假設通道 I範圍。 緩衝器電 使用SAS 。例如， 爲 10至 在此，參 固定主動 像素部分 RGB方法 '著色層。 -63- 201001507 在主動矩陣基底1601和對立基底i602 1 606和1 6_07。在偏振片1606的表面上形 ，用於減緩外部衝擊。 設置在主動矩陣基底1 6 0 1上的連接頭 FPC 1609連接到佈線基底1610。爲FPC利 像素驅動器電路（1C晶片、驅動器1C等） 底1 6 1 0結合有外部電路1 6 1 2，例如控制獨 〇 冷陰極管1613、反射器1614以及光I 光單元，作爲將光投向液晶顯示面板的光雄 光源、佈線基底、FPC等由玻璃框架（be2 和保護。 [實施例7]

在該實施例中，參考圖30A和30B U 實施例描述發光顯示模組的外表。圖3 0 A 封劑1205和第二密封劑1206密封的第一 3 形成的面板的上視圖。圖3 0 B是沿圖3 0 A 面圖。 在圖30A中，以虛線示出的標號1201 極線）驅動器電路，1 202表示像素部分， (閘極線）驅動器電路。在該實施例中， 1201、像素部分丨20 2以及掃描驅動器電路 密封劑和第二密封劑密封的區域中。較佳的 外提供偏振片 成保護膜1616 |子 1 608藉由 ]連接佈線提供 1 6 1 1。佈線基 i路和電源電路 I膜1615是背 ^。液晶面板、 e 1 ) 1 6 1 7 保持 S照顯示模組的 是由用第一密 B底和第二基底 中的A-A'的截 表示信號（源 1 203表示掃描 j號驅動器電路 1 203處於第一 J是使用包含塡 -64- 201001507 料的具有闻黏度的環氧樹脂作爲第一密封劑。較佳的是使 用具有低黏度的環氧樹脂作爲第二密封劑。較佳的是第一 密封劑1 2 0 5和第二密封劑1 2 0 6盡可能不透過濕氣或氧氣 〇 此外’可在像素部分1 2 0 2和密封劑1 2 〇 5之間提供乾 燥劑。在像素部分中，可在掃面線或信號線上提供乾燥劑 。作爲乾燥劑，較佳的是使用藉由化學吸收吸收濕氣（ Η 2 Ο )的物質，如鹼土金屬的氧化物，例如氧化鈣（c a 0 )和氧化鋇（B a Ο )。然而，也可使用諸如沸石和矽膠之 類的藉由物理吸收來吸收濕氣的物質。 此外’含乾燥劑的顆粒的具有高濕氣滲透性的樹脂可 固定在第二基底1 204上。在此，具有高濕氣滲透性的樹 脂例如是諸如酯丙烯酸酯、醚丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯 酸酯、醚氨基甲酸酯丙烯酸酯、丁二烯氨基甲酸酯丙烯酸 酯' 特定的氨基甲酸酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、氨基樹 脂丙烯酸酯、以及丙烯酸類樹脂丙烯酸酯之類的丙烯酸類 樹脂。此外，可使用諸如雙酚A型液體環氧樹脂、雙酚A 型固體環氧樹脂、含溴環氧樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚 AD型樹脂、酚醛樹脂、甲酚樹脂、線型酚醛型樹脂、脂 環族環氧樹脂、Epi-Bis型環氧樹脂、縮水甘油酯樹脂、 縮水甘油胺樹脂、雜環環氧樹脂、以及改性環氧樹脂之類 的環氧樹脂。又，也可使用其他物質。可使用諸如矽氧烷 聚合物、聚醯亞胺、PSG (磷矽酸鹽玻璃）、以及BPSG (硼磷矽酸鹽玻璃）之類的無機物質。 -65- 201001507 藉由在與掃描線重疊的區域中提供乾燥劑，並在 基底上固定含乾燥劑的顆粒的具有高濕氣滲透性的樹 可抑制濕氣進入顯示元件，從而抑制引起的劣化’而 降低孔徑比（aperture ratio)。 注意，標號1210表示用於將輸入到信號驅動器 1201和掃描驅動器電路1203的信號進行傳送的連接 ，藉由連接佈線1208從作爲外部輸入端子的FPC( 印刷電路）1 2 0 9接收視頻信號和時脈信號。 接著，參考圖30B描述截面結構。驅動器電路和 部分形成在第一基底1 2 00上，具有多個半導體元件 如TFT。示出了作爲驅動器電路的信號驅動器電路 以及像素部分1 202。注意，信號驅動器電路1201包 η通道型TFT 1221和p通道型TFT 1 222的組合形 CMOS電路。 在該實施例中，信號驅動器電路的TFT、掃描驅 電路以及像素部分形成在同一基底上。因此，可減小 顯示裝置的體積。

