JP4278407B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板等の被処理基板を密封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾンガスと溶媒蒸気例えば水蒸気等の処理流体を供給して処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやLCD基板等(以下にウエハ等という)にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。
【0003】
前記レジスト除去の手段として洗浄装置が用いられている。近年では、環境保全の観点から廃液処理が容易なオゾン(O3)を用いてレジスト除去を行うことが要望されている。そこで、最近では、処理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気{処理ガスを溶かし込むことが可能な溶媒の蒸気}例えば水蒸気を用いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規に提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−353184(特許請求の範囲、段落番号0023〜0025,0073〜0076、図1)
この洗浄方法によれば、処理容器内に収容されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給して、ウエハ等のレジストを除去することができる。
【0005】
また、この洗浄方法を利用した基板処理システムの洗浄処理工程においては、処理容器内にウエハ等を収容した後、処理容器内を昇温、加圧した状態で、処理ガス例えばオゾンガスと溶媒蒸気例えば水蒸気とからなる処理流体を供給して、ウエハ等のレジストを除去することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の洗浄処理工程においては、処理容器内の圧力が、洗浄処理性能(エッチング性能)に対して大きく影響していることが知られていた。そこで、従来では、処理容器内の圧力を調整するために、処理容器に接続する排出管路に例えばマニュアル式の流量調整弁を介設して、排気流量を可変として処理容器内の圧力を調整していた。しかしながら、処理中には、処理容器内に処理ガス及び溶媒蒸気が供給されるため、処理容器内の圧力が変動するという問題があった。
【0007】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、処理中の処理容器内の圧力を容易にかつ確実に調整して圧力変動を抑制すると共に、処理性能の向上を図れるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の基板処理装置は、処理容器内に収容された被処理基板に処理流体を供給して、処理容器内を加圧した状態で、被処理基板を処理する基板処理装置を前提とし、 内部で前記被処理基板の処理が行われる処理容器と、 前記処理容器に接続され、前記処理流体を前記処理容器内に供給する供給管路と、 前記処理容器に接続され、前記処理流体を前記処理容器から排出する排出管路と、 前記排出管路に介設され、前記処理容器内の所定圧に基づいて動作可能なリリーフ弁と、 前記排出管路に、前記リリーフ弁と並列に介設される開閉弁と、 前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出手段と、 前記圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて前記開閉弁の開閉制御を行う制御手段と、を具備してなり、 前記処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、前記リリーフ弁から排出しつつ、前記制御手段によって前記開閉弁を開き、前記処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、前記制御手段によって前記開閉弁を閉じるようにした、ことを特徴とする(請求項1)。ここで、処理流体には、処理ガスと溶媒蒸気との混合流体を使用することができる(請求項4)。
【0009】
この発明の基板処理装置において、前記排出管路に、開閉弁と直列に流量調整弁を介設する方が好ましい(請求項2)。この場合、流量調整弁として、例えば固定絞り弁あるいはマニュアル式の絞り弁を使用することができる。
【0010】
また、前記圧力検出手段は、処理容器内の圧力を検出するものであれば、処理容器内に配設されるものであっても差し支えないが、好ましくは前記排出管路に、圧力検出手段を接続する方がよい(請求項3)。
【0011】
また、この発明の基板処理方法は、処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気からなる処理流体を供給して、処理容器内を加圧した状態で、被処理基板を処理する基板処理方法を前提とし、 前記被処理基板が収容された前記処理容器内に前記処理ガスを供給する工程と、 前記処理容器内に前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程と、 前記処理ガスを供給する工程中に、リリーフ弁を用いて前記処理容器内の圧力を調整する工程と、 前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、上記リリーフ弁を用いて前記処理容器内の圧力を調整しながら開閉弁を開閉制御することにより前記処理容器内の圧力を調整する工程とを有し、 前記リリーフ弁及び開閉弁は、前記処理容器に接続された排出管路に並列に介設されている、ことを特徴とする(請求項5)。
【0012】
また、この発明の基板処理方法は、前記処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、リリーフ弁から排出しつつ、開閉弁を開き、前記処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、前記開閉弁を閉じるようにしたことを特徴とする(請求項5)。
