JP2001096238A - 基板洗浄具,基板洗浄装置及び基板洗浄方法 - Google Patents

基板洗浄具,基板洗浄装置及び基板洗浄方法

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JP2001096238A JP2000215710A JP2000215710A JP2001096238A JP 2001096238 A JP2001096238 A JP 2001096238A JP 2000215710 A JP2000215710 A JP 2000215710A JP 2000215710 A JP2000215710 A JP 2000215710A JP 2001096238 A JP2001096238 A JP 2001096238A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の汚染や損傷を防止し,かつ形状が崩れ
ない基板洗浄具及びこのような基板洗浄具を用いる基板
洗浄装置を提供する。 【解決手段】 純水を供給する純水供給路60と,純水
供給路60から純水が供給される透水性の芯材68と,
芯材68の下面に平面部72を形成し,芯材68に被覆
された樹脂シート69とを備えた洗浄ブラシ24と,洗
浄ブラシ24を押圧するロッド31に対して上下方向に
推力を付与するエアベアリングシリンダ30とを備え,
ロッド31の内部に純水供給路60を設けたことを特徴
とする,基板洗浄装置7。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,基板の洗浄に用い
られる基板洗浄具,基板洗浄装置及び基板洗浄方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は,半導体デバイスが形成される半導体ウェハ(以下
「ウェハ」という)の表面の清浄度を高く維持する必要が
ある。このため,各々の製造プロセス,処理プロセスの
前後や,成膜工程,研磨工程の後などに,基板洗浄装置
を用いてウェハの表面を洗浄している。
【0003】かかる基板洗浄装置として,従来,例えば
特許第2875213号が開示されている。この装置で
は,ウェハを回転させながら,ウェハの表面にブラシを
押圧し,ウェハとブラシとを相対的に移動させることに
より,ウェハの表面から粒子汚染物を除去している。
【0004】そして,前述の特許第2875213号の
基板洗浄装置では,ブラシとして例えばセル構造の発砲
PVA(ポリビニルアルコール)の表面に保護膜を被覆
した構成になっている。またその他にも,従来の基板洗
浄装置で用いられるブラシとして,例えば毛足の硬いナ
イロンブラシ等からなる硬質なブラシや,毛足の柔らか
いモヘアブラシ等からなる軟質なブラシが,洗浄の種類
に応じて,適宜使い分けられて使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,特許第
2875213号に開示された基板洗浄装置では,前記
保護膜に粒子汚染物等のパーティクルが付着しやすく,
そのパーティクルがウェハに転写されて,洗浄後のウェ
ハにパーティクルが残存するおそれがあった。また,ナ
イロンブラシやモヘアブラシ等からなるブラシは,その
ようなパーティクルの転写によるウェハの汚染の他に,
特に硬質なブラシの場合は,摩擦やスクラッチ(ひっか
き傷)によりウェハの表面に損傷を与えるおそれがあっ
た。そしてこれら従来のブラシは,何れも洗浄回数を重
ねるに従ってブラシの表面が削れることにより,偏りや
「くせ」が生じてしまい,当初の接触圧力を維持し難く
なり,洗浄不良を起こすおそれがあった。
【0006】従って本発明の目的は,パーティクルの付
着が少なく,また摩擦やスクラッチによる損傷を与える
こともなく,更に表面が削れることによる偏りや「く
せ」も生じずに,当初の接触圧力を維持して基板を良好
に洗浄できる基板洗浄具,このような基板洗浄具を用い
る基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,請求項1の発明は,基板を洗浄する洗浄具であっ
て,洗浄液を基板に供給するための洗浄液供給路と,前
記洗浄液供給路から洗浄液が供給される透水性の芯材と
を備え,前記芯材に透水性の多孔質膜を被覆させたこと
を特徴としている。
【0008】この請求項1に記載の基板洗浄具にあって
は,洗浄液供給路を介して洗浄液を供給しながら,基板
洗浄具を基板の表面に押圧し,基板と基板洗浄具を相対
的に移動させることにより,洗浄を行う。洗浄液供給路
を介して供給された洗浄液は,芯材及び多孔質膜に形成
された微細な孔を通して基板に吐出され,基板洗浄具の
表面からは常に洗浄液が吐出された状態となるので,基
板洗浄具の表面(即ち多孔質膜の表面)にはパーティク
ルが付着する心配がない。このため,多孔質膜の内部に
パーティクルが入り込む心配がなく,また基板の洗浄の
際に,多孔質膜に付着したパーティクルが基板に転写さ
れ,基板が汚染されるといった問題も生じない。
【0009】しかも,吐出された洗浄液によって基板の
表面に液膜を形成した状態で多孔質膜を基板に接触させ
るようにしているので,多孔質膜と基板との接触を滑ら
かにすることができる。特に,基板の表面に形成した液
膜を挟んで多孔質膜を間接的に基板に接触させるように
すれば,多孔質膜と基板との接触をより滑らかにするこ
とができる。このため,基板に対して損傷を与えること
がない。また,芯材に多孔質膜を被覆させているので,
洗浄液の供給圧などによって多孔質膜が変形する心配も
なく,多孔質膜は常に所定の形状を保つことができる。
また多孔質膜と基板との接触が滑らかであるので,洗浄
回数を重ねても,摩耗などによって形状が崩れることが
ない。
【0010】請求項1に記載の基板洗浄具において,請
求項2に記載したように,前記芯材において基板と対向
する面に平面部を形成し,該平面部に前記多孔質膜を被
覆させることが好ましい。かかる構成によれば,芯材に
形成された平面部を被覆している多孔質膜を,基板に対
して面接触させることができる。このため,基板への接
触面積を拡大させ,基板の特定箇所に過度の接触圧力が
かかることを防止でき,スクラッチ(ひっかき傷)を無
くして基板を損傷させずに良好な洗浄を行うことができ
る。
【0011】請求項3に記載したように,前記芯材は,
例えば微細な孔を多数有する樹脂である。かかる構成に
よれば,芯材に形成された微細な孔を通して洗浄液を通
過させることができる。この場合,芯材の材質には,洗
浄液を供給する際に水圧がかかっても変形を起こさずに
所定の形状を留めておくことができ,また浄液中に材質
成分が溶解せず,更に必要に応じて切削加工して形を自
由かつ容易に変えられるように,樹脂を用いることが好
ましい。樹脂の材質としては,例えばポリエチレン等が
挙げられる。
【0012】請求項4に記載したように,前記芯材の外
面に多孔質膜を固着し,芯材の外面から多孔質膜が容易
に剥がれないように構成することが好ましい。この場
合,固着の方法は,例えば接着剤(洗浄液中に接着剤成
分が溶解しないもの)を用いて芯材の外面に多孔質膜を
接着しても良いし,また例えば芯材の外面に多孔質膜を
圧着しても良い。特に請求項5に記載したように,前記
固着が,熱溶着により行われることが好ましい。そうす
れば,熱溶着によって芯材に多孔質膜をしかっりと固着
することができるので,多孔質膜の膨張などを確実に防
止することが可能となる。また芯材が複雑な形状であっ
ても,熱溶着により多孔質膜を芯材の外面に沿って被覆
させることができる。
【0013】請求項6に記載したように,前記透水性の
多孔質膜は,親水性の樹脂にしても良い。また請求項7
に記載したように,前記透水性の多孔質膜は,撥水性の
樹脂であっても良い。樹脂からなる多孔質膜は,その外
面の摩擦係数が小さくでき,パーティクルが発生し難
い。なお,洗浄液供給路内を通ってきた洗浄液中にパー