像素部分1202由包括開關TFT 1211、驅動TFT 、以及由電氣連接到驅動TFT 1212的汲極的反射導 形成的第一像素電極（陽極）1213的多個像素形成。 用於這些TFT 1211、1212、1221以及1222的層 緣膜可藉由使用含無機材料（氧化矽、氮化矽、氧氮 等）以及有機材料（聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯 苯並環丁燒（benzocyclobutene)、或矽氧烷聚合物 脂， 不用 電路 佈線 可撓 像素 ，例 120 1 括由 成的 動器 發光 1212 電膜 間絕 化矽 胺、 )作 -66- 201001507 爲主成份的材料來形成。藉由使用矽氧烷聚合物作爲層間 絕緣膜的源極材料，可獲得具有氧化矽作爲骨幹結構以及 氫和/或院基作爲支鏈的結構的絕緣膜。 此外’在第一像素電極（陽極）1213的兩端形成絕 緣體（稱爲堤（bank )、分隔壁（partition )、阻檔層（ barrier)等）12 14。爲了對於絕緣體1214獲得良好的膜 覆蓋’將絕緣體1214形成爲其頂部和底部具有有曲率的 彎曲表面。可藉由使用含無機材料（氧化矽、氮化砂、氧 氮化矽、氮化矽氧化物等）或有機材料（聚醯亞胺、聚醯 胺、聚醯亞胺酿胺、苯並環丁稀、或砂氧垸聚合物）作爲 主成份的材料來形成絕緣體1214。此外，藉由使用砂氧 烷聚合物作爲絕緣體的源極材料，可獲得具有砂和氧作爲 骨幹結構以及氫和/或院基作爲支鏈的絕緣膜。又，可用 氮化銘膜、氮化銘氧化物膜、含碳作爲主成份的薄膜、或 由氮化砂膜形成的保護膜（平面化層（planarizing layer ))來覆蓋絕緣體1214。藉由使用溶解或分散有吸收可 見光的材料的有機材料，如黑色顔料和染料，可吸收來自 隨後形成的發光元件的漫射光。結果，提高了每個元件的 對比度。此外，藉由提供由阻擋光的絕緣體形成的層間絕 緣膜1220，可利用絕緣體1214獲得光遮罩效果。 藉由使用有機化合物材料的蒸發，在第一像素電極（ 陽極）1 2 1 3上選擇性地形成含發光物質的層1 2 1 5。 含發光物質的層可適當地具有已知的結構。在此，參 考圖31A至31F描述含發光物質的層1215的結構。 -67- 201001507 圖31A示出了使用含1至15%的氧化矽的光 化物導電材料形成的第一像素電極1 1的例子。其 含發光物質的層16，層16中疊層有電洞注入層或 輸層41、發光層42、電子傳輸層或電子注入層43 像素電極17由含諸如LiF和MgAg之類的鹼金屬 金屬的第一電極層33和由諸如鋁之類的金屬材料 第二電極層34形成。如圖31A中箭頭所示，具有 的像素可從第一像素電極i i側發光。 圖31B示出了從第二像素電極17發光的例子 mm mm 11是由諸如鋁和鈦之類的金屬或含等於 化學計量構成比率的濃度的上述金屬和氮的金屬材 的第一電極層35，以及由含1至15原子％的濃度 矽的氧化物導電材料形成的第二電極層32形成。 置含發光物質的層16，層16中疊層有電洞注入層 傳輸層41、發光層42、電子傳輸層或電子注入層 二像素電極17由含諸如LiF和CaF之類的鹼金屬 金屬的第三電極層33和由諸如鋁之類的金屬材料 第四電極層34形成。藉由以1 〇〇nm或更小的厚度 兩層，以能夠透光，可從第二像素電極17發光。 圖31E示出了從第一電極和第二電極兩方向發 施例。具有高功函數的透光導電膜用於第一像素賃 ’而具有低功函數的透光導電膜用於第二像素電框 作爲代表，第一像素電極11由含1至15原子％的 氧化矽的氧化物導電材料形成，第二像素電極1 7 透射氧 上提供 電洞傳 。弟― 或驗土 形成的 該結構 。第一 或小於 料形成 的氧化 其上設 或電洞 43。第 或驗土 形成的 形成這 光的實 i極 u ! 1 7。 濃度的 由含諸 -68- 201001507 如LiF和CaF之類的鹼金屬或鹼土金屬的第三電極層33 和由諸如鋁之類的金屬材料形成的第四電極層34形成， 這兩層的厚度分別爲等於或小於l〇〇nm。 圖31C示出了從第一像素電極11發光的實施例，在 第一像素電極11中含發光物質的層以電子傳輸層或電子 注入層43、發光層42、電洞注入層或電洞傳輸層43的順 序疊層。由含1至15原子％的濃度的氧化矽的氧化物導 電材料形成的第二電極層3 2、以及由諸如鋁和鈦之類的 金屬或含等於或小於化學計量構成比率的濃度的上述金屬 和氮的金屬材料形成的第一電極層3 5，以此順序從含發 光物質的層16形成第二像素電極17。