JPH0964008A - 洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置 - Google Patents
洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置Info
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- JPH0964008A JPH0964008A JP22044795A JP22044795A JPH0964008A JP H0964008 A JPH0964008 A JP H0964008A JP 22044795 A JP22044795 A JP 22044795A JP 22044795 A JP22044795 A JP 22044795A JP H0964008 A JPH0964008 A JP H0964008A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハなどの被処理物に付着する金属
不純物を低減する洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを
用いた洗浄装置を提供する。 【構成】 石英などの耐熱性に優れた材料からなり、か
つシリコンウェハを洗浄する薬液もしくは純水などの洗
浄液を収容する升形の洗浄槽３であり、その内面３ａが
ＣＶＤ法を用いて形成されたポリシリコン膜４によって
被覆され、内面３ａを撥水状態にした後、前記洗浄液を
供給し、所定時間放置後、前記シリコンウェハの洗浄を
行う。
不純物を低減する洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを
用いた洗浄装置を提供する。 【構成】 石英などの耐熱性に優れた材料からなり、か
つシリコンウェハを洗浄する薬液もしくは純水などの洗
浄液を収容する升形の洗浄槽３であり、その内面３ａが
ＣＶＤ法を用いて形成されたポリシリコン膜４によって
被覆され、内面３ａを撥水状態にした後、前記洗浄液を
供給し、所定時間放置後、前記シリコンウェハの洗浄を
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におい
て、洗浄液によって半導体ウェハなどの被処理物を洗浄
する技術に関し、特に洗浄液中に含まれる金属不純物を
低減する洗浄技術に関するものである。
て、洗浄液によって半導体ウェハなどの被処理物を洗浄
する技術に関し、特に洗浄液中に含まれる金属不純物を
低減する洗浄技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】被処理物の一例である半導体ウェハの製造
工程では、半導体ウェハを洗浄するに際し、薬液を用い
た薬液洗浄や純水を用いた純水リンス洗浄などのウェッ
ト洗浄が用いられる。
工程では、半導体ウェハを洗浄するに際し、薬液を用い
た薬液洗浄や純水を用いた純水リンス洗浄などのウェッ
ト洗浄が用いられる。
【０００４】この時、半導体ウェハの洗浄液を収容する
洗浄槽には、高純度でかつ透明な石英によって形成され
たものが使用されることが多い。
洗浄槽には、高純度でかつ透明な石英によって形成され
たものが使用されることが多い。
【０００５】なお、半導体ウェハのウェット洗浄技術に
ついては、例えば、株式会社プレスジャーナル発行「月
刊Semiconductor World 」１９９２年３月号、１９９２
年２月２０日発行、１１１〜１２０頁に記載されてい
る。
ついては、例えば、株式会社プレスジャーナル発行「月
刊Semiconductor World 」１９９２年３月号、１９９２
年２月２０日発行、１１１〜１２０頁に記載されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、半導体素子の微細化や高集積化にともな
って、半導体ウェハの表面の高洗浄度化が要求され、特
に、表面の金属汚染については、測定器の検出限界に近
い洗浄度が要求される。
術においては、半導体素子の微細化や高集積化にともな
って、半導体ウェハの表面の高洗浄度化が要求され、特
に、表面の金属汚染については、測定器の検出限界に近
い洗浄度が要求される。
【０００７】なお、金属汚染については、薬液あるいは
純水などの洗浄液の純度向上に限界があるため、ウェッ
ト洗浄時に使用される洗浄槽自体が汚染金属のゲッタリ
ング機能を有していないことが問題とされる。
純水などの洗浄液の純度向上に限界があるため、ウェッ
ト洗浄時に使用される洗浄槽自体が汚染金属のゲッタリ
ング機能を有していないことが問題とされる。
【０００８】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハな
どの被処理物に付着する金属不純物を低減する洗浄方法
および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置を提供する
ことにある。
どの被処理物に付着する金属不純物を低減する洗浄方法
および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置を提供する
ことにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明による洗浄方法は、内面
がポリシリコン膜によって被覆された洗浄槽を準備し、
前記洗浄槽の内面をアンモニアと過酸化水素と水とから
なる他の洗浄液によって洗浄し、前記洗浄槽の内面をフ
ッ酸水溶液によって洗浄することにより、前記内面を撥
水状態とし、前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄
液を供給して所定時間放置した後、前記洗浄液中で半導
体ウェハなどの被処理物を洗浄するものである。
がポリシリコン膜によって被覆された洗浄槽を準備し、
前記洗浄槽の内面をアンモニアと過酸化水素と水とから
なる他の洗浄液によって洗浄し、前記洗浄槽の内面をフ
ッ酸水溶液によって洗浄することにより、前記内面を撥
水状態とし、前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄
液を供給して所定時間放置した後、前記洗浄液中で半導
体ウェハなどの被処理物を洗浄するものである。
【００１２】さらに、本発明による洗浄方法は、洗浄液
に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内
面に接合された洗浄槽を準備し、前記吸着用シリコンウ
ェハの露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる
他の洗浄液によって洗浄し、前記吸着用シリコンウェハ
の露出面をフッ酸水溶液によって洗浄することにより、
前記露出面を撥水状態とし、前記洗浄槽内に薬液または
純水などの洗浄液を供給して所定時間放置した後、前記
洗浄液中で半導体ウェハなどの被処理物を洗浄するもの
である。
に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内
面に接合された洗浄槽を準備し、前記吸着用シリコンウ
ェハの露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる
他の洗浄液によって洗浄し、前記吸着用シリコンウェハ
の露出面をフッ酸水溶液によって洗浄することにより、
前記露出面を撥水状態とし、前記洗浄槽内に薬液または
純水などの洗浄液を供給して所定時間放置した後、前記
洗浄液中で半導体ウェハなどの被処理物を洗浄するもの
である。
【００１３】また、本発明による洗浄槽は、半導体ウェ
ハなどの被処理物の洗浄液を収容し、内面がポリシリコ
ン膜によって被覆されているものである。
ハなどの被処理物の洗浄液を収容し、内面がポリシリコ
ン膜によって被覆されているものである。
【００１４】なお、本発明による洗浄槽は、半導体ウェ
ハなどの被処理物の洗浄液を収容し、前記洗浄液に含ま
れる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内面に接
合されているものである。
ハなどの被処理物の洗浄液を収容し、前記洗浄液に含ま
れる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内面に接
合されているものである。
【００１５】また、本発明による洗浄装置は、内面がポ
リシリコン膜によって被覆された洗浄槽と、前記内面を
アンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄液によ
って洗浄する第１洗浄手段と、前記内面をフッ酸水溶液
によって洗浄して撥水状態にする第２洗浄手段と、前記
洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給する洗浄
液供給手段とを有し、前記洗浄液供給手段により前記洗
浄液を供給して所定時間放置した後、前記洗浄液中で半
導体ウェハなどの被処理物を洗浄するものである。
リシリコン膜によって被覆された洗浄槽と、前記内面を
アンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄液によ
って洗浄する第１洗浄手段と、前記内面をフッ酸水溶液
によって洗浄して撥水状態にする第２洗浄手段と、前記
洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給する洗浄
液供給手段とを有し、前記洗浄液供給手段により前記洗
