TW200849508A - Silicone resin composition for encapsulating luminescent element and process for producing optical-semiconductor electronic part with the same through potting - Google Patents

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Description

200849508 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 技術領域 本發明係有關於一種矽樹脂組成物，其係特別適用於 5藉由印刷、真空印刷、分注(dispense)等灌注封裝方式形成 填封透鏡，且灌注封裝係表示p0tting(封裝）。 I：先前技術3 背景技術 無機玻璃因具有高透明性、耐熱性及尺寸穩定性，故 1〇可作為即使分隔有空間仍可透過可見光且不妨礙能見度之 構造體，自以往即被利用於廣大之產業領域中。但雖是具 有如此優異特徵之無機玻璃，仍有比重高達2·5以上、不耐 衝擊而容易破碎、且透鏡加工需花費預期以上之成本等3大 缺點。特別是，近年來，於所有產業領域均進行輕量、薄 I5肉化等小型化之結果，來自於使用者之要求改進前述缺點 之聲浪越來越高。 作為回應如此來自產業界要求之材料，透明之熱可塑 性、及熱硬化性塑膠受到很大的期待。此處，透明之熱可 塑性塑膠可舉例如ΡΜΜΑ(聚甲基丙烯酸甲醋）、pc(聚碳酸 20酯）等。其中，PMMA亦稱有機玻璃，並作為透明性優異且 可克服玻璃2大缺點之材料而受到注目。然而，該等透明玻 璃具有耐熱性顯著地較無機玻璃低，且用途受限等問題。 另一方面，透明之熱硬化性塑膠可舉例如：環氧樹脂、 硬化型（甲基）丙烯酸酯樹脂、矽樹脂等，且該等樹脂一般具 5 200849508 有較料熱可塑性塑踢高之耐熱性。其中， 脂，目前為止仍普遍作為用於LED之填封劑、接著劑使= Ϊ二Γ年來，於党到注目之白色LED中，具有目前為止 尚未成為問題之因熱或紫外線而造成環氧樹脂之黃 5衣等問題。又，有成形物之耐衝擊性低而易脆之缺點一。此 外，硬化型（甲基)丙烯酸醋樹脂之耐熱性與成形性、成形物 之物理性質等之均衡雖優異，但仍有吸水率及因吸水率所 產生之尺寸變化率大之缺點。 於熱硬化性塑膠中，石夕樹脂亦因耐熱性、耐候性、及 10耐水性優異，故可解決前述各塑膠之問題點，成為在現今 取代無機玻璃之期待最高的材料。已有人提出例如將: 樹脂使用於LED元件之模製構件等（專利文獻卜2)、使用於 濾色片材料（專利文獻3)等。然而，於使用該等—般之矽樹 脂時，會有因熱衝擊而產生龜裂等之問題、或加工成透鏡 15 形狀之步驟複雜等問題。 【專利文獻1】特開平10-228249號公報 【專利文獻2】特開平10-242513號公報 【專利文獻3】特開2000-123981號公報 L發明内容3 2〇 發明揭示 發明所欲解決之課題 因此，本發明之目的係提供一種用於填封發光元件之 石夕樹脂組成物，其係可輕易地以灌注封裝方式填封及成形 為透鏡形狀(例如，半球狀、拋物線形狀等），且以灌注封裝 200849508 方式成形之軸透鏡可具有高透明性。 解決課題之手段 本毛明人有鐘於前述習知技術之問題點並經專心地反 覆才欢f、、。果’發現於使用以下組成物時可輕易地藉由灌 5注封裝方式形成透鏡，且所形成之透鏡具有高透明性，而 完成本發明。 也就是說，本發明之組成物具有下述之構造，並藉由 灌注封裝方式形成用於填封發光元件之組成物及光半糾 電子零件之製造方法。 ι〇 第1項’―種用於填封發光元件之㈣脂組成物，包含 有：（A)液狀或㈣狀之有機聚魏燒，係以下述平均組成 式（1)所示之於1分子中具有至少2個烯基者，