第一像素電極11 由含諸如LiF和CaF之類的鹼金屬或鹼土金屬的第三電極 層3 3和由諸如鋁之類的金屬材料形成的第四電極層3 4形 成。藉由以1 OOnm或更小的厚度形成這兩層，以能夠透 光，可從第一像素電極11發光。 圖31D示出從第二像素電極17發光的例子，在第二 像素電極17中含發光物質的層以電子傳輸層或電子注入 層43、發光層42、電洞注入層或電洞傳輸層43的順序疊 層。第一像素電極11具有與圖31A的第二像素電極類似 的結構’並且形成足夠的厚度以反射從含發光物質的層發 出的光。第二像素電極由含1至15原子％的濃度的氧化 矽的氧化物導電材料形成。藉由使用金屬氧化物作爲無機 物質（有代表性的爲氧化鉬或氧化釩）形成電洞注入層或 電洞傳輸層41’因提供在形成第二像素電極17時引入的 -69- 201001507 氧氣，故提高電洞諸如特性，從而可降低驅動電壓。 圖31F示出了從第一電極和第二電極兩方向發光的例 子。具有低功函數的透光導電膜用於第一像素電極11， 而具有高功函數的透光導電膜用於第二像素電極。代 表性地，第一像素電極1 1由含諸如LiF和CaF之類的鹼 金屬或鹼土金屬的第三電極層33和由諸如鋁之類的金屬 材料形成的第四電極層34形成，第二像素電極17由含1 至1 5原子％的濃度的氧化矽的氧化物導電材料形成。 以此方式，形成如圖30B所示的由第一像素電極（陽 極）1213、含發光物質的層1515、以及第二像素電極（ 陰極）1216的發光元件1217。發光元件1217向第二基底 1 204側發光。 爲了密封發光元件1217，形成保護疊層1218。藉由 疊層第一無機絕緣膜、鬆弛膜、以及第二無機絕緣膜來形 成保護疊層1 2 1 8。接著，利用第一密封劑1 2 0 5和第二密 封劑1 206黏合保護疊層1218和第二基底1 204。注意， 較佳的是使用用於滴落密封劑的裝置來排落第二密封劑， 舉例而言，如實施例1的圖2 8所示的用於滴落液晶的裝 置。在藉由從分配器滴或排放在主動矩陣基底上施加密封 劑之後，可真空黏合第二基底和主動矩陣基底和藉由紫外 線固化密封。 注意，在固定在第二基底1 2 04的表面上的偏振片 1 225的表面上提供1/2λ或ΙΜλ的相位—對比板（phase-contrast plate) 1229 和抗 反射膜 1226。 此外 ，可 從第二 -70- 201001507 基底1 204順序地提供ΐ/4λ的相位—對比板、1/2λ的相位 -對比板和偏振片1 22 5。藉由提供相位_對比板和偏振 片’可防止外部光反射在像素電極上。第一像素電極 1213和第二像素電極1216由透光的或不透光的導電膜形 成’層間絕緣膜1 22 0由吸收可見光的材料或溶解或分散 有吸收可見光的有機材料形成，從而外部光不反射在每個 像素電極上，因此，不必使用相位-對比板或偏振片。 連接佈線1208和FPC 1209藉由各向異性導電膜或各 向異性導電樹脂1227而彼此電連接。此外，較佳的是， 用密封樹脂密封每個佈線層和連接端子之間的連接部分。 根據該結構，可防止濕氣從截面部分進入發光元件而引起 劣化。 注意，可在第二基底1204和保護疊層1218之間提供 用例如氮氣的惰性氣體塡充的空間。因此，可進一步防止 濕氣和氧氣。 可在像素部分1202和偏振片1 225之間提供著色層。 在該情況下，藉由在像素部分提供能夠發出白色光的發光 元件以及表示RGB的著色層，可進行全色彩顯示。此外 ，藉由在像素部分提供能夠發出藍色的發光元件，並單獨 提供色彩變換層等，可進行全色彩顯示。同樣，可在每個 像素部分形成發出紅色、綠色和藍色的發光元件，也可使 用著色層。這種顯示模組具有高色彩純度，並能夠進行高 解析度顯示。 藉由使用用於第一基底12〇〇或第二基底12〇4中一個 -71 - 201001507 或二個的膜、樹脂等形成的基底形成光顯示模組。藉由密 封而不以這種方式使用對立基底，可形成重量改進、緊湊 而薄的顯示裝置。 注意，實施方式1至9中任一個可適用於該實施例中 。在該實施例中，描述作爲顯示模組的發光顯示模組，然 而，本發明不限於此，本發明可適用于諸如發光顯示器、 DMD (數位微鏡設備）、PDP (電漿顯示器）、FED (場 發射顯示器）和電泳顯示器（電子紙）之類的顯示模組。 [實施例8 ] 藉由將實施例6和7描述的顯示模組結合於外殼中， 可製造各種電子裝置。