KR940010221A - 소수화(疎水化) 처리방법 및 장치 - Google Patents

소수화(疎水化) 처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼의 소수화 처리를 행하기 위한 어드히젼 장치는, 처리액인 HMDS를 저류하는 탱크와, 탱크로부터의 HMDS의 증기 캐리어가스의 혼합처리가스를 웨이퍼의 표면에 공급하여 처리하는 처리용기을 구비한다. 처리용기내에는, 웨이퍼를 처리중에 얹어놓는대가 배열설치된다. 얹어놓는대에는, 웨이퍼의 온도를 제어하기 위하여, 히이터와, 냉각용수를 통과시키는 냉각통로가 내장된다. 처리용기의 배기관에는, 배기가스중의 HMDS 농도를 측정하는 농도측정부가 배열설치된다. 온도 제어신호는 온도조절부에 전달되고, 온도조절부는 이 신호에 따라서, 히이터로의 공급전류, 또는 냉각통로로의 냉각용수의 공급유량을 조절하고, 얹어놓는부의 온도를 변경한다.

Description

소수화(疎水化) 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 소수화 처리장치를 나타내는 개략도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 관한 소수화 처리장치를 나타내는 개략도,
제3도는 본 발명의 제1도 또는 제2도에 나타낸 장치를 가지는 레지스트도포 및 현상시스템을 나타내는 개략평면도,
제4도는 2개의 농도측정부를 이용하는 경우의 변경례를 나타내는 도면.

Claims (20)

