TW200423319A - Seal agent for photoelectric conversion elements and photoelectric conversion elements using such seal agent - Google Patents

Description

200423319 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ,^發明為關於一種封裝劑，更詳細言之，為關於一種 光電變換元件用封裝劑、使用其得到之光電變換元件、其 製造法及太陽能電池。 【先前技術】 近年來’作為清潔能源而受到矚目之太陽能電池，雖 已毛展至可供一般住宅利用，但仍未能達於普及。其理由 -般是因為太陽能電池之功能仍未完美，目此不得不加大 其模Mmc3dule)，力0之模組在製造上生|性不#，因此造 成太陽能電池之價格高昂等。 太陽能電池之模組一般是將單結晶矽片、多結晶矽 片、，晶矽片、鎵-砷、銅-銦·硒等光電變換元件以上部透 明保濩材#及下部基板保護材料保護，，亥光電變換元件與 保護材料再經封裝劑固定加以包裝化而製成者。因此作為 太陽能電池光電變換元件之料錢要求為良好之_濕 性、b)電絕緣性、c)耐熱性、句成形性及加工性、幻接著強 度、f)純度、g)耐藥品性、h)空氣阻絕性。 目别，太陽能電池之模組上之光電變換元件之封裝 劑’在柔軟性、透明性等方面，可採用乙酸乙稀醋含量古 之乙烯-乙酸乙烯醋共聚物（參考日本專利特開平第Η " =8號公報）。但因其耐熱性、接著性不足，更為了以終 止聚合反應為目的，而必須併用有機過氧化物冑。此、、 必須採用2個階段之步驟，'亦即，先以添加該添加劑之乙 315531 5 200423319

烯乙酉欠乙烯酯共聚物製成薄片，再以所得之薄片將光電變 換兀件封裳。在此方法中，在薄片之製造階段上，必須形 成低皿以避免有機過氧化物的分解，因此其射出成形速度 無法加快，另外又須再經2個階段時間之接著步驟，亦即， 在封裝光電變換元件之階段上，於層壓機中須經數分鐘至 數十分鐘之暫時接著步驟，以及在高溫加熱箱中經數十分 鐘甚至1小時，使有機過氧化物分解之主要接著步驟。因 此製造該太陽能電池模組耗費人手與時間，比較上較有接 著性、絕對耐濕性變差之問題點。 、’丑，作為上述共聚物或離聚物如使用低熔點者時（參 考特開第2000] 86114號公報)，其耐熱性不足，而惟恐在 光電變換元件使用時因溫度升高而變开[且在以加熱壓製 法製造太陽能電池模板時"准恐必須量以上之此等封 的流出而形成溢料，因此不佳。再加上近年來伴隨光能^ 池之大型化，加工過程時封裝部份之應力亦比已往大增。 /此，現今要求之封裝劑要能適應須封裝線長之^ 加’須有更佳之絕對耐濕性，且在縮小封裝寬度之觀點上 光電變換元件所使用之導電性支持體間之厚度要均L，有 更佳之密貼性且具可塑性。 格雷哲（瑞士）於1991年開發出使用光電變換元件之 光能(太陽)電池，稱之為光敏太陽能電池。 雷哲咖咖1)電池，是以色素在透料電性基板上感7 形成-端之氧化物半導體微粒所形成薄膜基板，在 對之成為含㈣自等還原劑所形成基板之對極間，再夹二電 315531 6 200423319 荷移動層（為含氧化還原物質之電解液）。 在光敏太陽能電池之兩極基板間係充灌電解液 時所使用之封裝劑’則揭示的有：在兩極基㈣，封裝= 固體物之玻璃或金屬、塑膠形成之方條係以環氧樹月旨 膠樹脂接著封裝之方法（參考特開第2__i73剔號公 報）。但此類複合方式之封裝方法，其操作繁雜，特別在使 用石夕膠樹脂時，因其水蒸氣之穿透率冑，結果並不適於= =長期間封裝如色素增感型太陽能電池中電解液等液狀 體之用。 此夕卜色素增感型太陽能電池中電解液之封裝劑，亦 有使用聚異丁稀樹脂之記載（參考特開第2⑼2_3 i 3443號公 =)。依據該文獻’其兩極基板使用熱硬化性樹脂一次接 再於注人π注人電解液後以紫外線硬化性樹脂二次接 :::Γ注入口。㈣彼時之封裝劑與氧化還原系電荷移 ^ ^ …、達1充知硬化。尤其此時因矽膠樹脂 對率之點方面極佳，造成其缺點為伸縮極大， 度之變化之性質變化極大。另外又有低溫下之接著強 :且力工11、耐磨性亦不佳，彈性回復遲等缺點，因此 在長期耐用性方面亦有問題。 燃拖-彳述已彺提案之封裝劑，目前仍無可滿足光電 使用半中作為色素增感型太陽能電池用之光電變換元件 原/：要求之所有功能者。特別是尚未具有封裝氧化還 ”乐電荷移動層用之性能。 【發明内容】 315531 7 200423319 本發明之主要目的在提供一種光電變換元件用封舉 劑及使用其製造光電變換元件之方法，其係可在製造、θ 能電池時在常温下接著上下之導電性支持體（基板）， 有優良之接著強度及絕對耐濕性》本發明人等為解決上^ 课題，刻意檢討之結果發現使用一種具特定成份之封穿述 劑，可製成電解液污染性極低、加工性佳、 / 、 此1 』仕低溫下以