【0013】
この発明の基板処理方法において、前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、開閉弁を開閉制御することにより前記処理容器内の圧力を調整する工程は、排出管路に接続される圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて前記開閉弁を開閉制御する方が好ましい(請求項6)。
【0014】
請求項1記載の発明によれば、被処理基板が収容された処理容器内に処理流体を供給して被処理基板を処理する工程中に、排出管路に介設されたリリーフ弁を用いて処理容器内の圧力を調整しながら、リリーフ弁と並列に介設された開閉弁を開閉制御して処理容器内の圧力を調整することにより、開閉弁のみの制御で起こる圧力変動をリリーフ弁が吸収(緩衝)するので、処理容器内の圧力変動を抑制することができる。
【0015】
請求項2記載の発明によれば、排出管路に、開閉弁と直列に流量調整弁を介設することにより、開閉弁の開放によって処理流体が急激に多量の排出量で排出されるのを抑制することができる。したがって、圧力制御(圧力変動の抑制)を更に高精度に行うことができる。
【0016】
請求項3,6記載の発明によれば、排出管路に接続された圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて開閉弁を開閉制御することにより、処理容器内の温度等に影響されずに処理容器内の圧力を正確に検出することができ、開閉弁の開閉制御を高精度に行うことができる。
【0017】
請求項4,5記載の発明によれば、被処理基板が収容された処理容器内に処理ガスを供給する工程中に、処理容器に接続された排出管路に介設されたリリーフ弁を用いて処理容器内の圧力を調整し、その後、処理容器内に処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、上記リリーフ弁を用いて前記処理容器内の圧力を調整しながら排出管路にリリーフ弁と並列に介設された開閉弁を開閉制御して処理容器内の圧力を調整することにより、開閉弁のみの制御で起こる圧力変動をリリーフ弁が吸収(緩衝)するので、処理容器内の圧力変動を抑制することができる。
【0018】
請求項1,5記載の発明によれば、処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、リリーフ弁から排出しつつ、開閉弁を開き、処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、開閉弁を閉じるようにして、処理容器内を所望の圧力(目標圧)に設定することができる。したがって、処理ガス及び溶媒蒸気を処理容器内に供給して処理する際の処理容器内の圧力を更に容易かつ確実に調整することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置をウエハの表面に対してレジスト除去処理及び洗浄処理等するように構成された基板処理装置としての基板処理ユニットに適用した場合について説明する。
【0020】
図1は、複数の基板処理ユニットを組込んだ処理システムを示す概略平面図、図2は、処理システムの概略側面図である。
【0021】
上記基板処理システム1は、被処理体例えば半導体ウエハW(以下、ウエハWという)に処理及び処理後の熱処理を施す処理部2と、この処理部2にウエハWを搬入・搬出する搬入出部3とで主要部が構成されている。
【0022】
上記搬入出部3は、処理前及び処理後の複数枚例えば25枚のウエハWを収納するウエハキャリアCと、このウエハキャリアCを載置するための載置台6が設けられたイン・アウトポート4と、載置台6に載置されたキャリアCと処理部2との間で、ウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送装置7が備えられたウエハ搬送部5とで構成されている。
【0023】
ウエハキャリアCの側面には開口が設けられており、この開口には開閉可能な蓋体が設けられている。この蓋体を開蓋した状態でウエハWがウエハキャリアCの一側面を通して搬入出されるように構成されている。また、ウエハキャリアCの内壁には、ウエハWを所定間隔で保持するための棚板が設けられており、この棚板によってウエハWを収容する例えば25個のスロットが形成されている。なお、ウエハWは半導体デバイスを形成する面が上面となっている状態で、各スロットに1枚ずつ収容される。
【0024】
上記イン・アウトポート4の載置台6には、例えば3個のウエハキャリアCを水平面のY方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。ウエハキャリアCは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート4とウエハ搬送部5との仕切壁8側に向けて載置される。仕切壁8においてウエハキャリアCの載置場所に対応する位置には窓部9が形成されており、窓部9のウエハ搬送部5側には、窓部9をシャッタ等により開閉する窓開閉機構10が設けられている。
【0025】
ウエハ搬送部5に配設されたウエハ搬送装置7は、水平のY方向及び鉛直のZ方向に移動自在であり、かつ、水平面のX−Y平面内で回転(θ方向)自在に構成されている。また、ウエハ搬送装置7は、ウエハWを把持する取出収納アーム11を有し、この取出収納アーム11はX方向にスライド自在に構成されている。このようにして、ウエハ搬送装置7は、載置台6に載置されたすべてのウエハキャリアCの任意の高さのスロットにアクセスし、また、処理部2に配設された上下2台のウエハ受け渡しユニット16,17にアクセスして、イン・アウトポート4側から処理部2側へ、逆に処理部2側からイン・アウトポート4側へウエハWを搬送することができるように構成されている。
【0026】
