JP2000089213A - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶素子及びその製造方法Info
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- JP2000089213A JP2000089213A JP25739898A JP25739898A JP2000089213A JP 2000089213 A JP2000089213 A JP 2000089213A JP 25739898 A JP25739898 A JP 25739898A JP 25739898 A JP25739898 A JP 25739898A JP 2000089213 A JP2000089213 A JP 2000089213A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラー表示の液晶素子を簡素な工程で歩留良
く製造する。 【解決手段】 画素電極１４上に、遮光層１１よりも画
素電極１４に対する親和性の高いインクを付与し、該イ
ンクを硬化することによりカラーフィルタ１３を形成す
る。
く製造する。 【解決手段】 画素電極１４上に、遮光層１１よりも画
素電極１４に対する親和性の高いインクを付与し、該イ
ンクを硬化することによりカラーフィルタ１３を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビ、カ
ラーモニタ、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ等に使用されているカラー表示の液晶素子とその製造
方法に関する。
ラーモニタ、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ等に使用されているカラー表示の液晶素子とその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータの発達、
特に携帯用パーソナルコンピュータの発達に伴い、液晶
ディスプレイ、特にカラー液晶ディスプレイの需要が増
加する傾向にある。しかしながら、さらなる普及のため
にはコストダウンが必要であり、特にコスト的に比重の
重いカラーフィルタのコストダウンに対する要求が高ま
っている。
特に携帯用パーソナルコンピュータの発達に伴い、液晶
ディスプレイ、特にカラー液晶ディスプレイの需要が増
加する傾向にある。しかしながら、さらなる普及のため
にはコストダウンが必要であり、特にコスト的に比重の
重いカラーフィルタのコストダウンに対する要求が高ま
っている。
【０００３】従来から、カラーフィルタの要求特性を満
足しつつ上記の要求に応えるべく、種々の方法が試みら
れているが、いまだ全ての要求特性を満足する方法は確
立されていない。以下にそれぞれの方法を説明する。
足しつつ上記の要求に応えるべく、種々の方法が試みら
れているが、いまだ全ての要求特性を満足する方法は確
立されていない。以下にそれぞれの方法を説明する。
【０００４】第一の方法は顔料分散法である。この方法
は、先ず基板上に顔料を分散した感光性樹脂層を形成
し、これをパターニングすることにより単色のパターン
を得る。さらにこの工程を３回繰り返すことによりＲ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルタを形成する。
は、先ず基板上に顔料を分散した感光性樹脂層を形成
し、これをパターニングすることにより単色のパターン
を得る。さらにこの工程を３回繰り返すことによりＲ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルタを形成する。
【０００５】第二の方法は染色法である。この方法は、
先ず基板上に染色用の材料である水溶性の高分子材料を
形成し、これをフォトリソグラフィ工程により所望の形
状にパターニングした後、得られたパターンを染色浴に
浸漬して着色されたパターンを得る。これを３回繰り返
すことによりＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを形成する。
先ず基板上に染色用の材料である水溶性の高分子材料を
形成し、これをフォトリソグラフィ工程により所望の形
状にパターニングした後、得られたパターンを染色浴に
浸漬して着色されたパターンを得る。これを３回繰り返
すことによりＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを形成する。
【０００６】第三の方法としては電着法がある。この方
法は、先ず基板上に透明電極をパターニングし、顔料、
樹脂、電解液等の入った電着塗装液に浸漬して第一の色
を電着する。この工程を３回繰り返してＲ、Ｇ、Ｂのカ
ラーフィルタを形成し、最後に焼成するものである。
法は、先ず基板上に透明電極をパターニングし、顔料、
樹脂、電解液等の入った電着塗装液に浸漬して第一の色
を電着する。この工程を３回繰り返してＲ、Ｇ、Ｂのカ
ラーフィルタを形成し、最後に焼成するものである。
【０００７】第四の方法は、熱硬化型の樹脂に顔料を分
散させ、印刷を３回繰り返すことによりＲ、Ｇ、Ｂを塗
り分けた後、樹脂を熱硬化させることにより着色層を形
成し、カラーフィルタとするものである。
散させ、印刷を３回繰り返すことによりＲ、Ｇ、Ｂを塗
り分けた後、樹脂を熱硬化させることにより着色層を形
成し、カラーフィルタとするものである。
【０００８】上記いずれの方法においてもカラーフィル
タ上に保護膜を形成するのが一般的である。
タ上に保護膜を形成するのが一般的である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法に共通して
いる点は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色を着色するために同一の工
程を３回繰り返す必要があり、コスト高になることであ
る。また、工程が多い程歩留が低下するという問題を有
している。さらに、電着法においては、形成可能なパタ
ーン形状が限定されるため、現状の技術ではＴＦＴ用に
は適用困難である。また、印刷法は、解像性が悪いため
ファインピッチのパターンの形成には不向きである。
いる点は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色を着色するために同一の工
程を３回繰り返す必要があり、コスト高になることであ
る。また、工程が多い程歩留が低下するという問題を有
している。さらに、電着法においては、形成可能なパタ
