JPH04346231A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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- H01L2924/01054—Xenon [Xe]
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- H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
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- H01L2924/01074—Tungsten [W]
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/0504—14th Group
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】図3および図4は、それぞれ、従来の方
法によりボンディング・パッド部上の保護膜を形成した
状態の集積回路の断面図および平面図である。
法によりボンディング・パッド部上の保護膜を形成した
状態の集積回路の断面図および平面図である。
【0003】トランジスタなどの能動素子や抵抗などの
受動素子を多数、同一基板上に形成し、素子間の配線を
ほどこして、一つの回路またはシステムを構成したデバ
イスであるモノシリックICの従来の製造方法では、基
板1上に最上層のAlまたはAl合金配線2を、スパッ
タリング法により、0.8〜1.6μm程度の膜厚で成
膜し、フォトリソグラフィ工程にて所望のパターンを形
成する。このように形成したパターンは通常、素子から
外部ヘ信号を引き出すための50〜100μm角程度の
大きさのリード接続用電極部、すなわち、ボンディング
・パッドを含んでいる。次に保護膜3となるSiN膜を
プラズマCVD法により成膜し、ボンディング・パッド
部分を開孔する。
受動素子を多数、同一基板上に形成し、素子間の配線を
ほどこして、一つの回路またはシステムを構成したデバ
イスであるモノシリックICの従来の製造方法では、基
板1上に最上層のAlまたはAl合金配線2を、スパッ
タリング法により、0.8〜1.6μm程度の膜厚で成
膜し、フォトリソグラフィ工程にて所望のパターンを形
成する。このように形成したパターンは通常、素子から
外部ヘ信号を引き出すための50〜100μm角程度の
大きさのリード接続用電極部、すなわち、ボンディング
・パッドを含んでいる。次に保護膜3となるSiN膜を
プラズマCVD法により成膜し、ボンディング・パッド
部分を開孔する。
【0004】この開口部4にAlあるいはAuの金属細
線をワイヤー・ボンディングして、パッケージの外部端
子に接続する。また、TAB(テープ自動ボンディング
)の場合はボンディング・パット部を開孔した後に、厚
さ1000〜2000Å程度のAu層であるコンタクト
バリア層および厚いレジスト層を塗布しボンディングパ
ッド上のレジストを現像除去した後、電解メッキにて2
5μm程度のAuを成膜し、レジストおよびコンタクト
バリア層を除去することにより、バンプを形成する。 この後、テープボンディングを行なう。
線をワイヤー・ボンディングして、パッケージの外部端
子に接続する。また、TAB(テープ自動ボンディング
)の場合はボンディング・パット部を開孔した後に、厚
さ1000〜2000Å程度のAu層であるコンタクト
バリア層および厚いレジスト層を塗布しボンディングパ
ッド上のレジストを現像除去した後、電解メッキにて2
5μm程度のAuを成膜し、レジストおよびコンタクト
バリア層を除去することにより、バンプを形成する。 この後、テープボンディングを行なう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、ボン
ディング・パッド部の配線の膜厚は、ボンディングワイ
ヤーとの密着強度の関係から0.6μm以上の膜厚が望
ましい。すなわち、ボンディング・パッド部の配線金属
の膜厚が厚い方が、ボンディング時にパッド部が軟らか
く変形するため十分な密着強度が得られる。しかしなが
ら、ICの集積度の向上と高機能化によって、必ずしも
ボンディング・パッド部が上記のような条件を満足出来
なくなっている。例えば、配線の膜厚においては、線幅
,線間ピッチの縮小のために薄膜化が必須となり、また
、配線材料も従来のAlまたはAl合金からW,Mo,
Ti等の高融点金属、あるいは、そのシリサイドが用い
られるようになり密着強度に対して大きな問題となる。
ディング・パッド部の配線の膜厚は、ボンディングワイ
ヤーとの密着強度の関係から0.6μm以上の膜厚が望
ましい。すなわち、ボンディング・パッド部の配線金属
の膜厚が厚い方が、ボンディング時にパッド部が軟らか
く変形するため十分な密着強度が得られる。しかしなが
ら、ICの集積度の向上と高機能化によって、必ずしも
ボンディング・パッド部が上記のような条件を満足出来
なくなっている。例えば、配線の膜厚においては、線幅
,線間ピッチの縮小のために薄膜化が必須となり、また
、配線材料も従来のAlまたはAl合金からW,Mo,
Ti等の高融点金属、あるいは、そのシリサイドが用い
られるようになり密着強度に対して大きな問題となる。
【0006】また、バンプを形成する場合、コンタクト
バリア層の形成および電解メッキが必要で工程が長く、