電子裝置包括電視機、攝影機、數 位照相機、護鏡式顯示器（頭戴式顯示器）、導航系統、 音頻再現設備（車載音頻系統、音頻元件等）、筆記型個 人電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（移動電腦、可攜式電 話機、可攜式遊戲機、電子書等）、具有儲存媒體的圖像 再現裝置（具體來說是具有可重放諸如數位視頻盤（DVD )之類的儲存媒體並能夠顯示重放的圖像的顯示器的裝置 )等。在此，關於這些電子裝置的實施例，圖1 7和1 8示 出了電視機及其方塊圖，圖19A和19B示出了數位照相 機。 圖17示出了接收類比電視廣播的電視機的典型結構 。在圖1 7中，天線1 1 0 1接收的電視廣播的電波輸入到調 諧器1 1 02。調諧器1 1 02藉由將從天線1 1 01輸入的高頻 -72- 201001507 電視信號與根據所希望的接收機頻率控制的本地振邊頻率 的信號相混頻，產生並輸出中頻（IF)信號。 從調諧器1 1 02取出的IF信號藉由中頻放大器（IF放 大器）1 1 0 3放大至所要求的電壓，然後藉由視頻檢測電 路1 1 04進行視頻檢測，以及藉由聲音檢測電路1 1 〇5進行 聲音檢測。從視頻檢測電路1 1 〇 4輸出的視頻信號藉由視 頻信號處理電路1106被分離成亮度信號和顔色信號’藉 由預定的視頻信號處理變爲視頻信號，然後輸出到作爲本 發明之一的液晶顯示器、發光顯示器、DMD (數位微鏡設 備）、PDP (電漿顯示器）、FED (場發射顯示器）和電 泳顯示器（電子紙）等的視頻系統輸出部1 1 08。 此外，從聲音檢測電路1 1 0 5輸出的信號藉由諸如聲 音系統處理電路1107的FM解調之類的處理，變爲聲音 信號，然後經適當放大，輸出到諸如揚聲器之類的聲音系 統輸出部1 1 〇 9。 使用本發明的電視機不限於諸如如VHF波段和UHF 波段之類的地面式廣播、電纜廣播、或BS廣播之類的類 比廣播’而是可適用於數位陸地電視廣播、電纜數位廣播 或B S數位廣播。 圖18示出了從正面看到的電視機的透視圖，包括外 殻1151、顯示部1152、揚聲器部1153、操作部n54、視 頻輸出端子1155等。圖17示出了其結構。 顯示部1152是圖17的視頻系統輸出部11〇8的例子 ，它顯不圖像。 •73- 201001507 揚聲器部1153是圖17的聲音系統輸出部的 輸出聲音。 操作部1154備有電源開關、音量開關、開 、調諧開關、選擇開關等。藉由按壓開關，操f 閉、圖像選擇、聲音控制、調諧器選擇等。雖然 但是還可藉由遙控器型的操作部來進行上述選擇 視頻輸出端子1155是用於從VTR、DVD、 將視頻信號輸入到電視機中的端子。 在該實施例中所描述的電視機是壁挂式電視 主體的背部提供用於懸挂在牆壁上的部分。 藉由使用作爲本發明的半導體裝置的例子的 用於電視機的顯示部，可以高產量製造低成本的 此外，藉由對控制電視機的視頻處理電路、聲音 以及聲音處理電路的CPU使用本發明的半導體 以高產量製造低成本的電視機。因此，本發明可 于諸如壁挂式電視機、火車站、機場等的資訊顯 道上的廣告顯示板之類的大型顯示介質。 圖1 9A和1 9B示出了數位照相機的例子。fi 從正面看到的數位照相機的透視圖，而圖1 9B是 到的透視圖。圖1 9 A中，數位照相機包括釋放J 、主開關1 3 0 2、取景器1 3 0 3、閃光燈1 3 0 4、透丨 照相機鏡筒1 3 06和外殼1 3 07。 在圖19Β中，提供取景器目鏡窗1311、監 、以及操作按鈕1 3 1 3。 例子，它 關選擇器 隹電源開/ 未示出， 〇 遊戲機等 機時，在 顯示器， 電視機。 檢測電路 裝置，可 尤其適用 示板、街 Ε 19Α 是 從背面看 2 鈕 1301 i 1305 ' 見器1312 -74- 201001507 藉由將釋放按鈕1301按壓至一半位置，聚焦調節元 件和曝光調節元件工作，當釋放按鈕1 3 0 1按壓至底部位 置時，快門打開。 藉由按壓或旋轉主開關1302，切換數位照相機的電 源的開/閉。 取景器1303置於數位照相機的正面的透鏡1305上部 ’用於從圖19B所示的取景器目鏡窗1311檢查拍攝範圍 和聚焦位置。 閃光燈1 3 04置於數位照相機的正面的上部，當物件 亮度低時，隨著釋放按鈕被按壓而快門打開時，發出輔助 光。 透鏡1305置於數位照相機的正面。透鏡由聚焦透鏡 、變焦透鏡等組成，並與未示出的快門和光圈一起構成成 像光學系統。而且，在透鏡後提供諸如CCD (電荷耦合 器件）之類的圖像感測器。 照相機鏡筒1 3 0 ό移動透鏡，用於調節聚焦透鏡和變 焦透鏡等的焦距。當拍攝圖像時，透鏡1305藉由向外推 出照相機鏡筒而向前移動。當攜帶時，爲了緊湊，透鏡 1305裝載在內。