浄液を供給して所定時間放置した後、前記洗浄液中で半
導体ウェハなどの被処理物を洗浄するものである。
【００１６】さらに、本発明による洗浄装置は、洗浄液
に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内
面に接合された洗浄槽と、前記吸着用シリコンウェハの
露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗
浄液によって洗浄する第１洗浄手段と、前記吸着用シリ
コンウェハの露出面をフッ酸水溶液によって洗浄して撥
水状態にする第２洗浄手段と、前記洗浄槽内に薬液また
は純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有
し、前記洗浄液供給手段により前記洗浄液を供給して所
定時間放置した後、前記洗浄液中で半導体ウェハなどの
被処理物を洗浄するものである。
に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコンウェハが内
面に接合された洗浄槽と、前記吸着用シリコンウェハの
露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗
浄液によって洗浄する第１洗浄手段と、前記吸着用シリ
コンウェハの露出面をフッ酸水溶液によって洗浄して撥
水状態にする第２洗浄手段と、前記洗浄槽内に薬液また
は純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有
し、前記洗浄液供給手段により前記洗浄液を供給して所
定時間放置した後、前記洗浄液中で半導体ウェハなどの
被処理物を洗浄するものである。
【００１７】
【作用】上記した手段によれば、被処理物の洗浄液を収
容する洗浄槽の内面がポリシリコン膜によって被覆され
ているか、もしくは前記内面に吸着用シリコンウェハが
接合され、さらに、前記内面または吸着用シリコンウェ
ハの露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる他
の洗浄液によって洗浄した後、フッ酸水溶液によって洗
浄することにより、前記内面または前記露出面を撥水状
態（疎水状態ともいう）にすることができる。
容する洗浄槽の内面がポリシリコン膜によって被覆され
ているか、もしくは前記内面に吸着用シリコンウェハが
接合され、さらに、前記内面または吸着用シリコンウェ
ハの露出面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる他
の洗浄液によって洗浄した後、フッ酸水溶液によって洗
浄することにより、前記内面または前記露出面を撥水状
態（疎水状態ともいう）にすることができる。
【００１８】これにより、被処理物の洗浄の際に、薬液
または純水などの洗浄液を供給して所定時間放置する
と、洗浄液中の銅は、撥水面に吸着し易い性質を有して
いるため、銅を前記内面もしくは前記露出面に吸着させ
ることができる。
または純水などの洗浄液を供給して所定時間放置する
と、洗浄液中の銅は、撥水面に吸着し易い性質を有して
いるため、銅を前記内面もしくは前記露出面に吸着させ
ることができる。
【００１９】さらに、その後、前記内面もしくは前記露
出面には自然酸化膜が成長し、洗浄液中の鉄やアルミニ
ウムは酸化膜に吸着され易い性質を有しているため、鉄
やアルミニウムを前記内面もしくは前記露出面に吸着さ
せることができる。
出面には自然酸化膜が成長し、洗浄液中の鉄やアルミニ
ウムは酸化膜に吸着され易い性質を有しているため、鉄
やアルミニウムを前記内面もしくは前記露出面に吸着さ
せることができる。
【００２０】その結果、洗浄液中に含まれる金属不純物
の濃度を低減することができる。
の濃度を低減することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】図１は本発明による洗浄槽の構造の一実施
例を示す図であり、（ａ) はその一部を破断した斜視
図、（ｂ）は（ａ) に示す洗浄槽の構成部材である板部
材の斜視図、図２は本発明による洗浄装置の構造の一実
施例を示す構成概念図である。
例を示す図であり、（ａ) はその一部を破断した斜視
図、（ｂ）は（ａ) に示す洗浄槽の構成部材である板部
材の斜視図、図２は本発明による洗浄装置の構造の一実
施例を示す構成概念図である。
【００２３】まず、本実施例の洗浄槽３の構成について
説明すると、被処理物の一例である半導体ウェハ、特
に、シリコンウェハ１を洗浄する薬液もしくは純水など
の洗浄液２を収容する升形の容器であり、その内面３ａ
がポリシリコン膜４によって被覆（コーティング処理）
されている。
説明すると、被処理物の一例である半導体ウェハ、特
に、シリコンウェハ１を洗浄する薬液もしくは純水など