コンタクトバリア層の除去工程では、保護膜に欠陥を生
じさせる可能性がある等の問題がある。
バリア層の形成および電解メッキが必要で工程が長く、
コンタクトバリア層の除去工程では、保護膜に欠陥を生
じさせる可能性がある等の問題がある。
【0007】本発明の目的は、ボンディングの配線の時
に十分な密着強度が得られる半導体装置の製造方法を提
供することにある。
に十分な密着強度が得られる半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体の製造方
法は、基板上に電子供与性材料からなる一層以上の配線
を形成する工程と、前記電子供与性材料上に非電子供与
性材料からなる保護膜を所望のパターン形状に成膜して
、前記電子供与性材料の表面の露出するボンディング・
パッド部となるべき開孔部を設ける工程と、前記開孔部
内にのみ選択的に金属膜を成長させる工程とを含むこと
を特徴とする。
法は、基板上に電子供与性材料からなる一層以上の配線
を形成する工程と、前記電子供与性材料上に非電子供与
性材料からなる保護膜を所望のパターン形状に成膜して
、前記電子供与性材料の表面の露出するボンディング・
パッド部となるべき開孔部を設ける工程と、前記開孔部
内にのみ選択的に金属膜を成長させる工程とを含むこと
を特徴とする。
【0009】金属膜が選択的に堆積される基体材料は電
子供与性材料である。
子供与性材料である。
【0010】電子供与性材料とは、基体中に自由電子が
存在しているか、もしくは自由電子を意図的に生成せし
めたかしたもので、例えば基体表面上に付着した原料ガ
ス分子との電子授受により化学反応が促進される表面を
有する材料をいう。例えば、一般に金属や半導体がこれ
に相当する。金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存
在しているものも含まれる。それは基体と付着原料分子
間で電子授受により化学反応が生ずるからである。
存在しているか、もしくは自由電子を意図的に生成せし
めたかしたもので、例えば基体表面上に付着した原料ガ
ス分子との電子授受により化学反応が促進される表面を
有する材料をいう。例えば、一般に金属や半導体がこれ
に相当する。金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存
在しているものも含まれる。それは基体と付着原料分子
間で電子授受により化学反応が生ずるからである。
【0011】具体的には、単結晶シリコン,多結晶シリ
コン,非晶質シリコン等の半導体、III族元素として
のGa,In,AlとV族元素としてのP,As,Nと
を組合せて成る二元系もしくは三元系もしくは四元系I
II−V族化合物半導体、タングステン,モリブデン,
タンタル,タングステンシリサイド,チタンシリサイド
,アルミニウム,アルミニウムシリコン,チタンアルミ
ニウム,チタンナイトランド,銅,アルミニウムシリコ
ン銅,アルミニウムパラジウム,チタン,モリブデンシ
リサイド,タンタルシリサイド等の金属,合金およびそ
れらのシリサイド等を含む。
コン,非晶質シリコン等の半導体、III族元素として
のGa,In,AlとV族元素としてのP,As,Nと
を組合せて成る二元系もしくは三元系もしくは四元系I
II−V族化合物半導体、タングステン,モリブデン,
タンタル,タングステンシリサイド,チタンシリサイド
,アルミニウム,アルミニウムシリコン,チタンアルミ
ニウム,チタンナイトランド,銅,アルミニウムシリコ
ン銅,アルミニウムパラジウム,チタン,モリブデンシ
リサイド,タンタルシリサイド等の金属,合金およびそ
れらのシリサイド等を含む。
【0012】これに対して、金属が選択的に堆積しない
表面を形成する材料、すなわち非電子供与性材料として
は、熱酸化,CVD等により酸化シリコン,BSG,P
SG,BPSG等のガラスまたは酸化膜,シリコンの熱
窒化膜,プラズマCVD,減圧CVD,ECR−CVD
法等によるシリコン窒化膜等である。
表面を形成する材料、すなわち非電子供与性材料として
は、熱酸化,CVD等により酸化シリコン,BSG,P
SG,BPSG等のガラスまたは酸化膜,シリコンの熱
窒化膜,プラズマCVD,減圧CVD,ECR−CVD
法等によるシリコン窒化膜等である。
【0013】
【作用】本発明によれば、保護膜を開孔したボンディン
グ・パッド部に、選択CVD法によりAlを成長させる
ことにより、ワイヤボンディングを行う場合、容易かつ
高信頼性で実現することができる。また、TABを行う
場合は、従来のバンプの形成プロセスを省略することが
できる。
グ・パッド部に、選択CVD法によりAlを成長させる
ことにより、ワイヤボンディングを行う場合、容易かつ
高信頼性で実現することができる。また、TABを行う
場合は、従来のバンプの形成プロセスを省略することが
できる。
【0014】
【実施例】以下図面を参照しつつ本発明の実施例を具体
的に説明する。
的に説明する。
【0015】(実施例1)基板上に形成される素子の用
途、規模により複数の配線が層間絶縁膜を介して積層し
た多層配線の場合もあるが、図1では1層の配線を施し
た場合について説明する。
途、規模により複数の配線が層間絶縁膜を介して積層し
た多層配線の場合もあるが、図1では1層の配線を施し
た場合について説明する。
【0016】図1は本発明を用いて、TABに対応した
バンプをボンディング・パッド部上にAlを選択的に形