ーン形状が限定されるため、現状の技術ではＴＦＴ用に
は適用困難である。また、印刷法は、解像性が悪いため
ファインピッチのパターンの形成には不向きである。
【００１０】これらの欠点を補うべく、インクジェット
方式によるカラーフィルタの製造方法として、特開昭５
９−７５２０５号公報、特開昭６３−２３５９０１号公
報、特開平１−２１７３０２号公報等の提案があるが、
いまだ不十分である。
方式によるカラーフィルタの製造方法として、特開昭５
９−７５２０５号公報、特開昭６３−２３５９０１号公
報、特開平１−２１７３０２号公報等の提案があるが、
いまだ不十分である。
【００１１】特に、インクジェット方式でカラーフィル
タを作製する際には、 （１）隣接する異なる色の画素間における混色 （２）着色部とブラックマトリクスとの境界部における
白抜けや、着色画素内における着色濃度の分布に起因す
る色むらが問題となる。そこで、カラーフィルタの画素
間における混色を防止する方法が、特開平８−７５９１
６号公報に提案されている。この方法は、フォトマスク
を用いた露光により疎インク部を形成し、インク混色防
止を効果に挙げている。
タを作製する際には、 （１）隣接する異なる色の画素間における混色 （２）着色部とブラックマトリクスとの境界部における
白抜けや、着色画素内における着色濃度の分布に起因す
る色むらが問題となる。そこで、カラーフィルタの画素
間における混色を防止する方法が、特開平８−７５９１
６号公報に提案されている。この方法は、フォトマスク
を用いた露光により疎インク部を形成し、インク混色防
止を効果に挙げている。
【００１２】しかしながら、液晶素子のサイズ或いは解
像度の変更等によりセルサイズが変更になった時には、
新たに露光マスクを作製しなければならない。また、こ
の露光工程には、ブラックマトリクスとの高精度なアラ
イメントが要求され、歩留及びコスト的に不利である。
像度の変更等によりセルサイズが変更になった時には、
新たに露光マスクを作製しなければならない。また、こ
の露光工程には、ブラックマトリクスとの高精度なアラ
イメントが要求され、歩留及びコスト的に不利である。
【００１３】そこで、ブラックマトリクスをマスク代わ
りに利用し、背面露光する方法が提案されている（特開
平８−２２７０１２号公報）。
りに利用し、背面露光する方法が提案されている（特開
平８−２２７０１２号公報）。
【００１４】一方、ブラックマトリクスは素材がＣｒで
あったり、樹脂であったり、或いは、カラーフィルタ基
板と対向する基板側に設けられたり、ＴＦＴ基板上にで
あったり種々のバリエーションがある。従って、カラー
フィルタの製造プロセスもブラックマトリクスのタイプ
に応じて変える必要がある。
あったり、樹脂であったり、或いは、カラーフィルタ基
板と対向する基板側に設けられたり、ＴＦＴ基板上にで
あったり種々のバリエーションがある。従って、カラー
フィルタの製造プロセスもブラックマトリクスのタイプ
に応じて変える必要がある。
【００１５】本発明の目的は、カラー表示特性に優れた
液晶素子を安価に提供することにあり、詳しくは、白抜
けや混色のないカラーフィルタを、ブラックマトリクス
との高精度なアライメントや、ブラックマトリクスのバ
リエーションに応じたプロセス変更を要求することな
く、歩留良く、簡素な工程で形成し、上記した優れた液
晶素子を提供することにある。
液晶素子を安価に提供することにあり、詳しくは、白抜
けや混色のないカラーフィルタを、ブラックマトリクス
との高精度なアライメントや、ブラックマトリクスのバ
リエーションに応じたプロセス変更を要求することな
く、歩留良く、簡素な工程で形成し、上記した優れた液
晶素子を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、複数の
画素を有し、画素毎に画素電極と該画素電極上に位置す
るカラーフィルタを有する液晶素子の製造方法であっ
て、上記カラーフィルタの形成工程が、上記画素電極よ
りも該画素電極以外で露出している部材に対する親和性
の低いインクを用い、上記画素電極上に該インクを付与
して硬化することによってカラーフィルタを形成するこ
とを特徴とするものである。
画素を有し、画素毎に画素電極と該画素電極上に位置す
るカラーフィルタを有する液晶素子の製造方法であっ
て、上記カラーフィルタの形成工程が、上記画素電極よ
りも該画素電極以外で露出している部材に対する親和性
の低いインクを用い、上記画素電極上に該インクを付与
して硬化することによってカラーフィルタを形成するこ
とを特徴とするものである。
【００１７】また本発明の第二は、複数の画素を有し、
画素毎に画素電極と該画素電極上に位置するカラーフィ
ルタを有する液晶素子であって、上記本発明の液晶素子
の製造方法によって製造されたことを特徴とする液晶素
子である。
画素毎に画素電極と該画素電極上に位置するカラーフィ
ルタを有する液晶素子であって、上記本発明の液晶素子
の製造方法によって製造されたことを特徴とする液晶素
子である。
【００１８】本発明においては、カラーフィルタを形成
するインクに対する、画素電極と該画素電極以外で露出
した部材との親和性の差を利用し、画素電極以外へのイ
ンクの付着を大きく抑制することにより、画素電極上に
のみにカラーフィルタを形成することができる。よっ
て、従来のような露光した受光層やブラックマトリクス
を用いずとも、所定の領域にカラーフィルタを形成する
ことができる。
するインクに対する、画素電極と該画素電極以外で露出
した部材との親和性の差を利用し、画素電極以外へのイ
ンクの付着を大きく抑制することにより、画素電極上に
のみにカラーフィルタを形成することができる。よっ
て、従来のような露光した受光層やブラックマトリクス
を用いずとも、所定の領域にカラーフィルタを形成する
ことができる。
【００１９】また、画素電極とその他の領域との親和性
の差は従来よりも大きくすることができるため、インク
の付与位置に多少のずれがあっても、自然に着色位置が
修正されるため、混色や白抜けなどの着色不良を低減す
ることができる。
の差は従来よりも大きくすることができるため、インク
の付与位置に多少のずれがあっても、自然に着色位置が
修正されるため、混色や白抜けなどの着色不良を低減す
ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１に本発明の液晶素子の一実施
形態の断面模式図を示す。本実施形態は、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶
素子である。図中、１はガラス基板、２はゲート電極、
３はゲート絶縁膜、４はｉ型アモルファスシリコン層、