RnSiO(4_n)/2 (1) [但是，式中R係相同或異種之取代或無取代之一價烴 15基、烷氧基或羥基，且取代或無取代之一價烴基之尺之 0.1〜80莫耳％係稀基，而11係滿足之正數。]· (B)有機氯聚矽氧烷及/或有機氫矽烷，有機氫聚矽氣烷 係以下述平均組成式(2)所示之於1分子中具有至少2個 鍵者，而有機氫矽烷係以下述通式所示者， 20 R aHbSi〇(4_a_b)/2 (2) [但是，式中R，係除了脂肪族不飽和烴基之外相同或異 種之取代或無取代之一價炫基，且a、b係滿足〇 工， 〇.〇01 = b^ 11〇 ,並且0.8 S a+b$ 2.6之正數。]， R，cSiH(4_c) (3) 7 200849508 [式中R’係與前述相同，且以系丨或？。 (C)加成反應觸媒， ’ Λ 又，該組成物更相對於(Α)及(Β)之總量八 之(D)平均粒徑1〜3〇nm之二氧化石夕，:里各有2〜25重量％ 5 10 15 20 °C)係大於lOPa.S〜小於70Pa.s，總^且4叙成物之黏度(23 ,、楚性係2 〇 封係灌注封裝方式。 ·〜5·5，並且填 第2項，如第1項之組成物，其中二& 係1〜15nm。 ^化石夕之平均粒徑 第3項，-種光半導體電子零件的 有發光元件之基板上，藉由_fΜ料，其中於具 封樹脂之灌注㈣，將該填封樹 、成物作為填 以下，詳細說明本發明。'八、、透鏡狀。 本發明之組成㈣、於用叫私 使用，其黏度⑵。c)係大於10Pa.s〜==光元件時 2〇〜50Pa.S為佳，且觸變性為2〇 、於U，以 於本發明中，⑷成分係本㈣^·5〜4.〇為佳。 物)，且係以下述平均組成式_示之於4^ 個烯基之液狀、固體狀之分歧狀或1 八有至少2 石夕氧燒樹脂，且前述三維 ^相狀構造之有機聚 氧烷單位(RSi03/2，R係盥 含有三官能性矽 狀或松香狀構造。 迷相同）及邮〜單位之樹脂
RnSi〇(4.n)/2 ⑴ 基、燒二::係取代或無取代之-價烴 王口之0.1〜80莫耳％係烯基，而n 8 200849508 係滿足1^η<2之正數。] 二!Γ(1)中，η係滿〜2之正數，且以滿足1 於兑正數為佳’更佳者是滿足之正數。 5 10 代之::Γ(1)中，R所示之鍵結於㈣子之取代或無取 H通常可舉例如碳數為1〜财，且以卜8左右 =具體而言可舉例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、 ^ Μ、㈣丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、 一二壬基、癸基等烧基；笨基、甲苯基、祕(xyiyi)、 減杨基，·苯？基、苯乙基、苯丙鱗枝基；乙婦基、 、希丙土（allyl) 6稀基、異丙稀基、丁稀基、己烯基、環己 稀基、辛烯基等、或者衍生自乙稀基降練vinWWe) 之以下述式 化1