在該實施例中，藉由推出照相機鏡筒藉 由變焦來拍攝物件，然而本發明不限於該結構，本發明可 以是能夠根據外殼1307中的成像光學系統的結構而不用 推出照相機鏡筒來藉由變焦拍攝圖像的數位照相機。 取景器目鏡窗1311設置在數位照相機的背部上面， 用於檢查拍攝範圍和聚焦位置。 -75- 201001507 操作按鈕1 3 1 3是具有各種功能的設置在數位照相機 的背面的按鈕’包括設置按鈕、功能表按鈕、顯示按鈕、 功能按鈕、選擇按鈕等。 藉由使用按照本發明的半導體裝置的一個實施方式的 顯示器用於監視器，可以高產量製造低成本的數位照相機 。此外，藉由對執行接收具有各種功能的按鈕、主開關、 釋放按鈕等的輸入的處理的CPU，對控制進行自動聚焦操 作和自動聚焦調整操作的電路、控制驅動閃頻燈和c C D (電荷耦合器件）的定時電路、從諸如CCD之類的圖像 感測器光電轉換的信號產生視頻信號的圖像拾取電路、將 圖像拾取電路產生的視頻信號轉換成數位信號的A/D變 換器、讀寫記億體的視頻資料的記憶體介面中的每一個的 CPU，使用按照本發明的半導體裝置的一種方式的CPU， 可以高產量製造低成本的數位照相機。 本申請案係分別於2004年1月16日以及2004年4 月2 8日向日本專利局申請的日本專利申請序列號2 0 0 4 -009232和2004- 1 34898爲基礎，它們的內容於此一倂列 梦考。 【圖式簡單說明】 圖1A至1C是示出根據本發明的形成膜圖案的步驟 的剖面視圖。 圖2A至2D是示出根據本發明的形成膜圖案的步驟 的剖面視圖。 -76- 201001507 圖3A至3D是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖4A至4E是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖5A至5E是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖6A至6D是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖7A至7C是示出根據本發明的形成膜圖案的步驟 的剖面視圖。 圖8A至8E是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖9A至9D是示出根據本發明的製造半導體裝置的 步驟的剖面視圖。 圖10A至10C是示出根據本發明的製造半導體裝置 的步驟的剖面視圖。 圖 Η是示出根據本發明的製造半導體裝置的步驟的 上視圖。 圖12是示出根據本發明的製造半導體裝置的步驟的 上視圖。 圖13是示出根據本發明的製造半導體裝置的步驟的 上視圖。 圖14A至14C是示出根據本發明的半導體裝置的驅 動器電路的安裝方法的上視圖。 -77- 201001507 圖15A至15D是示出根據本發明的半導體裝置的驅 動器電路的安裝方法的剖面視圖。 圖1 6是示出根據本發明的液晶顯示器模組的結構的 示圖。 圖17是示出電子裝置的結構的方塊圖。 圖18是示出電子裝置的實施例的圖。 圖19A和19B是示出電子裝置的實施例的圖。 圖20是示出可用於本發明的微滴排放裝置的結構的 圖。 圖21是示出根據本發明的在液晶顯示面板中使用 TFT形成掃描驅動器電路的情況中的電路配置的圖。 圖22是示出根據本發明的在液晶顯示面板中使用 TFT形成掃描驅動器電路的情況下的電路配置的圖（移位 暫存器電路）。 圖23是示出根據本發明的在液晶顯示面板中使用 TFT形成掃描驅動器電路的情況下的電路配置的圖（緩衝 器電路）。 圖24A至24C是示出根據本發明的形成膜圖案的步 驟的剖視圖。 圖25A至25D是示出根據本發明的製造半導體裝置 的步驟的剖視圖。 圖26A至26D是示出根據本發明的製造半導體裝置 的步驟的剖視圖。 圖27A和27B是是示出根據本發明的製造半導體裝 -78- 201001507 置的步驟的剖視圖。 圖28A和28B是示出可用于本發明的微滴排放方法 的示圖。 圖29是示出具有低濕水性的區域和高濕水性的區域 的接觸角的圖。 圖30A和30B是示出根據本發明的發光顯示模組的 結構的示圖。 圖3 1 A至3 1 F是示出可用於本發明的發光元件的模 式的圖。 圖32A至32C是示出根據本發明的形成膜圖案的步 驟的剖面視圖。 圖33A至33C是示出根據本發明的形成膜圖案的步 驟的剖視圖。 圖34A至34C是示出根據本發明的形成膜圖案的步 驟的剖面視圖。 