务、外線等活性能量光或熱能快速使其硬化，且其硬化物 接著強度、絕對对濕性及空氣阻絕性等各種性質物= 信賴性光電變換元件，而完成本發明。 炎t之同 亦即本發明為關於 一種无1： 一------1 Θ衣削，具特徵為：含右、蓝ώ ΐ環氧，基構造之化合物、具環氧己烧化物構造之化i 具虱雜環丁烷構造之化合物及具乙烯醚二 之組群中之！錄$ ?k之化合物 種或2種以上，及陽離子聚合起始劑， (2卜種光電變換元件用封裝劑，其特徵為 且产 氧雜二ΪΪ:化合物、具環氧己烧化物構造之化合物二 =雜％ 丁燒構造之化合物及具乙軸構造之化 ” 2種以上，及陽離子聚合起始劑， 之至 中，(：氧第ΓΓ2)項中之光電變換元件用封裝劑，其 二：構造之化合物為雙紛型環氧樹脂，、 (而）如第（3)項中之光電變換元件用封， 々型環氧樹脂為雙酚Α型環氧樹脂，μ -，雙 (5)如第（1)至（4)項中任一 劑，其中，光電變換元件用封„===用封裝 ]衣剎平更含熱可塑性彈性橡 315531 8 200423319 膠， (6) 如第（5)項之光電變換元 塑性橡膠之含量為未滿20重量％， 其中’熱可 (7) 如第（1)至（6)項中任_項之 劑，其中，光電變換元件用封_卞，交換元件用封裝 ⑻如第⑺項之光電變換元件用 二者 劑為矽烷偶合劑， ^ 中，偶合 (9) 如第（1)至（8)項中任一項 劑，置中，光雷作格-1 、先電變換元件用封裴 二久 封震劑中更含無機填充劑者， (10) 如苐（9)項之光電變換元件用 者 填充劑為氧化鋁及/或二氧化矽， 、”，、中，無機 (π)如第（1)至（10)項中任_項 劑，其中，陽離子聚合起始劑為二' =換70件用封襄 -種光電變換元件，為=或三芳基錄鹽， 項之光電變換元件用封裝劑封裝而成，⑴至⑴）項中任一 (13) —種色素增感型光電 欠換7L件，為以如第（丨） 項中任一項之光電變換元件 ）至（u， 干用封裝劑封裝而成， (14) 一種太陽能電池，係罝 .,.^ s 一備有如第（12)項之光電變換 ⑽-種光電變換元件之二太件籌成者， ^ ^ ^ 版&方法，其係將具有含半 導體層之導電性支持體與具有， 、 相對電極之導電性支持體隔 一定間隔相對裝配，其周邊爯十 守电I文行筱丨閲 4, 再失以光電變換元件用封裝劑 固定，製成兩支持體間夾有雷 $何#夕動層之光電變換元件之 製造方法，其特徵為：前沭4+壯 引迹封裝劑係使用如第（1)至（11)項 315531 9 中任-項之封裝劑者， ()種光電變換元件之製造 導體層之導Φ以丄 衣坆方法，其係將具有含半 V電性支持體與具有相 -定間隔相對配置，除封…：電極之導電性支持體隔 其周邊均以太 ”、 何移動層所需之注入口外， J A尽發明之井雷轡 在由注入口、4 Λ Λ 、件用封裝劑固定，之後， 〆入電荷移動層後，i 件用封裝劑封鞋 本么明之光電變換元 衣W封裝該注入口者。 【實施方式】 以下詳細說明本發明。 透明變換元件為一對導電性玻璃等 持體門致 間隔相對震配，在-對導電性支 二為了夾持電荷移動層之封裝劑之光電變換元件 脂等：ίί封裝劑係使用雙紛型環氧樹脂、脂環型環氧樹 一丙基構造之化合物、具脂環型環氧樹脂等環氧 、元化物構造之化合物，具環氧丁烷構造之化合物、具乙 烯虼構，之化合物、及陽離子聚合起始劑，其中再添加熱 :塑性彈性橡膠、偶合劑、無機填充劑，或依其必要再混 合其他之添加劑如敏化劑或接著改良劑、間隔物(形成間隔 材料)、離子吸收劑等，經均勻分散後使用。此時，為配合 封波诏之塗布方法（如後述）改良其加工性之目的，最好再 调整封裝劑之黏度。黏度之範圍可以使用例如Ε型黏度計 在25 c下測其黏度，以1萬至數十萬mPa · S範圍為宜，2 萬至1 〇萬mPa · s更佳。黏度可以由改變其使用之樹脂之 分子量、調配比例，或使用黏度調整劑或溶劑等調整。 10 315531 200423319 本t明之封裝杳丨么 純度者為佳，必之各樹脂或化合物係以使用高 製後使用。此時=例如由市場講入之樹脂加以精 性碳處理、管柱層析精製等，可以蚀田一如再、;口日日活 特別之限定。如此可:旦， ’又之方法，並無 件用封F ~ , 谷易地製成高信賴性之光電變換元 1千用封表劑。本發明 之封裂劑可以對應一般之方式，即以 队鑛法、印刷法等塗布在導電性支持體上後，在接著兩極 後照射活性能量光使其硬化。 纟接者兩極 本發明之封裝劑可轉光照射或加熱處理進 化。以光照射硬化時 矸右/八成α 開始柑以UV活性能量光照射即 可充伤硬化可長供使用 L, ,Λ s 仁目的右要有充份之信賴性，則 了以U 5 0至1 2 〇 °c程度之較攸、、w疮 時程度更佳。 —熱處理數分鐘至，小 本發明中使用具環氧丙基構造 ,^ A 舟& <化口物，具體例可舉 α雙酚A二環氧丙醚、雙酚F二環氧丙醚、雙酚s二 丙醚、溴化雙酚A二環氧丙醚、溴 ：二 溴化雙酚S二環氧丙醚、氫化雙 一四斤 叉聊A—％虱丙醚、氫化雙 紛F 一環氧丙_、氫化雙g分gj二 衣虱丙醚、虱化雙酚AD 魏丙喊等雙盼型環氧樹赌，環氧漆用紛酸樹脂，M_ 丁一酵二環氧丙醚、M-己二醇二環氧丙醚、丙二醇二产 氧丙醚、三羥甲基丙烷三環氧丙醚、聚乙二—衣 聚丙二醇二環氧_、乙二醇 ：·子-續乳丙鍵、 夕-^ 子丙一醇、丙三醇等脂族 多兀酵之1種或2種以上，經添加谔备儿心 夕1夕 〇加％虱化物所得到多元醚 多兀酵之多元環氧丙醚類，脂族高 Θ子之化虱丙醚類，〗，3· 315531 11 心少元、1，4 - jii 口亞检 r w -., ^ * 心烷4壞醚之環氧丙醚類，酚、甲酚、丁 歡或此等經添加環氣仆铷 ,:§ ? _ —衣虱化物所得到多元醚醇之單環氧丙醚 乳化大丑油、環氧硬脂酸丁自旨、環氧硬脂酸辛醋、 ^化亞麻仁油、％氧化聚丁二烯等高級脂肪酸之環氧兩 酉日類’酚漆用酚醛型環負化人t ^ ^ 衣乳化a物4，其中以雙酚型環氧樹 月曰孕又佳。 可使用之雙酚型環氧樹脂之例可舉如雙酚A 脂、雙齡F型環氧樹脂、雙型環氧樹脂、心二= 丙，鄰甲苯胺，二環氧丙基苯胺、苯基環氧丙基輕、 間：二酚二環氧丙醚、己二醇二環氧丙醚、三羥甲基 丙烷三環氧丙醚、聚丙二醇二環氧丙醚、(3,4-3，，4，-環氧環) ?基甲基己烷羧酸酯、六氫苯二甲酸酐二環氧丙醚等一般 製、市售之環氧樹脂等。市售之例可舉如雙酚a型環氧 才对月曰有又比克828、艾比克1〇〇1、艾比克1〇〇4、艾比克 1007、艾比克1009、艾比克1〇1〇，雙酚F型環氧樹脂有 艾比克4〇01、艾比克4004、艾比克4〇〇7(油化殼牌公司 製）、YDF-8170、YDF-170、YDF-175S、YDF-20(H、YDF_2〇〇4 等（東都化成公司製）、RE-3l〇S、RE_41〇s(日本化藥（股）公 司製）、亞波米克R301 (三井石油化學（股）公司製）、艾比科 隆850S(大曰本油墨化學工業（股）公司製）等，雙酚8型環 氧樹脂有RE-304S、RE-404S(曰本化藥（股）公司製）、艾比 克8 07(曰本環氧樹脂（股）公司製）、阿得卡列辛eP49〇〇(旭 電化工業（股）公司製）等，但並未限定於此等，其中以雙紛 A型環氧樹脂較佳。使用高純度型環氧樹脂會更佳。 315531 12 酉分漆用酚醛型環4介人礼> τ乳化a物之具體例可舉如ECN- 1273、阿勒代ecn-Us、財尨a 阿勒代ECN-12"(旭希巴公司製 之阿勒代）、YDCN-701、YD⑶ YUCN-702、YDCN-703、YDCN-704、YDCN-500 等（査去A、、 寺（東都化成公司製），只要一般所知具有 衣氧丙基構造之化合物即 卩了 並無特別限定，可以分別依 …、封表劑設定之黏度使帛 人从 便用亦可以以其1種或2種以上組 合使用。 使用又酉分型&氧樹脂時，一般可以使用環氧當量 180 至 3000g/eq 鞋庚本 Λ 〇 Λ 又者，180至900 g/eq程度者更佳。本 兔明中使用環氧樹脂中所含 1各、、心虱含里以15〇〇 ppm以下為 宜’ 1 200 ppm以下更隹 旦各 佳1000 PPm以下又更佳。總氣含 置在1 500 ppm以上時伞 f先成電池之ΙΤΟ電極可能受強烈 腐敍。環氧當量可以依昭 她》人曰 ι、、、Ά K7236，總氣含量可以依照 水解法測定（以下相同）。镂 雙私型壞虱树脂之種類亦不限定1 種，亦可以在調整1#痒 旦 ，、站度或加工性上併用2種以上環氧當 ϊ或分子量不同之雙酚型環氧樹脂。 j毛月中亦可使用具環氧己烷構造之化合物。可使用 ^ f氧己燒構Xe化合物之例可舉如3,4_環氧環己基甲基_ 3」^%氧環己燒緩酸酉旨、2-(3,4一環氧環己基-5,5-螺-3,4-環氧）環己烧-間-二。惡燒龍、雙（3,心環氧環己基曱基）己二 、雙（3,4-環氧_6_甲基環己基甲基）己二酸_、乙稀基 衣氧己烷4乙烯基％氧環己烷、3,4_環氧甲基環己基 ，衣氧6甲基％己烷綾酸酯、伸曱基雙（3，‘環氧環己 -曰）一％戊一烯―裱氧化物、乙二醇之二。，環氧環己基 315531 13 200423319 甲基）醚、伸乙基雙（3,4-環氧環己烷羧酸酯）、内酯改性3,4_ 環氧環己基甲基-3i，4，-環氧環己烷羧酸酯、環氧化四苯甲 醇、内酯改性環氧化四氫苯甲醇、環氧己烷等。市售品之 例可舉如 UVR-6100、UVR_61〇5、UVR_6n〇、UVR 6i28、 uvr-6200(以上為聯合碳化學公司製造）、希洛賽得、 希洛賽得2021P、希洛赛得2〇81、希洛賽得2〇83、希洛賽 得2085、希洛賽得2〇〇〇、希洛賽得3〇〇〇、賽克馬A2〇〇、 赛克馬M100、賽克馬M1(M、亞波立得gt_3〇i、亞波立得 GT-302、亞波立得G〇1、亞波立得4〇ι、亞波立得彻/ ^波立得hd300、ethb(以上為戴西爾化學工業㈤公司 MR 2110、ΚΜΚ·2199(以上為旭化成丄業股份公司 、、，只要一般所知具有環氧己基構造之化合物即可， 無特別限定’可以分別依照封裝劑設定之黏度使用，亦可 以以其1種或2種以上組合使用。 用且，^ :中亦可使用具氧雜環丁烧構造之化合物。可使 -:^ Γ % 丁燒構造化合物之例可舉如氧雜環丁院、3,3-一甲基氧雜環丁 ρ 1。 卜 ’ 甲氧美甲^ / _二氣甲基氧雜環丁烧、3_乙基·3- 土广環丁烧、3_乙基丁氧基甲基氧雜環丁 氧雜環丁烧、3-甲=:雜環丁烧、3_乙基·3,基甲基 條甲基羥基甲基氧雜環丁烷、3-乙基_3_ ==甲基氧雜環丁院、3_乙基小(2、經基乙 基氧雜環丁燒、3 h 土 m基甲 氧雜環丁烧、3_^^ (經基_3，·苯氧基丙基）氧基甲基 雜環丁烧m 丁氧基丙基）氧基甲基氧 土 丁氧基乙基）氧基甲基氧雜環丁 315531 14 200423319 少二3-乙基-3-苯甲基氧基甲基氧雜環丁烷、％乙基·3_(對 第一丁基苯曱基氧基甲基）氧雜環丁烧、％乙基小曱基丙稀 醯氧基曱基氧雜環丁院、3_乙基_3_丙稀醯氧基甲基氧雜環 了烷、3-乙基-3_苯氧基甲基氧雜環丁烷、雙(3_乙基_3'曱 氧基）丁;k、3-氯曱基_3_甲基氧雜環丁烷、％氯曱基-乙 基氧雜環丁院、3^甲基·3·甲基氧雜環T烧、3·溴甲基_3_ 乙基氧雜環丁燒、3-礙甲基_3_甲基氧雜環丁烧、3_硬甲基 3·乙基氧雜環丁烧、3_經甲基_3_乙基氧雜環丁烧、小經基 -6-(3-乙基-3_氧雜環丁烷基甲氧基）己酯等。 市售品之例可舉如雙齡二氧雜環了烧（BpD〇， 產（版）公司製）、笨二曱基二氧雜環丁烧（xd〇，商品名. 〇xt-121，東亞合成（股）公司製）等，只要為一般所知且有 %乳丙基構造之化合物之環氧乙烷環全部或部份； f環丁烧之化合物即可，並無特別限Ρ可以分別依^ 羞劑设疋黏度使用，亦可以以其！種或2種以上組 本發明中亦可使用具乙烯醚構造之化合物。可 乙⑽構造之化合物之例可舉：用，、 合物等。 初丙烯醚化 乙烯醚化合物之例可舉如乙基乙烯醚、丙基 異丁基乙烯醚、十八烷基乙烯醚、丁基乙烯醚、乙— 乙烯喊、丁二醇單乙烯醚、乙二醇丁基乙稀醚、三-酵： 甲基乙烯醚、$己烧二甲醇單乙婦_、環己院二 烯_、2-乙基己基乙烯越、第三丁基乙烯趟、第三六子一乙 稀趟、經基乙基乙稀_、經基丁基乙稀醚、環己基乙歸：乙 315531 15 200423319 丁一醇二乙烯醚、乙二醇二乙烯醚、二乙二醇二乙烯醚、 二乙二醇二乙烯醚、1，3_ 丁二醇二乙烯醚、新戊二醇二乙 稀_、三羥甲基丙烷三乙烯醚、己二醇二乙烯醚、1，4-環 己二醇二乙烯醚、四乙二醇二乙烯醚、季戊四醇二乙烯醚、 季戊四醇三乙烯醚、季戊四醇四乙烯醚、山梨糖醇四乙烯 醚、山梨糖醇五乙烯醚、二季戊四醇及六乙烯醚、乙二醇 二乙氧基乙烯醚、三乙二醇二乙氧基乙烯醚、乙二醇二丙 稀乙浠鱗、二說甲基丙炫二乙氧基乙浠醚、季戊四醇四乙 氧基乙烯醚、二季戊醇五及六乙氧基乙烯醚、2_羥基乙基 乙烯醚、2-羥基丙基乙烯醚、4_羥基丁基乙烯醚、季戊四 醇三乙烯醚、2-乙基己基乙烯醚氯甲基乙烯醚、2_氣乙基 乙烯醚等。丙烯醚化合物之例可舉如乙基丙烯醚、丙基丙 烯醚、異丁基丙烯醚、十八烷基丙稀醚、丁基丙烯醚、乙 二醇單丙烯醚、丁二醇單丙烯醚、乙二醇丁基丙烯醚、三 乙二醇甲基丙烯醚、環己烷二甲醇單丙烯醚、環己烷二甲 醇二丙烯醚、第三丁基丙烯醚、第三戊基丙烯醚、羥基乙 基丙烯醚、羥基丁基丙烯醚、環己基丙烯醚、丁二醇=丙 稀醚、乙二醇二丙烯醚、二乙二醇二丙烯醚、三乙二：二 丙烯醚、丁二醇二丙烯醚、新戊二醇二丙烯醚、三^ 甲基丙烷三丙烯醚、己二醇二丙烯醚、M-環己二醇二= 烯醚、四乙二醇二丙烯醚、季戊四醇二丙烯醚、季* 二丙烯輕、季戊四醇四丙烯驗、山梨糖醇四丙烯 子 糖醇五咖、二季戊四醇五及六丙_、乙二醇二山f 基丙烯醚、三乙二醇二乙氧基丙烯醚、乙一醇一：：乙乳 G—丙烯丙烯 3】5531 16 200423319 醚—羥甲基丙烧三乙氧基丙浠醚、季戊四醇四乙氧基丙 烯醚、二季戊四醇五及六乙氧基丙烯醚、三環癸烷二羥甲 基丙烯醚、2-羥基乙基丙烯醚、4_羥基丁基丙烯醚等。只 要一般所知具有乙烯醚構造之化合物即可，並無特別限 定，可以分別依照封裝劑設定之黏度使用，亦可以以其工 種或2種以上組合使用。本發明中使用之具環氧丙基構造 之化口物、具環氧環丁烷構造之化合物及具氧雜環丁烷構 造之化合物，全部混合使用為其較佳樣態。 丄处丹咏虱内暴構造之化合物、具環氧己烯構造之化 合物、具氧雜環丁烷構造之化合物及具乙烯醚構造之化a 物’均可以各自單獨或以其2種以上組合使用，其2種以 上組合使用時，只要其中含上述具環氧丙基構造化合物、 氧己烯構造化合物、具氧雜環丁烷構造化合物及具乙 稀^冓造化合物之任_種即可，其組合之對象可以用本發 二二化合物或其以外之化合物。其組合之比例可以依照 ^ ^…亦可以以如4述，化合物再經甲苯等有機溶 =解、亦可進行活性碳處理、氧仙管、水洗處 精製處理時’必須使溶劑不餘留在樹脂或化合 Π不it餘留水份，因此須經充份之乾燥。精製之方 本…： 可採用分子蒸館等之方法。 封破劑中以具環氧丙基構造之化合物、環氧已 稀構造之化合物、且氣雜淨丁^ 〈化口物衣氧 K m ^ ^ ^ "衣丁烷構造之化合物、及具乙烯 重。之單獨或2種以上混合物之總含量，-般 里/〇為宜，10至9〇重量％為佳。 315531 17 200423319 本發明之光電變換元件用封裝劑中，因含選自上述具 =丙基構造之化合物、具環氧己稀構造之化合物、具氧 :¾丁烷構造之化合物及具乙烯醚構造之化合物之組群之 或二種以上，在光電變換元件製造時，在上下導電性 持體接合時’光電變換元件用封裝劑樹脂之黏度低，因 即在常溫下亦可接合，且可容易地形成間隔。