５はエッチングストップ層、６はオーミックコンタクト
層、７はソース電極、８はドレイン電極、９はＴＦＴ、
１０はパッシベーション膜、１１は遮光層、１３はカラ
ーフィルタ、１４は画素電極、１５は配向膜、１６はガ
ラス基板、１７は共通電極、１８は配向膜、１９は液晶
である。
形態の断面模式図を示す。本実施形態は、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶
素子である。図中、１はガラス基板、２はゲート電極、
３はゲート絶縁膜、４はｉ型アモルファスシリコン層、
５はエッチングストップ層、６はオーミックコンタクト
層、７はソース電極、８はドレイン電極、９はＴＦＴ、
１０はパッシベーション膜、１１は遮光層、１３はカラ
ーフィルタ、１４は画素電極、１５は配向膜、１６はガ
ラス基板、１７は共通電極、１８は配向膜、１９は液晶
である。
【００２１】図１に示すように、第１のガラス基板１上
には、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ｉ型アモルファ
スシリコン層４、オーミックコンタクト層６、ソース電
極７、ドレイン電極８から構成されたＴＦＴ９が形成さ
れており、パッシベーション膜１０と遮光層１１を介し
てドレイン電極８には画素電極１４が接続されている。
また、画素電極１４上にはカラーフィルタ１３が形成さ
れ、ＴＦＴ９及びカラーフィルタ１３上の全面に配向膜
１５が形成されている。
には、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ｉ型アモルファ
スシリコン層４、オーミックコンタクト層６、ソース電
極７、ドレイン電極８から構成されたＴＦＴ９が形成さ
れており、パッシベーション膜１０と遮光層１１を介し
てドレイン電極８には画素電極１４が接続されている。
また、画素電極１４上にはカラーフィルタ１３が形成さ
れ、ＴＦＴ９及びカラーフィルタ１３上の全面に配向膜
１５が形成されている。
【００２２】また、第２のガラス基板１６上には、共通
電極１７、配向膜１８が形成され、上記第１のガラス基
板１とは５μｍ程度の間隙を介して対向配置され、両基
板間には液晶１９が充填されている。
電極１７、配向膜１８が形成され、上記第１のガラス基
板１とは５μｍ程度の間隙を介して対向配置され、両基
板間には液晶１９が充填されている。
【００２３】次に、上記液晶素子を本発明の製造方法で
製造する場合について説明する。図２、図３は、図１に
示した液晶素子の製造工程を示す断面模式図である。図
２、図３の（ａ）〜（ｋ）は下記工程（ａ）〜（ｋ）に
それぞれ対応する断面模式図である。
製造する場合について説明する。図２、図３は、図１に
示した液晶素子の製造工程を示す断面模式図である。図
２、図３の（ａ）〜（ｋ）は下記工程（ａ）〜（ｋ）に
それぞれ対応する断面模式図である。
【００２４】工程（ａ） ガラス基板１上に２０００Å程度の膜厚でＣｒ、Ｔａ等
によりゲート電極２を形成する。尚、本発明において
は、ガラス基板１以外にも、必要な強度や透明性が得ら
れればプラスチック基板等も用いることができる。
によりゲート電極２を形成する。尚、本発明において
は、ガラス基板１以外にも、必要な強度や透明性が得ら
れればプラスチック基板等も用いることができる。
【００２５】工程（ｂ） ゲート電極２上に５０００Å程度の膜厚でゲート絶縁膜
３を形成する。ゲート絶縁膜３には、ＳｉＮ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＴａＯ、Ｔａ2Ｏ5等の単層膜、或いはこれらの絶
縁膜を積層した多層膜を用いる。
３を形成する。ゲート絶縁膜３には、ＳｉＮ、Ｓｉ
3Ｎ4、ＴａＯ、Ｔａ2Ｏ5等の単層膜、或いはこれらの絶
縁膜を積層した多層膜を用いる。
【００２６】工程（ｃ） ゲート絶縁膜３上に２０００Å程度の膜厚でｉ型のアモ
ルファスシリコン層４、エッチングストップ層５を形成
する。エッチングストップ層５は後述の工程（ｆ）のエ
ッチングの際にチャネル領域となるｉ型アモルファスシ
リコン層４にダメージが生じないように、ｉ型アモルフ
ァスシリコン層４を保護するもので、特にｉ型アモルフ
ァスシリコン層４及びオーミックコンタクト層６とエッ
チングレートの異なる素材、例えばＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4等
の絶縁膜を用いて形成する。
ルファスシリコン層４、エッチングストップ層５を形成
する。エッチングストップ層５は後述の工程（ｆ）のエ
ッチングの際にチャネル領域となるｉ型アモルファスシ
リコン層４にダメージが生じないように、ｉ型アモルフ
ァスシリコン層４を保護するもので、特にｉ型アモルフ
ァスシリコン層４及びオーミックコンタクト層６とエッ
チングレートの異なる素材、例えばＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4等
の絶縁膜を用いて形成する。
【００２７】工程（ｄ） エッチングストップ層５をパターニングする。
【００２８】工程（ｅ） ｉ型アモルファスシリコン層４及びエッチングストップ
層５上に３０００Å程度の膜厚でオーミックコンタクト
層６を形成する。オーミックコンタクト層６には、ｎ+
型のアモルファスシリコン或いは微結晶シリコン等を用
いる。
層５上に３０００Å程度の膜厚でオーミックコンタクト
層６を形成する。オーミックコンタクト層６には、ｎ+
型のアモルファスシリコン或いは微結晶シリコン等を用
いる。
【００２９】工程（ｆ） オーミックコンタクト層６上にソース電極７及びドレイ
ン電極８を形成し、オーミックコンタクト層６、ｉ型ア
モルファスシリコン層４、ゲート絶縁膜３の不要な部分
をエッチングで除去してＴＦＴ９を形成する。ソース電
極７及びドレイン電極８にはＡｌ、Ｍｏ等を用いる。
ン電極８を形成し、オーミックコンタクト層６、ｉ型ア
モルファスシリコン層４、ゲート絶縁膜３の不要な部分
をエッチングで除去してＴＦＴ９を形成する。ソース電
極７及びドレイン電極８にはＡｌ、Ｍｏ等を用いる。
【００３０】工程（ｇ） ＴＦＴ９をＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１０で
覆い、その上に遮光層（ブラックマトリクス）１１を形
成する。
覆い、その上に遮光層（ブラックマトリクス）１１を形
成する。
【００３１】本発明においては、後述するインク付与工
程（ｊ）において、画素電極よりも画素電極以外で露出
した部材に対する親和性が低いインクを用いる。画素電
極としては、通常ＩＴＯ等透明導電材が用いられるた