の洗浄液２を収容する升形の容器であり、その内面３ａ
がポリシリコン膜４によって被覆（コーティング処理）
されている。
【００２４】ただし、洗浄槽３の形状は、升形に限ら
ず、洗浄液２を収容するものであれば、他の形状であっ
てもよい。
ず、洗浄液２を収容するものであれば、他の形状であっ
てもよい。
【００２５】また、洗浄槽３は耐熱性の優れた材料、例
えば、石英などによって形成されるものであるが、石英
に限らず、他の材料によって形成されていてもよい。
えば、石英などによって形成されるものであるが、石英
に限らず、他の材料によって形成されていてもよい。
【００２６】さらに、洗浄槽３の内面３ａに被覆される
ポリシリコン膜４は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition)法により化学反応を利用して形成されたも
のである。
ポリシリコン膜４は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition)法により化学反応を利用して形成されたも
のである。
【００２７】すなわち、板部材３ｂの表面に、モノシラ
ンガスなどの処理ガスを用いてＣＶＤ法によってポリシ
リコン膜４を形成し、５枚の板部材３ｂを張り合わせて
組み立てることにより、洗浄液２に接触する全ての内面
３ａにポリシリコン膜４を形成（被覆）した洗浄槽３を
製造することができる。
ンガスなどの処理ガスを用いてＣＶＤ法によってポリシ
リコン膜４を形成し、５枚の板部材３ｂを張り合わせて
組み立てることにより、洗浄液２に接触する全ての内面
３ａにポリシリコン膜４を形成（被覆）した洗浄槽３を
製造することができる。
【００２８】なお、ポリシリコン膜４はＣＶＤ法以外の
方法によって形成してもよい。
方法によって形成してもよい。
【００２９】次に、本実施例の洗浄装置の構成について
説明すると、前記洗浄装置は洗浄槽３を用いたものであ
り、内面３ａがポリシリコン膜４によって被覆された
（内面３ａの表面にポリシリコン膜４が形成された）洗
浄槽３を備えた処理部５と、内面３ａをアンモニアと過
酸化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗浄する第
１洗浄手段６と、内面３ａをフッ酸水溶液によって洗浄
して撥水状態にする第２洗浄手段７と、洗浄槽３内に薬
液または純水などの洗浄液２を供給する洗浄液供給手段
８とからなり、洗浄液供給手段８により洗浄液２を供給
して所定時間放置（例えば、１０分程度）した後、洗浄
液２中でシリコンウェハ１を洗浄するものである。
説明すると、前記洗浄装置は洗浄槽３を用いたものであ
り、内面３ａがポリシリコン膜４によって被覆された
（内面３ａの表面にポリシリコン膜４が形成された）洗
浄槽３を備えた処理部５と、内面３ａをアンモニアと過
酸化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗浄する第
１洗浄手段６と、内面３ａをフッ酸水溶液によって洗浄
して撥水状態にする第２洗浄手段７と、洗浄槽３内に薬
液または純水などの洗浄液２を供給する洗浄液供給手段
８とからなり、洗浄液供給手段８により洗浄液２を供給
して所定時間放置（例えば、１０分程度）した後、洗浄
液２中でシリコンウェハ１を洗浄するものである。
【００３０】ここで、前記洗浄装置に用いられる洗浄槽
３についても、前記同様、ＣＶＤ法などにより形成され
たポリシリコン膜４によってその内面３ａが被覆されて
いる。
３についても、前記同様、ＣＶＤ法などにより形成され
たポリシリコン膜４によってその内面３ａが被覆されて
いる。
【００３１】また、シリコンウェハ１を洗浄する際に用
いられる洗浄液２は、純水もしくは薬液であるが、前記
薬液は、例えば、前記他の洗浄液と同液、すなわち、ア
ンモニアと過酸化水素と水とからなるものであってもよ
い。
いられる洗浄液２は、純水もしくは薬液であるが、前記
薬液は、例えば、前記他の洗浄液と同液、すなわち、ア
ンモニアと過酸化水素と水とからなるものであってもよ
い。
【００３２】次に、本実施例の洗浄方法について説明す
る。
る。
【００３３】まず、洗浄装置の処理部５に、内面３ａが
ポリシリコン膜４によって被覆された洗浄槽３を準備、
すなわち、配置する。
ポリシリコン膜４によって被覆された洗浄槽３を準備、
すなわち、配置する。
【００３４】続いて、第１洗浄手段６によって、洗浄槽
３内にアンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄
液を供給し、洗浄槽３の内面３ａを洗浄した後、前記他
の洗浄液を排出する。
３内にアンモニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄
液を供給し、洗浄槽３の内面３ａを洗浄した後、前記他