ティクルが混入されていることがあっても,前述したよ
うに多孔質膜の孔が微細であるために,このパーティク
ルが多孔質膜の外側に出て基板を汚染するようなことが
ない。そして請求項6に記載したように,多孔質膜が親
水性であれば,多孔質膜の微細な孔から洗浄液を通しや
すくなる。請求項7に記載したように,多孔質膜が撥水
性であれば,洗浄によって基板から剥がれたパーティク
ルを洗浄液と共にはじくことができ,多孔質膜にパーテ
ィクルが付着することをより確実に防止することができ
る。
【0014】請求項8の発明は,基板を洗浄する装置で
あって,請求項1,2,3,4,5,6又は7に記載の
基板洗浄具と,前記基板洗浄具を押圧する押圧軸に対し
て推力を付与する駆動部とを備え,前記押圧軸の内部に
前記洗浄液供給路を設けたことを特徴とする。
【0015】この請求項8に記載の基板洗浄装置によれ
ば,駆動部によって押圧軸に対して推力を付与し,所定
の接触圧力で基板洗浄具を基板に間接的又は直接的に接
触させる。また,押圧軸の内部に洗浄液供給路を通し,
芯材に洗浄液を供給する。
【0016】請求項8に記載の基板洗浄装置において,
請求項9に記載したように,洗浄液供給路を通る洗浄液
に超音波を発振してこの洗浄液を振動させる超音波発振
機構を備えていてもよい。かかる構成によれば,洗浄液
を超音波振動させた状態で基板の表面に供給するので,
洗浄力を向上させることができる。
【0017】また請求項10に記載したように,前記押
圧軸に対して,前記基板洗浄具が着脱自在であってもよ
い。かかる構成によれば,基板洗浄具の交換を簡単に行
うことができる。
【0018】請求項11の発明は,洗浄液供給路から洗
浄液が供給される透水性の芯材に透水性の多孔質膜を被
覆させてなる基板洗浄具から洗浄液を吐出させ,該基板
洗浄具を押圧しながら基板を洗浄する基板洗浄方法であ
って,前記基板に対して基板洗浄具を押圧させる前に,
洗浄する際の基板洗浄具の所定の接触圧力を設定する工
程と,前記基板に基板洗浄具を押圧させる工程と,前記
所定の接触圧力になるように,基板洗浄具の押圧力を調
整する工程とを有することを特徴とする。
【0019】この請求項11に記載の基板洗浄方法によ
れば,基板洗浄具の押圧力を事前に調整することによっ
て,所定の接触圧力で基板を洗浄することができる。
【0020】請求項11に記載の基板洗浄方法におい
て,請求項12に記載したように,前記基板に前記基板
洗浄具を面接触させるようにしても良い。また請求項1
3に記載したように,前記基板に液膜を介して基板洗浄
具を押圧させるようにしても良い。また請求項14に記
載したように,前記基板を回転させながら洗浄するよう
にしても良い。
【0021】請求項15の発明は,洗浄液供給路から洗
浄液が供給される透水性の芯材に透水性の多孔質膜を被
覆させてなる基板洗浄具から洗浄液を吐出させる工程
と,ノズルから基板の表面に洗浄液を供給する工程と,
前記基板洗浄具から吐出される洗浄液と,前記ノズルか
ら供給される洗浄液で,基板の表面と基板洗浄具との間
に液膜を形成した状態で基板を洗浄する工程とを有する
ことを特徴とする,基板洗浄方法を提供する。
【0022】請求項15に記載の基板洗浄方法によれ
ば,基板洗浄具から送られる洗浄液に加えて,ノズルか
ら別に洗浄液を供給する。これにより,基板の表面に十
分な洗浄液を供給することが可能になり,基板の表面上
に液膜を好適に形成することができる。
【0023】請求項15に記載の基板洗浄方法におい
て,請求項16に記載したように,前記ノズルから吐出
された洗浄液を基板の表面に供給しつつ,前記基板洗浄
具から洗浄液を吐出した状態で,基板の表面に対して前
記基板洗浄具を接近させ,液膜を形成することが好まし
い。
【0024】
【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態を,基板の一例としてウェハの表裏面を洗浄するよう
に構成された洗浄装置に基づいて説明する。図1は,本
実施の形態にかかる基板(表面)洗浄装置7を組み込ん
だ洗浄装置1の斜視図である。洗浄装置1は,キャリア
C単位でウェハWを搬入し,ウェハWを一枚ずつ洗浄,
乾燥し,キャリア単位でウェハWを搬出するように構成
されている。
【0025】この洗浄装置1には,ウェハWを収納した
キャリアCを4個分載置できる載置部2が設けられてい
る。洗浄装置1の中央には,載置部2に載置されたキャ
リアCから洗浄工程前のウェハWを一枚ずつ取り出し,
また,洗浄工程後のウェハWをキャリアCに収納する取
出収納アーム3が配置されている。この取出収納アーム
3の背部には,取出収納アーム3との間でウェハWの授
受を行う搬送機構である搬送アーム4が待機している。
搬送アーム4は,洗浄装置1の中央に設けられた搬送路
6に沿って移動可能に設けられている。搬送路6の両側
には,各種の処理装置が配置されている。具体的には,
搬送路6の一方の側方には,ウェハWの表面を洗浄する
ための前記基板洗浄装置7と,ウェハWの裏面を洗浄す
るための基板(裏面)洗浄装置8とが並んで配置されて
いる。これら基板洗浄装置7,8では,ウェハWを回転
させてスピン乾燥させるように構成されている。また,
搬送路6の他方の側方には,加熱装置9が4基積み重ね
て設けられている。この加熱装置9は,ウェハWを加熱
して乾燥させるための手段である。この加熱装置9に隣
接して2基のウェハ反転装置10が積み重ねて設けられ
ている。
【0026】ここで,基板洗浄装置7の構成について説
明する。図2は,基板洗浄装置7の平面図であり,図3
は,その縦断面図である。ケース20のほぼ中央に,ウ
ェハWを水平に吸着保持した状態でモータ21によって
回転するスピンチャック22と,このスピンチャック2
2及びウェハWを包囲しウェハWの表面に供給した洗浄
液等が周囲に飛び散ることを防止するカップ23とを備
えている。そして,ケース20の一側近傍に,ウェハW
の表面に基板洗浄具としての洗浄ブラシ24を接触させ
て洗浄するスクラブ洗浄機25が配置されている。図2
で示したスクラブ洗浄機25は,ウェハWから離れた位
置で待機した状態を示している。また,ケース20の前
面側には,図示しないシャッタによって開閉自在な搬入
出口7aが設けられており,この搬入出口7aを介し
て,搬送アーム4によりウェハWが基板洗浄装置7に対
して搬入出されるようになっている。なお,スピンチャ
ック22以外に,例えばウェハWの周縁部を爪やリング
を用いて保持するメカニカルチャックを用いて,ウェハ
Wを水平に保持するようにしても良い。
【0027】スクラブ洗浄機25は,洗浄ブラシ24を
アーム部材26の先端部に取り付けており,このアーム
部材26をシャフト27の上端に水平姿勢で固定してい
る。そして,シャフト27は,駆動機構(図示せず)に
よって昇降及び回転自在な構成となっている。従って,
アーム部材26は,駆動機構の回転稼働によって,図2
中のθ方向に旋回し,ウェハWの上方を往復移動できる
ようになっている。
【0028】図4に示すように,アーム部材26は,フ
レーム26aと,カバー26bとを有している。アーム
部材26の先端部には,洗浄ブラシ24を昇降させるエ
アベアリングシリンダ30が,フレーム26a上に固定
されて配置されている。ここで,アーム部材26の基端
部及び中央部には,洗浄ブラシ24を回転させるために
従来であれば備えられているはずの,モータ及びモータ
の回転駆動を洗浄ブラシ24に伝達する従動プーリ及び
ベルト等から成る複雑な伝達部品が設けられていない。
このため,スクラブ洗浄機25は,洗浄ブラシ24をウ
ェハWに接触させる際には,洗浄ブラシ24を回転させ
ずに済んでいる。
【0029】エアベアリングシリンダ30において,押
圧軸としてのロッド31をエアベアリングシリンダ30
の上方及び下方の両方に突出させている。一方,ロッド
31の下端部に,下部部材32と,取付具33とを介し
て洗浄ブラシ24を取り付けている。従って,エアベア
リングシリンダ30の稼働に伴い,ロッド31及び洗浄