15 [式中’虛線係顯示鍵結位置。] 所表示之基⑽基；或將料基之―部份或全部之氣原子 以氟、漠、氯«素原子、氰基等取代者，可舉例如了氯 甲基、氣丙基、溴乙基、三氣丙基等南素取代烷基、或2 乙基等。烷氧基可舉例如：甲氧基、乙氧基、丙氧美、2 丙氧基、了氧基、異丁氧*、tert·丁氧基等通常碳數丄，、 且以1〜4左右為佳之低級烷氧基。 此時，R中必須至少有2個係烯基（以碳數2〜8者為俨， 20 200849508 更U疋2 6)。另外，於全有機基(也就是說，宜除了經基 及烧氧基之外’為所述取代或無取代之—價祕)r中，烯 基之各有里係0·1〜80莫耳％，以〇 5〜5〇莫耳％為佳且以 卜30莫耳％左右特佳。烧氧基、歸之合計含有量，通常 相對於(Α)成刀之有機聚石夕氧燒樹脂，以〇〜$質量％為佳，且 以0.1〜3質量％左右特佳。 於別，有機聚石夕氧貌中，將苯基導入本有機聚石夕氧垸 中可付同折射率，且以使用以下述平均組成式㈣所示 之苯基含量高之有機聚魏燒特佳。 10 R”P(QH5)qSl〇(4p q)/2 (M) [式中’R”除了笨基之外係與R相同，p、q係滿足h p+q<2以lgp+qg 8為佳更佳者是吻+q^u，且0 20 —P+_〇.9f邮q/(p+q)錢⑽為佳，更佳者是〇.3〇 $q/(p+q) $〇·7〇之正數。] 15。i )成刀車乂仏者為具有至少一種占全有機基20〜80莫耳 之苯土或占王有機基1〇〜8〇莫耳％之碳數2〜6之烯基，與 具有至少一種占全有機基2〜45莫耳％之碳數1〜8之院基的 有機聚矽氧烷。 於(A)成分之有機聚石夕氧貌中石夕氧烧單位之具體種類 2〇可例示如：一乙烯基石夕氧院、-甲基石夕氧烧、-乙基石夕氧 烷本基石夕氧燒、二乙婦基石夕氧燒、苯基乙稀基 甲基苯基矽氧烷、_ p —本基矽乳烷、二甲基矽氧烷、三乙烯 —乙稀基甲基石夕氧院、二乙烯基苯基石夕氧院、 乙細基二甲基石夕氧烧、乙烯基苯基甲基石夕氧烧、三甲基石夕 10 200849508 氧烧、二甲基苯基魏烧、曱基二苯基錢烧、三苯基石夕 氧烧等、及以i素等取代該料氧烧之有機基之氫原子的 矽氧烷等。 使用前述有機聚石夕氧燒之液狀或固體狀者作為基礎聚 5合物，25 °C下之黏度以0.01Pa . s以上者為佳以 0.03〜lOOOOPa.s者較佳，且以〇 〇5〜1〇〇〇pa s者更佳。 另外，於(A)成分巾，，整組成物之減或硬化物之 硬度等為目的，可視詩含有作為任意成分之烯基(例如， 乙烯基），且該烯基係鍵結於分子鏈末端之石夕原子、分子鍵 H)中之石夕原子或分子鏈末端及分子鏈中之石夕原子者，並且㈧ 成分之主鏈係由重複之二有機石夕氧烧單位所構成，而分子 鏈之兩末端亦可摻合含有或未含有以三有機石夕烧氧基封端 之苯基之直鏈狀二有機聚矽氧燒。 “接著’（B)成分之有機氫聚石夕氧院及/或有機氯石夕烧，係 15糟由與(A)成分之含有稀基之有機聚石夕氧院經化反應，而具 有作為使組成物硬化之交聯劑作用者，且⑻成分係以下述 平均組成式(2) K aHbSlO(4-a-b)/2 20 [式中R係除了脂肪族不飽和烴基之外相同或里種之 取代或無取代之-價烴基，且a、b係滿彻以Μ，酬 1.0，並且〇.8^a+b^2 6，以〇 W 卜 l$a+b$2.4為佳之正數。] 、所不之於1分子中具有至少2個(通常，2〜鳩個)，並以3 乂上為佳(例如’ 3〜15〇個）之_鍵之有機氫聚♦氧烧及/ 11 200849508 或以下迷通式(3) R，cSiH(4-c) (3) [式中係與前述相同，且c係1或2。] 所示之有機氫石夕烧。 5 R’可舉例如與式（1)中R之無取代或取代之1價烴基相 同之基’但以未具有脂肪族不飽和鍵者為佳。 