KR910007084A - 알킬 알루미늄 하이드라이드를 사용한 선택 퇴적을 이용한 퇴적막 형성 방법 - Google Patents

알킬 알루미늄 하이드라이드를 사용한 선택 퇴적을 이용한 퇴적막 형성 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

알킬 알루미늄 하이드라이드를 사용한 선택 퇴적을 이용한 퇴적막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2,3도는 본 발명에 의한 퇴적막형성법을 실행하는데 적당한 퇴적막형성장치를 표시하는 모식도.
제 4도는 본 발명에 의한 퇴적막형성법을 설명하기 위한 모식도.

Claims (34)

  1. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 퇴적막형성용의 공간에 배치하는 공정. (b) 알킬알루미늄 하이드라이드이 가스와 수소가스를 상기 퇴적막형성용의 공간에 도입하는 공정, (c) 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해온도 이상에서 그리고 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성이 표면(A)의 온도를 유지하여, 알루미늄 막을 이 전자공여성의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정 및 (d)상기 비전자공여성의 표면(B)을 표면개질하여, 이 표면(B)상 및 상기 선택적으로 퇴적한 알루미늄막상에 알루미늄막을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 퇴적막형성법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 디메틸 알루미늄 하이드라이드임을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 모노 메틸 알루미늄 하이드라이드임을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 상기 표면(B)상에의 자유전자를 포함하는 핵의 형성인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 상기 표면(B)상에의 자유전자를 포함하는 얇은 막의 형성인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 상기 표면(B)을 플라즈마를 사용하여 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은, 티탄원자를 포함한 가스의 도입 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은 실리콘 원자를 포함한 가스의 도입 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은, 상기 비전자공여성의 표면(B)의 온도를 상기 알루미늄막의 선택적 퇴적상의 온도보다도 높은 온도로 상승시켜서 행하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)을 구성하는 재료의 광학적 금지대폭보다 큰 에너지를 가진 빛의 조사공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)에 이온 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)에 전자선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  13. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 퇴적막형성용의 공간에 배치하는 공정, (b)알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 실리콘 원자를 포함하는 가스와 수소가스를 상기 퇴적막형성용의 공간에 도입하는공정, (c)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해 온도이상으로 또한 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성의 표면(A)의 온도를 유지하여, 실리콘을 포함한 알루미늄 막을 이 전자공여성의 표면의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정 및 (d)상기 비전자공여성의 표면(B)을 표면 개질하여, 이 표면(B)상에 알루미늄 막을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 디메틸 알루미늄 하이드라이드임을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 모노 메틸 알루미늄 하이드라이드임을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 상기 표면(B)상에의 자유전자를 포함하는 핵의 형성인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 상기 표면(B)상에의 자유전자를 포함하는 얇은 막의 형성인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  18. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질이란, 플라즈마를 사용하여 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  19. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은, 티탄원자를 포함한 가스의 도입 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  20. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은 실리콘 원자를 포함한 가스의 도입 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  21. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은, 상기 비전자공여성의 표면(B)의 온도를 실리콘 포함한 알루미늄막의 선택적 퇴적시의 온도보다도 높은 온도로 상승시켜서 행하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  22. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)을 구성하는 재료의 광학적 금지대폭보다 큰 에너지를 가진 빛의 조사공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  23. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)에 이온 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  24. 제 13항에 있어서, 상기 표면 개질은 상기 표면(B)에 전자선을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  25. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생 수단을 갖춘 퇴적막형성장치의 퇴적막형성용의 공간에 배치하는 공정,(b)알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 수소 가스을 상기 퇴적막형성용의 공간에 배치하는공정, (c)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해온도이상으로 또한 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성의 표면(A)의 온도를 유지하여, 알루미늄막을 이 전자공여성의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정 (d)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 수소가스를 도입하면서 상기 장치에 플라즈마를 발생시켜서 상기 비전자공여성의 표면(B)을 표면 개질하는 공정 및, e) 상기 알루미늄막 및 상기 개질이된 비전자공여성이 표면(B)상에 알루미늄 막을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 알루미늄 막의 선택형성공정에 있어서는 플라즈마를 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  27. 제 25항에 있어서, 상기 알루미늄 막의 선택형성공정에 있어서, 상기 비전자공여성이 표면(B)에는 알루미늄이 퇴적하지 않는 저전력에 의하여, 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  28. 제 25항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 디메틸 알루미늄 하이드라이드인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  29. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 퇴적막형성용이 공간에 배치하는 공정,(b)알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 수소 가스를 상기 퇴적막형성용의 공간에 도입하는 공정, (c)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해온도이상으로 또한 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성의 표면(A)의 온도를 유지하여, 알루미늄막을 이 전자공여성의 표면의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정 (d)상기 알킬 알루미늄막 및 상기 표면(B)상에 상기 공정과는 다른 퇴적막형성공간에 의하여 알루미늄 막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  30. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생 수단을 갖춘 퇴적막형성장치의 퇴적막형성용의 공간에 배치하는 공정, (b)알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 실리콘 원자를 포함한 가스와 수소가스를 상기 퇴적막형성용의 공간에 도입하는공정, (c)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해온도이상으로 또한 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성의 표면(A)의 온도를 유지하여, 실리콘을 포함한 알루미늄막을 이 전자공여성의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정 (d)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 실리콘 원자를 포함한 가스와 수소가스를 도입하면서 상기 장치에 플라즈마를 발생시켜서 상기 비전자공여성의 표면(B)을 표면 개질하는 공정 및, (e)상기 실리콘을 포함한 알루미늄막 및 상기 개질된 비전자공여성이 표면(B)상에 실리콘을 포함한 알루미늄 막을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  31. 제 30항에 있어서, 상기 알루미늄 막의 선택형성공정에 있어서는 플라즈마를 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  32. 제 30항에 있어서, 상기 알루미늄 막의 선택형성공정에 있어서, 상기 비전자공여성의 표면(B)에는 알루미늄이 퇴적하지 않는 저전력에 의하여, 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
  33. 제 30항에 있어서, 상기 알킬 알루미늄 하이드라이드가 디메틸 알루미늄 하이드라이드인 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성법.
  34. (a)전자공여성의 표면(A)과 비전자공여성의 표면(B)을 가지는 기체를 퇴적막형성용이 공간에 배치하는 공정, (b)알킬 알루미늄 하이드라이드의 가스와 실리콘원자를 포함한 가스와 수소 가스를 상기 퇴적막형성용의 공간에 도입하는 공정, (c)상기 알킬 알루미늄 하이드라이드의 분해온도이상으로 또한 450℃이하의 범위내에 상기 전자공여성의 표면(A)의 온도를 유지하여, 알루미늄막을 이 전자공여성의 표면의 표면(A)에 선택적으로 형성하는 공정, (d)상기 알루미늄막 및 상기 표면(B)상에 상기 공정과는 다른 퇴적막형성공간에 의하여 알루미늄 막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 퇴적막 형성방법.
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