成した場合の実施例を説明するための集積回路の断面図
である。
バンプをボンディング・パッド部上にAlを選択的に形
成した場合の実施例を説明するための集積回路の断面図
である。
【0017】Si基板1上に素子を形成して、Al−S
iからなる配線2をスパッタリング法により0.6〜1
.2μmの厚さで成膜し、フォトリソグラフィ工程によ
りパターニングした。次に、保護膜3であるSiN膜を
プラズマCVD法により0.8〜2μmの厚みになるよ
うに成膜し、パターニングによりボンディング・パッド
部となるべき開孔部4を形成した。
iからなる配線2をスパッタリング法により0.6〜1
.2μmの厚さで成膜し、フォトリソグラフィ工程によ
りパターニングした。次に、保護膜3であるSiN膜を
プラズマCVD法により0.8〜2μmの厚みになるよ
うに成膜し、パターニングによりボンディング・パッド
部となるべき開孔部4を形成した。
【0018】次に、原料ガスとしてDMAH(ジメチル
アルミニウムハイドライド)を用い、基板温度300℃
、全圧力1.5Torr、DMAHの分圧5×10−3
Torrとし、反応ガスとしてH2 を用いて開孔部4
にAl膜5をCVD法によって成膜した。
アルミニウムハイドライド)を用い、基板温度300℃
、全圧力1.5Torr、DMAHの分圧5×10−3
Torrとし、反応ガスとしてH2 を用いて開孔部4
にAl膜5をCVD法によって成膜した。
【0019】ここで、Al−Siは電子供与性材料であ
るから、このAl−Si上にAlが選択的に堆積した。 一方、SiNは非電子供与性材料であるからAlはSi
N上には堆積しなかった。
るから、このAl−Si上にAlが選択的に堆積した。 一方、SiNは非電子供与性材料であるからAlはSi
N上には堆積しなかった。
【0020】Alの膜厚は任意に選択することができる
が、バンプとして用いるためには保護膜の膜厚より厚い
ことが必要であり、20〜30μmが適当である。Al
膜の成長は保護膜3の開孔部4を埋め込むように進行し
、開孔部4を埋め込んだ後も、そのまま縦方向に成長を
続けた。横方向への成長はAl膜の成長条件により変化
した。本実施例においては、バンプを形成する場合コン
タタクトバリア層の形成および電解メッキが不要であり
TABの工程を簡略化することができる。
が、バンプとして用いるためには保護膜の膜厚より厚い
ことが必要であり、20〜30μmが適当である。Al
膜の成長は保護膜3の開孔部4を埋め込むように進行し
、開孔部4を埋め込んだ後も、そのまま縦方向に成長を
続けた。横方向への成長はAl膜の成長条件により変化
した。本実施例においては、バンプを形成する場合コン
タタクトバリア層の形成および電解メッキが不要であり
TABの工程を簡略化することができる。
【0021】(実施例2)図2は本発明を用いて、ワイ
ヤボンディングに対応したボンディング・パッド部を形
成した場合の他の実施例を説明するための集積回路の断
面図である。
ヤボンディングに対応したボンディング・パッド部を形
成した場合の他の実施例を説明するための集積回路の断
面図である。
【0022】Si基板1上に素子を形成し、高融点金属
またはそのシリサイドからなる配線を成膜した。次に保
護膜3を成膜し、パターニングしてボンディング・パッ
ド部となるべき開孔部4を形成した。Al膜の膜厚は0
.6μm以上であればワイヤボンディングが十分可能で
あり、また、堆積時間を短縮するために、Alの膜厚は
0.6〜2μmの厚さがあればよい。このようにしてボ
ンディングバッファ膜6を形成する。
またはそのシリサイドからなる配線を成膜した。次に保
護膜3を成膜し、パターニングしてボンディング・パッ
ド部となるべき開孔部4を形成した。Al膜の膜厚は0
.6μm以上であればワイヤボンディングが十分可能で
あり、また、堆積時間を短縮するために、Alの膜厚は
0.6〜2μmの厚さがあればよい。このようにしてボ
ンディングバッファ膜6を形成する。
【0023】実施例2の場合は高融点金属およびそのシ
リサイドは電子供与性材料であるから、この材料上にA
lは選択的に堆積し、保護膜は非電子供与性材料である
から、この材料上にはAlは堆積しなかった。
リサイドは電子供与性材料であるから、この材料上にA
lは選択的に堆積し、保護膜は非電子供与性材料である
から、この材料上にはAlは堆積しなかった。
【0024】配線の膜厚は0.6μm以上の厚さのAl
−Siではそのままワイヤボンディングが十分可能であ
り、本発明を適用する必要はない。
−Siではそのままワイヤボンディングが十分可能であ
り、本発明を適用する必要はない。
【0025】本発明を適用することが望ましいのはボン
ディング・パッド部の配線が0.6μm以下のAlまた
はAl−Si,Al−Ti,Al−Cu,Al−Si−
Ti等の合金あるいは配線材料がAl以外の高融点金属
またはそのシリサイドである場合である。
ディング・パッド部の配線が0.6μm以下のAlまた
はAl−Si,Al−Ti,Al−Cu,Al−Si−
Ti等の合金あるいは配線材料がAl以外の高融点金属
またはそのシリサイドである場合である。
【0026】実施例1および実施例2においては、一層
の配線を施した場合について説明したが、多層配線の場
合も適用できることは言うまでもない。
の配線を施した場合について説明したが、多層配線の場
合も適用できることは言うまでもない。
【0027】実施例1においてはAlを電子供与性材料
であるAl−Si配線上にDMAHとH2 を用いて成