ブラシ24とを一体となって上下方向(図4中の往復矢
印Aの方向)に昇降させるように構成している。なお,
この下部部材32に対して取付具33が,ネジ構造によ
って着脱自在となっている。従って,古い洗浄ブラシ2
4の製品寿命が尽きた際には,新しい洗浄ブラシ24に
簡単に交換することができる。また,種々の洗浄に合わ
せて,様々な洗浄ブラシをスクラブ洗浄機25に簡単に
取り付けることができる。
【0030】一方,図5に示すように,エアベアリング
シリンダ30の上面の左右両側にガイド部材35a,3
5bが配置されている。これらガイド部材35a,ガイ
ド部材35bは,開口36によって略凹形状に形成され
ている。ガイド部材35aの開口36にはローラ37a
が,ガイド部材35bの開口36にはローラ37bがそ
れぞれ配置されている。そして,ローラ37aは水平支
軸38aを介して,ローラ37bは水平支軸(図示せ
ず)を介して矩形板39にそれぞれ回転自在に取り付け
られている。この矩形板39には,ロッド31が貫通す
ると共に固着されている。従って,ロッド31を上下動
させる際には,ローラ37a,37bにより開口36に
案内されながら円滑に行うようになっている。
【0031】図6に示すように,エアベアリングシリン
ダ30の内部には,気体が供給される給気室30aと,
気体が供給されると共に気体が排気される給排気室30
bが形成されている。給排気室30bは給気室30aよ
りも上側に位置し,給気室30aと給排気室30bとは
お互いに連通している。また,前記ロット31は,この
給気室30a,給排気室30bを貫通しており,ロッド
31にはリング状のストッパ40が取り付けられてい
る。このストッパ40は,供給室30a内に設置され,
ロッド31がエアベアリングシリンダ30から抜け出す
ことを防止している。なお,ストッパ40を給排気室3
0b内に設置できるようにロッド31に取り付けてもよ
い。
【0032】エアベアリングシリンダ30の給気室30
aには,気体供給路41が接続され,気体供給路41の
途中には,気体の供給圧を調整する電空レギュレータ4
2が設けられている。この電空レギュレータ42には制
御部43が接続され,制御部43は,この電空レギュレ
ータ42に所定の電気信号を出力し,エアベアリングシ
リンダ30内に流通する気体の供給圧を調整するように
なっている。従って,ロッド31の上下方向の推力は,
気体供給路41から供給される気体の供給圧によって自
在に制御される構成になっている。
【0033】スクラブ洗浄中では,この気体供給路41
から供給される気体の供給圧によって,図示の如くスト
ッパ40を浮上させた状態にする。そして,ウェハWの
表面付近から洗浄ブラシ24を離れさせない程度にロッ
ド31に上下方向の推力を付与し,洗浄ブラシ24の自
重とロッド31によって洗浄ブラシ24に働くの推力と
の和又は差が,所定の接触圧力,例えば60gf以下の
接触圧力になるように構成している。例えば,重量10
0gfの洗浄ブラシに上向きの推力を80gf働かせれ
ば,ウェハWに対する洗浄ブラシの接触圧力は20gf
となり,また,重量50gfの洗浄ブラシに下向きの推
力を10gf働かせれば,ウェハWに対する洗浄ブラシ
の接触圧力は60gfとなる。このように,エアベアリ
ングシリンダ30は,洗浄ブラシ24を押圧するロッド
31に対して上下方向に推力を付与するように構成され
ている。
【0034】図7は,電空レギュレータ42と制御部4
3との関係を示す回路図であるが,制御部43が電空レ
ギュレータ42に電気信号を出力する際の仕組みを述べ
ると,まず,図2及び図3に示すように,ウェハWから
離れた位置で洗浄ブラシ24の接触圧力を測定する測定
センサ44を設ける。この測定センサ44は,例えばロ
ードセルからなるものであり,荷重により生じる歪みを
電気的抵抗値の変動分として検出するものである。そし
て,洗浄以外でスクラブ洗浄機25が待機している時
に,測定センサ44に洗浄ブラシ24を接触させて,そ
の接触圧力を測定する。この測定結果に基づき,洗浄ブ
ラシ24の接触圧力が所定の値に達するための電気信号
のデータを制御部43に記憶させておく。そして,実際
の洗浄の段階になれば,制御部43が,この記憶したデ
ータに基づいて所定の電気信号を電空レギュレータ42
に送信し,エアベアリングシリンダ30に供給する気体
の供給圧を調整し,ロッド31の推力,洗浄ブラシ24
の接触圧力を制御するようになっている。こうして,洗
浄ブラシ24の接触圧力を円滑に制御できるようになっ
ている。なお,この場合,洗浄中の洗浄ブラシ24の接
触圧力を正確に測定するために,図3に示すように,測
定センサ44の測定面44aの高さが,スピンチャック
22に保持されたウェハWの表面の高さと等しいことが
好ましい。また,洗浄ブラシ24の接触圧力は,制御部
43が電空レギュレータ42を制御することによって,
10gf,20gf,30gf,40gf,50gfと
いうように変更して調整することが可能である。
【0035】さらに,図6に示すように,エアベアリン
グシリンダ30内部において,リング状で多孔質セラミ
ックのエアベアリング45,46を上下2箇所に設け,
これらエアベアリング45,46に気体を供給するエア
ベアリング用の気体供給路47をエアベアリングシリン
ダ30に接続する。気体供給路47は途中で分流し,給
気室30a,給排気室30bに気体を供給できるように
なっている。そして,このエアベアリング用の気体供給
路47から気体を供給されたエアベアリング45,46
は,ロッド31を中空に浮上させた状態にし,摩擦のな
い状態を作り出す。そして,ロッド31の昇降を安定し
て行えるように,その動作を支持するようになってい
る。従って,摺動抵抗が零に等しく,耐耗性に優れてい
る。なお,エアベアリングシリンダ30では,中で気体
が溜まらないように気体排気路48が給排気室30bに
接続されている。
【0036】また,気体供給路41,47に対しては,
図6に示す如く別々の気体供給源から気体を送り込むよ
うにしていたが,共通の気体供給源から気体供給路4
1,47に対してそれぞれ気体を送り込むようにしても
よい。なお,気体供給路47からは給気室30a,給排
気室30bに対して常時気体が供給されるようになって
いる。これに対し,気体供給路41からは給気室30a
に対して洗浄ブラシ24を押圧するときにのみ気体が供
給されるようになっている。
【0037】図4に示すように,エアベアリングシリン
ダ30の上面には,ブラケット50が設けられている。
また,アーム部材26の先端部には,ロッド31の下方
外周部及び下部部材32を包囲すべく,上端がフレーム
26bに固定された保護カバー51が配置されている。
そして,ブラケット50には発塵を排気する排気チュー
ブ52が,保護カバー51には同様な排気チューブ53
がそれぞれ接続されている。これら排気チューブ52,
53は合流部54で,図示しない真空吸引装置に接続さ
れている排気管路55に合流している。仮にロッド31
を上下動させることにより発塵しても,排気チューブ5
2,53によってアーム部材26外に排気される構成に
なっている。従って,洗浄中にウェハWの表面にパーテ
ィクルが落下することがない。
【0038】図8は,ロッド31,下部部材32,取付
具33,洗浄ブラシ24の断面説明図である。図8に示
すように,例えば洗浄液として純水をウェハWに供給す
るための純水供給路60を,これらロッド31,下部部
材32,取付具33の内部を通し,洗浄ブラシ24の内
部に純水を供給するようになっている。この場合,前述
したように洗浄ブラシ24を回転させることがなく,ロ
ッド31,下部部材32,取付具33を上下動させるだ
けで済んでいるので,複雑なシール機構などを要さず
に,簡単に純水供給路60をロッド31,下部部材3
2,取付具33の内部に設けることができる。
【0039】ここで,図9に示すように,純水供給路6
0の先端部には,超音波発振機構61が設けられてお
り,この超音波発振機構61の内部には,純水供給路6