上記処理部2は、搬送手段である主ウエハ搬送装置18と、ウエハ搬送部5との間でウエハWの受け渡しを行うためにウエハWを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット16,17と、基板処理ユニット12,13,14,15と、この発明に係る基板処理装置である基板処理ユニット23a〜23hとを具備している。
【0027】
また、処理部2には、基板処理ユニット23a〜23hに供給する処理ガス例えばオゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置24と、基板洗浄ユニット12〜15に送液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット25とが配設されている。処理部2の天井部には、各ユニット及び主ウエハ搬送装置18に、清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット(FFU)26が配設されている。
【0028】
上記ファンフィルターユニット(FFU)26からのダウンフローの一部は、ウエハ受け渡しユニット16,17と、その上部の空間を通ってウエハ搬送部5に向けて流出する構造となっている。これにより、ウエハ搬送部5から処理部2へのパーティクル等の侵入が防止され、処理部2内が清浄に保たれる。
【0029】
上記ウエハ受け渡しユニット16,17は、いずれもウエハ搬送部5との間でウエハWを一時的に載置するものであり、これらウエハ受け渡しユニット16,17は上下2段に積み重ねられて配置されている。この場合、下段のウエハ受け渡しユニット17は、イン・アウトポート4側から処理部2側へ搬送するようにウエハWを載置するために用いられ、上段のウエハ受け渡しユニット16は、処理部2側からイン・アウトポート4側へ搬送するウエハWを載置するために用いられる。
【0030】
上記主ウエハ搬送装置18は、X方向とZ方向に移動可能であり、かつ、X−Y平面内で図示しないモータによって回転(θ方向)可能に形成されている。また、主ウエハ搬送装置18は、ウエハWを保持する搬送アーム18aを具備し、この搬送アーム18aはY方向にスライド自在に形成されている。このように構成される主ウエハ搬送装置18は、ウエハ搬送部5に配設されたウエハ搬送装置7と、基板洗浄ユニット12〜15、基板処理ユニット23a〜23hの全てのユニットにアクセス可能に配設されている。
【0031】
各基板洗浄処理ユニット12,13,14,15においては、基板処理ユニット23a〜23hにおいて、レジスト水溶化処理が施されたウエハWに対して洗浄処理及び乾燥処理が施されるようになっている。更に、その後、薬液を使用した洗浄処理及び乾燥処理が可能になっている。
【0032】
なお、図1に示すように、基板洗浄処理ユニット12,13と、基板洗浄処理ユニット14,15とは、その境界をなしている壁面27に対して対称な構造を有しているが、対称であることを除けば、各基板洗浄処理ユニット12,13,14,15は概ね同様の構造となっている。
【0033】
一方、基板処理ユニット23a〜23hは、ウエハW表面に塗布されているレジストを水溶化処理を行うものである。ここで、水溶化処理とは、水に不溶性のレジスト膜を水溶性の膜に変質させる処理である。これら基板処理ユニット23a〜23hは、図2に示すように、上下方向に4段で各段に2台ずつ配設されている。左段には基板処理ユニット23a,23b,23c,23dが上から順に配設され、右段には基板処理ユニット23e,23f,23g,23hが上から順に配設されている。図1に示すように、基板処理ユニット23aと基板処理ユニット23e、基板処理ユニット23bと基板処理ユニット23f、基板処理ユニット23cと基板処理ユニット23g、基板処理ユニット23dと基板処理ユニット23hとは、その境界をなしている壁面28に対して対称な構造を有しているが、対称である以外は、各基板処理ユニット23a〜23hは概ね同様の構造となっている。そこで、基板処理ユニット23a,23bを代表例として、以下にその構造について詳細に説明する。
【0034】
図3は、基板処理ユニット23a,23bの配管系統を示す概略構成図である。基板処理ユニット23a,23bに備えられる処理容器30A,30Bには、それぞれ溶媒蒸気供給管路40(40A,40B)(以下に、主供給管路という)を介して1つの溶媒蒸気供給源である蒸気発生装置41が接続されており、この主供給管路40(40A,40B)に供給切換手段60(60A,60B)が介設されている。なお、主供給管路40(40A,40B)における蒸気発生装置41と供給切換手段60(60A,60B)との間の外部には、ヒータ50が配設されている。
【0035】
また、供給切換手段60(60A,60B)には、処理ガス供給源であるオゾンガス発生装置42が接続されると共に、窒素(N2)ガス供給源43が接続されている。この場合、供給切換手段60(60A,60B)は、それぞれ主供給管路40を連通・遮断する第1の切換弁(開閉弁)61と、オゾンガス供給管路44を連通・遮断する第2の切換弁(開閉弁)62と、N2ガス供給管路45を連通・遮断する第3の切換弁(開閉弁)63とを具備している。なお、N2ガス供給管路45には、大流量用絞り46aと小流量用絞り46bを切換可能な流量切換弁46が介設されると共に、開閉弁V1が介設されている。
【0036】
また、蒸気発生装置41には開閉弁V2が介設された純水供給管路48を介して純水供給源49が接続されている。純水供給管路48における開閉弁V2の下流側(二次側)には、分岐管路70を介してN2ガス供給源43が接続されている。分岐管路70には開閉弁V3が介設されている。両開閉弁V2,V3は、開状態と閉状態をとることができる。また、蒸気発生装置41の下部には、ドレン弁DVを介設したドレン管路47が接続されており、このドレン管路47を介して蒸気発生装置41内に残留する純水を外部に排出し得るように構成されている。
【0037】