本發明封裝劑可以因應一般之方式，以飮鐘法、印刷 =塗布在-方之導電性基板上，接合兩極後再照射活性 此立里光使其硬化。本發明之封裝劑，在除上下導電性支持 ，#伤之注入口外均以本發明之封裝劑加以固定（一次封 、）再庄入電荷移動層後以本發明封裝劑封住該注入口 (、-人封裝）時’或在除了上下導電性支持體之注入口外均 以本發明封裝劑以外之封裝劑加以固定（一次封裝），再注 入電荷移動層後以本發明封裝劑封住該注人 ’ 時均可以因應。 封攻） 本务明中使用之陽離子聚合起始劑只要經熱處理或 =射活性能量光即有效產^陽離子者即可’並無特別限 定可以使用-般之陽離子聚合起始齊卜特別使 鹽更佳。其例可舉如含F-、cl_、Br_、r、SbF6_、sbF= BF4、AsIV、Ρϊν、bc6f5-、BC6H2(CF3)2-、 N(S02CF3)2、N(CN)2-等陰離子成份，及礙、硫、氣、碟 等原子之芳族陽離子所形成之芳族钂鹽。其中特別以二芳牛 基錤鹽、三芳基錡鹽更佳。 一般之例可舉如下式（1)至（5)所示之化合物、或此等 18 315531 200423319 中所含架構之相同架構者。其中 芳基錤鹽更佳。此等光之陽離：式(1)二(2)所不之二 種以上組合使用，，以使用純度高者==;種或2 以精製成高純度化後使用為佳。 又&時’則

h3o

(3)

(4) (5)

