JPH11100662A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH11100662A JPH11100662A JP26183497A JP26183497A JPH11100662A JP H11100662 A JPH11100662 A JP H11100662A JP 26183497 A JP26183497 A JP 26183497A JP 26183497 A JP26183497 A JP 26183497A JP H11100662 A JPH11100662 A JP H11100662A
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- Japan
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- chamber
- room
- vacuum
- pressure difference
- pressure
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】処理前後あるいは処理中に被処理物が支持機構
から浮上して脱落するのを防止するとともに、第１の部
屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の部材
を汚染するのを防止することを課題とする。 【解決手段】反応ガスを流す第１の部屋22とウェハ26を
加熱するヒータ29が存在する第２の部屋23に仕切られる
真空槽21と、この真空槽21内を排気する排気口25と、前
記真空槽21の第１の部屋22に気体を導入する吸気口24
と、前記第１の部屋22と第２の部屋23の圧力差を緩和す
る貫通孔30とを具備することを特徴とする真空処理装
置。
から浮上して脱落するのを防止するとともに、第１の部
屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の部材
を汚染するのを防止することを課題とする。 【解決手段】反応ガスを流す第１の部屋22とウェハ26を
加熱するヒータ29が存在する第２の部屋23に仕切られる
真空槽21と、この真空槽21内を排気する排気口25と、前
記真空槽21の第１の部屋22に気体を導入する吸気口24
と、前記第１の部屋22と第２の部屋23の圧力差を緩和す
る貫通孔30とを具備することを特徴とする真空処理装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に被処理物の処理時に該被処理物の浮上を防止す
る機構を有した真空処理装置に関する。
し、特に被処理物の処理時に該被処理物の浮上を防止す
る機構を有した真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被処理物例えばウェハに被膜を堆
積するスパッタ処理においては、ウェハを処理する側と
ウェハを加熱する側とは別々な部屋になっている。そし
て、ウェハを処理する側の部屋にはウェハを処理する反
応ガスを流す吸気口や、排気する排気口が接続されてい
るため、吸排気によりウェハを加熱する側の部屋との間
に圧力差が生じる場合がある。その結果、両部屋の圧力
差により、ウェハの処理時にウェハが浮上する恐れがあ
る。
積するスパッタ処理においては、ウェハを処理する側と
ウェハを加熱する側とは別々な部屋になっている。そし
て、ウェハを処理する側の部屋にはウェハを処理する反
応ガスを流す吸気口や、排気する排気口が接続されてい
るため、吸排気によりウェハを加熱する側の部屋との間
に圧力差が生じる場合がある。その結果、両部屋の圧力
差により、ウェハの処理時にウェハが浮上する恐れがあ
る。
【０００３】そこで、従来、図２に示すような構成の真
空処理装置が提案されている。図中の符番１は真空槽で
あり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋２と第２の部
屋３に仕切られている。前記第１の部屋２には、吸気口
４、排気口５が設けられている。前記真空槽１の略中央
部には、ウェハ６を載置する支持機構７が設けられてい
る。この支持機構７の周囲には回転機構８が設けられて
いる。前記第２の部屋３にはウェハ６を加熱する加熱機
構９が設けられている。前記真空槽１には、ウェハを上
下動させる昇降機構10が設けられている。ここで、ウェ
ハ６の処理工程前後の吸排気で第１の部屋２の圧力変動
が大きい場合に、昇降機構10でウェハ６を支持機構７か
ら浮かしておき、処理直前から処理直後に圧力を安定さ
せて支持機構７上に設置して処理する。
空処理装置が提案されている。図中の符番１は真空槽で
あり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋２と第２の部
屋３に仕切られている。前記第１の部屋２には、吸気口
４、排気口５が設けられている。前記真空槽１の略中央
部には、ウェハ６を載置する支持機構７が設けられてい
る。この支持機構７の周囲には回転機構８が設けられて
いる。前記第２の部屋３にはウェハ６を加熱する加熱機
構９が設けられている。前記真空槽１には、ウェハを上
下動させる昇降機構10が設けられている。ここで、ウェ
ハ６の処理工程前後の吸排気で第１の部屋２の圧力変動
が大きい場合に、昇降機構10でウェハ６を支持機構７か
ら浮かしておき、処理直前から処理直後に圧力を安定さ
せて支持機構７上に設置して処理する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空処理装置においては、処理中のウェハ６は支持機構
７に支持されており、処理中に第１の部屋２の圧力が第
２の部屋３の圧力に比べて小さくなった場合、ウェハ６
が支持機構７から浮上して脱落する場合がある。
真空処理装置においては、処理中のウェハ６は支持機構