の洗浄液を排出する。
【００３５】その後、第２洗浄手段７によって、洗浄槽
３内にフッ酸水溶液を供給し、洗浄槽３の内面３ａをフ
ッ酸水溶液によって洗浄、すなわち、希フッ酸処理す
る。
３内にフッ酸水溶液を供給し、洗浄槽３の内面３ａをフ
ッ酸水溶液によって洗浄、すなわち、希フッ酸処理す
る。
【００３６】これにより、内面３ａの表面を、水を弾く
撥水状態（疎水状態ともいう）にする。
撥水状態（疎水状態ともいう）にする。
【００３７】その後、比較的短い所定時間（例えば、１
０分程度）内に、洗浄液供給手段８によって、薬液また
は純水などの洗浄液２を洗浄槽３内に供給し、そのま
ま、所定時間（例えば、１０分程度）放置する。
０分程度）内に、洗浄液供給手段８によって、薬液また
は純水などの洗浄液２を洗浄槽３内に供給し、そのま
ま、所定時間（例えば、１０分程度）放置する。
【００３８】この時、洗浄液２に含まれる銅は、撥水面
（疎水面）に吸着され易い性質を有しているため、前記
性質を利用し、洗浄液２中の銅を洗浄槽３の内面３ａの
表面に吸着させる。
（疎水面）に吸着され易い性質を有しているため、前記
性質を利用し、洗浄液２中の銅を洗浄槽３の内面３ａの
表面に吸着させる。
【００３９】さらに、洗浄槽３の内面３ａにおいて、洗
浄液２に触れている箇所では、自然酸化膜が成長する。
浄液２に触れている箇所では、自然酸化膜が成長する。
【００４０】この時、前記同様、洗浄液２に含まれる鉄
やアルミニウムは、酸化膜に吸着され易い性質を有して
いるため、前記性質を利用し、洗浄液２中の鉄およびア
ルミニウムを洗浄槽３の内面３ａの表面に形成された自
然酸化膜に吸着させる。
やアルミニウムは、酸化膜に吸着され易い性質を有して
いるため、前記性質を利用し、洗浄液２中の鉄およびア
ルミニウムを洗浄槽３の内面３ａの表面に形成された自
然酸化膜に吸着させる。
【００４１】その後、洗浄槽３内に、シリコンウェハ１
を収容したキャリアカセット９を浸し、洗浄液２中でシ
リコンウェハ１を洗浄する。
を収容したキャリアカセット９を浸し、洗浄液２中でシ
リコンウェハ１を洗浄する。
【００４２】次に、本実施例の洗浄方法および洗浄槽な
らびにそれを用いた洗浄装置によれば、以下のような作
用効果が得られる。
らびにそれを用いた洗浄装置によれば、以下のような作
用効果が得られる。
【００４３】すなわち、洗浄槽３の内面３ａがポリシリ
コン膜４によって被覆され、さらに、内面３ａをアンモ
ニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗
浄した後、フッ酸水溶液によって洗浄することにより、
内面３ａを撥水状態にすることができる。
コン膜４によって被覆され、さらに、内面３ａをアンモ
ニアと過酸化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗
浄した後、フッ酸水溶液によって洗浄することにより、
内面３ａを撥水状態にすることができる。
【００４４】これにより、シリコンウェハ１の洗浄の際
に、薬液または純水などの洗浄液２を供給して所定時間
放置すると、洗浄液２に含まれる銅は撥水面に吸着し易
い性質を有しているため、銅を内面３ａもしくはシリコ
ンウェハ１の表面に吸着させることができる。
に、薬液または純水などの洗浄液２を供給して所定時間
放置すると、洗浄液２に含まれる銅は撥水面に吸着し易
い性質を有しているため、銅を内面３ａもしくはシリコ
ンウェハ１の表面に吸着させることができる。
【００４５】さらに、内面３ａには自然酸化膜が成長
し、洗浄液２に含まれる鉄やアルミニウムは酸化膜に吸
着され易い性質を有しているため、鉄およびアルミニウ
ムを内面３ａに吸着させることができる。
し、洗浄液２に含まれる鉄やアルミニウムは酸化膜に吸
着され易い性質を有しているため、鉄およびアルミニウ
ムを内面３ａに吸着させることができる。
【００４６】その結果、洗浄液２中に含まれる銅、鉄ま
たはアルミニウムなどの金属不純物（不純物）１１の濃
度を低減することができ、洗浄液２の純度を向上させる
ことができる。
たはアルミニウムなどの金属不純物（不純物）１１の濃
度を低減することができ、洗浄液２の純度を向上させる
ことができる。
【００４７】したがって、シリコンウェハ１に付着する
金属不純物１１の量を低減することができるため、シリ
コンウェハ１に悪影響を及ぼす金属汚染を低減できる。
金属不純物１１の量を低減することができるため、シリ
コンウェハ１に悪影響を及ぼす金属汚染を低減できる。
【００４８】また、洗浄槽３の内面３ａに形成するポリ
シリコン膜４は、ＣＶＤ法を用いることによって簡単に
形成することができるため、洗浄槽３を簡単に製造する
ことができる。
シリコン膜４は、ＣＶＤ法を用いることによって簡単に
形成することができるため、洗浄槽３を簡単に製造する
ことができる。