膜させたが、Al膜の選択堆積方法(以下Al−CVD
法と略記する)としては以下の方法でもよい。
であるAl−Si配線上にDMAHとH2 を用いて成
膜させたが、Al膜の選択堆積方法(以下Al−CVD
法と略記する)としては以下の方法でもよい。
【0028】原料ガスとしてモノメチルアルミニウムハ
イドライドを用い、反応ガスとしてH2 ガスを用い、
これらの混合ガスの下で基体表面を加熱すれば良質のA
l膜を堆積することが出来る。ここで、Al選択堆積の
際には直接加熱または間接加熱により基体の表面温度を
アルキルアルミニウムハイドライドの分解温度以上45
0℃未満に保持することが好ましく、より好ましくは2
60℃以上440℃以下がよい。
イドライドを用い、反応ガスとしてH2 ガスを用い、
これらの混合ガスの下で基体表面を加熱すれば良質のA
l膜を堆積することが出来る。ここで、Al選択堆積の
際には直接加熱または間接加熱により基体の表面温度を
アルキルアルミニウムハイドライドの分解温度以上45
0℃未満に保持することが好ましく、より好ましくは2
60℃以上440℃以下がよい。
【0029】基体を上記温度範囲になるべく加熱する方
法としては直接加熱と間接加熱とがあるが、特に直接加
熱により基体を上記温度に保持すれば高堆積速度で良質
のAl膜を形成することができる。例えば、Al膜形成
時の基体表面温度をより好ましい温度範囲である260
℃〜440℃とした時、300Å〜5000Å/分とい
う抵抗加熱の場合よりも高い堆積速度で良質な膜が得ら
れるのである。このような直接加熱(加熱手段からのエ
ネルギーが直接基体に伝達されて基体自体を加熱する)
の方法としては、例えば、ハロゲンランプ、キセノンラ
ンプ等によるランプ加熱があげられる。また、間接加熱
の方法としては抵抗加熱があり、堆積膜を形成すべき基
体を支持するための堆積膜形成用の空間に配設された基
体支持部材に設けられた発熱体等を用いて行うことが出
来る。
法としては直接加熱と間接加熱とがあるが、特に直接加
熱により基体を上記温度に保持すれば高堆積速度で良質
のAl膜を形成することができる。例えば、Al膜形成
時の基体表面温度をより好ましい温度範囲である260
℃〜440℃とした時、300Å〜5000Å/分とい
う抵抗加熱の場合よりも高い堆積速度で良質な膜が得ら
れるのである。このような直接加熱(加熱手段からのエ
ネルギーが直接基体に伝達されて基体自体を加熱する)
の方法としては、例えば、ハロゲンランプ、キセノンラ
ンプ等によるランプ加熱があげられる。また、間接加熱
の方法としては抵抗加熱があり、堆積膜を形成すべき基
体を支持するための堆積膜形成用の空間に配設された基
体支持部材に設けられた発熱体等を用いて行うことが出
来る。
【0030】この方法により電子供与性の表面部分と非
電子供与性の表面部分とが共存する基体にCVD法を適
用すれば電子供与性の基体表面部分にのみ良好な選択性
のもとにAlの単結晶が形成される。
電子供与性の表面部分とが共存する基体にCVD法を適
用すれば電子供与性の基体表面部分にのみ良好な選択性
のもとにAlの単結晶が形成される。
【0031】実施例1および2では、Al膜を形成した
がAl−CVD法によれば以下のようなAlを主成分と
する金属膜をも選択的に堆積でき、その膜質も優れた特
性を示すものである。
がAl−CVD法によれば以下のようなAlを主成分と
する金属膜をも選択的に堆積でき、その膜質も優れた特
性を示すものである。
【0032】たとえば、アルキルアルミニウムハイドラ
イドのガスと水素とに加えてSiH4 ,Si2 H6
,Si3 H8 ,Si(CH3 )4 ,SiCl
4 ,SiH2 Cl2 ,SiHCl3 等のSi原
子を含むガスや、TiCl4 ,TiBr4 ,Ti(
CH3 )4 等のTi原子を含むガスや、ビスアセチ
ルアセトナト銅Cu(C5 H7 O2 ),ビスジピ
バロイルメタナイト銅Cu(C11H19O2 )2
、ビスヘキサフルオロアセチルアセトナト銅Cu(C5
HF6O2 )2 等のCu原子を含むガスを適宜組
み合わせて導入して混合ガス雰囲気として、例えばAl
−Si,Al−Ti,Al−Cu,Al−Si−Ti,
Al−Si−Cu等の導電材料を選択的に堆積させて配
線を形成してもよい。
イドのガスと水素とに加えてSiH4 ,Si2 H6
,Si3 H8 ,Si(CH3 )4 ,SiCl
4 ,SiH2 Cl2 ,SiHCl3 等のSi原
子を含むガスや、TiCl4 ,TiBr4 ,Ti(
CH3 )4 等のTi原子を含むガスや、ビスアセチ
ルアセトナト銅Cu(C5 H7 O2 ),ビスジピ
バロイルメタナイト銅Cu(C11H19O2 )2
、ビスヘキサフルオロアセチルアセトナト銅Cu(C5
HF6O2 )2 等のCu原子を含むガスを適宜組
み合わせて導入して混合ガス雰囲気として、例えばAl
−Si,Al−Ti,Al−Cu,Al−Si−Ti,
Al−Si−Cu等の導電材料を選択的に堆積させて配
線を形成してもよい。
【0033】また、上記Al−CVD法は、選択性に優
れた成膜方法であり且堆積した膜の表面性が良好である
ために、次の堆積工程に非選択性の成膜方法を適用して
、上述の選択堆積したAl膜および絶縁膜としてのSi
O2 等の上にもAlまたはAlを主成分とする金属膜
を形成することにより、半導体装置の配線として汎用性
の高い好適な金属膜を得ることができる。
れた成膜方法であり且堆積した膜の表面性が良好である