  1. 가스도입관과 배기관이 접속된 처리용기내에서 피처리막의 표면을 소수화처리하는 방법으로서, 상기 기판을 상기 처리용기내에 수납하고, 상기 처리용기를 밀폐하는 공정과, 상기 도입관을 통하여, 처리액의 증기와 캐리어가스로 이루어지는 처리혼합가스를 상기 처리용기 내에 도입함과 함께, 상기 배기관을 통하여, 상기 처리용기를 배기하는 공정과, 상기 배기관을 통과하는 배기가스중의 상기 처리액의 농도를 측정하는 공정과, 상기 농도의 측정치를 농도설정치와 비교하는 공정과, 상기 농도설정치는 소수화처리의 소정의 진행도에 기초하여 결정되는 것과, 상기 배교의 결과에 기초하여 상기 기판의 처리조건의 적어도 한개를 변경하는 공정을 구비하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 한개의 처리조건이, 처리온도이며, 여기서 상기 측정치가 상기 설정치보다 낮은 경우는 상기 처리온도를 상승시키고, 상기 측정치가 상기 설정치보다 높은 경우는 상기 처리온도를 낮추는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 처리용기내에 배열설치되며 또한 온도조절수단을 내장하는 얹어놓는대 상에 상기 기판을 얹어놓는 공정을 더욱 포함하며, 상기 온도조절수단에 의하여 상기 기판의 처리온도를 변경하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 한개의 처리조건이 처리시간이며, 여기서, 상기 측정치가 상기 설정치보다 낮은 경우는 상기 처리시간을 길게 하고, 상기 측정치가 상기 설정치보다 높은 경우는 상기 처리시간을 짧게 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 처리시간이 상기 처리혼합가스의 상기 처리용기로의 도입을 정지하는 것에 의하여 규정되는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 캐리어 가스는, 상기 처리액내를 통과하여 그 증기를 인출하기 위한 제1유로와, 상기 처리액내를 통과하지 않고 인출된 증기를 희석하기 위한 제2유로와로 나누어져 상기 도입관에 도입되고, 상기 처리시간의 종료시는 상기 제1 및 제2유로가 함께 폐쇄되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 한개의 처리조건이 상기 도입관을 흐르는 상기 처리혼합가스중의 상기 처리액의 농도이며, 상기 캐리어 가스는, 상기 처리액내를 통과하여 그 증기를 인출하기 위한 제1유로와, 상기 처리액내를 통과하지 않고 인출된 증기를 희석하기 위한 제2유로와로 나누어져 상기 도입관에 도입되며, 상기 제2유로를 흐르는 상기 캐리어 가스의 유량을 조정함으로써 상기 처리혼합가스중의 상기 처리액의 농도가 변경되는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 농도의 측정이, 합성 2분자막 센서에 의하여 행해지고, 상기 센서는, 진동자와 상기 진동자를 피복하는 합성 2분자막을 구비하고, 상기 막에 흡착한 물질의 양에 따라서 상기 진동자의 진동수가 바뀌는 것에 의하여 상기 농도를 측정하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 농도를 측정후, 상기 합성 2분자막의 표면에 흡착한 물질을 제거하는 제거공정을 더욱 구비하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제거 공정은, 상기 센서를 수용하며 또한 상기 배기관에 접속된 콘테이너를 상기 캐리어 가스와 실질적으로 동일한 가스로 치환하는 것에 의하여 행해지는 방법.
  11. 피처리기판의 표면을 소수화처리하는 장치로서, 처리용기와, 상기 처리용기내에 배열설치된 상기 기판을 지지하는 지지수단과, 상기 기판의 처리온도를 조정하는 온도조절수단과, 처리액의 증기와 캐리어가스로 구성되는 처리혼합가스를 상기 처리용기 내에 도입하기 위하여, 상기 처리용기에 접속된 가스도입관과, 상기 처리용기를 배기하기 위한 상기 처리용기에 접속된 배기관과, 상기 배기관에 접속되고, 상기 배기관을 통과하는 배기가스중의 상기 처리액의 농도를 측정하는 농도측정수단과, 상기 측정수단에 의한 농도측정치를 농도설정치와 비교하고, 상기 비교의 결과에 기초하여 상기 기판의 처리조건의 적어도 하나를 변경하는 제어수단과, 상기 농도설정치는 소수화처리의 소정의 진행도에 기초하여 결정되는 것을 구비하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 제어수단에 접속되며 또한 이것에 의하여 조정되는 것과, 상기 적어도 하나의 처리조건은 처리온도이며, 상기 제어수단은 상기 온도조절단을 통하여, 상기 측정치가 상기 설정치보다 낮은 경우는 상기 처리온도를 높이고, 상기 측정치가 상기 설정치보다 높은 경우는 상기 처리온도를 낮추는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 지지수단은 상기 처리용기내에 배열설치되고 또한 상기 온도조절수단을 내장하는, 상기 기판을 얹어놓기 위한 얹어놓는대를 구비하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리조건은 처리시간이며, 상기 제어수단은, 상기 측정치가 상기 설정치보다 낮은 경우는 상기 처리시간은 길게 하고, 상기 측정치가 상기 설정치보다 높은 경우는 상기 처리시간을 짧게 하는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 처리시간을 상기 처리혼합가스의 상기 처리용기로의 도입을 정지함에 의하여 규정하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 캐리어가스를 상기 도입관에 도입하기 위한 제1 및 제2유로를, 상기 제1유로는 상기 캐리어가스의 일부가 상기 처리액내를 통과하여 그 증기를 인출하도록 배치되고, 상기 제2유로는 상기 캐리어가스의 다른 부분이 상기 처리액내를 통과하지 않고 인출된 증기를 희석하도록 배치되는 것과, 상기 제1및 제2유로에 각각 배열설치됨과 함께, 상기 제어수단에 접속되며 또한 이것에 의하여 개폐되는 제1및 제2개폐밸브를 더욱 구비하며, 상기 제어수단은, 상기 처리시간의 종료시에 상기 제1및 제2개폐밸브에 의하여 상기 제1및 제2유로를 개폐하는 장치.
  17. 제11항에 있어서, 상기 캐리어 가스를 상기 도입관에 도입하기 위한 제1및 제2유로와, 상기 제 1유로는 상기 캐리어가스의 일부가 상기 처리액내를 통과하여 그 증기를 인출하도록 배치되고, 상기 제2유로는 상기 캐리어가스의 다른 부분이 상기 처리액내를 통과하지 않고 인출된 증기를 희석하도록 배치되는 것과, 상기 제2유로에 각각 배열설치됨과 동시에, 상기 제어수단에 접속되며 또한 이것에 의하여 개방도 조정되는 유량조정밸브와를 더욱 구비하며, 상기 제어수단은 상기 유량 조절 밸브에 의하여, 상기 제2유로를 흐르는 상기 캐리어가스의 유량을 조정함으로써 상기 처리혼합가스 중의 상기 처리액의 농도를 변경하는 장치.
  18. 제11항에 있어서, 상기 농도측정수단은 합성 2분자막 센서를 구비하고, 상기 센서는, 진동자와 상기 진동자를 피복하는 합성 2분자막을 구비하고, 상기 막에 흡착한 물질의 양에 따라서 상기 진동자의 진동이 변함에 의하여, 상기 농도를 측정하는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 농도측정수단은 상기 센서를 수용하고 또한 상기 배기관에 접속된 콘테이너를 구비하는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 콘테이너에 상기 캐리어가스와 실질적으로 동일한 가스를 도입하고 또한 상기 콘테이너를 동일 가스로 치환하기 위하여, 상기 콘테이너에 퍼지관이 접속되는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379649B1 (ko) * 1996-11-01 2003-07-22 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법및기판처리장치