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５０】例えば、前記実施例で説明した洗浄槽の組
み立て方法は、板部材にポリシリコン膜を形成してから
５枚の板部材を張り合わせて洗浄槽を製造するものであ
ったが、石英などの板部材を張り合わせることにより、
予め組み立てられた洗浄槽に、後からＣＶＤ法などを用
いてその内面にポリシリコン膜を形成してもよい。
み立て方法は、板部材にポリシリコン膜を形成してから
５枚の板部材を張り合わせて洗浄槽を製造するものであ
ったが、石英などの板部材を張り合わせることにより、
予め組み立てられた洗浄槽に、後からＣＶＤ法などを用
いてその内面にポリシリコン膜を形成してもよい。
【００５１】すなわち、洗浄槽の内面へのポリシリコン
膜の被覆（コーティング処理）は、洗浄槽を組み立てる
前であっても、組み立てた後であってもどちらでもよ
い。
膜の被覆（コーティング処理）は、洗浄槽を組み立てる
前であっても、組み立てた後であってもどちらでもよ
い。
【００５２】さらに、ポリシリコン膜は洗浄槽の少なく
とも内面に形成されていれば、その外側の表面にも形成
されていてもよい。
とも内面に形成されていれば、その外側の表面にも形成
されていてもよい。
【００５３】また、前記実施例で説明した洗浄槽は、そ
の内面にポリシリコン膜が被覆されている場合であった
が、図３に示す他の実施例の洗浄槽３のように、内面３
ａに吸着用シリコンウェハ１０を接合、すなわち、貼付
したものであってもよい。
の内面にポリシリコン膜が被覆されている場合であった
が、図３に示す他の実施例の洗浄槽３のように、内面３
ａに吸着用シリコンウェハ１０を接合、すなわち、貼付
したものであってもよい。
【００５４】これは、吸着用シリコンウェハ１０の露出
面１０ａを撥水状態（疎水状態ともいう）にし、図２に
示す洗浄液２中に含まれる金属不純物１１を露出面１０
ａに吸着させ、前記洗浄液２の純度を向上させるもので
ある。
面１０ａを撥水状態（疎水状態ともいう）にし、図２に
示す洗浄液２中に含まれる金属不純物１１を露出面１０
ａに吸着させ、前記洗浄液２の純度を向上させるもので
ある。
【００５５】ここで、吸着用シリコンウェハ１０の洗浄
槽３の内面３ａへの接合方法は、例えば、酸化膜が形成
された吸着用シリコンウェハ１０とサファイアなどから
なる板部材３ｂ（図１（ｂ）参照）とを接触させて加熱
することにより、吸着用シリコンウェハ１０を前記板部
材３ｂに接合（貼付）することができ、その後、前記板
部材３ｂを組み立てることにより、洗浄槽３を製造する
ことができる。
槽３の内面３ａへの接合方法は、例えば、酸化膜が形成
された吸着用シリコンウェハ１０とサファイアなどから
なる板部材３ｂ（図１（ｂ）参照）とを接触させて加熱
することにより、吸着用シリコンウェハ１０を前記板部
材３ｂに接合（貼付）することができ、その後、前記板
部材３ｂを組み立てることにより、洗浄槽３を製造する
ことができる。
【００５６】なお、吸着用シリコンウェハ１０が内面３
ａに接合された洗浄槽３を用いた洗浄装置によれば、前
記実施例の洗浄方法と同様の洗浄方法で被処理物の洗浄
を行うことにより、内面３ａがポリシリコン膜４によっ
て被覆された前記実施例による洗浄槽３と同様の作用効
果を得ることができる。
ａに接合された洗浄槽３を用いた洗浄装置によれば、前
記実施例の洗浄方法と同様の洗浄方法で被処理物の洗浄
を行うことにより、内面３ａがポリシリコン膜４によっ
て被覆された前記実施例による洗浄槽３と同様の作用効
果を得ることができる。
【００５７】また、洗浄槽３の内面３ａへのポリシリコ
ン膜４の形成もしくは吸着用シリコンウェハ１０の接合
は、その両者（ポリシリコン膜４の形成と吸着用シリコ
ンウェハ１０の接合）を行ってもよい。
ン膜４の形成もしくは吸着用シリコンウェハ１０の接合
は、その両者（ポリシリコン膜４の形成と吸着用シリコ
ンウェハ１０の接合）を行ってもよい。
【００５８】さらに、被処理物の洗浄については、前記
実施例で説明したような洗浄装置を用いずに、前記実施
例の洗浄槽または図３に示す洗浄槽だけを単体で並べ、
そこに被処理物専用の洗浄液を供給し、キャリアカセッ
トなどの専用治具に収容された被処理物を前記洗浄液中
に浸すことによって洗浄することも可能である。
実施例で説明したような洗浄装置を用いずに、前記実施
例の洗浄槽または図３に示す洗浄槽だけを単体で並べ、
そこに被処理物専用の洗浄液を供給し、キャリアカセッ
トなどの専用治具に収容された被処理物を前記洗浄液中
に浸すことによって洗浄することも可能である。
【００５９】また、前記実施例で説明した被処理物はシ
リコンウェハであるが、シリコンウェハ以外の半導体ウ
ェハであっても、あるいは、その他の部材であってもよ
く、前記洗浄槽内で専用の洗浄液を用いて洗浄を行うこ