一方、処理容器30A,30Bにおける主供給管路40の接続部と対向する部位には排出管路80(80A,80B)が接続されている。この排出管路80には、圧力調整用のリリーフ弁90(90A,90B)が介設されており、基板処理ユニット23a,23bの外部の排出口81(EXHAUST)に接続されている。また、排出管路80におけるリリーフ弁90(90A,90B)の上流側(一次側)と下流側(二次側)には分岐排出管路82が接続されており、この分岐排出管路82には、開閉弁例えば空気圧によって開閉するエアオペバルブ91(91A,91B)と流量調整用の絞り弁92(92A,92B)とが直列に介設されている。このように、エアオペバルブ91(91A,91B)と流量調整用の絞り弁92(92A,92B)とを直列に配設することにより、エアオペバルブ91(91A,91B)が開放された際に、処理容器30A,30B内から処理流体が急激に多量に排出されるのを、絞り弁92(92A,92B)によって抑制することができる。これにより、エアオペバルブ91(91A,91B)の圧力制御(圧力変動の抑制)を高精度に行うことができる。なお、絞り弁92(92A,92B)は、固定絞り弁でもよく、あるいは、マニュアル式の絞り弁を用いてもよい。
【0038】
この場合、リリーフ弁90は、操作用空気によって作動するダイアフラム式弁にて形成されており、処理容器30(30A,30B)内の目標圧(設定圧)前後例えば約80kPa前後の空気圧が印加(供給)されたとき、又は排気時に開放して処理流体が排出されるようになっている。
【0039】
また、前記エアオペバルブ91(91A,91B)は、後述する圧力計93によって検出された検出信号に基づいて操作用空気が印加(供給)されることによって開放して処理流体が排出されるようになっている。
【0040】
なお、前記エアオペバルブ91(91A,91B)は必ずしも上述の構造である必要はなく、弁体(図示せず)をニードル状に形成したニードル式エアオペバルブを用いてもよい。
【0041】
また、排出管路80におけるリリーフ弁90(90A,90B)とエアオペバルブ91(91A,91B)の上流側には接続管路94を介して圧力検出手段である圧力センサ例えば圧力計93(93A,93B)が接続されている。このように排出管路80に接続管路94を介して圧力計93(93A,93B)を接続することにより、処理容器30A,30B内が高温度に設定された場合においても、熱的影響を受けることなく処理容器30A,30B内の圧力を正確に検出することができる。
【0042】
この圧力計93(93A,93B)によって検出された圧力検出信号はコントローラ例えば中央演算処理装置200(以下に、CPU200という)に伝達される。CPU200からの制御信号がエアオペバルブ91(91A,91B)に伝達されて、エアオペバルブ91(91A,91B)が制御されるようになっている。この場合、エアオペバルブ91(91A,91B)は、圧力計93(93A,93B)によって検出された検出圧力に基づくCPU200からの制御信号によって開閉制御されるようになっている。
【0043】
なお、排出口81には、図示しないが、排出された処理流体中のオゾンガスを含む気体と液体とに分離する冷却手段及びミストトラップと、オゾンガスを酸素に熱分解するオゾンキラーが接続されている。
【0044】
次に、処理容器30A,30Bの構成について、処理容器30Aを代表例として説明する。処理容器30Aは、図5及び図6に示すように、ウエハWを収容する容器本体100と、容器本体100の上面を覆い、容器本体100との間に処理空間S1を形成する蓋体101とで主要部が構成されている。
【0045】
容器本体100は、図4及び図5に示すように、ウエハWより小径の円盤状のベース100aと、ベース100aの外側に起立する円周壁100bと、ベース100aと円周壁100bとの間に周設される凹溝100cとを備えている。
【0046】
ベース100aには、同一円周上の等間隔位置の3箇所に受渡部材112が設けられており、受渡部材112の基部112aの上面に設けられた支持ピン112bにウエハWを載置可能に形成されている。また、基部112aの下面には、支持ロッド112cが設けられており、図示しない昇降手段例えばシリンダによって上下移動可能に構成されている。また、基部112aの下面にはOリング112dが設けられており、レジスト水溶化処理(オゾン処理)時に基部112aの下面とベース100aとを密着させて処理空間S1を密閉することができるようになっている。受渡部材112をこのように構成することにより、昇降手段によって基部112aを上方に移動して、主ウエハ搬送装置18との間でウエハWを受け取ることができると共に、基部112aを下降してウエハWを支持部材111に載置することができる。
【0047】
また、ベース100aは、内部にヒータ105が内蔵されており、処理容器30A内の雰囲気及びウエハWを昇温可能に形成されている。
【0048】
凹溝100cには、レジスト水溶化処理(オゾン処理)時にウエハWを支持する支持部材111が等間隔で4箇所に設けられている。
【0049】
支持部材111は、容器本体100に収容されたウエハW下面の周縁4箇所に当接し、収容位置に支持されたウエハW下面とベース100a上面との間に約1mm程度の高さの隙間G1を形成する基部111aと、収容位置に支持されたウエハWの水平方向のずれを防止し、ウエハWを安定的に支持する係止部111bとで構成されている。なお、支持部材111は例えばPTFE等の合成樹脂製部材によって形成されている。
【0050】
円周壁100bの上面には、同心円上に二重に設けられた周溝にそれぞれ嵌合されるOリング115a,115bが備えられている。これにより、ベース100aの周縁部上面と後述する蓋体101の垂下壁101b下面とを密着させ、処理空間S1を密閉することができる。
【0051】
また、円周壁100bには、処理容器30A内に処理流体を導入する供給口120と、処理容器30A内に導入された処理流体を排出する排出口121が容器本体100の中心に対して対向する位置に設けられ、供給口120には主供給管路40が、また、排出口121には排出管路80がそれぞれ接続されている。