315531 19

H3C(H2C)n«

(CH2)uCH3

X

X X

CH3 c 一 ch3 H 3

X

x (y〇^〇f

HjCCHzC^O

20 315531 200423319

m 丁來a超☆里双M u · u i至2丨 重量％為宜，0·1至10重量％更佳，1至7重量％又更佳 本發明中之光電變換元件用封裝劑中，除前述具環」 丙基構k之化合物、具環氧己烯構造之化合物、具氧雜』 丁烷構造之化合物、具乙烯醚構造之化合物及陽離子聚 :始劑外，亦可再含其他之熱可塑性彈性橡膠、偶合劑 無機填充劑、敏化劑、或其他添加劑。 本發明中依須要亦可再含有之熱可塑性彈性橡膠，, 佳之例舉可如使用丁二稀嵌段物加氫製成之SBS嵌段丘 物等（旭化成工業（股）製’塔夫特克^系列等）。妖可_ 315531 21 200423319 彈性橡膠亦可使用預先調配環氧樹脂（旭化成工業（股） 製’ X-4801等）者。調配此類熱可塑性彈性橡膠可提高其 耐衝擊性或接著強度。熱可塑性彈性橡膠之含量以未滿封 裝劑之20重量％者為佳。使用過多之熱可塑性彈性橡膠會 使黏度過高而不佳。 本發明中依須要亦可再含有之偶合劑，較佳之例舉可 如使用3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷、3_環氧丙氧基丙基 φ 曱基二甲氧矽烷、2-(3,4-環氧環己基）乙基三曱氧矽烷、 N-苯基-r -胺基丙基三甲氧矽烷、n-(2-胺基乙基）3_胺基 丙基曱基二甲氧矽烧、N-(2-胺基乙基）3-胺基丙基甲基三 甲氧石夕烧、3-胺基丙基三乙氧矽烷、3·巯基丙基三甲氧石夕 烧、乙烯基三甲氧矽烷、N-(2_(乙烯基苯甲基胺基）乙基）3_ 胺基丙基三甲氧矽烷鹽酸鹽、3_甲基丙烯醯氧基丙基三甲 氧矽烷、3-氣丙基甲基二甲氧矽烷、3_氯丙基三甲氧矽烷 等矽烷系偶合劑，異丙基（N_乙基胺基乙基胺基）鈦酸酯、 φ 異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、鈦二（二辛基焦磷酸鹽）氧化 乙酸酯、四異丙基二（二辛基磷酸鹽）鈦酸酯、新烷氧基三 (對N-( /5 -胺基乙基）胺基苯基）鈦酸酯等鈦系偶合劑，乙 醯丙酮錘、甲基丙烯酸鍅、丙酸锆、新烷氧锆酸酯、锆酸 新烷氧基三新癸醯鍅酯、新烷氧基三（十二烷醯基）苯磺醯 基锆酸酯、新烷氧基三（伸乙基二胺基乙基）鍅酸酯、新烷 氧基二（間胺基笨基）結酸酯、銨錯羧酸酯、乙醯丙酮鋁、 甲基丙晞酸鋁、甲基丙酸鋁等鍅或鋁系偶合劑，或更好是 使用矽系偶合劑，其具體例可舉如環氧矽烷偶合劑等（日本 22 315531 200423319 4尼卡（版）製造，八_186、a_187等）、产气石甘 環氧丙基甲氧㈣信越化學工業（股;二丙3錢及 基三甲氧碎院_。3)。例如使用此等二偶::二丙 其絕對耐濕性’吸濕後接著強度之降低少，因=到二 :變換元件用封裝劑與導電性玻璃之接著性佳。 各篁以封裝劑中為5重量％程度為佳。 口 “之 =要亦可再含有之無機填充劑，其例可舉 ⑴ 材料上所使用者，並無特別之限定， ==、結晶㈣、碳化碎、氮化心氮化、碳 鎂、硫酸鋇、硫酸鈣、雲母、滑石 =二氧化鈦、氧化鎂、氧化錯、氣氧化銘氧 = :::紹、…銘，錯、鈦酸鎖、破璃纖維、 氮 =一:石棉等’其中以炫融梦膠、結晶石夕膠、 发氮化硼、碳酸鈣、硫酸鋇、硫酸鈣、雲母、滑石、 土氧化銘、氫氧化銘、石夕酸妈、石夕酸 石夕膠、結晶石夕膠、氧化紹為更佳。 … =填充劑之形態可舉如碎片狀、球狀 =二但盡可能以高純度者為佳。其純度低時，亦^ 熱乾燥純度化處理。其時以經加 、 ’、77為佳。此等無機填充劑亦可以以其2 “吏用’特別是將矽膠與氧化鋁組合使用時為更 佳0 本舍明中依須要亦可再含有無機填充劑之最大粒徑 係以雷射法測定為1〇"m以下，以6…下者更佳，4 315531 23 200423319 …下者為更佳，特別是4〜下、其平均 # m以下者最佳。盖# 馬2 在r光η/ 大粒徑比1G//m大時， 後m 件時，無法在上下之導電性支持體接著 後开^成良好的間隔。此等無機填充劑中之韓，可以 ^將每融⑦膠或結晶料粉碎、分級製成。氧化 =氯氧化_結絲_，或將脫水氯㈣經火談= 所付之氧化紹或錢明装燒結成氧化銘，再經粉碎、分級： 成0 本發明中依須要亦可再含有之無機填充劑 變：元件用封靖之含量係未滿3。重 :里：為佳。無機填充劑之含量多於6〇重量％時，因無機 立、充劑之含量過多，而惟恐其不易散開（不易伸展），因此 造成光能電池無法形成間隔。 本I月之封裝劑除了添加前述成份之外，亦可再依照 須要加入其他如光敏化劑、黏度調整劑、接著改良劑、、離 子吸收劑、顏料等添加劑。 光敏化劑之例可舉如克利貝勒（cdvll0)在Adv. in Polymer SCL，62，1(1984)中記載之光敏化劑，但並不限定於 此，可以併用！種或2種以上具光敏化作用之光敏化劑。、 具體上可使用之光敏化劑可例舉如噻噸酮、蒽、芘等。 黏度調整劑之例可舉如丁二烯_丙烯腈共聚物之改性 低聚物、酚醛清漆型環氧樹脂、聚鄰苯二甲酸二烯丙酽 (DAP，P〇lydiallylphthalate，大曹（股）製造）等。接著改良 劑之例可舉如丙烯酸系微核微粒（F3H)(日本Ze〇n(股）事（ 315531 24 造）。 本發明之光電變拖i 4 m 1 型n h π IP-、件用封裝劑，可以容易地在雙酚 i衣乳树月曰、具壤氧内美生 M i > π^基構k之化合物、具環氧己烷化物 冓k之化5物、具氧雜環 造之化合物之任意至少U ^傅 ^ 上、及陽離子聚合起始劑 填充1依^須要加人熱可塑性彈性橡膠、偶合劑、無機 =:接者…、離子吸收劑、敏化劑或其他之添加 二：σ #加以刀散均勻製成。此時為配合封裝劑塗布之 了改善加工性，最好調整封裝劑之黏度。其黏度之範 =例如使W型黏度計在饥下敎之黏度為數萬至數 百萬mPa · s之範圍去炎〜 , 者為且’特別是數萬至數十萬mpa · s 者更佳。調整黏度可以改變使用樹脂之分子量、調配比例， 或以使用黏度調整劑或溶劑等進行。 …離子吸收劑之例可舉如dht-6(協和化學工業（株）製 造）等，顏料之例可舉如鈦黑等。 上述添加劑成份之含量，可在封裝劑中含量01至5 重量％範圍下選擇。 本發明之封裝劑以使用組成均句者為佳，即各成份經 充份混合後最好再經三輥研磨機等混拌，使其更為均句。 為去除組成物中餘留之凝聚&，亦可再經濾器等_。 本發明之光電變換元件用封裝劑，在使用時為確保可 達所欲電池厚度之目的，最好再加人間隔物。㈣物可例 舉如玻璃纖維、玻璃珠等。其直徑依目的而異，但一般以 2至30 μ m為佳，4至2〇 # m更佳。其使用量以對本發明 315531 25 之先電變換元❹封I劑⑽份 至2份重為佳，以〇m.5份重更佳：至4伤重’以0.5 本發明之光電變換元件用封裝劑 加工性，最好再力 吏用時為改善其 取予再加入洛劑。溶劑可使用例 乙醋系、水’可以以其1種或2種以上，以任：、知糸、 獨或混合使用。 任思之比例單 酵糸溶劑之例如乙醇、異丙醇等院醇類，

氧基丁醇、3-甲基_3_乙氧A 甲暴甲 H , 乙虱基丁和、3_甲基I正丙氧基丁 :其工氧基丁醇、3-甲基_3-正丁氧基丁醇、3_ 土-一'、丁氧基丁醇、3_甲基小第二丁氧基丁醇、％曱基 -3-第二丁氧基丁醇等烷氧基醇類，葱品醇。 ^ I系溶劑之例如1價醇鱗系溶劑、烷基二醇單烷基醚 系命d烷基一醇二烷基醚系溶劑、二烧基二醇烷基醚系 /合劑、二烷基二醇烷基醚系溶劑等。