め、本実施形態では、遮光層１１を該透明導電材よりも
インク、特に水性インクに対して親和性の低い素材で形
成すれば良い。このような遮光層１１の形成材料として
は、感光性樹脂と遮光剤とを含有する組成物が好ましく
用いられ、このような組成物の主成分として用いられる
感光性樹脂としては、紫外線や電子線等の照射により硬
化する、例えば、ポジ型レジストとしては、ポリメチル
メタクリレート、ポリスチレンスルホン、ポリヘキサフ
ルオロブチルメタクリレート、ポリメチルイソプロペニ
ルケトン及び臭化ポリ１−トリメチルシリルプロピン等
の放射線分解型ポリマーレジスト、コール酸ｏ−ニトロ
ベンジルエステル類等の溶解抑制剤系ポジ型レジスト等
が挙げられ、ネガ型レジストとしては、ポリビニルフェ
ノール−３，３’−ジアジドジフェニルスルホン及びポ
リメタクリル酸グリシジル等が挙げられる。本発明にお
いては、特に、光照射によって照射された部分が光硬化
するポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。ま
た、これらの樹脂中に分散等させる遮光剤としては、カ
ーボンブラックや鉄黒等の顔料等の黒色の着色剤を用い
ることが好ましい。さらに、これらの着色剤の含有量と
しては、上記の感光性樹脂中に１０〜３０重量％程度と
すると良い。これよりも少ないと遮光性が十分でなく、
多すぎると露光された光の一部が吸収されてしまい、遮
光層のパターン精度が劣ることとなる。また、形成され
る遮光層の撥水性をより顕著なものとするためには、上
記形成材料中に予め撥水剤を添加しておいても良い。
程（ｊ）において、画素電極よりも画素電極以外で露出
した部材に対する親和性が低いインクを用いる。画素電
極としては、通常ＩＴＯ等透明導電材が用いられるた
め、本実施形態では、遮光層１１を該透明導電材よりも
インク、特に水性インクに対して親和性の低い素材で形
成すれば良い。このような遮光層１１の形成材料として
は、感光性樹脂と遮光剤とを含有する組成物が好ましく
用いられ、このような組成物の主成分として用いられる
感光性樹脂としては、紫外線や電子線等の照射により硬
化する、例えば、ポジ型レジストとしては、ポリメチル
メタクリレート、ポリスチレンスルホン、ポリヘキサフ
ルオロブチルメタクリレート、ポリメチルイソプロペニ
ルケトン及び臭化ポリ１−トリメチルシリルプロピン等
の放射線分解型ポリマーレジスト、コール酸ｏ−ニトロ
ベンジルエステル類等の溶解抑制剤系ポジ型レジスト等
が挙げられ、ネガ型レジストとしては、ポリビニルフェ
ノール−３，３’−ジアジドジフェニルスルホン及びポ
リメタクリル酸グリシジル等が挙げられる。本発明にお
いては、特に、光照射によって照射された部分が光硬化
するポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。ま
た、これらの樹脂中に分散等させる遮光剤としては、カ
ーボンブラックや鉄黒等の顔料等の黒色の着色剤を用い
ることが好ましい。さらに、これらの着色剤の含有量と
しては、上記の感光性樹脂中に１０〜３０重量％程度と
すると良い。これよりも少ないと遮光性が十分でなく、
多すぎると露光された光の一部が吸収されてしまい、遮
光層のパターン精度が劣ることとなる。また、形成され
る遮光層の撥水性をより顕著なものとするためには、上
記形成材料中に予め撥水剤を添加しておいても良い。
【００３２】工程（ｈ） 開口領域２０のパッシベーション膜１０と遮光層１１を
現像して除去し、ドレイン電極８上にコンタクトホール
１２を形成する。
現像して除去し、ドレイン電極８上にコンタクトホール
１２を形成する。
【００３３】工程（ｉ） 開口領域２０上にＩＴＯ等透明導電材からなる画素電極
１４を、不要な部分をエッチング除去して形成し、コン
タクトホール１２を介してドレイン電極８を接続する。
この後、さらに０．１％ＮａＯＨ水溶液で処理し、画素
電極１４表面の汚染物を除去し、インクに対する親和性
を向上しておく。
１４を、不要な部分をエッチング除去して形成し、コン
タクトホール１２を介してドレイン電極８を接続する。
この後、さらに０．１％ＮａＯＨ水溶液で処理し、画素
電極１４表面の汚染物を除去し、インクに対する親和性
を向上しておく。
【００３４】工程（ｊ） 画素電極１４上に、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のインクを付与してカラーフィルタ１３を形成す
る。本発明においてインクを付与する手段としては、イ
ンクジェット方式が工程を短縮する上で望ましい。
（Ｂ）のインクを付与してカラーフィルタ１３を形成す
る。本発明においてインクを付与する手段としては、イ
ンクジェット方式が工程を短縮する上で望ましい。
【００３５】本発明で用いられるインクとしては、着色
材を含有する樹脂組成物が好ましく用いられる。上記着
色材としては一般の染料や顔料を用いることができ、例
えば染料としては、アントラキノン染料、アゾ染料、ト
リフェニルメタン染料、ポリメチン染料等などを用いる
ことができる。
材を含有する樹脂組成物が好ましく用いられる。上記着
色材としては一般の染料や顔料を用いることができ、例
えば染料としては、アントラキノン染料、アゾ染料、ト
リフェニルメタン染料、ポリメチン染料等などを用いる
ことができる。
【００３６】またインクに用いる樹脂としては、熱処理
や光照射等エネルギー付与によって硬化する樹脂を用い
る。具体的には、熱硬化型樹脂として、公知の樹脂と架
橋剤との組み合わせが使用できる。例えば、アクリル樹
脂、メラミン樹脂、水酸基或いはカルボキシル基含有ポ
リマーとメラミン、水酸基或いはカルボキシル基含有ポ
リマーと多官能エポキシ化合物、水酸基或いはカルボキ
シル基含有ポリマーと繊維素反応型化合物、エポキシ樹
脂とレゾール型樹脂、エポキシ樹脂とアミン類、エポキ
シ樹脂とカルボン酸又は酸無水物、エポキシ化合物など
が挙げられる。また、光硬化型樹脂としては、公知のも
の、例えば市販のネガ型レジストが好適に用いられる。
や光照射等エネルギー付与によって硬化する樹脂を用い
る。具体的には、熱硬化型樹脂として、公知の樹脂と架
橋剤との組み合わせが使用できる。例えば、アクリル樹
脂、メラミン樹脂、水酸基或いはカルボキシル基含有ポ
リマーとメラミン、水酸基或いはカルボキシル基含有ポ
リマーと多官能エポキシ化合物、水酸基或いはカルボキ
シル基含有ポリマーと繊維素反応型化合物、エポキシ樹
脂とレゾール型樹脂、エポキシ樹脂とアミン類、エポキ
シ樹脂とカルボン酸又は酸無水物、エポキシ化合物など
が挙げられる。また、光硬化型樹脂としては、公知のも
の、例えば市販のネガ型レジストが好適に用いられる。