７に支持されており、処理中に第１の部屋２の圧力が第
２の部屋３の圧力に比べて小さくなった場合、ウェハ６
が支持機構７から浮上して脱落する場合がある。
【０００５】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、真空槽内で仕切られた第１の部屋と第２の部屋
の圧力差を緩和する圧力差緩和手段を設けることによ
り、処理前後あるいは処理中に被処理物が支持機構から
浮上して脱落するのを防止しえる真空処理装置を提供す
ることを目的とする。
もので、真空槽内で仕切られた第１の部屋と第２の部屋
の圧力差を緩和する圧力差緩和手段を設けることによ
り、処理前後あるいは処理中に被処理物が支持機構から
浮上して脱落するのを防止しえる真空処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】また、本発明は、更に第１の部屋と第２の
部屋の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の部
屋をつなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、前
記第２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送る
流量調節バルブを具備した構成とすることにより、第１
の部屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の
部材を汚染するのを防止できる真空処理装置を提供する
ことを目的とする。
部屋の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の部
屋をつなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、前
記第２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送る
流量調節バルブを具備した構成とすることにより、第１
の部屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の
部材を汚染するのを防止できる真空処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応ガスを流
す第１の部屋と被処理物を加熱する加熱源が存在する第
２の部屋に仕切られる真空槽と、前記真空槽の第１の部
屋に気体を導入する導入手段と、前記真空槽の第１の部
屋内を排気する排気手段と、前記第１の部屋と第２の部
屋の圧力差を緩和する圧力差緩和手段とを具備すること
を特徴とする真空処理装置である。
す第１の部屋と被処理物を加熱する加熱源が存在する第
２の部屋に仕切られる真空槽と、前記真空槽の第１の部
屋に気体を導入する導入手段と、前記真空槽の第１の部
屋内を排気する排気手段と、前記第１の部屋と第２の部
屋の圧力差を緩和する圧力差緩和手段とを具備すること
を特徴とする真空処理装置である。
【０００８】本発明において、前記圧力差緩和手段とし
ては、第１の部屋と第２の部屋を仕切る部材例えば非処
理物の支持機構に設けられた貫通穴が挙げられる。この
貫通穴を設けることにより、第１の部屋と第２の部屋と
で、圧力の高い側から低い側へ部屋内の気体が流れ込
み、部屋間の圧力差を緩和し、被処理物に作用する力を
減少させ、被処理物の支持機構からの浮上、脱落を防止
できる。
ては、第１の部屋と第２の部屋を仕切る部材例えば非処
理物の支持機構に設けられた貫通穴が挙げられる。この
貫通穴を設けることにより、第１の部屋と第２の部屋と
で、圧力の高い側から低い側へ部屋内の気体が流れ込
み、部屋間の圧力差を緩和し、被処理物に作用する力を
減少させ、被処理物の支持機構からの浮上、脱落を防止
できる。
【０００９】また、本発明において、第１の部屋と第２
の部屋の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の
部屋をつなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、
前記第２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送
る流量調節バルブを具備することが好ましい。これは、
第１の部屋と第２の部屋を貫通穴で単につなぐだけで
は、第１の部屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加
熱源等の部材を汚染する恐れがあるので、これを防ぐ意
味で有効である。
の部屋の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の
部屋をつなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、
前記第２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送
る流量調節バルブを具備することが好ましい。これは、
第１の部屋と第２の部屋を貫通穴で単につなぐだけで
は、第１の部屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加
熱源等の部材を汚染する恐れがあるので、これを防ぐ意
味で有効である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る真空
処理装置について図を参照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の符番21は真空槽で
あり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋22と第２の部
屋23に仕切られている。前記第１の部屋22には、吸気口
24、排気口25が設けられている。前記真空槽21の略中央
