KR950004284A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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Abstract

데이타기록 혹은 소거에 고전압을 사용하는 EEPROM을 내장한 집적회로에 있어서, 낮은 전원전압으로 동작할 수 있는 직접회로가 개시되어 있다. 비트선(BL1,BL2)에 고전압을 공급하기 위한 Vpp 스위치(400a~400d,460e,460f), 콘트롤 게이트선(CGL1,CGL2) 및 워드선(WL1,WL2)이 개시되어 있으며, 각 Vpp 스위치는 다이어드 접속된 트랜지스터(M60,M70)와 커패시터(C40,C50)를 포함하는 복수단의 차지펌프를 포함한다.
Vpp 스위치는 향상된 차지업 능력을 가지며, 낮은 전원전압으로 고전압으로 전달할 수 있다.
따라서, Vpp 스위치가 낮은 전원전압으로 동작가능하게 된다.

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 집적회로의 EEPROM 메모리셀 어레이의 주변부의 구성을 나타내는 회로도, 제2도는 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 Vpp 발생회로의 구성을 설명하는 회로도, 제3도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 집적회로의 EEPROM 메모리셀 어레이의 주변부의 구성을 나타내는 회로도, 제4도는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 집적회로의 EEPROM 메모리셀 어레이의 주변부의 구성을 나타내는 회로도, 제5도는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 집적회로의 Vpp 발생회로의 구성을 설명하는 회로도.

Claims (6)

  1. 데이타의 전기적 기록 및 소거가 가능한 불휘발성 메모리 트랜지스터를 각각 포함하며, 매트릭스 형태로 배열된 복수의메모리셀을 가지는 EEPROM 메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이의 데이타 기록 및 소거에 필요한 고전압을 발생하기위한 수단과, 메모리셀에 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 수단과, 상기 메모리셀 어레이에의 데이타 기록, 판독, 소거동작을 제어하기 위하여 상기 수단을 제어하는 수단과를 포함하되, 메모리셀에 고전압을 선택적으로 공급하기 위한상기 수단이, 선택을 행하기 위한 선택용 트랜지스터와, 각 차지펌프용 트랜지스터의 드레인과 게이트가 서로 접속된 복수의 차지펌프용 트랜지스터와 복수의 커패시터와를 포함하며, 상기 복수의 차지펌프용 트랜지스터와 상기 복수의 커패시터가 복수단의 차지펌프를 구성하는 반도체 집적회로.
  2. 데이타의 전기적 기록 및 소거가 가능한 불휘발성 메모리 트랜지스터를 각각 포함하며, 매트릭스 형태로 배열된 복수의메모리셀을 가지는 EEPROM 메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이에의 데이타 기록 및 소거에 필요한 고전압을 발생하기 위한 수단과, 메모리셀에 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 수단과, 상기 메모리셀 어레이에의 데이타 기록,판독, 소거동작을 제어하기 위하여 상기 수단을 제어하는 수단과를 포함하되, 메모리셀에 고전압을 선택적으로 공급하기위한 상기 수단이, 선택을 행하기 위한 선택용 트랜지스터와, 드레인과 게이트가 서로 접속된 차지펌프용 트랜지스터와,커패시터와를 포함하며, 상기 차지펌프용 트랜지스터와 상기 커패시터가 차지펌프를 구성하고, 차지펌프용 트랜지스터의한계전압이 선택용 트랜지스터의 한계전압보다 낮도록 상기 선택용 트랜지스터와 상기 차지펌프용 트랜지스터의 한계전압이 다른 값으로 설정되는 반도체 집적회로.
  3. 데이타의 전기적 기록 및 소거가 가능한 불휘발성 메모리 트랜지스터를 각각 포함하며, 매트릭스 형태로 배열된 복수의메모리셀을 가지는 EEPROM 메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이의 데이타 기록 및 소거에 필요한 고전압을 발생하기위한 수단과, 메모리셀에 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 수단과, 상기 메모리셀 어레이의 데이타 기록, 판독,소거동작을 제어하기 위하여 상기 수단을 제어하는 수단과를 포함하되, 메모리셀에 고전압을 선택적으로 공급하기 위한상기 수단이, 선택을 행하기 위한 선택용 트랜지스터와, 각 차지펌프용 트랜지스터의 드레인과 게이트가 서로 접속된 비트선의 차지펌프용 트랜지스터와, 복수의 커패시터와를 포함하며, 상기 복수의 차지펌프용 트랜지스터와 상기 복수의 커패시터가 복수단의 차지펌프를 구성하고, 차지펌프용 트랜지스터의 한계전압이 선택용 트랜지스터의 한계전압보다 낮도록상기 선택용 트랜지스터와 상기 차지펌프용 트랜지스터의 한계전압이 다른 값으로 설정되는 반도체 집적회로.
  4. 데이타의 전기적 기록 및 소거가 가능한 불휘발성 메모리 트랜지스터를 각각 포함하며, 매트릭스 형태로 배열된 복수의메모리셀을 가지는 EEPROM 메모리셀 어레이와, 상기 메모리셀 어레이의 데이타 기록 및 소거에 필요한 고전압을 발생하기위한 수단과, 메모리셀에 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 수단과, 고전압이 급상승하는 것을 방지하기 위하여상기 고전압의 파형을 정형하기 위한 수단과, 상기 메모리셀 어레이에의 데이타 기록, 판독, 소거동작을 제어하기 위하여상기 수단을 제어하는 수단과를 포함하되, 상기 파형을 정형하기 위한 수단이 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한상기 수단을 통과하는 고전압을 입력하고, 상기 파형을 정형하기 위한 수단이 상기 입력된 고전압에 따라 파형정형을 실행하는 반도체 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 파형을 정형하기 위한 수단이 상기 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 상기 수단의 더미회로를 포함하고, 상기 더미회로가 상기 파형을 정형하기 위한 수단의 입력에 고전압을 공급하기 위해서만 사용되는 반도체 집적회로.
  6. 제4항에 있어서, 고전압을 선택적으로 공급하기 위한 상기 수단을 통과하는 고전압중 가장 높은 고전압을 검출하기 위한고전압 검출수단을 또한 포함하고, 상기 고전압 검출수단이 파형을 정형하기 위한 상기 수단의 입력에 상기 검출된 가장높은 고전압을 공급하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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