【００３７】上記インクには、種々の溶媒を加えること
もできる。特に、インクジェット方式での吐出性の面か
ら、水及び水溶性有機溶剤の混合溶媒が好ましく用いら
れる。
もできる。特に、インクジェット方式での吐出性の面か
ら、水及び水溶性有機溶剤の混合溶媒が好ましく用いら
れる。
【００３８】さらに、上記成分の他に必要に応じて所望
の特性を持たせるために、界面活性剤、消泡剤、防腐剤
等を添加することができ、さらに、市販の水溶性染料な
ども添加することができる。
の特性を持たせるために、界面活性剤、消泡剤、防腐剤
等を添加することができ、さらに、市販の水溶性染料な
ども添加することができる。
【００３９】また、上記した光或いは熱硬化型樹脂のう
ち、水或いは水溶性有機溶剤に溶解しないものでも安定
に吐出可能なものであれば、水や水溶性有機溶剤以外の
溶媒を用いても構わない。また、特に光により重合する
タイプのモノマーを用いる場合には、染料をモノマーに
溶解した無溶剤タイプとすることもできる。
ち、水或いは水溶性有機溶剤に溶解しないものでも安定
に吐出可能なものであれば、水や水溶性有機溶剤以外の
溶媒を用いても構わない。また、特に光により重合する
タイプのモノマーを用いる場合には、染料をモノマーに
溶解した無溶剤タイプとすることもできる。
【００４０】本発明においては、該インクの、画素電極
に対する親和性と画素電極以外の領域に対する親和性の
差を用いることから、インクとしては染料を含有する水
性インクとすることが望ましい。水性インクに対して
は、画素電極以外の領域に撥水性を持たせておくことが
望ましいが、本実施形態においては遮光層１１が顔料分
散型の樹脂層であるため、良好に撥水性を示す。また、
カラーフィルタの耐性から鑑みて、インク中にはアクリ
ル系樹脂を溶解して用いることが好ましい。
に対する親和性と画素電極以外の領域に対する親和性の
差を用いることから、インクとしては染料を含有する水
性インクとすることが望ましい。水性インクに対して
は、画素電極以外の領域に撥水性を持たせておくことが
望ましいが、本実施形態においては遮光層１１が顔料分
散型の樹脂層であるため、良好に撥水性を示す。また、
カラーフィルタの耐性から鑑みて、インク中にはアクリ
ル系樹脂を溶解して用いることが好ましい。
【００４１】本発明において利用されるインクジェット
方式としては、吐出エネルギー発生素子として電気熱変
換体を用いたバブルジェットタイプ、或いは圧電素子を
用いたピエゾジェットタイプ等が使用可能であり、イン
クの付与面積及びパターンは任意に設定することができ
る。
方式としては、吐出エネルギー発生素子として電気熱変
換体を用いたバブルジェットタイプ、或いは圧電素子を
用いたピエゾジェットタイプ等が使用可能であり、イン
クの付与面積及びパターンは任意に設定することができ
る。
【００４２】画素電極１４上にインクが均一に濡れ広が
った後、乾燥し、さらに２３０℃程度で焼成し、インク
中の樹脂を硬化させカラーフィルタ１３とする。
った後、乾燥し、さらに２３０℃程度で焼成し、インク
中の樹脂を硬化させカラーフィルタ１３とする。
【００４３】工程（ｋ） ＴＦＴ９及びカラーフィルタ１３上の全面にポリイミド
等からなる配向膜１５を形成する。
等からなる配向膜１５を形成する。
【００４４】他方、ＩＴＯ等透明導電材からなる共通電
極１７、配向膜１８を形成したガラス基板１６と、上記
工程によりＴＦＴ１９及びカラーフィルタ１３等を形成
したガラス基板１とを対向配置し、両基板間に液晶１９
を充填する。
極１７、配向膜１８を形成したガラス基板１６と、上記
工程によりＴＦＴ１９及びカラーフィルタ１３等を形成
したガラス基板１とを対向配置し、両基板間に液晶１９
を充填する。
【００４５】図４に、インクジェット方式によるインク
の付与工程の斜視図を示す。４０は前記工程（ｉ）まで
作り込んだ基板であり、該基板４０を不図示のステージ
によりＲ、Ｇ、Ｂの各インクジェットヘッド４１〜４３
に対し走査しながら、所定の位置で所定の色のインクを
上記ヘッド４１〜４３より吐出し、画素電極上にインク
を付与していく。
の付与工程の斜視図を示す。４０は前記工程（ｉ）まで
作り込んだ基板であり、該基板４０を不図示のステージ
によりＲ、Ｇ、Ｂの各インクジェットヘッド４１〜４３
に対し走査しながら、所定の位置で所定の色のインクを
上記ヘッド４１〜４３より吐出し、画素電極上にインク
を付与していく。
【００４６】図５は、本発明の液晶素子の他の実施形態
の断面模式図である。本実施形態は、ＴＦＴを用いたア
クティブマトリクス型の液晶素子であり、遮光層として
Ｃｒによるブラックマトリクスを共通電極側基板に設け
たものである。図５において、図１と同じ部材には同じ
符号を付した。また、図５中、２２は保護層であり、該
保護層２２に設けられた開口部内に画素電極１４が露出
し、カラーフィルタ１３が形成されている。
の断面模式図である。本実施形態は、ＴＦＴを用いたア
クティブマトリクス型の液晶素子であり、遮光層として
Ｃｒによるブラックマトリクスを共通電極側基板に設け
たものである。図５において、図１と同じ部材には同じ
符号を付した。また、図５中、２２は保護層であり、該
保護層２２に設けられた開口部内に画素電極１４が露出
し、カラーフィルタ１３が形成されている。
【００４７】尚、上記の製造方法においては、アクティ
ブマトリクス型の液晶素子について説明したが、本発明
がこれに限定されるものではなく、また、本発明に係る
カラーフィルタ及び画素電極の形成工程を備えていれ
ば、その他の工程及び素材については従来の技術をその
まま用いることができる。また、いずれの実施形態にお
いても透過型としたが、例えば図１の画素電極１４に金
属等を用いることによって反射型とすることもできる。
ブマトリクス型の液晶素子について説明したが、本発明
がこれに限定されるものではなく、また、本発明に係る
カラーフィルタ及び画素電極の形成工程を備えていれ
ば、その他の工程及び素材については従来の技術をその
まま用いることができる。また、いずれの実施形態にお
いても透過型としたが、例えば図１の画素電極１４に金
属等を用いることによって反射型とすることもできる。
【００４８】
【実施例】次に、本発明の実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００４９】先ず、コーニング社製ホウケイ酸ガラス
「＃７０５９」のガラス基板上にＴＦＴを形成した。Ｔ
ＦＴアレイ基板は現在一般的に行なわれている逆スタガ
型ａ−ＳｉＴＦＴ基板プロセスを用いて製造した。
「＃７０５９」のガラス基板上にＴＦＴを形成した。Ｔ
ＦＴアレイ基板は現在一般的に行なわれている逆スタガ