别述有機氫石夕烧及有機氫聚石夕氧烧可舉例如：苯基甲 基氫聚石夕氧烷、（CH3)siH3、（CH3)2SiH2、（C6H5)SiH3、i，丨，3，3_ 四甲基二矽氧烷、13,5,7-四甲基環四矽氧烷、兩末端三曱 10基矽烷氧基封端甲基氫聚矽氧烷、兩末端三甲基矽烷氧基 封端二曱基矽氧烷·甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端二曱基氫 矽烷氧基封端二甲基聚矽氧烷、兩末端二甲基氫聚矽烷氧 基封端二甲基矽氧烷·曱基氫矽氧烷共聚物、兩末端三甲基 矽烷氧基封端甲基氫矽氧烷·二苯基矽氧烷共聚物、兩末端 15三甲基矽烷氧基封端甲基氫矽氧烷·二苯基矽氧烷·二甲基 矽氧烷共聚物、由（CH^HSiOw單位與Si〇4/2單位所構成之 共聚物、由（CH^HSiOw單位與si〇4/2單位與（C6H5)Si〇3 2 單位所構成之共聚物等。以苯基甲基氫聚矽氧烷為佳。 (B)成分之有機氳聚矽氧烷之分子構造，可為任一之直 20鏈狀、環狀、分歧狀、三維網狀構造，且亦可使用於1分子 中之矽原子數（或聚合度）為3〜1〇〇〇，特別為3〜3〇〇左右者。 又，⑻成分於25°C下之黏度以l〇〇〇mPa.s以下為佳， 以0·1〜500mPa.s較佳’且以〇.5〜3〇〇mPa.s更佳。 另外，當(A)成分之有機聚矽氧烷具有苯基時，⑴)成 12 200849508
有機虱聚矽氧烷中亦可具有苯基，因 可確保透明性、及防止 U 保存中之分離而為佳。此時，於前 子：r，^R巾鍵結於石夕原子之全基(鍵結於石夕原子之氫原 子糾）中宜有5莫耳％以上，較佳者為8〜50莫耳％，更佳者 疋10〜30莫耳％之苯基。 /m(B)成分之有機n夕纽及/或有機鮮貌之摻 口里相對於(A)成分之有機聚石夕氧烧綱質量份為卜⑽質 量份:且以2〜5〇質量份為佳。當⑻成分之摻合量於該等範 圍内％，作業性優異，且交聯充足而硬化物之強度優異。 1〇 又’ °亥有機虱聚石夕氧燒及/或有機氫石夕院，相對於(A) 成分之有機聚石夕氧炫、或鍵結於該有機聚石夕氧烧與前述作 為任意成分之含有烯基之直鏈狀二有機聚石夕氧烧之合計中 之石夕原子之烯基，（B)成分中鍵結神原子之氫原子（即， SpH基)之莫耳比亦可摻合〇5〜5莫耳/莫耳以⑽〜4莫耳/ 15莫耳為佳，較佳者為1〜3莫耳/莫耳的量。 (c)成分之加狀朗媒制續進(A)成分巾之稀基 與⑼成分巾之Si_H基讀化加纽應之觸媒，且該加成反 應觸媒，可舉例如：始黑、氣化始、氣銷酸、氣銘酸與一 價醇之反應物、氯紐與稀烴類之錯合物、銘雙乙酿乙酸 2〇等銘系觸媒、把系觸媒、錢系觸媒等翻族金屬觸媒。於該 等中亦以易於工業上得到’且添加少量即可達到目的之鉑 系化合物為佳。 另外，該加成反應觸媒之摻合量雖為觸媒量，但，通 常，作為鉑族金屬相對於(A)及(B)成分之合計重量宜添加 13 200849508 0·1〜1〇〇〇PPm，特別是1〜5〇〇PPm，尤其是2〜100ppm左右。 (D)成分係二氧化矽。因於(A)〜成分中摻合平均粒徑 1〜30nm之U細之一氧化矽，故組成物之黏度會成為適合藉 由灌注封裝方式成形透鏡形狀者，JL硬化物之折射率與二 氧化矽之折射率會相近而可實現高透明性 ，平均粒徑以 1〜15nm為佳。 -氧化石夕可為沉降二氧化石夕(predpitated sii㈣、二氧 化石夕乾凝膠(silica xerogel)、燻製二氧化石夕(fumed仙⑼、 炼融二氧化石夕、結晶二氧化石夕，亦可為將該等二氧化石夕經 1〇矽烧化合物疏水化處理者，且以經石夕院化合物疏水化處理 者為佳，較佳者係經石夕燒化合物疏水化處理之燦製二氧化 石夕。