0を囲むリング状の超音波発振子62が複数個設けられ
ている。この場合,超音波発振機構61は,図示しない
電源制御部によりオン・オフできるように構成してもよ
いし,また超音波発振機構61の超音波振動の強弱を調
整できるように構成してよい。また,洗浄ブラシ24の
外部に超音波発振機構61を設けてもよい。
【0040】図9及び図10に示すように,洗浄ブラシ
24は,円柱状の本体65と,この本体65の下面に接
続されたブラシ部66とを有している。本体65には,
純水を通すための通路67が形成されている。また,ブ
ラシ部66は,純水供給路60から純水が供給される透
水性の芯材68と,芯材68を被膜する樹脂シート69
と,樹脂シート69が剥がれるのを防止する押さえリン
グ70とを有している。
【0041】芯材68の材質には,純水を供給する際に
水圧がかかっても変形を起こさずに所定の形状を留めて
おくことができ,また純水中に材質成分が溶解せず,更
に必要に応じて切削加工して形を自由かつ容易に変えら
れるように,樹脂を用いることが好ましい。このような
樹脂の材質としては,例えばポリエチレン等が挙げられ
る。図示の例では,芯材68は円形筒状に形成されてお
り,上面には開口部71が形成され,ウェハWと対向す
る面,即ち下面に平面部72が形成されている。こうし
て,純水供給路60から純水が供給されると,芯材68
は,変形や溶解することなく,樹脂シート69に純水を
透過させるようになっている。もちろん,洗浄液として
薬液が用いられる場合においても,芯材の材質に同様の
ことが要求される。
【0042】また,芯材68の外面に樹脂シート69を
固着し,芯材68の外面から樹脂シート69が容易に剥
がれないように構成する。この固着は,熱溶着により行
い,芯材68の外面に樹脂シート69を気密に固着して
いる。その他,固着の方法が,接着剤(純水中に接着剤
成分が溶解しないもの)を用いて芯材68の外面に樹脂
シート69を接着しても良いし,また例えば芯材68の
外面に樹脂シート69を圧着しても良い。
【0043】また,樹脂シート69の材質には,その表
面の摩擦係数が小さくして摩耗によりパーティクルを発
生し難くすることができ,純水を吐出できるように微細
な孔が多数形成された多孔質体の樹脂を用いる。このよ
うな樹脂としては例えばフッ素樹脂やポリオレフィン樹
脂などが挙げられる。一例を挙げると例えば厚さが0.
1mm〜数mm,孔の大きさが0.01〜数百μm程度
の例えばPTFE(ポリテトラフルオルエチレン)製の
シート等が用いられる。こうして,樹脂シート69は透
水性の多孔質膜として機能し,磨り減り難く長期に渡っ
て使用することができる。
【0044】その他,基板洗浄装置7には,スピンチャ
ック22を挟んでスクラブ洗浄機25と対称位置に,図
2中のθ‘方向に往復自在な純水供給ノズル80が配置
されている。純水供給ノズル80のアーム部材81の先
端にはノズル82が取り付けられ,このノズル82によ
って純水が供給されるようになっている。
【0045】次に,以上のように構成された基板洗浄装
置7を備えた洗浄装置1において行われるウェハWの洗
浄工程を説明する。まず,図示しない搬送ロボットが未
だ洗浄されていないウェハWを例えば25枚ずつ収納し
たキャリアCを載置部2に載置する。そして,この載置
部2に載置されたキャリアCから一枚ずつウェハWが取
り出され,取出搬入アーム3を介して搬送アーム4に受
け渡される。そして,基板洗浄装置7及び基板洗浄装置
8を用いて,ウェハWを一枚ずつ洗浄し,ウェハWの表
裏面に付着している粒子汚染物等のパーティクルを除去
する。所定の洗浄工程が終了したウェハWは,搬送アー
ム4から取出収納アーム3に受け渡され,再びキャリア
Cに収納される。
【0046】ここで,基板洗浄装置7での洗浄について
説明する。スピンチャック22によってウェハWを回転
させる。一方,図2の待機状態にあったスクラブ洗浄機
25において,アーム部材26を旋回させ,洗浄ブラシ
24をウェハWの上方,例えばウェハWの中心付近にま
で移動させる。次いで,純水供給路60を介して純水を
供給しながら,図11に示すように,エアベアリングシ
リンダ30の稼働によって洗浄ブラシ24をウェハWの
表面に押圧し,ウェハWと洗浄ブラシ24を相対的に移
動させることにより,洗浄を行う。例えばアーム部材2
6をウェハWの中心から周縁部まで往復回動させること
により,ウェハWの表面を均一に洗浄する。純水供給路
60を介して供給された純水は,芯材68及び樹脂シー
ト69に形成された微細な孔を通してウェハWに吐出さ
れ,ウェハWの表面には液膜83が形成されることにな
る。必要であれば,純水供給ノズル87もウェハWの上
方に移動させ,純水をウェハWの表面に供給するように
しても良い。
【0047】一方,ウェハWの表面に洗浄ブラシ24を
接触する際には,ウェハWの表面に例えば60gf以下
の所定の接触圧力を加える。ここで,所定の接触圧力に
なるように,洗浄ブラシ24の押圧力を調整する。例え
ば,洗浄ブラシ24の重量が約100gfとし,ロッド
31に例えば80gfの上向きの推力を付与すれば,洗
浄ブラシ24の接触圧力を20gfに調整することが可
能である。
【0048】このとき,洗浄ブラシ24の表面からは常
に純水が吐出された状態となるので,洗浄ブラシ24の
表面(即ち樹脂シート69の表面)にはパーティクルが
付着する心配がない。このため,樹脂シート69の内部
にパーティクルが入り込む心配がなく,また,ウェハW
の洗浄の際に,樹脂シート69に付着したパーティクル
がウェハWに転写され,ウェハWが汚染されるといった
問題も生じない。
【0049】しかも,PTFE性の樹脂シート69で
は,そのシート表面の摩擦係数が小さくなるので,樹脂
シート69の表面とパーティクルとの密着力が小さくな
り,パーティクルが確実に付着し難くなる。なお,PT
FEは薬液に対する耐薬品性が強いので,例えば洗浄液
としてオゾン水,電解イオン水,塩酸過水,アンモニア
過水,リン酸溶液,硫酸溶液,フッ酸溶液等の薬液を洗
浄液として用いることができる。このため洗浄効果を高
めることができる。
【0050】また,吐出された純水によってウェハWの
表面に液膜83を形成した状態で樹脂シート69をウェ
ハWに接触させるようにしているので,樹脂シート69
とウェハWとの接触を滑らかにすることができる。この
ため,ウェハWに対して損傷を与えることがない。特に
図12に示すように,ウェハWに対して液膜83を挟ん
で樹脂シート69(洗浄ブラシ24)を間接的に接触す
ることも可能であり,このような間接的な接触により,
樹脂シート69とウェハWとの接触をより滑らかにする
ことができる。また,芯材68に樹脂シート69を被覆
させているので,純水の供給圧などによって樹脂シート
69が変形する心配もなく,樹脂シート69は常に所定
の形状を保つことができる。また樹脂シート69とウェ
ハWとの接触が滑らかであるので,洗浄回数を重ねて
も,摩耗などによって形状が崩れることがない。このよ
うに,洗浄ブラシ24に偏りや「くせ」が生じることが
なく,当初の接触圧力を維持することが可能となる。
【0051】さらにこの場合,芯材68に形成された平
面部72を被覆している樹脂シート69を,ウェハWに
対して面接触させることができる。このため,ウェハW
への接触面積を拡大させ,ウェハWの特定箇所に過度の
接触圧力がかかることを防止でき,スクラッチ(ひっか
き傷)を無くしてウェハWを損傷させずに良好な洗浄を
行うことができる。
【0052】また,図9に示したように,純水供給路6
0を通る純水に超音波発振子62から超音波が発振さ
れ,純水は超音波により振動した状態で純水供給路60
から吐出される。このように振動した純水をウェハWの
表面に供給すると,振動していない純水を供給したとき
に比べ,洗浄力を向上させることができる。
【0053】また,ウェハWの表面に洗浄ブラシ24を
接触させる前に,測定センサ74などを用いて,洗浄す
る際の洗浄ブラシ24の所定の接触圧力を予めに設定し
ている。ウェハWに表面に洗浄ブラシ24を接触させる
際には,制御部43,電空レギュレータ42によって,
所定の接触圧力になるように洗浄ブラシ24の押圧力を
調整するので,所定の接触圧力でウェハW洗浄すること
ができる。
【0054】しかも,本実施形態では,従来のように洗
浄ブラシ24を回転させておらず,さらに,図6に示し
たように,エアベアリングシリンダ30内において,エ
アベアリング45,46を用いて,ロッド31の動作を
支持し,摺動抵抗を無くしている。従って,洗浄ブラシ
24の接触圧力を容易に制御することができる。また,
洗浄ブラシ24を回転させる機構,即ちモータなどが不
要なるので,基板洗浄装置7の部品数の減少,構成の簡
素化,組立の容易化及びコストダウンを図ることができ
る。
【0055】なお,本発明の実施の形態の一例ついて説
明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りう
るものである。例えば図3に示すように,ウェハWの表
面上に液膜83を形成するために,洗浄ブラシ24を透
過してウェハWの表面に送られる純水に加えて,図13
に示すように,スピンチャック22上のウェハWの上面
へ,スピンチャック22の近傍にほぼ半径方向に設けた
ノズル29によって,洗浄液としての純水を別に供給す
るようにしてもよい。ノズル29は,カップ23の外側
上方に設置されており,カップ23の上を越えてウェハ
Wの上面に図の矢印のように純水を供給する。これによ
り,ウェハWの表面に十分な洗浄液を供給することが可
能になり,液膜83を好適に形成することができる。な
お,ノズル29から純水を吐出させてウェハWの上面に
予め純水を供給して当該上面を濡らせた状態で,ウェハ
Wに対して洗浄ブラシ24を接近させ,洗浄ブラシ24
からも純水を供給しながらウェハWの上面に液膜83を
形成するのが好ましい。また,図13では2本のノズル
29を設けてあるが,これは主として8インチウェハの
場合で,6インチウェハの場合には1本のノズルを設け
るのみでもよい。
【0056】また,例えば,樹脂シート69の材質とし
ては,前述したPTFE以外に,孔の大きさが数μm〜
数十μmである,耐電防止処理を行ったポリオレフィン
樹脂等の多孔質材料も用いることができる。
【0057】PTFEをアルコールに浸漬させて親水性
にした樹脂シート69を用いることができる。この場合
には,樹脂シート69が親水性になるので,樹脂シート
69の微細な孔から純水を通しやすくなる。ここで,純
水供給路60内を通ってきた純水中にパーティクルが混
入されていることがあっても,前述したように樹脂シー
ト69の孔が微細であるため,このパーティクルが樹脂
シート69の外側に出てウェハWを汚染するようなこと
がない。
【0058】一方,PTFEに撥水処理を施して撥水性
(疎水性)にした樹脂シート69を用いることもでき
る。この場合には,樹脂シート69が撥水性になるの
で,洗浄によってウェハWから剥がれたパーティクルを
純水と共にはじくことができる。従って,樹脂シート6
9にパーティクルが付着することをより確実に防止する
ことができる。
【0059】エアベアリングシリンダ30の代わりに,
バネ,モータ,ムービングコイル等の種々の構成部品か
らなる昇降駆動部を設け,この昇降駆動部によってロッ
ド33に上下方向の推力を付与し,洗浄ブラシ24を押
圧することも可能である。
【0060】また,本発明の実施の形態では,下部部材
に対して取付具が,ネジ構造によって着脱自在となって
いる場合について説明したが,図14及び図15に示す
ような構造(いわゆるカプラ構造)によって,下部部材
90に対して取付具91が着脱自在な構成になっていて
も良い。まず,下部部材90の一方側には,下部部材9
0に対して取付具91を固着する際に,取付具91が落
下するのを防止する玉92aと,スプリングバネ93a
によって鉛直下向きに付勢する揺動部94aとが設けら
れ,揺動部94aの下部には玉92aが入り込む凹部9
5aが形成されている。同様に,下部部材90の他方側
には,玉92bと,スプリングバネ93bと,揺動部9
4bとが設けられ,揺動部94bの下部には凹部95b
が形成されている。一方,取付具91の一方の側面に
は,玉92aが入り込む凹部96aと,この凹部96a
の上方に突起部97aが形成され,取付具81の他方の
側面には,同様に凹部96bと,突起部97bとが形成
されている。
【0061】下部部材90に対して取付具91を固着す
る際には,図15に示すように,玉92aを凹部95a
に,玉92bを凹部95bにそれぞれ入れた状態で,揺
動部94a,94bを例えば人手により上げ,下部部材
90内に取付具91を差し込む。その後,図14に示す
ように,手を離せば,スプリングバネ93a,93bの
弾性力によって揺動部94a,94bは下にさがる。こ
のとき,玉92aは凹部96aに,玉92bは凹部96
bにそれぞれ入り込み,玉92a,92bは,下部部材
90と取付具91との間で挟まれることになる。ここ
で,突起部97aが玉92aに,突起部97bが玉92
bにそれぞれ当たることになるので,取付具91が下部
部材90から外れなくなる。一方,図15に示すよう
に,再び揺動部94b,94bを上げれば,玉92aは
凹部95aに,玉92bは凹部95bにそれぞれ移るよ
うになり,下部部材90から取付具91を簡単に取り外
すことができる。かかる構成によれば,洗浄ブラシ24
の交換を簡単に行うことができる。
【0062】また,図16〜18に示すように,洗浄ブ
ラシ100において,本体101に対してブラシ部10
2を着脱自在に構成し,さらに本体101の上面にネジ
部103を設けて取付具に対して洗浄ブラシ100を着
脱自在に構成しても良い。図16〜18は,本体101
にブラシ部102を取り付ける際の工程を説明する第1
〜3の工程説明図である。図16に示すように,ブラシ
部102の上端部にOリング104を設け,本体101
の下部にOリング104に対応する溝部105を形成
し,本体101にブラシ部102を気密な状態で取り付
けられるように構成する。そして,図17に示すよう
に,本体101の下部にブラシ部102をはめ込み,図
18に示すように,Oリング104の周りをクランプリ
ング106によって締め付ける。その後,ネジ部103
を介して洗浄ブラシ100を取付具に取り付ける。かか
る構成によれば,洗浄ブラシ100の製品寿命が尽きた
場合には,取付具から洗浄ブラシ100を取り外し,ブ
ラシ部102のみを交換するだけ済ますことができる。
【0063】また,洗浄ブラシの芯材やブラシ部も種々
の態様を採ることが可能であり,以下,洗浄ブラシの変
形例について説明する。例えば芯材の厚さを自由に変え
ることができる。例えば前記芯材68よりも薄い芯材を
ブラシ部66内部に設けても良い。さらに,図19に示
す第1の変形例の洗浄ブラシ110のように,筒状の内
壁と外壁とで形成された二重壁をもち,内壁と外壁との
間が中空にされた芯材111をブラシ部66内部に設け
ることも可能である。また,芯材111の内壁と外壁の
各々の壁厚,材質,液の通り易さ(孔径)などを変え
て,液圧をコントロールしたり,純水中に含まれる異物
を遮断して,異物を含んだ純水がウェハに供給されるの
を防ぐようにすることができる。一方,前記芯材68よ
りも厚さがある芯材をブラシ部66内部に設けても良
い。さらに,図20に示す第2の変形例の洗浄ブラシ1
12のように,略円柱状の芯材113をブラシ部66内
部に設けることも可能である。このように芯材の厚さを
自在に変化させることにより,純水の透過速度を調整し
て純水の吐出量を自由に調整することができる。また,
図21に示す洗浄ブラシ115は,前記洗浄ブラシ11
2を改良した第3の変形例である。この例に示すよう
に,前記芯材113に通路116を複数設け,ブラシ部
66の下面に通路116を通して純水を容易に導くよう
にしても良い。この場合,通路116の幅を例えば0.