型ａ−ＳｉＴＦＴ基板プロセスを用いて製造した。
【００５０】この基板に、カーボンブラックが２０重量
％分散されている感光性樹脂（新日鐵化学社製ＢＭ用ネ
ガ型レジストインキ「ＢＫ７３９Ｐ」）をスピンコータ
ーで膜厚１μｍになるよう塗布した。次に、このガラス
基板を、ホットプレートを用いて８０℃で１８０秒間加
熱し、感光性樹脂を仮硬化させた。次に、ＤＥＥＰ−Ｕ
Ｖ露光装置で、所定のパターンマスクを介して露光量４
００ｍＪ／ｃｍ2でプロキシ露光した後、炭酸ナトリウ
ムを主成分とする無機アルカリ水溶液からなる現像液を
用い、現像液を吹き付ける方式のスピン現像機で現像
し、ブラックマトリクスパターンを形成した。その後、
上記のガラス基板に、純水を用いたリンス処理を施して
現像液を完全に除去した。次に、クリーンオーブン中
で、２００℃で３０分間加熱し、本硬化処理を行なっ
た。
％分散されている感光性樹脂（新日鐵化学社製ＢＭ用ネ
ガ型レジストインキ「ＢＫ７３９Ｐ」）をスピンコータ
ーで膜厚１μｍになるよう塗布した。次に、このガラス
基板を、ホットプレートを用いて８０℃で１８０秒間加
熱し、感光性樹脂を仮硬化させた。次に、ＤＥＥＰ−Ｕ
Ｖ露光装置で、所定のパターンマスクを介して露光量４
００ｍＪ／ｃｍ2でプロキシ露光した後、炭酸ナトリウ
ムを主成分とする無機アルカリ水溶液からなる現像液を
用い、現像液を吹き付ける方式のスピン現像機で現像
し、ブラックマトリクスパターンを形成した。その後、
上記のガラス基板に、純水を用いたリンス処理を施して
現像液を完全に除去した。次に、クリーンオーブン中
で、２００℃で３０分間加熱し、本硬化処理を行なっ
た。
【００５１】次に、開口領域のパッシベーション膜を現
像して除去し、ドレイン電極上にコンタクトホールを形
成した後に、該基板上に画素電極として、ＩＴＯ層をス
パッタリング法により２００ｎｍの厚さで成膜した。こ
のＩＴＯ層はコンタクトホールを介してドレイン電極と
接続されている。この上に、ＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）に重クロム酸アンモンを添加した感光性樹脂溶液
を用い、スピンコート法にて塗布し、８０℃で１０分程
度のプリベーク処理を行なった後、厚さ１．５〜２μｍ
の感光性樹脂層を形成した。
像して除去し、ドレイン電極上にコンタクトホールを形
成した後に、該基板上に画素電極として、ＩＴＯ層をス
パッタリング法により２００ｎｍの厚さで成膜した。こ
のＩＴＯ層はコンタクトホールを介してドレイン電極と
接続されている。この上に、ＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）に重クロム酸アンモンを添加した感光性樹脂溶液
を用い、スピンコート法にて塗布し、８０℃で１０分程
度のプリベーク処理を行なった後、厚さ１．５〜２μｍ
の感光性樹脂層を形成した。
【００５２】次に、感光性樹脂層に画素電極パターンを
有するフォトマスクを用い、１００〜２００ｍＪ／ｃｍ
2の露光量にて露光を行なった。これにより画素電極パ
ターンが選択的に光硬化された感光性樹脂層が得られ
た。次に、該感光性樹脂層を有する基板に対し、２５℃
の純水にて６０秒間現像処理を行ない、未露光部分を除
去した。そして７０℃にて１０分程度の乾燥を行なった
後、４０℃程度の塩素系のエッチング液を用い、露出し
ているＩＴＯ層をエッチングし、純水にてリンス後、乾
燥処理を行なった。現像及びエッチング後に残存するＩ
ＴＯ層は、個々の画素電極に相当する約８０μｍ×２５
０μｍの長方形が１０μｍ×３００μｍピッチで１０２
４×７６８個配列したパターンとなった。
有するフォトマスクを用い、１００〜２００ｍＪ／ｃｍ
2の露光量にて露光を行なった。これにより画素電極パ
ターンが選択的に光硬化された感光性樹脂層が得られ
た。次に、該感光性樹脂層を有する基板に対し、２５℃
の純水にて６０秒間現像処理を行ない、未露光部分を除
去した。そして７０℃にて１０分程度の乾燥を行なった
後、４０℃程度の塩素系のエッチング液を用い、露出し
ているＩＴＯ層をエッチングし、純水にてリンス後、乾
燥処理を行なった。現像及びエッチング後に残存するＩ
ＴＯ層は、個々の画素電極に相当する約８０μｍ×２５
０μｍの長方形が１０μｍ×３００μｍピッチで１０２
４×７６８個配列したパターンとなった。
【００５３】この後、さらに０．１％ＮａＯＨ水溶液を
用いてアルカリ超音波洗浄し、ＩＴＯ表面の汚染物を除
去し、インクに対する親和性を向上させた。
用いてアルカリ超音波洗浄し、ＩＴＯ表面の汚染物を除
去し、インクに対する親和性を向上させた。
【００５４】次に、インクジェット装置を用い、赤、
緑、青のそれぞれの染料系インクをブラックマトリクス
パターンの開口部に付与して着色した。このインクは、
各色の染料を樹脂（アクリル−シリコーングラフトポリ
マーを主成分とする自己架橋熱硬化型樹脂）に分散さ
せ、溶剤で溶かしたものに表面張力調整剤（川崎ファイ
ンケミカル社製「アセチレノールＥＨ」）を添加したも
のであり、表面エネルギーは３２ｄｙｎｅ／ｃｍであ
る。インクジェットヘッドとしてはキヤノン社製の１４
０８ノズルの長尺ヘッドを、各色１個ずつ用いることで
生産性を上げた。
緑、青のそれぞれの染料系インクをブラックマトリクス
パターンの開口部に付与して着色した。このインクは、
各色の染料を樹脂（アクリル−シリコーングラフトポリ
マーを主成分とする自己架橋熱硬化型樹脂）に分散さ
せ、溶剤で溶かしたものに表面張力調整剤（川崎ファイ
ンケミカル社製「アセチレノールＥＨ」）を添加したも
のであり、表面エネルギーは３２ｄｙｎｅ／ｃｍであ
る。インクジェットヘッドとしてはキヤノン社製の１４
０８ノズルの長尺ヘッドを、各色１個ずつ用いることで
生産性を上げた。
【００５５】このようにして着色したインクは、ブラッ
クマトリクスの開口部表面を均一に覆い、また、にじ
み、はみ出し、隣接画素との混色及び白抜けなどの欠陥
となる不良は見つからなかった。その後、１８０℃で３
０分間加熱処理してインクを硬化させた後、保護膜を塗
布し透明導電膜を成膜しても、密着性に優れ、何ら不具
合は生じなかった。
クマトリクスの開口部表面を均一に覆い、また、にじ
み、はみ出し、隣接画素との混色及び白抜けなどの欠陥
となる不良は見つからなかった。その後、１８０℃で３
０分間加熱処理してインクを硬化させた後、保護膜を塗
布し透明導電膜を成膜しても、密着性に優れ、何ら不具
合は生じなかった。
【００５６】これ以降は一般的なＴＦＴ−ＬＣＤパネル
組立プロセスに従い、配向膜形成、貼り合わせ、液晶注
入、偏光板貼りつけ、モジュール化を行なうことで、好
適なＬＣＤモジュールを得ることができた。