ために、次の堆積工程に非選択性の成膜方法を適用して
、上述の選択堆積したAl膜および絶縁膜としてのSi
O2 等の上にもAlまたはAlを主成分とする金属膜
を形成することにより、半導体装置の配線として汎用性
の高い好適な金属膜を得ることができる。
【0034】このような金属膜とは、具体的には以下の
とおりである。選択堆積したAl,Al−Si,Al−
Ti,Al−Cu,Al−Si−Ti,Al−Si−C
uと非選択的に堆積したAl,Al−Si,Al−Ti
,Al−Cu,Al−Si−Ti,Al−Si−Cuと
の組み合わせ等である。
とおりである。選択堆積したAl,Al−Si,Al−
Ti,Al−Cu,Al−Si−Ti,Al−Si−C
uと非選択的に堆積したAl,Al−Si,Al−Ti
,Al−Cu,Al−Si−Ti,Al−Si−Cuと
の組み合わせ等である。
【0035】配線に用いる高融点金属の具体的な例は、
W,Mo,Ta,Ti等が挙げられ、またシリサイドの
例は、Mm Sn (Mは高融点金属、mとnは整数)
である。ここで(m,n)の組み合わせとしては、(2
,1),(1,1),(1,2)が一般的に多い。
W,Mo,Ta,Ti等が挙げられ、またシリサイドの
例は、Mm Sn (Mは高融点金属、mとnは整数)
である。ここで(m,n)の組み合わせとしては、(2
,1),(1,1),(1,2)が一般的に多い。
【0036】通常シリサイドの形成には、高融点金属の
ハロゲン化物(M0 Cl5 ,WCl5 等)のガス
とシランガス(SiH4 )の気相での反応が用いられ
る。気相成長法の最大のメリットは、ステップカバレッ
ジがきわめて良いことである。
ハロゲン化物(M0 Cl5 ,WCl5 等)のガス
とシランガス(SiH4 )の気相での反応が用いられ
る。気相成長法の最大のメリットは、ステップカバレッ
ジがきわめて良いことである。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
保護膜を開孔したボンディング・パッド部に選択CVD
法によりAlを堆積することにより以下の効果がある。
保護膜を開孔したボンディング・パッド部に選択CVD
法によりAlを堆積することにより以下の効果がある。
【0038】(1)TABに対するバンプ形成工程を大
幅に簡略化することができる。
幅に簡略化することができる。
【0039】(2)配線の膜厚が0.6μm以下のよう
な薄い配線を必要とする場合、または配線材料がAl以
外の高融点金属またはそのシリサイドを主成分とするよ
うな場合、ワイヤー・ボンディングを容易かつ高信頼性
で実現することができる。
な薄い配線を必要とする場合、または配線材料がAl以
外の高融点金属またはそのシリサイドを主成分とするよ
うな場合、ワイヤー・ボンディングを容易かつ高信頼性
で実現することができる。
【図1】本発明の実施例を説明するための集積回路の断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の他の実施例を説明するための集積回路
の断面図である。
の断面図である。
【図3】従来のモノシリック集積回路(IC)の断面図
である。
である。
【図4】従来のモノシリック集積回路(IC)の平面図
である。
である。
1 基板
2 配線
3 保護膜
4 開孔部
5 バンプ
6 ボンディングバッファ層
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に電子供与性材料からなる一層
以上の配線を形成する工程と、前記電子供与性材料上に
非電子供与性材料からなる保護膜を所望のパターン形状
に成膜して、前記電子供与性材料の表面の露出するボン
ディング・パッド部となるべき開孔部を設ける工程と、
前記開孔部内にのみ選択的に金属膜を成長させる工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記金属膜がアルミニウムまたはアル
ミニウム合金からなることを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記配線層が高融点金属またはそのシ
リサイドからなることを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記ボンディング・パッド部上の開孔
部に選択的に成長させる金属膜の膜厚は、前記保護膜の
膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3118738A JPH04346231A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
EP92108589A EP0514888A1 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-21 | Method of forming a contact pad by selective deposition of a metal film |