【0052】
また、供給口120と排出口121は、図4及び図5に示すように、中心を挟んで対向する位置の2箇所に凹溝100cの底部側に開口している。これにより、供給口120から導入される処理流体は、一度凹溝100cの壁に衝突して分散された後、反対側の排出口121から排出される。
【0053】
蓋体101は、内部にヒータ125が内蔵された基体101aと、基体101aの周縁部下面に垂下される垂下壁101bとから構成されており、図示しないシリンダ機構によって蓋体101を下降させると、垂下壁101bが上述した円周壁100bの0リング115a,115bに密接し、収容位置に支持されたウエハW上面と基体101a下面との間に約1mm程度の高さの隙間G2を形成すると共に、処理容器30A内が密閉される。
【0054】
次に、上記のように構成された処理システム1におけるウエハWの処理工程を説明する。まず、イン・アウトポート4の載置台6に載置されたキャリアCから取出収納アーム11によって一枚ずつウエハWが取り出される。取出収納アーム11は、取り出したウエハWをウエハ受け渡しユニット17に搬送する。次に、主ウエハ搬送装置18がウエハ受け渡しユニット17からウエハWを受け取り、主ウエハ搬送装置18によって各基板処理ユニット23a〜23hに適宜搬入する。そして、各基板処理ユニット23a〜23hにおいて、ウエハWの表面に塗布されているレジストが水溶化される。所定のレジスト水溶化処理が終了したウエハWは、搬送アーム18aによって各基板処理ユニット23a〜23hから適宜搬出される。その後、ウエハWは、搬送アーム18aによって各基板洗浄ユニット12,13,14,15のいずれかに適宜搬入され、ウエハWに付着している水溶化されたレジストを除去する洗浄処理が純水等により施される。これにより、ウエハWに塗布されていたレジストが剥離される。各基板洗浄ユニット12,13,14,15では、ウエハWに対して洗浄処理を施した後、必要に応じて薬液を用いてパーティクル、及び金属汚染物質の除去処理が行われた後、乾燥処理が行われる。その後、ウエハWは再び搬送アーム18aによって受け渡しユニット16に搬送される。そして、受け渡しユニット16から取出収納アーム11にウエハWが受け取られ、取出収納アーム11によってレジストが剥離されたウエハWがキャリアC内に収納される。
【0055】
次に、基板処理ユニット23a〜23hの動作態様について、基板処理ユニット23aを代表して説明する。まず、容器本体100に対して蓋体101を離間させた状態で、主ウエハ搬送装置18の搬送アーム18aを蓋体101の下方に移動させ、受渡部材112が、搬送アーム18aからウエハWを受け取る。次に、図示しないシリンダを駆動して受渡部材112を下降させると、支持部材111が受渡部材112からウエハWを受け取り、ウエハWの周縁部4箇所を支持してウエハW下面とベース100a上面との間に隙間G1が形成される。
【0056】
次に、蓋体101を下降させると、蓋体101の垂下壁101bが容器本体100の円周壁100bの上面に当接すると共に、Oリング115a,115bを圧接して容器本体100を密閉する。この際、ウエハW上面と基体101a下面との間には隙間G2が形成される。
【0057】
主ウエハ搬送装置18は、処理容器30AにウエハWを搬入すると、次に、処理容器30AにウエハWを搬入したのと同様にして、受け渡しユニット17からウエハWを受け取り、処理容器30AにウエハWを搬入した時点から所定時間後にオゾン処理ユニット23bにウエハWを搬入するようCPU200によって制御される。このようにして、主ウエハ搬送装置18は、所定時間間隔でオゾン処理ユニット23a〜23fに順次ウエハWを搬入する。
【0058】
ウエハWが処理容器30A内に搬入されると、蓋体101を容器本体100に密閉した状態において、ヒータ105,125の作動により、処理容器30A内の雰囲気及びウエハWを昇温させる(昇温工程)。これにより、ウエハWのレジスト水溶化処理(オゾン処理)を促進させることができる。
【0059】
処理容器30A内の雰囲気及びウエハWが十分に昇温すると、CPU200に対して十分に昇温した旨の情報が伝達され、CPU200は、処理容器30Aに対してオゾンガスの供給を開始するよう制御信号を送る。
【0060】
次いで、供給切換手段60を作動させてオゾンガス発生装置42からオゾンガス供給管路44を介して処理容器30A内に所定濃度のオゾンガスを供給する。そして、処理容器30A内の圧力を一定に保ちながら処理容器30A内をオゾンガス雰囲気にする。このとき、処理容器30A内が目標圧前後に達すると、リリーフ弁90とエアオペバルブ91が作動して、処理容器30A内の圧力は、大気圧より高い状態、例えばゲージ圧0.2MPa程度に保たれる。このようにして、処理容器30A内に所定濃度のオゾンガスを充填する。このとき、ヒータ105,125の加熱によって、処理容器30A内の雰囲気及びウエハWの温度が維持される。また、排出管路80によって排気した処理容器30A内の雰囲気は、ミストトラップ(図示せず)に排出される。
【0061】
その後、第1及び第2の切換弁61,62を作動させて処理容器30A内にオゾンガスと水蒸気とを同時に処理容器30A内に供給して、ウエハWのレジスト水溶化処理を行う。このとき、圧力計93(93A)によって処理容器30A内の圧力が検出されてCPU200に伝達され、CPU200からの制御信号に基づいてエアオペバルブ91が開閉制御されて、処理容器30A内の圧力が所定圧に調整される。蒸気発生装置41から供給される水蒸気は、図示しない温度調節器によって所定温度、例えば約115℃程度に温度調節されながら主供給管路40(40A)を通過し、供給切換手段60においてオゾンガスと混合して処理容器30A内に供給される。この場合も、処理容器30A内の圧力は、大気圧よりも高い状態、例えばゲージ圧0.2MPa程度に保たれている。すなわち、CPU200内で設定された所定圧力の値と実際の計測値が比較され、処理容器30A内の圧力が所定圧力(設定圧、目標圧)より高くなったらエアオペバルブ91が開き、また、所定圧力(設定圧、目標圧)より低くなったら、エアオペバルブ91が閉じるように制御されることによって処理容器30A内の圧力が大気圧よりも高い状態に保たれている。処理容器30A内にオゾンガス雰囲気が確立された後も、ヒータ105,125の加熱により、処理容器30A内の雰囲気温度及びウエハWの温度は所定温度に維持される。このようにして、処理容器30A内に充填したオゾンガスと水蒸気の混合処理流体によってウエハWの表面に塗布されたレジストを水溶化させる(処理工程)。したがって、処理容器30A内の圧力制御(特に昇温)及び温度制御(特に昇温)を迅速に行えるので、レジスト水溶化処理性能の向上が図れる。また、処理流体すなわちオゾンガス及び水蒸気の消費量を低減することができる。更には、処理容器30Aひいては基板装置ユニットの小型化が図れる。
