SG162772A1 - Display device and sputtering target for producing the same - Google Patents

Display device and sputtering target for producing the same

Info

Publication number
SG162772A1
SG162772A1 SG201004073-1A SG2010040731A SG162772A1 SG 162772 A1 SG162772 A1 SG 162772A1 SG 2010040731 A SG2010040731 A SG 2010040731A SG 162772 A1 SG162772 A1 SG 162772A1
Authority
SG
Singapore
Prior art keywords
display device
producing
same
sputtering target
group
Prior art date
Application number
SG201004073-1A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Gotoh
Toshihiro Kugimiya
Katsufumi Tomihisa
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of SG162772A1 publication Critical patent/SG162772A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
    • E02D—FOUNDATIONS; EXCAVATIONS; EMBANKMENTS; UNDERGROUND OR UNDERWATER STRUCTURES
    • E02D17/00—Excavations; Bordering of excavations; Making embankments
    • E02D17/20—Securing of slopes or inclines
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01C—PLANTING; SOWING; FERTILISING
    • A01C1/00—Apparatus, or methods of use thereof, for testing or treating seed, roots, or the like, prior to sowing or planting
    • A01C1/04—Arranging seed on carriers, e.g. on tapes, on cords ; Carrier compositions
    • A01C1/044—Sheets, multiple sheets or mats
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Paleontology (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Soil Sciences (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
SG201004073-1A 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producing the same SG162772A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005040787 2005-02-17
JP2005344679A JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2005-11-29 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SG162772A1 true SG162772A1 (en) 2010-07-29

Family

ID=36814990

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SG201004073-1A SG162772A1 (en) 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producing the same
SG200601044A SG125216A1 (en) 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producingthe same

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SG200601044A SG125216A1 (en) 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producingthe same