1價醇醚系溶劑之例如3-曱基-3-甲氧基丁醇甲基醚、 3 -曱基-3-乙氧基丁醇乙基醚、3_甲基_3_正丁氧基丁醇乙基 峻3曱基異丁氧基丁醇丙基醚、3 -曱基-3-第二丁氧 基丁醇-異丙基醚、3_曱基_3_第三丁氧基丁醇_正丁基醚 等。 少元基二醇單烷基醚系溶劑之例如丙二醇單曱基醚、丙 一醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單異丙基醚、丙 一醇單正丁基醚、丙二醇單異丁基醚、丙二醇單第二丁基 醚、丙二醇單第三丁基醚、乙二醇單曱基醚、乙二醇單乙 基鱗、乙二醇單丙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單正 26 315531 200423319 丁基醚、乙二醇單異丁基醚、乙二醇單第二丁基醚、乙二 醇單第三丁基醚等。 烷基二醇二烷基醚系溶劑之例如丙二醇二曱基醚、丙 二醇二乙基鱗、丙二醇二丙基鱗、丙二醇二異丙基鍵、丙 二醇二正丁基醚、丙二醇二異丁基醚、丙二醇二第二丁基 醚、丙二醇二第三丁基醚、乙二醇二曱基醚、乙二醇二乙 基醚、乙二醇二丙基醚、乙二醇二異丙基醚、乙二醇二正 丁基醚、乙二醇二異丁基醚、乙二醇二第二丁基醚、乙二 醇二第三丁基醚等。 二烷基二醇烷基醚系溶劑之例如二丙二醇曱基醚、二 丙二醇乙基鍵、二丙二醇二丙基峻、二丙二醇二異丙基鍵、 二丙二醇二正丁基醚、二丙二醇二異丁基醚、二丙二醇二 第二丁基醚、二丙二醇二第三丁基醚、二乙二醇二曱基醚 (二甘醇二甲醚：diglyme)、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇 二丙基醚、二乙二醇二異丙基醚、二乙二醇二正丁基醚、 二乙二醇二異丁基醚、二乙二醇二第二丁基醚、二乙二醇 二第三丁基醚等。 三烷基二醇烷基醚系溶劑之例如三丙二醇二曱基 、三丙二醉二乙基鍵、三丙二醉二丙基鍵、三丙二醇二 異丙基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇二異丁基醚、 三丙二醇二第二丁基醚、三丙二醇二第三丁基醚、三乙二 醇二曱基醚、三乙二醇二乙基醚、三乙二醇二丙基醚、三 乙二醇二異丙基醚、三乙二醇二正丁基醚、三乙二醇二異 丁基醚、三乙二醇二第二丁基醚、三乙二醇二第三丁基醚 27 315531 200423319 等烷基二醇二烷基醚類等。 乙酸酯系溶劑之例如乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇 卓乙基鍵己、乙一醇卓丙基鍵乙酸g旨、乙二醇單異丙 基醚乙酸S旨、乙一醇單正丁基喊乙酸g旨、乙二醇單第二丁 基醚乙酸酯、乙二醇單異丁基醚乙酸酯、乙二醇單第三丁 基醚乙酸酯、丙二醇單曱基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙 酸酯、丙二醇單異丙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、 丙二醇單正丁基醚乙酸酯、丙二醇單第二丁基醚乙酸酯、 丙二醇單異丁基醚乙酸酯、丙二醇單第三丁基醚乙酸酯、 3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3_甲基_3_乙氧基丁基乙酸 酯、3-甲基-3-丙氧基丁基乙酸酯、3_甲基_3 •異丙氧基丁基 乙酸酯、3-甲基-3正丁氧基乙基乙酸酯、3_甲基_3_異丁氧 基丁基乙酸酯、3-甲基_3第二丁氧基丁基乙酸酯、％曱基 -3第三丁氧基τ基乙酸g旨㈣基二醇單烧基醚乙酸醋類， 乙二醇二乙酸酯、二乙二醇二乙酸酯、三乙二醇二乙酸酯、 丙一.一乙酸酯、二丙二醇二乙酸酯、三丙二醇二乙酸酯、 二乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙酸丁酯等溶劑。 使用/谷劑時，只要為調整光電變換元件用封裝劑為 以以飲錢法或網版印刷等方法塗布之黏度，例如200 ^ 1 〇〇〇泊(25 c )’所必須之任意量均可，一般對光電變換一 件用封袭劑⑽份重以未滿5()重量％為宜，未滿、: %更佳，可以依照其須要使用。 里 、、本矣月之封破劑製成光電變換元件時，可以以八 或P刷等皇布本發明之封裝劑在玻璃基板之導電面上，再 315531 28 2 謝23319 =對之導電性玻璃基板相肖，加I下經紫外線等活性 =照射’使本發明之封裝劑硬化，即可簡單地得 受換元件。進行加熱硬化時，加熱溫度為50至200t，力 為數分鐘至數小時。活性能量光可例舉如紫外線、 mV電子束等，並無特別限定’但工業上要利用較廉 :…可以使用紫外線。紫外線之光源可例舉如加壓汞 燈、高壓汞燈、全屬忐冬 卜 孟屬IS素燈、筑燈等，但並不限定於此， ^種均可以使用。照射之光量—般以1至lGGGG mj/cm2為 且，1000 至 6000 mJ/cm2 更佳，2〇〇〇 至 4〇〇〇mj/cm 佳。 灵 &本^月之封裝劑本身即完全有發揮接著力等之功 ^右要更^加其長期之信賴性，最好在照射活性能量光 後再接者進行加熱硬化。加熱溫度在較低溫之Μ至 下即可，加熱時間數分鐘至！小時程度即夠。陽離子聚合 起=劑亦可在進行初期反賴，在暗反應下停止供給外部 月匕里後再進行硬化，利用此特性進行硬化、封裝。 本啦月之封裝劑適用之光電變換元件，可舉如一般轉 換光旎為電能之所有元件。若再設置導線將光電變換元件 產生之電流接引成封閉回路，即成光能電池。 本务明之封裝劑可適用於各種光電變換元件，特別適 方、色素、感型太陽能電池。&素增感型太陽能電池係由導 電性支持體構成之半導體電極及相對電極、電荷移動層所 組成。 ‘電性支持體可使用例如以FTO (Fluorine Tin 29 315531 200423319 減a錫卜则㈤—仏—氧化録錫）、 (ndlum Tln 〇xide :氧化銦錫）為代表之導電性物質在 璃、塑膠、聚合物膜等絲表面上形成之薄膜。其導電 性一般以ΙΟΟΟΩ/cm2以下為佳，1〇〇Q/cm2以下更佳。 半導體電極即為上述FTO玻璃等導電性 上，再配置含光敏之含半導體層所製成I。 含半導體層之半導體以金屬硫化物微粒為佳，且且體 =如 Ti、Zn、Sn、Nb、w、In、Zr、Y、La、T:^ 渡金屬之氧化物，八卜Si等之氧化物，抓〇3、、 BaTi〇3等之舞鈦礦型氧化物。其中特別以Ti〇2、Μ、㈤2 為佳。此等混合使用亦佳，其中特別以 為佳。其-次粒徑-般以1 一為佳，…。二更 佳。 混合系，可以以粒子狀態混合，或以如下述之漿或膠 狀I、混合，或重疊使用。 含半導體層之調製方法有氧化物半導體利用塞鍵直 接在基板上形成薄膜之方法、以基板為電極通電析出薄膜 之方法、在基板上塗布或覆上襞或膠後再經乾燥、硬化或 燒結之，法等。在氧化物半導體電極之功能上，以使用聚 之方法等為佳。漿可以將2次凝集之氧化物半導體微粒， 以分散劑分散在分散媒中’成為平均1次粒徑為i至 2〇〇nm/或以溶膠凝膠法水解氧化物半導體之前驅物烷氧 化物（麥考 C. J. Barbe，F. Arendse，P. Compt And M (haetzel j· Am· Ceram· Soc·’ 80，12,3 157-71 (1997))製成。 315531 30 200423319 、此方法所製成之氧化物半導體微粒之比表面積一 般為 1 至 1000 m2/g，10 $ 2/ Λ ' δ 至500 m /g更佳。此外，亦可混 口使用不同粒徑之氧化物半導體微粒。分散膠之分散媒只 要為可分散半導體微粒之分散媒即可，可使用纟、乙醇等 醇、㈣、乙醯丙酮等酮、己烷等碳氫化合物等有機溶劑， 可以將其混合使用，使用水時以可減低膠之黏度變化之點 上來說為佳。 為安定膠中一次微粒之目的，有時亦加入分散安定劑 等。其中所使用之分散安定劑，具體之例可舉如聚乙二醇 等多元醇，或與酚、辛醇等醇之稠合物，羥丙基甲基纖維 素、羥甲基纖維素、羥乙基纖維素、羧曱基纖維素等纖維 素衍生物、聚丙烯醯胺、聚（曱基）丙烯酸及其鹽、聚（甲基） 丙烯酸及其鹽與丙烯醯胺及（甲基）丙烯酸或其鹼金屬鹽之 共聚物，或 (A) 丙稀醯胺及/或（甲基）丙稀酸之驗金屬鹽與 (B) (曱基）丙烯酸甲酯、（曱基）丙烯酸乙酯等之（甲基） 丙烯酸酯，或苯乙烯、乙烯、丙烯等疏水性單體之共聚物， 為水溶性之聚丙烯酸系衍生物，三聚氰胺石黃酸曱駿稠合物 之鹽、萘磺酸甲醛稠合物之鹽、高分子量木質素續酸鹽、 鹽酸、硝酸、乙酸等酸，本發明亦不限定為此等分散安定 劑。此等分散安定劑可以各自單獨使用或以其2種以上組 合使用。 其中以聚乙二醇等多元醇或與酚、辛醇等之稠合物、 分子内含叛基及/或石頁基及/或^胺基者為佳，聚（曱基）丙缚 315531 31 200423319 酸、聚（曱基）丙烯酸鈉、聚（甲基）丙烯酸鉀、聚（甲基）丙烯 酸鋰等聚（甲基）丙烯酸及其鹽或羧甲基纖維素、鹽酸、硝 酸、乙酸等酸為佳。 膠中之氧化物半導體濃度以1至90重量％為佳，5 至80重量％更佳。 塗有膠之基板的燒結溫度大體為基板熔點（即軟化點） 以下’ 一般為100至9〇〇°c (熔點或軟化點），以10〇至6〇〇

t (熔點或軟化點）為佳。燒結時間並無特別之限定，大體 以4小時以内為佳。

在以增加含半導體層表面之平滑性為目的上，亦可再 她以2次處理（參考c丄Barbe, F心⑶心㊁，p M

Graetzel, J· Am. Ceram. Soc.，8 0，12,3 15 7-71 (1997))。例如 ，基板之薄膜直接浸潰於與半導體相同之金屬烷氧化物或 氣化物、硝化物、硫化物等之溶液中，經乾燥或再次燒結 即可以確保目的之平滑性。金屬烷氧化物可例舉如乙氧化 鈦、異丙氣化鈦、第三丁氧化鈥、正二丁基_二乙醯化錫等， :使用其醇溶液。氣化物可例舉如四氣化鈦、四氯化錫、 氣化鋅等，可使用其水溶液。 該含半導體層再吸著增效色素，即可轉換光能為電 =此時之增效色素，只要為含㈣金屬元素之金屬配 素及不含金屬之有機色素或其混合物，而可與半導體 粒相容、提高對光之吸收者即可，並無特別限二。" 其次再說明使色素附著在含半導體層上之方法 色素附著在含半導體層上之方法，可舉如將已形成. 315531 32 ^423319 述含半導體層之基板，浸潰於將色素溶於可溶解色素之溶 劑所形成之溶液中，或在溶解性低 / / 到之分散液…法。溶液或分散：之^ =當地取決。將基板上形成含半導體層之基板浸潰於該溶 。次潰溫度大體為常溫至溶劑之彿點，浸潰時間為i J、時至4 8小時之程度。可接用以、玄紐 可舉如甲醇、乙醇、乙产、一甲A ’、之’合劑之具體例 ^ 和乙腈一甲基亞石風、二甲基甲醯胺、 第二丁醇等。溶液之色素濃度一般以lx 10-6M至…為 佳，lx 10-6M 至 1乂 1 π-ίλ/Γ φ /L· , ·· 〇 Μ更佺。如此即可得到形成色素增 效含半導體層之半導體電極。 其附者之色素可為1種，但亦可以以數種混合。在混 合時’可同為有機色素，但亦可以混合有機色素與金屬配 位色素。特別是以吸收波長不同之相同色素之混合，可以 吸收之波長範圍廣泛，因此得到之太陽能電池轉換效率 高。附著之金屬配位色素之例並無特別之限定，但以μκ. Nazeeruddin, A. Kay, M. Graetzel, J. Am. Chem. Soc., 115 6382-6390 (1993)或早瀨修二未來材料 v〇i % n〇 i，54 59 (2003)中所示之酿菁ή等為佳，可附著之有機色素可 例舉如無金屬之酞菁、卩卜啉或菁、份菁、氧代醇、三苯甲 烷系如W020020112 13號公報中所示之丙烯酸系色素等 次甲基系色素，或咕噸系、偶氮系、慧醌系、花系等色素。 其中:乂釕配位色素或份菁、上述丙烯酸系色素等次曱基系 色素等較佳。使用混合色素時，各色素之比例並無特別限 疋可以依照各色素選擇最適之條件，一般是各以等莫耳 33 315531 200423319

取XT 丨土 〇承使用l〇%莫耳 附著色素使用之溶液為、、容組 又 。含半導體層 中色素之總體濃度以盥口 色素時，溶液 又乂 ” 附者丨種色素之時 用混合色素時所使用之溶 门為佳。使 月』J U使用如上述之 之各色素用之溶劑可相同亦可不同。 之-劑，使用

附著色素在含半導體層上時，為防止同 P 合’色素可在包合化人你Α 、素彼此結

合化合物可例舉如膽酸等 、中之包 -^^eaHXarenes)^it^^/t- ，膽酸、鶴（去氧）膽酸、膽酸甲醋、膽酸納等膽酸類，聚 衣乳乙烧等為佳。附著色素後，亦可再以4_第三丁 — 等胺化物處理半導體雷極丰 土 疋 < 體電極表面。處理之方法可以將上述 :附著色素之含半導體層之基板浸潰於例如胺之乙醇溶液 等之方法。 本發明之太陽能電池通常由上述含氧化物半導體層 上附著色素之半導體電極與相對電極及電荷移動層所構 成:電荷移動層可使用將氧化還原系電解f或電洞輸送村 料等溶於溶劑或常溫下溶解之鹽（離子性液體）中之溶液。 本發明之太陽能電池中所使用之氧化還原系電解質 可例舉如抗衡離子為鹵素離子之鹵素化合物及由鹵素分子 構成之_素氧化還原系電解質，氰亞鐵酸鹽—氰鐵酸鹽或二 茂合鐵-氰鐵鏽（ferricinium)離子、鈷配位化合物等金屬配 位化合物等之金屬氧化還原系電解質，烷基硫醇-烷基二碳 化物、氧化還原色素（viologen dye)、對苯二酚、醌等有機 34 315531 200423319 佳。系電解質等’其中以齒素氧化還原系電解質為 之南素八:合物-鹵素分子組成之豳素氧化還原系電解質中 户二刀子之例如碘原子或漠原子等，其中以碘原子為 :ai衡離子為_素離子之豳素化合物之例可舉如LiI、 卜KI、CsI、Cal2、Cul等画化金屬鹽或碘化四烷基銨、 八化米唾鎢、硬化小甲基_3_院基咪唑鑌、破化吼啶鏽等鹵 、四、及錢鹽等，其中以抗衡離子為鹵素離子之鹽類化合 物為佳。抗衡離子為碘離子之鹽類化合物之例可舉如碘化 鐘、峨化鈉、碘化甲銨鹽等。 在電荷移動層由含氧化還原系電解質以溶液之形態 構成時，其溶劑可使用無電化學性活性者。其溶劑可使用 之例可舉如乙腈、碳酸丙烯酯、碳酸乙烯酯、3 _甲氧基丙 腈曱氣基乙膳、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、 二甲氧基乙烷、碳酸二乙酯、二乙醚、碳酸二乙酯、碳酸 二甲酉旨、1，2-二甲氧基乙烷、二甲基甲醯胺、二甲基亞硬、 1，3 -一氧雜環戊烧、甲酸甲酯、2 -甲基四氫^夫喃、3_甲氧基 -噁嗪烷-2-酮、r _丁内酯、環丁砜、四氫呋喃、水等，其 中特別以乙腈、破酸丙稀酯、破酸乙烯酯、3 _甲氧基丙腈、 曱氧基乙腈、乙二醇、3 -甲氧基-°惡°秦烧-2-酮、丁内醋 等較佳。此等可以單獨或以其2種以上組合使用。氧化還 原系電解質之濃度一般以0.01至99重量％為宜，〇1至9〇 重量％更佳。 在電荷移動層由含氧化還原系電解質之形態構成 時，其溶劑亦可使用常溫下溶解之液（離子性液體）。常溫 35 315531 200423319 下溶解之液可例舉如碘化_i_甲基_3_烷基咪唑鏽、四氟化乙 稀口米唑鏽、石黃酸-卜乙基咪D坐酉旨、院基味嗤鎮三氟甲基石黃酿 亞胺、蛾氧化-1-曱基吼„各琳鑌等。此外，為增加光電變換 凡件之耐久性的目的，亦可將電荷移動層溶於低分子膠化 劑中增加其黏性（參考W· Kub〇, K Murak〇shi，丁仙⑽咖 K. Hanabusa, H. Shirai and S. Yanagida, Chem. ，

LeU.，1241(1998))或併用反應性成份，使其注入電荷移動層 後反應形成電解質之膠體（參考早瀨修二未來材料 S ν〇1·3，Νο·1，54-59(2003))。 另一方面，完全固體型方面亦可以以電洞輸送材料或 Ρ尘半V體取代氧化還原系電解質。電洞輸送材料之例如 何生物或聚乙块、聚苯胺、聚σ塞吩等導電性高分子或圓 盤型（discotic)液曰曰曰等，ρ型半導體之例如㈣CuScn等（可 多考 K· Tennakone，G. K· R· Senadeera，D· B. R· A· De

Silva and I. R M 」 ▲ • Kottegoda，Appl· Phy. Letter)。相對電極 :使用FTO導電性玻璃等，在導電性支持體上再蒸錢白 f炭铑、釕等，催化表面氧化還原系電解質之還 ”…再將‘電性微粒前驅物經塗布、燒結者。 、使用本發明封裂劑之色素增感型太陽能電池，為由其 ^電I*生支持體表面上設有由色素增效之含半導體層之半導 ^極^疋間隔相向配置相對電極，再以本發明之光 電變換元件將周邊用封裝劑封裂，其空隙再以電荷移動層 、者八製造法可舉如一方之導電性支持體周圍，已考 慮由本么曰月之封裝劑封裝之部⑤，再設有以素增效之含 315531 36 200423319 半導體層之半導體電極。本發明之光電變換元件用封裝 劑，可以在添加玻璃纖維等間隔物後，在該半導體電極之 周圍預留電荷移動層注人口之㈣，經網版印刷或喷錢法 塗布封裝劑後，再於例如⑽t下加熱1G分鐘蒸發溶劑， 之，將另-邊設㈣等之導電性支持體以與導電面相面對 重豐成上下導電性支持體，再經加壓形成間隔，並以高壓 汞燈經例如3000 mJ/cm2照射uv光硬化（為一次封裝卜必 要時亦可再經❹120t:加g 1〇分鐘後硬化。丨次再由前 述注入口在兩導電性支持體之間隔間注入電荷移動層，之 後以本發明之封裝劑如同前述封住（為二次封裝），即可得 光電變換it件。如此得到之光電變換元件之接著性、耐濕 熱性等耐久性均佳。 … 如此得到之光電變換元件，正極與負極間再設置導 線，並於其間插入電阻成份，即可製成本發明之太陽能電 池。 (實施例） 以下即舉實施例更詳細說明本發明。 實施例1 將具環氧丙基構造化合物··雙酚_A型環氧樹脂（re_ 3 10S，曰本化藥（股）公司製，環氧當量：182g/eq))3〇份重及亞 波米克R3〇i(三井化學（股）製造，環氧當量：約5〇〇g/eqi〇份 重）〔、環氧己燒構造之化合物（希洛賽得202 1A，戴西爾化 學工業（股）公司製）30份重、具氧雜環丁烷構造化合物 (BPD〇(雙盼二氧雜環丁炫），宇部興產（股）公司製）30份 315531 37 200423319 重、及矽烷偶合劑（環氧矽烷賽拉亞斯S51〇，窒素（股）公司 製）1份重’在70°C下加熱並混合均句。冷卻至室溫後再加 入陽離子聚合起始劑之二芳基鎭鹽（前述式（丨）， (RHODORSIL PHOTINIIATOR 2074，RHODIA CHIMIE 公 司製造）3份重、及光敏化劑之下述二乙基噻咭噸酮（式 (6)) ’（商品名DETX-S，曰本化藥（股）製造）2份重並於避 光、60°C下加熱攪拌溶解。

溶解後再加入接著改良劑之丙烯系微核微粒（商品 名：F35l，日本Zeon(股）製造）丨·5份重，於7〇它下加熱混 合1小時。繼之再加入無機填充劑之合成矽膠（微晶卜 FF，（股）龍森製造）20份重、氧化鋁（CR85，Baik〇wskiJapan 公司製造）30份重混合後，再以三輥混拌機混拌，經645 網目之金屬網加壓過濾。如此操作，即得黏度約7萬pa · s之本發明之光電變換元件用封裝劑（A)。同時以e型黏度 計、25°C、轉速5rpm下測定其黏度（以下相同）。 實施例2 各以環氧當量約250 g/eq之雙酚_八型環氧樹脂取代 RE-3 10S，以苯伸二甲基二氧雜環丁烷（商品名：xd〇，東 亞合成（股）公司製造）取代BPE)〇，其他以相同於實施例1 插作’即得黏度約5萬pa · s之本發明之光電變換元件用 38 315531 200423319 封裝劑（B)。 實施例3 以雙g分-A型環氧樹脂之加氫化合物（阿得卡列辛Ep 4080，旭電化（股）公司製造）取代希洛賽得2〇21A，其他以 相同於實施例1操作，即得黏度約5萬Pa · s之本發明之 光電變換元件用封裝劑（C)。 實施例4 實施例1中除不使用無機填充劑（合成矽膠及氧化鋁） 以外，其他以相同於實施例1操作，即得黏度約2萬pa · s之本發明之光電變換元件用封裝劑（D)。 實施例5 實施例1中以30份重之環氧當量約400 g/eq之雙酚_ A型環氧樹脂40份重取代30份重之re-3 10S，且不使用 亞波米克R3 0 1 ’其他以相同於貫施例1操作，即得黏度約 1 5萬Pa · s之本發明之光電變換元件用封裝劑（e)。 實施例6 實施例1中各將亞波米克R3〇l之使用量由1〇份重改 為20份重、BPDO之使用量改為20份重，其他以相同於 實施例1操作，即得黏度約20萬Pa · s之本發明之光電變 換元件用封裝劑（F)。 實施例7 實施例1中再添加2份重之黏度調整劑丙烯系樹脂（商 品名：DAP(聚鄰苯二甲酸二烯丙酯），dAIS0(股）公司製 造）’其他以相同於實施例1操作，即得黏度約15萬pa · 315531 39 200423319 S之本發明之光電變換元件用封裝劑（G)。 實施例8 將實施例！中之成份⑷·⑷混合、精製， 於實施例1操作，即得黏度約…a· s之本發?：電 變換元件用封裝劑(H)。其中之精製如下操作。將混人各成 分之樹脂溶於甲苯中’再以分液漏斗以加溫至約⑼。c之純 水反覆洗淨5次，再分離甲| 、、、 丹刀離甲本相並於甲苯相中加入3 %之活性碳，60〇C下加埶攪挑祛i、風、占丄 ,^ 熱攪拌後再過濾去除活性碳，再於 減壓下加熱濃縮曱笨相精製。 、 實施例9 _實施例1中之陽離子聚合起始劑係使用上述式⑺所 不之鐄鹽取代上述式（丨）所示之， !榀从 、现其他以相同於實施例 1 ‘作’即得黏度約7萬p 用封裝劑⑴。 之本發明之光電變換元件 實施例1 〇 中之陽離子聚合起始劑係使用上 Γ::代上述式⑴所示之錢鹽，其他以相同於實施例 1知作，即得黏度約2〇萬Pa · s 用封裝劑⑺。 …之光電變換元件 實施例1 1 =施例1中以PN0X(㈣用_型氧雜環丁烧化合物， 日口和電工（股）製造）取代BPDO，陽雜2 w y ,, 穷離子聚合起始劑係使用 建式（4)所示之銃鹽取代上述式 同私杂〃 k式（1)所示之鏘鹽，其他以相 门方；灵施例1操作，即得黏度約3〇 萬Pa· s之本發明之光 315531 40 200423319 電變換元件用封裝劑（κ)。 實施例1 2 將貫施例1中陽離子聚合起始劑之上述式（1)所示娥 胤由3伤重增加為7份重，其光敏化劑使用下述式（7) 所不之敏化劑取代上述式（6)所示之DETX-S，其他以相同 於貫化例1操作，即得黏度約7萬Pa · s之本發明之光電 變換元件用封裝劑（L)。

實施例13 、、且口具％氧丙基構造化合物之含熱可塑性彈性橡膠 s氧彳丨月曰（元化成工業（股）公司製造，塔夫特克％， s 20重里/。雙酚Α型環氧樹脂））ι〇〇份重、陽離子聚合起 σ喇之上述式（5)所示之銃鹽〇·5份重、環氧矽烷偶合劑（日 =憂，卡（股）公司製造，α_187)5份重，再以三輥混掉機混 "刀政，即得本發明之光電變換元件用封裝劑（Μ)。 實施例1 4 /、裒氧丙基構造化合物係使用2 〇份重含熱可塑性彈 性橡膠之核氧樹脂（旭化成工業（股）公司製造，(塔夫 特克M’s 20重量％雙酚Α型環氧樹脂》2〇份重、雙酚a 氧樹脂(殼牌(股)公司，EP828))8〇份重，其他以相同於 具施例1 3知作，即得本發明之光電變換元件用封裝劑 315531 41 200423319 (L再測疋光電黉換疋件用封裝劑（N)在25°C時之黏度。 ”果在20rpm時為5〇〇〇〇cps，確定其為適於網版印刷 之黏度。 實施例15 在實施例1組成物中，增加20份重之乙二醇二乙烯 鱗（BASF公司製造）具乙稀鱗構造化合物，調製成新組成 一他以相同於貫施例丨操作，即得本發明之光電變換 # 元件用封裝劑（〇)。再測定光電變換元件用封裝劑（〇)在25 C時之黏度。其結果，在2〇rpm時為4〇〇〇〇^s，確定其為 適於網版印刷之黏度。 試驗例1 於實施例中1中所得之封裝劑（A)中加入間隔物i重量 %之璃纖維，再於玻璃基板上貼上丨5mm方形玻 璃片，照射3000 mj/cm2i uv。其所得之試驗物（p)再以 黏結強度測定儀（SEISHIN TRADING公司製造）在接著面 φ 之水平方向加重，測定玻璃-玻璃之剪斷接著強度。以玻璃 片面積除以其最大破壞負重之值即為其常態接著強度。其 結果如表1所示。 試驗例2 如同試驗例1，對實施例13中調製之封裝劑（M)所得 之試驗物（Q)，如同試驗例！測定其常態接著強度。其結果 如表1所示。 斌驗例3 如同ό式驗例1，對實施例1 4中調製之封裝劑（N)所得 315531 42 200423319 之試驗物（R)，如同試驗例 如表1所示。 試驗例4 /則定其常態接著強度。其結果 y於實施例中1中所得之封裝劑⑷中加人間隔物】重量 二之4 m玻璃纖維’再於玻璃基板上貼上15匪方形玻 瑪片’照射3000 mJ/cm2之UV，嚴碰緣 再繼續以85。(：加熱30分 逢里使其硬化。其所得之試驗物（s) 1 J丹如冋試驗例1測定其常 悲接著強度。其結果如表1所示。 、 δ式驗例5 對如同試驗例丨同樣所得之試驗物（ρ)，以壓力鍋襄置 加壓，於下靜置2(Μ、時後，如同試驗例丨測定其耐 溫接著強度。其結果如表1所示。 試驗例6 對如同試驗例2同樣所得之試驗物（ρ )，以如同試驗例 5測定其耐濕接著強度。其結果如表1所示。 試驗例7 各將實施例1中之玻璃基板改為ΙΤΟ(氧化銦錫）基 板、破璃片改為ΙΤΟ片，其他以相同於試驗例1測定 ΙΤΟ-I TO之常態接著強度。其結果如表1所示。 試驗例8 谷將實施例1中之 ……… ，▼一 一八 叹峒片改 ITO片，其他以相同於試驗例1測定鉻_IT〇之常態接著 度。其結果如表1所示。 試驗例9 315531 43 200423319 以實施例1中所得之封裝劑（A)塗布於貼有pE丁膜之 玻璃基板上，再展開成約〇.lmm厚度。其次照射3〇〇〇 mJ/cm2之UV光後，於90。(：下加熱3〇分鐘，即得硬化膜。 再切下所欲大小之膜，在熱機械分析機（丁MA，理學（股）公司 製造）中以加溫速度2°C /min測定其彈性率，由其傾斜产 2其:二係數⑷)，轉折點求其破璃轉換溫度。其結果：表

試驗例1 〇 再由下式求其吸水率(%)。其結果如表2所示。 吸水率（％)气吸水後 重量X 100 及水别之重量)/吸水前之 表1 試驗例 1 常態接著強度(MPa) 35 耐濕接著強度(MPa) 2 57 - 3 51 - 4 67 - 5 - 6 31 7 40 48 8 24 315531 44 200423319 表2 2.2x 10- 9_ 10 試驗例膨脹係數玻璃態化溫度fc)吸水率（0/〇) 131 1.2 試驗例11 ITO電極之腐餘試驗 所使用之圖案玻璃板如第2圖所示，在其破璃基板！ 上已形成m)電極膜2(IT0電極之端子寬2職，前端間隔 為〇.lmm)，在其絕緣部份塗布實施例13中所得之封裝劑 (M)’再以如試驗例i之照射條件照射紫外線使封裝劑⑽ 硬化。其次，該IT0電極膜於外加直流5V電壓下置於65 C ' 90/oRH之恆溫箱中2〇曰，之後再以顯微鏡觀察㈣ 電極膜上塗布接著劑部份之狀態。其結果可確定本發明之 光電變換70件用封裝劑不會腐蝕ITO電極膜。 實施例1 6 、 先製成如第1圖所示之光電變換元件，在該 型太陽能電池導電性支持體之削導電性玻璃支持體 上其導電面上為以膠狀丁i〇2微粒（P25，DEGUSA公引制 造)塗布成含半導體層，再於減下燒結3。分鐘後：t 潰於下述式(8)所示色素之3χΐ〇·4Μ乙醇溶液 - 製成=體電極。其次，㈣同樣之咖導電性麵^ 體之^电面上蒸鍍200 A之Pt，製成相對電極3。、 315531 45 200423319

# 其次，再於相對電極3之周圍上除預留之電荷移動層 4 >主入口外，其他部份以噴鍍機塗布實施例丨中所製成之 封裝劑（A)5，再於10(rc下加熱1〇分鐘使其溶劑揮發，之 後重疊半導體電極1及3。重疊之後再以層壓機壓形成間 隔，並以3000 mj/cm2i uv光照射硬化，再接合兩極。 其次’再由該接合之兩極上之電荷移動層注入口，在 電池内充填碘系電荷移動層4a(為碘/碘化鋰/碘氧化曱基 己基咪唑鏽（四國化成工業公司製造）、第三丁基吡啶各以 φ 3_甲氧基丙腈調製成0·1Μ/0·1Μ/0·6Μ/1Μ)，並以本發明之 封裝劑封住注入口，再以紫外線照射使其硬化，即得光電 變換元件（1)。 實施例1 7 一在實施例Μ中之封裝劑改用實施例9中之光電變換 元件用封裝劑（I)，並於其含半導體層中使用以文獻（C· J. Barbe? F. Arendse, P. Compt. And M. Graetzel, J. Am. Gam· S〇c·’80,12，3 157-71 (1997))中以氣膠膠體法水解烷 氧化鈦所生成之物，其他以相同於實施例1 5操作，即得光 46 315531 200423319 電變換元件（2)。 實施例1 8 將貫施例1 7中之封裝南丨？ίΓ田每—y丨t 扃改用只轭例1 0中之光電變換 兀件用封裝劑（J)，其色素並使 、 , 更用下述式（9)中所示之色素敗 :=式(8)中所示之色素，再各使用細 i其電荷移動綱使用以乙埽碳酸醋 ： 〇·〇5Μ/0.5Μ之碘/碘化四 “）騎成 1 jo ,, 土叙八他以相同於實施例 16刼作，即得光電變換元件（3)。

實施例1 9 之封裝劑改用實施例 其他以相同於實施例 將貫施例1 7中 元件用封裝劑（L)， 電變換元件（4)。 實施例2 0 1 2中之光電變換 1 6操作，即得光 ，W W队用X々也m 1 j中夕龙雷繆 元件用封裝劑（M)，复擗呤 ， 曰效色素並使用式（8)中所干之色 與下述式（10)中所示之色 斤不 巴素為1:1之混合物取代上述式< T所不之色素，其仙、^ /、他以相同於實施例16操作，即得光電 47 315531 200423319 換元件（5)。 〇0)

實施例2 1 將實施例2G中之封裝劑改用實施例15中之光電變換 凡件用封裝劑（〇)，其他以相同於實施例丨9操作，即得 電變換元件（6)。 光電變換效率測定

^以導線連接各所得光電變換元件之各極，再設置電壓 5二電流計，即得本發明之太陽能電池。各太陽能電池再 2 ^以下之光電變換能。測定之光電變換元件之大小，操 掣：份為〇·5>< 〇.5cm2。光源使用ikW氙燈（Ushio電機（股） ^造）經過AM1.5濾光片成100mW/cm2。各短路電流、放 電電壓、轉換效率、形狀因子是以電位_電流安定器（北斗 ^工業（股）公司製造）測定。其結果如表3所示。 315531 48 200423319 表 短路電流 放電電壓(V) 光電轉換效率 形狀因子 (mA/cm2) (%) 實施例16 12.0 0.70 5.3 0.63 實施例17 170 0.75 8.0 0.63 實施例18 14.6 0.72 6.5 0.62 實施例19 17.0 0.75 8.0 0.63 實施例20 17.5 0.75 8 7 〇· / 0.66 實施例21 17.0 0.73 δ c 〇 ·) 0.68 實施例22 12.2 0.70 5.3 0.62 導電性支持體接合間隔形成測定 封裝劑中加入1 g之 在每100g所得之光電變換元件用 ίο // m玻璃纖維作為間隔並混合攪拌。 口現许。喊光電變換元件用 封裝劑再以喷鍍塗布在50mmx 50mm之導電性支持㈣ (FTO玻璃基板）上，再以加熱爐在1〇〇t：下加熱1〇分鐘使 溶劑揮發，之後再於2rc下將該導電性支持體與同樣大小 之導電性支持體重疊、重壓。此時再確定光電變換元件用 封裝劑疋否受壓（延展）而密貼於上下導電性支持體上（導 電性支持體之重疊測定）。之後再於i 001之加熱爐上重 壓、延展，在夾子夾住之狀態下經3000 mJ/cm2之高壓水 銀燈照射UV，之後再以顯微鏡確定該光電變換元件用封 裝劑是否受壓形成厚1 0 // m之間隔（導電性支持體間隔形 成測疋）°其結果如表4所示。 49 315531 200423319 耐濕接著強度測定 在每100g所得之光電變換元件用封裝劑中加入 10//rn玻璃纖維作為間隔並混合攪拌。該光電變換元件用 封裝劑再以喷鍍塗布在50mmx 50mm之導電性支持^ (FTO玻璃基板）上，再以加熱爐加熱使溶劑揮發去除，之 後再於該光電變換元件用封裝劑上貼上2mmx 2历爪之玻璃 片，再經3〇〇〇mj/cm2之高壓水銀燈照射1^^使其硬化，並 於12Γ02大氣、職⑽％之條件下以壓力鋼進行測定， 測定剪斷接著強度。其結果如表4所示。 表4

16 導電性支持體之重疊 〇 導電性支持體間隔之形成〇 耐濕測定後之切斷接著強度35 (MPa) 貫施例 17 18 19 20 21 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 40 43 52 60 51 〇 △ 接合良好 ••常溫下導電性支持體雖無法接 換元件用封裝劑溶化，因以η 會使光電變 接合不良因此加熱時可能形成間隙。 在電荷移動層 中若混有不純物時將減低其短路電 315531 50 X : 200423319 流，而結果則降低其光電轉換效率。由表3中之光電轉換 效率可知’各實施例中之短路電流亦高。因此可知，實施 例中之封裝劑不易對電荷移動層流失污染物質。又由表4 可知’製造光電變換元件時，上下導電性支持體在常溫下 亦可接合’且有耐多面衝擊之接著強度及絕對耐滿性，又 具有優良之彈性’並且可在短時間内完成硬化形成所欲之 間隔。 實施例22 “在實施例16中，其封裝劑使用熱可塑性膜片之海米 蘭（5^m，三井DuPont&司製造））在u〇(t、5分鐘下封裝 (-次封裝）’其他以相同於實施例16操作，即得光電變換 元件⑺。再對該光電變換元件⑺加以評定，其結 ; 所示。 (產業上利用之可能性） 。本發明之光電變換元件用封裝劑，可以以3〇〇〇mJ/em2 私度之低光照在短時間内硬化，表現高接著強冑再加以 配合後加熱時，可在更低溫之短時間内進行，因此可減少 光電變換兀件之負擔’在生產面上亦可顯著地加以效率 化。封裝劑之使用期長因此作業性佳，印㈣ 腐，ΠΌ電極，但另—方面，本發明封|劑對原來要求之 接者性、耐熱性、吸水率等硬化後之各種物理性上亦極佳， 加以耐濕強度亦充份，因此可以用以製造即使經過長時 期’其信賴性仍高之光電變換元件。 【圖式簡單說明】 315531 51 200423319 圖所示為主要部份之剖面模式圖，說 ^ .. <叫货a團，說明以本發明 槿二製成之光電變換元件用色素增感型太陽能電池之 5半導中心為内側具導電性之導電性支持體，2為感光 之“V體層’ u 2合併為半 體内側導電面上裝置㈣之相對電極，4為=相電生支持 導電性支持體夾住所配置 . 訝之 I电何私動層，5為封裝劑。 第2圖所示為ITO電極之腐蝕試驗之說明 =為玻璃基板，2為ΙΤ〇電極，3為封裝劑。2圖 (7L件符號說明） 1 2 3 4 破璃基板 電極膜 冲目對電極 電荷移動層 封裝劑

3j553i 52

Claims (1)

1. 200423319 拾、申請專利範園： 1 · 一種光電變換元件用封梦劍 劑，其特徵為含有：選自具環 乳丙基構k之化合物、且援$ θ ^ 具％虱己烷化物構造之化合物' 〆、氧雜環丁燒構造之化八 χ % μ * ^ ° 、/、乙烯醚構造之化合物之 2.:群中之1種以上，及陽離子聚合起始劑者。 種光電變換元件用封裝劑， 4 M ^ ^ ^ , 具特被為含有·具環氧丙 構…匕合物、具環氧己炫化物構造之化合物中之至 構上、具氧雜環丁烧構造之化合物、 3構k之化合⑯，及陽離子聚合起始劑者。 •如申請專利範圍第丨或2項光 ^ ^變換兀件用封裝劑， 4·:申構造之化合物為雙盼型環氧樹脂者。 申。月專利軌圍第3項之光電變換元件用封裳劑，盆 ，雙酚型環氧樹脂為雙酚_Α型環氧樹脂者。-D申請專利範圍第丨至4項中任一 if # , 、之先電交換元件用 凌Μ，其中，光電變換元件用封 彈性橡膠者。 以中又合熱可塑性 6·:申請專利範圍第5項之光電變換元件用封裝劑，其 ，熱可塑性彈性橡膠之含量為未滿2Q重量％ 八 •如申請專利範圍第丨至4項中任一項 封萝_ ^ Κ尤冤變換7G件用 Τ展劏，其中，光電變換元件用封裴劑中 者。 Τ戒Μ中又含偶合劑 9 •如申請專利範圍第7項之光電變換元件用封裴劑，其 中’偶合劑為矽烷偶合劑者。 八 如申請專利範圍第丨至8項中任一 <尤東變換元件用 315531 53 ^劑’“，光電變換元件用封裝财又含無機填充 10.:°申圍第9項之光電變換元件用封裝劑，1 u.如 w為虱化鋁及/或矽膠者。 °月專利範圍第i 用封裝劑，1中胳 員中任-項之光電變換元件 或三芳基錄鹽者。聚合起始劑為二芳基鎭鹽及/ 任種換元件’係以申請專利範圍第1至11項中 13.-種色辛辦電變換元件用封裝劑封裝而成者。 至u項中任_Ig .交換凡件，係以申請專利範圍第^ 者。 、之光電變換元件用封裝劑封裝而成 Μ.::太陽能電池’係具備有申 電變換元件或申請專 弟12項之先 變換元件而構成:㈣竭13項之色素增感型光電 15. =電變換元件之製造方法，其係將具有含半導體層 〜… 有電極之導電性支持體以- 二：對配置，其周邊再夹以光電變換元件用封裝劑 固：’广成兩支持體間夾有電荷移動層之光電變換元件 ，裝=方去’其特徵為：前述封裝劑係使用如中請專 範圍第1至1 1項中任—項之封裝#|者。 16. 一種光電變換元件之製造方法，其係將具有含半導體声 之導《支持體與具有相對電極之導電性支持體以—曰 定間隔相對配置，除封入電荷移動層所需之注入口外， 315531 54 200423319 其周邊均以本發明之光電變換元件用封裝劑固定，之 後，在由注入口注入電荷移動層後，再以本發明之光電 變換元件用封裝劑封住該注入口者。 55 315531