使用於疏水化處理之石夕烧化合物可舉例如：一甲基三 iu夕m氯魏、六m纽、辛基魏等， 〆等一氧化⑦係如市售者’可舉例如，日本吼社 15 之「AER0SIL」。 曰-⑽歡摻合量相對於(A)及⑻之總量宜為以重 置％’較佳之摻合量為7〜15重量％。當二氧切之摻合量於 5亥等範圍内時，石夕樹脂與二氧化石夕之分散性良好而可抑制 =樹脂之_性，且於基板上塗布並分離純與基板時， :形成近似半球狀之透鏡，並可於該狀態下維持形狀。另 1，因二氧切為白色粉末，故依據摻合之㈣脂之種類 :之填封透鏡會有稍微變成乳白色的情形，稍微變成 :白色的情形，於實施例中稱為「略乳白色」。於極需 ’時’摻合之石夕樹脂宜為於該樹脂硬化時具有與二氧化矽 20 200849508 之折射率相同或近似之折射率之樹脂。 5 10 15 20 於本發明之組成物中，當(D)二氧化矽之折射率與樹脂 成分硬化時之折射率相同或近似時，因藉由灌注封裝所形 成之填封透鏡之透明性會更高而為佳。樹脂成份之折射率 可以例如’阿貝折射率計測定，但並未限定於此。又，樹 脂之折射㈣可藉由(A)及⑻之R及R，之轉來調整，但並 未限定於此，例如，於使用甲基、烯基、苯基作為r&r, 時三當折射率低時增加甲基之比例，而當折射率高時則增 ㈣基之_ 整(A)及⑻’朗定使(a)及⑻ 硬化者之折射率，當盡讀(邮氧化歡折射率相近 之(A)及⑻時，摻合有該等之組成物之硬 ⑼二氧切之折射率相同或近似，而所形成之填封 透明性會變高。此處，⑷及⑻之折射率及本發明組成物硬 化體之折射率，以阿貝折射率計(25。〇測定，宜為⑼二氧 化矽折射率之±〇〜(U，且以±〇〜〇 〇5為較佳。 本發明之組成物中，可添加作為任意成分者於前述 (AH·分，例如’ μ料硬化性、使用期限之加成反 應控制劑、及用以調節硬度.黏度者例如，除了具有二甲其 聚石夕氧料之含有或未含㈣《基之絲之直魏^ 機聚石夕氧烧之外，亦可於未損害本發明效果之範圍内添加 直鏈狀之非反應性有機聚石夕氧烧、石夕原子數為2〜難左右 之直鏈狀或環狀之低分子有機聚石夕氧貌等，更可於未影響 透月(·生之耗圍内’視需要摻合波長調整劑、染料、顏料、 難燃劑、賴劑、耐氧化劣化解。 〜 15 200849508 另外，本發明組成物之硬化條件並未特別限制，但以 120〜180 C，30〜180分鐘之條件為佳。 本發明之組成物係作為用於填封發光元件之透鏡原料 者，而此處之發光元件主要係使用hGaN、SiC、Αΐ(^ΐηρ、 5 GaP、GaAlAs、InGaAs、GaAs等化合物半導體材料者，亦 作為發光二極體(LED)使用。又，藉由發光元件所發出之波 長係可見光、近可見光、近紅外光之光，並於3〇〇nm〜l2〇〇nm 之領域對稱。藉由本發明之組成物所形成之光半導體電子 零件主要使用於發光二極體(led)，亦可應用於構成透鏡形 ίο狀之其他電子零件，例如：光電二極體(PD)、光耦合器、 垂直空腔表面發光雷射(VCSEL)、雷射二極體(LD)等。 接著，本發明光半導體電子零件之製造方法之特徵係 於具有發光元件之基板上，藉由使用前述本發明組成物作 為填封樹脂之灌注封裝，將該封裝樹脂成形為透鏡狀。灌 15注封裝可採用分注法、印刷法等。 說明使用真空印刷機之網版印刷作為本發明製造方法 之一例。 首先，於基板1上之預定位置裝載發光元件（未圖示）， 並將該基板1設置於設在下室2之可升降之工作臺3上。於上 20室4中具有設有開口部5之孔板6及2根刮漿板7、8，且孔板6 上裳載有填封用樹脂9(第la圖）。孔板之厚度以 0.1mm〜5.〇mm為佳，且孔板之開口部直徑以〇·5〜15mm為 佳0 其次，使工作臺3上升，且於對應於裝載有前述發光元 16 200849508 件之位置將孔板6與前述基板1接觸，使前述發光元件配設 於前述開口部5内（第lb圖）。另外，於本說明中係使基板1 上升，但亦可使孔板6下降，或亦可使孔板6與基板丨雙方均 移動而接觸。 5 接著，視需要邊保持真空條件，邊將右刮漿板7下降使 填封用樹脂9移動，以於孔板6之開口部5填充填封用樹脂 9(第lc圖）。另外，亦可於使孔板6與基板丨接觸後，再將本 發明之組成物9裝載於孔板6上。 然後，將左刮漿板8下降以去除孔板6上之填封用樹脂 10 9(第 2a圖）。 接著，以微速使工作臺3下降，當基板丨緩緩地離開孔 板6(第2b圖，第2〇圖）時，如圖所示於基板㈣之填封用樹脂 9會緩緩地變形成為透鏡形狀（第仏圖）。另外，於本說明中3 係使基板1移動而將基板i與孔板6分離，但亦可使孔板6移 動而分離’且亦可使孔板6與基板i雙方均移動而分離。又， 當基板1與孔板6之分離速度為〇.〇〗〜！ 〇mm/秒時，填封用樹 脂9會成為更完整之半球狀。 之後，使下室2移動，對形成有呈透鏡狀之填封用樹脂 9之基板1進行樹脂硬化步驟（第儿圖，第孔圖）。將該基板1 20加熱，並藉由使透鏡狀之組成物硬化，而得到以透鏡土狀透 明樹脂K)填封發光元件之基板卜且加熱硬化條件係例如， 120〜180°C，30〜180分鐘。 又’以分注法形成填封透鏡時，係與前述網版印刷時 同樣地使具有發光元件之基板與孔板接觸，再以分注器於 17 200849508 孔板之開口部填充預定量之填封用樹脂，並於與前述網版 印刷時同樣地將孔板與基板分離而形成透鏡狀之填封用樹 月曰後，藉由將該基板進行樹脂硬化步驟，而得到以透鏡狀 透明樹脂填封發光元件之基板。 5 發明效果 依據本發明，可以灌注封裝方式輕易地製造具高透明 性之用於填封發光元件之透鏡。 【資施方式j 實施發明之最佳形態 以下’依據實施例等說明本發明，但本發明並未限定 於該等。 實施例 如下述進行以下之實施例、比較例及試驗例的測定。 <黏度·觸變性測定> 5 將試樣放入玻璃瓶，並將該玻璃瓶放置於23°C之水槽 中約1小時。之後，以B型旋轉黏度劑確認2rpm與20rpm時 之黏度。 觸變性係算出2rpm時之黏度與20rpm時之黏度之比，並 數值化者。 20 <折射率;> 使用於25°C之阿貝折射率計測定液狀狀態之樹脂組成 物之折射率。 <透光率測定> 製作厚度1mm之試樣片，並以分光光度計測定波長 18 200849508 650nm、575nm、450nm之透光率。又，經下述熱變性試驗 之試樣片亦同樣地進行透光率測定。 <熱變色試驗> 將於透光率測定中使用之試樣片放入150°C之烘箱乾 5 燥器，再以目視檢測3000小時後試樣片之變色度。 實施例1 於矽樹脂「KE-106」（信越化學工業社製；含有（A)有 機聚矽氧烷、（B)有機氫聚矽氧烷、及(C)加成反應觸媒）中， 摻合相對於石夕樹脂1〇重量％之平均粒徑約12nm之微細二氧 10化矽「RY-200」（曰本AEROSIL製；以聚二甲基矽氧油 (dimethyl silicone oil)包覆之二氧化矽）。並將所得之組成物 進行黏度、觸變性、折射率、透光率測定及熱變色試驗。 將結果顯示於第1表。 15 裝入甲苯、苯基三氯矽烷、乙烯基甲基二氯矽烧、二 甲基二氯矽烷，並於共水解後，聚合，調製由（C6H5)si〇w 單位、（CH尸CHXCHJSiO2/2單位及(CH^siOw單位所構成 之平均組成由示之有 為艰石夕氧燒共聚物(石夕樹脂）之5〇重量％之甲苯溶液，並作成 20 2脂熔解物。相對於前述之樹脂熔解物100重量份添加10重 1份並氫氣體產生量為150ml/g且黏度10mPa.s之苯基曱基 氫矽氧烷，並且該氫氣體產生量相對於鍵結於矽原子之甲 ^笨基、氫原子(SiH基>之合計具有ls莫耳％之苯基於 此合§亥苯基甲基氫石夕氧院後，於減壓下進行汽提至1贼下 200849508 無&析物為止。接著，將之冷卻至室溫後，添加G.2重量 土衣醇作為反應控制劑，並於該混合物中添加2〇 之_媒作為鈾原子。如此可得折射率與微細二氧化石夕(: 射=.46)相近者，且可更加摻合相對於石夕樹脂為⑺重量〇/ 之貝她例1中使用之微細二氧化秒。將所得之組成物進行翻 度、觸變性、折射率、透光率測定及熱變色試驗。將蛀果 顯示於第1表。 达較例1 10 除了未摻合微細二氧化矽之外，與實施例1同樣地調製 組成物’ JE將所得之組成物進行黏度、角葡變性、折射率、 透光率測定及熱變色試驗。將結果顯示於第1表。 比較例2 除了將微細二氧化矽之摻合量增至30重量°/〇之外，與 實施例1同樣地調製組成物。將所得之組成物進行黏度、觸 15變性、折射率、透光率及熱變色試驗。將結果顯示於第i表。 <透鏡的製造> 使用實施例1、實施例2、比較及比較例2中所得之 組成物’並利用真空印刷機於具有LED之玻璃環氧基板上 進行灌注封|。印刷條件係將真空抽i起始真空度為 2〇 (UTorr，再以刮装板塗布及填充樹脂後，將真空提高至 20ΤΟΠ：，再以返回之刮裝板刮除樹脂。之後，於真空狀態下， 將基板慢慢地由遮罩剝除，並開放於大氣下，便將組成物 轉印於基板上。然後，將該基板放、15〇t之烘箱乾燥器i 小時，使轉印之树脂硬化，並確認硬化之組成物之形狀及 20 200849508 外觀顏色，顯不於第4〜6圖。又，亦測定透鏡之直徑及高度， 顯不於第1表。另外，遮罩係使用開口部之直徑為6 3.0mm 且遮罩厚度為l.〇mm者。此外，將基板變更為印刷有自玻 璃環氧基板之線路之基板，使用實施例2之組成物，並與前 5述同樣地形成透鏡。於第7圖顯示形成於玻璃環氧基板上之 透鏡，與形成於印刷有線路之基板之透鏡外觀照片。第7圖 中，上側係上方照片，下側係侧面照片，且各照片中，左 側之透鏡係形成於玻璃環氧基板上之透鏡，右側之透鏡係 形成於印刷有線路之基板上之透鏡。 1〇 【第1表】 試樣 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 黏度(Pa-s) 35 40 1.5 67 觸變性 3.5 3.6 1.0 5.3 透鏡直徑(mm) 1.15 1.16 0.2 1.82 透鏡南度(mm) 3.65 3.62 5.26 3.45 外觀顏色 略乳白色 無色透明 無色透明 略乳白色 摻合物折射率 1.42 1.46 1.42 1.42 外觀狀態 大致半球 (第4圖） 大致半球 (第4圖） 形狀流失 (第5圖） 凸起形狀 (第6圖） 透光率(650nm) 90% 92% 97% Γ ~9〇%^^ 透光率(575nm) 卜78% 86% 95% 72% — 透光率(450nm) 63% —80% 95% 53% ^ 熱變色 (150〇C/3000hr) 無變色 無變色 無變色 無變色 透光率(650nm) 85% 90% 95% 87% ^ 透光率(575nm) 74% 86% 93% 68% 透光率(450nm) 60% 78% 90% 50% 21 200849508 於實施例1中可形成大致半球狀態之透鏡。