とにより、洗浄効果を向上させることができる。
リコンウェハであるが、シリコンウェハ以外の半導体ウ
ェハであっても、あるいは、その他の部材であってもよ
く、前記洗浄槽内で専用の洗浄液を用いて洗浄を行うこ
とにより、洗浄効果を向上させることができる。
【００６０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６１】（１）．被処理物の洗浄液を収容する洗浄
槽の内面がポリシリコン膜によって被覆されているか、
もしくは前記内面に吸着用シリコンウェハが接合され、
さらに、前記内面または吸着用シリコンウェハの露出面
を撥水状態にすることにより、被処理物の洗浄の際に、
洗浄液中の銅を前記内面もしくは前記露出面に吸着させ
ることができる。その結果、洗浄液中に含まれる金属不
純物の濃度を低減することができ、洗浄液の純度を向上
させることができる。
槽の内面がポリシリコン膜によって被覆されているか、
もしくは前記内面に吸着用シリコンウェハが接合され、
さらに、前記内面または吸着用シリコンウェハの露出面
を撥水状態にすることにより、被処理物の洗浄の際に、
洗浄液中の銅を前記内面もしくは前記露出面に吸着させ
ることができる。その結果、洗浄液中に含まれる金属不
純物の濃度を低減することができ、洗浄液の純度を向上
させることができる。
【００６２】（２）．前記内面もしくは前記露出面には
自然酸化膜が成長し、洗浄液中の鉄やアルミニウムは酸
化膜に吸着され易い性質を有しているため、鉄やアルミ
ニウムを前記内面または前記露出面に吸着させることが
できる。これにより、（１）と同様、洗浄液中に含まれ
る金属不純物の濃度を低減することができ、洗浄液の純
度を向上させることができる。
自然酸化膜が成長し、洗浄液中の鉄やアルミニウムは酸
化膜に吸着され易い性質を有しているため、鉄やアルミ
ニウムを前記内面または前記露出面に吸着させることが
できる。これにより、（１）と同様、洗浄液中に含まれ
る金属不純物の濃度を低減することができ、洗浄液の純
度を向上させることができる。
【００６３】（３）．前記（１）および（２）によっ
て、被処理物に付着する金属不純物の量を低減すること
ができ、これにより、被処理物に悪影響を及ぼす金属汚
染を低減できる。
て、被処理物に付着する金属不純物の量を低減すること
ができ、これにより、被処理物に悪影響を及ぼす金属汚
染を低減できる。
【図１】本発明による洗浄槽の構造の一実施例を示す図
であり、（ａ) はその一部を破断した斜視図、（ｂ）は
（ａ) に示す洗浄槽の構成部材である板部材の斜視図で
ある。
であり、（ａ) はその一部を破断した斜視図、（ｂ）は
（ａ) に示す洗浄槽の構成部材である板部材の斜視図で
ある。
【図２】本発明による洗浄装置の構造の一実施例を示す
構成概念図である。
構成概念図である。
【図３】本発明の他の実施例である洗浄槽の構造の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ シリコンウェハ（被処理物） ２ 洗浄液 ３ 洗浄槽 ３ａ 内面 ３ｂ 板部材 ４ ポリシリコン膜 ５ 処理部 ６ 第１洗浄手段 ７ 第２洗浄手段 ８ 洗浄液供給手段 ９ キャリアカセット １０ 吸着用シリコンウェハ １０ａ 露出面 １１ 金属不純物（不純物）
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウェハなどの被処理物を洗浄液に
よって洗浄する洗浄方法であって、 内面がポリシリコン膜によって被覆された洗浄槽を準備
し、 前記洗浄槽の内面をアンモニアと過酸化水素と水とから
なる他の洗浄液によって洗浄し、 前記洗浄槽の内面をフッ酸水溶液によって洗浄すること
により、前記内面を撥水状態とし、 前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給して
所定時間放置した後、前記洗浄液中で前記被処理物を洗
浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 半導体ウェハなどの被処理物を洗浄液に
よって洗浄する洗浄方法であって、 前記洗浄液に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコン
ウェハが内面に接合された洗浄槽を準備し、 前記吸着用シリコンウェハの露出面をアンモニアと過酸
化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗浄し、 前記吸着用シリコンウェハの露出面をフッ酸水溶液によ
って洗浄することにより、前記露出面を撥水状態とし、 前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給して
所定時間放置した後、前記洗浄液中で前記被処理物を洗
浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項３】 半導体ウェハなどの被処理物の洗浄液を
収容する洗浄槽であって、内面がポリシリコン膜によっ
て被覆されていることを特徴とする洗浄槽。 - 【請求項４】 請求項３記載の洗浄槽であって、ＣＶＤ
法により形成されたポリシリコン膜によって前記内面が
被覆されていることを特徴とする洗浄槽。 - 【請求項５】 半導体ウェハなどの被処理物の洗浄液を
収容する洗浄槽であって、前記洗浄液に含まれる不純物
を吸着する吸着用シリコンウェハが内面に接合されてい
ることを特徴とする洗浄槽。 - 【請求項６】 半導体ウェハなどの被処理物の洗浄を洗
浄液によって行う洗浄装置であって、 内面がポリシリコン膜によって被覆された洗浄槽と、 前記内面をアンモニアと過酸化水素と水とからなる他の
洗浄液によって洗浄する第１洗浄手段と、 前記内面をフッ酸水溶液によって洗浄して撥水状態にす
る第２洗浄手段と、 前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給する
洗浄液供給手段とを有し、 前記洗浄液供給手段により前記洗浄液を供給して所定時
間放置した後、前記洗浄液中で前記被処理物を洗浄する
ことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の洗浄装置であって、ＣＶ
Ｄ法により形成されたポリシリコン膜によって前記洗浄
槽の内面が被覆されていることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項８】 半導体ウェハなどの被処理物の洗浄を洗
浄液によって行う洗浄装置であって、 前記洗浄液に含まれる不純物を吸着する吸着用シリコン
ウェハが内面に接合された洗浄槽と、 前記吸着用シリコンウェハの露出面をアンモニアと過酸
化水素と水とからなる他の洗浄液によって洗浄する第１
洗浄手段と、 前記吸着用シリコンウェハの露出面をフッ酸水溶液によ
って洗浄して撥水状態にする第２洗浄手段と、 前記洗浄槽内に薬液または純水などの洗浄液を供給する
洗浄液供給手段とを有し、 前記洗浄液供給手段により前記洗浄液を供給して所定時
間放置した後、前記洗浄液中で前記被処理物を洗浄する
ことを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22044795A JPH0964008A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22044795A JPH0964008A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964008A true JPH0964008A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16751265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22044795A Pending JPH0964008A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 洗浄方法および洗浄槽ならびにそれを用いた洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100794210B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 식각 장치 및 방법 |
| JP2020500695A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | ラシルク, インコーポレイテッドRasirc, Inc. | ガス供給システムにおける過酸化水素の分解を抑制する方法、システム、および装置 |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22044795A patent/JPH0964008A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100794210B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 식각 장치 및 방법 |
| JP2020500695A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | ラシルク, インコーポレイテッドRasirc, Inc. | ガス供給システムにおける過酸化水素の分解を抑制する方法、システム、および装置 |
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