【主要元件符號說明】 11 :第一像素電極 16:含發光物質的層 1 7 :第二像素電極 32 :第二電極層 33 :第一電極層 34 :第二電極層 3 5 :第一電極層 -79- 201001507 41 ： 電洞傳輸層 42 ： 發光層 43 ： 電子注入層 10 1 :基底 102 :第一膜 103 :第一掩罩圖案 111 :高濕水性的材料 12 1 :膜圖案 122 :化合物 20 1 :第一膜 202 :第二膜 2 12 :第二掩罩圖案 22 1 :膜圖案 3 0 1 :閘極電極 3 02 :閘極絕緣膜 303 :第一半導體膜 3 04 :第二半導體膜 305 :第一掩罩圖案 3 12 :第一半導體區域 3 13 :第二半導體區域 3 14 :汲極電極 3 2 1 :第三半導體區域 3 22 :第二掩罩圖案 3 2 3 :層間絕緣膜 201001507 331 :導電膜 401 :保護膜 5 0 1 :汲極電極 5〇2 :第一半導體膜 5 03 :第一掩罩圖案 5 1 1 :汲極區 512 :第二半導體膜 5 1 3 :閘極絕緣膜 5 1 4 :閘極電極 5 1 5 :第二掩罩圖案 5 2 1 :閘極電極 522 :半導體區 531 :第三掩罩圖案 6 0 2 :第一絕緣膜 603 :半導體區域 604 :溶液 6 0 5 :鐳射 611 :導電半導體區域 612:第一掩罩圖案 6 1 3 :閘極絕緣膜 6 2 1 :閘極電極 6 2 2 :化合物 7 1 3 :閘極絕緣膜 800 基底 201001507 8 0 1 :絕緣膜 8 02 :第一導電膜 803 :第一掩罩圖案 8 04 :第一掩罩圖案 805 :第一掩罩圖案 8 1 1 :閘極佈線層 8 1 2 :閘極電極層 8 1 3 :連接導電層 8 1 4 :閘極絕緣膜 8 1 5 :第一半導體膜 816 :第二半導體膜 817 :第二掩罩圖案 8 1 8 :第二掩罩圖案 821 :第一半導體區域 822 :第一半導體區域 823 :第三掩罩圖案 831 :第二半導體區域 83 2 :第四掩罩圖案 8 3 3 :第五掩罩圖案 8 4 1 :源極佈線層 842 :汲極佈線層 843 :保護膜 85 1 :第六掩罩圖案 8 52 :第六掩罩圖案 201001507 8 5 3 :層間絕緣膜 861 :第二導電膜 8 7 1 :像素電極 8 7 2 :定位膜 8 7 3 :密封劑 8 8 1 :對立基底 8 8 2 :對立電極 8 8 3 :定位膜 8 8 4 :液晶層 8 8 5 :各向異性導電層 8 8 6 :連接端子 1001 ·基底 1 002 :第一膜 1 003 :第一掩罩圖案 1 0 1 1 :第二溶液 1021 :膜圖案 1 0 2 2 :化合物 1 1 0 1 :天線 1 1 0 2 :調諧器 1 103 :中頻放大器 1 104 :視頻檢測電路 1 105 :聲音檢測電路 1 1 0 6 :視頻信號處理電路 1 1 0 7 :聲音系統處理電路 -83 201001507 1 1 ο 8 :視頻系統輸出部 1 1 〇 9 :聲音系統輸出部 1 1 5 1 :外殼 1 1 5 2 :顯示部 1 1 5 3 :揚聲器部 1 1 5 4 :操作部 1 1 5 5 :視頻輸出端子 1 200 :第一基底 1201 :信號驅動器電路 1 2 0 2 :信號驅動器電路 1 203 :掃描驅動器電路 1 204 :第二基底 1 20 5 :第一密封劑 1 2 0 6 :第二密封劑 1 2 0 8 :連接佈線 1 209 :可撓電路 1 2 1 0 :連接佈線 1 2 1 1 :開關 T F Τ 1212 ：驅動 TFT 1 2 1 3 :第一像素電極 1 2 1 4 :絕緣體 1215:層 1216:第二像素電極 1 2 1 7 :發光元件 -84 201001507 1 2 1 8 :保護疊層 1 2 2 0 :層間絕緣膜 122 1 ： η通道型TFT 1 222 ： p通道型TFT 1 2 2 5 :偏振片 1 226 :抗反射膜 1 227 :各向異性導電樹脂 1 229 :相位-對比板 1301 :釋放按鈕 1 3 02 :主開關 1 3 0 3 :取景器 1 3 0 4 :閃光燈 1 3 0 5 :透鏡 1306 :照相機鏡筒 1 3 0 7 :外殼 1 3 1 1 :取景器目鏡窗 1 3 1 2 :監視器 1 3 1 3 :操作按鈕 1 400 :基底 1 4 0 1 :像素部份 1402:信號驅動器電路 1403a:掃描驅動器電路 1403b:掃描驅動器電路 1405 : 1C 晶片 -85- 201001507