此外，如實 施例2所示，當折射率調整至接近微細二氧化矽時，會提升 於更低波長領域之透光率，而可於理想之狀態下完成（第7 圖）。當如比較例所示之未使用微細二氧化矽、或摻合過量 5時，會無法形成透鏡形狀，且更導致透光率低下之結果。 產業上利用之可能性 本發明可利用於發光元件之填封技術領域。 【圖式簡單說明】 第la〜c圖係顯示作為本發明製造方法之一例之真空印 10 刷工法之一步驟。 第2a〜c圖係顯示作為本發明製造方法之一例之真空印 刷工法之一步驟。 第3a〜c圖係顯示作為本發明製造方法之一例之真空印 刷工法之一步驟。 15 第4圖係顯示使用實施例1及2之組成物所形成之透鏡 的形狀。 第5圖係顯示使用比較例1之組成物所形成之透鏡的形 狀。 第6圖係顯示使用比較例2之組成物所形成之透鏡的形 20狀。 第7圖係顯示使用實施例2之組成物所形成之透鏡的外 觀照片。上側係上方照片，下側係側面照片，且各照片中， 左側之透鏡係形成於玻璃環氧基板上之透鏡，右側之透鏡 係形成於印刷有線路之基板上之透鏡。 22 200849508 【主要元件符號說明】 1".勒反 2.. .下室 3·"工作臺 4.. .上室 5.. .開口部 6…孔板 7…右刮漿板 8...左刮聚板 9···填封用樹脂 10…透鏡狀透明樹脂 23

Claims (1)

  1. 200849508 十、申請專利範圍： 1· 種用於填封發光元件之石夕樹脂組成物，包含有· (A) 液狀或固體狀之有機聚矽氧烷，係以下述平均 組成式（1)所示之於1分子中具有至少2個烯基者， 5 RnSiO(4-n)/2 (1) [但是，式中R係相同或異種之取代或無取代之一價 烴基、烷氧基或羥基，且取代或無取代之一價烴基之r 之0.1〜80莫耳％係烯基，而n係滿足1gn<2之正數]· (B) 有機氫聚矽氧烷及/或有機氫矽烷，有機氫聚矽 氣烧係以下述平均組成式(2)所示之於1分子中具有至,卜 2個Si-H鍵者，而有機氫矽烷係以下述通式（3)所示者， R，aHbSiO(4_a_b)/2 (2) [但是，式中R，係除了脂肪族不飽和烴基之外相同 或異種之取代或無取代之一價烴基，且a、b係滿足〇·7 15 Sd1 ’ 0.001^b$ ’ 並且〇.8^a+b^2.6之正數]， R’cSiH(4_c) (3) [式中R’係與前述相同，且〇係丨或2];及 (C) 加成反應觸媒， 又，該組成物更相對於(A)及(B)之總量含有2〜25重 2〇 量％之(〇)平均粒徑1〜30贈之二氧化石夕，且該組成物之 黏度（23 C )係大於i〇Pa · s〜小於7〇Pa · s，觸變性係 2·〇〜5.5，並且填封係灌注封裝方式。 2.如申請專利範圍第1項之組成物，其中二氧化發之平均 粒徑係1〜15nm。 24 200849508 3. —種光半導體電子零件的製造方法，其係於具有發光元 件之基板上，藉由使用申請專利範圍第1或2項之組成物 作為填封樹脂之灌注封裝，將該填封樹脂成形為透鏡 狀0 25
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