組立プロセスに従い、配向膜形成、貼り合わせ、液晶注
入、偏光板貼りつけ、モジュール化を行なうことで、好
適なＬＣＤモジュールを得ることができた。
【００５７】
【発明の効果】本発明においては、画素電極と該画素電
極以外の領域とのインクに対する親和性の差を利用する
ことにより、画素電極該の領域へのインクの付着を抑制
して、画素電極上にのみカラーフィルターを形成するこ
とができる。また、該親和性の差は従来よりも大きくす
ることができるため、インクの付与位置に多少のずれが
有っても、自然に着色位置が修正されるため、混色、白
抜けなどの着色不良を低減することができ、液晶素子の
歩留の向上及びコストの削減を図ることができる。ま
た、従来のような露光したインク受容層やブラックマト
リクスを用いなくても、所定の領域にカラーフィルタを
形成できるため、ブラックマトリクスのバリエーション
にも対応することができる。さらに、本発明においては
インクの付与手段としてインクジェット方式を用いるこ
とによって、複数色のカラーフィルタを１工程で形成し
得るため、より歩留良く且つ安価に液晶素子を製造する
ことができる。
極以外の領域とのインクに対する親和性の差を利用する
ことにより、画素電極該の領域へのインクの付着を抑制
して、画素電極上にのみカラーフィルターを形成するこ
とができる。また、該親和性の差は従来よりも大きくす
ることができるため、インクの付与位置に多少のずれが
有っても、自然に着色位置が修正されるため、混色、白
抜けなどの着色不良を低減することができ、液晶素子の
歩留の向上及びコストの削減を図ることができる。ま
た、従来のような露光したインク受容層やブラックマト
リクスを用いなくても、所定の領域にカラーフィルタを
形成できるため、ブラックマトリクスのバリエーション
にも対応することができる。さらに、本発明においては
インクの付与手段としてインクジェット方式を用いるこ
とによって、複数色のカラーフィルタを１工程で形成し
得るため、より歩留良く且つ安価に液晶素子を製造する
ことができる。
【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の断面模式図で
ある。
ある。
【図２】図１の液晶素子の製造工程を示す断面模式図で
ある。
ある。
【図３】図１の液晶素子の製造工程を示す断面模式図で
ある。
ある。
【図４】本発明にかかるインクジェット方式によるイン
クの付与工程の斜視図である。
クの付与工程の斜視図である。
【図５】本発明の液晶素子の他の実施形態の断面模式図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ ｉ型アモルファスシリコン層 ５ エッチングストップ層 ６ オーミックコンタクト層 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ ＴＦＴ １０ パッシベーション膜 １１ 遮光層 １２ コンタクトホール １３ カラーフィルタ １４ 画素電極 １５ 配向膜 １６ ガラス基板 １７ 共通電極 １８ 配向膜 １９ 液晶 ２０ 開口領域 ２２ 保護膜 ４０ 基板 ４１〜４３ インクジェットヘッド
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の画素を有し、画素毎に画素電極と
該画素電極上に位置するカラーフィルタを有する液晶素
子の製造方法であって、上記カラーフィルタの形成工程
が、上記画素電極よりも該画素電極以外で露出している
部材に対する親和性の低いインクを用い、上記画素電極
上に該インクを付与して硬化することによってカラーフ
ィルタを形成することを特徴とする液晶素子の製造方
法。 - 【請求項２】 上記画素電極上にインクを付与する手段
がインクジェット方式である請求項２記載の液晶素子の
製造方法。 - 【請求項３】 上記インクが着色材を含有する樹脂組成
物である請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記カラーフィルタ形成工程において、
画素電極以外で露出している部材が保護層である請求項
１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記カラーフィルタ形成工程において、
画素電極以外で露出している部材が遮光膜である請求項
１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項６】 上記カラーフィルタ形成工程において、
画素電極以外で露出している部材が撥水性を有し、上記
インクが水性である請求項１記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項７】 複数の画素を有し、画素毎に画素電極と
該画素電極上に位置するカラーフィルタを有する液晶素
子であって、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶素子
の製造方法によって製造されたことを特徴とする液晶素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25739898A JP2000089213A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 液晶素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25739898A JP2000089213A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 液晶素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000089213A true JP2000089213A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17305840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25739898A Withdrawn JP2000089213A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 液晶素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000089213A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031544A1 (fr) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | Procede de formation d"un filtre couleur, procede de formation d"une couche d"elements electroluminescents, procede de fabrication d"un dispositif d"affichage couleur, comprenant ledit filtre et ladite couche, et dispositif d"affichage couleur |