2mm程度にすることが好ましい。また,この通路11
6の幅を0.2mmより狭くしたり広くしても良い。ま
た,図示の例では,通路116が,鉛直軸方向に沿って
直線状に形成されているが,これに限らずに通路116
の形状を曲線状に形成したり,斜めに傾斜するように形
成しても良い。このように通路116の大きさや形状を
自在に変化させることにより,純水の吐出量や吐出圧を
自由に調整することができる。
【0064】また,図22〜29を参照して洗浄ブラシ
の第4〜8の変形例について説明する。図22に示す第
4の変形例の洗浄ブラシ120は,その下部周縁にテー
パ面121を形成した例である。この洗浄ブラシ120
のブラシ部122では,芯材123の下部において平面
部124の周縁にテーパ面125を形成し,さらに芯材
123に樹脂シート126を被覆することにより前記テ
ーパ面121を形成している。テーパ面121の幅Lは
例えば1mm以下であることが好ましい。ウェハWをメ
カニカルチャックで保持する場合,このようにテーパ面
121を形成すれば,爪やリング等のチャック部材がブ
ラシ部122にひっかからないようにすることができ
る。一方,図23に示す第5の変形例の洗浄ブラシ13
0は,その下部周縁に外側に凸状に湾曲したテーパ面1
31を形成し,下部周縁から角部を取った構成となって
いる。この洗浄ブラシ130のブラシ部132では,芯
材133の下部において平面部134の周縁に外側に凸
状に湾曲したテーパ面135を形成し,さらに芯材13
3に樹脂シート136を被覆することにより前記テーパ
面131を形成している。この場合も,テーパ面131
の幅Lは例えば1mm以下であることが好ましい。
【0065】かかる洗浄ブラシ120ではブラシ部12
2のテーパ面121により,洗浄ブラシ130ではブラ
シ部132のテーパ面131により,ウェハWとの間に
洗浄液が入り込みやすくなり,洗浄効果を高めることが
できる。また,これら洗浄ブラシ120,130では,
接触圧力を容易に制御することができるようになる。
【0066】図24及び図25に示す第6の変形例の洗
浄ブラシ140は,円錐台に形成されたブラシ部141
を有している。図25に示すように,ブラシ部141の
芯材142の下面に平面部143を形成し,芯材142
の縦断面形状における左右側面を傾斜させている。この
ような芯材142に樹脂シート144を被覆させてい
る。図26及び図27に示す第7の変形例の洗浄ブラシ
150は,側面が外側に凸状に湾曲しているブラシ部1
51を有している。図27に示すように,芯材152の
下面に平面部153を形成し,芯材152の縦断面形状
における左右側面を外側に凸状に湾曲させている。この
ような芯材152に樹脂シート154を被覆している。
かかる洗浄ブラシ140,150においては,前記洗浄
ブラシ24と同様に,ウェハWに面接触することができ
る。
【0067】図28及び図29に示す第8の変形例の洗
浄ブラシ160は,略ドーム形状のブラシ部161を有
している。図29に示すように,ブラシ部161の芯材
162の縦断面形状は略半球形状をなし,この芯材16
2の外面に樹脂シート163を被覆させている。図29
に示す例では,樹脂シート163の下面を押し付けるよ
うにしてウェハWに接触させている。このような洗浄ブ
ラシ160は,半導体デバイス等が形成されないウェハ
Wの裏面の洗浄に対して有効である。ウェハWの裏面が
汚染された場合には,このような洗浄ブラシ160を用
いることにより,ウェハWの裏面に損傷を与えない程度
に強く押し付け,ウェハWに対して相対的に移動させる
ことによりウェハWの裏面からパーティクルを除去する
ことができる。
【0068】次いで,図30〜33を参照して洗浄ブラ
シの第9〜12の変形例について説明する。図30に示
す第9の変形例の洗浄ブラシ170は,横断面形状が三
角形状となっているブラシ部171を有している。この
ようなブラシ部171の立体形状には,例えば三角柱形
状若しくは三角錐形状等がある。このような形状を形成
できるように適宜加工された芯材172の外面に樹脂シ
ート173を被覆させている。また,図31に示す第1
0の変形例の洗浄ブラシ175は,横断面形状が正方形
となっているブラシ部176を有している。このような
ブラシ部176の立体形状には,例えば四角柱形状や四
角錐形状等があり,このような形状を形成できるように
適宜加工された芯材177の外面に樹脂シート178を
被覆させている。また,図32に示す第11の変形例の
洗浄ブラシ180は,横断面形状が,三角形を整形した
形状となっており,三つの角部が何れも外側に凸状に湾
曲させたブラシ部181を有している。このような横断
面形状を有したブラシ部181に対応して適宜加工され
た芯材182の外面に樹脂シート183を被覆させてい
る。また,図33に示す第12の変形例の洗浄ブラシ1
85は,横断面形状が長方形となっているブラシ部18
6を有している。このような横断面形状を有したブラシ
部186に対応して適宜加工された芯材187の外面に
樹脂シート188を被覆させている。さらにブラシ部を
多角錐形状,正多面体等に形成できるように芯材を適宜
加工し,この芯材の外面に樹脂シートを被覆させること
も可能である。以上説明したように,芯材は種々の形態
を採りうるものだが,熱溶着により樹脂シートを芯材に
被覆させているので,芯材が複雑な形状であっても樹脂
シートを被覆させることができる。従って,洗浄ブラシ
の形状を自由に形成することができる。そして,洗浄の
種類に応じて,適宜最適な形状の洗浄ブラシを用いるよ
うにすることが好ましい。
【0069】また,洗浄ブラシ24のウェハWに対向す
る面は,図29に示した例を除き平面状に形成されてい
る。洗浄ブラシ24のこの平面には溝を形成することが
好ましいことがわかった。そこで,そのような場合につ
いて説明する。図34は,図9に示した洗浄ブラシ24
の平面,すなわち底面(ウェハWに接触する接触面)に
溝189を形成した実施の形態をなしている。図34に
示す実施の形態では,溝189は断面波形をなし,それ
ぞれが直線状をなし多数隣接して配置されている。図3
5に示す実施の形態では,複数の直線状溝189が離れ
て設けられている。この実施の形態では溝189の断面
形状はほぼ三角形をなしている。溝189の平面上での
配置は,図37に示すように細かい格子状とすることも
できるし,また図38に示すように粗い格子状とするこ
ともできる。溝189の配置は任意で,図37及び図3
8に示す配置以外の種々の配置とすることができる。洗
浄ブラシ24にこのような溝189を設けると,ウェハ
Wの表面上の液膜83と洗浄ブラシ24が相対移動する
際に,図36に矢印で示すように溝189の内部を液が
案内されつつ流動し,これによって,液流(水流)を速
くするとともに,液膜83を薄くすることができ,ウェ
ハWに強く吸着して取れにくかったパーティクルが液流
(水流)に取り込まれて流れ去ることになる。このた
め,パーティクル除去の効率が向上する。
【0070】次に,ウェハWの洗浄,乾燥時のダメージ
の評価方法について図39及び図40を参照して説明す
る。先ず,図39に示すように,ウェハWの表面に所定
のレジストパターン190を形成する。その後,図2及
び図3に示すように,基板洗浄装置7内でウェハWをス
クラブ洗浄機25によってスクラブ洗浄した後にスピン
乾燥する。その後,図40に示すように,ウェハWの表
面を例えば電子光学系の検査装置によって検査し,洗
浄,スピン乾燥時の影響によってレジストパターン19
0の欠けや欠損がどれくらいあるのか測定する。
【0071】このとき,樹脂シート69の材質の種類,
洗浄ブラシ24の接触圧力,洗浄時間,洗浄時ウェハW
の回転数,洗浄ブラシ24から吐出される洗浄液の吐出
量,乾燥時間,スピン乾燥時のウェハWの回転数等の諸
条件は記録しておき,ウェハWの洗浄,スピン乾燥時の
ダメージを総合的に評価する。
【0072】図3及び図4に示す実施の形態では,スク
ラブ洗浄機25の洗浄ブラシ24は,水平アーム26に
対してエアベアリングシリンダ30の作用で上下方向に
変位してウェハWの面への洗浄ブラシ24の押し付け力
(押圧力)を調整するようにしているが,これに代わっ
て,図41に示すように,水平アーム26の基端のシャ
フト27をエアシリンダ200により上下方向に変位可
能に支持し,このエアシリンダ200の上下駆動変位を
水平アーム26に伝達し,この水平アーム26の上下変
位によって洗浄ブラシ24をウェハWに押し付ける力を
調節するようにしてもよい。
【0073】従来では,製造プロセスが終了して半導体
デバイスが製造された後,半導体デバイスの歩留まり率
によって,ウェハWの洗浄,スピン乾燥時のダメージを
判断していた。当然のことながら,半導体デバイスの製
造プロセスには,成膜工程やエッチングなどの種々の工
程が含まれているので,半導体デバイスの歩留まり率で
は,ウェハWの洗浄,スピン乾燥時のダメージを正確に
評価することはできない。そこで,かかる方法によれ