部には、被処理物としてのウェハ26を載置する支持機構
としてのサセプタ27が設けられている。このサセプタ27
の周囲には回転機構28が設けられている。前記第２の部
屋23にはウェハ26を加熱する加熱機構としてのヒータ29
が設けられている。前記サセプタ27には圧力差緩和手段
としての貫通穴30が設けられている。
処理装置について図を参照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の符番21は真空槽で
あり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋22と第２の部
屋23に仕切られている。前記第１の部屋22には、吸気口
24、排気口25が設けられている。前記真空槽21の略中央
部には、被処理物としてのウェハ26を載置する支持機構
としてのサセプタ27が設けられている。このサセプタ27
の周囲には回転機構28が設けられている。前記第２の部
屋23にはウェハ26を加熱する加熱機構としてのヒータ29
が設けられている。前記サセプタ27には圧力差緩和手段
としての貫通穴30が設けられている。
【００１１】実施例１に係る真空装置によれば、真空槽
21を第１の部屋22と第２の部屋23に仕切る部材の一つで
あるサセプタ27に貫通穴30が設けられた構成となってい
るため、この貫通穴30を通して第１の部屋22と第２の部
屋23とで、圧力の高い側から低い側へ気体が流れ込み、
部屋22，23間の圧力差を緩和できる。従って、処理前後
あるいは処理中にウェハ26がサセプタ27から浮上して脱
落することを防止できる。
21を第１の部屋22と第２の部屋23に仕切る部材の一つで
あるサセプタ27に貫通穴30が設けられた構成となってい
るため、この貫通穴30を通して第１の部屋22と第２の部
屋23とで、圧力の高い側から低い側へ気体が流れ込み、
部屋22，23間の圧力差を緩和できる。従って、処理前後
あるいは処理中にウェハ26がサセプタ27から浮上して脱
落することを防止できる。
【００１２】なお、上記実施例では、サセプタに貫通穴
を設けた場合について述べたが、これに限らず、他の部
材に貫通穴を設けて第１の部屋と第２の部屋との連通を
行ってもよい。また、貫通穴の数も１つに限らず、両部
屋の圧力差を考慮して複数設けてもよい。
を設けた場合について述べたが、これに限らず、他の部
材に貫通穴を設けて第１の部屋と第２の部屋との連通を
行ってもよい。また、貫通穴の数も１つに限らず、両部
屋の圧力差を考慮して複数設けてもよい。
【００１３】（実施例２）図３を参照する。図中の符番
31は真空槽であり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋
32と第２の部屋33に仕切られている。前記第１の部屋32
には、吸気口34、排気口35が設けられている。前記真空
槽31の略中央部には、被処理物としてのウェハ36を載置
する支持機構としてのサセプタ37が設けられている。こ
のサセプタ37の周囲には回転機構38が設けられている。
前記第２の部屋33にはウェハ36を加熱する加熱機構とし
てのヒータ39が設けられている。
31は真空槽であり、反応ガスの吸排気を行う第１の部屋
32と第２の部屋33に仕切られている。前記第１の部屋32
には、吸気口34、排気口35が設けられている。前記真空
槽31の略中央部には、被処理物としてのウェハ36を載置
する支持機構としてのサセプタ37が設けられている。こ
のサセプタ37の周囲には回転機構38が設けられている。
前記第２の部屋33にはウェハ36を加熱する加熱機構とし
てのヒータ39が設けられている。
【００１４】前記第１の部屋32と第２の部屋33は、両部
屋32，33の圧力差を測定する差圧計40を介装した配管41
により接続されている。また、部屋32，33は、前記配管
43によるコンダクタンスを可変するコンダクタンス可変
バルブ42を介装した配管43により接続されている。更
に、前記第２の部屋33には、該第２の部屋33の圧力を高
めるガスを送る流量調節バルブ44を介装した配管45が接
続されている。
屋32，33の圧力差を測定する差圧計40を介装した配管41
により接続されている。また、部屋32，33は、前記配管
43によるコンダクタンスを可変するコンダクタンス可変
バルブ42を介装した配管43により接続されている。更
に、前記第２の部屋33には、該第２の部屋33の圧力を高
めるガスを送る流量調節バルブ44を介装した配管45が接
続されている。
【００１５】こうした構成の真空処理装置においては、
第１の部屋32から第２の部屋33への気体の進入を避ける
場合は、第２の部屋33へ流量調節バルブ44を介装した配
管43を用いて気体を導入する。そして、両部屋32，33の
圧力差を差圧計40により測定し、第１の部屋32の圧力が
第２の部屋33に比べて減少した場合には、第２の部屋33
への気体の導入量を減らすとともに、両部屋32，33間を
つなぐ配管43のコンダクタンスを大きくする。逆に、第
１の部屋32の圧力が第２の部屋33に比べて増大した場合
には、第２の部屋33への気体の導入量を増やすととも
に、配管43のコンダクタンスを小さくする制御を行う。
第１の部屋32から第２の部屋33への気体の進入を避ける
場合は、第２の部屋33へ流量調節バルブ44を介装した配
管43を用いて気体を導入する。そして、両部屋32，33の
圧力差を差圧計40により測定し、第１の部屋32の圧力が
第２の部屋33に比べて減少した場合には、第２の部屋33
への気体の導入量を減らすとともに、両部屋32，33間を
つなぐ配管43のコンダクタンスを大きくする。逆に、第
１の部屋32の圧力が第２の部屋33に比べて増大した場合
には、第２の部屋33への気体の導入量を増やすととも
に、配管43のコンダクタンスを小さくする制御を行う。
【００１６】実施例２に係る真空処理装置によれば、第
１の部屋32と第２の部屋33との圧力差を測定し、その圧
力差に応じて第２の部屋33へ流量調節バルブ44を介装し
た配管45を用いて気体を導入して、両部屋32，33間をつ
なぐ配管43のコンダクタンス調節できる構成となってい
るため、ウェハのサセプタ27からの浮上、脱落を防止で
きる他、ヒータ39等の部材が反応ガスにより汚染される
のを防止できる。
１の部屋32と第２の部屋33との圧力差を測定し、その圧
力差に応じて第２の部屋33へ流量調節バルブ44を介装し
た配管45を用いて気体を導入して、両部屋32，33間をつ
なぐ配管43のコンダクタンス調節できる構成となってい
るため、ウェハのサセプタ27からの浮上、脱落を防止で
きる他、ヒータ39等の部材が反応ガスにより汚染される
のを防止できる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、真
空槽内で仕切られた第１の部屋と第２の部屋の圧力差を
緩和する圧力差緩和手段を設けることにより、処理前後
あるいは処理中に被処理物が支持機構から浮上して脱落
するのを防止しえる真空処理装置を提供できる。
空槽内で仕切られた第１の部屋と第２の部屋の圧力差を
緩和する圧力差緩和手段を設けることにより、処理前後
あるいは処理中に被処理物が支持機構から浮上して脱落
するのを防止しえる真空処理装置を提供できる。
【００１８】更に、本発明は、第１の部屋と第２の部屋
の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の部屋を
つなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、前記第
２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送る流量
調節バルブを具備した構成とすることにより、第１の部
屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の部材
を汚染するのを防止できる真空処理装置を提供できる。
の圧力差を測定する手段と、第１の部屋と第２の部屋を
つなぐ配管のコンダクタンスを可変する手段と、前記第
２の部屋に該第２の部屋の圧力を高めるガスを送る流量
調節バルブを具備した構成とすることにより、第１の部
屋に流す反応ガスが第２の部屋に流れて加熱源等の部材
を汚染するのを防止できる真空処理装置を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に係る真空処理装置の説明
図。
図。
【図２】従来の真空処理装置の説明図。
【図３】本発明の実施例２に係る真空処理装置の説明
図。
図。
21、31…真空槽、 22、32…第１の部屋、 23、33…第２の部屋、 24、34…吸気口、 25、35…排気口、 26、36…ウェハ、 27、37…サセプタ、 28、38…回転機構、 29、39…ヒータ、 40…差圧計、 42…コンダクタンス可変バルブ、 41、43、45…配管、 44…流量調節バルブ。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガスを流す第１の部屋と被処理物を
加熱する加熱源が存在する第２の部屋に仕切られる真空
槽と、前記真空槽の第１の部屋に気体を導入する導入手
段と、前記真空槽の第１の部屋内を排気する排気手段
と、前記第１の部屋と第２の部屋の圧力差を緩和する圧
力差緩和手段とを具備することを特徴とする真空処理装
置。 - 【請求項２】 圧力差緩和手段が第１の部屋と第２の部
屋を仕切る部材に設けられた貫通穴であることを特徴と
する請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 第１の部屋と第２の部屋の圧力差を測定
する手段と、第１の部屋と第２の部屋をつなぐ配管のコ
ンダクタンスを可変する手段と、前記第２の部屋に該第
２の部屋の圧力を高めるガスを送る流量調節バルブを具
備することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183497A JPH11100662A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183497A JPH11100662A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100662A true JPH11100662A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17367396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26183497A Pending JPH11100662A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11100662A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004528721A (ja) * | 2001-05-29 | 2004-09-16 | アイクストロン、アーゲー | 支持体およびその上にガス支持され回転駆動される基板保持器から構成される装置 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26183497A patent/JPH11100662A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004528721A (ja) * | 2001-05-29 | 2004-09-16 | アイクストロン、アーゲー | 支持体およびその上にガス支持され回転駆動される基板保持器から構成される装置 |
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