【0062】
レジスト水溶化処理中は、主供給管路40(40A)から混合処理流体の供給を続け、排出管路80(80A)から混合処理流体の排出を続ける。このとき、主供給管40Aに接続された供給口37はウエハWの一側に混合処理流体を吐出し、また、排出管路80に接続された排出口38がウエハWの周囲において供給口37と対向する位置から混合処理流体を排出する。したがって、ウエハWに供給された混合処理流体は、ウエハWの上面と蓋体101との間に形成された処理空間S1を、排出口38及び排出管路80に向かって流れる。また、ウエハWの周囲の混合処理流体は、ウエハWの周縁に沿って排出口38及び排出管路80に流れる。
【0063】
所定のレジスト水溶化処理が終了した後、処理容器30Aからオゾンガスと水蒸気の混合処理流体を排出する。まず、流量切換弁46を大流量部46a側に切り換えて空気供給源43から大量の清浄化されたN2ガスを処理容器30A内に供給すると共に、排出管路80に介設されたエアオペバルブ91を開放した状態にする。そして、処理容器30A内を排気しながらN2ガス供給源43からN2ガスを供給する。これにより、主供給管路40、処理容器30A、排出管路80の中を清浄化された乾燥空気によってパージすることができる。排出されたオゾンガスは、排出管路80によってミストトラップ(図示せず)に排出される(排出工程)。
【0064】
その後、図示しないシリンダを作動させて蓋体101を上方に移動させ、次に、受渡部材112を図示しないシリンダによって上昇させて、支持部材111に支持されているウエハWを受け取る。この状態で、主ウエハ搬送装置18の搬送アーム18aをウエハWの下方に進入させ、受渡部材112にて支持されているウエハWを受け取り、処理容器30A内からウエハWを搬出する(ウエハ搬出工程)。
【0065】
次に、上述したように処理容器30Aに水蒸気(及びオゾン)が供給されている間(水溶化処理時)に、処理容器30Bに水蒸気(及びオゾン)の供給を開始する場合の両処理容器30A,30Bの圧力調整について説明する。なお、処理容器30Bへの水蒸気供給開始前及び供給終了後の処理容器30Bへの流体(オゾン、パージN2等)の供給手段は処理容器30Aで行なわれる手順と同一である。
【0066】
処理容器30Aに接続された主供給管路40Aに介設された供給切換手段60Aの第1の切換弁61を開放した状態で、処理容器30Aに水蒸気を供給しているときに、更に処理容器30Bにも水蒸気を供給する際には以下のようにする。
【0067】
処理容器30Bが昇温され処理容器30Bに既にオゾンが満たされた後、処理容器30Bに接続された主供給管路40Bに介設された供給切換手段60Bの第1の切換弁61を開き、処理容器30B内への水蒸気の供給を開始する。このようにして、処理容器30B内にオゾンガス及び水蒸気が供給された状態において、排出管路80Bに介設されたリリーフ弁90(90B)及びエアオペバルブ91(91B)が上述と同様に制御されて、処理容器30B内の圧力調整される。これにより両処理容器30A,30Bの圧力は互いに同一に維持される。
【0068】
なお、上記実施形態では、2台の処理容器30A,30Bに、1つの蒸気発生装置41を接続した場合について説明したが、3台以上の複数の処理容器に1つの蒸気発生装置41を接続することも可能である。
【0069】
また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの表面に対してレジスト除去処理及び洗浄処理等するように構成された基板処理ユニットに適用した場合について説明したが、勿論、この発明は、エッチング処理や、また、半導体ウエハ以外の例えばLCD基板等の処理等にも適用できる。
【0070】
【実施例】
次に、この発明に係る基板処理装置(方法)による処理中(Vapor/O3処理中){以下にV/O3処理中という}の処理容器(チャンバ)内の圧力制御と従来の圧力制御とを比較するための実験について説明する。
【0071】
実験に当って、圧力条件を以下のようにした。すなわち、
オゾン(O3)流量:1〜10(L/min)、
チャンバ圧力(V/O3処理中の圧力):約100(kPa)
チャンバヒータ設定温度:100〜130(℃)
水蒸気(Vapor)供給量:10〜100(g/min)
蒸気発生装置(ベーパーライザ)圧力:約100(kPa)
上記圧力条件の下で、
(1)V/O3処理中にチャンバに接続された排出管路に介設されたリリーフ弁の圧力制御を行ったところ、図6に示すような結果が得られた。
【0072】
(2)V/O3処理中にチャンバに接続された排出管路に介設された開閉弁のON/OFF制御{ON:90.0kPa、OFF:87.0kPa}を行ったところ、図7に示すような結果が得られた。
【0073】
(3)V/O3処理中にチャンバに接続された排出管路に並列に介設されたリリーフ弁の圧力制御と開閉弁のON/OFF制御とを1分(min)間行ったところ、図8に示すような結果が得られた。
【0074】
上記実験の結果、実験(1)のものは、圧がある一定値に達すると、抜けずに上昇し続けてしまうため、制御不能であった。これは、チャンバ内の温度が高温度であるため、合成樹脂製のリリーフ弁が熱的影響を受けたことが原因と推測される。また、実験(2)のものは、処理時間が長くなると圧が抜けなくなり、制御不能となる。また、圧力の振幅が25kPaと比較的大きいという問題があった。また、処理流体を滞りなく流すことが困難である。これは、供給側が一定であるが、排気側をON/OFF制御するためであると推測される。
【0075】
上記実験(1),(2)のものに対して、実験(3)のものは、圧力の振幅を小さくすることができ、処理中のチャンバ内の圧力変動を十分に抑制することができた。
【0076】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【0077】
1)請求項1記載の発明によれば、被処理基板が収容された処理容器内に処理流体を供給して被処理基板を処理する工程中に、排出管路に介設されたリリーフ弁を用いて処理容器内の圧力を調整しながら、リリーフ弁と並列に介設された開閉弁を開閉制御して処理容器内の圧力を調整することにより、開閉弁のみの制御で起こる圧力変動をリリーフ弁が吸収(緩衝)するので、処理容器内の圧力変動を抑制することができる。したがって、処理中の処理容器内の圧力を容易にかつ確実に調整して圧力変動を抑制することができると共に、処理性能の向上を図ることができる。
【0078】
2)請求項2記載の発明によれば、排出管路に、開閉弁と直列に流量調整弁を介設することにより、開閉弁の開放によって処理流体が急激に多量の排出量で排出されるのを抑制するので、上記1)に加えて更に圧力制御(圧力変動の抑制)を高精度に行うことができる。
【0079】
3)請求項3,6記載の発明によれば、排出管路に接続された圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて開閉弁を開閉制御するので、上記1)、2)に加えて更に処理容器内の温度等に影響されずに処理容器内の圧力を正確に検出することができ、開閉弁の開閉制御を高精度に行うことができる。
【0080】
4)請求項4,5記載の発明によれば、被処理基板が収容された処理容器内に処理ガスを供給する工程中に、処理容器に接続された排出管路に介設されたリリーフ弁を用いて処理容器内の圧力を調整し、その後、処理容器内に処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、排出管路にリリーフ弁と並列に介設された開閉弁を開閉制御して処理容器内の圧力を調整することにより、開閉弁のみの制御で起こる圧力変動をリリーフ弁が吸収(緩衝)するので、処理容器内の圧力変動を抑制することができる。したがって、処理中の処理容器内の圧力を容易にかつ確実に調整して圧力変動を抑制することができると共に、処理性能の向上を図ることができる。
【0081】
5)請求項1,5記載の発明によれば、処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、リリーフ弁から排出しつつ、開閉弁を開き、処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、開閉弁を閉じるようにして、処理容器内を所望の圧力(目標圧)に設定することができる。したがって、処理ガス及び溶媒蒸気を処理容器内に供給して処理する際の処理容器内の圧力を容易かつ確実に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る基板処理装置を適用した半導体ウエハの処理システムを示す概略平面図である。
【図2】前記処理システムの概略側面図である。
【図3】この発明に係る基板処理装置の配管系統を示す概略断面図である。
【図4】この発明における処理容器の開閉状態を示す概略断面図である。
【図5】前記処理容器の容器本体の構造を示す概略平面図である。
【図6】処理容器の排気側に配設されるリリーフ弁の圧力制御実験の圧力と時間の関係を示すグラフである。
【図7】処理容器の排気側に配設される開閉弁のON/OFF制御実験の圧力と時間の関係を示すグラフである。
【図8】この発明におけるリリーフ弁と開閉弁の圧力制御実験の圧力と時間の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理基板)
30A,30B 処理容器
40,40A,40B 主供給管路(溶媒蒸気供給管路)
41 蒸気発生装置(溶媒蒸気供給源)
42 オゾンガス発生装置(処理ガス供給源)
60,60A,60B 供給切換手段
80,80A,80B 排出管路
90,90A,90B リリーフ弁
91,91A,91B エアオペバルブ(開閉弁)
92,92A,92B 絞り弁(流量調整弁)
93,93A,93B 圧力計(圧力検出手段)
94 接続管路
200 CPU(制御手段)
Claims (6)
- 処理容器内に収容された被処理基板に処理流体を供給して、処理容器内を加圧した状態で、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
内部で前記被処理基板の処理が行われる処理容器と、
前記処理容器に接続され、前記処理流体を前記処理容器内に供給する供給管路と、
前記処理容器に接続され、前記処理流体を前記処理容器から排出する排出管路と、
前記排出管路に介設され、前記処理容器内の所定圧に基づいて動作可能なリリーフ弁と、
前記排出管路に、前記リリーフ弁と並列に介設される開閉弁と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出手段と、
前記圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて前記開閉弁の開閉制御を行う制御手段と、を具備してなり、
前記処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、前記リリーフ弁から排出しつつ、前記制御手段によって前記開閉弁を開き、前記処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、前記制御手段によって前記開閉弁を閉じるようにした、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