| US7365805B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method thereof, and television receiver |
| US7371625B2 (en) | 2004-02-13 | 2008-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system |
| US7416977B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, liquid crystal television, and EL television |
| US7510905B2 (en) | 2004-01-29 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device |
| US7732334B2 (en) | 2004-08-23 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2011017878A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US8053171B2 (en) | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP25739898A patent/JP2000089213A/ja not_active Withdrawn
Cited By (22)
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| WO2002031544A1 (fr) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | Procede de formation d"un filtre couleur, procede de formation d"une couche d"elements electroluminescents, procede de fabrication d"un dispositif d"affichage couleur, comprenant ledit filtre et ladite couche, et dispositif d"affichage couleur |
| JPWO2002031544A1 (ja) * | 2000-10-12 | 2004-02-19 | 三洋電機株式会社 | カラーフィルタ形成方法または発光素子層形成方法またはこれらを利用したカラー表示装置の製造方法またはカラー表示装置 |
| CN1302297C (zh) * | 2000-10-12 | 2007-02-28 | 三洋电机株式会社 | 滤色片形成方法、发光元件层形成方法、采用上述方法的彩色显示装置的制造方法或彩色显示装置 |
| KR100750061B1 (ko) | 2000-10-12 | 2007-08-16 | 산요덴키가부시키가이샤 | 컬러 필터 형성 방법 또는 발광 소자층 형성 방법 또는이들을 이용한 컬러 표시 장치의 제조 방법 또는 컬러표시 장치 |
| US8920588B2 (en) | 2000-10-12 | 2014-12-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming color filter, method for forming light emitting element layer, method for manufacturing color display device comprising them, or color display device |
| US8192579B2 (en) | 2000-10-12 | 2012-06-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming color filter, method for forming light emitting element layer, method for manufacturing color display device comprising them, or color display device |
| US7887663B2 (en) | 2000-10-12 | 2011-02-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming color filter, method for forming light emitting element layer, method for manufacturing color display device comprising them, or color display device |
| US8624252B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and el television |
| US8293457B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
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| US7993993B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method thereof, and television receiver |
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| US7776667B2 (en) | 2004-02-13 | 2010-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |