JPH0969557A - ウエーハの保管／輸送方法 - Google Patents
ウエーハの保管／輸送方法Info
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- JPH0969557A JPH0969557A JP24546595A JP24546595A JPH0969557A JP H0969557 A JPH0969557 A JP H0969557A JP 24546595 A JP24546595 A JP 24546595A JP 24546595 A JP24546595 A JP 24546595A JP H0969557 A JPH0969557 A JP H0969557A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- G—PHYSICS
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- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はポリプロピレンその他の有機樹脂で
形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管した場
合においても、該ウエーハに有機物が付着する事なく、
高品質な状態を維持して保管若しくは輸送が可能なウエ
ーハの保管／輸送方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ポリプロピレンその他の有機
樹脂で形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管
する場合に、前記ケース内温度を−５０℃〜１５℃、好
ましくは−５０℃〜１０℃に設定して保管する事によ
り、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に低減、より具
体的にはウエーハ保管中の付着有機物の増加を実質的に
０にする事を知見してなされたものである。
形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管した場
合においても、該ウエーハに有機物が付着する事なく、
高品質な状態を維持して保管若しくは輸送が可能なウエ
ーハの保管／輸送方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ポリプロピレンその他の有機
樹脂で形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管
する場合に、前記ケース内温度を−５０℃〜１５℃、好
ましくは−５０℃〜１０℃に設定して保管する事によ
り、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に低減、より具
体的にはウエーハ保管中の付着有機物の増加を実質的に
０にする事を知見してなされたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエーハの保管／輸
送方法に係り、特に未パターニングウエーハをポリプロ
ピレンその他の有機樹脂容器内に保管する際の保管／輸
送方法に関する。
送方法に係り、特に未パターニングウエーハをポリプロ
ピレンその他の有機樹脂容器内に保管する際の保管／輸
送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体ウエーハは、インゴットをス
ライス切断／研磨／洗浄して形成された鏡面ウエーハ
を、集積回路製造メーカに輸送し、該集積回路製造メー
カ側でリソグラフィ／エッチング／熱処理／薄膜形成等
の所定のパターニング処理を行うものである。従ってか
かる半導体ウエーハは、前記ウエーハ製造メーカが製造
したパターニング前のウエーハを集積回路製造メーカ側
に供給する必要があり、この為、前記鏡面研磨後の未パ
ターニングウエーハを保管あるいは輸送するためのウエ
ーハ収納ケースが必要となる。
ライス切断／研磨／洗浄して形成された鏡面ウエーハ
を、集積回路製造メーカに輸送し、該集積回路製造メー
カ側でリソグラフィ／エッチング／熱処理／薄膜形成等
の所定のパターニング処理を行うものである。従ってか
かる半導体ウエーハは、前記ウエーハ製造メーカが製造
したパターニング前のウエーハを集積回路製造メーカ側
に供給する必要があり、この為、前記鏡面研磨後の未パ
ターニングウエーハを保管あるいは輸送するためのウエ
ーハ収納ケースが必要となる。
【０００３】そしてかかるウエーハ収納ケース５０は、
例えば図４に示す実開平１−１２９８３６号に開示され
ているように、多数のウエーハ１を並列に収納するため
のウエーハ支持溝５５を備えたウエーハバスケット５３
と、該バスケット５３を収納するウエーハケース本体５
０と、該ウエーハケース本体５０の上方開口部を覆蓋す
る上蓋５２と、ウエーハバスケット５３内のウエーハ１
を押さえて保持するためのウエーハ押さえ５４等により
構成されている。
例えば図４に示す実開平１−１２９８３６号に開示され
ているように、多数のウエーハ１を並列に収納するため
のウエーハ支持溝５５を備えたウエーハバスケット５３
と、該バスケット５３を収納するウエーハケース本体５
０と、該ウエーハケース本体５０の上方開口部を覆蓋す
る上蓋５２と、ウエーハバスケット５３内のウエーハ１
を押さえて保持するためのウエーハ押さえ５４等により
構成されている。
【０００４】そしてかかるウエーハ収納ケース５０は一
般にポリプロピレンやポリカーボネートその他の有機樹
脂で形成されているために、該収納ケースより有機物質
が放散（揮発）するのを避けられず、該有機物がケース
内のウエーハに付着し、種々の障害を引起こす。これに
ついては、本出願人が先に２枚の鏡面ウエーハの一方を
熱酸化して、当該酸化膜を介して両者を接合して構成さ
れるＳＯＩ構造のウエーハにおいて、鏡面研磨して洗浄
後、接合されるまでの間、前記有機物がウエーハ表面に
付着して多数の未接合小領域（ボイド）が形成されるの
を防止するために、有機物が含まれない清浄な雰囲気で
保管する事を特徴とするウエーハ保管方法を提案してい
る。（特開平４−８４４３１）
般にポリプロピレンやポリカーボネートその他の有機樹
脂で形成されているために、該収納ケースより有機物質
が放散（揮発）するのを避けられず、該有機物がケース
内のウエーハに付着し、種々の障害を引起こす。これに
ついては、本出願人が先に２枚の鏡面ウエーハの一方を
熱酸化して、当該酸化膜を介して両者を接合して構成さ
れるＳＯＩ構造のウエーハにおいて、鏡面研磨して洗浄
後、接合されるまでの間、前記有機物がウエーハ表面に
付着して多数の未接合小領域（ボイド）が形成されるの
を防止するために、有機物が含まれない清浄な雰囲気で
保管する事を特徴とするウエーハ保管方法を提案してい
る。（特開平４−８４４３１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらポリプロ
ピレンその他の有機樹脂で形成したウエーハ収納ケース
内にウエーハを保管した場合、有機物が含まれない清浄
な雰囲気で保管する事は不可能であり、その対策に苦慮
していた。
ピレンその他の有機樹脂で形成したウエーハ収納ケース
内にウエーハを保管した場合、有機物が含まれない清浄
な雰囲気で保管する事は不可能であり、その対策に苦慮
していた。
【０００６】本発明はポリプロピレンその他の有機樹脂
で形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管した
場合においても、該ウエーハに有機物が付着する事な
く、高品質な状態を維持して保管若しくは輸送が可能な
ウエーハの保管／輸送方法を提供することを目的とす
る。
で形成したウエーハ収納ケース内にウエーハを保管した
場合においても、該ウエーハに有機物が付着する事な
く、高品質な状態を維持して保管若しくは輸送が可能な
ウエーハの保管／輸送方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリプロピレ
ンその他の有機樹脂で形成したウエーハ収納ケース内に
ウエーハを保管する場合に、前記ケース内温度を−５０
℃〜１５℃、好ましくは−５０℃〜１０℃に設定して保
管する事により、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に
低減、より具体的にはウエーハ保管中の付着有機物の増
加を実質的に０にする事を実験により知見し、該知見に
基づいてなされたものである。
ンその他の有機樹脂で形成したウエーハ収納ケース内に
ウエーハを保管する場合に、前記ケース内温度を−５０
℃〜１５℃、好ましくは−５０℃〜１０℃に設定して保
管する事により、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に
低減、より具体的にはウエーハ保管中の付着有機物の増
加を実質的に０にする事を実験により知見し、該知見に
基づいてなされたものである。
【０００８】この場合、保管されるウエーハは鏡面研磨
／洗浄後の未パターニングウエーハが対象になるが、こ
れのみに限定されず、有機樹脂で形成したウエーハ収納
ケース内に保管するウエーハであれば、パターニングウ
エーハ若しくは未研磨ウエーハを対象としても良い。
／洗浄後の未パターニングウエーハが対象になるが、こ
れのみに限定されず、有機樹脂で形成したウエーハ収納
ケース内に保管するウエーハであれば、パターニングウ
エーハ若しくは未研磨ウエーハを対象としても良い。
【０００９】そして本発明においては、前記ウエーハに
付着した有機物の評価方法として接触角測定法を用い
た。接触角測定法はウエーハ表面が薬液処理（洗浄）に
より親水性で、有機物の多くが疎水性である事に着目し
て、水滴（純水）の表面張力を利用した測定方法であ
る。即ち図３に示すように、ウエーハ１表面に所定量の
水滴１０を滴下すると、ウエーハ１表面が疎水性有機物
で汚染されていると、水滴１０の表面張力が大きくな
り、結果として図３（Ａ）に示す接触角が大きくなる。
付着した有機物の評価方法として接触角測定法を用い
た。接触角測定法はウエーハ表面が薬液処理（洗浄）に
より親水性で、有機物の多くが疎水性である事に着目し
て、水滴（純水）の表面張力を利用した測定方法であ
る。即ち図３に示すように、ウエーハ１表面に所定量の
水滴１０を滴下すると、ウエーハ１表面が疎水性有機物
で汚染されていると、水滴１０の表面張力が大きくな
り、結果として図３（Ａ）に示す接触角が大きくなる。
【００１０】ここで、接触角とは水滴１０とウエーハ１
表面との接触位置における水滴１０の接線を指すが、実
際はその測定が困難である。そこで本発明は、図３
（Ｂ）に示すように、水滴１０とウエーハ１と気体の三
相が接触する界面から水滴１０の頂点への直線とウエー
ハ１とのなす角αを測定してθ＝２αとして接触角θを
求めた。
表面との接触位置における水滴１０の接線を指すが、実
際はその測定が困難である。そこで本発明は、図３
（Ｂ）に示すように、水滴１０とウエーハ１と気体の三
相が接触する界面から水滴１０の頂点への直線とウエー
ハ１とのなす角αを測定してθ＝２αとして接触角θを
求めた。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
形態を説明する。但し、この実施形態に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に
特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
形態を説明する。但し、この実施形態に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に
特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
【００１２】先ず本発明に用いる試験ウエーハ１として
スライスされたＳｉ単結晶板を、鏡面研磨後に洗浄し
た、直径１５０ｍｍφの６”ウエーハ１を用いる。そし
て前記のように鏡面研磨／洗浄した多数のウエーハ１を
図４に示すポリプロピレン製のウエーハバスケット５３
内の支持溝５５に並列に立設した後、該バスケット５３
をウエーハ１を押さえて保持するウエーハ押さえ５４を
介してウエーハケース本体５０内に収納し、最後に該ウ
エーハケース本体５０の上方開口部を上蓋５２により隠
蓋した後、前記ケース本体５０内を有機物質が実質的に
含まれない半導体高純度Ｎ2ガスで置換し、前記上蓋５
２とケース本体５０間をテープでシールする。
スライスされたＳｉ単結晶板を、鏡面研磨後に洗浄し
た、直径１５０ｍｍφの６”ウエーハ１を用いる。そし
て前記のように鏡面研磨／洗浄した多数のウエーハ１を
図４に示すポリプロピレン製のウエーハバスケット５３
内の支持溝５５に並列に立設した後、該バスケット５３
をウエーハ１を押さえて保持するウエーハ押さえ５４を
介してウエーハケース本体５０内に収納し、最後に該ウ
エーハケース本体５０の上方開口部を上蓋５２により隠
蓋した後、前記ケース本体５０内を有機物質が実質的に
含まれない半導体高純度Ｎ2ガスで置換し、前記上蓋５
２とケース本体５０間をテープでシールする。
【００１３】そして前記収納ケースを５個×５グループ
用意し、夫々のグループについて温度が−２０℃〜２５
℃の間で任意の温度に制御可能な密封された温度制御ケ
ース内に夫々収納する。そして前記温度制御ケース内温
度を２４℃、１５℃、５℃、−５℃、−２０℃に夫々維
持して４週間保管後のウエーハ１の有機物付着量を評価
した。尚、評価方法としては、１週間毎にウエーハ収納
ケースを取り出して該ケース内のウエーハ１を有機物付
着量を接触角測定方法により評価する。図１にその評価
結果を示す。
用意し、夫々のグループについて温度が−２０℃〜２５
℃の間で任意の温度に制御可能な密封された温度制御ケ
ース内に夫々収納する。そして前記温度制御ケース内温
度を２４℃、１５℃、５℃、−５℃、−２０℃に夫々維
持して４週間保管後のウエーハ１の有機物付着量を評価
した。尚、評価方法としては、１週間毎にウエーハ収納
ケースを取り出して該ケース内のウエーハ１を有機物付
着量を接触角測定方法により評価する。図１にその評価
結果を示す。
【００１４】尚、前記評価は後記する接触各測定法にお
いて、４枚のウエーハ１夫々の面内９箇所（９×４＝３
６ポイント）の平均値をプロットしている。本図より理
解されるように、いわゆる従来行われていた常温（２４
℃）の保管方法では４週間保管時点で、有機物の付着量
が急激に増加しているが、１５℃ではその増加率は僅か
であり、更に５℃以下では初期値（ケースからの揮発性
有機物が付着していないときの値）から実質的にほとん
ど変化がなかった。
いて、４枚のウエーハ１夫々の面内９箇所（９×４＝３
６ポイント）の平均値をプロットしている。本図より理
解されるように、いわゆる従来行われていた常温（２４
℃）の保管方法では４週間保管時点で、有機物の付着量
が急激に増加しているが、１５℃ではその増加率は僅か
であり、更に５℃以下では初期値（ケースからの揮発性
有機物が付着していないときの値）から実質的にほとん
ど変化がなかった。
【００１５】従って有機樹脂で形成したウエーハ収納ケ
ース内にウエーハ１を保管する場合に、前記ケース内温
度を１５℃以下、好ましくは１０℃以下に設定して保管
する事により、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に低
減若しくはウエーハ保管中の付着有機物の増加を実質的
に０にすることができた。
ース内にウエーハ１を保管する場合に、前記ケース内温
度を１５℃以下、好ましくは１０℃以下に設定して保管
する事により、ウエーハ表面の有機物の付着が大幅に低
減若しくはウエーハ保管中の付着有機物の増加を実質的
に０にすることができた。
【００１６】尚、４週間保管後のウエーハ１夫々の面内
９箇所（４ポイント）の夫々の平均値は図２に示すよう
に、１５℃以下に設定して保管したウエーハ１には接触
角のバラツキが生じていなかったが、２４℃のものはバ
ラツキを有していた。これは収納ケース内壁より放散し
た有機物が内壁より近いほど多く付着することに起因す
るものと思われる。一方１５℃以下に設定して保管した
ウエーハ１については有機物の付着がほとんどないた
め、バラツキが生じていない。
９箇所（４ポイント）の夫々の平均値は図２に示すよう
に、１５℃以下に設定して保管したウエーハ１には接触
角のバラツキが生じていなかったが、２４℃のものはバ
ラツキを有していた。これは収納ケース内壁より放散し
た有機物が内壁より近いほど多く付着することに起因す
るものと思われる。一方１５℃以下に設定して保管した
ウエーハ１については有機物の付着がほとんどないた
め、バラツキが生じていない。
【００１７】次に接触角の測定法について説明する。即
ち図４に示すように、ウエーハ表面に純水の水滴１０を
シリンジを利用して一定量ウエーハ１に滴下する。そし
て水滴１０の広がりが止ったときに、水滴１０とウエー
ハ１と気体の三相が接触する界面から水滴１０の頂点へ
の直線とウエーハ１とのなす角αを測定してθ＝２αと
して接触角θを求めた。そして前記の方法で求めた有機
物評価と図４に示す昇温脱離ガスクロマトグラフ質量分
析法に基づいて測定した有機物評価について相関を求め
たところ、極めて高い確率で相関を有する事が確認され
た。
ち図４に示すように、ウエーハ表面に純水の水滴１０を
シリンジを利用して一定量ウエーハ１に滴下する。そし
て水滴１０の広がりが止ったときに、水滴１０とウエー
ハ１と気体の三相が接触する界面から水滴１０の頂点へ
の直線とウエーハ１とのなす角αを測定してθ＝２αと
して接触角θを求めた。そして前記の方法で求めた有機
物評価と図４に示す昇温脱離ガスクロマトグラフ質量分
析法に基づいて測定した有機物評価について相関を求め
たところ、極めて高い確率で相関を有する事が確認され
た。
【００１８】
【発明の効果】以上記載した如く、本第１発明によれ
ば、ポリプロピレンその他の有機樹脂で形成したウエー
ハ収納ケース内にウエーハ１を保管した場合において
も、該ウエーハ１に有機物が付着する事なく、高品質な
状態を維持して保管若しくは輸送を行う事ができる。
ば、ポリプロピレンその他の有機樹脂で形成したウエー
ハ収納ケース内にウエーハ１を保管した場合において
も、該ウエーハ１に有機物が付着する事なく、高品質な
状態を維持して保管若しくは輸送を行う事ができる。
【図１】各保管温度におけるウエーハ１の接触角の保管
時間の依存性を示すグラフ図である。
時間の依存性を示すグラフ図である。
【図２】各保管温度におけるウエーハ１の一定時間保管
後の接触角を示す。
後の接触角を示す。
【図３】ウエーハ１に付着した有機物を測定するため
の、接触角測定法を示し、（Ａ）はその基本原理図、
（Ｂ）は実際の測定法の対応図である。
の、接触角測定法を示し、（Ａ）はその基本原理図、
（Ｂ）は実際の測定法の対応図である。
【図４】本発明に用いたウエーハ収納ケースを示す分解
斜視図である。
斜視図である。
１ ウエーハ ５０〜５４ ウエーハ収納ケース
Claims (2)
- 【請求項１】 有機樹脂で形成したウエーハ収納ケース
内にウエーハを保管してウエーハの保管若しくは輸送す
る方法において、 前記ケース内温度を−５０℃〜１５℃、好ましくは−５
０℃〜１０℃に設定して保管する事を特徴とするウエー
ハの保管／輸送方法 - 【請求項２】 前記保管されるウエーハは鏡面研磨／洗
浄後の未パターニングウエーハである事を特徴とする請
求項１記載のウエーハの保管／輸送方法
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24546595A JPH0969557A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | ウエーハの保管／輸送方法 |
| EP96113695A EP0762481A3 (en) | 1995-08-30 | 1996-08-27 | Method for transporting and storing wafers and method for determining the quantity of organic materials attached to the stored wafers |
| MYPI96003539A MY132207A (en) | 1995-08-30 | 1996-08-27 | Method of storing and transporting wafers and method of determining the amount of organic materials attached to stored wafers |
| KR1019960036168A KR970013168A (ko) | 1995-08-30 | 1996-08-28 | 웨이퍼 보관/수송방법 및 보관된 웨이퍼의 유기물 측정방법 |
| US08/706,070 US5863808A (en) | 1995-08-30 | 1996-08-30 | Method of storing and transporting wafers and method of determining the amount of organic materials attached to stored wafers |
| TW085110783A TW389737B (en) | 1995-08-30 | 1996-09-04 | Method of storing and transporting wafers and the corresponding estimation scheme of the amount of adsorbed organics of stored wafers |
Applications Claiming Priority (1)
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