前記排出管路に、開閉弁と直列に流量調整弁を介設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載の基板処理装置において、
前記排出管路に、圧力検出手段を接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理流体は、処理ガスと溶媒蒸気を含む、ことを特徴とする基板処理装置。 - 処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気からなる処理流体を供給して、処理容器内を加圧した状態で、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板が収容された前記処理容器内に前記処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器内に前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程と、
前記処理ガスを供給する工程中に、リリーフ弁を用いて前記処理容器内の圧力を調整する工程と、
前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、前記リリーフ弁を用いて前記処理容器内の圧力を調整しながら開閉弁を開閉制御することにより前記処理容器内の圧力を調整する工程とを有し、
前記リリーフ弁及び開閉弁は、前記処理容器に接続された排出管路に並列に介設され、
前記処理容器内の圧力が設定圧以上に上昇したとき、前記リリーフ弁から排出しつつ、前記開閉弁を開き、前記処理容器内の圧力が設定圧より低下したとき、前記開閉弁を閉じるようにした、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項5記載の基板処理方法において、
前記処理ガス及び溶媒蒸気を供給する工程中に、開閉弁を開閉制御することにより前記処理容器内の圧力を調整する工程は、排出管路に接続される圧力検出手段によって検出された検出信号に基づいて前記開閉弁を開閉制御する、ことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003058827A JP4278407B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003058827A JP4278407B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004273553A JP2004273553A (ja) | 2004-09-30 |
JP4278407B2 true JP4278407B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=33121847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003058827A Expired - Fee Related JP4278407B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4278407B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150062906A (ko) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4705490B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | ダイヤフラム弁および基板処理装置 |
JP4653018B2 (ja) | 2006-06-02 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2008115899A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | ダイヤフラム弁および基板処理装置 |
JP4665037B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
CN104681426A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 细美事有限公司 | 基板处理装置及基板处理方法 |
KR102387088B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2022-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2003
- 2003-03-05 JP JP2003058827A patent/JP4278407B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150062906A (ko) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101591959B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2016-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004273553A (ja) | 2004-09-30 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081020 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150319 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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