ば,レジストパターン付きのウェハWを用いて洗浄,乾
燥時のダメージを直接測定するようにしたので,正確な
ダメージ評価を得ることができるようになった。しか
も,レジストパターン付きのウェハWは簡単に作成する
ことができるので,樹脂シート69の材質の種類,洗浄
ブラシ24の接触圧力などの諸条件を変えてダメージ評
価を行えば,様々な場合のダメージに関するデータを得
ることができるようになる。なお,基板洗浄装置7に関
するデータを得るだけでなく,例えば前処理として加熱
装置9でウェハWを加熱した後に基板洗浄装置7で洗浄
する場合や基板洗浄装置7で洗浄した後に後処理として
加熱装置9でウェハWを加熱する場合に,レジストパタ
ーン190の欠けや欠損がどれくらいあるのか測定する
ようにしても良い。
【0074】また,本発明は,フッ酸溶液により酸化膜
をエッチングする場合や例えばリン酸溶液によって窒化
膜をエッチングする場合,リン酸,酢酸,硝酸の混合液
によってアルミニウムをエッチングする場合の後の洗浄
処理に適用できる。その他,洗浄処理としては,APM
溶液(アンモニア+過酸化水素水+純水)によりパーテ
ィクルの除去を行う場合や,HPM溶液(塩酸+過酸化
水素水+純水)により金属汚染を清浄する場合,SPM
溶液(硝酸+過酸化水素水)によりレジスト膜の有機物
を除去する場合等に適用できる。
【0075】さらに,鉛直方向を軸として洗浄ブラシを
回転させながらウェハに接触させ,洗浄ブラシとウェハ
を相対的に移動させて洗浄を行うことも可能である。ま
た,基板を上記した本発明の実施の形態にようにウェハ
に限定せずに,LCD基板,CD基板,プリント基板,
セラミック基板等であってもよい。
【0076】
【発明の効果】請求項1〜7に記載の発明によれば,基
板の汚染や損傷を防止でき,かつ基板洗浄具を常に所定
の形状に保つことができる。従って,当初の接触圧力を
維持して基板を良好に洗浄できる。
【0077】特に請求項2によれば,基板への接触面積
を拡大させ,基板の特定箇所に過度の接触圧力がかかる
ことを防止でき,スクラッチを無くして基板を損傷させ
ずに良好な洗浄を行うことができる。また,請求項3に
よれば,芯材の材質の要求を満たすことができる。ま
た,請求項4,5によれば,洗浄液を吐出する際の水圧
によって多孔質膜が芯材から剥がれたり,多孔質膜自体
が膨張することを防止することができ,特に請求項5に
よれば,基板洗浄具の形状を自由に作ることができるよ
うになる。また,請求項6,7によれば,基板洗浄具に
関して,パーティクルの付着の防止,基板の汚染防止,
良好な耐薬品性,製品寿命の長期化等を実現することで
きる。
【0078】請求項8〜10に記載の発明によれば,請
求項1〜7と同様に基板の汚染や損傷を防止して良好な
洗浄を行うことができる。特に請求項9によれば,洗浄
力を向上させることができる。また,請求項10によれ
ば,基板洗浄具の交換を簡単に行うことができる。
【0079】請求項11〜16に記載の発明によれば,
所定の接触圧力で洗浄することができる。特に請求項1
2の発明によれば,基板と基板洗浄具との接触が滑らか
になり,請求項13の発明によれば,基板への接触面積
を拡大させ,スクラッチ等による基板の損傷を防止する
ことができる。請求項15,16によれば,基板の表面
上に液膜を好適に形成して,基板を洗浄することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる基板洗浄装置を備
えた洗浄装置の斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる基板洗浄装置の平
面図である。
【図3】本発明の実施の形態にかかる基板洗浄装置の縦
断面図である。
【図4】アーム部材の縦断面図である。
【図5】エアベアリングシリンダの斜視図である。
【図6】エアベアリングシリンダの縦断面図である。
【図7】電空レギュレータと制御部との関係を説明する
回路図である。
【図8】ロッド,下部部材,取付具,洗浄ブラシの縦断
面図である。
【図9】取付具の一部及び洗浄ブラシを拡大して示した
縦断面図である。
【図10】洗浄ブラシの各構成部品を分解して示した斜
視図である。
【図11】洗浄ブラシを純水の液膜を通して直接的にウ
ェハの表面に接触させたときの様子を示した説明図であ
る。
【図12】洗浄ブラシを純水の液膜を通して間接的にウ
ェハの表面に接触させたときの様子を示した説明図であ
る。
【図13】ノズルを設けた場合の基板洗浄装置の平面図
である。
【図14】下部部材に対して着脱自在に構成された取付
具の他の例を示す縦断面図であって,下部部材に取付具
を取り付けた状態を示している。
【図15】下部部材に対して着脱自在に構成された取付
具の他の例を示す縦断面図であって,下部部材から取付
具を取り外す際の若しくは下部部材に取付具を取り付け
る際の状態を示している。
【図16】本体にブラシ部を取り付ける際の工程を説明
する第1の工程説明図である。
【図17】本体にブラシ部を取り付ける際の工程を説明
する第2の工程説明図である。
【図18】本体にブラシ部を取り付ける際の工程を説明
する第3の工程説明図である。
【図19】洗浄ブラシの第1の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図20】洗浄ブラシの第2の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図21】洗浄ブラシの第3の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図22】洗浄ブラシの第4の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図23】洗浄ブラシの第5の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図24】洗浄ブラシの第6の変形例を示す斜視図であ
る。
【図25】洗浄ブラシの第6の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図26】洗浄ブラシの第7の変形例を示す斜視図であ
る。
【図27】洗浄ブラシの第7の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図28】洗浄ブラシの第8の変形例を示す斜視図であ
る。
【図29】洗浄ブラシの第8の変形例を示す縦断面図で
ある。
【図30】洗浄ブラシの第9の変形例を示す横断面図で
ある。
【図31】洗浄ブラシの第10の変形例を示す横断面図
である。
【図32】洗浄ブラシの第11の変形例を示す横断面図
である。
【図33】洗浄ブラシの第12の変形例を示す横断面図
である。
【図34】洗浄ブラシの平面(ウェハに接触する接触
面)に溝を形成した場合の縦断面図である。
【図35】洗浄ブラシの平面(ウェハに接触する接触
面)に溝を形成した場合の他の例の説明図である。
【図36】洗浄ブラシの平面(ウェハに接触する接触
面)に溝を形成した場合であって,溝の内部を液が案内
されつつ流動している状態を示す説明図である。
【図37】洗浄ブラシの平面(ウェハに接触する接触
面)に溝を形成した場合であって,溝の平面上の配置の
一例を示す説明図である。
【図38】洗浄ブラシの平面(ウェハに接触する接触
面)に溝を形成した場合であって,溝の平面上の配置の
他の例を示す説明図である。
【図39】ウェハの洗浄,スピン乾燥時のダメージを評
価する際の工程を説明する第1の工程説明図である。
【図40】ウェハの洗浄,スピン乾燥時のダメージを評
価する際の工程を説明する第2の工程説明図である。
【図41】洗浄ブラシの押し付け力(押圧力)を調整す
る他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 洗浄装置 7 基板洗浄装置 24 洗浄ブラシ 30 エアベアリングシリンダ 31 ロッド 60 純水供給路 62 超音波振動機構 68 芯材 67 樹脂シート 72 平面部 W ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643A 644 644A (72)発明者 井上 朋嗣 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内 (72)発明者 宮崎 高典 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内 (72)発明者 上野 欽也 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン九州株式会社プロセス開発センタ ー内 (72)発明者 折居 武彦 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン九州株式会社プロセス開発センタ ー内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を洗浄する洗浄具であって,洗浄液