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7622809B2 (https=)
JP (1) JP4117001B2 (https=)
KR (2) KR20060092145A (https=)
SG (2) SG162772A1 (https=)
TW (1) TWI300624B (https=)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
KR100796592B1 (ko) * 2005-08-26 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP5060904B2 (ja) * 2006-10-13 2012-10-31 株式会社神戸製鋼所 反射電極および表示デバイス
WO2008047726A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Substrat de transistor en film mince et dispositif d'affichage
KR20090031441A (ko) * 2006-10-16 2009-03-25 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 배선용 적층막 및 배선 회로
JP4377906B2 (ja) * 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) * 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) * 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP4656441B2 (ja) * 2007-03-29 2011-03-23 株式会社日本製鋼所 薄膜の結晶化方法および結晶化装置
JP2008304830A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
JP2009004518A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP2009010053A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置およびスパッタリングターゲット
JP5143649B2 (ja) * 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4611417B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
WO2009104769A1 (ja) * 2008-02-22 2009-08-27 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサー
KR100927585B1 (ko) * 2008-03-05 2009-11-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101023597B1 (ko) * 2008-03-31 2011-03-21 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 Ａｌ기 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
WO2009123217A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009282504A (ja) * 2008-03-31 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示デバイス
JP5139134B2 (ja) * 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
KR20100127290A (ko) 2008-04-23 2010-12-03 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Ａｌ 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
JP2009282514A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
WO2010001998A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP4684367B2 (ja) * 2008-07-07 2011-05-18 三井金属鉱業株式会社 Ａｌ−Ｎｉ系合金配線電極材料
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
JP5012984B2 (ja) * 2008-09-22 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法
JP4678062B2 (ja) * 2008-09-22 2011-04-27 Ｔｄｋ株式会社 光メディア、およびその製造方法
JP2010134458A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP5368806B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜および表示装置
KR20110065564A (ko) * 2008-11-05 2011-06-15 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Ａｌ 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
JP5357515B2 (ja) * 2008-11-05 2013-12-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
KR100986897B1 (ko) * 2008-11-10 2010-10-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
JP2010181839A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
TWI383232B (zh) 2009-03-19 2013-01-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板
US20100244032A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Aluminum-nickel alloy wiring material, device for a thin film transistor and a thin film transistor substrate using the same, and method of manufacturing the thin film transistor substrate
JP4735734B2 (ja) 2009-04-02 2011-07-27 Ｔｄｋ株式会社 光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法
US9024311B2 (en) * 2009-06-24 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device
CN102473732B (zh) 2009-07-27 2015-09-16 株式会社神户制钢所 布线结构以及具备布线结构的显示装置
KR101408445B1 (ko) * 2009-07-27 2014-06-17 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 배선 구조 및 그 제조 방법 및 배선 구조를 구비한 표시 장치
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5223840B2 (ja) * 2009-10-19 2013-06-26 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
JP5235011B2 (ja) * 2009-11-16 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極
JP5179604B2 (ja) * 2010-02-16 2013-04-10 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜
JP2011222567A (ja) 2010-04-02 2011-11-04 Kobe Steel Ltd 配線構造、表示装置、および半導体装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP2012180540A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kobe Steel Ltd 表示装置および半導体装置用Ａｌ合金膜
JP5524905B2 (ja) * 2011-05-17 2014-06-18 株式会社神戸製鋼所 パワー半導体素子用Ａｌ合金膜
JP2013084907A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
KR20160067958A (ko) 2013-11-12 2016-06-14 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 전극 및 그 제조 방법
US20160345425A1 (en) * 2014-02-07 2016-11-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Wiring film for flat panel display
CN105304643A (zh) * 2015-09-28 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及其制作方法
US9916986B2 (en) * 2016-06-27 2018-03-13 International Business Machines Corporation Single or mutli block mask management for spacer height and defect reduction for BEOL
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US10269714B2 (en) 2016-09-06 2019-04-23 International Business Machines Corporation Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements
JP6325641B1 (ja) * 2016-11-30 2018-05-16 株式会社コベルコ科研 アルミニウム合金スパッタリングターゲット
US10760156B2 (en) 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656883B2 (ja) 1986-03-03 1994-07-27 鐘淵化学工業株式会社 半導体装置
JPS62240739A (ja) 1986-04-11 1987-10-21 Nippon Mining Co Ltd 半導体配線材料用ｂ、ｃ、ｎ含有アルミニウム合金
KR930003684B1 (ko) 1990-12-22 1993-05-08 삼성전관 주식회사 필름형 스페이서와 이를 이용한 액정 셀의 제조방법
WO1992013360A1 (fr) 1991-01-17 1992-08-06 Mitsubishi Kasei Corporation Couche de cablage a base d'alliage d'aluminium, son procede de fabrication et cible de depot d'alliage d'aluminium par pulverisation
DE69330337T2 (de) 1992-07-15 2001-11-15 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Flüssigkristallanzeige
JP3438945B2 (ja) 1993-07-27 2003-08-18 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ合金薄膜
JP2733006B2 (ja) * 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3213196B2 (ja) * 1995-03-08 2001-10-02 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、金属配線層の形成方法
JP3707704B2 (ja) 1995-03-08 2005-10-19 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、液晶ディスプレー装置、および配線層の形成方法
JPH09241834A (ja) 1996-03-04 1997-09-16 Mitsubishi Materials Corp 鋳造Ａｌ合金製スパッタリングターゲット
JPH10183337A (ja) 1996-11-01 1998-07-14 Japan Energy Corp Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US6337520B1 (en) 1997-02-26 2002-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof
KR100471770B1 (ko) 1996-12-23 2005-06-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP3365954B2 (ja) 1997-04-14 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜および半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
WO1999034028A1 (fr) * 1997-12-24 1999-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba CIBLE DE PULVERISATION, FILM D'INTERCONNEXION A BASE D'Al ET COMPOSANT ELECTRONIQUE
JPH11337976A (ja) 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JP4458563B2 (ja) 1998-03-31 2010-04-28 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP4663829B2 (ja) 1998-03-31 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
JP2000235961A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線
KR100670060B1 (ko) 2000-04-20 2007-01-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100586241B1 (ko) 2000-10-28 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
KR20020089982A (ko) 2001-05-25 2002-11-30 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시소자 패널의 제조방법
JP4783525B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP2003089864A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
JP4134548B2 (ja) 2001-10-29 2008-08-20 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP2004191500A (ja) 2002-12-09 2004-07-08 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP4237479B2 (ja) 2002-12-25 2009-03-11 株式会社東芝 スパッタリングターゲット、Ａｌ合金膜および電子部品
US20050112019A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording
US7166921B2 (en) * 2003-11-20 2007-01-23 Hitachi Metals, Ltd. Aluminum alloy film for wiring and sputter target material for forming the film
JP2005303003A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
JP4541787B2 (ja) 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP4330517B2 (ja) 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP4542008B2 (ja) 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
US7411298B2 (en) 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
US7781767B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP2009004518A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
US20090001373A1 (en) 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010052A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4611417B2 (ja) 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
WO2009123217A1 (ja) 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
WO2010001998A1 (ja) 2008-07-03 2010-01-07 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP2010065317A (ja) 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜

Also Published As

Publication number Publication date
TWI300624B (en) 2008-09-01
US8350303B2 (en) 2013-01-08
SG125216A1 (en) 2006-09-29
KR20080084790A (ko) 2008-09-19
US20060181198A1 (en) 2006-08-17
US20090176113A1 (en) 2009-07-09
JP2006261636A (ja) 2006-09-28
KR20060092145A (ko) 2006-08-22
US8088259B2 (en) 2012-01-03
US20120091591A1 (en) 2012-04-19
US7622809B2 (en) 2009-11-24
TW200703657A (en) 2007-01-16
JP4117001B2 (ja) 2008-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG162772A1 (en) Display device and sputtering target for producing the same
JP2006261636A5 (https=)
EP2500443B1 (en) NI-TI semi-finished products and related methods
JP2003529206A5 (https=)
WO2008067815A3 (en) Use of thermoelectric materials for low temperature thermoelectric purposes
TW201129867A (en) Photosensitive resin composition, laminate using the same and solid-state image pick-up device
CA2464856A1 (en) Austenitic stainless steel
TW200700866A (en) Display device
EP3435385B1 (en) Laminated transparent conductive film, laminated wiring film, and method for producing laminated wiring film
WO2015183439A3 (en) Lanthanum molybdat abradable coatings, their methods of formation and use
JP2008095186A (ja) 接点材用銅基析出型合金板材およびその製造方法
TW200604363A (en) Enhanced sputter target alloy compositions
WO2008028981A3 (fr) Procédé pour déposer sur un substrat une couche mince d'alliage métallique et un alliage métallique sous forme de couche mince
EP2113952A3 (en) Piezoelectric ceramic and piezoelectric element employing it
EP2662466A3 (en) Process for producing thermoelectric semiconductor alloy, thermoelectric conversion module, thermoelectric power generating device, rare earth alloy, producing process thereof, thermoelectric conversion material, and thermoelectric conversion system using filled skutterudite based alloy
UA92213C2 (ru) Полупроводниковый материал для термоэлектрического применения и термоэлектрический генератор, включающий его
WO2009066750A1 (ja) エッチング液組成物
RU2010107680A (ru) Прослойки, включающие стабилизированные средства оксида вольфрама
WO2010013497A1 (ja) フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット
EP1806433A3 (en) Diffusion barrier layer and methods of forming
JP2015165563A5 (https=)
EP2006263A4 (en) CERAMIC POWDER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2008114868A1 (ja) プリント基板端子用Ｓｎめっき銅合金材
EP2719780A1 (en) Fine crystallite high-performance metal alloy member and method for manufacturing same
IN2014MN01011A (https=)