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0551105A3 (en) * 1992-01-07 1993-09-15 Fujitsu Limited Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern
JP2870719B2 (ja) * 1993-01-29 1999-03-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3278988B2 (ja) * 1993-06-30 2002-04-30 ソニー株式会社 シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
US5424097A (en) * 1993-09-30 1995-06-13 Specialty Coating Systems, Inc. Continuous vapor deposition apparatus
TW301037B (ko) * 1993-11-19 1997-03-21 Sony Co Ltd
JPH07312329A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 密着強化処理装置および密着強化処理方法
JP3468842B2 (ja) * 1994-06-03 2003-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板表面処理装置
TW338174B (en) * 1995-01-06 1998-08-11 Tokyo Electron Co Ltd Apparatus for supplying a treatment material
JPH0969557A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの保管/輸送方法
US5879808A (en) * 1995-10-27 1999-03-09 Alpha Metals, Inc. Parylene polymer layers
US5709753A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
US5578505A (en) * 1995-12-15 1996-11-26 Micron Technology, Inc. Methods for measuring the surface area of a semiconductor wafer
KR100234376B1 (ko) * 1996-04-09 1999-12-15 윤종용 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 액정 표시장치의 제조방법
US5763006A (en) * 1996-10-04 1998-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for automatic purge of HMDS vapor piping
KR100414303B1 (ko) * 1996-12-03 2004-03-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체웨이퍼제조장비의가스오염불량방지장치
DE69717595T2 (de) 1996-12-20 2003-07-10 Seiko Epson Corp Elektrostatischer Betätiger und Verfahren zur Herstellung
SG63825A1 (en) * 1997-03-11 1999-03-30 Applied Materials Inc In situ monitoring of contaminants in semiconductor processing chambers
US5806319A (en) * 1997-03-13 1998-09-15 Wary; John Method and apparatus for cryogenically cooling a deposition chamber
US6051276A (en) * 1997-03-14 2000-04-18 Alpha Metals, Inc. Internally heated pyrolysis zone
US5841005A (en) * 1997-03-14 1998-11-24 Dolbier, Jr.; William R. Parylene AF4 synthesis
TW403791B (en) * 1997-06-02 2000-09-01 Applied Materials Inc Quartz crystal microbalance for measurement of CVD exhaust deposits
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US6207006B1 (en) 1997-09-18 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
JPH11274024A (ja) 1998-03-18 1999-10-08 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
KR100292953B1 (ko) * 1998-06-23 2001-11-30 윤종용 반도체소자제조용식각장치및이를이용한식각방법
US6402844B1 (en) * 1998-09-08 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing unit
JP4524806B2 (ja) * 1999-01-07 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 疎水膜形成装置、疎水膜形成方法及び静電アクチュエータ製造方法
US6312808B1 (en) 1999-05-03 2001-11-06 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating with DLC & FAS on substrate
US6475573B1 (en) 1999-05-03 2002-11-05 Guardian Industries Corp. Method of depositing DLC inclusive coating on substrate
US6284377B1 (en) 1999-05-03 2001-09-04 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6335086B1 (en) 1999-05-03 2002-01-01 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6368664B1 (en) 1999-05-03 2002-04-09 Guardian Industries Corp. Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon
US6491987B2 (en) 1999-05-03 2002-12-10 Guardian Indusries Corp. Process for depositing DLC inclusive coating with surface roughness on substrate
US6461731B1 (en) 1999-05-03 2002-10-08 Guardian Industries Corp. Solar management coating system including protective DLC
US6280834B1 (en) 1999-05-03 2001-08-28 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC and/or FAS on substrate
US6447891B1 (en) 1999-05-03 2002-09-10 Guardian Industries Corp. Low-E coating system including protective DLC
US6277480B1 (en) 1999-05-03 2001-08-21 Guardian Industries Corporation Coated article including a DLC inclusive layer(s) and a layer(s) deposited using siloxane gas, and corresponding method
US6168830B1 (en) * 1999-07-28 2001-01-02 National Science Council Of Republic Of China Process for fabricating crystalline metal oxide material
KR100514256B1 (ko) * 1999-11-30 2005-09-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 챔버의 파티클 방지방법
JP2001313252A (ja) * 2000-02-22 2001-11-09 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001291655A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd 疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム
JP3944487B2 (ja) * 2000-04-11 2007-07-11 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造装置
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US7349090B2 (en) * 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
WO2002025708A2 (en) 2000-09-20 2002-03-28 Kla-Tencor-Inc. Methods and systems for semiconductor fabrication processes
US6479879B1 (en) * 2000-11-16 2002-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Low defect organic BARC coating in a semiconductor structure
US20040166584A1 (en) * 2000-12-21 2004-08-26 Ashutosh Misra Method and apparatus for monitoring of a chemical characteristic of a process chemical
KR100404651B1 (ko) * 2001-02-22 2003-11-10 유니셈 주식회사 반도체 제조 설비용 냉각장치
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
EP1391140B1 (en) * 2001-04-30 2012-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
EP1559299A1 (en) * 2002-10-07 2005-08-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for manufacturing a light emitting display
US20040157430A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for processing semiconductor wafers with plasma processing chambers in a wafer track environment
WO2004085309A1 (ja) * 2003-03-24 2004-10-07 Japan Science And Technology Agency カーボンナノ構造物の高効率合成方法、装置及びカーボンナノ構造物
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
FR2894165B1 (fr) * 2005-12-01 2008-06-06 Sidel Sas Installation d'alimentation en gaz pour machines de depot d'une couche barriere sur recipients
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4830523B2 (ja) 2006-02-08 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。
TWI328254B (en) 2006-03-30 2010-08-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
KR100798277B1 (ko) * 2006-10-16 2008-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법
KR100835524B1 (ko) * 2007-05-03 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지센서의 제조방법
JP5303954B2 (ja) * 2008-02-15 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理方法、疎水化処理装置、塗布、現像装置及び記憶媒体
DE102009011521A1 (de) * 2009-03-06 2010-09-16 Wolfgang Folger Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Eisperlen aus einem wässrigen Gemisch
IT1394814B1 (it) * 2009-07-13 2012-07-13 St Microelectronics Srl Trattamento superficiale di un substrato organico o inorganico per migliorare la stabilità di uno strato metallico depositato e definito litograficamente
JP5083285B2 (ja) * 2009-08-24 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び記憶媒体
WO2012098730A1 (ja) 2011-01-19 2012-07-26 シーケーディ株式会社 液体気化器
JP5989944B2 (ja) 2011-09-30 2016-09-07 Ckd株式会社 液体制御装置
KR101892758B1 (ko) 2011-09-30 2018-10-04 시케이디 가부시키가이샤 액체 제어 장치
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5973178B2 (ja) 2012-02-01 2016-08-23 Ckd株式会社 液体制御装置
JP5919115B2 (ja) 2012-07-12 2016-05-18 Ckd株式会社 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体
US10443127B2 (en) * 2013-11-05 2019-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process
JP6487747B2 (ja) * 2015-03-26 2019-03-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置と処理ガス供給ノズル
JP6811097B2 (ja) * 2017-01-13 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN109962026B (zh) * 2017-12-26 2022-04-19 无锡华润上华科技有限公司 一种晶圆的预处理方法及光刻方法
US11031244B2 (en) * 2018-08-14 2021-06-08 Lam Research Corporation Modification of SNO2 surface for EUV lithography

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US4524126A (en) * 1981-06-30 1985-06-18 International Business Machines Corporation Adhesion of a photoresist to a substrate
JPH0236276Y2 (ko) * 1985-01-10 1990-10-03
JPH0665209B2 (ja) * 1985-03-22 1994-08-22 住友電気工業株式会社 気相成長による半導体製造装置
JPS63141321A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Electronics Eng Co Ltd ガス異常反応制御方式
JPS63182816A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 気相成長法による半導体製造装置
US4789564A (en) * 1987-03-31 1988-12-06 Union Carbide Corporation Hydridoaminosilane treatment for rendering surfaces water-repellent
JPH0333058Y2 (ko) * 1987-06-26 1991-07-12
JPH01108744A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JPH0318016A (ja) * 1989-06-15 1991-01-25 Fuji Electric Co Ltd 3―v族化合物半導体結晶の気相成長装置
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
JPH03140471A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
JP2758247B2 (ja) * 1990-03-26 1998-05-28 三菱電機株式会社 有機金属ガス利用薄膜形成装置
JPH0443630A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Nec Corp 半導体製造装置
JPH04167432A (ja) * 1990-10-31 1992-06-15 Sony Corp 酸化シリコン薄膜の液相成長装置
JP3130550B2 (ja) * 1991-03-15 2001-01-31 コニカ株式会社 蒸着装置
JPH04295089A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導膜製造装置
JP3141162B2 (ja) * 1991-03-27 2001-03-05 日本酸素株式会社 薄膜製造装置
JP2876072B2 (ja) * 1991-10-29 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5304398A (en) * 1993-06-03 1994-04-19 Watkins Johnson Company Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379649B1 (ko) * 1996-11-01 2003-07-22 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법및기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100244439B1 (ko) 2000-02-01
JPH06132209A (ja) 1994-05-13
JP2906006B2 (ja) 1999-06-14
US5401316A (en) 1995-03-28
US5501870A (en) 1996-03-26

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