    を基板に供給するための洗浄液供給路と,前記洗浄液供
    給路から洗浄液が供給される透水性の芯材とを備え,前
    記芯材に透水性の多孔質膜を被覆させたことを特徴とす
    る,基板洗浄具。
  2. 【請求項2】 前記芯材において基板と対向する面に平
    面部を形成し,該平面部に前記多孔質膜を被覆させたこ
    とを特徴とする,請求項1に記載の基板洗浄具。
  3. 【請求項3】 前記芯材は,微細な孔を多数有する樹脂
    であることを特徴とする,請求項1又は2に記載の基板
    洗浄具。
  4. 【請求項4】 前記芯材に多孔質膜を固着させたことを
    特徴とする,請求項1,2又は3に記載の基板洗浄具。
  5. 【請求項5】 前記固着が,熱溶着により行われること
    を特徴とする,請求項4に記載の基板洗浄具。
  6. 【請求項6】 前記透水性の多孔質膜は,親水性の樹脂
    であることを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5
    に記載の基板洗浄具。
  7. 【請求項7】 前記透水性の多孔質膜は,撥水性の樹脂
    であることを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5
    に記載の基板洗浄具。
  8. 【請求項8】 基板を洗浄する装置であって,請求項
    1,2,3,4,5,6又は7に記載の基板洗浄具と,
    前記基板洗浄具を押圧する押圧軸に対して推力を付与す
    る駆動部とを備え,前記押圧軸の内部に前記洗浄液供給
    路を設けたことを特徴とする,基板洗浄装置。
  9. 【請求項9】 前記洗浄液供給路を通る洗浄液に超音波
    を発振して振動させる超音波発振機構を備えたことを特
    徴とする,請求項8に記載の基板洗浄装置。
  10. 【請求項10】 前記押圧軸に対して,前記基板洗浄具
    が着脱自在であることを特徴とする,請求項8又9に記
    載の基板洗浄装置。
  11. 【請求項11】 洗浄液供給路から洗浄液が供給される
    透水性の芯材に透水性の多孔質膜を被覆させてなる基板
    洗浄具から洗浄液を吐出させ,該基板洗浄具を押圧しな
    がら基板を洗浄する基板洗浄方法であって,前記基板に
    対して基板洗浄具を押圧させる前に,洗浄する際の基板
    洗浄具の所定の接触圧力を設定する工程と,前記基板に
    基板洗浄具を押圧させる工程と,前記所定の接触圧力に
    なるように,基板洗浄具の押圧力を調整する工程とを有
    することを特徴とする,基板洗浄方法。
  12. 【請求項12】 前記基板に基板洗浄具を面接触させる
    ことを特徴とする,請求項11に記載の基板洗浄方法。
  13. 【請求項13】 前記基板に液膜を介して基板洗浄具を
    押圧させることを特徴とする,請求項11に記載の基板
    洗浄方法。
  14. 【請求項14】 前記基板を回転させながら洗浄するこ
    とを特徴とする,請求項11,12又は13に記載の基
    板洗浄方法。
  15. 【請求項15】 洗浄液供給路から洗浄液が供給される
    透水性の芯材に透水性の多孔質膜を被覆させてなる基板
    洗浄具から洗浄液を吐出させる工程と,ノズルから基板
    の表面に洗浄液を供給する工程と,前記基板洗浄具から
    吐出される洗浄液と,前記ノズルから供給される洗浄液
    で,基板の表面と基板洗浄具との間に液膜を形成した状
    態で基板を洗浄する工程とを有することを特徴とする,
    基板洗浄方法。
  16. 【請求項16】 前記ノズルから吐出された洗浄液を基
    板の表面に供給しつつ,前記基板洗浄具から洗浄液を吐
    出した状態で,基板の表面に対して前記基板洗浄具を接
    近させ,液膜を形成することを特徴とする,請求項15
    の基板洗浄方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094602A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Tokyo Electron Ltd ブラシ、基板処理装置および基板処理方法。
WO2016052642A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP2016131186A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
KR20170120024A (ko) * 2016-04-20 2017-10-30 가부시기가이샤 디스코 세정 장치
KR20180084642A (ko) * 2017-01-17 2018-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2019087685A (ja) * 2017-11-09 2019-06-06 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
JPWO2018124211A1 (ja) * 2016-12-28 2019-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094602A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Tokyo Electron Ltd ブラシ、基板処理装置および基板処理方法。
CN106716605B (zh) * 2014-09-30 2021-06-08 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
JPWO2016052642A1 (ja) * 2014-09-30 2017-07-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
US10607863B2 (en) 2014-09-30 2020-03-31 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus
CN113363187B (zh) * 2014-09-30 2024-03-22 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
CN106716605A (zh) * 2014-09-30 2017-05-24 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
CN113363187A (zh) * 2014-09-30 2021-09-07 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置
WO2016052642A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP2016131186A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
KR102264628B1 (ko) * 2016-04-20 2021-06-11 가부시기가이샤 디스코 세정 장치
TWI711494B (zh) * 2016-04-20 2020-12-01 日商迪思科股份有限公司 洗淨裝置
KR20170120024A (ko) * 2016-04-20 2017-10-30 가부시기가이샤 디스코 세정 장치
JPWO2018124211A1 (ja) * 2016-12-28 2019-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20180084642A (ko) * 2017-01-17 2018-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US11084072B2 (en) 2017-01-17 2021-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
KR102465094B1 (ko) * 2017-01-17 2022-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2018117018A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP2019087685A (ja) * 2017-11-09 2019-06-06 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置

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