US08/277,133 US5476815A (en) | 1991-05-23 | 1994-07-19 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3118738A JPH04346231A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346231A true JPH04346231A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14743850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3118738A Pending JPH04346231A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5476815A (ja) |
EP (1) | EP0514888A1 (ja) |
JP (1) | JPH04346231A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7183189B2 (en) | 1996-12-04 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
US7470979B2 (en) | 1996-12-04 | 2008-12-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG46606A1 (en) * | 1990-05-31 | 1998-02-20 | Conon Kabushiki Kaisha | Device seperation structure and semiconductor device improved in wiring structure |
EP0543361B1 (en) | 1991-11-20 | 2002-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
IL106892A0 (en) * | 1993-09-02 | 1993-12-28 | Pierre Badehi | Methods and apparatus for producing integrated circuit devices |
IL108359A (en) * | 1994-01-17 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Method and device for creating integrated circular devices |
IL110261A0 (en) * | 1994-07-10 | 1994-10-21 | Schellcase Ltd | Packaged integrated circuit |
US5661082A (en) * | 1995-01-20 | 1997-08-26 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a bond pad |
JP3362545B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5814560A (en) * | 1995-11-29 | 1998-09-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Metallization sidewall passivation technology for deep sub-half micrometer IC applications |
JP3305211B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2002-07-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6093894A (en) * | 1997-05-06 | 2000-07-25 | International Business Machines Corporation | Multiconductor bonded connection assembly with direct thermal compression bonding through a base layer |
US6297160B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Application of pure aluminum to prevent pad corrosion |
US6511901B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-01-28 | Atmel Corporation | Metal redistribution layer having solderable pads and wire bondable pads |
US7919864B2 (en) * | 2003-10-13 | 2011-04-05 | Stmicroelectronics S.A. | Forming of the last metallization level of an integrated circuit |
US8076786B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-12-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package and method for packaging a semiconductor package |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2032872B2 (de) * | 1970-07-02 | 1975-03-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse |
DE3815569A1 (de) * | 1987-05-07 | 1988-12-29 | Intel Corp | Verfahren zum selektiven abscheiden eines leitenden materials bei der herstellung integrierter schaltungen |
DE3818509A1 (de) * | 1987-06-01 | 1988-12-22 | Gen Electric | Verfahren und einrichtung zum herstellen eines niederohmigen kontaktes mit aluminium und dessen legierungen durch selektives niederschlagen von wolfram |
EP0349696A1 (en) * | 1988-07-08 | 1990-01-10 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of depositing metal on an aluminium substrate |
PT95232B (pt) * | 1989-09-09 | 1998-06-30 | Canon Kk | Processo de producao de uma pelicula de aluminio depositada |
JP2721023B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
SG45420A1 (en) * | 1989-09-26 | 1998-01-16 | Canon Kk | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride and process for preparing semiconductor device |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP3118738A patent/JPH04346231A/ja active Pending
-
1992
- 1992-05-21 EP EP92108589A patent/EP0514888A1/en not_active Ceased
-
1994
- 1994-07-19 US US08/277,133 patent/US5476815A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7183189B2 (en) | 1996-12-04 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
US7470979B2 (en) | 1996-12-04 | 2008-12-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
US7511362B2 (en) | 1996-12-04 | 2009-03-31 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
US7521796B2 (en) | 1996-12-04 | 2009-04-21 | Seiko Epson Corporation | Method of making the semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
US7842598B2 (en) | 1996-12-04 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument |
US7888260B2 (en) | 1996-12-04 | 2011-02-15 | Seiko Epson Corporation | Method of making electronic device |
US8115284B2 (en) | 1996-12-04 | 2012-02-14 | Seiko Epson Corporation | Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board and electronic instrument |
US8384213B2 (en) | 1996-12-04 | 2013-02-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, circuit board, and electronic instrument |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0514888A1 (en) | 1992-11-25 |
US5476815A (en) | 1995-12-19 |
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