1 4 0 6 :可撓印刷電路 1 5 0 0 :脈沖輸出電路 1 5 0 1 :緩衝器電路 1601 :主動矩陣基底 1 6 0 2 :對立基底 1 6 0 3 :像素部份 1 6 0 4 :液晶層 1 605 :著色層 1 6 0 6 :偏振片 1 6 0 7 :偏振片 1 6 0 8 :連接端子 1 609 :可撓電路 1 6 1 0 :佈線基底 1 6 1 1 :像素驅動器電路 1 6 1 2 :外部電路 1613 :冷陰極管 1 6 1 4 :反射器 1615 :光學膜 1 6 1 6 :保護膜 1 6 1 7 :玻璃框架 1701 :主動矩陣基底 1 702a :電極墊 1 702b :電極墊 1703 :驅動器1C -86 201001507 1 7 0 4 a :連接端子 1704b:連接端子 1 705 :保護絕緣膜 1 7 0 6 :各向異性的導電黏合劑 1 7 0 7 :導電粒子 1 7 0 8 :導電粒子 1 7 1 1 a :緩衝層 1 7 1 1 b :緩衝層 1712a :隆起 1712b :隆起 1 7 1 3 :光可固化的絕緣樹脂 1721 :黏 1722a ：佈線 1722b ：佈線 1 723 :有機樹脂 1731 :可撓印刷電路 1 73 2·：佈線 1 900 ：基底 1903a ：頭 1903b ：頭 1903c ：頭 1 9 0 4 :圖像拾取機構 1 905 :微滴排放裝置 1 9 0 7 :控制機構 -87- 201001507 1 9 0 8 :儲存媒體 1 909 :視頻信號處理機構 1 9 1 0 :電腦 1 9 1 1 :標記 1930 ：面板 193 1 :平台 2601 ：基底 2 6 02 ：第一像素電極 2603 ：第一絕緣膜 261 1 :掩罩圖案 2612:第二絕緣膜 2621:有機EL層 2622 :有機EL材料 262 3 ：第二像素電極 2624 ：第二導電材料 263 1:第二絕緣膜 2700 ：基底 270 1 :分配器 2702 :液晶材料 2703 :像素部份 2704 :液晶材料

3 60 1 ： η 通道 TFT 3 602: η 通道 TFT 3 603 ： η 通道 TFT -88 201001507

3604 ： η 通道 TFT 3 605 ： n 通道 TFT 3606 : η 通道 TFT 3 607 ： η 通道 TFT 3608 ： n 通道 TFT 3 609 : η 通道 TFT 3610： η 通道 TFT 3611： n 通道 TFT 3612 ： η 通道 TFT 362 1 ： n 通道 TFT

3622 : η 通道 TFT

3623 ： η 通道 TFT

3624 : n 通道 TFT

3625 ： η 通道 TFT

3626 : n 通道 TFT

3627 : η 通道 TFT

3628 ： η 通道 TFT

3629 : n 通道 TFT

3630 ： η 通道 TFT 3631： n 通道 TFT

3632 ： η 通道 TFT

3633 : n 通道 TFT

3634 ： η 通道 TFT

3635 ： n 通道 TFT

Claims (1)

1. 201001507 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由排放含鎵及鋅之微滴，於基底之上形成膜圖案。 2. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 ，其中該膜圖案是閘極佈線。 3 .根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 ，其中該微滴之黏度爲5至20mPa-s。 4 .根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 ，其中該排放步驟是於低壓下進行。 5 .根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 ，其中該微滴含有鎵摻雜的氧化鋅。 6. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由排放含鎵及鋅之微滴，於基底之上形成膜圖案； 於該膜圖案上形成閘極絕緣膜；以及 於該閘極絕緣膜上形成半導體層。 7. 根據申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方法 ，其中該膜圖案是閘極佈線。 8 .根據申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方法 ，其中該微滴之黏度爲5至20mPa.s。 9 .根據申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方法 ，其中該排放步驟是於低壓下進行。 1 〇.根據申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴含有鎵摻雜的氧化鋅。 11. 一種半導體裝置的製造方法，包含： -90- 201001507 藉由排放含銦及鋅之微滴，於基底之上形成膜圖案。 12. 根據申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 13. 根據申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴之黏度爲5至20mPa.s。 14. 根據申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方 法，其中該排放步驟是於低壓下進行。 15. 根據申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴含有氧化銦鋅。 16. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由排放含銦及鋅之微滴，於基底之上形成膜圖案； 於該膜圖案上形成閘極絕緣膜；以及 於該閘極絕緣膜上形成半導體層。 1 7 .根據申請專利範圍第1 6項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 18. 根據申請專利範圍第16項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴之黏度爲5至20mPa.s。 19. 根據申請專利範圍第16項之半導體裝置的製造方 法，其中該排放步驟是於低壓下進行。 2〇_根據申請專利範圍第16項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴含有氧化銦鋅。 21. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由排放含銦及錫之微滴’於基底之上形成膜圖案。 22. 根據申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方 -91 - 201001507 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 23.根據申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴之黏度爲5至20mPa.s。 24 ·根據申請專利範圍第2 1項之半導體裝置的製造方 法，其中該排放步驟是於低壓下進行。 25. 根據申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴含有氧化銦錫。 26. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由排放含銦及錫之微滴，於基底之上形成膜; 於該膜圖案上形成閘極絕緣膜；以及 於該閘極絕緣膜上形成半導體層。 27. 根據申請專利範圍第26項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是間極佈線。 28. 根據申請專利範圍第26項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴之黏度爲5至2〇mpa.s。 29. 根據申if專利範圍第26項之半導體裝置的製造方 法，其中該排放步驟是於低壓下進行。 30·根據申請專利範圍第26項之半導體裝置的製造方 法，其中該微滴含有氧化銦錫。 31. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由印刷曰鎵及鋅之材料’於基底之上形成膜圖案。 32. 根據申請專利範圍第31項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 33. 根據申請專利範圍第31項之半導體裝置的製造方 •92- 201001507 法，其中該材料含有鎵摻雜的氧化鋅。 34. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由印刷含銦及鋅之材料，於基底之上形成膜圖案。 35. 根據申請專利範圍第34項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 36. 根據申請專利範圍第34項之半導體裝置的製造方 法，其中該材料含有氧化銦鋅。 37. —種半導體裝置的製造方法，包含： 藉由印刷含銦及錫之材料，於基底之上形成膜圖案。 38. 根據申請專利範圍第37項之半導體裝置的製造方 法，其中該膜圖案是閘極佈線。 39. 根據申請專利範圍第37項之半導體裝置的製造方 法，其中該材料含有氧化銦錫。 -93-